JPS5919907A - 光導波路装置 - Google Patents
光導波路装置Info
- Publication number
- JPS5919907A JPS5919907A JP12979482A JP12979482A JPS5919907A JP S5919907 A JPS5919907 A JP S5919907A JP 12979482 A JP12979482 A JP 12979482A JP 12979482 A JP12979482 A JP 12979482A JP S5919907 A JPS5919907 A JP S5919907A
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- JP
- Japan
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- light
- substrate
- optical waveguide
- layer
- light absorption
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光集積回路を実現するに好適な光導波路装置に
関する。
関する。
近時、光を用いた信号処理技術が発展し、集積化技術の
発達と相俟って種々の光集積回路が実現されている。第
１図はその一例を示すもので弾性表面波によって光に変
調を与え、これによって信号処理を行う集積化光学式Ｒ
Ｆスペクトラム・アナライプ装置の構成図である。この
装置は基本的には、基板１上に圧電性を有する薄膜光導
波路２を形成し、この光導波路２に設ケラれたコリメー
トレンズ３、を用いてレーデダイオード５から発せられ
る光をコリメートして上記光導波路２中を伝搬し、必要
な処理をした後、これをフォトダイオードアレイ６にて
受光するようにしたものである。この際、弾性表面波ト
ランスデユーサ（インタープイノタル電極）７を未知の
ＲＦ倍信号て駆動して前記光導波路２に表面波を励振し
て前記コリメート光を変調回折することで、前記フォト
ダイオードアレイ６により受光される回折光のフーリエ
変換像から前記入力されたＲＦ倍信号周波数情報が求め
られる。尚、入力光の・２ワーは受光強度として検出さ
れ、ここに弾性表面波トランスデユーサ７を駆動する未
知のＲＦ倍信号分析されることになる。
発達と相俟って種々の光集積回路が実現されている。第
１図はその一例を示すもので弾性表面波によって光に変
調を与え、これによって信号処理を行う集積化光学式Ｒ
Ｆスペクトラム・アナライプ装置の構成図である。この
装置は基本的には、基板１上に圧電性を有する薄膜光導
波路２を形成し、この光導波路２に設ケラれたコリメー
トレンズ３、を用いてレーデダイオード５から発せられ
る光をコリメートして上記光導波路２中を伝搬し、必要
な処理をした後、これをフォトダイオードアレイ６にて
受光するようにしたものである。この際、弾性表面波ト
ランスデユーサ（インタープイノタル電極）７を未知の
ＲＦ倍信号て駆動して前記光導波路２に表面波を励振し
て前記コリメート光を変調回折することで、前記フォト
ダイオードアレイ６により受光される回折光のフーリエ
変換像から前記入力されたＲＦ倍信号周波数情報が求め
られる。尚、入力光の・２ワーは受光強度として検出さ
れ、ここに弾性表面波トランスデユーサ７を駆動する未
知のＲＦ倍信号分析されることになる。
しかして従来、上記光学式スペクトラム・アナライザ装
置の光導波路２は、弾性表面波を励振する為の圧電性を
持たせ、また光透過損失を極力少なくすることが必要で
あり、一般にチタン（ＴＩ） を熱拡散しだＬｉＮｂ
Ｏ３を用いて構成されている。この種の材料は上述した
条件を非常に良く満たし、光導波路２として良好な特性
を発揮する。しかし、上記光導波路２を形成する基板１
自体も光透過性が良い為、例えば第２図に示すように、
レーザダイオード５から光導波路２に導入すべき光のう
ち、上記光導波路２と結合しない為に生じた漏洩光が基
板１内を伝搬し、空気との界面（裏面）で全反射してフ
ォトダイオードアレイ６に到達すると云う不具合がある
。
置の光導波路２は、弾性表面波を励振する為の圧電性を
持たせ、また光透過損失を極力少なくすることが必要で
あり、一般にチタン（ＴＩ） を熱拡散しだＬｉＮｂ
Ｏ３を用いて構成されている。この種の材料は上述した
条件を非常に良く満たし、光導波路２として良好な特性
を発揮する。しかし、上記光導波路２を形成する基板１
自体も光透過性が良い為、例えば第２図に示すように、
レーザダイオード５から光導波路２に導入すべき光のう
ち、上記光導波路２と結合しない為に生じた漏洩光が基
板１内を伝搬し、空気との界面（裏面）で全反射してフ
ォトダイオードアレイ６に到達すると云う不具合がある
。
この漏洩光による不具合は、光スペクトラム・アナライ
ザ装置としてのダイナミックレンジ、測定分析精度等を
著しく劣化させると云う問題を招く。この為、光集積回
路の発展の妨げとなっていた。
ザ装置としてのダイナミックレンジ、測定分析精度等を
著しく劣化させると云う問題を招く。この為、光集積回
路の発展の妨げとなっていた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、光導波路以外を伝搬する不要光
を効果的に除去して、その悪影響を防ぐことのできる簡
易で実用性の高い構成の光導波路装置を提供することに
ある。
の目的とするところは、光導波路以外を伝搬する不要光
を効果的に除去して、その悪影響を防ぐことのできる簡
易で実用性の高い構成の光導波路装置を提供することに
ある。
本発明は光導波路層を形成してなる基板の屈折率と等し
いか、或いはそれより犬なる屈折率を有し、且つ光吸収
損失の大なる材料からなる光吸収層を前記基板の裏面、
或いは前記基板と前記光導波路層のクラッド層との間に
形成したことを特徴とするものである。
いか、或いはそれより犬なる屈折率を有し、且つ光吸収
損失の大なる材料からなる光吸収層を前記基板の裏面、
或いは前記基板と前記光導波路層のクラッド層との間に
形成したことを特徴とするものである。
従って本発明によれば、光吸収層によって基板内に導入
された不要光を効果的に吸収除去することか可能となり
、光導波路層を伝搬する光の効果的な処理を行い得る光
集積回路の実現が容易となる。
された不要光を効果的に吸収除去することか可能となり
、光導波路層を伝搬する光の効果的な処理を行い得る光
集積回路の実現が容易となる。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説明する。
第３図は第１の実施例装置の断面構造を示すものである
。尚、従来装置と同一部分には同一符号を付して示しで
ある。この装置が特徴とするところは、上面に光導波路
層２を形成してなる基板１の裏面に、上記基板Ｉの屈折
率と等しいか、或いはそれより大なる屈折率を有し、且
つ光吸収損失の大なる物質、例えばガリウム砒素等化合
物半導体からなる光吸収層８を設けた点にある。
。尚、従来装置と同一部分には同一符号を付して示しで
ある。この装置が特徴とするところは、上面に光導波路
層２を形成してなる基板１の裏面に、上記基板Ｉの屈折
率と等しいか、或いはそれより大なる屈折率を有し、且
つ光吸収損失の大なる物質、例えばガリウム砒素等化合
物半導体からなる光吸収層８を設けた点にある。
このように光吸収層８を設けた構造の光導波路装置によ
れば、例えばレーデダイオード５と光導波路層２との結
合が悪く、その入射時に基板１に漏洩した光は、上記基
板１内を伝搬してその裏面である光吸収層８との界面に
到達する。
れば、例えばレーデダイオード５と光導波路層２との結
合が悪く、その入射時に基板１に漏洩した光は、上記基
板１内を伝搬してその裏面である光吸収層８との界面に
到達する。
このとき、光吸収層８の屈折率が基板１に等しいか、或
いは大きい為、上記漏洩光は上記界面にて全反射される
ことなく光吸収層８に直接、あるいは屈折して入射する
。そして、この光吸収層８に入射した漏洩光は、光吸収
損失を受は乍ら上記光吸収層８を伝搬してその裏面であ
る空気との界面に到達し、全反射する。更にこの全反射
した漏洩光は光吸収層８を伝搬し、基板１内を通過して
、導波路層上面（空気との境界面）にて全反射し、再び
光吸収層８へ向って伝搬し、多重反射を繰返し乍ら、且
つ吸収損失を受は乍ら伝搬する。この結果、フォトダイ
オードアレイ６に到達するときには非常に少ない光量と
なり、光導波路層２を伝搬する光に対して悪影響を及ぼ
すことがなくなる。尚、上記漏洩光の光吸収損失量は、
光吸収層８の膜厚を適当に選ぶことによって所望量に適
宜定めることができる。
いは大きい為、上記漏洩光は上記界面にて全反射される
ことなく光吸収層８に直接、あるいは屈折して入射する
。そして、この光吸収層８に入射した漏洩光は、光吸収
損失を受は乍ら上記光吸収層８を伝搬してその裏面であ
る空気との界面に到達し、全反射する。更にこの全反射
した漏洩光は光吸収層８を伝搬し、基板１内を通過して
、導波路層上面（空気との境界面）にて全反射し、再び
光吸収層８へ向って伝搬し、多重反射を繰返し乍ら、且
つ吸収損失を受は乍ら伝搬する。この結果、フォトダイ
オードアレイ６に到達するときには非常に少ない光量と
なり、光導波路層２を伝搬する光に対して悪影響を及ぼ
すことがなくなる。尚、上記漏洩光の光吸収損失量は、
光吸収層８の膜厚を適当に選ぶことによって所望量に適
宜定めることができる。
従って本装置によれば、レーザダイオード５より発生し
た光を光導波路層２を伝搬してフォトダイオードアレイ
６に導いて信号処理するに際して、基板Ｉに漏洩した光
による悪影響を受けることがない。これ故、上記信号処
理におけるダイナミックレンジを十分広くして高精度な
信号処理を”ｆ （ｔ１’、とする。そして、実用性の
高い光集積化回路を簡易に実現することが可能となる。
た光を光導波路層２を伝搬してフォトダイオードアレイ
６に導いて信号処理するに際して、基板Ｉに漏洩した光
による悪影響を受けることがない。これ故、上記信号処
理におけるダイナミックレンジを十分広くして高精度な
信号処理を”ｆ （ｔ１’、とする。そして、実用性の
高い光集積化回路を簡易に実現することが可能となる。
第４図は本発明の第２の実施例装置を示す構成図である
。この実施例装置は、基板１上に光導波路層２を形成す
るに際して、上記基板１上に光吸収層８を形成したのち
その上にクラッドＪ傍９を形成、し、このクラッド層９
上に前記光導波路層８を形成したものである。しかして
この場合、上記光導波路層８の屈折率を、クラッド層９
の屈折率に等しいか、あるいはそれよりも大きく定める
。
。この実施例装置は、基板１上に光導波路層２を形成す
るに際して、上記基板１上に光吸収層８を形成したのち
その上にクラッドＪ傍９を形成、し、このクラッド層９
上に前記光導波路層８を形成したものである。しかして
この場合、上記光導波路層８の屈折率を、クラッド層９
の屈折率に等しいか、あるいはそれよりも大きく定める
。
このような構造とすれば、光導波路層２への入射時に漏
洩してクラッド層９に入射した光は、光吸収層８との界
面で全反射することなく上記光吸収層８に入射する。そ
して、多重反射し乍ら伝搬して光吸収損失が加えられて
減衰する。
洩してクラッド層９に入射した光は、光吸収層８との界
面で全反射することなく上記光吸収層８に入射する。そ
して、多重反射し乍ら伝搬して光吸収損失が加えられて
減衰する。
従って、先の第１の実施例装置と同様な作用・効果が呈
せられることになる。
せられることになる。
尚、第１の実施例装置にあっては光吸収層８と空気との
界面を、また第２の実施例装置にあっては光吸収層８と
基板１との界面を光拡散面処理、つまり所請すりガラス
面状に加工すれば、光吸収層８を伝搬する漏洩光に、更
に散乱損失を加えることが可能となり、漏洩光の除去効
果が増大する。
界面を、また第２の実施例装置にあっては光吸収層８と
基板１との界面を光拡散面処理、つまり所請すりガラス
面状に加工すれば、光吸収層８を伝搬する漏洩光に、更
に散乱損失を加えることが可能となり、漏洩光の除去効
果が増大する。
以上説明したように本装置によれば、光導波路２と光源
との結合部で生じた漏洩光を光吸収層８に導ひいて吸収
除去することができるので、信号処理に供する光導波路
２に導入された光に悪影響を及ぼすことがなくなる。こ
れ故、信号処理のダイナミックレンジの低減を回避して
、所期の信号処理目的を効果的に果し得る実用性の高い
光集積化回路を簡易に実現することが可能となる。
との結合部で生じた漏洩光を光吸収層８に導ひいて吸収
除去することができるので、信号処理に供する光導波路
２に導入された光に悪影響を及ぼすことがなくなる。こ
れ故、信号処理のダイナミックレンジの低減を回避して
、所期の信号処理目的を効果的に果し得る実用性の高い
光集積化回路を簡易に実現することが可能となる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば光吸収層８をス・ンツタリングによって形成するも
のとすれば、基板１の材料を特に選択する必要はない。
えば光吸収層８をス・ンツタリングによって形成するも
のとすれば、基板１の材料を特に選択する必要はない。
また光吸収損失量は、光吸収層８の光吸収率とその膜厚
との積に依存し、従って仕様に応じて上記光吸収層８の
材料と膜厚とを定めればよい。要するに本発明はその要
旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができ
る。
との積に依存し、従って仕様に応じて上記光吸収層８の
材料と膜厚とを定めればよい。要するに本発明はその要
旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができ
る。
第１図は光集積化装置の一例を示す＋１４成図、第２図
は従来装置の構造を示す図、第３図および第４図はそれ
ぞれ本発明の実施例装置の構造を示す図である。 １・・・基板、２・・・光導波路層、５・・・レーデダ
イオード、６・・・フォトダイオード、８・・・光吸収
層、９・・・クラッド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
は従来装置の構造を示す図、第３図および第４図はそれ
ぞれ本発明の実施例装置の構造を示す図である。 １・・・基板、２・・・光導波路層、５・・・レーデダ
イオード、６・・・フォトダイオード、８・・・光吸収
層、９・・・クラッド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (3)
- （１）基板上に光導波路を形成した光導波路装置におい
て、上記基板の屈折率と等しいか或いは大きい屈折率を
有し、且つ光吸収損失の犬なる物質からなる光吸収層を
前記基板の裏面若しくは前記基板と前記光導波路層のク
ラッド層との間に設けたことを特徴とする光導波路装置
。 - （２）光吸収層を形成する物質が化合物半導体であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波路装
置。 - （３）光吸収層の基板との界面若しくは空気との界面は
、光拡散面処理されたものである特許請求の範囲第１項
記載の光導波路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12979482A JPS5919907A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 光導波路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12979482A JPS5919907A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 光導波路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919907A true JPS5919907A (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=15018391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12979482A Pending JPS5919907A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 光導波路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919907A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626202A (ja) * | 1985-03-11 | 1987-01-13 | Kuraray Co Ltd | 薄膜導波路及びその製法 |
| JPS62145209A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路装置 |
| JPH01144002A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| JPH02257107A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-10-17 | Litton Syst Inc | エネルギフイルタ装置 |
| EP0883000A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | Akzo Nobel N.V. | Optical planar waveguide structure comprising of a stray light capture region and method of manufacture of the same |
| US6160945A (en) * | 1997-09-12 | 2000-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical waveguide device for loss absorption and fabrication method thereof |
| WO2002097491A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Bookham Technology Plc | Deep trenches for optical and electrical isolation |
| FR2986623A1 (fr) * | 2012-02-07 | 2013-08-09 | Ixblue | Circuit optique integre a reflexion primaire attenuee |
| US11266585B2 (en) * | 2015-09-08 | 2022-03-08 | Novamont S.P.A. | Lipophilic cosmetic compositions containing pelargonic acid esters |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP12979482A patent/JPS5919907A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626202A (ja) * | 1985-03-11 | 1987-01-13 | Kuraray Co Ltd | 薄膜導波路及びその製法 |
| JPS62145209A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導波路装置 |
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| WO2002097491A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-05 | Bookham Technology Plc | Deep trenches for optical and electrical isolation |
| FR2986623A1 (fr) * | 2012-02-07 | 2013-08-09 | Ixblue | Circuit optique integre a reflexion primaire attenuee |
| US9081136B2 (en) | 2012-02-07 | 2015-07-14 | Ixblue | Attenuated primary reflection integrated optical circuit |
| US11266585B2 (en) * | 2015-09-08 | 2022-03-08 | Novamont S.P.A. | Lipophilic cosmetic compositions containing pelargonic acid esters |
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