JPH11135687A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH11135687A JPH11135687A JP9301271A JP30127197A JPH11135687A JP H11135687 A JPH11135687 A JP H11135687A JP 9301271 A JP9301271 A JP 9301271A JP 30127197 A JP30127197 A JP 30127197A JP H11135687 A JPH11135687 A JP H11135687A
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- sealing layer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＵＮＴ構造の半導体装置において、キャリア
テープの裏面側での樹脂封止層の接着強度を向上させ、
クラック発生等を防止する。 【解決手段】 本発明では、フィルムキャリアテープ６
のデバイスホール７が、短辺側の中央部が両端部に比べ
て外側に延出した形状を有し、この延出部７ａを含めた
長辺方向の寸法が半導体素子８の対応する寸法より大き
くなっている。そして、樹脂封止層９のフィルムキャリ
アテープ６の裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導
体素子８の短辺側で長辺側と比べて大きく形成されてい
る。
テープの裏面側での樹脂封止層の接着強度を向上させ、
クラック発生等を防止する。 【解決手段】 本発明では、フィルムキャリアテープ６
のデバイスホール７が、短辺側の中央部が両端部に比べ
て外側に延出した形状を有し、この延出部７ａを含めた
長辺方向の寸法が半導体素子８の対応する寸法より大き
くなっている。そして、樹脂封止層９のフィルムキャリ
アテープ６の裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導
体素子８の短辺側で長辺側と比べて大きく形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係わ
り、特にＬＣＤ（液晶ディスプレイ）のドライバーＬＳ
Ｉとして好適する半導体装置に関する。
り、特にＬＣＤ（液晶ディスプレイ）のドライバーＬＳ
Ｉとして好適する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、電子機器の小型化や低コスト
化、構成の簡略化等を目的として、デバイスホールが穿
設されインナーリード等を有する絶縁性のキャリアテー
プに、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式により半
導体素子を搭載し実装するとともに、実装部の外側を絶
縁性樹脂で封止したＴＣＰ（テープキャリアパッケー
ジ）が知られている。
化、構成の簡略化等を目的として、デバイスホールが穿
設されインナーリード等を有する絶縁性のキャリアテー
プに、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式により半
導体素子を搭載し実装するとともに、実装部の外側を絶
縁性樹脂で封止したＴＣＰ（テープキャリアパッケー
ジ）が知られている。
【０００３】特に、薄型、低電圧駆動、低消費電力の表
示体であるＬＣＤにおいては、ドライバーＬＳＩとし
て、極めて狭幅の半導体素子が搭載され、２方向に接続
可能に構成されたＴＣＰが使用されている。
示体であるＬＣＤにおいては、ドライバーＬＳＩとし
て、極めて狭幅の半導体素子が搭載され、２方向に接続
可能に構成されたＴＣＰが使用されている。
【０００４】このようなＵＮＴ（Ultra Narrow TCP）の
構造を、図４（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示す。
構造を、図４（ａ）および（ｂ）にそれぞれ示す。
【０００５】これらの図において、符号１は、矩形のデ
バイスホール２を有するフィルムキャリアテープを示
す。このフィルムキャリアテープ１において、デバイス
ホール２は、長辺側寸法、短辺側寸法ともに、後述する
半導体素子のそれよりも小さく形成され、かつ短辺方向
がフィルムキャリアテープ１の長さ方向（Ｌで示す。）
に対して平行になるように配設されている。
バイスホール２を有するフィルムキャリアテープを示
す。このフィルムキャリアテープ１において、デバイス
ホール２は、長辺側寸法、短辺側寸法ともに、後述する
半導体素子のそれよりも小さく形成され、かつ短辺方向
がフィルムキャリアテープ１の長さ方向（Ｌで示す。）
に対して平行になるように配設されている。
【０００６】また符号３は、フェースアップに搭載され
た半導体素子を示し、この半導体素子３の電極端子は、
フィルムキャリアテープ１の配線に接続されかつ先端が
デバイスホール２の長辺側からそれぞれ突出されたイン
ナーリード群（図示を省略。）と、それぞれ電気的に接
続されている。さらに、このような半導体素子３とイン
ナーリードおよびそれらの接合部の上には、エポキシ樹
脂等の樹脂封止層４が、ポッティング（滴下）法により
設けられている。なお、符号５は、先端がデバイスホー
ル２の短辺側から突出されたダミーのインナーリードを
示す。このダミーインナーリード５は、先端が半導体素
子３の電極端子に接続され、半導体素子３を機械的に支
持固定する機能を果たしている。
た半導体素子を示し、この半導体素子３の電極端子は、
フィルムキャリアテープ１の配線に接続されかつ先端が
デバイスホール２の長辺側からそれぞれ突出されたイン
ナーリード群（図示を省略。）と、それぞれ電気的に接
続されている。さらに、このような半導体素子３とイン
ナーリードおよびそれらの接合部の上には、エポキシ樹
脂等の樹脂封止層４が、ポッティング（滴下）法により
設けられている。なお、符号５は、先端がデバイスホー
ル２の短辺側から突出されたダミーのインナーリードを
示す。このダミーインナーリード５は、先端が半導体素
子３の電極端子に接続され、半導体素子３を機械的に支
持固定する機能を果たしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体装置においては、デバイスホール２の
寸法が長辺側、短辺側ともに半導体素子３のそれより小
さく、半導体素子３とその上方に位置するフィルムキャ
リアテープ１との間に、ほとんど間隙が存在しないの
で、ポッティングされた封止用樹脂のキャリアテープ裏
面への流れ出し量（長さ）が、半導体素子３の辺縁部か
ら 200μm 程度と小さく、半導体素子３の短辺側におけ
る樹脂封止層４の接着強度が十分でなかった。
うな従来の半導体装置においては、デバイスホール２の
寸法が長辺側、短辺側ともに半導体素子３のそれより小
さく、半導体素子３とその上方に位置するフィルムキャ
リアテープ１との間に、ほとんど間隙が存在しないの
で、ポッティングされた封止用樹脂のキャリアテープ裏
面への流れ出し量（長さ）が、半導体素子３の辺縁部か
ら 200μm 程度と小さく、半導体素子３の短辺側におけ
る樹脂封止層４の接着強度が十分でなかった。
【０００８】すなわち、このような半導体装置は、フィ
ルムキャリアテープ１を樹脂封止層４のわずかに外側で
打ち抜き、適当な形状に屈曲されあるいは折り曲げられ
てマザーボードに接続されるので、樹脂封止層４が単位
面積（ m2 ）当り 10N以上の接着強度を有することが必
要とされている。しかし、従来の半導体装置では、半導
体素子３の短辺側に被着形成された樹脂封止層４の接着
強度が、2Nと低く、マザーボードへの実装時の打ち抜き
および折り曲げ工程で、樹脂封止層４にクラックが生じ
るため、インナーリード切れやインナーリードと半導体
素子３との接続不良が生じるおそれがあった。
ルムキャリアテープ１を樹脂封止層４のわずかに外側で
打ち抜き、適当な形状に屈曲されあるいは折り曲げられ
てマザーボードに接続されるので、樹脂封止層４が単位
面積（ m2 ）当り 10N以上の接着強度を有することが必
要とされている。しかし、従来の半導体装置では、半導
体素子３の短辺側に被着形成された樹脂封止層４の接着
強度が、2Nと低く、マザーボードへの実装時の打ち抜き
および折り曲げ工程で、樹脂封止層４にクラックが生じ
るため、インナーリード切れやインナーリードと半導体
素子３との接続不良が生じるおそれがあった。
【０００９】本発明は、このような問題を解消するため
になされたもので、ＵＮＴ構造の半導体装置において、
キャリアテープの裏面側での樹脂封止層の接着強度を向
上させ、クラック発生等を防止することを目的とする。
になされたもので、ＵＮＴ構造の半導体装置において、
キャリアテープの裏面側での樹脂封止層の接着強度を向
上させ、クラック発生等を防止することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
デバイスホールを有する絶縁性フィルムと、前記絶縁性
フィルムの一主面上に配設され、かつ一端が前記デバイ
スホールに突出したインナーリード群と、フェースアッ
プに配置され、その主面上の電極端子が前記インナーリ
ード群の一端に電気的に接続された半導体素子と、前記
半導体素子と前記インナーリード群およびこれらの接合
部を被覆・封止する樹脂封止層とを備え、前記デバイス
ホールの長辺方向の寸法のみが、前記半導体素子の対応
する長辺方向の寸法より大きく形成され、前記絶縁性フ
ィルムの他主面側に被着形成された前記樹脂封止層が、
前記デバイスホールの短辺側において、長辺側に比べて
より大きく外側に延出されていることを特徴とする。
デバイスホールを有する絶縁性フィルムと、前記絶縁性
フィルムの一主面上に配設され、かつ一端が前記デバイ
スホールに突出したインナーリード群と、フェースアッ
プに配置され、その主面上の電極端子が前記インナーリ
ード群の一端に電気的に接続された半導体素子と、前記
半導体素子と前記インナーリード群およびこれらの接合
部を被覆・封止する樹脂封止層とを備え、前記デバイス
ホールの長辺方向の寸法のみが、前記半導体素子の対応
する長辺方向の寸法より大きく形成され、前記絶縁性フ
ィルムの他主面側に被着形成された前記樹脂封止層が、
前記デバイスホールの短辺側において、長辺側に比べて
より大きく外側に延出されていることを特徴とする。
【００１１】本発明に使用する絶縁性フィルムとして
は、例えばポリイミド系樹脂フィルム等が挙げられ、そ
の厚さは、構成する半導体装置の品種、形状、大きさな
どにもよるが、一般的には50〜 125μm 程度が好まし
い。
は、例えばポリイミド系樹脂フィルム等が挙げられ、そ
の厚さは、構成する半導体装置の品種、形状、大きさな
どにもよるが、一般的には50〜 125μm 程度が好まし
い。
【００１２】本発明においては、このような絶縁性フィ
ルムに設けられるデバイスホールの大きさおよび平面形
状が、以下に示すように設定される。すなわち、デバイ
スホールの短辺方向の寸法が、搭載・実装される半導体
素子の短辺方向の寸法より小さく、長辺方向の寸法のみ
が前記半導体素子のそれより大きく形成される。
ルムに設けられるデバイスホールの大きさおよび平面形
状が、以下に示すように設定される。すなわち、デバイ
スホールの短辺方向の寸法が、搭載・実装される半導体
素子の短辺方向の寸法より小さく、長辺方向の寸法のみ
が前記半導体素子のそれより大きく形成される。
【００１３】そして、デバイスホールの大きさが、この
ように短辺側においてのみ外側に広げられて設定される
ことで、ポッティング成形の際に封止用樹脂が、デバイ
スホールの広げられた間隙を通って絶縁性フィルムの裏
面側へ十分に流れ出すことができ、裏面側を被覆する樹
脂封止層の延出長さが、デバイスホールおよび半導体素
子の短辺側で長辺側より大きく形成される。
ように短辺側においてのみ外側に広げられて設定される
ことで、ポッティング成形の際に封止用樹脂が、デバイ
スホールの広げられた間隙を通って絶縁性フィルムの裏
面側へ十分に流れ出すことができ、裏面側を被覆する樹
脂封止層の延出長さが、デバイスホールおよび半導体素
子の短辺側で長辺側より大きく形成される。
【００１４】したがって、本発明の半導体装置において
は、樹脂封止層の接着強度が、デバイスホールおよび半
導体素子の短辺側で、従来から同種の半導体装置に比べ
て大幅に増大されており、マザーボードへの実装のため
のテープ打ち抜き工程などで、樹脂封止層にクラックが
生じることがなく、信頼性が向上する。
は、樹脂封止層の接着強度が、デバイスホールおよび半
導体素子の短辺側で、従来から同種の半導体装置に比べ
て大幅に増大されており、マザーボードへの実装のため
のテープ打ち抜き工程などで、樹脂封止層にクラックが
生じることがなく、信頼性が向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。
明する。
【００１６】図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発
明の半導体装置の一実施例であるＵＮＴの要部を示す断
面図、および裏面側平面図である。
明の半導体装置の一実施例であるＵＮＴの要部を示す断
面図、および裏面側平面図である。
【００１７】これらの図において、符号６は、ポリイミ
ド樹脂等から成り50〜 125μm の厚さを有するフィルム
キャリアテープを示し、このフィルムキャリアテープ６
には、長辺側寸法に比べて短辺側（幅）寸法が極めて狭
いスリット状のデバイスホール７が、長辺方向がテープ
の長さ方向に直交するように配列されて穿設されてい
る。また、このデバイスホール７は、その短辺側の中央
部の一部が両端部に比べて外側に延出し、この延出部７
ａが長辺方向の両端部にそれぞれ連接された形状を有し
ている。また、フィルムキャリアテープ６には、先端が
デバイスホール７の２つの長辺側からそれぞれ突出して
形成されたインナーリード群（図示を省略。）が配設さ
れている。なお、インナーリード群は、他端側が信号線
をなすように構成され、例えばＣｕ、Ｃｕ系合金、また
は42ＮｉのようなＮｉ−Ｆｅ系合金を素材とし、フィル
ムキャリアテープ６の上面に、蒸着パターニング、また
は合金層のフォトパターニング等により形成されてい
る。
ド樹脂等から成り50〜 125μm の厚さを有するフィルム
キャリアテープを示し、このフィルムキャリアテープ６
には、長辺側寸法に比べて短辺側（幅）寸法が極めて狭
いスリット状のデバイスホール７が、長辺方向がテープ
の長さ方向に直交するように配列されて穿設されてい
る。また、このデバイスホール７は、その短辺側の中央
部の一部が両端部に比べて外側に延出し、この延出部７
ａが長辺方向の両端部にそれぞれ連接された形状を有し
ている。また、フィルムキャリアテープ６には、先端が
デバイスホール７の２つの長辺側からそれぞれ突出して
形成されたインナーリード群（図示を省略。）が配設さ
れている。なお、インナーリード群は、他端側が信号線
をなすように構成され、例えばＣｕ、Ｃｕ系合金、また
は42ＮｉのようなＮｉ−Ｆｅ系合金を素材とし、フィル
ムキャリアテープ６の上面に、蒸着パターニング、また
は合金層のフォトパターニング等により形成されてい
る。
【００１８】さらに、フィルムキャリアテープ６のデバ
イスホール７の直下には、短辺側寸法がデバイスホール
７のそれより大きく、かつ長辺側寸法がデバイスホール
７の延出部７ａを含めた長辺側寸法より小さく構成され
た半導体素子８が、フェースアップで配設されており、
その電極端子が対応するインナーリードの先端とそれぞ
れ電気的に接続されている。またさらに、このような半
導体素子８とインナーリードおよびそれらの接合部を覆
うように、エポキシ樹脂等から成る樹脂封止層９がポッ
ティングにより設けられている。そして、この樹脂封止
層９において、フィルムキャリアテープ６の裏面側への
流動被着部９ａの長さｌは、半導体素子８の短辺側で長
辺側と比べて大幅に増大されている。なお、図中符号１
０は、半導体素子８を機械的に支持固定するダミーイン
ナーリードを示す。
イスホール７の直下には、短辺側寸法がデバイスホール
７のそれより大きく、かつ長辺側寸法がデバイスホール
７の延出部７ａを含めた長辺側寸法より小さく構成され
た半導体素子８が、フェースアップで配設されており、
その電極端子が対応するインナーリードの先端とそれぞ
れ電気的に接続されている。またさらに、このような半
導体素子８とインナーリードおよびそれらの接合部を覆
うように、エポキシ樹脂等から成る樹脂封止層９がポッ
ティングにより設けられている。そして、この樹脂封止
層９において、フィルムキャリアテープ６の裏面側への
流動被着部９ａの長さｌは、半導体素子８の短辺側で長
辺側と比べて大幅に増大されている。なお、図中符号１
０は、半導体素子８を機械的に支持固定するダミーイン
ナーリードを示す。
【００１９】数値を挙げて、実施例の構成をより具体的
に説明すると、フィルムキャリアテープ６の幅方向（図
１における横方向）の寸法が35mmで、デバイスホール７
の寸法（短辺×長辺）が 0.7mm×17mmで、延出部７ａの
延出長さが 200〜 300μm となっている。そして、この
ようなフィルムキャリアテープ６に、外形寸法（短辺×
長辺）が 0.9mm×17mmの半導体素子８が実装されてい
る。また、樹脂封止層９は、常温硬化型エポキシ樹脂
（粘度10〜20Pa.s）の常温ポッティングにより形成され
ており、フィルムキャリアテープ６の裏面側への流動被
着部９ａの長さは、半導体素子８の長辺側で 200μm 程
度であるのに対して、短辺側で 500μm と大幅に大きく
なっている。
に説明すると、フィルムキャリアテープ６の幅方向（図
１における横方向）の寸法が35mmで、デバイスホール７
の寸法（短辺×長辺）が 0.7mm×17mmで、延出部７ａの
延出長さが 200〜 300μm となっている。そして、この
ようなフィルムキャリアテープ６に、外形寸法（短辺×
長辺）が 0.9mm×17mmの半導体素子８が実装されてい
る。また、樹脂封止層９は、常温硬化型エポキシ樹脂
（粘度10〜20Pa.s）の常温ポッティングにより形成され
ており、フィルムキャリアテープ６の裏面側への流動被
着部９ａの長さは、半導体素子８の長辺側で 200μm 程
度であるのに対して、短辺側で 500μm と大幅に大きく
なっている。
【００２０】このように構成される実施例の半導体装置
においては、フィルムキャリアテープ６のデバイスホー
ル７が、短辺側の中央部の一部が両端部に比べて外側に
延出した形状を有し、この延出部７ａを含めた長辺方向
の寸法が半導体素子８の対応する寸法より大きくなって
おり、樹脂封止層９において、フィルムキャリアテープ
６の裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導体素子８
の短辺側で長辺側と比べて大きく形成されている。その
ため、このような裏面側への流動被着部９ａの接着強度
が、半導体素子８の短辺側で従来の2Nから大幅に増大さ
れている。したがって、マザーボードへの実装のための
テープ打ち抜きや折り曲げ工程などで、樹脂封止層９に
クラックが生じることがなく、半導体素子８とインナー
リードとの接続が良好に保たれる。
においては、フィルムキャリアテープ６のデバイスホー
ル７が、短辺側の中央部の一部が両端部に比べて外側に
延出した形状を有し、この延出部７ａを含めた長辺方向
の寸法が半導体素子８の対応する寸法より大きくなって
おり、樹脂封止層９において、フィルムキャリアテープ
６の裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導体素子８
の短辺側で長辺側と比べて大きく形成されている。その
ため、このような裏面側への流動被着部９ａの接着強度
が、半導体素子８の短辺側で従来の2Nから大幅に増大さ
れている。したがって、マザーボードへの実装のための
テープ打ち抜きや折り曲げ工程などで、樹脂封止層９に
クラックが生じることがなく、半導体素子８とインナー
リードとの接続が良好に保たれる。
【００２１】次に、本発明の半導体装置の別の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２２】図２に示す実施例では、フィルムキャリア
テープ６のデバイスホール７が、短辺側において中央部
が両端部より連続的に外側に延びた形状を有し、この延
出部７ａの平面形状が三角形を呈している。そして、樹
脂封止層９のフィルムキャリアテープ６裏面側への流動
被着部９ａの長さが、半導体素子８の短辺側で長辺側と
比べて大幅に増大され、かつ短辺側中央部における流動
被着部９ａの長さが、両側より大きくなっている。
テープ６のデバイスホール７が、短辺側において中央部
が両端部より連続的に外側に延びた形状を有し、この延
出部７ａの平面形状が三角形を呈している。そして、樹
脂封止層９のフィルムキャリアテープ６裏面側への流動
被着部９ａの長さが、半導体素子８の短辺側で長辺側と
比べて大幅に増大され、かつ短辺側中央部における流動
被着部９ａの長さが、両側より大きくなっている。
【００２３】また、図３に示す実施例では、フィルムキ
ャリアテープ６のデバイスホール７の形状は、従来通り
矩形であるが、長辺方向の寸法のみが、半導体素子８の
対応する長辺方向の寸法より大きく構成されている。そ
して、このデバイスホール７の長辺寸法の拡径に対応し
て、樹脂封止層９においても、フィルムキャリアテープ
６裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導体素子８の
短辺側で長辺側と比べて大幅に増大され、かつ四隅に膨
出部９ｂが形成されている。
ャリアテープ６のデバイスホール７の形状は、従来通り
矩形であるが、長辺方向の寸法のみが、半導体素子８の
対応する長辺方向の寸法より大きく構成されている。そ
して、このデバイスホール７の長辺寸法の拡径に対応し
て、樹脂封止層９においても、フィルムキャリアテープ
６裏面側への流動被着部９ａの長さが、半導体素子８の
短辺側で長辺側と比べて大幅に増大され、かつ四隅に膨
出部９ｂが形成されている。
【００２４】これらの実施例の半導体装置においても、
フィルムキャリアテープ６のデバイスホール７が、短辺
側において外側に延出した形状を有し、長辺方向の寸法
が半導体素子８の対応する寸法より大きくなっており、
フィルムキャリアテープ６の裏面側への樹脂封止層９の
流動被着長さが、半導体素子８の短辺側で長辺側と比べ
て大きくなっているので、このような裏面側への流動被
着部９ａの接着強度が、短辺側で従来の同種の半導体装
置と比べて大幅に増大される。したがって、マザーボー
ドへの実装のためのテープ打ち抜き工程や折り曲げ工程
で、樹脂封止層９にクラックが生じることがなく、半導
体素子８とインナーリードとの接続信頼性が良好に保た
れる。
フィルムキャリアテープ６のデバイスホール７が、短辺
側において外側に延出した形状を有し、長辺方向の寸法
が半導体素子８の対応する寸法より大きくなっており、
フィルムキャリアテープ６の裏面側への樹脂封止層９の
流動被着長さが、半導体素子８の短辺側で長辺側と比べ
て大きくなっているので、このような裏面側への流動被
着部９ａの接着強度が、短辺側で従来の同種の半導体装
置と比べて大幅に増大される。したがって、マザーボー
ドへの実装のためのテープ打ち抜き工程や折り曲げ工程
で、樹脂封止層９にクラックが生じることがなく、半導
体素子８とインナーリードとの接続信頼性が良好に保た
れる。
【００２５】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でさらにいろ
いろの変形例を採ることができる。
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でさらにいろ
いろの変形例を採ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置においては、絶縁性フィルムに設けられた
デバイスホールの長辺方向の寸法のみが、半導体素子の
対応する寸法より大きく設定されており、樹脂封止層の
絶縁性フィルム裏面側への広がり長さが、半導体素子の
短辺側で長辺側より大きく形成されているので、樹脂封
止層の接着強度が短辺側で従来より大幅に増大される。
したがって、このような半導体装置をマザーボードへ実
装する際に、テープ打ち抜きや折り曲げ工程などで樹脂
封止層にクラックが生じることがなく、半導体素子の接
続信頼性が向上する。
の半導体装置においては、絶縁性フィルムに設けられた
デバイスホールの長辺方向の寸法のみが、半導体素子の
対応する寸法より大きく設定されており、樹脂封止層の
絶縁性フィルム裏面側への広がり長さが、半導体素子の
短辺側で長辺側より大きく形成されているので、樹脂封
止層の接着強度が短辺側で従来より大幅に増大される。
したがって、このような半導体装置をマザーボードへ実
装する際に、テープ打ち抜きや折り曲げ工程などで樹脂
封止層にクラックが生じることがなく、半導体素子の接
続信頼性が向上する。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例であるＵＮＴの
要部を示し、（ａ）は長辺方向に沿った断面図、（ｂ）
は裏面側平面図。
要部を示し、（ａ）は長辺方向に沿った断面図、（ｂ）
は裏面側平面図。
【図２】本発明の半導体装置の別の実施例の要部を示す
裏面側平面図。
裏面側平面図。
【図３】本発明の半導体装置のさらに別の実施例の要部
を示す裏面側平面図。
を示す裏面側平面図。
【図４】従来のＵＮＴの構造を示し、（ａ）は長辺方向
に沿った断面図、（ｂ）は裏面側平面図。
に沿った断面図、（ｂ）は裏面側平面図。
６………フィルムキャリアテープ ７………デバイスホール ７ａ………延出部 ８………半導体素子 ９………樹脂封止層 ９ａ………流動被着部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】特に、薄型、低消費電力の表示体であるＬ
ＣＤにおいては、ドライバーＬＳＩとして、極めて狭幅
の半導体チップが、チップよりも小サイズのデバイスホ
ールを有するテープに搭載され、２方向に接続可能に構
成されたＴＣＰが使用されている。以下、このようなＴ
ＣＰを、略してＵＮＴ（Ｕｌｔｒａ ＮａｒｒｏｗＴＣ
Ｐ）と示す。
ＣＤにおいては、ドライバーＬＳＩとして、極めて狭幅
の半導体チップが、チップよりも小サイズのデバイスホ
ールを有するテープに搭載され、２方向に接続可能に構
成されたＴＣＰが使用されている。以下、このようなＴ
ＣＰを、略してＵＮＴ（Ｕｌｔｒａ ＮａｒｒｏｗＴＣ
Ｐ）と示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】このようなＵＮＴの構造を、図４（ａ）お
よび（ｂ）にそれぞれ示す。
よび（ｂ）にそれぞれ示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】また符号３は、フェースアップに搭載され
た半導体素子を示し、この半導体素子３の電極端子は、
フィルムキャリアテープ１の配線に接続されかつ先端が
デバイスホール２の長辺側からそれぞれ突出されたイン
ナーリード群（図示を省略。）と、それぞれ電気的に接
続されている。さらに、このような半導体素子３とイン
ナーリードおよびそれらの接合部の上には、エポキシ樹
脂等の樹脂封止層４が、ポッティング（滴下）法により
設けられている。なお、符号５は、先端がデバイスホー
ル２の短辺側から突出されたダミーのインナーリード
（以下、ダミーリードと称す。）を示す。このダミーリ
ード５は、先端が半導体素子３の電極端子に接続され、
半導体素子３を機械的に支持固定する機能を果たしてい
る。
た半導体素子を示し、この半導体素子３の電極端子は、
フィルムキャリアテープ１の配線に接続されかつ先端が
デバイスホール２の長辺側からそれぞれ突出されたイン
ナーリード群（図示を省略。）と、それぞれ電気的に接
続されている。さらに、このような半導体素子３とイン
ナーリードおよびそれらの接合部の上には、エポキシ樹
脂等の樹脂封止層４が、ポッティング（滴下）法により
設けられている。なお、符号５は、先端がデバイスホー
ル２の短辺側から突出されたダミーのインナーリード
（以下、ダミーリードと称す。）を示す。このダミーリ
ード５は、先端が半導体素子３の電極端子に接続され、
半導体素子３を機械的に支持固定する機能を果たしてい
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】さらに、フィルムキャリアテープ６のデバ
イスホール７の直下には、短辺側寸法がデバイスホール
７のそれより大きく、かつ長辺側寸法がデバイスホール
７の延出部７ａを含めた長辺側寸法より小さく構成され
た半導体素子８が、フェースアップで配設されており、
その電極端子が対応するインナーリードの先端とそれぞ
れ電気的に接続されている。またさらに、このような半
導体素子８とインナーリードおよびそれらの接合部を覆
うように、エポキシ樹脂等から成る樹脂封止層９がポッ
ティングにより設けられている。そして、この樹脂封止
層９において、フィルムキャリアテープ６の裏面側への
流動被着部９ａの長さｌは、半導体素子８の短辺側で長
辺側と比べて大幅に増大されている。なお、図中符号１
０は、半導体素子８を機械的に支持固定するダミーリー
ドを示す。
イスホール７の直下には、短辺側寸法がデバイスホール
７のそれより大きく、かつ長辺側寸法がデバイスホール
７の延出部７ａを含めた長辺側寸法より小さく構成され
た半導体素子８が、フェースアップで配設されており、
その電極端子が対応するインナーリードの先端とそれぞ
れ電気的に接続されている。またさらに、このような半
導体素子８とインナーリードおよびそれらの接合部を覆
うように、エポキシ樹脂等から成る樹脂封止層９がポッ
ティングにより設けられている。そして、この樹脂封止
層９において、フィルムキャリアテープ６の裏面側への
流動被着部９ａの長さｌは、半導体素子８の短辺側で長
辺側と比べて大幅に増大されている。なお、図中符号１
０は、半導体素子８を機械的に支持固定するダミーリー
ドを示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 デバイスホールを有する絶縁性フィルム
と、 前記絶縁性フィルムの一主面上に配設され、かつ一端が
前記デバイスホールに突出したインナーリード群と、 フェースアップに配置され、その主面上の電極端子が前
記インナーリード群の一端に電気的に接続された半導体
素子と、 前記半導体素子と前記インナーリード群およびこれらの
接合部を被覆・封止する樹脂封止層とを備え、 前記デバイスホールの長辺方向の寸法のみが、前記半導
体素子の対応する長辺方向の寸法より大きく形成され、
前記絶縁性フィルムの他主面側に被着形成された前記樹
脂封止層が、前記デバイスホールの短辺側において、長
辺側に比べてより大きく外側に延出されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記デバイスホールが、短辺側の中央部
が両端部より拡径した異形形状を有することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9301271A JPH11135687A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 半導体装置 |
| US09/181,870 US6215178B1 (en) | 1997-10-31 | 1998-10-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9301271A JPH11135687A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135687A true JPH11135687A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17894818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9301271A Abandoned JPH11135687A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215178B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11135687A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100632257B1 (ko) * | 2004-11-09 | 2006-10-11 | 삼성전자주식회사 | 액정 디스플레이 구동용 탭 패키지의 배선 패턴 구조 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3293135B2 (ja) * | 1990-04-24 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 回路セル・アレイを備えた半導体装置 |
| JP3484554B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2004-01-06 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置 |
| JP3487173B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2004-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | Ｔａｂ用テープキャリア、集積回路装置及び電子機器 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP9301271A patent/JPH11135687A/ja not_active Abandoned
-
1998
- 1998-10-29 US US09/181,870 patent/US6215178B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6215178B1 (en) | 2001-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040330 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040531 |