JPH11142668A - 損失吸収のための光導波路素子及びその製造方法 - Google Patents
損失吸収のための光導波路素子及びその製造方法Info
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- JPH11142668A JPH11142668A JP10258098A JP25809898A JPH11142668A JP H11142668 A JPH11142668 A JP H11142668A JP 10258098 A JP10258098 A JP 10258098A JP 25809898 A JP25809898 A JP 25809898A JP H11142668 A JPH11142668 A JP H11142668A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路製造時に光導波路素子内部に光吸収
が可能な吸収層を形成することにより、光信号の反射及
び放射による損失を最小化または除去することにある。 【解決手段】 所定材質の基板２００と、前記基板２０
０上に形成された下部緩衝層２０２と、前記下部緩衝層
２０２上に当該下部緩衝層２０２の材質よりも屈折率が
大きい材質から形成された光導波路２０４と、前記光導
波路２０４を覆うように形成された上部緩衝層２０６
と、前記上部緩衝層２０６上に反射または放射される光
信号を吸収するように所定の厚さで形成され、当該上部
緩衝層２０６よりも屈折率が大きい所定材質の吸収層２
０８とを備えたことを特徴とする。
が可能な吸収層を形成することにより、光信号の反射及
び放射による損失を最小化または除去することにある。 【解決手段】 所定材質の基板２００と、前記基板２０
０上に形成された下部緩衝層２０２と、前記下部緩衝層
２０２上に当該下部緩衝層２０２の材質よりも屈折率が
大きい材質から形成された光導波路２０４と、前記光導
波路２０４を覆うように形成された上部緩衝層２０６
と、前記上部緩衝層２０６上に反射または放射される光
信号を吸収するように所定の厚さで形成され、当該上部
緩衝層２０６よりも屈折率が大きい所定材質の吸収層２
０８とを備えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導波路素子及びそ
の製造方法に係り、特に、光反射損失及び放射損失を吸
収して除去する光導波路素子及びその製造方法に関す
る。
の製造方法に係り、特に、光反射損失及び放射損失を吸
収して除去する光導波路素子及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】全ての光通信素子において反射損失を最
小化することは、素子の特性を向上させるための重要な
技術の一つである。特に、平面導波路（Planar Wavegui
de）では、光導波路素子と光繊維アレイブロックの両端
面を一定の角度で研磨したり切り出してピッグテーリン
グ（Pigtailing）反射損を減らしている。曲率を多く含
む光導波路素子の場合、光信号の放射（Radiation）に
よる干渉も素子の光信号を歪ませる要因の一つである。
小化することは、素子の特性を向上させるための重要な
技術の一つである。特に、平面導波路（Planar Wavegui
de）では、光導波路素子と光繊維アレイブロックの両端
面を一定の角度で研磨したり切り出してピッグテーリン
グ（Pigtailing）反射損を減らしている。曲率を多く含
む光導波路素子の場合、光信号の放射（Radiation）に
よる干渉も素子の光信号を歪ませる要因の一つである。
【０００３】図６は、平面導波路素子と光繊維アレイモ
ジュールの整列構成図である。図６に示す平面導波路素
子と光繊維アレイモジュールは、反射損失を除去するた
めに全ての断面が一定の角度で研磨されている。同図に
おいて、符号５００は光繊維（光ファイバー）、５０２
は光繊維アレイモジュール、５０４は平面導波路素子、
５０６は反射損を減らすために一定の角度で研磨されて
いる部分、そして、５０８は接合部である。
ジュールの整列構成図である。図６に示す平面導波路素
子と光繊維アレイモジュールは、反射損失を除去するた
めに全ての断面が一定の角度で研磨されている。同図に
おいて、符号５００は光繊維（光ファイバー）、５０２
は光繊維アレイモジュール、５０４は平面導波路素子、
５０６は反射損を減らすために一定の角度で研磨されて
いる部分、そして、５０８は接合部である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法は、
例えば、一定の角度により研磨する技術が要求されるた
め、製造工程に細い注意を払う必要がある。これに伴い、
製造コストが高価であるとともに、研磨が不可能な一部
の平面導波路素子は使用できないという問題がある。
例えば、一定の角度により研磨する技術が要求されるた
め、製造工程に細い注意を払う必要がある。これに伴い、
製造コストが高価であるとともに、研磨が不可能な一部
の平面導波路素子は使用できないという問題がある。
【０００５】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、反射または放射され
る光信号を吸収することにより、望ましくない光信号の
干渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層を
蒸着させた損失吸収のための光導波路素子及びその製造
方法を提供するにある。
なされたものであり、その目的は、反射または放射され
る光信号を吸収することにより、望ましくない光信号の
干渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層を
蒸着させた損失吸収のための光導波路素子及びその製造
方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記技術的課題を達成す
るために、請求項１記載の第１の発明に係る損失吸収の
ための光導波路素子は、所定材質の基板と、前記基板上
に形成された下部緩衝層と、前記下部緩衝層上に当該下
部緩衝層の材質よりも屈折率が大きい材質から形成され
た光導波路と、前記光導波路を覆うように形成された上
部緩衝層と、前記上部緩衝層上に反射または放射される
光信号を吸収するように所定の厚さで形成され、当該上
部緩衝層よりも屈折率が大きい所定材質の吸収層とを備
えたことを要旨とする。従って、反射または放射される
光信号を吸収することにより、望ましくない光信号の干
渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層を蒸
着させる。前記吸収層は、ハロゲン族元素が１０%以下
に含まれる材質であるのが好ましい。また、前記吸収層
は、カルボキシル機能基、ヒドロキシル機能基、１次ア
ミン機能基及び２次アミン機能基のうち何れか一つを含
む材質であるのが好ましい。更に、前記吸収層は、厚さ
が０.２μm以上であるのが好ましい。
るために、請求項１記載の第１の発明に係る損失吸収の
ための光導波路素子は、所定材質の基板と、前記基板上
に形成された下部緩衝層と、前記下部緩衝層上に当該下
部緩衝層の材質よりも屈折率が大きい材質から形成され
た光導波路と、前記光導波路を覆うように形成された上
部緩衝層と、前記上部緩衝層上に反射または放射される
光信号を吸収するように所定の厚さで形成され、当該上
部緩衝層よりも屈折率が大きい所定材質の吸収層とを備
えたことを要旨とする。従って、反射または放射される
光信号を吸収することにより、望ましくない光信号の干
渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層を蒸
着させる。前記吸収層は、ハロゲン族元素が１０%以下
に含まれる材質であるのが好ましい。また、前記吸収層
は、カルボキシル機能基、ヒドロキシル機能基、１次ア
ミン機能基及び２次アミン機能基のうち何れか一つを含
む材質であるのが好ましい。更に、前記吸収層は、厚さ
が０.２μm以上であるのが好ましい。
【０００７】前記技術的課題を達成するために、請求項
５記載の第５の発明に係る損失吸収のための光導波路素
子は、所定材質の基板と、前記基板上に反射または放射
される光信号を吸収するように所定の厚さで形成される
所定材質の吸収層と、前記吸収層上に当該吸収層よりも
小さい屈折率を有する材質から形成された下部緩衝層
と、前記下部緩衝層上に光が導波されるように当該下部
緩衝層の材質よりも屈折率の大きい材質から形成された
光導波路と、前記光導波路を覆うように形成された上部
緩衝層とを備えたことを要旨とする。従って、反射また
は放射される光信号を吸収することにより、望ましくな
い光信号の干渉を制限的に減らすように、光導波路素子
に吸収層を蒸着させる。前記吸収層は、ハロゲン族元素
が１０%以下に含まれる材質であるのが好ましい。ま
た、前記吸収層は、カルボキシル機能基、ヒドロキシル
機能基、１次アミン機能基及び２次アミン機能基のうち
何れか一つを含む材質であるのが好ましい。更に、前記
吸収層は、厚さが０.２μm以上であるのが好ましい。
５記載の第５の発明に係る損失吸収のための光導波路素
子は、所定材質の基板と、前記基板上に反射または放射
される光信号を吸収するように所定の厚さで形成される
所定材質の吸収層と、前記吸収層上に当該吸収層よりも
小さい屈折率を有する材質から形成された下部緩衝層
と、前記下部緩衝層上に光が導波されるように当該下部
緩衝層の材質よりも屈折率の大きい材質から形成された
光導波路と、前記光導波路を覆うように形成された上部
緩衝層とを備えたことを要旨とする。従って、反射また
は放射される光信号を吸収することにより、望ましくな
い光信号の干渉を制限的に減らすように、光導波路素子
に吸収層を蒸着させる。前記吸収層は、ハロゲン族元素
が１０%以下に含まれる材質であるのが好ましい。ま
た、前記吸収層は、カルボキシル機能基、ヒドロキシル
機能基、１次アミン機能基及び２次アミン機能基のうち
何れか一つを含む材質であるのが好ましい。更に、前記
吸収層は、厚さが０.２μm以上であるのが好ましい。
【０００８】前記技術的課題を達成するための、請求項
９記載の第９の発明に係る損失吸収のための光導波路素
子の製造方法は、平面基板上に下部緩衝層を蒸着する段
階と、前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率
が大きいコア層を蒸着する段階と、前記コア層にパター
ニングし、当該パターニングにより蝕刻を行い光導波路
を形成する段階と、前記光導波路を覆うように上部緩衝
層を蒸着する段階と、前記上部緩衝層上に当該上部緩衝
層よりも屈折率が大きい物質で吸収層を蒸着する段階と
を有することを要旨とする。従って、反射または放射さ
れる光信号を吸収することにより、望ましくない光信号
の干渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層
を蒸着させる。そして、蒸着後、膜質を良好にするため
に熱処理工程をさらに具備するのが好ましい。
９記載の第９の発明に係る損失吸収のための光導波路素
子の製造方法は、平面基板上に下部緩衝層を蒸着する段
階と、前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率
が大きいコア層を蒸着する段階と、前記コア層にパター
ニングし、当該パターニングにより蝕刻を行い光導波路
を形成する段階と、前記光導波路を覆うように上部緩衝
層を蒸着する段階と、前記上部緩衝層上に当該上部緩衝
層よりも屈折率が大きい物質で吸収層を蒸着する段階と
を有することを要旨とする。従って、反射または放射さ
れる光信号を吸収することにより、望ましくない光信号
の干渉を制限的に減らすように、光導波路素子に吸収層
を蒸着させる。そして、蒸着後、膜質を良好にするため
に熱処理工程をさらに具備するのが好ましい。
【０００９】前記技術的課題を達成するための、請求項
１１記載の第１１の発明に係る損失吸収のための光導波
路素子の製造方法は、平面基板上に所定の材質からなる
吸収層を蒸着する段階と、前記吸収層上に当該吸収層よ
りも屈折率が小さい材質で下部緩衝層を蒸着する段階
と、前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率が
大きいコア層を蒸着する段階と、前記コア層にパターニ
ングし、当該パターニングにより蝕刻を行い光導波路を
形成する段階と、前記光導波路を覆うように上部緩衝層
を蒸着する段階とを有することを要旨とする。従って、
反射または放射される光信号を吸収することにより、望
ましくない光信号の干渉を制限的に減らすように、光導
波路素子に吸収層を蒸着させる。そして、蒸着後、膜質
を良好にするために熱処理工程をさらに具備するのが好
ましい。
１１記載の第１１の発明に係る損失吸収のための光導波
路素子の製造方法は、平面基板上に所定の材質からなる
吸収層を蒸着する段階と、前記吸収層上に当該吸収層よ
りも屈折率が小さい材質で下部緩衝層を蒸着する段階
と、前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率が
大きいコア層を蒸着する段階と、前記コア層にパターニ
ングし、当該パターニングにより蝕刻を行い光導波路を
形成する段階と、前記光導波路を覆うように上部緩衝層
を蒸着する段階とを有することを要旨とする。従って、
反射または放射される光信号を吸収することにより、望
ましくない光信号の干渉を制限的に減らすように、光導
波路素子に吸収層を蒸着させる。そして、蒸着後、膜質
を良好にするために熱処理工程をさらに具備するのが好
ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づいて本発
明につきさらに詳細に説明する。
明につきさらに詳細に説明する。
【００１１】図１（Ａ）は、本発明に係る損失吸収のた
めの光導波路素子の実施の形態を示す構成図であり、図
１（Ｂ）は、本発明の他の実施の形態を示す構成図あ
る。図１（Ａ）による光導波路素子は基板２００上に形
成された下部緩衝層（lower cladding）２０２と、前記
下部緩衝層２０２上に形成された光導波路２０４と、前
記光導波路２０４を覆う上部緩衝層（upper cladding）
２０６と、前記上部緩衝層２０６に形成された吸収層２
０８とからなる。
めの光導波路素子の実施の形態を示す構成図であり、図
１（Ｂ）は、本発明の他の実施の形態を示す構成図あ
る。図１（Ａ）による光導波路素子は基板２００上に形
成された下部緩衝層（lower cladding）２０２と、前記
下部緩衝層２０２上に形成された光導波路２０４と、前
記光導波路２０４を覆う上部緩衝層（upper cladding）
２０６と、前記上部緩衝層２０６に形成された吸収層２
０８とからなる。
【００１２】図１（Ｂ）による光導波路素子は基板２０
０上に形成された吸収層２０８と、前記吸収層２０８上
に形成された下部緩衝層２０２と、前記下部緩衝層２０
２上に形成された光導波路２０４と、前記光導波路２０
４を覆う上部緩衝層２０６とからなる。前記吸収層２０
８の厚さは０.２μm以上であることが好ましい。
０上に形成された吸収層２０８と、前記吸収層２０８上
に形成された下部緩衝層２０２と、前記下部緩衝層２０
２上に形成された光導波路２０４と、前記光導波路２０
４を覆う上部緩衝層２０６とからなる。前記吸収層２０
８の厚さは０.２μm以上であることが好ましい。
【００１３】前記基板２００は、シリコンやガラスなど
の表面平坦性が良好な材質の基板を使用する。上下部緩
衝層２０６、２０２は、通信波長で光信号が損失なしに
通過できる光透明性（transparency）ある材質が好まし
い。光導波路２０４は上下部緩衝層２０６、２０２の材
質よりも屈折率が大きい材質から形成されるとともに、
光を導波する。吸収層２０８の材質としては、通信波長
帯で光進行損失が大きく、その屈折率が上下部緩衝層２
０６、２０２よりも大きい材質が好適である。好ましく
は、例えばヒドロキシル機能基（Hydroxyl Function gr
oup）(ヒドロキシル基または水酸基)、カルボキシル（C
arboxyl）機能基(カルボン酸)、１次または２次アミン
（Amin）機能基(第１アミンまたは第２アミン)を含む材
質が良い。またハロゲン族（Halogen Family）元素を１
０%以下に含む材質が好ましい。更に、安定した熱特性の
ために最小の必要なだけの不飽和炭素を含む材質も製造
する場合に有効である。
の表面平坦性が良好な材質の基板を使用する。上下部緩
衝層２０６、２０２は、通信波長で光信号が損失なしに
通過できる光透明性（transparency）ある材質が好まし
い。光導波路２０４は上下部緩衝層２０６、２０２の材
質よりも屈折率が大きい材質から形成されるとともに、
光を導波する。吸収層２０８の材質としては、通信波長
帯で光進行損失が大きく、その屈折率が上下部緩衝層２
０６、２０２よりも大きい材質が好適である。好ましく
は、例えばヒドロキシル機能基（Hydroxyl Function gr
oup）(ヒドロキシル基または水酸基)、カルボキシル（C
arboxyl）機能基(カルボン酸)、１次または２次アミン
（Amin）機能基(第１アミンまたは第２アミン)を含む材
質が良い。またハロゲン族（Halogen Family）元素を１
０%以下に含む材質が好ましい。更に、安定した熱特性の
ために最小の必要なだけの不飽和炭素を含む材質も製造
する場合に有効である。
【００１４】図２（Ａ）ないし図４（Ｂ）は本発明に係
る損失吸収のための光導波路製造工程を示す図である。
る損失吸収のための光導波路製造工程を示す図である。
【００１５】まず、図２（Ａ）に示すように、基板３０
０にスピンコーティング（Spin Coating）法を利用して
下部緩衝層３０２を蒸着した後に、熱処理（Baking）を
施し、膜質を良好にする。熱処理後、図２（Ｂ）に示す
ように、下部緩衝層３０２上に下部緩衝層の材質よりも
屈折率が大きい導波路用光学高分子をスピンコーティン
グ法により蒸着し、コア層３０４を形成する。蒸着後、
熱処理工程を施して膜質を良好にする。図３（Ａ）に示
すように、完成されたコア層３０４上に半導体露光技術
及びマスキング露光技術を利用し、所望の導波路をパタ
ーニング３０６した後に、図３（Ｂ）に示すようにパタ
ーニング３０６により乾式蝕刻を行い光導波路３０８を
形成し、図４（Ａ）に示すように、導波路パターン上に
残留するマスキングパターンを除去する。図４（Ｂ）に
示すように、形成された導波路を覆うように下部緩衝層
３０２と同一の材質を有する物質で上部緩衝層３１０を
スピンコーティングして形成した後、上部緩衝層３１０
上に当該上部緩衝層３１０よりも屈折率が大きい高分子
を用いてスピンコーティングした後に熱処理を施し、吸
収層３１２を形成する。
０にスピンコーティング（Spin Coating）法を利用して
下部緩衝層３０２を蒸着した後に、熱処理（Baking）を
施し、膜質を良好にする。熱処理後、図２（Ｂ）に示す
ように、下部緩衝層３０２上に下部緩衝層の材質よりも
屈折率が大きい導波路用光学高分子をスピンコーティン
グ法により蒸着し、コア層３０４を形成する。蒸着後、
熱処理工程を施して膜質を良好にする。図３（Ａ）に示
すように、完成されたコア層３０４上に半導体露光技術
及びマスキング露光技術を利用し、所望の導波路をパタ
ーニング３０６した後に、図３（Ｂ）に示すようにパタ
ーニング３０６により乾式蝕刻を行い光導波路３０８を
形成し、図４（Ａ）に示すように、導波路パターン上に
残留するマスキングパターンを除去する。図４（Ｂ）に
示すように、形成された導波路を覆うように下部緩衝層
３０２と同一の材質を有する物質で上部緩衝層３１０を
スピンコーティングして形成した後、上部緩衝層３１０
上に当該上部緩衝層３１０よりも屈折率が大きい高分子
を用いてスピンコーティングした後に熱処理を施し、吸
収層３１２を形成する。
【００１６】図５は、本発明に係る損失吸収のための光
導波路素子の他の製造工程を示す図である。まず、基板
３００上に上記した吸収層３１２を形成する。前記吸収
層３１２上への下部緩衝層ないし上部緩衝層の形成は図
２（Ａ）ないし図４（Ｂ）に示す過程と同様にしてなさ
れる。
導波路素子の他の製造工程を示す図である。まず、基板
３００上に上記した吸収層３１２を形成する。前記吸収
層３１２上への下部緩衝層ないし上部緩衝層の形成は図
２（Ａ）ないし図４（Ｂ）に示す過程と同様にしてなさ
れる。
【００１７】前述のように製造された光導波路素子は切
断工程後に研磨工程またはクリービング（Cleaving）工
程を経て一つの素子を構成し、光繊維アレイモジュール
等を介しピッグテーリングして完成する。上記吸収層
は、素子と光繊維アレイモジュールが接続された空間の
間で絶えず反射しながら素子の反射損を増加させる光の
一部分を吸収することにより、反射の程度を減らすこと
ができる。さらに、導波路を通過した光進行の際に、当
該導波路から放射される光を吸収する。
断工程後に研磨工程またはクリービング（Cleaving）工
程を経て一つの素子を構成し、光繊維アレイモジュール
等を介しピッグテーリングして完成する。上記吸収層
は、素子と光繊維アレイモジュールが接続された空間の
間で絶えず反射しながら素子の反射損を増加させる光の
一部分を吸収することにより、反射の程度を減らすこと
ができる。さらに、導波路を通過した光進行の際に、当
該導波路から放射される光を吸収する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路製造時に光導波路素子内部に光吸収が可能な吸
収層を形成することにより、光信号の反射及び放射によ
る損失を最小化または除去することができる。前記吸収
層の製造はウェーハでなされ、安価な技術である。ま
た、前記吸収層として使用される物質も安価な汎用物質
である。さらに、放射光を吸収し得る特性を用いて望ま
しくない光の放射による干渉を減らすことができる。
光導波路製造時に光導波路素子内部に光吸収が可能な吸
収層を形成することにより、光信号の反射及び放射によ
る損失を最小化または除去することができる。前記吸収
層の製造はウェーハでなされ、安価な技術である。ま
た、前記吸収層として使用される物質も安価な汎用物質
である。さらに、放射光を吸収し得る特性を用いて望ま
しくない光の放射による干渉を減らすことができる。
【図１】（Ａ）は本発明に係る損失吸収のための光導波
路素子の実施の形態を示す構成図であり、（Ｂ）は本発
明の他の実施の形態を示す構成図である。
路素子の実施の形態を示す構成図であり、（Ｂ）は本発
明の他の実施の形態を示す構成図である。
【図２】本発明に係る損失吸収のための光導波路素子の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図３】本発明に係る損失吸収のための光導波路素子の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図４】本発明に係る損失吸収のための光導波路素子の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図５】本発明に係る損失吸収のための光導波路素子の
他の製造工程を示す図である。
他の製造工程を示す図である。
【図６】平面導波路素子と光繊維アレイモジュールの整
列構成図である。
列構成図である。
２００ 基板 ２０２ 下部緩衝層 ２０４ 光導波路 ２０６ 上部緩衝層 ２０８ 吸収層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 勇 雨 大韓民国ソウル特別市江南区開浦洞12番地 大峙アパート209棟913号
Claims (12)
- 【請求項１】 所定材質の基板と、 前記基板上に形成された下部緩衝層と、 前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層の材質よりも屈折率
が大きい材質から形成された光導波路と、 前記光導波路を覆うように形成された上部緩衝層と、 前記上部緩衝層上に反射または放射される光信号を吸収
するように所定の厚さで形成され、当該上部緩衝層より
も屈折率が大きい所定材質の吸収層と、 を備えたことを特徴とする損失吸収のための光導波路素
子。 - 【請求項２】 前記吸収層は、ハロゲン族元素が１０%
以下に含まれる材質であることを特徴とする請求項１に
記載の損失吸収のための光導波路素子。 - 【請求項３】 前記吸収層は、カルボキシル機能基、ヒ
ドロキシル機能基、１次アミン機能基及び２次アミン機
能基のうち何れか一つを含む材質であることを特徴とす
る請求項１に記載の損失吸収のための光導波路素子。 - 【請求項４】 前記吸収層は、厚さが０.２μm以上であ
ることを特徴とする請求項１に記載の損失吸収のための
光導波路素子。 - 【請求項５】 所定材質の基板と、 前記基板上に反射または放射される光信号を吸収するよ
うに所定の厚さで形成される所定材質の吸収層と、 前記吸収層上に当該吸収層よりも小さい屈折率を有する
材質から形成された下部緩衝層と、 前記下部緩衝層上に光が導波されるように当該下部緩衝
層の材質よりも屈折率の大きい材質から形成された光導
波路と、 前記光導波路を覆うように形成された上部緩衝層と、 を備えたことを特徴とする損失吸収のための光導波路素
子。 - 【請求項６】 前記吸収層は、ハロゲン族元素が１０%
以下に含まれる材質であることを特徴とする請求項５に
記載の損失吸収のための光導波路素子。 - 【請求項７】 前記吸収層は、カルボキシル機能基、ヒ
ドロキシル機能基、１次アミン機能基及び２次アミン機
能基のうち何れか一つを含む材質であることを特徴とす
る請求項５に記載の損失吸収のための光導波路素子。 - 【請求項８】 前記吸収層は、厚さが０.２μm以上であ
ることを特徴とする請求項５に記載の損失吸収のための
光導波路素子。 - 【請求項９】 平面基板上に下部緩衝層を蒸着する段階
と、 前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率が大き
いコア層を蒸着する段階と、 前記コア層にパターニングし、当該パターニングにより
蝕刻を行い光導波路を形成する段階と、 前記光導波路を覆うように上部緩衝層を蒸着する段階
と、 前記上部緩衝層上に当該上部緩衝層よりも屈折率が大き
い物質で吸収層を蒸着する段階と、 を有することを特徴とする損失吸収のための光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項１０】 蒸着後、膜質を良好にするために熱処
理工程をさらに具備することを特徴とする請求項９に記
載の損失吸収のための光導波路素子の製造方法。 - 【請求項１１】 平面基板上に所定の材質からなる吸収
層を蒸着する段階と、 前記吸収層上に当該吸収層よりも屈折率が小さい材質で
下部緩衝層を蒸着する段階と、 前記下部緩衝層上に当該下部緩衝層よりも屈折率が大き
いコア層を蒸着する段階と、 前記コア層にパターニングし、当該パターニングにより
蝕刻を行い光導波路を形成する段階と、 前記光導波路を覆うように上部緩衝層を蒸着する段階
と、 を有することを特徴とする損失吸収のための光導波路素
子の製造方法。 - 【請求項１２】 蒸着後、膜質を良好にするために熱処
理工程をさらに具備することを特徴とする請求項１１に
記載の損失吸収のための光導波路素子の製造方法。
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| JPH11142668A true JPH11142668A (ja) | 1999-05-28 |
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- 1998-09-11 JP JP10258098A patent/JPH11142668A/ja active Pending
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