JPH11142638A - カラーフィルターの製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法Info
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- JPH11142638A JPH11142638A JP31074997A JP31074997A JPH11142638A JP H11142638 A JPH11142638 A JP H11142638A JP 31074997 A JP31074997 A JP 31074997A JP 31074997 A JP31074997 A JP 31074997A JP H11142638 A JPH11142638 A JP H11142638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低い抵抗の透明導電層を持ち、かつ透明導電膜
成膜後や液晶配向膜キュア時の加熱時に透明導電膜にク
ラックが入ったり、着色層や保護膜層に細かいしわが生
じるなどの問題が発生しないカラーフィルターの製造方
法を提供する。 【解決手段】（１）透明電極膜の成膜温度が６０〜１８
０℃であり、かつ成膜後に１８０〜２８０℃の温度でア
ニール処理を行うことを特徴とするカラーフィルターの
製造方法。（２）前記アニール処理が減圧雰囲気で行わ
れる第１段階と大気圧雰囲気で行われる第２段階の２つ
のステップで実施することを特徴とする前項記載のカラ
ーフィルターの製造方法。
成膜後や液晶配向膜キュア時の加熱時に透明導電膜にク
ラックが入ったり、着色層や保護膜層に細かいしわが生
じるなどの問題が発生しないカラーフィルターの製造方
法を提供する。 【解決手段】（１）透明電極膜の成膜温度が６０〜１８
０℃であり、かつ成膜後に１８０〜２８０℃の温度でア
ニール処理を行うことを特徴とするカラーフィルターの
製造方法。（２）前記アニール処理が減圧雰囲気で行わ
れる第１段階と大気圧雰囲気で行われる第２段階の２つ
のステップで実施することを特徴とする前項記載のカラ
ーフィルターの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、カラー液晶表示
装置に用いられるカラーフィルターの製造方法に関す
る。
装置に用いられるカラーフィルターの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】カラーフィルターの製造工程は、一般に
ガラス、高分子フィルム等の透明基板上に金属クロム、
酸化クロム、黒色顔料を分散した樹脂等からなる遮光層
および赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各着色層を所定
のパターン形状で形成した後、必要によってこの上に保
護膜層を形成し、透明導電膜層を形成する工程からな
る。この透明導電膜層には高い光線透過率と低い抵抗値
が必要とされており、これらの点から好適な材料とし
て、酸化錫を添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）が広く
使用されている。透明導電膜膜の形成方法としてはスパ
ッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方
法が知られているが、いずれも減圧雰囲気下で基板を加
熱することが必要である。着色層は、顔料を分散した樹
脂からなることが多く、加熱温度が高すぎると着色層が
色落ちするなどの問題が生じる。このため最近では、比
較的低温で高い光線透過率と低い抵抗値が得られるスパ
ッタ法によることが多い。
ガラス、高分子フィルム等の透明基板上に金属クロム、
酸化クロム、黒色顔料を分散した樹脂等からなる遮光層
および赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各着色層を所定
のパターン形状で形成した後、必要によってこの上に保
護膜層を形成し、透明導電膜層を形成する工程からな
る。この透明導電膜層には高い光線透過率と低い抵抗値
が必要とされており、これらの点から好適な材料とし
て、酸化錫を添加した酸化インジウム（ＩＴＯ）が広く
使用されている。透明導電膜膜の形成方法としてはスパ
ッタ法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの方
法が知られているが、いずれも減圧雰囲気下で基板を加
熱することが必要である。着色層は、顔料を分散した樹
脂からなることが多く、加熱温度が高すぎると着色層が
色落ちするなどの問題が生じる。このため最近では、比
較的低温で高い光線透過率と低い抵抗値が得られるスパ
ッタ法によることが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリングで形成
されるＩＴＯ膜の特性は、成膜条件により大きく異な
り、一般に成膜温度が高いほど低抵抗の膜が得られる。
たとえば特開平５−１０６０３５号公報の第４頁第００
２３欄に記載のように、成膜温度２００℃で比抵抗２×
１０-4Ω・ｃｍのＩＴＯ膜が得られるという記載があ
る。しかしこのような温度でＩＴＯ膜を成膜した場合、
膜中に大きな圧縮応力が残留する。このためカラーフィ
ルター基板に反りが生じたり、ＩＴＯ膜成膜後や液晶配
向膜キュア時の加熱時にＩＴＯ膜にクラックが入った
り、着色層や保護膜層に細かいしわが生じるなどの問題
が発生しやすい。このようなカラーフィルターを使用し
て液晶表示装置を作成するとセルギャップが不均一にな
ったり、液晶の配向が乱れて表示ムラが発生することが
ある。
されるＩＴＯ膜の特性は、成膜条件により大きく異な
り、一般に成膜温度が高いほど低抵抗の膜が得られる。
たとえば特開平５−１０６０３５号公報の第４頁第００
２３欄に記載のように、成膜温度２００℃で比抵抗２×
１０-4Ω・ｃｍのＩＴＯ膜が得られるという記載があ
る。しかしこのような温度でＩＴＯ膜を成膜した場合、
膜中に大きな圧縮応力が残留する。このためカラーフィ
ルター基板に反りが生じたり、ＩＴＯ膜成膜後や液晶配
向膜キュア時の加熱時にＩＴＯ膜にクラックが入った
り、着色層や保護膜層に細かいしわが生じるなどの問題
が発生しやすい。このようなカラーフィルターを使用し
て液晶表示装置を作成するとセルギャップが不均一にな
ったり、液晶の配向が乱れて表示ムラが発生することが
ある。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の欠点を改良
し、ＩＴＯにクラックが生じにくいカラーフィルターの
製造方法を提供することをその課題とする。
し、ＩＴＯにクラックが生じにくいカラーフィルターの
製造方法を提供することをその課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のカラーフィルターの製造方法は下記の構成
からなる。
め、本発明のカラーフィルターの製造方法は下記の構成
からなる。
【０００６】すなわち、（１）透明基板上に少なくとも
遮光層、有機着色層、透明電極膜を有するカラーフィル
ターの製造法において、前記透明電極膜の成膜温度が６
０〜１８０℃であり、かつ成膜後に２００〜２８０℃の
温度でアニール処理を行うことを特徴とするカラーフィ
ルターの製造方法。（２）前記アニール処理が減圧雰囲
気で行われる第１段階と大気圧雰囲気で行われる第２段
階の２つのステップで行われることを特徴とする前項記
載のカラーフィルターの製造方法。
遮光層、有機着色層、透明電極膜を有するカラーフィル
ターの製造法において、前記透明電極膜の成膜温度が６
０〜１８０℃であり、かつ成膜後に２００〜２８０℃の
温度でアニール処理を行うことを特徴とするカラーフィ
ルターの製造方法。（２）前記アニール処理が減圧雰囲
気で行われる第１段階と大気圧雰囲気で行われる第２段
階の２つのステップで行われることを特徴とする前項記
載のカラーフィルターの製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる基板は、透明
なものであれば特に限定されないが、ソーダガラス、無
アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどが
多く用いられる。ポリエステル、ポリエーテルスルフォ
ンなどの透明な樹脂を用いることもできる。
なものであれば特に限定されないが、ソーダガラス、無
アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどが
多く用いられる。ポリエステル、ポリエーテルスルフォ
ンなどの透明な樹脂を用いることもできる。
【０００８】遮光層としてはクロムやクロムと酸化クロ
ムや窒化クロムの多層膜などからなる無機系やアクリル
樹脂、ポリイミド樹脂などに黒色顔料を分散した有機系
の材料が用いられる。無機系、有機系とも本発明におい
て好適に用いられるが、成膜に複雑な真空装置を要する
無機系に比べて製造コストの面で有利な有機系を用いる
のが望ましい。遮光層の厚みは無機系で０．１〜０．３
μｍ、有機系で０．５〜２μｍのものが多く用いられ
る。遮光層は通常フォトリソグラフィ法により所定のパ
ターンを形成する。
ムや窒化クロムの多層膜などからなる無機系やアクリル
樹脂、ポリイミド樹脂などに黒色顔料を分散した有機系
の材料が用いられる。無機系、有機系とも本発明におい
て好適に用いられるが、成膜に複雑な真空装置を要する
無機系に比べて製造コストの面で有利な有機系を用いる
のが望ましい。遮光層の厚みは無機系で０．１〜０．３
μｍ、有機系で０．５〜２μｍのものが多く用いられ
る。遮光層は通常フォトリソグラフィ法により所定のパ
ターンを形成する。
【０００９】有機着色層は顔料を樹脂に分散したものが
用いられる。樹脂としては１８０℃以上のアニール処理
でも軟化、分解、着色を生じない材料が用いることがで
き、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリル
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、メラミン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂お
よびこれらの混合物が好ましく用いられる。これらの中
でも耐熱性に優れている点でポリイミド樹脂が好まし
い。耐熱性が良好であれば、より高温でアニール処理を
行うことができ、アニール後の透明導電膜膜は低抵抗と
なる。有機着色層も遮光層と同様に通常フォトリソグラ
フィ法により所定のパターンを形成する。
用いられる。樹脂としては１８０℃以上のアニール処理
でも軟化、分解、着色を生じない材料が用いることがで
き、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、アクリル
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、メラミン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂お
よびこれらの混合物が好ましく用いられる。これらの中
でも耐熱性に優れている点でポリイミド樹脂が好まし
い。耐熱性が良好であれば、より高温でアニール処理を
行うことができ、アニール後の透明導電膜膜は低抵抗と
なる。有機着色層も遮光層と同様に通常フォトリソグラ
フィ法により所定のパターンを形成する。
【００１０】本発明では必要により保護膜層を形成する
ことができる。保護膜層としてはポリイミド樹脂、オル
ガノシランを縮重合して得られるシリコーン樹脂、オル
ガノシランとイミド基を有する化合物とを縮重合して得
られるイミド変性シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが
用いられる。
ことができる。保護膜層としてはポリイミド樹脂、オル
ガノシランを縮重合して得られるシリコーン樹脂、オル
ガノシランとイミド基を有する化合物とを縮重合して得
られるイミド変性シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが
用いられる。
【００１１】本発明で使用される透明導電層としては酸
化スズ、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化亜
鉛、酸化カドミウム、酸化錫を添加した酸化インジウム
（ＩＴＯ）などがあるが、中でもＩＴＯが高透明性およ
び低抵抗性の点で好ましい。ＩＴＯにおける酸化スズの
添加量は重量で５〜１５％の範囲が抵抗値を小さくする
ために好ましく、８〜１２％がさらに好ましい。透明導
電層の厚みは、必要とされる表面抵抗値によって変わる
が、０．０１〜０．５μｍの範囲が好ましく、０．０５
〜０．３μｍの範囲がさらに好ましい。膜厚が薄すぎる
と均一な膜にならず抵抗値が不安定になる。また、膜厚
が厚すぎると膜の透明性が悪くなる。
化スズ、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化亜
鉛、酸化カドミウム、酸化錫を添加した酸化インジウム
（ＩＴＯ）などがあるが、中でもＩＴＯが高透明性およ
び低抵抗性の点で好ましい。ＩＴＯにおける酸化スズの
添加量は重量で５〜１５％の範囲が抵抗値を小さくする
ために好ましく、８〜１２％がさらに好ましい。透明導
電層の厚みは、必要とされる表面抵抗値によって変わる
が、０．０１〜０．５μｍの範囲が好ましく、０．０５
〜０．３μｍの範囲がさらに好ましい。膜厚が薄すぎる
と均一な膜にならず抵抗値が不安定になる。また、膜厚
が厚すぎると膜の透明性が悪くなる。
【００１２】透明導電膜の成膜はカラーフィルターにダ
メージを与えないような２５０℃以下の温度で成膜して
も抵抗値が低く、透明性の高い膜が得られる点で、スパ
ッタリング法によることが好ましい。その中でも高い成
膜レートが得られるＤＣマグネトロンスパッタがさらに
好ましいが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。成膜装置の形式としては、バッチ式、インライン
式、枚葉式等の形式のものが使用できるが、生産性に優
れている点でインライン式が好ましい。インライン式の
場合成膜ゾーンの後に熱処理室を設けることで生産性を
損なうことなくアニールを行うことができる。スパッタ
リングターゲットとしてはＩＴＯ焼結体ターゲットやイ
ンジウム−スズ合金ターゲットを用いることができる
が、膜特性が安定しており制御がし易いＩＴＯ焼結体タ
ーゲットを用いることが好ましい。
メージを与えないような２５０℃以下の温度で成膜して
も抵抗値が低く、透明性の高い膜が得られる点で、スパ
ッタリング法によることが好ましい。その中でも高い成
膜レートが得られるＤＣマグネトロンスパッタがさらに
好ましいが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。成膜装置の形式としては、バッチ式、インライン
式、枚葉式等の形式のものが使用できるが、生産性に優
れている点でインライン式が好ましい。インライン式の
場合成膜ゾーンの後に熱処理室を設けることで生産性を
損なうことなくアニールを行うことができる。スパッタ
リングターゲットとしてはＩＴＯ焼結体ターゲットやイ
ンジウム−スズ合金ターゲットを用いることができる
が、膜特性が安定しており制御がし易いＩＴＯ焼結体タ
ーゲットを用いることが好ましい。
【００１３】成膜温度は６０〜１８０℃の範囲がＩＴＯ
膜はアモルファス状態となり、残留応力を小さくできる
点で望ましく、更に好ましくは８０〜１６０℃である。
１８０℃以上で成膜すると、成膜時にＩＴＯが結晶化
し、残留応力の大きな膜となる。また、成膜時のエネル
ギーにより基板は温度上昇するため、成膜温度を６０℃
以下に保つためには特別な冷却装置を必要とする。この
ため６０℃以下の成膜温度は実用的でない。
膜はアモルファス状態となり、残留応力を小さくできる
点で望ましく、更に好ましくは８０〜１６０℃である。
１８０℃以上で成膜すると、成膜時にＩＴＯが結晶化
し、残留応力の大きな膜となる。また、成膜時のエネル
ギーにより基板は温度上昇するため、成膜温度を６０℃
以下に保つためには特別な冷却装置を必要とする。この
ため６０℃以下の成膜温度は実用的でない。
【００１４】アニール温度は１８０〜２８０℃の範囲が
望ましく、更に好ましくは２００〜２６０℃である。１
８０℃以下では膜が結晶化せずアニールしても抵抗が実
用レベルまで低くならない。また、２８０℃以上では着
色層に使用している樹脂や顔料の耐熱温度を超えるた
め、カラーフィルターにシワが発生したり、退色したり
する。
望ましく、更に好ましくは２００〜２６０℃である。１
８０℃以下では膜が結晶化せずアニールしても抵抗が実
用レベルまで低くならない。また、２８０℃以上では着
色層に使用している樹脂や顔料の耐熱温度を超えるた
め、カラーフィルターにシワが発生したり、退色したり
する。
【００１５】アニールは空気中、不活性ガス中、真空中
で行うことができるが、ＩＴＯ膜中の酸素欠損を消滅さ
せることでキャリア濃度を低下させ、導電性が損なわれ
ることを防ぐことができるため真空中での場合が最もア
ニールによる抵抗値の改善が短時間できる。必要な真空
度としては１００Ｐａ以下が好ましく、さらに好ましく
は１Ｐａ以下である。しかし、連続生産を行う製造設備
とした場合、短時間の加熱では基板を保持するための金
属製ホルダーの熱容量が大きく、基板が均一に加熱され
ないことがある。また、これを防ぐ目的で真空中で長時
間加熱するためには、大規模な熱処理室を必要とし設備
コストが高くなる、生産性が悪くなる等の問題点が発生
することがある。このような場合、第１段階として真空
中でアニールした基板を第２段階として大気圧のオーブ
ンで再度加熱すると良い。短時間で効果が現れる真空中
のアニールを行っているため、大気圧オーブンでの加熱
時間を短くしても低い抵抗の透明導電膜を得ることがで
きる。この場合アニール温度はいずれの段階でも１８０
〜２８０℃の範囲であればよい。
で行うことができるが、ＩＴＯ膜中の酸素欠損を消滅さ
せることでキャリア濃度を低下させ、導電性が損なわれ
ることを防ぐことができるため真空中での場合が最もア
ニールによる抵抗値の改善が短時間できる。必要な真空
度としては１００Ｐａ以下が好ましく、さらに好ましく
は１Ｐａ以下である。しかし、連続生産を行う製造設備
とした場合、短時間の加熱では基板を保持するための金
属製ホルダーの熱容量が大きく、基板が均一に加熱され
ないことがある。また、これを防ぐ目的で真空中で長時
間加熱するためには、大規模な熱処理室を必要とし設備
コストが高くなる、生産性が悪くなる等の問題点が発生
することがある。このような場合、第１段階として真空
中でアニールした基板を第２段階として大気圧のオーブ
ンで再度加熱すると良い。短時間で効果が現れる真空中
のアニールを行っているため、大気圧オーブンでの加熱
時間を短くしても低い抵抗の透明導電膜を得ることがで
きる。この場合アニール温度はいずれの段階でも１８０
〜２８０℃の範囲であればよい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】実施例１ カーボンブラックからなる黒色顔料５ｇ、ポリアミック
酸からなるポリイミド前駆体溶液２５ｇ、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４５ｇおよびブチルセロソルブ１４ｇか
らなる溶剤を攪拌混合し、黒色カラーペーストを得た。
同様に黒色顔料の代わりにアントラキノン系赤色顔料、
フタロシアニン系緑色顔料、フタロシアニン系青色顔料
を用いてそれぞれ赤色、緑色、青色カラーペーストを得
た。
酸からなるポリイミド前駆体溶液２５ｇ、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン４５ｇおよびブチルセロソルブ１４ｇか
らなる溶剤を攪拌混合し、黒色カラーペーストを得た。
同様に黒色顔料の代わりにアントラキノン系赤色顔料、
フタロシアニン系緑色顔料、フタロシアニン系青色顔料
を用いてそれぞれ赤色、緑色、青色カラーペーストを得
た。
【００１８】無アルカリガラスからなる長さ４００ｍ
ｍ、幅５００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの透明基板１上に黒
色カラーペーストをスピンコートの後、１１０℃で１５
分間加熱乾燥し、膜厚１．５μｍのポリイミド前駆体膜
を得た。この膜上にポジ型フォトレジストをスピンコー
トし、８０℃で２０分加熱乾燥して膜厚１．０μｍのレ
ジスト膜を得た。次いで、フォトマスクを介して紫外線
露光した後テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド２．４％の水溶液からなる現像液を用いて不要部分の
フォトレジストおよびポリイミド前駆体膜をエッチング
除去した後、残ったフォトレジストをメチルセロソルブ
アセテートにより除去した。これを３００℃で３０分加
熱し、所定形状の遮光層を形成した。ついで、該基板上
に赤色ペースト、緑色ペースト、青色ペーストを用いて
それぞれ所定形状の赤画素、緑画素、青画素を形成し
た。この上に透明なアクリル樹脂を乾燥後の厚さが１μ
ｍになるように塗布後、これを乾燥してオーバーコート
付きカラーフィルターを作製した。
ｍ、幅５００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの透明基板１上に黒
色カラーペーストをスピンコートの後、１１０℃で１５
分間加熱乾燥し、膜厚１．５μｍのポリイミド前駆体膜
を得た。この膜上にポジ型フォトレジストをスピンコー
トし、８０℃で２０分加熱乾燥して膜厚１．０μｍのレ
ジスト膜を得た。次いで、フォトマスクを介して紫外線
露光した後テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド２．４％の水溶液からなる現像液を用いて不要部分の
フォトレジストおよびポリイミド前駆体膜をエッチング
除去した後、残ったフォトレジストをメチルセロソルブ
アセテートにより除去した。これを３００℃で３０分加
熱し、所定形状の遮光層を形成した。ついで、該基板上
に赤色ペースト、緑色ペースト、青色ペーストを用いて
それぞれ所定形状の赤画素、緑画素、青画素を形成し
た。この上に透明なアクリル樹脂を乾燥後の厚さが１μ
ｍになるように塗布後、これを乾燥してオーバーコート
付きカラーフィルターを作製した。
【００１９】こうして得られたカラーフィルターを図１
の構成のインライン式ＤＣマグネトロンスパッタ装置を
用い、基板温度１００℃、真空度０．３Ｐａ、酸素濃度
１．０％の条件で膜厚１４００オングストロームの厚さ
でＩＴＯ膜を形成し、熱処理室で真空度０．１Ｐａ、基
板温度２５０℃の条件で５分間アニール処理した。この
後通常のオーブン中で２５０℃×１０分間の熱処理をし
てＩＴＯ膜付きカラーフィルターを得た。ＩＴＯ膜にク
ラックはなく良好な外観であった。しかも得られた膜の
比抵抗は２．１×１０-4Ω・ｃｍであり、良好な値であ
った。また、このカラーフィルター上にポリアミック酸
からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになる
ように塗布し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィル
ターの外観を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはな
く、良好であった。
の構成のインライン式ＤＣマグネトロンスパッタ装置を
用い、基板温度１００℃、真空度０．３Ｐａ、酸素濃度
１．０％の条件で膜厚１４００オングストロームの厚さ
でＩＴＯ膜を形成し、熱処理室で真空度０．１Ｐａ、基
板温度２５０℃の条件で５分間アニール処理した。この
後通常のオーブン中で２５０℃×１０分間の熱処理をし
てＩＴＯ膜付きカラーフィルターを得た。ＩＴＯ膜にク
ラックはなく良好な外観であった。しかも得られた膜の
比抵抗は２．１×１０-4Ω・ｃｍであり、良好な値であ
った。また、このカラーフィルター上にポリアミック酸
からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになる
ように塗布し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィル
ターの外観を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはな
く、良好であった。
【００２０】実施例２ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図１の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度１５０℃、他は実施例１
と同じ条件で厚さ１０００オングストロームの厚さでＩ
ＴＯ膜を形成し、熱処理室で真空度０．１Ｐａ、基板温
度２５０℃の条件で５分間アニール処理した。この後通
常のオーブン中で２５０℃×１０分間の熱処理をしてＩ
ＴＯ膜付きカラーフィルターを得た。得られた膜の比抵
抗は２．１×１０-4Ω・ｃｍであり、良好な値であっ
た。また、実施例１と同様にポリアミック酸からなる液
晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになるように塗布
し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィルターの外観
を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはなく、良好で
あった。 実施例３ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図１の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、実施例１と同じ条件で厚さ１５０
０オングストロームの厚さでＩＴＯ膜を形成し熱処理室
で真空度０．１Ｐａ、基板温度２２０℃の条件で５分間
アニール処理した。この後通常のオーブン中で２２０℃
×３０分間の熱処理をしてＩＴＯ膜付きカラーフィルタ
ーを得た。得られた膜の比抵抗は２．１×１０-4Ω・ｃ
ｍであり良好な値であった。また、実施例１と同様にポ
リアミック酸からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．
１μｍになるように塗布し、２２０℃×１時間焼成の後
カラーフィルターの外観を観察したところ、ＩＴＯ膜の
クラックはなく、良好であった。 比較例１ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図２の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度１００℃、真空度０．３
Ｐａ、酸素濃度１．０％の条件で膜厚１４００オングス
トロームの厚さでＩＴＯ膜を形成してＩＴＯ膜付きカラ
ーフィルターを得た。得られた膜の比抵抗は５．０×１
０-4Ω・ｃｍであり、膜の抵抗値は高く不十分な特性で
あった。また、実施例１と同様にポリアミック酸からな
る液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになるように
塗布し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィルターの
外観を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはなく、良
好であった。
ィルターを図１の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度１５０℃、他は実施例１
と同じ条件で厚さ１０００オングストロームの厚さでＩ
ＴＯ膜を形成し、熱処理室で真空度０．１Ｐａ、基板温
度２５０℃の条件で５分間アニール処理した。この後通
常のオーブン中で２５０℃×１０分間の熱処理をしてＩ
ＴＯ膜付きカラーフィルターを得た。得られた膜の比抵
抗は２．１×１０-4Ω・ｃｍであり、良好な値であっ
た。また、実施例１と同様にポリアミック酸からなる液
晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになるように塗布
し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィルターの外観
を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはなく、良好で
あった。 実施例３ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図１の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、実施例１と同じ条件で厚さ１５０
０オングストロームの厚さでＩＴＯ膜を形成し熱処理室
で真空度０．１Ｐａ、基板温度２２０℃の条件で５分間
アニール処理した。この後通常のオーブン中で２２０℃
×３０分間の熱処理をしてＩＴＯ膜付きカラーフィルタ
ーを得た。得られた膜の比抵抗は２．１×１０-4Ω・ｃ
ｍであり良好な値であった。また、実施例１と同様にポ
リアミック酸からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．
１μｍになるように塗布し、２２０℃×１時間焼成の後
カラーフィルターの外観を観察したところ、ＩＴＯ膜の
クラックはなく、良好であった。 比較例１ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図２の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度１００℃、真空度０．３
Ｐａ、酸素濃度１．０％の条件で膜厚１４００オングス
トロームの厚さでＩＴＯ膜を形成してＩＴＯ膜付きカラ
ーフィルターを得た。得られた膜の比抵抗は５．０×１
０-4Ω・ｃｍであり、膜の抵抗値は高く不十分な特性で
あった。また、実施例１と同様にポリアミック酸からな
る液晶配向膜を乾燥後の膜厚が０．１μｍになるように
塗布し、２２０℃×１時間焼成の後カラーフィルターの
外観を観察したところ、ＩＴＯ膜のクラックはなく、良
好であった。
【００２１】比較例２ 実施例１と同様にして得たオーバーコート付きカラーフ
ィルターを図２の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度２５０℃、真空度０．３
Ｐａ、酸素濃度１．０％の条件で膜厚１４００オングス
トロームの厚さでＩＴＯ膜を形成してＩＴＯ膜付きカラ
ーフィルターを得た。ＩＴＯ膜にクラックはなく良好な
外観であった。得られた膜の比抵抗は２．２×１０-4Ω
・ｃｍであり良好な値であった。しかし、実施例１と同
様にポリアミック酸からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚
が０．１μｍになるように塗布し、２２０℃×１時間焼
成の後カラーフィルターの外観を観察したところ、ＩＴ
Ｏ膜にクラックが発生していた。
ィルターを図２の構成のインライン式ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用い、基板温度２５０℃、真空度０．３
Ｐａ、酸素濃度１．０％の条件で膜厚１４００オングス
トロームの厚さでＩＴＯ膜を形成してＩＴＯ膜付きカラ
ーフィルターを得た。ＩＴＯ膜にクラックはなく良好な
外観であった。得られた膜の比抵抗は２．２×１０-4Ω
・ｃｍであり良好な値であった。しかし、実施例１と同
様にポリアミック酸からなる液晶配向膜を乾燥後の膜厚
が０．１μｍになるように塗布し、２２０℃×１時間焼
成の後カラーフィルターの外観を観察したところ、ＩＴ
Ｏ膜にクラックが発生していた。
【００２２】
【発明の効果】本発明のカラーフィルターの製造方法に
よれば、上述のごとく配向膜の形成工程で高温の処理を
受けても欠陥の発生しにくく、表示品位に優れたカラー
フィルターを得ることができる。
よれば、上述のごとく配向膜の形成工程で高温の処理を
受けても欠陥の発生しにくく、表示品位に優れたカラー
フィルターを得ることができる。
【図１】実施例１で使用したスパッタ装置を上から見た
構成図である。
構成図である。
【図２】比較例１および比較例２で使用したスパッタ装
置を上から見た構成図である。
置を上から見た構成図である。
１ ヒーター ２ ＩＴＯターゲット
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に少なくとも遮光層、有機着
色層、透明電極膜を有するカラーフィルターの製造法に
おいて、前記透明電極膜の成膜温度が６０〜１８０℃で
あり、かつ成膜後に１８０〜２８０℃の温度でアニール
処理を行うことを特徴とするカラーフィルターの製造方
法。 - 【請求項２】 前記アニール処理が減圧雰囲気で行われ
る第１段階と大気圧雰囲気で行われる第２段階の２つの
ステップで行われることを特徴とする請求項１記載のカ
ラーフィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31074997A JP4038846B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31074997A JP4038846B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11142638A true JPH11142638A (ja) | 1999-05-28 |
| JP4038846B2 JP4038846B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=18009029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31074997A Expired - Lifetime JP4038846B2 (ja) | 1997-11-12 | 1997-11-12 | 液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4038846B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184242A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極付き基板およびその製造方法 |
| KR100686233B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판의 제조 방법 |
| JP2007279378A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
| JP2008046604A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2009192575A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ、及びそれを用いた液晶表示装置 |
-
1997
- 1997-11-12 JP JP31074997A patent/JP4038846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100686233B1 (ko) * | 2000-04-17 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판의 제조 방법 |
| JP2002184242A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極付き基板およびその製造方法 |
| JP2007279378A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
| JP2008046604A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-28 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
| JP2009192575A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ、及びそれを用いた液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4038846B2 (ja) | 2008-01-30 |
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| JPS6227154B2 (ja) |
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