JPH11142356A - 半導体ガスセンサ - Google Patents
半導体ガスセンサInfo
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- JPH11142356A JPH11142356A JP9306154A JP30615497A JPH11142356A JP H11142356 A JPH11142356 A JP H11142356A JP 9306154 A JP9306154 A JP 9306154A JP 30615497 A JP30615497 A JP 30615497A JP H11142356 A JPH11142356 A JP H11142356A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】消費電力を低減した半導体ガスセンサを提供す
る。 【解決手段】感ガス体１はＳｎＯ2 から略球状に形成さ
れ、その最大外形寸法は略０．８ｍｍに形成されてい
る。コイル状のヒータ兼用電極２は白金からなり、感ガ
ス体１内に埋設される。また、白金電極４がヒータ兼用
電極２の中心を貫通するように感ガス体１内に埋設され
る。第１のフィルタ層５はＡｌ2 Ｏ3 にＷ、Ｍｏ、又は
Ｖのいずれかを添加して形成され、感ガス体１の表面に
形成される。第２のフィルタ層６はＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ又
はＰｄのいずれかを添加して形成され、第１のフィルタ
層５の表面に形成される。
る。 【解決手段】感ガス体１はＳｎＯ2 から略球状に形成さ
れ、その最大外形寸法は略０．８ｍｍに形成されてい
る。コイル状のヒータ兼用電極２は白金からなり、感ガ
ス体１内に埋設される。また、白金電極４がヒータ兼用
電極２の中心を貫通するように感ガス体１内に埋設され
る。第１のフィルタ層５はＡｌ2 Ｏ3 にＷ、Ｍｏ、又は
Ｖのいずれかを添加して形成され、感ガス体１の表面に
形成される。第２のフィルタ層６はＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ又
はＰｄのいずれかを添加して形成され、第１のフィルタ
層５の表面に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般家庭や工業分
野において少ない電力消費量で可燃性ガス、一酸化炭
素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出する半導体ガ
スセンサに関するものである。
野において少ない電力消費量で可燃性ガス、一酸化炭
素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出する半導体ガ
スセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、都市ガスやプロパンガスなど
の可燃性ガスのガス漏れを検知する家庭用ガス漏れ警報
器としては、酸化錫を主成分とする感ガス体を用いて感
ガス体表面に可燃性ガスが付着したことによる感ガス体
の抵抗変化から可燃性ガスを検知する半導体ガスセンサ
や、熱線型ガスセンサがあった。これらのガスセンサで
は、可燃性ガスを検知する感ガス体がヒータにより比較
的高温の一定温度に常時加熱された状態で使用されるの
で、大きな電力が必要であり、電池を電源として長時間
使用することはできなかった。この半導体ガスセンサの
センシング素子１０は、図１１に示すように、酸化錫
（ＳｎＯ2 ）を主成分とする感ガス体１と、感ガス体１
に埋設され感ガス体１を加熱するヒータコイル２と、感
ガス体１に埋設された電極４とから構成され、感ガス体
１表面に検知対象のガスが吸着するときの感ガス体１の
抵抗変化から検知対象のガスを検出している。
の可燃性ガスのガス漏れを検知する家庭用ガス漏れ警報
器としては、酸化錫を主成分とする感ガス体を用いて感
ガス体表面に可燃性ガスが付着したことによる感ガス体
の抵抗変化から可燃性ガスを検知する半導体ガスセンサ
や、熱線型ガスセンサがあった。これらのガスセンサで
は、可燃性ガスを検知する感ガス体がヒータにより比較
的高温の一定温度に常時加熱された状態で使用されるの
で、大きな電力が必要であり、電池を電源として長時間
使用することはできなかった。この半導体ガスセンサの
センシング素子１０は、図１１に示すように、酸化錫
（ＳｎＯ2 ）を主成分とする感ガス体１と、感ガス体１
に埋設され感ガス体１を加熱するヒータコイル２と、感
ガス体１に埋設された電極４とから構成され、感ガス体
１表面に検知対象のガスが吸着するときの感ガス体１の
抵抗変化から検知対象のガスを検出している。
【０００３】また、不完全燃焼によって発生する一酸化
炭素を検知する一酸化炭素警報器として、同様の半導体
ガスセンサがあり（特公昭５３−４３３２０号、実公平
２−２０６８２号参照）、この種の半導体ガスセンサで
は、感ガス体に埋設してあるヒータに高低２段階の電力
を一定周期で交互に供給し、感ガス体の温度を高温状態
と低温状態とに交互に切り換えて、感ガス体が高温状態
で感ガス体表面に吸着した吸着ガスを取り除くクリーニ
ングを行い、その後感ガス体の温度が低温状態に切り換
わると、低温状態の最後（低温状態から再び高温状態に
切り換わる手前）で一酸化炭素の検出を行っていた。
炭素を検知する一酸化炭素警報器として、同様の半導体
ガスセンサがあり（特公昭５３−４３３２０号、実公平
２−２０６８２号参照）、この種の半導体ガスセンサで
は、感ガス体に埋設してあるヒータに高低２段階の電力
を一定周期で交互に供給し、感ガス体の温度を高温状態
と低温状態とに交互に切り換えて、感ガス体が高温状態
で感ガス体表面に吸着した吸着ガスを取り除くクリーニ
ングを行い、その後感ガス体の温度が低温状態に切り換
わると、低温状態の最後（低温状態から再び高温状態に
切り換わる手前）で一酸化炭素の検出を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体ガス
センサでは可燃性ガスを検出する場合、感ガス体１の温
度を約４００℃近くまで常時加熱する必要があり、感ガ
ス体１を加熱するために約４００ｍＷ程度の電力を必要
とする。したがって、半導体ガスセンサの電源に例えば
単３形乾電池２本を使用した場合、電池寿命が１日とも
たない。
センサでは可燃性ガスを検出する場合、感ガス体１の温
度を約４００℃近くまで常時加熱する必要があり、感ガ
ス体１を加熱するために約４００ｍＷ程度の電力を必要
とする。したがって、半導体ガスセンサの電源に例えば
単３形乾電池２本を使用した場合、電池寿命が１日とも
たない。
【０００５】そこで、半導体ガスセンサの消費電力を低
減するために、半導体ガスセンサを間欠的に動作させる
ことが考えられるが、この半導体ガスセンサは大型であ
り、感ガス体１の熱容量が大きいために、ヒータコイル
２に電力を供給してから感ガス体１の温度が高温（約４
００℃）の一定温度になるまでに約１０秒が必要となる
（図８のロ）。したがって、この半導体ガスセンサを間
欠的に動作させた場合でも、ヒータコイル２に最低１０
秒間は電力を供給する必要がある。ここで、約１５０秒
に１回の割合でガスの検知を行う場合、ヒータコイル２
に電力を供給しない時間は約１４０秒となり感ガス体１
を連続加熱した場合に比べて半導体ガスセンサの消費電
力は約１５分の１に低減されるものの、電池を電源とし
て例えば１年程度の長期間にわたり半導体ガスセンサを
使用することはできなかった。
減するために、半導体ガスセンサを間欠的に動作させる
ことが考えられるが、この半導体ガスセンサは大型であ
り、感ガス体１の熱容量が大きいために、ヒータコイル
２に電力を供給してから感ガス体１の温度が高温（約４
００℃）の一定温度になるまでに約１０秒が必要となる
（図８のロ）。したがって、この半導体ガスセンサを間
欠的に動作させた場合でも、ヒータコイル２に最低１０
秒間は電力を供給する必要がある。ここで、約１５０秒
に１回の割合でガスの検知を行う場合、ヒータコイル２
に電力を供給しない時間は約１４０秒となり感ガス体１
を連続加熱した場合に比べて半導体ガスセンサの消費電
力は約１５分の１に低減されるものの、電池を電源とし
て例えば１年程度の長期間にわたり半導体ガスセンサを
使用することはできなかった。
【０００６】また、一酸化炭素を検知する半導体ガスセ
ンサの場合、感ガス体１の表面に吸着した一酸化炭素を
取り除くために感ガス体１の温度を高温にする状態と、
一酸化炭素を検知するために感ガス体１の温度を低温す
るする状態とを、交互に切り換えるために、ヒータコイ
ル２に供給する電力を大小２段階に切り換えているが、
感ガス体１の表面温度が高温時の約４００℃から低温時
の約１００℃まで低下して、略一定となるまでには約１
０秒以上かかる（図８のロ）。この時、感ガス体１の表
面温度が低下する間、感ガス体１の表面温度に応じて感
ガス体１表面と一酸化炭素との間に平衡状態が成立する
が、この平衡状態が成立するまでに比較的長い時間を必
要とするので、感ガス体１の表面温度が約１００℃で略
一定となった後も１００℃に低下するまでの途中の温度
で感ガス体１表面と一酸化炭素との間に形成された平衡
状態の影響が残る。したがって、感ガス体１の表面温度
が約４００℃から低下し始めてから、表面温度が約１０
０℃となり、感ガス体１表面と一酸化炭素との間に平衡
状態が形成するまで（すなわち、一酸化炭素の検出が可
能となるまで）に約９０秒を必要とする。而して、一酸
化炭素を検出する周期は、感ガス体１を高温状態に加熱
する時間（約６０秒）と、感ガス体１の温度を高温状態
から低温状態に低下させ一酸化炭素の検出が可能となる
までの時間（９０秒）との和（約２分３０秒）となり、
約２分３０秒に１回しか一酸化炭素を検出することがで
きなかった。したがって、次回一酸化炭素を検出するま
でに約２分３０秒のデッドタイムが発生するため、一酸
化炭素の検出が遅れる可能性があり、一酸化炭素のよう
に危険性の高いガスを検知する場合にはこの検知遅れが
問題となる。しかも、感ガス体１が大きく、その熱容量
が大きいために、ヒータコイル２の消費電力が大きくな
り、電池を電源としてこの半導体ガスセンサを長時間使
用することはできなかった。
ンサの場合、感ガス体１の表面に吸着した一酸化炭素を
取り除くために感ガス体１の温度を高温にする状態と、
一酸化炭素を検知するために感ガス体１の温度を低温す
るする状態とを、交互に切り換えるために、ヒータコイ
ル２に供給する電力を大小２段階に切り換えているが、
感ガス体１の表面温度が高温時の約４００℃から低温時
の約１００℃まで低下して、略一定となるまでには約１
０秒以上かかる（図８のロ）。この時、感ガス体１の表
面温度が低下する間、感ガス体１の表面温度に応じて感
ガス体１表面と一酸化炭素との間に平衡状態が成立する
が、この平衡状態が成立するまでに比較的長い時間を必
要とするので、感ガス体１の表面温度が約１００℃で略
一定となった後も１００℃に低下するまでの途中の温度
で感ガス体１表面と一酸化炭素との間に形成された平衡
状態の影響が残る。したがって、感ガス体１の表面温度
が約４００℃から低下し始めてから、表面温度が約１０
０℃となり、感ガス体１表面と一酸化炭素との間に平衡
状態が形成するまで（すなわち、一酸化炭素の検出が可
能となるまで）に約９０秒を必要とする。而して、一酸
化炭素を検出する周期は、感ガス体１を高温状態に加熱
する時間（約６０秒）と、感ガス体１の温度を高温状態
から低温状態に低下させ一酸化炭素の検出が可能となる
までの時間（９０秒）との和（約２分３０秒）となり、
約２分３０秒に１回しか一酸化炭素を検出することがで
きなかった。したがって、次回一酸化炭素を検出するま
でに約２分３０秒のデッドタイムが発生するため、一酸
化炭素の検出が遅れる可能性があり、一酸化炭素のよう
に危険性の高いガスを検知する場合にはこの検知遅れが
問題となる。しかも、感ガス体１が大きく、その熱容量
が大きいために、ヒータコイル２の消費電力が大きくな
り、電池を電源としてこの半導体ガスセンサを長時間使
用することはできなかった。
【０００７】また最近では、可燃性ガスを検知する半導
体ガスセンサと一酸化炭素を検知する半導体ガスセンサ
を２個組み込んだ警報器も用いられているが、一酸化炭
素を検知する半導体ガスセンサでは、一酸化炭素を検知
するまでに約２分３０秒かかるためデッドタイムが長く
なり、しかも両センサ共に電力消費が大きいため、電池
を電源として使用することはできないという問題もあっ
た。さらに、１台の警報器にガスセンサを２個設けてい
るので、警報器の製造コストが上昇するという問題もあ
った。
体ガスセンサと一酸化炭素を検知する半導体ガスセンサ
を２個組み込んだ警報器も用いられているが、一酸化炭
素を検知する半導体ガスセンサでは、一酸化炭素を検知
するまでに約２分３０秒かかるためデッドタイムが長く
なり、しかも両センサ共に電力消費が大きいため、電池
を電源として使用することはできないという問題もあっ
た。さらに、１台の警報器にガスセンサを２個設けてい
るので、警報器の製造コストが上昇するという問題もあ
った。
【０００８】さらに、可燃性ガスや一酸化炭素を検知す
る半導体ガスセンサとしては、長期的に特性が安定し、
検知対象以外のガス（通常、これらの所謂雑ガスとして
は水素が代表的なガス種である）に対しては極力感度が
低いことが望ましい。本発明は上記問題点に鑑みて為さ
れたものであり、その目的とするところは、小型で消費
電力が少なく、間欠駆動させることにより電池を電源と
して長時間使用でき、検知対象以外のガスに対する感度
を低減した半導体ガスセンサを提供することにあり、そ
のうえ経時特性を改善した半導体ガスセンサを提供する
ことにある。
る半導体ガスセンサとしては、長期的に特性が安定し、
検知対象以外のガス（通常、これらの所謂雑ガスとして
は水素が代表的なガス種である）に対しては極力感度が
低いことが望ましい。本発明は上記問題点に鑑みて為さ
れたものであり、その目的とするところは、小型で消費
電力が少なく、間欠駆動させることにより電池を電源と
して長時間使用でき、検知対象以外のガスに対する感度
を低減した半導体ガスセンサを提供することにあり、そ
のうえ経時特性を改善した半導体ガスセンサを提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、ガスを吸着することによって
電気抵抗が変化する外形寸法が略０．８ｍｍ以下の略球
状の感ガス体と、感ガス体中に埋設されたコイル状の白
金からなるヒータ兼用電極と、ヒータ兼用電極のコイル
の中心を貫通するように感ガス体中に埋設された白金電
極と、感ガス体の表面に形成された雑ガスを除去するフ
ィルタ層とを備えており、ヒータ兼用電極のコイルの中
心を貫通するように白金電極を設けているので、ヒータ
兼用電極及び白金電極をまとまり良く配設して感ガス体
を小型化することができ、感ガス体の熱容量を小さくす
ることができ、しかもフィルタ層により雑ガスの影響を
低減することができる。
に、請求項１の発明では、ガスを吸着することによって
電気抵抗が変化する外形寸法が略０．８ｍｍ以下の略球
状の感ガス体と、感ガス体中に埋設されたコイル状の白
金からなるヒータ兼用電極と、ヒータ兼用電極のコイル
の中心を貫通するように感ガス体中に埋設された白金電
極と、感ガス体の表面に形成された雑ガスを除去するフ
ィルタ層とを備えており、ヒータ兼用電極のコイルの中
心を貫通するように白金電極を設けているので、ヒータ
兼用電極及び白金電極をまとまり良く配設して感ガス体
を小型化することができ、感ガス体の熱容量を小さくす
ることができ、しかもフィルタ層により雑ガスの影響を
低減することができる。
【００１０】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＷ、Ｍｏ又はＶのい
ずれかを添加して形成され、請求項３の発明では、上記
フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＷ、Ｍｏ又はＶのいずれかを
添加して形成されているので、長期経時特性が改善され
るとともに、感ガス体の高温時に感ガス体の水素ガス感
度を低減することができる。
いて、上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＷ、Ｍｏ又はＶのい
ずれかを添加して形成され、請求項３の発明では、上記
フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＷ、Ｍｏ又はＶのいずれかを
添加して形成されているので、長期経時特性が改善され
るとともに、感ガス体の高温時に感ガス体の水素ガス感
度を低減することができる。
【００１１】請求項４の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＰｔ又はＰｄのいず
れかを添加して形成され、請求項５の発明では、上記フ
ィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ又はＰｄのいずれかを添加
して形成されているので、感ガス体の低温時に感ガス体
の水素ガス感度を低減することができる。請求項６の発
明では、請求項２乃至５の発明において、上記フィルタ
層が請求項２又は３のフィルタ層と請求項４又は５のフ
ィルタ層との二重のフィルタ層からなっているので、長
期経時特性が改善されるとともに、感ガス体の高温時及
び低温時に感ガス体の水素ガス感度を低減することがで
きる。
いて、上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＰｔ又はＰｄのいず
れかを添加して形成され、請求項５の発明では、上記フ
ィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ又はＰｄのいずれかを添加
して形成されているので、感ガス体の低温時に感ガス体
の水素ガス感度を低減することができる。請求項６の発
明では、請求項２乃至５の発明において、上記フィルタ
層が請求項２又は３のフィルタ層と請求項４又は５のフ
ィルタ層との二重のフィルタ層からなっているので、長
期経時特性が改善されるとともに、感ガス体の高温時及
び低温時に感ガス体の水素ガス感度を低減することがで
きる。
【００１２】請求項７の発明では、請求項１乃至６の発
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを検出しているの
で、低消費電力でメタンガスやプロパンガスなどの可燃
性ガスを検出することができる。請求項８の発明では、
請求項１乃至６の発明において、ヒータ兼用電極に高低
２段階の電力を所定の周期で供給して感ガス体を高低２
段階の温度で加熱し、感ガス体の低温時に一酸化炭素、
二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出しているので、ヒ
ータ兼用電極に高低２段階の電力を印加することによ
り、低消費電力で検知対象のガスを検出することができ
る。
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを検出しているの
で、低消費電力でメタンガスやプロパンガスなどの可燃
性ガスを検出することができる。請求項８の発明では、
請求項１乃至６の発明において、ヒータ兼用電極に高低
２段階の電力を所定の周期で供給して感ガス体を高低２
段階の温度で加熱し、感ガス体の低温時に一酸化炭素、
二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出しているので、ヒ
ータ兼用電極に高低２段階の電力を印加することによ
り、低消費電力で検知対象のガスを検出することができ
る。
【００１３】請求項９の発明では、請求項１乃至６の発
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを、感ガス体の低温
時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出
しているので、１つの半導体ガスセンサで可燃性ガス、
一酸化炭素、二酸化炭素炭酸、及び悪臭成分ガスを検出
することができ、しかもヒータ兼用電極に供給する電力
を高低２段階に切り換えることにより、半導体ガスセン
サの消費電力をさらに低減することができる。
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを、感ガス体の低温
時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出
しているので、１つの半導体ガスセンサで可燃性ガス、
一酸化炭素、二酸化炭素炭酸、及び悪臭成分ガスを検出
することができ、しかもヒータ兼用電極に供給する電力
を高低２段階に切り換えることにより、半導体ガスセン
サの消費電力をさらに低減することができる。
【００１４】請求項１０の発明では、請求項７乃至９の
発明において、上記高低２段階の電力がそれぞれ電力供
給のオン・オフ時の電力であるので、感ガス体の低温時
に電力供給を停止することにより、半導体ガスセンサの
消費電力をさらに低減することができる。請求項１１の
発明では、請求項１乃至１０の発明において、外部より
感ガス体に到るガス流路に、感ガス体に接触する気体か
らアルコール蒸気やシリコン蒸気を除去するフィルタを
設けており、請求項１２の発明では、請求項１１の発明
において、上記フィルタが活性炭又はシリカゲルのいず
れかからなり、請求項１３の発明では、上記フィルタが
活性炭及びシリカゲルからなっているので、感ガス体に
雑ガスであるアルコール蒸気や被毒ガスであるシリコン
蒸気が付着するのを防止できる。
発明において、上記高低２段階の電力がそれぞれ電力供
給のオン・オフ時の電力であるので、感ガス体の低温時
に電力供給を停止することにより、半導体ガスセンサの
消費電力をさらに低減することができる。請求項１１の
発明では、請求項１乃至１０の発明において、外部より
感ガス体に到るガス流路に、感ガス体に接触する気体か
らアルコール蒸気やシリコン蒸気を除去するフィルタを
設けており、請求項１２の発明では、請求項１１の発明
において、上記フィルタが活性炭又はシリカゲルのいず
れかからなり、請求項１３の発明では、上記フィルタが
活性炭及びシリカゲルからなっているので、感ガス体に
雑ガスであるアルコール蒸気や被毒ガスであるシリコン
蒸気が付着するのを防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本実施形態の半導体ガスセンサ
は、図２乃至図４に示すように、樹脂性のベース１１
と、ベース１１に埋設固定された電極ピン１２と、電極
ピン１２にヒータ兼用電極２及び白金電極４を介して電
気的に接続されたセンシング素子１０と、ベース１１に
冠着されたセンサカバー１３とからなり、センサカバー
１３の天井面にはステンレス製の金網１４が設けられ、
金網１４を介して外部よりガスがセンシング素子１０に
導かれる。
は、図２乃至図４に示すように、樹脂性のベース１１
と、ベース１１に埋設固定された電極ピン１２と、電極
ピン１２にヒータ兼用電極２及び白金電極４を介して電
気的に接続されたセンシング素子１０と、ベース１１に
冠着されたセンサカバー１３とからなり、センサカバー
１３の天井面にはステンレス製の金網１４が設けられ、
金網１４を介して外部よりガスがセンシング素子１０に
導かれる。
【００１６】センサシング素子１０は、図１に示すよう
に、全長、全幅が夫々略０．８ｍｍのＳｎＯ2 からなる
略球状の感ガス体１と、感ガス体１内に埋設されたコイ
ル状の白金からなるヒータ兼用電極２と、ヒータ兼用電
極２のコイル部を貫通するように感ガス体１内に埋設さ
れた白金からなる白金電極４と、感ガス体１の表面に形
成された第１のフィルタ層５と、第１のフィルタ層５の
表面に形成された第２のフィルタ層６とから構成され
る。尚、第１のフィルタ層５は例えばアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）にタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）又は
バナジウム（Ｖ）などの第二成分を添加して形成され、
第２のフィルタ層６はＡｌ2 Ｏ3 に白金（Ｐｔ）又はパ
ラジウム（Ｐｄ）などの第二成分を添加して形成されて
いる。本実施形態では、第１及び第２のフィルタ層５，
６の母材としてＡｌ2 Ｏ3 を用いているがＡｌ2 Ｏ3 の
かわりにＳｉＯ2 を用いても良いし、第１及び第２のフ
ィルタ層５，６の内、いずれか一方のみを形成しても良
い。また、本実施形態では感ガス体１の外形寸法を略
０．８ｍｍとしているが、感ガス体１の外形寸法を０．
８ｍｍに限定する趣旨のものではなく、感ガス体１の外
径寸法が略０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ以下であれば良い。
に、全長、全幅が夫々略０．８ｍｍのＳｎＯ2 からなる
略球状の感ガス体１と、感ガス体１内に埋設されたコイ
ル状の白金からなるヒータ兼用電極２と、ヒータ兼用電
極２のコイル部を貫通するように感ガス体１内に埋設さ
れた白金からなる白金電極４と、感ガス体１の表面に形
成された第１のフィルタ層５と、第１のフィルタ層５の
表面に形成された第２のフィルタ層６とから構成され
る。尚、第１のフィルタ層５は例えばアルミナ（Ａｌ2
Ｏ3 ）にタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）又は
バナジウム（Ｖ）などの第二成分を添加して形成され、
第２のフィルタ層６はＡｌ2 Ｏ3 に白金（Ｐｔ）又はパ
ラジウム（Ｐｄ）などの第二成分を添加して形成されて
いる。本実施形態では、第１及び第２のフィルタ層５，
６の母材としてＡｌ2 Ｏ3 を用いているがＡｌ2 Ｏ3 の
かわりにＳｉＯ2 を用いても良いし、第１及び第２のフ
ィルタ層５，６の内、いずれか一方のみを形成しても良
い。また、本実施形態では感ガス体１の外形寸法を略
０．８ｍｍとしているが、感ガス体１の外形寸法を０．
８ｍｍに限定する趣旨のものではなく、感ガス体１の外
径寸法が略０．４ｍｍ〜０．８ｍｍ以下であれば良い。
【００１７】このように、白金電極４はヒータ兼用電極
２のコイルの中心を貫通するように配設されているの
で、ヒータ兼用電極２及び白金電極４をまとまり良く配
設することができ、従来の半導体ガスセンサに比べて、
感ガス体１の小型化を図ることができる。したがって、
感ガス体１の熱容量が小さくなり、感ガス体１を約４０
０℃まで加熱するのに必要な電力は約１２０ｍＷであ
り、従来の半導体ガスセンサの約３分の１である。
２のコイルの中心を貫通するように配設されているの
で、ヒータ兼用電極２及び白金電極４をまとまり良く配
設することができ、従来の半導体ガスセンサに比べて、
感ガス体１の小型化を図ることができる。したがって、
感ガス体１の熱容量が小さくなり、感ガス体１を約４０
０℃まで加熱するのに必要な電力は約１２０ｍＷであ
り、従来の半導体ガスセンサの約３分の１である。
【００１８】従来の半導体ガスセンサと本実施形態の半
導体ガスセンサを夫々間欠的に加熱して１５０秒に１回
の間隔で可燃性ガスを検出する場合、本センサでは感ガ
ス体１を高温に加熱するためにヒータ兼用電極２に電力
を供給する時間（加熱時間）は、図８のイに示すように
約０．８秒で充分であり（従来の半導体ガスセンサでは
約１０秒）、ヒータ兼用電極２に供給する電力は約１２
０ｍＷであるので（従来の半導体ガスセンサでは約４０
０ｍＷ）、１秒当たりの平均消費電力は従来の半導体ガ
スセンサの約４０分の１の０．６４ｍＷに低減され、間
欠的に本センサを使用すれば電池を電源として長時間使
用することができる（表１参照）。
導体ガスセンサを夫々間欠的に加熱して１５０秒に１回
の間隔で可燃性ガスを検出する場合、本センサでは感ガ
ス体１を高温に加熱するためにヒータ兼用電極２に電力
を供給する時間（加熱時間）は、図８のイに示すように
約０．８秒で充分であり（従来の半導体ガスセンサでは
約１０秒）、ヒータ兼用電極２に供給する電力は約１２
０ｍＷであるので（従来の半導体ガスセンサでは約４０
０ｍＷ）、１秒当たりの平均消費電力は従来の半導体ガ
スセンサの約４０分の１の０．６４ｍＷに低減され、間
欠的に本センサを使用すれば電池を電源として長時間使
用することができる（表１参照）。
【００１９】一方、従来の半導体ガスセンサと同様に、
この半導体ガスセンサを間欠的に加熱して、感ガス体１
の低温時に一酸化炭素を検出する場合にも、本センサで
は感ガス体１を高温に加熱するためにヒータ兼用電極２
に電力を供給する時間（加熱時間）は０．８秒で充分で
あり（従来の半導体ガスセンサでは約６０秒）、本セン
サの１秒間当たりの平均消費電力（０．６４ｍＷ）は、
従来の半導体ガスセンサの１秒間当たりの平均消費電力
（１６０ｍＷ）に比べて約２５０分の１以下に低減され
るので、電池を電源としてこの半導体ガスセンサを長時
間駆動することができる（表２参照）。
この半導体ガスセンサを間欠的に加熱して、感ガス体１
の低温時に一酸化炭素を検出する場合にも、本センサで
は感ガス体１を高温に加熱するためにヒータ兼用電極２
に電力を供給する時間（加熱時間）は０．８秒で充分で
あり（従来の半導体ガスセンサでは約６０秒）、本セン
サの１秒間当たりの平均消費電力（０．６４ｍＷ）は、
従来の半導体ガスセンサの１秒間当たりの平均消費電力
（１６０ｍＷ）に比べて約２５０分の１以下に低減され
るので、電池を電源としてこの半導体ガスセンサを長時
間駆動することができる（表２参照）。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】また、従来の半導体ガスセンサでは、感ガ
ス体１の温度を低温にしてから約９０秒後に一酸化炭素
を検出しており、約１５０秒に１回の割合で一酸化炭素
を検出しているのに対して、この半導体ガスセンサでは
感ガス体１の熱時定数を小さくしているので、図５に示
すようにヒータ兼用電極２に印加する電圧を低くして、
感ガス体１の温度を低温状態に切り換えてから約１秒後
に一酸化炭素を検出できるので、不感時間は、感ガス体
１を高温に加熱する時間（約０．８秒）と、感ガス体１
の温度を低温に低下させる時間（約１秒）との和（約
１．８秒）になる。したがって、可燃性ガスを約１５０
秒に１回検出する場合、検出周期（約１５０秒）のうち
１４８．２秒間は一酸化炭素を検出することができる。
ス体１の温度を低温にしてから約９０秒後に一酸化炭素
を検出しており、約１５０秒に１回の割合で一酸化炭素
を検出しているのに対して、この半導体ガスセンサでは
感ガス体１の熱時定数を小さくしているので、図５に示
すようにヒータ兼用電極２に印加する電圧を低くして、
感ガス体１の温度を低温状態に切り換えてから約１秒後
に一酸化炭素を検出できるので、不感時間は、感ガス体
１を高温に加熱する時間（約０．８秒）と、感ガス体１
の温度を低温に低下させる時間（約１秒）との和（約
１．８秒）になる。したがって、可燃性ガスを約１５０
秒に１回検出する場合、検出周期（約１５０秒）のうち
１４８．２秒間は一酸化炭素を検出することができる。
【００２３】このように、本実施形態の半導体ガスセン
サでは、ヒータ兼用電極２に高低２段階の電力を交互に
印加することによって、感ガス体１の温度を高低２段階
に間欠的に加熱し、感ガス体１の高温時にメタンガスや
プロパンガス等の可燃性ガスを検出するとともに、感ガ
ス体１の低温時に一酸化炭素を検出することができるの
で、一つの半導体ガスセンサを用いて、可燃性ガスと一
酸化炭素の両方を検出することができる。また、この半
導体ガスセンサの消費電力は従来の半導体ガスセンサに
比べて大幅に低減されているので、商用電源を電源とし
て使用する場合にも、電源回路を小型化することがで
き、回路コストを低減し、半導体ガスセンサ全体を小型
化することができる。
サでは、ヒータ兼用電極２に高低２段階の電力を交互に
印加することによって、感ガス体１の温度を高低２段階
に間欠的に加熱し、感ガス体１の高温時にメタンガスや
プロパンガス等の可燃性ガスを検出するとともに、感ガ
ス体１の低温時に一酸化炭素を検出することができるの
で、一つの半導体ガスセンサを用いて、可燃性ガスと一
酸化炭素の両方を検出することができる。また、この半
導体ガスセンサの消費電力は従来の半導体ガスセンサに
比べて大幅に低減されているので、商用電源を電源とし
て使用する場合にも、電源回路を小型化することがで
き、回路コストを低減し、半導体ガスセンサ全体を小型
化することができる。
【００２４】ところで、可燃性ガスや一酸化炭素を検知
する半導体ガスセンサとしては、長期的に特性が安定
し、検知対象以外のガス（通常、これらの所謂雑ガスと
しては水素が代表的なガス種である）に対しては極力感
度が低いことが望ましい。そこで、本実施形態の半導体
ガスセンサでは、感ガス体１の表面に形成したアルミナ
よりなる第１のフィルタ層５に例えばＷを添加してお
り、第１のフィルタ層により長期的にセンサ特性を安定
させることができるとともに、感ガス体１の温度が低温
状態（即ち一酸化炭素の検出時）で水素の感度を低減し
ている。また、第１のフィルタ層５の表面に形成したア
ルミナよりなる第２のフィルタ層６に例えばＰｔを添加
しており、感ガス体１の温度が高温状態（即ちメタンガ
スやプロパンガスなどの可燃性ガスの検出時）で雑ガス
（水素）の感度を低減している。したがって、第１及び
第２のフィルタ層５，６により、長期的にセンサ特性が
安定するとともに、感ガス体１の高温状態及び低温状態
で雑ガスの感度を低減することができる。尚、第１のフ
ィルタ層５にＷのかわりにＭｏ又はＶを第二成分として
添加したものでも同様の効果を得ることができ、第２の
フィルタ層６にＰｔのかわりにＰｄを第二成分として添
加したものでも同様の効果を得ることができる。また、
第１及び第２のフィルタ層の材質がＳｉＯ2 の場合でも
同等の効果が得られる。
する半導体ガスセンサとしては、長期的に特性が安定
し、検知対象以外のガス（通常、これらの所謂雑ガスと
しては水素が代表的なガス種である）に対しては極力感
度が低いことが望ましい。そこで、本実施形態の半導体
ガスセンサでは、感ガス体１の表面に形成したアルミナ
よりなる第１のフィルタ層５に例えばＷを添加してお
り、第１のフィルタ層により長期的にセンサ特性を安定
させることができるとともに、感ガス体１の温度が低温
状態（即ち一酸化炭素の検出時）で水素の感度を低減し
ている。また、第１のフィルタ層５の表面に形成したア
ルミナよりなる第２のフィルタ層６に例えばＰｔを添加
しており、感ガス体１の温度が高温状態（即ちメタンガ
スやプロパンガスなどの可燃性ガスの検出時）で雑ガス
（水素）の感度を低減している。したがって、第１及び
第２のフィルタ層５，６により、長期的にセンサ特性が
安定するとともに、感ガス体１の高温状態及び低温状態
で雑ガスの感度を低減することができる。尚、第１のフ
ィルタ層５にＷのかわりにＭｏ又はＶを第二成分として
添加したものでも同様の効果を得ることができ、第２の
フィルタ層６にＰｔのかわりにＰｄを第二成分として添
加したものでも同様の効果を得ることができる。また、
第１及び第２のフィルタ層の材質がＳｉＯ2 の場合でも
同等の効果が得られる。
【００２５】また、図６及び図７に示すように、内部に
活性炭よりなる外部フィルタ１６が取り付けられた有底
円筒状のキャップ１５をカバー１３に冠着することによ
り、外部からセンシング素子１０へガスが流入する経路
に外部フィルタ１６を配置し、雑ガスであるアルコール
蒸気や被毒ガスであるシリコン蒸気を外部フィルタ１６
で除去して、センシング素子１０のアルコール感度を低
減するとともに、シリコン等の被毒物質からセンシング
素子１０を保護して、センシング素子１０がアルコール
やシリコンガスなどの影響を受けにくくすることができ
る。尚、外部フィルター１６の材質を活性炭に限定する
趣旨のものではなく、外部フィルタ１６の材質をシリカ
ゲル（ＳｉＯ2 ）としても良いし、活性炭及びシリカゲ
ルの組み合わせとしても良い。
活性炭よりなる外部フィルタ１６が取り付けられた有底
円筒状のキャップ１５をカバー１３に冠着することによ
り、外部からセンシング素子１０へガスが流入する経路
に外部フィルタ１６を配置し、雑ガスであるアルコール
蒸気や被毒ガスであるシリコン蒸気を外部フィルタ１６
で除去して、センシング素子１０のアルコール感度を低
減するとともに、シリコン等の被毒物質からセンシング
素子１０を保護して、センシング素子１０がアルコール
やシリコンガスなどの影響を受けにくくすることができ
る。尚、外部フィルター１６の材質を活性炭に限定する
趣旨のものではなく、外部フィルタ１６の材質をシリカ
ゲル（ＳｉＯ2 ）としても良いし、活性炭及びシリカゲ
ルの組み合わせとしても良い。
【００２６】この半導体ガスセンサを駆動する回路を図
９に示す。本回路では、交流電源電圧を一定の直流電圧
ＶCCに定電圧回路５０で変換したのち、この直流電圧Ｖ
CCをスイッチング素子Ｑとセンシング素子１０のヒータ
兼用電極２との直列回路に印加するとともに、負荷抵抗
Ｒとセンシング素子１０との直列回路に印加し、更にセ
ンシング素子１０の検知状態の監視とヒータ兼用電極２
に印加する電圧のスイッチング制御とを行う信号処理部
６０に印加している。
９に示す。本回路では、交流電源電圧を一定の直流電圧
ＶCCに定電圧回路５０で変換したのち、この直流電圧Ｖ
CCをスイッチング素子Ｑとセンシング素子１０のヒータ
兼用電極２との直列回路に印加するとともに、負荷抵抗
Ｒとセンシング素子１０との直列回路に印加し、更にセ
ンシング素子１０の検知状態の監視とヒータ兼用電極２
に印加する電圧のスイッチング制御とを行う信号処理部
６０に印加している。
【００２７】信号処理部６０は、タイマ６２と、センシ
ング素子１０の高温状態期間と低温状態期間とをタイマ
６２の計時出力により交互に設定し、且つ、高温状態期
間と低温状態期間とでそれぞれトランジスタＱのオンデ
ューティを駆動回路６３を通じて制御する機能、及び、
低温状態期間の所定タイミングで取り込んだセンシング
素子１０の電圧値と予め設定してある基準値とから汚染
度が警報動作閾値を越えた時に警報制御出力回路６７を
通じて外部に警報信号を出力する機能を備えた演算制御
回路６４と、負荷抵抗Ｒの両端電圧をＡ／Ｄ変換するＡ
／Ｄ変換回路６１と、デジタル変換された負荷抵抗の両
端電圧値をＤ／Ａ変換し再度アナログ出力として外部に
出力するＤ／Ａ変換回路６５と、上記基準値や警報動作
閾値を格納するメモリ６６よりなり、信号処理部６０は
例えば１チップのマイクロコンピュータにから構成され
る。
ング素子１０の高温状態期間と低温状態期間とをタイマ
６２の計時出力により交互に設定し、且つ、高温状態期
間と低温状態期間とでそれぞれトランジスタＱのオンデ
ューティを駆動回路６３を通じて制御する機能、及び、
低温状態期間の所定タイミングで取り込んだセンシング
素子１０の電圧値と予め設定してある基準値とから汚染
度が警報動作閾値を越えた時に警報制御出力回路６７を
通じて外部に警報信号を出力する機能を備えた演算制御
回路６４と、負荷抵抗Ｒの両端電圧をＡ／Ｄ変換するＡ
／Ｄ変換回路６１と、デジタル変換された負荷抵抗の両
端電圧値をＤ／Ａ変換し再度アナログ出力として外部に
出力するＤ／Ａ変換回路６５と、上記基準値や警報動作
閾値を格納するメモリ６６よりなり、信号処理部６０は
例えば１チップのマイクロコンピュータにから構成され
る。
【００２８】ここに、警報制御出力回路６７の警報信号
は警報表示用の発光ダイオード（ＬＥＤ）７１や外付け
のブザー７２の駆動制御等に用いられ、また換気装置等
の外部機器の制御のための接点出力となる。また、信号
処理部６０の外付け回路として設けた温度補償回路８０
はＡ／Ｄ変換される負荷抵抗Ｒの両端電圧をセンシング
素子１０の温度特性に対応して補正し、温度の影響を無
くすためのものである。
は警報表示用の発光ダイオード（ＬＥＤ）７１や外付け
のブザー７２の駆動制御等に用いられ、また換気装置等
の外部機器の制御のための接点出力となる。また、信号
処理部６０の外付け回路として設けた温度補償回路８０
はＡ／Ｄ変換される負荷抵抗Ｒの両端電圧をセンシング
素子１０の温度特性に対応して補正し、温度の影響を無
くすためのものである。
【００２９】ところで、感ガス体１の高温状態期間で
は、約０．９Ｖの電圧をヒータ兼用電極２に連続的に印
加した場合と略同じ温度（約４００℃）で感ガス体１を
加熱できるように、駆動回路６３がパルス信号でトラン
ジスタＱをオンオフして、ヒータ兼用電極２に印加する
電圧の平均値が約０．９Ｖになるようにし、且つその期
間を約０．８秒としてある。
は、約０．９Ｖの電圧をヒータ兼用電極２に連続的に印
加した場合と略同じ温度（約４００℃）で感ガス体１を
加熱できるように、駆動回路６３がパルス信号でトラン
ジスタＱをオンオフして、ヒータ兼用電極２に印加する
電圧の平均値が約０．９Ｖになるようにし、且つその期
間を約０．８秒としてある。
【００３０】また、低温状態期間では、約０．２Ｖの電
圧をヒータ兼用電極２に連続的に印加した場合と略同じ
温度（約６０℃）で感ガス体１を加熱できるように、駆
動回路６３がパルス信号でトランジスタＱをオンオフし
て、ヒータ兼用電極２に印加する電圧の平均値が約０．
２Ｖになるようにし、且つその期間を約１４９秒として
ある。
圧をヒータ兼用電極２に連続的に印加した場合と略同じ
温度（約６０℃）で感ガス体１を加熱できるように、駆
動回路６３がパルス信号でトランジスタＱをオンオフし
て、ヒータ兼用電極２に印加する電圧の平均値が約０．
２Ｖになるようにし、且つその期間を約１４９秒として
ある。
【００３１】本回路では感ガス体１の高温状態と低温状
態とが交互に切り換えられ、感ガス体１の高温状態で
は、高温状態から低温状態に切り換わる時点（すなわち
０．８秒後）に演算制御回路６４がＡ／Ｄ変換した負荷
抵抗Ｒの両端電圧を取り込み汚染度を判定するととも
に、警報動作閾値と比較して警報動作閾値を越えている
場合には警報信号を出力して、可燃性ガスの検出を行
う。また、感ガス体１の低温状態では、低温状態に切り
換わって約１秒が経過した時点から次に高温状態に切り
換わるまで逐次演算制御回路６４がＡ／Ｄ変換した負荷
抵抗Ｒの両端電圧を取り込み汚染度を判定するととも
に、警報動作閾値と比較して警報動作閾値を越えている
場合には警報信号を出力して、一酸化炭素の検出を行
う。
態とが交互に切り換えられ、感ガス体１の高温状態で
は、高温状態から低温状態に切り換わる時点（すなわち
０．８秒後）に演算制御回路６４がＡ／Ｄ変換した負荷
抵抗Ｒの両端電圧を取り込み汚染度を判定するととも
に、警報動作閾値と比較して警報動作閾値を越えている
場合には警報信号を出力して、可燃性ガスの検出を行
う。また、感ガス体１の低温状態では、低温状態に切り
換わって約１秒が経過した時点から次に高温状態に切り
換わるまで逐次演算制御回路６４がＡ／Ｄ変換した負荷
抵抗Ｒの両端電圧を取り込み汚染度を判定するととも
に、警報動作閾値と比較して警報動作閾値を越えている
場合には警報信号を出力して、一酸化炭素の検出を行
う。
【００３２】このように検知対象のガス（一酸化炭素）
に応じて、低温状態の時間（０．８秒）と、トランジス
タＱをオン・オフするパルス信号のオンデューティや周
期を設定することにより、短時間で確実に一酸化炭素を
検出することができる。図９の回路では、センシング素
子１０のヒータ兼用電極２に印加する電圧をスイッチン
グ制御により設定しているが、図１０の回路に示すよう
に、ヒータ兼用電極２に印加する電圧を連続制御により
設定しても良い。本回路では、定電圧回路５０の出力端
間にヒータ兼用電極２とトランジスタＱ2 との直列回路
を接続し、トランジスタＱ2 の基準電圧を決めるオペア
ンプＯＰの非反転入力端の電圧値をトランジスタＱ1 の
オン／オフで切り換えてトランジスタＱ2 の基準電圧を
２段階に切り換えるようになっている。トランジスタＱ
1 のオン／オフ制御は演算制御部６４から駆動回路６３
を介して出力される制御信号により行われ、トランジス
タＱ1 をオンする期間とオフする期間とはそれぞれ感ガ
ス体１の高温状態期間と低温状態期間に対応しており、
その設定はタイマ６２の計時出力に基づいて行われる。
に応じて、低温状態の時間（０．８秒）と、トランジス
タＱをオン・オフするパルス信号のオンデューティや周
期を設定することにより、短時間で確実に一酸化炭素を
検出することができる。図９の回路では、センシング素
子１０のヒータ兼用電極２に印加する電圧をスイッチン
グ制御により設定しているが、図１０の回路に示すよう
に、ヒータ兼用電極２に印加する電圧を連続制御により
設定しても良い。本回路では、定電圧回路５０の出力端
間にヒータ兼用電極２とトランジスタＱ2 との直列回路
を接続し、トランジスタＱ2 の基準電圧を決めるオペア
ンプＯＰの非反転入力端の電圧値をトランジスタＱ1 の
オン／オフで切り換えてトランジスタＱ2 の基準電圧を
２段階に切り換えるようになっている。トランジスタＱ
1 のオン／オフ制御は演算制御部６４から駆動回路６３
を介して出力される制御信号により行われ、トランジス
タＱ1 をオンする期間とオフする期間とはそれぞれ感ガ
ス体１の高温状態期間と低温状態期間に対応しており、
その設定はタイマ６２の計時出力に基づいて行われる。
【００３３】而して、本回路においても検知対象のガス
が一酸化炭素の場合、図１２に示すように、高温状態期
間を約０．８秒としてヒータ兼用電極２に印加する電圧
を約０．９Ｖに設定するとともに、低温状態期間を約１
４９秒としてヒータ兼用電極２に印加する電圧を約０．
２Ｖに設定することにより、メタンガスやプロパンガス
などの可燃性ガスと弁別して一酸化炭素を短時間で検出
することができる。
が一酸化炭素の場合、図１２に示すように、高温状態期
間を約０．８秒としてヒータ兼用電極２に印加する電圧
を約０．９Ｖに設定するとともに、低温状態期間を約１
４９秒としてヒータ兼用電極２に印加する電圧を約０．
２Ｖに設定することにより、メタンガスやプロパンガス
などの可燃性ガスと弁別して一酸化炭素を短時間で検出
することができる。
【００３４】尚、本実施形態では、ヒータ兼用電極２に
印加する電圧を高低２段階に切り換えて、感ガス体１の
温度を高温状態と低温状態に切り換えているが、ヒータ
兼用電極２への電力供給をオン・オフして、感ガス体１
の温度を高温と低温に切り換えるようにしても良く、感
ガス体１の低温時にヒータ兼用電極２への電力供給を停
止することにより、半導体ガスセンサの消費電力をさら
に低減することができる。
印加する電圧を高低２段階に切り換えて、感ガス体１の
温度を高温状態と低温状態に切り換えているが、ヒータ
兼用電極２への電力供給をオン・オフして、感ガス体１
の温度を高温と低温に切り換えるようにしても良く、感
ガス体１の低温時にヒータ兼用電極２への電力供給を停
止することにより、半導体ガスセンサの消費電力をさら
に低減することができる。
【００３５】また、本実施形態では感ガス体１の低温時
に検出するガスとして一酸化炭素を例に説明を行った
が、検出対象のガスを一酸化炭素に限定する趣旨のもの
ではなく、二酸化炭素や、アンモニア、メルカプタンな
どの悪臭を発生するガスも検出可能である。
に検出するガスとして一酸化炭素を例に説明を行った
が、検出対象のガスを一酸化炭素に限定する趣旨のもの
ではなく、二酸化炭素や、アンモニア、メルカプタンな
どの悪臭を発生するガスも検出可能である。
【００３６】
【実施例】次に本発明の実施例をさらに詳細に説明す
る。 （実施例１）本実施例ではセンシング素子１０の材質を
ＳｎＯ2 としているが、ＳｎＯ2 の調整方法について以
下に説明する。まず、ＳｎＣｌ4 の水溶液をＮＨ4 で加
水分解してすず酸ゾルを得て、このすず酸ゾルを風乾後
に空気中おいて例えば５５０℃から７００℃で約１時間
焼成してＳｎＯ2 を得る。このＳｎＯ2 に対してＰｄの
王水溶液を含浸させ、例えば５００℃で空気中において
１時間焼成してＰｄをＳｎＯ2 に添加する。ここで、Ｓ
ｎＯ2 に添加したＰｄには、センシング素子１０の各種
ガスに対する感度を適切にするとともに、各種ガスに対
する応答速度を改善する役割があり、用途によっては添
加しなくても良い。またＰｄの代わりにＰｔ、Ｒｈ、Ａ
ｕなどの貴金属を添加しても良い。
る。 （実施例１）本実施例ではセンシング素子１０の材質を
ＳｎＯ2 としているが、ＳｎＯ2 の調整方法について以
下に説明する。まず、ＳｎＣｌ4 の水溶液をＮＨ4 で加
水分解してすず酸ゾルを得て、このすず酸ゾルを風乾後
に空気中おいて例えば５５０℃から７００℃で約１時間
焼成してＳｎＯ2 を得る。このＳｎＯ2 に対してＰｄの
王水溶液を含浸させ、例えば５００℃で空気中において
１時間焼成してＰｄをＳｎＯ2 に添加する。ここで、Ｓ
ｎＯ2 に添加したＰｄには、センシング素子１０の各種
ガスに対する感度を適切にするとともに、各種ガスに対
する応答速度を改善する役割があり、用途によっては添
加しなくても良い。またＰｄの代わりにＰｔ、Ｒｈ、Ａ
ｕなどの貴金属を添加しても良い。
【００３７】また、センシング素子１０の濃度勾配を改
善するために、ＳｎＯ2 よりなる感ガス体１と、感ガス
体１の表面に形成したアルミナよりなるフィルタ層にそ
れぞれ第二成分を添加してセンサ特性を測定した結果を
表３、表４に示す。ここに、感ガス体１に対する第二成
分の添加は、第二成分の既知濃度の水溶液を感ガス体に
対して所定量（ＳｎＯ2 に対しては第二成分の分量が
０．１又は１．０モル％）をディッピング（浸漬）した
のち、約５００℃で焼成して行った。また、フィルタ層
への第二成分の添加は、第二成分の既知濃度の水溶液を
アルミナに対して所定量（アルミナに対して第二成分の
分量が０．１又は１モル％）をディッピングしたのち、
約５００℃で焼成し、バインダーと混合してペースト状
としたものを感ガス体１に塗布し、約５００℃で焼成し
て行った。
善するために、ＳｎＯ2 よりなる感ガス体１と、感ガス
体１の表面に形成したアルミナよりなるフィルタ層にそ
れぞれ第二成分を添加してセンサ特性を測定した結果を
表３、表４に示す。ここに、感ガス体１に対する第二成
分の添加は、第二成分の既知濃度の水溶液を感ガス体に
対して所定量（ＳｎＯ2 に対しては第二成分の分量が
０．１又は１．０モル％）をディッピング（浸漬）した
のち、約５００℃で焼成して行った。また、フィルタ層
への第二成分の添加は、第二成分の既知濃度の水溶液を
アルミナに対して所定量（アルミナに対して第二成分の
分量が０．１又は１モル％）をディッピングしたのち、
約５００℃で焼成し、バインダーと混合してペースト状
としたものを感ガス体１に塗布し、約５００℃で焼成し
て行った。
【００３８】表３、表４より、感ガス体１（ＳｎＯ2 ）
に第二成分を添加した場合に雑ガス（水素）の感度を低
減するものも見られたが、センシング素子１０の抵抗値
が極端に大きくなったり、経時特性が悪化したりして、
実用となるものは見当たらなかった。一方、感ガス体１
の表面に形成したアルミナよりなるフィルタ層に第二成
分を添加したものの内、アルミナにタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）を夫々
添加したものに（Ｎｏ５，６，９，１０，１３，１
４）、センシング素子１０の経時特性を改善した効果が
見られる。また、アルミナに白金（Ｐｔ）又はパラジウ
ム（Ｐｄ）を夫々添加したものでは（Ｎｏ１７，１８，
２１，２２）、感ガス体１の温度が高温状態（即ちメタ
ンガスやプロパンガスなどの可燃性ガスの検出時）で雑
ガス（水素）の感度を低減する効果が見られる。また、
アルミナにＷ，Ｍｏ，Ｖを夫々添加したものでも（Ｎｏ
５，６，９，１０，１３，１４）、感ガス体１の温度が
低温状態（即ち一酸化炭素の検出時）で水素の感度を低
減する効果が見られる。尚、フィルタ層の材質がＳｉＯ
2 の場合でも同等の効果が得られる。
に第二成分を添加した場合に雑ガス（水素）の感度を低
減するものも見られたが、センシング素子１０の抵抗値
が極端に大きくなったり、経時特性が悪化したりして、
実用となるものは見当たらなかった。一方、感ガス体１
の表面に形成したアルミナよりなるフィルタ層に第二成
分を添加したものの内、アルミナにタングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）を夫々
添加したものに（Ｎｏ５，６，９，１０，１３，１
４）、センシング素子１０の経時特性を改善した効果が
見られる。また、アルミナに白金（Ｐｔ）又はパラジウ
ム（Ｐｄ）を夫々添加したものでは（Ｎｏ１７，１８，
２１，２２）、感ガス体１の温度が高温状態（即ちメタ
ンガスやプロパンガスなどの可燃性ガスの検出時）で雑
ガス（水素）の感度を低減する効果が見られる。また、
アルミナにＷ，Ｍｏ，Ｖを夫々添加したものでも（Ｎｏ
５，６，９，１０，１３，１４）、感ガス体１の温度が
低温状態（即ち一酸化炭素の検出時）で水素の感度を低
減する効果が見られる。尚、フィルタ層の材質がＳｉＯ
2 の場合でも同等の効果が得られる。
【００３９】ここで、表３及び表４中の高温ＣＨ4 抵抗
値とは、ＣＨ4 が１０００ｐｐｍの時の高温状態の感ガ
ス体１の抵抗値（ｋΩ）であり、高温ＣＨ4 感度とは、
空気中においた時の高温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋ
Ω）をＣＨ4 が１０００ｐｐｍの時の抵抗値（ｋΩ）で
除した値であり、高温ＣＨ4 経時特性とは、ＣＨ4 が１
０００ｐｐｍの状態で１００日間放置した時の感ガス体
１の抵抗値（ｋΩ）を初期の抵抗値（ｋΩ）で除した値
であり、高温Ｈ2 感度とは、Ｈ2 が１０００ｐｐｍの時
の高温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋΩ）をＣＨ4 が１
０００ｐｐｍの時の抵抗値（ｋΩ）で除した値である。
また、低温ＣＯ抵抗値とは、ＣＯ2 が１００ｐｐｍの時
の低温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋΩ）であり、低温
ＣＯ経時特性とは、ＣＯ2 が１００ｐｐｍの状態で１０
０日間放置した時の低温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋ
Ω）を初期の抵抗値（ｋΩ）で除した値であり、低温Ｈ
2感度とは、Ｈ2 が１０００ｐｐｍの時の低温状態の感
ガス体１の抵抗値（ｋΩ）をＣＯ2 が１００ｐｐｍの時
の抵抗値（ｋΩ）で除した値である。
値とは、ＣＨ4 が１０００ｐｐｍの時の高温状態の感ガ
ス体１の抵抗値（ｋΩ）であり、高温ＣＨ4 感度とは、
空気中においた時の高温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋ
Ω）をＣＨ4 が１０００ｐｐｍの時の抵抗値（ｋΩ）で
除した値であり、高温ＣＨ4 経時特性とは、ＣＨ4 が１
０００ｐｐｍの状態で１００日間放置した時の感ガス体
１の抵抗値（ｋΩ）を初期の抵抗値（ｋΩ）で除した値
であり、高温Ｈ2 感度とは、Ｈ2 が１０００ｐｐｍの時
の高温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋΩ）をＣＨ4 が１
０００ｐｐｍの時の抵抗値（ｋΩ）で除した値である。
また、低温ＣＯ抵抗値とは、ＣＯ2 が１００ｐｐｍの時
の低温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋΩ）であり、低温
ＣＯ経時特性とは、ＣＯ2 が１００ｐｐｍの状態で１０
０日間放置した時の低温状態の感ガス体１の抵抗値（ｋ
Ω）を初期の抵抗値（ｋΩ）で除した値であり、低温Ｈ
2感度とは、Ｈ2 が１０００ｐｐｍの時の低温状態の感
ガス体１の抵抗値（ｋΩ）をＣＯ2 が１００ｐｐｍの時
の抵抗値（ｋΩ）で除した値である。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】（実施例２）実施例１では、感ガス体１の
表面にフィルタ層を１層のみ形成しているが、本実施例
では感ガス体１の表面にフィルタ層を２重に形成した場
合のセンサ特性を表５に示す。感ガス体１の表面にアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）にタングステン（Ｗ）を１モル％添
加したものを塗布して第１のフィルタ層５を形成し、ア
ルミナに白金（Ｐｔ）を１モル％添加したものを第１の
フィルタ層５の表面に塗布して、第２のフィルタ層６を
形成している。
表面にフィルタ層を１層のみ形成しているが、本実施例
では感ガス体１の表面にフィルタ層を２重に形成した場
合のセンサ特性を表５に示す。感ガス体１の表面にアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）にタングステン（Ｗ）を１モル％添
加したものを塗布して第１のフィルタ層５を形成し、ア
ルミナに白金（Ｐｔ）を１モル％添加したものを第１の
フィルタ層５の表面に塗布して、第２のフィルタ層６を
形成している。
【００４３】表５より、第１及び第２のフィルタ層５，
６で夫々得られた特性が重畳した特性、すなわち感ガス
体１の温度が低温状態でも高温状態でも水素の感度が小
さく、高温状態におけるメタンガス（ＣＨ4 ）の経時特
性及び低温状態における一酸化炭素（ＣＯ）の経時特性
とも良好であることがわかる。
６で夫々得られた特性が重畳した特性、すなわち感ガス
体１の温度が低温状態でも高温状態でも水素の感度が小
さく、高温状態におけるメタンガス（ＣＨ4 ）の経時特
性及び低温状態における一酸化炭素（ＣＯ）の経時特性
とも良好であることがわかる。
【００４４】
【表５】
【００４５】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、ガス
を吸着することによって電気抵抗が変化する外形寸法が
略０．８ｍｍ以下の略球状の感ガス体と、感ガス体中に
埋設されたコイル状の白金からなるヒータ兼用電極と、
ヒータ兼用電極のコイルの中心を貫通するように感ガス
体中に埋設された白金電極と、感ガス体の表面に形成さ
れた雑ガスを除去するフィルタ層とを備えており、ヒー
タ兼用電極のコイルの中心を貫通するように白金電極を
設けているので、ヒータ兼用電極及び白金電極をまとま
り良く配設して感ガス体を小型化することができ、感ガ
ス体の熱容量を小さくすることができ、したがって、感
ガス体を加熱するのに必要な消費電力を低減することが
でき、電池を電源として半導体ガスセンサを長時間動作
させることができるという効果がある。そのうえ、フィ
ルタ層により雑ガスの影響を低減することができ、検知
対象のガスを正確に検出できるという効果がある。
を吸着することによって電気抵抗が変化する外形寸法が
略０．８ｍｍ以下の略球状の感ガス体と、感ガス体中に
埋設されたコイル状の白金からなるヒータ兼用電極と、
ヒータ兼用電極のコイルの中心を貫通するように感ガス
体中に埋設された白金電極と、感ガス体の表面に形成さ
れた雑ガスを除去するフィルタ層とを備えており、ヒー
タ兼用電極のコイルの中心を貫通するように白金電極を
設けているので、ヒータ兼用電極及び白金電極をまとま
り良く配設して感ガス体を小型化することができ、感ガ
ス体の熱容量を小さくすることができ、したがって、感
ガス体を加熱するのに必要な消費電力を低減することが
でき、電池を電源として半導体ガスセンサを長時間動作
させることができるという効果がある。そのうえ、フィ
ルタ層により雑ガスの影響を低減することができ、検知
対象のガスを正確に検出できるという効果がある。
【００４６】請求項２の発明は、上記フィルタ層がＳｉ
Ｏ2 にＷ、Ｍｏ又はＶのいずれかを添加して形成され、
請求項３の発明では、上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 に
Ｗ、Ｍｏ又はＶのいずれかを添加して形成されているの
で、長期的にセンサ特性を安定させ、且つ、感ガス体の
高温時に感ガス体の水素ガス感度を低減することがで
き、検知対象である可燃性ガス以外の雑ガスの影響を低
減できるという効果がある。
Ｏ2 にＷ、Ｍｏ又はＶのいずれかを添加して形成され、
請求項３の発明では、上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 に
Ｗ、Ｍｏ又はＶのいずれかを添加して形成されているの
で、長期的にセンサ特性を安定させ、且つ、感ガス体の
高温時に感ガス体の水素ガス感度を低減することがで
き、検知対象である可燃性ガス以外の雑ガスの影響を低
減できるという効果がある。
【００４７】請求項４の発明は、上記フィルタ層がＳｉ
Ｏ2 にＰｔ又はＰｄのいずれかを添加して形成され、請
求項５の発明では、上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ
又はＰｄのいずれかを添加して形成されているので、感
ガス体の低温時に感ガス体の水素ガス感度を低減するこ
とができ、検知対象のガス以外の雑ガスの影響を低減で
きるという効果がある。
Ｏ2 にＰｔ又はＰｄのいずれかを添加して形成され、請
求項５の発明では、上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ
又はＰｄのいずれかを添加して形成されているので、感
ガス体の低温時に感ガス体の水素ガス感度を低減するこ
とができ、検知対象のガス以外の雑ガスの影響を低減で
きるという効果がある。
【００４８】請求項６の発明は、上記フィルタ層が請求
項２又は３のフィルタ層と請求項４又は５のフィルタ層
との二重のフィルタ層からなっているので、長期的にセ
ンサ特性を安定させ、且つ、感ガス体の高温時及び低温
時に感ガス体の水素ガス感度を低減することができ、検
知対象のガス以外の雑ガスの影響を低減できるという効
果がある。
項２又は３のフィルタ層と請求項４又は５のフィルタ層
との二重のフィルタ層からなっているので、長期的にセ
ンサ特性を安定させ、且つ、感ガス体の高温時及び低温
時に感ガス体の水素ガス感度を低減することができ、検
知対象のガス以外の雑ガスの影響を低減できるという効
果がある。
【００４９】請求項７の発明は、ヒータ兼用電極に高低
２段階の電力を所定の周期で供給して感ガス体を高低２
段階の温度で加熱し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを
検出しているので、ヒータ兼用電極に供給する電力を高
低２段階に切り換えることによって、低消費電力でメタ
ンガスやプロパンガスなどの可燃性ガスを検出できると
いう効果がある。
２段階の電力を所定の周期で供給して感ガス体を高低２
段階の温度で加熱し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを
検出しているので、ヒータ兼用電極に供給する電力を高
低２段階に切り換えることによって、低消費電力でメタ
ンガスやプロパンガスなどの可燃性ガスを検出できると
いう効果がある。
【００５０】請求項８の発明では、請求項１乃至６の発
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の低温時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び
悪臭成分ガスを検出しているので、ヒータ兼用電極に供
給する電力を高低２段階に切り換えることによって、低
消費電力で検知対象のガスを検出できるという効果があ
る。
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の低温時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び
悪臭成分ガスを検出しているので、ヒータ兼用電極に供
給する電力を高低２段階に切り換えることによって、低
消費電力で検知対象のガスを検出できるという効果があ
る。
【００５１】請求項９の発明では、請求項１乃至６の発
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを、感ガス体の低温
時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出
しているので、１つの半導体ガスセンサで可燃性ガス、
一酸化炭素、二酸化炭素、悪臭成分ガスを検出すること
ができ、半導体ガスセンサの製造コストを低減できると
いう効果がある。しかも、ヒータ兼用電極に供給する電
力を高低２段階に切り換えているので、半導体ガスセン
サの消費電力をさらに低減できるという効果もある。
明において、ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを、感ガス体の低温
時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出
しているので、１つの半導体ガスセンサで可燃性ガス、
一酸化炭素、二酸化炭素、悪臭成分ガスを検出すること
ができ、半導体ガスセンサの製造コストを低減できると
いう効果がある。しかも、ヒータ兼用電極に供給する電
力を高低２段階に切り換えているので、半導体ガスセン
サの消費電力をさらに低減できるという効果もある。
【００５２】請求項１０の発明では、請求項７乃至９の
発明において、上記高低２段階の電力がそれぞれ電力供
給のオン・オフ時の電力であるので、感ガス体の低温時
に電力供給を停止することにより、半導体ガスセンサの
消費電力をさらに低減できるという効果がある。請求項
１１の発明は、外部より感ガス体に到るガス流路に、感
ガス体に接触する気体からアルコール蒸気やシリコン蒸
気を除去するフィルタを設けており、請求項１２の発明
は、上記フィルタが活性炭又はシリカゲルのいずれかか
らなり、請求項１３の発明は、上記フィルタが活性炭及
びシリカゲルからなっているので、感ガス体にアルコー
ル蒸気やシリコン蒸気が付着するのを防止でき、感ガス
体のアルコール感度を低減し、且つ、シリコンなどの被
毒物質から感ガス体を保護できるという効果がある。
発明において、上記高低２段階の電力がそれぞれ電力供
給のオン・オフ時の電力であるので、感ガス体の低温時
に電力供給を停止することにより、半導体ガスセンサの
消費電力をさらに低減できるという効果がある。請求項
１１の発明は、外部より感ガス体に到るガス流路に、感
ガス体に接触する気体からアルコール蒸気やシリコン蒸
気を除去するフィルタを設けており、請求項１２の発明
は、上記フィルタが活性炭又はシリカゲルのいずれかか
らなり、請求項１３の発明は、上記フィルタが活性炭及
びシリカゲルからなっているので、感ガス体にアルコー
ル蒸気やシリコン蒸気が付着するのを防止でき、感ガス
体のアルコール感度を低減し、且つ、シリコンなどの被
毒物質から感ガス体を保護できるという効果がある。
【図１】本実施形態の半導体ガスセンサのセンシング素
子を示す断面図である。
子を示す断面図である。
【図２】同上の半導体ガスセンサを示し、（ａ）は一部
破断せる正面図、（ｂ）は一部破断せる上面図、（ｃ）
は下面図である。
破断せる正面図、（ｂ）は一部破断せる上面図、（ｃ）
は下面図である。
【図３】同上の半導体ガスセンサのカバーを外した状態
を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は上面図である。
を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は上面図である。
【図４】同上の半導体ガスセンサのカバーを示し、
（ａ）は一部破断せる正面図、（ｂ）は上面図である。
（ａ）は一部破断せる正面図、（ｂ）は上面図である。
【図５】同上の半導体ガスセンサの動作を示す図であ
る。
る。
【図６】同上の半導体ガスセンサにキャップを冠着した
状態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は下面図である。
状態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は下面図である。
【図７】同上の半導体ガスセンサのキャップを示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
【図８】同上の半導体ガスセンサの感ガス体の時間と温
度の関係を示す図である。
度の関係を示す図である。
【図９】同上の駆動回路を示す回路図である。
【図１０】同上の別の駆動回路を示す回路図である。
【図１１】従来の半導体ガスセンサを示す斜視図であ
る。
る。
１ 感ガス体 ２ ヒータ兼用電極 ４ 電極 ５ 第１のフィルタ層 ６ 第１のフィルタ層
Claims (13)
- 【請求項１】ガスを吸着することによって電気抵抗が変
化する外形寸法が略０．８ｍｍ以下の略球状の感ガス体
と、感ガス体中に埋設されたコイル状の白金からなるヒ
ータ兼用電極と、ヒータ兼用電極のコイルの中心を貫通
するように感ガス体中に埋設された白金電極と、感ガス
体の表面に形成された雑ガスを除去するフィルタ層とを
備えて成ることを特徴とする半導体ガスセンサ。 - 【請求項２】上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＷ、Ｍｏ又は
Ｖのいずれかを添加して形成されたことを特徴とする請
求項１記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項３】上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＷ、Ｍｏ又
はＶのいずれかを添加して形成されたことを特徴とする
請求項１記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項４】上記フィルタ層がＳｉＯ2 にＰｔ又はＰｄ
のいずれかを添加して形成されたことを特徴とする請求
項１記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項５】上記フィルタ層がＡｌ2 Ｏ3 にＰｔ又はＰ
ｄのいずれかを添加して形成されたことを特徴とする請
求項１記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項６】上記フィルタ層が請求項２又は３のフィル
タ層と請求項４又は５のフィルタ層との二重のフィルタ
層からなることを特徴とする請求項２乃至５記載の半導
体ガスセンサ。 - 【請求項７】ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを検出することを特
徴とする請求項１乃至６記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項８】ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の低温時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び
悪臭成分ガスを検出することを特徴とする請求項１乃至
６記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項９】ヒータ兼用電極に高低２段階の電力を所定
の周期で供給して感ガス体を高低２段階の温度で加熱
し、感ガス体の高温時に可燃性ガスを、感ガス体の低温
時に一酸化炭素、二酸化炭素、及び悪臭成分ガスを検出
することを特徴とする請求項１乃至６記載の半導体ガス
センサ。 - 【請求項１０】上記高低２段階の電力がそれぞれ電力供
給のオン・オフ時の電力であることを特徴とする請求項
７乃至９記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項１１】外部より感ガス体に到るガス流路に、感
ガス体に接触する気体からアルコール蒸気やシリコン蒸
気を除去するフィルタを設けたことを特徴とする請求項
１乃至１０記載の半導体ガスセンサ。 - 【請求項１２】上記フィルタが活性炭又はシリカゲルの
いずれかからなることを特徴とする請求項１１記載の半
導体ガスセンサ。 - 【請求項１３】上記フィルタが活性炭及びシリカゲルか
らなることを特徴とする請求項１１記載の半導体ガスセ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9306154A JPH11142356A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9306154A JPH11142356A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142356A true JPH11142356A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17953708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9306154A Pending JPH11142356A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 半導体ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11142356A (ja) |
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