JPH0466858A - 一酸化炭素ガスセンサ - Google Patents
一酸化炭素ガスセンサInfo
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- JPH0466858A JPH0466858A JP17976690A JP17976690A JPH0466858A JP H0466858 A JPH0466858 A JP H0466858A JP 17976690 A JP17976690 A JP 17976690A JP 17976690 A JP17976690 A JP 17976690A JP H0466858 A JPH0466858 A JP H0466858A
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- carbon monoxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は各種燃焼器具、工場等で発生する一酸化炭素
ガスを検知するためのガスセンサに関する。
ガスを検知するためのガスセンサに関する。
［従来の技術］
従来の半導体式可燃性ガスセンサは空気中の水分や油脂
分の影響を避けるため高温（３００〜４５０″Ｃ）で使
用されていた。しかし−酸化炭素ガスの選択性は高温で
は得られないため、止むを得ず低温（１００℃前後）で
動作させ、適時センサを高温にして、ヒートクリーニン
グを行ない、空気中の水分や油脂分の影響を避けて使用
していた。これに対して例えば特開昭６３−４５５５２
号公報では酸化錫にアルカリ土類金属などを添加するこ
とによって高温で使用可能な一酸化炭素ガスセンサを紹
介している。
分の影響を避けるため高温（３００〜４５０″Ｃ）で使
用されていた。しかし−酸化炭素ガスの選択性は高温で
は得られないため、止むを得ず低温（１００℃前後）で
動作させ、適時センサを高温にして、ヒートクリーニン
グを行ない、空気中の水分や油脂分の影響を避けて使用
していた。これに対して例えば特開昭６３−４５５５２
号公報では酸化錫にアルカリ土類金属などを添加するこ
とによって高温で使用可能な一酸化炭素ガスセンサを紹
介している。
［発明が解決しようとする課題］
特開昭６３−４５５５２号公報に示された一酸化炭素ガ
スセンサは例えば第４図に示すような種々のガスに対す
る感度を示す。この種の半導体式ガスセンサは対象ガス
が存在しない清浄空気中においてもその出力電圧が零と
ならない。そのため図中センサ感度としては対象ガスに
対する正味のセンサ出力電圧（対象ガス中でのセンサ出
力電圧から清浄空気中でのセンサ出力電圧を引算した値
）の相対値を示している。又それぞれの対象ガスのガス
濃度は５００ｐｐｍとしている。ここで第４図より分る
ように、Ｈ２の感度はＣＯに対して低くなっている、（
すなわち、Ｃｏに対する選択性は向上している）がその
程度は例えば、同図中のＣ２Ｈ４（オレフィン系ガス）
に比較するとまだ十分低く・なっているとはいえない。
スセンサは例えば第４図に示すような種々のガスに対す
る感度を示す。この種の半導体式ガスセンサは対象ガス
が存在しない清浄空気中においてもその出力電圧が零と
ならない。そのため図中センサ感度としては対象ガスに
対する正味のセンサ出力電圧（対象ガス中でのセンサ出
力電圧から清浄空気中でのセンサ出力電圧を引算した値
）の相対値を示している。又それぞれの対象ガスのガス
濃度は５００ｐｐｍとしている。ここで第４図より分る
ように、Ｈ２の感度はＣＯに対して低くなっている、（
すなわち、Ｃｏに対する選択性は向上している）がその
程度は例えば、同図中のＣ２Ｈ４（オレフィン系ガス）
に比較するとまだ十分低く・なっているとはいえない。
更にＣ２Ｈ５０Ｈ（アルコール）に対する感度はＣｏに
対する感度より更に高いことが分る。
対する感度より更に高いことが分る。
故に本センサはＣ２Ｈ５０Ｂガスが存在する雰囲気では
使用できないという問題点があった。
使用できないという問題点があった。
本発明は以上のような問題点を解消するためになされた
もので、Ｈ２に対するＣＯ選択性をより向上させるとと
もに、更にＣ２Ｈｓ ＯＨに対する十分なＣＯ選択性を
有する一酸化炭素ガスセンサを得ることを目的とする。
もので、Ｈ２に対するＣＯ選択性をより向上させるとと
もに、更にＣ２Ｈｓ ＯＨに対する十分なＣＯ選択性を
有する一酸化炭素ガスセンサを得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る第１の一酸化炭素ガスセンサはべＩＪ Ｉ
Ｊクロムカルシウム、ストロンチウム及びバリウムの中
から選ばれた少な呪とも１種のアルカリ土類金属の酸化
物が添加された主として酸化錫半導体よりなるガス感応
層、 クロムを有する触媒層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する。
Ｊクロムカルシウム、ストロンチウム及びバリウムの中
から選ばれた少な呪とも１種のアルカリ土類金属の酸化
物が添加された主として酸化錫半導体よりなるガス感応
層、 クロムを有する触媒層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する。
本発明に係る第２の一酸化炭素ガスセンサはべＩＪ Ｉ
Ｊクロムカルシウム、ストロンチウム及びバリウムの中
から選ばれた少なくとも１種のアルカリ土類金属の酸化
物が添加された主として酸化錫半導体よりなるガス感応
層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する。
Ｊクロムカルシウム、ストロンチウム及びバリウムの中
から選ばれた少なくとも１種のアルカリ土類金属の酸化
物が添加された主として酸化錫半導体よりなるガス感応
層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する。
［作用］
本発明の第１の一酸化炭素ガスセンサにおいては、クロ
ムを有する触媒層によって被検出ガス中のＨ２を除去さ
れ、更にｃ２ｏ５ｏＨの一部を除去され、又タングステ
ン等の金属酸化物を有する触媒層により被検出ガス中の
Ｃ２Ｈ５０Ｈを除去されたのちガス感応層に到達する。
ムを有する触媒層によって被検出ガス中のＨ２を除去さ
れ、更にｃ２ｏ５ｏＨの一部を除去され、又タングステ
ン等の金属酸化物を有する触媒層により被検出ガス中の
Ｃ２Ｈ５０Ｈを除去されたのちガス感応層に到達する。
それによって−酸化炭素ガスを選択的に検出する。
本発明の第２の一酸化炭素ガスセンサにおいては、タン
グステン等の金属酸化物を有する触媒層によって被検出
ガス中のＣ２）＋５０Ｈを除去されたのちガス感応層に
到達する。それによって酸化炭素ガスを選択的に検出す
る。
グステン等の金属酸化物を有する触媒層によって被検出
ガス中のＣ２）＋５０Ｈを除去されたのちガス感応層に
到達する。それによって酸化炭素ガスを選択的に検出す
る。
［実施例］
第１図（ａ）はこの発明の一実施例を示す一酸化炭素ガ
スセンサの斜視図である。
スセンサの斜視図である。
半導体部（１）はアルカリ土類金属等を担持しＳｎＯ２
を主成分するガス感応層として貴金属製のコイル（４）
の回りに球状に形成され、次にこの半導体部（１）の回
りにクロム酸化物触媒層（２）が以下のステップにより
形成される。
を主成分するガス感応層として貴金属製のコイル（４）
の回りに球状に形成され、次にこの半導体部（１）の回
りにクロム酸化物触媒層（２）が以下のステップにより
形成される。
（１）塩化錫水溶液（２０％ＶＯＷ）にクロムの例えば
硝酸塩を錫に対してクロムとして０．１〜２モル％とな
るように混合する。
硝酸塩を錫に対してクロムとして０．１〜２モル％とな
るように混合する。
（２）上記水溶液にアンモニア水を滴下し、水酸化物と
して錫、クロムを沈殿させる。
して錫、クロムを沈殿させる。
（３）上記沈殿物を水洗、乾燥後、電気炉で焼成する。
（４）焼成後の物質を数μｍ程度に粉砕し微粉末とする
。
。
（５）上記微粉末を水で練ってペースト状にし、これを
前記半導体部（１，）の表面全周に塗布する。
前記半導体部（１，）の表面全周に塗布する。
（６）上記センサを約６００℃に加熱し焼結させ、半導
体部（１）の外側にクロム酸化物触媒層（２）を形成す
る。
体部（１）の外側にクロム酸化物触媒層（２）を形成す
る。
更に上記クロム酸化物触媒層（２）の回りにタングステ
ン酸化物触媒層（３）が以下のステップにより形成され
る。
ン酸化物触媒層（３）が以下のステップにより形成され
る。
（１）アルミナ、シリカ、シリカアルミナ、ゼオライト
の粉末（数μ穎）の中から選ばれた少なくとも１つの粉
末に、タングステン、モリブデン、バナジウム等のアン
モニウム塩又は硝酸塩のうち少なくとも１つの塩を含浸
法により、上記粉末に対して０．１〜５モル％になるよ
うに添加する。
の粉末（数μ穎）の中から選ばれた少なくとも１つの粉
末に、タングステン、モリブデン、バナジウム等のアン
モニウム塩又は硝酸塩のうち少なくとも１つの塩を含浸
法により、上記粉末に対して０．１〜５モル％になるよ
うに添加する。
（２）上記混合物を乾燥後、電気炉で焼成する。
（３）焼成後の物質を数μｍ程度に粉砕し、微粉末とす
る。
る。
（４）上記微粉末を水で練ってペースト状にし、これを
前記クロム酸化物触媒層（２）の表面全周に塗布する。
前記クロム酸化物触媒層（２）の表面全周に塗布する。
（５）センサを約６００°Ｃに加熱し、焼結させ、クロ
ム酸化物触媒層（２）の回りにタングステン酸化物触媒
層（３）を形成する。
ム酸化物触媒層（２）の回りにタングステン酸化物触媒
層（３）を形成する。
以上のようにして形成した一酸化炭素ガスセンサ（５ａ
）の各種のガスに対する感度を第２図（ａ＞に示す。又
比較のためクロム酸化物触媒層（２）のみを設けた一酸
化炭素ガスセンサの各種のガスに対する感度を第２図（
ｂ）に示す。
）の各種のガスに対する感度を第２図（ａ＞に示す。又
比較のためクロム酸化物触媒層（２）のみを設けた一酸
化炭素ガスセンサの各種のガスに対する感度を第２図（
ｂ）に示す。
又第１図（ｂ）には本発明の第２の実施例を示すタング
ステン酸化物触媒層（３）のみを設けた一酸化炭素ガス
センサ（５ｂ）を示している。この−酸化炭素ガスセン
サ（５ｂ）の各種のガスに対する感度を第２図（ｃ）に
示す。以上の第２図（ａ）（ｂ）及び（ｃ）の縦軸、横
軸は前記第４図と全く同一である。
ステン酸化物触媒層（３）のみを設けた一酸化炭素ガス
センサ（５ｂ）を示している。この−酸化炭素ガスセン
サ（５ｂ）の各種のガスに対する感度を第２図（ｃ）に
示す。以上の第２図（ａ）（ｂ）及び（ｃ）の縦軸、横
軸は前記第４図と全く同一である。
前記第４図と第２図（ｂ）を比較すればわかるようにＨ
２に対する感度はＣ２Ｈ４などの他のガスと同等又はそ
れ以下に低下している。これはＨ２がクロム酸化物触媒
層により酸化除去されているためである。従って、クロ
ム酸化物触媒層は少なくともＨ２に対するＣＯ選択比を
十分に向上させることができることがわかる。又、図中
Ｃ２Ｈ５０Ｈに注目するとかなりのＣ２Ｈ５０Ｈに対す
る感度の低下が第２図（ｂ）では見られるものの、Ｈ２
等と比較すると、Ｃ２Ｈ５０１（に対するＣＯ選択比は
十分とは言えないことが分る。
２に対する感度はＣ２Ｈ４などの他のガスと同等又はそ
れ以下に低下している。これはＨ２がクロム酸化物触媒
層により酸化除去されているためである。従って、クロ
ム酸化物触媒層は少なくともＨ２に対するＣＯ選択比を
十分に向上させることができることがわかる。又、図中
Ｃ２Ｈ５０Ｈに注目するとかなりのＣ２Ｈ５０Ｈに対す
る感度の低下が第２図（ｂ）では見られるものの、Ｈ２
等と比較すると、Ｃ２Ｈ５０１（に対するＣＯ選択比は
十分とは言えないことが分る。
すなわちＣ２）＋５０）１は本クロム触媒層により一部
除去されている。
除去されている。
次に第４図と第２図（ｃ）を比較して分ることは、本発
明の第２の実施例の一酸化炭素ガスセンサ（５ｂ）のＣ
２Ｈ５０Ｈに対する感度は温度の高い領域では、Ｃ２）
＋４に対するのと同等程度にまで低下している。
明の第２の実施例の一酸化炭素ガスセンサ（５ｂ）のＣ
２Ｈ５０Ｈに対する感度は温度の高い領域では、Ｃ２）
＋４に対するのと同等程度にまで低下している。
これはＣ２Ｈ５０）１がタングステン酸化物触媒層との
後述する反応により除去されているためである。従って
、本発明の第２の実施例の一酸化炭素ガスセンサ（５ｂ
）によれば少なくともＣ２Ｈ５０Ｈに対するＣＯ選択比
を十分に向上させることができる。尚図中Ｈ２に注目す
るとこれは全〈従来の例（第４図）からの向上はみられ
ない。すなわちＨ２は本タングステン酸化物触媒層によ
っては除去されていない。
後述する反応により除去されているためである。従って
、本発明の第２の実施例の一酸化炭素ガスセンサ（５ｂ
）によれば少なくともＣ２Ｈ５０Ｈに対するＣＯ選択比
を十分に向上させることができる。尚図中Ｈ２に注目す
るとこれは全〈従来の例（第４図）からの向上はみられ
ない。すなわちＨ２は本タングステン酸化物触媒層によ
っては除去されていない。
尚タングステン酸化物層によるＣ２Ｈ５０Ｈガスの分解
反応はいわゆる酸性金属酸化物によるアルコールの分子
内脱水反応と呼ばれるものでその化学反応式は以下のよ
うである。
反応はいわゆる酸性金属酸化物によるアルコールの分子
内脱水反応と呼ばれるものでその化学反応式は以下のよ
うである。
Ｃ２Ｈ５０Ｈ−−−−→Ｃ２Ｈ４＋ Ｈ２Ｏ・・・（１
）又以上の反応は比較的高温（３００°Ｃ程度以上）で
起こるものである。この時Ｃ２Ｈ４（オレフィン系ガス
）が生成されるが、このガスに対する各−酸化炭素ガス
センサ（５ａ）及び（５ｂ）は第２図（ａ）及び（ｃ）
より分かるように非常に低い感度を示している。従って
上記の（１）式の如くの反応によってアルコールを分解
するタングステン酸化物層等の酸性金属酸化物層の使用
が有効であることが分る。
）又以上の反応は比較的高温（３００°Ｃ程度以上）で
起こるものである。この時Ｃ２Ｈ４（オレフィン系ガス
）が生成されるが、このガスに対する各−酸化炭素ガス
センサ（５ａ）及び（５ｂ）は第２図（ａ）及び（ｃ）
より分かるように非常に低い感度を示している。従って
上記の（１）式の如くの反応によってアルコールを分解
するタングステン酸化物層等の酸性金属酸化物層の使用
が有効であることが分る。
更に第４図及び第２図（ｂ）、 （ｃ）と第２図（ａ）
を比較すると、−酸化炭素ガスセンサ（５ａ）ではそれ
ぞれの触媒層があるのでＨ２及びｃ２Ｈ５ｏＨの両ガス
に対するＣ０選択性が十分向上している。
を比較すると、−酸化炭素ガスセンサ（５ａ）ではそれ
ぞれの触媒層があるのでＨ２及びｃ２Ｈ５ｏＨの両ガス
に対するＣ０選択性が十分向上している。
従って、本発明の第２の実施例の一酸化炭素ガスセンサ
（５ｂ）はＨ２が存在せず、Ｃ２Ｈ５０Ｈが存在する雰
囲気において使用温度を適切に選択することにより一酸
化炭素ガスセンサとして十分Ｃ０選択性を満足するもの
となる。又本発明の第１の実施例の一酸化炭素ガスセン
サ（５ａ）はＨ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ等が存在する雰囲気中
であっても十分Ｃ０選択性を満足するものとなる。
（５ｂ）はＨ２が存在せず、Ｃ２Ｈ５０Ｈが存在する雰
囲気において使用温度を適切に選択することにより一酸
化炭素ガスセンサとして十分Ｃ０選択性を満足するもの
となる。又本発明の第１の実施例の一酸化炭素ガスセン
サ（５ａ）はＨ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ等が存在する雰囲気中
であっても十分Ｃ０選択性を満足するものとなる。
更にＣＯ，Ｈ２，Ｃ２Ｈ５０Ｈの各ガスの濃度変化に対
する一酸化炭素ガスセンサ感度の変化、すなわち−酸化
炭素ガスセンサ感度のガス濃度依存性を示す１つの例を
第３図に示す。ここでは−酸化炭素ガスセンサ（５ａ）
を温度約３４０℃の条件で使用している。
する一酸化炭素ガスセンサ感度の変化、すなわち−酸化
炭素ガスセンサ感度のガス濃度依存性を示す１つの例を
第３図に示す。ここでは−酸化炭素ガスセンサ（５ａ）
を温度約３４０℃の条件で使用している。
すなわち第２図（ａ）の点”Ａ”において各ガスの濃度
を変化させたものである。第３図により分かるように一
般に使用されるガス濃度範囲、例えばＨ２やＣ２Ｈ５０
Ｈが２００ｐｐｍ程度の雰囲気において、目標最小検出
量である５０ｐｐ■程度のＣＯが十分計測され得ること
が分かる。このように各ガスの濃度が変化しても同様の
ＣＯ選択性が得られることは本発明の第２の実施例の一
酸化炭素ガスセンサ（５ｂ）でも確かめられている。
を変化させたものである。第３図により分かるように一
般に使用されるガス濃度範囲、例えばＨ２やＣ２Ｈ５０
Ｈが２００ｐｐｍ程度の雰囲気において、目標最小検出
量である５０ｐｐ■程度のＣＯが十分計測され得ること
が分かる。このように各ガスの濃度が変化しても同様の
ＣＯ選択性が得られることは本発明の第２の実施例の一
酸化炭素ガスセンサ（５ｂ）でも確かめられている。
尚以上の一酸化炭素ガスセンサ（５ａ）のクロム酸化物
触媒層（２）はクロムを（５ｎ０２に対して）１モル％
混合した層を厚さ１００μｍ塗布したものである。
触媒層（２）はクロムを（５ｎ０２に対して）１モル％
混合した層を厚さ１００μｍ塗布したものである。
以上の例のクロム酸化物触媒層のクロム添加量（１モル
％）は、以下の第１表に示すクロム添加量に対するＣＯ
とｎ２の感度比（Ｃｏ／Ｈ２感度比）−（ＣＯ（１００
ＰＰＭ）の正味のセンサ出力電圧］ ／ （Ｈ２（１０
００ｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧）の関係より求め
た。
％）は、以下の第１表に示すクロム添加量に対するＣＯ
とｎ２の感度比（Ｃｏ／Ｈ２感度比）−（ＣＯ（１００
ＰＰＭ）の正味のセンサ出力電圧］ ／ （Ｈ２（１０
００ｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧）の関係より求め
た。
（ＥＫ千甜ｂ）
第１表
この第１表から最良の感度比を与えるのはＣｒ添加量が
約１％の場合であることが分る。又以上のように得られ
た最適のクロム添加１！（１モル％）の時、このクロム
酸化物触媒層の厚さを変化させて得られるＣｏ／Ｈ２感
度比の変化を以下の第２表に示した。
約１％の場合であることが分る。又以上のように得られ
た最適のクロム添加１！（１モル％）の時、このクロム
酸化物触媒層の厚さを変化させて得られるＣｏ／Ｈ２感
度比の変化を以下の第２表に示した。
第２表
この第２表から最良の感度比を得るためにはクロム酸化
物触媒層の厚さが約１００μｍ〜２００μｍ程度が良い
ことが分かる。又Ｃｒ添加量を上記１モル％より増加し
た場合はクロム酸化物触媒層を上記１００μ■より薄く
設定すればほぼ同等の感度比が得られた。又逆にＣｒ添
加量を上記１モル％より減少した場合はクロム酸化物触
媒層を上記１００μｍより厚く設定すれば良い。
物触媒層の厚さが約１００μｍ〜２００μｍ程度が良い
ことが分かる。又Ｃｒ添加量を上記１モル％より増加し
た場合はクロム酸化物触媒層を上記１００μ■より薄く
設定すればほぼ同等の感度比が得られた。又逆にＣｒ添
加量を上記１モル％より減少した場合はクロム酸化物触
媒層を上記１００μｍより厚く設定すれば良い。
又以上の例のタングステン酸化物触媒層のタングステン
９添加量（２モル％）は、以下の第３表に示すタングス
テン添加量に対するＣＯとＣ２）＋５０Ｈの感度比（以
後Ｃｏ／Ｅｔ−ＯＨ感度比という） ＝ ｆｃＯ（１０
０ｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧１ ／ （Ｈ２（ｉ
ｏｏｏｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧））の関係より
求めた。
９添加量（２モル％）は、以下の第３表に示すタングス
テン添加量に対するＣＯとＣ２）＋５０Ｈの感度比（以
後Ｃｏ／Ｅｔ−ＯＨ感度比という） ＝ ｆｃＯ（１０
０ｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧１ ／ （Ｈ２（ｉ
ｏｏｏｐｐｍ）の正味のセンサ出力電圧））の関係より
求めた。
（ｆ入庫 ｑドらつ
第３表
この第３表から最良の感度比を与えるのはタングステン
添加量が約２モル％の場合であることが分る。
添加量が約２モル％の場合であることが分る。
又以上のように得られた最適のタングステン添加量（２
モル％）の時、このタングステン酸化物触媒層の厚さを
変化させて得られるＣＯ／Ｅｔ−ＯＨ感度比の変化を以
下の第４表に示した。
モル％）の時、このタングステン酸化物触媒層の厚さを
変化させて得られるＣＯ／Ｅｔ−ＯＨ感度比の変化を以
下の第４表に示した。
（珠Ｔ−咎呻
第４表
添加量とＣｏ／Ｅｔ−ＯＨ感度比の関係を以下の第６表
に示す。
に示す。
第５表
この第４表から最良の感度比を得るためにはタングステ
ン酸化物触媒層の厚さが約１００〜３００μｍ程度が良
いことが分かる。但し、このタングステン酸化物触媒層
やクロム酸化物触媒層はいづれにしても４００μｍ程度
以上の厚さになると機械的強度が低下してしまうので余
裕をみて１００〜２００μｍ程度とすることが最適と考
えられる。又タングステンの添加量と層の厚さの感度比
に対する関係もクロムの場合と同様であった。
ン酸化物触媒層の厚さが約１００〜３００μｍ程度が良
いことが分かる。但し、このタングステン酸化物触媒層
やクロム酸化物触媒層はいづれにしても４００μｍ程度
以上の厚さになると機械的強度が低下してしまうので余
裕をみて１００〜２００μｍ程度とすることが最適と考
えられる。又タングステンの添加量と層の厚さの感度比
に対する関係もクロムの場合と同様であった。
又タングステン以外の酸性金属酸化物触媒層を形成する
添加物であるモリブデン、バナジウムについてもほぼタ
ングステンと同様のＣｏ／Ｅｌ−０１１感度比が得られ
た。次にモリブデンの添加量とＣｏ／ＥｔＯＨ感度比の
関係を以下の第５表に、バナジウムの第６表 この第５表及び第６表から最良の感度比を与えるのはモ
リブデン添加量やバナジウム添加量が約２モル％の場合
であることが分る。
添加物であるモリブデン、バナジウムについてもほぼタ
ングステンと同様のＣｏ／Ｅｌ−０１１感度比が得られ
た。次にモリブデンの添加量とＣｏ／ＥｔＯＨ感度比の
関係を以下の第５表に、バナジウムの第６表 この第５表及び第６表から最良の感度比を与えるのはモ
リブデン添加量やバナジウム添加量が約２モル％の場合
であることが分る。
又以上に説明した一酸化炭素ガスセンサ（５ａ）ではク
ロム酸化物触媒層（２）の回りにタングステン酸化物触
媒層（３）を設けた例について説明したが、このクロム
酸化物触媒層（２）とタングステン酸化物触媒層（３）
の位置を入れ換えた場合も上記実施例と同様の効果が得
られる。
ロム酸化物触媒層（２）の回りにタングステン酸化物触
媒層（３）を設けた例について説明したが、このクロム
酸化物触媒層（２）とタングステン酸化物触媒層（３）
の位置を入れ換えた場合も上記実施例と同様の効果が得
られる。
又以上の第２図（ａ）及び（ｃ）から分るように本発明
の一酸化炭素ガスセンサ（５ａ）及び（５ｂ）はいづれ
も比較的高温（３００〜４００°Ｃ程度）で−酸化炭素
ガスセンサを使用した場合に上述のような性能を示す。
の一酸化炭素ガスセンサ（５ａ）及び（５ｂ）はいづれ
も比較的高温（３００〜４００°Ｃ程度）で−酸化炭素
ガスセンサを使用した場合に上述のような性能を示す。
従って一般的に用いられている１００℃程度で使用され
るように作られた一酸化炭素ガスセンサでは不可欠であ
った高温パージ等が不必要になっている。従って装置の
構成は簡単になり、安価で小型のものが得られる。
るように作られた一酸化炭素ガスセンサでは不可欠であ
った高温パージ等が不必要になっている。従って装置の
構成は簡単になり、安価で小型のものが得られる。
以上説明した一酸化炭素ガスセンサは貴金属製のコイル
（４）の両端の抵抗の変化をガスセンサの出力として測
定する熱線型半導体式ガスセンサである。この貴金属製
のコイル（４）は一定の電流を流すことによって、ガス
センサの温度を一定に保つヒータの役割を果している。
（４）の両端の抵抗の変化をガスセンサの出力として測
定する熱線型半導体式ガスセンサである。この貴金属製
のコイル（４）は一定の電流を流すことによって、ガス
センサの温度を一定に保つヒータの役割を果している。
第５図は従来使用されている基板型半導体式ガスセンサ
に本発明を適用したもので、アルミナ基板（７）上にプ
ラナ−構造で各層を形成し、加熱用ヒータ（６）と検知
出力用電極（４ａ） （４ｂ）を各々独立して設けた、
−酸化炭素ガスセンサ（５ｃ）の−例である。
に本発明を適用したもので、アルミナ基板（７）上にプ
ラナ−構造で各層を形成し、加熱用ヒータ（６）と検知
出力用電極（４ａ） （４ｂ）を各々独立して設けた、
−酸化炭素ガスセンサ（５ｃ）の−例である。
以上の実施例ではアルコールの脱水反応を起こさせる酸
化物触媒層を形成する金属としてタングステン、モリブ
デン、バナジウム等について具体例を挙げて説明したが
、他の金属例えばトリウム、ランタン、イツトリウム、
ジルコニウム等によって酸化物触媒層を形成しても上記
実施例に近い効果が得られた。すなわちこれらの酸化物
触媒層を用いた場合は上記実施例と同等の感度比を得る
ことはできないが感度比をかなり同上させることが認め
られた。
化物触媒層を形成する金属としてタングステン、モリブ
デン、バナジウム等について具体例を挙げて説明したが
、他の金属例えばトリウム、ランタン、イツトリウム、
ジルコニウム等によって酸化物触媒層を形成しても上記
実施例に近い効果が得られた。すなわちこれらの酸化物
触媒層を用いた場合は上記実施例と同等の感度比を得る
ことはできないが感度比をかなり同上させることが認め
られた。
［発明の効果］
又本発明の第１の一酸化炭素ガスセンサによれば、クロ
ムを有する触媒層により検出ガス中のＨ２も除去し、更
にＣ２）＋５０１１の一部を除去し、又タングステン等
の金属酸化物を有する触媒層により同検出ガス中のＣ２
Ｈ５０Ｈを除去する。従って一酸化炭素のＨ２及びＣ２
）＋５０Ｈに対する優れた選択性をセンサを高温度（３
００〜４００℃程度）で動作させて得られる。
ムを有する触媒層により検出ガス中のＨ２も除去し、更
にＣ２）＋５０１１の一部を除去し、又タングステン等
の金属酸化物を有する触媒層により同検出ガス中のＣ２
Ｈ５０Ｈを除去する。従って一酸化炭素のＨ２及びＣ２
）＋５０Ｈに対する優れた選択性をセンサを高温度（３
００〜４００℃程度）で動作させて得られる。
又本発明の第２の一酸化炭素ガスセンサによれば、タン
グステン等の金属酸化物を有する触媒層により検出ガス
中のＣ２Ｈ５０Ｂを除去するので、−酸化炭素のＣ２Ｈ
５０Ｈに対する優れた選択性をセンサを高温度（３００
〜４００℃程度）で動作させて得られる。
グステン等の金属酸化物を有する触媒層により検出ガス
中のＣ２Ｈ５０Ｂを除去するので、−酸化炭素のＣ２Ｈ
５０Ｈに対する優れた選択性をセンサを高温度（３００
〜４００℃程度）で動作させて得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第１及び第
２の一酸化炭素ガスセンサの一部断面斜視図、第２図（
ａ）及び（Ｃ）は、それぞれ本発明の第１及び第２の一
酸化炭素ガスセンサの各種ガスに対する感度を示すグラ
フ、第２図（ｂ）は比較のためクロム酸化物触媒層のみ
を設けた一酸化炭素ガスセンサの各種のガスに対する感
度を示すグラフ、第３図は一酸化炭素ガスセンサ（５ａ
）のセンサ感度のガス濃度依存性を示すグラフ、第４図
は従来の一酸化炭素ガスセンサの各種ガスに対する感度
を示すグラフ、第５図は本発明の基板形の一酸化炭素ガ
スセンサの一部断面斜視図である。 図中、１は半導体部、２はクロム酸化物触媒層、３はタ
ングステン酸化物触媒層、５ａｓ ５ｂ、 ５ｃは一酸
化炭素ガスセンサである。 代理人 弁理士 東 島 隆 治 第１ｒｌＡ（Ｑ） 第１図（ｂ） １ ： ２ト 導イ本部 ２−クロム酸化物触女藁眉 ３：タングステシ戸メン、イ乙物角虫媒眉５ｏニー西斐
イこ泉素力パスｔンサ ５ｂニー西麦イＬ崖素力゛スセンサ 第 図（ａ） ｔンサ温慶（°Ｃ） 第 図（Ｃ） セン寸二五度（°Ｃ） 第 図（ｂ） ヤ ンサｚＪＸＩ−度 （°Ｃ） 第 図 力゛ス凛度（ｐｐｍ）
２の一酸化炭素ガスセンサの一部断面斜視図、第２図（
ａ）及び（Ｃ）は、それぞれ本発明の第１及び第２の一
酸化炭素ガスセンサの各種ガスに対する感度を示すグラ
フ、第２図（ｂ）は比較のためクロム酸化物触媒層のみ
を設けた一酸化炭素ガスセンサの各種のガスに対する感
度を示すグラフ、第３図は一酸化炭素ガスセンサ（５ａ
）のセンサ感度のガス濃度依存性を示すグラフ、第４図
は従来の一酸化炭素ガスセンサの各種ガスに対する感度
を示すグラフ、第５図は本発明の基板形の一酸化炭素ガ
スセンサの一部断面斜視図である。 図中、１は半導体部、２はクロム酸化物触媒層、３はタ
ングステン酸化物触媒層、５ａｓ ５ｂ、 ５ｃは一酸
化炭素ガスセンサである。 代理人 弁理士 東 島 隆 治 第１ｒｌＡ（Ｑ） 第１図（ｂ） １ ： ２ト 導イ本部 ２−クロム酸化物触女藁眉 ３：タングステシ戸メン、イ乙物角虫媒眉５ｏニー西斐
イこ泉素力パスｔンサ ５ｂニー西麦イＬ崖素力゛スセンサ 第 図（ａ） ｔンサ温慶（°Ｃ） 第 図（Ｃ） セン寸二五度（°Ｃ） 第 図（ｂ） ヤ ンサｚＪＸＩ−度 （°Ｃ） 第 図 力゛ス凛度（ｐｐｍ）
Claims (2)
- （１）ベリリウム、カルシウム、ストロンチウム及びバ
リウムの中から選ばれた少なくとも１種のアルカリ土類
金属の酸化物が添加された主として酸化錫半導体よりな
るガス感応層、 クロムを有する触媒層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する一酸化炭素ガスセンサ。 - （２）ベリリウム、カルシウム、ストロンチウム及びバ
リウムの中から選ばれた少なくとも１種のアルカリ土類
金属の酸化物が添加された主として酸化錫半導体よりな
るガス感応層、及び タングステン、モリブデン、バナジウムの中から選ばれ
た少なくとも１種の金属酸化物を有する触媒層、 を具備する一酸化炭素ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179766A JP2595123B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 一酸化炭素ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2179766A JP2595123B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 一酸化炭素ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466858A true JPH0466858A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2595123B2 JP2595123B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=16071515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2179766A Expired - Lifetime JP2595123B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 一酸化炭素ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595123B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11142356A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Fis Kk | 半導体ガスセンサ |
| RU2557435C1 (ru) * | 2014-04-02 | 2015-07-20 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Полупроводниковый газовый сенсор |
| USRE46387E1 (en) | 1998-09-11 | 2017-05-02 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for extended management of state and interaction of a remote knowledge worker from a contact center |
| USRE46438E1 (en) | 1999-09-24 | 2017-06-13 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for data-linking a mobile knowledge worker to home communication-center infrastructure |
| US9854006B2 (en) | 2005-12-22 | 2017-12-26 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | System and methods for improving interaction routing performance |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50132995A (ja) * | 1974-04-01 | 1975-10-21 | ||
| JPS6275244A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Toyota Motor Corp | 半導体式ガスセンサ |
| JPS62251648A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-02 | Tdk Corp | 一酸化炭素検出素子 |
| JPS6345552A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Shinkosumosu Denki Kk | 一酸化炭素ガスセンサ |
| JPS6383652A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | ガスセンサ |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP2179766A patent/JP2595123B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| USRE46521E1 (en) | 1997-09-30 | 2017-08-22 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for extended management of state and interaction of a remote knowledge worker from a contact center |
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| US10218848B2 (en) | 1998-09-11 | 2019-02-26 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for extended management of state and interaction of a remote knowledge worker from a contact center |
| USRE46438E1 (en) | 1999-09-24 | 2017-06-13 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for data-linking a mobile knowledge worker to home communication-center infrastructure |
| USRE46457E1 (en) | 1999-09-24 | 2017-06-27 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for data-linking a mobile knowledge worker to home communication-center infrastructure |
| USRE46538E1 (en) | 2002-10-10 | 2017-09-05 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | Method and apparatus for extended management of state and interaction of a remote knowledge worker from a contact center |
| US9854006B2 (en) | 2005-12-22 | 2017-12-26 | Genesys Telecommunications Laboratories, Inc. | System and methods for improving interaction routing performance |
| RU2557435C1 (ru) * | 2014-04-02 | 2015-07-20 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Полупроводниковый газовый сенсор |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2595123B2 (ja) | 1997-03-26 |
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