JPH11143079A

JPH11143079A - 感放射線性樹脂組成物

Info

Publication number: JPH11143079A
Application number: JP10221190A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Iwanaga; 伸一郎岩永; Hidekazu Kobayashi; 英一小林; Takayoshi Tanabe; 隆喜田辺; Kazuo Kawaguchi; 和雄河口
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1997-09-02
Filing date: 1998-08-05
Publication date: 1999-05-28
Anticipated expiration: 2018-08-05
Also published as: JP3991459B2

Abstract

(57)【要約】【課題】各種の放射線に感応し、感度、解像度が優れ
るとともに、定在波の影響が少なく、パターン形状にも
優れ、かつ高度の耐熱性を有する化学増幅型ポジ型レジ
ストとして感放射線性樹脂組成物を提供する。【解決手段】感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（ａ）
重合性の炭素−炭素二重結合を１個有する単量体に由来
する繰返し単位（Ｉ）と、（ｂ）重合性の炭素−炭素二
重結合を２個以上と、酸の作用により分解する２価のエ
ステル基および／またはカーボネート基を少なくとも１
個とを有する単量体であって、各炭素−炭素二重結合が
前記２価の基を介して連結した構造を有する単量体に由
来する繰返し単位（II) とを含有する共重合体、および
（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、紫外線、遠紫外線、Ｘ
線あるいは荷電粒子線の如き各種放射線を使用する微細
加工に好適な化学増幅型ポジ型レジストとして有用な感
放射線性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、集積回路のより高い集積度を得る
ために、リソグラフィーにおけるデザインルールの微細
化が急速に進行しており、近年では、線幅０．５μｍ以
下の高精度の微細加工を安定して行なうことができるリ
ソグラフィープロセスの開発が強く推し進められてい
る。しかしながら、従来の可視光線（波長７００〜４０
０ｎｍ）や近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用い
る方法では、このような微細パターンを高精度に形成す
ることが困難であり、そのため、より幅広い焦点深度を
達成でき、デザインルールの微細化に有効な短波長（波
長３００ｎｍ以下）の放射線を用いるリソグラフィープ
ロセスが提案されている。このような短波長の放射線を
用いるリソグラフィープロセスとしては、例えば、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外線や、シンク
ロトロン放射線等のＸ線あるいは電子線等の荷電粒子線
を使用する方法が提案されている。そして、これらの短
波長の放射線に対応する高解像度レジストとして、イン
ターナショナル・ビジネス・マシーン（ＩＢＭ）社によ
り「化学増幅型レジスト」が提唱され、現在、この化学
増幅型レジストの開発・改良が精力的に進められてい
る。化学増幅型レジストは、それに含有される感放射線
性酸発生剤への放射線の照射により酸を発生させ、この
酸の触媒作用により、レジスト被膜中で化学反応（例え
ば、極性の変化、化学結合の開裂、架橋反応等）を生起
させ、現像液に対する溶解性が放射線照射部において変
化する現象を利用して、パターンを形成するものであ
る。そして、従来の化学増幅型レジストのうち比較的良
好なレジスト性能を示すものに、樹脂成分として、アル
カリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をｔ−ブチルエス
テル基やｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂（特
公平２−２７６６０号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂
中のアルカリ親和性基をケタール基で保護した樹脂（特
開平７−１４０６６６号公報参照）、アルカリ可溶性樹
脂中のアルカリ親和性基をアセタール基で保護した樹脂
（特開平２−１６１４３６号公報および特開平５−２４
９６８２号公報参照）を使用したレジストが知られてい
る。しかしながら、これらの化学増幅型レジストにはそ
れぞれ固有の問題があり、実用化に際して種々の困難を
伴うことが指摘されている。その大きな問題として、放
射線の照射から照射後のベーク（以下、「ポストベー
ク」という。）までの引き置き時間（Post Exposure Ti
me Delay、以下「ＰＥＤ」という。）により、レジスト
パターンの線幅が変化したり、あるいはレジストパター
ンがＴ−型形状となったりすることが挙げられる。ま
た、これらの問題に加えて、ＰＥＤによる解像度の変
動、ベーク温度依存性等が大きく、プロセス安定性の面
でも不十分であり、化学増幅型レジストとしての総合特
性の観点からさらなる改善が求められている。ところ
で、前述した化学増幅型レジストの中では、ヒドロキシ
スチレンとｔ−ブチルアクリレートとの共重合体を樹脂
成分とするポジ型レジスト（以下、「タイプ」とい
う。）およびポリ（ヒドロキシスチレン）のフェノール
性水酸基をケタール基あるいはアセタール基で保護した
樹脂成分を使用したポジ型レジスト（以下、「タイプ
」という。）は、前記諸問題に対して比較的耐性のあ
ることが報告されている。しかしながら、タイプのレ
ジストは、波長２４８ｎｍに吸収係数の小さいアクリル
成分を多く含有するため、定在波の影響が大きくなっ
て、パターン形状が損なわれ、解像度も劣るという欠点
があり、またタイプのレジストは耐熱性が低く、熱に
よりパターン形状が変形しやすいという欠点があり、こ
れらのレジストも、微細化への要求が高まるなか、解像
度、耐熱性等を含む種々の要求特性を同時に満足させる
ことができない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況に鑑み、特に化学増幅型レジストを構成する樹脂成
分についてさらに詳細に検討した結果見い出されたもの
であって、その課題は、各種放射線に有効に感応し、感
度、解像度が優れるとともに、定在波の影響が少なく、
パターン形状にも優れ、かつ高度の耐熱性を有する化学
増幅型ポジ型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成
物を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（Ａ）（ａ）重合性の炭素−炭素二重結合を１個
有する単量体の該炭素−炭素二重結合が開裂して得られ
る繰返し単位（Ｉ）と、（ｂ）重合性の炭素−炭素二重
結合を２個以上有し、かつ酸の作用により分解する下記
構造式（１）または構造式（２）で表される２価の基を
少なくとも１個有する単量体であって、各炭素−炭素二
重結合が前記２価の基を介して連結した構造を有する単
量体の該炭素−炭素二重結合が開裂して得られる繰返し
単位（II) とを含有する共重合体、および（Ｂ）感放射
線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放射線性樹
脂組成物、

【０００５】

【化３】

【０００６】

【化４】

【０００７】〔構造式（１）および構造式（２）におい
て、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は相互に独立に炭素数
１〜５のアルキル基または炭素数６〜１４のアリール基
を示す。〕によって達成される。

【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。（Ａ）共重合体本発明において使用される（Ａ）共重合体は、前記繰返
し単位（Ｉ）と前記繰返し単位（II）とを含有する共重
合体からなる。繰返し単位（Ｉ）としては、例えば、
（Ａ）共重合体をアルカリ可溶性とする作用を示す繰返
し単位（以下、「繰返し単位（Ｉ−１）」という。）、
酸の作用により分解して（Ａ）共重合体をアルカリ可溶
性とする作用を示す繰返し単位（以下、「繰返し単位
（Ｉ−２）」という。）、（Ａ）共重合体のアルカリ可
溶性を低下させる作用を示す繰返し単位（以下、「繰返
し単位（Ｉ−３）」という。）等を挙げることができ
る。

【０００９】繰返し単位（Ｉ−１）を与える単量体（以
下、「単量体（Ｉ−１）」という。）としては、例え
ば、カルボキシル基、フェノール性水酸基等の酸性官能
基を有する単量体を挙げることができる。このような単
量体（Ｉ−１）のうち、カルボキシル基を有する単量体
の具体例としては、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、
けい皮酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、２−
（メタ）アクリロイロキシエチルカルボン酸、４−（メ
タ）アクリロイロキシシクロヘキシルカルボン酸等を挙
げることができ、またフェノール性水酸基を有する単量
体の具体例としては、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒ
ドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−イソ
プロペニルフェノール、ｍ−イソプロペニルフェノー
ル、ｐ−イソプロペニルフェノール等を挙げることがで
きる。これらの単量体（Ｉ−１）は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。

【００１０】繰返し単位（Ｉ−２）を与える単量体（以
下、「単量体（Ｉ−２）」という。）としては、例え
ば、酸の作用により分解してカルボキシル基、フェノー
ル性水酸基等の酸性官能基を形成する単量体を挙げるこ
とができる。このような単量体（Ｉ−２）のうち、酸の
作用により分解してカルボキシル基を形成する単量体の
具体例としては、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、テ
トラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、２−メトキ
シエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル
（メタ）アクリレート、２−ｔ−ブトキシカルボニルエ
チル（メタ）アクリレート、２−シアノエチル（メタ）
アクリレート等の酸分解性エステル基で保護された（メ
タ）アクリレート類；ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニルメ
トキシ）スチレン、ｍ−（ｔ−ブトキシカルボニルメト
キシ）スチレン、ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメトキ
シ）スチレンや、これらのα−メチル置換体等の酸分解
性エステル基で保護されたヒドロキシ（α−メチル）ス
チレン誘導体類等を挙げることができる。

【００１１】また、酸の作用により分解してフェノール
性水酸基を形成する単量体の具体例としては、ｐ−（１
−メトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエ
トキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシエトキ
シ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシエトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）ス
チレン、ｐ−（１−イソボルニルオキシエトキシ）スチ
レンや、これらのα−メチル置換体等のアセタール基で
保護されたヒドロキシ（α−メチル）スチレン類；ｐ−
アセトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレンや、これらのα
−メチル置換体等を挙げることができる。これらの単量
体（Ｉ−２）は、単独でまたは２種以上を混合して使用
することができる。

【００１２】繰返し単位（Ｉ−３）を与える単量体（以
下、「単量体（Ｉ−３）」という。）としては、例え
ば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレ
ン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−メトキシスチレン等の芳
香族ビニル化合物；Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニル
カプロラクタム等のヘテロ原子含有脂環式ビニル化合
物；（メタ）アクリロニトリル、シアン化ビニリデン等
のシアノ基含有ビニル化合物；（メタ）アクリルアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチロール（メタ）アクリルアミド等の（メタ）ア
クリルアミド（誘導体）類；メチル（メタ）アクリレー
ト、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メ
タ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレー
ト、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−
ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロ
キシプロピル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）
アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、
ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）
アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレー
ト等を挙げることができる。これらの単量体（Ｉ−３）
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。

【００１３】本発明における繰返し単位（Ｉ）として
は、繰返し単位（Ｉ−２）が好ましく、特に、ｔ−ブチ
ル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メ
タ）アクリレート、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチ
レン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ
−ｔ−ブトキシスチレン等が好ましい。繰返し単位
（Ｉ）中の繰返し単位（Ｉ−２）の含有率は、通常、２
０重量％以上、好ましくは２０〜６０重量％、さらに好
ましくは２５〜５０重量％である。繰返し単位（Ｉ）
は、（Ａ）共重合体中に単独でまたは２種以上が存在す
ることができる。（Ａ）共重合体における繰返し単位（Ｉ）の含有率は、
通常、６０〜９９重量％、好ましくは７０〜９８重量
％、さらに好ましくは７５〜９７重量％である。この場
合、繰返し単位（Ｉ）の含有率が６０重量％未満では、
レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方９
９重量％を超えると、相対的に繰返し単位（II) の含有
率が少なくなり、レジストとしての感度、基板との密着
性等が低下する傾向がある。

【００１４】次に、繰返し単位（II）は、（Ａ）共重合
体中に適度の分岐構造を導入することにより重合体分子
鎖の運動性を低下させて、熱変形を抑制し、耐熱性を改
良する作用と、酸の作用により分解して（Ａ）共重合体
を低分子量化させる作用を有する単位である。また同時
に、繰返し単位（II）により（Ａ）共重合体中に分岐構
造が導入されるため、直鎖状重合体の場合と比べて、重
合体溶液の粘度を下げることが可能となり、その結果
（Ａ）共重合体をより高分子量化でき、レジストとして
の耐熱性がさらに改良され、かつ解像度も向上させるこ
とがきる。さらに、繰返し単位（II）が酸の作用により
分解する特定の基を有し、該基が酸の作用により分解す
ることにより、（Ａ）共重合体中の分岐構造が破壊され
低分子量化するため、酸の存在下における（Ａ）共重合
体の溶解性がより向上し、レジストとしての解像度が飛
躍的に改善されることとなる。

【００１５】繰返し単位（II）を与える単量体（以下、
「単量体（II）」という。）は、前記構造式（１）で表
される２価のエステル基（以下、「エステル基（１）」
という。）または前記構造式（２）で表される２価のカ
ーボネート基（以下、「カーボネート基（２）」とい
う。）を少なくとも１個有する単量体からなる。このよ
うな単量体（II）のうち、エステル基（１）を有する単
量体（II）は、例えば、少なくとも１個の三級水酸基を
有する多価アルコールと、重合性の炭素−炭素二重結合
を１個有する１価カルボン酸とをエステル化反応させる
ことにより合成することができる。前記エステル化反応
は、例えば、前記カルボン酸化合物の酸クロライドを前記多価アル
コールと反応させる酸クロライド法、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の縮合剤を用いて
前記多価アルコールと前記カルボン酸化合物とを反応さ
せる方法、トリフルオロ酢酸無水物等の強酸の無水物を脱水剤と
して用いて前記多価アルコールと前記カルボン酸化合物
とを反応させる方法、前記多価アルコールと前記カルボン酸化合物のエステ
ルとのエステル交換法等により実施することができる。

【００１６】エステル基（１）を有する単量体（II）の
合成に使用される三級水酸基を有する多価アルコールと
しては、例えば、下記一般式（３）〜（６）で表される
化合物等を挙げることができる。

【００１７】

【化５】

【００１８】〔一般式（３）において、各Ｒは構造式
（１）および構造式（２）のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ
⁴と同義であり、複数存在するＲは相互に同一でも異な
ってもよく、Ｒ⁵はｉ価の有機基を示すか、あるいはｉ
＝２のとき単結合を示し、ｉは２〜４の整数である。〕

【００１９】

【化６】

【００２０】〔一般式（４）において、各Ｒは構造式
（１）および構造式（２）のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ
⁴と同義であり、複数存在するＲは相互に同一でも異な
ってもよく、Ｒ⁶は炭素数１〜５のアルキル基を示し、
複数存在するＲ⁶は相互に同一でも異なってもよく、ｊ
は２〜４の整数、ｍは０〜４の整数で、ｊ＋ｍ≦６であ
る。〕

【００２１】

【化７】

【００２２】〔一般式（５）において、各Ｒは構造式
（１）および構造式（２）のＲ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ
⁴と同義であり、複数存在するＲは相互に同一でも異な
ってもよく、Ｒ⁷は炭素数１〜５のアルキル基を示し、
複数存在するＲ⁷は相互に同一でも異なってもよく、Ｒ
⁸はｚ価の有機基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−
ＳＯ₂−を示し、ｋは１または２、ｎは０〜３の整数、
ｚは２〜４の整数である。〕一般式（３）で表される化
合物としては、例えば、２，３−ジメチル−２，３−ブ
タンジオール、２，３−ジエチル−２，３−ブタンジオ
ール、２，３−ジ−ｎ−プロピル−２，３−ブタンジオ
ール、２，３−ジフェニル−２，３−ブタンジオール、
２，４−ジメチル−２，４−ペンタンジオール、２，４
−ジエチル−２，４−ペンタンジオール、２，４−ジ−
ｎ−プロピル−２，４−ペンタンジオール、２，４−ジ
フェニル−２，４−ペンタンジオール、２，５−ジメチ
ル−２，５−ヘキサンジオール、２，５−ジエチル−
２，５−ヘキサンジオール、２，５−ジ−ｎ−プロピル
−２，５−ヘキサンジオール、２，５−ジフェニル−
２，５−ヘキサンジオール、２，６−ジメチル−２，６
−ヘプタンジオール、２，６−ジエチル−２，６−ヘプ
タンジオール、２，６−ジ−ｎ−プロピル−２，６−ヘ
プタンジオール、２，６−ジフェニル−２，６−ヘプタ
ンジオール等の２価の三級アルコール類；２，４−ジメ
チル−２，４−ジヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシプ
ロピル）ペンタン、２，４−ジエチル−２，４−ジヒド
ロキシ−３−（２−ヒドロキシプロピル）ペンタン、
２，５−ジメチル−２，５−ジヒドロキシ−３−（２−
ヒドロキシプロピル）ヘキサン、２，５−ジエチル−
２，５−ジヒドロキシ−３−（２−ヒドロキシプロピ
ル）ヘキサン等の３価の三級アルコール類；２，４−ジ
メチル−２，４−ジヒドロキシ−３，３−ジ（２−ヒド
ロキシプロピル）ペンタン、２，４−ジエチル−２，４
−ジヒドロキシ−３，３−ジ（２−ヒドロキシプロピ
ル）ペンタン、２，５−ジメチル−２，５−ジヒドロキ
シ−３，４−ジ（２−ヒドロキシプロピル）ヘキサン、
２，５−ジエチル−２，４−ジヒドロキシ−３，４−ジ
（２−ヒドロキシプロピル）ヘキサン等の４価の三級ア
ルコール類等を挙げることができる。

【００２３】また、一般式（４）で表される化合物とし
ては、例えば、１，４−ジ（２−ヒドロキシプロピル）
ベンゼン、１，３−ジ（２−ヒドロキシプロピル）ベン
ゼン、１，３，５−トリ（２−ヒドロキシプロピル）ベ
ンゼン、１，２，４，５−テトラ（２−ヒドロキシプロ
ピル）ベンゼン等を挙げることができる。また、一般式
（５）で表される化合物としては、例えば、２，２−ビ
ス｛４−（２−ヒドロキシプロピル）フェニル｝プロパ
ン、１，２，２−トリス｛４−（２−ヒドロキシプロピ
ル）フェニル｝プロパン、１，２，３，４−テトラ｛４
−（２−ヒドロキシプロピル）フェニル｝ブタン、ビス
｛４−（２−ヒドロキシプロピル）フェニル｝エーテ
ル、ビス｛４−（２−ヒドロキシプロピル）フェニル｝
スルフィド、ビス｛４−（２−ヒドロキシプロピル）フ
ェニル｝ケトン、ビス｛４−（２−ヒドロキシプロピ
ル）フェニル｝スルホン等を挙げることができる。

【００２４】これらの一般式（３）〜（５）で表される
２〜４価の三級アルコールのうち、特に、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオール、１，４−ジ（２−ヒ
ドロキシプロピル）ベンゼン、１，３−ジ（２−ヒドロ
キシプロピル）ベンゼン等が好ましい。エステル基
（１）を有する単量体（II）を合成する際に使用される
重合性の炭素−炭素二重結合を１個有する１価カルボン
酸としては、例えば、前記単量体（Ｉ−１）について例
示したカルボキシル基を有する単量体と同様の化合物等
を挙げることができる。

【００２５】また、カーボネート基（２）を有する単量
体（II) は、例えば、少なくとも１個の三級水酸基を有
する多価アルコールを、ホスゲン等によりポリ（クロロ
ホルメート化）し、これを重合性の炭素−炭素二重結合
を１個有する１価アルコールと反応させることにより合
成することができる。カーボネート基（２）を有する単
量体（II) を合成する際に使用される少なくとも１個の
三級水酸基を有する多価アルコールとしては、例えば、
前記エステル基（１）を有する単量体（II) の合成に使
用されるものと同様の２〜４価の三級アルコールを挙げ
ることができる。このような２〜４価の三級アルコール
のうち、特に、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジ
オール、１，４−ジ（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼ
ン、１，３−ジ（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼン等
が好ましい。また、カーボネート基（２）を有する単量
体（II) を合成する際に使用される重合性の炭素−炭素
二重結合を１個有する１価アルコールとしては、例え
ば、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレ
ン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−イソプロペニルフェ
ノール、ｍ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロ
ペニルフェノール等のヒドロキシスチレン類；２−ヒド
ロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプ
ロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）
アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレ
ート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等の
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類等を挙げる
ことができる。繰返し単位（II) は、（Ａ）共重合体中
に単独でまたは２種以上が存在することができる。

【００２６】（Ａ）共重合体における繰返し単位（II）
の含有率は、通常、１〜４０重量％、好ましくは２〜３
０重量％、さらに好ましくは３〜２５重量％である。こ
の場合、繰返し単位（II）の含有率が１重量％未満で
は、レジストとしての感度、基板との密着性が低下する
傾向があり、一方４０重量％を超えると、レジストとし
ての解像度が低下する傾向がある。

【００２７】（Ａ）共重合体は、例えば、（イ）単量体
（Ｉ）と単量体（II) とを、直接共重合する方法、
（ロ）ｐ−アセトキシスチレンと単量体（II) とを、場
合によりｐ−アセトキシスチレン以外の単量体（Ｉ）と
共に、共重合したのち、塩基性条件下で加水分解反応を
行って、ｐ−ヒドロキシスチレンと単量体（II) との、
場合によりｐ−アセトキシスチレン以外の単量体（Ｉ）
を含有する共重合体を得る方法、（ハ）前記（ロ）の方
法により得た共重合体中のフェノール性水酸基の少なく
とも一部を、１−エトキシエトキシ基、ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ基等の酸の作用により分解する基で保護
する方法等により製造することができる。前記（イ）〜
（ハ）の方法における重合は、重合開始剤、分子量調節
剤等を使用する公知の方法により実施することができ
る。前記重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパー
オキシド、ラウロイルパーオキシド、２，２’−アゾビ
スイソブチロニトリル、４，４’−アゾビス（４−シア
ノ吉草酸）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，
４−ジメチルバレロニトリル）等を挙げることができ
る。これらの重合開始剤は、単独でまたは２種以上を混
合して使用することができる。また、前記分子量調節剤
としては、例えば、四塩化炭素、クロロホルム、四臭化
炭素等のハロゲン化炭化水素類；ｎ−ヘキシルメルカプ
タン、ｎ−オクチルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカ
プタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、チオグリコール
酸、チオプロピオン酸等のメルカプタン類；ジメチルキ
サントゲンジサルファイド、ジイソプロピルキサントゲ
ンジサルファイド等のキサントゲン類や、ターピノーレ
ン、α−メチルスチレンダイマー等を挙げることができ
る。これらの分子量調節剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができる。

【００２８】（Ａ）共重合体のゲルパーミエーションク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重
量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、１
０，０００〜５００，０００、好ましくは１５，０００
〜２００，０００、さらに好ましくは２０，０００〜１
５０，０００である。この場合、（Ａ）共重合体のＭｗ
が１０，０００未満であると、レジストとしての感度、
耐熱性等が低下する傾向があり、一方５００，０００を
超えると、現像液に対する溶解性が低下する傾向があ
る。また、（Ａ）共重合体のＭｗとゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換
算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍ
ｗ／Ｍｎ）は、通常、１．５〜１０．０、好ましくは
２．０〜５．０である。本発明において、（Ａ）共重合
体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することが
できる。

【００２９】（Ｂ）感放射線性酸発生剤本発明において使用される（Ｂ）感放射線性酸発生剤
は、放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸
を発生する化合物からなる。（Ｂ）感放射線性酸発生剤
としては、例えば、下記するオニウム塩化合物、ス
ルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホ
ンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等を挙げること
ができる。オニウム塩化合物オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、
スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ア
ンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができ
る。オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニ
ルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨ
ードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨー
ドニウムノナフルオロブタンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネ
ート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ
−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニ
ウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスル
ホニウムナフタレンスルホネート、４−ヒドロキシフェ
ニル・ベンジル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスル
ホネート等を挙げることができる。スルホン化合物スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、
β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物
等を挙げることができる。スルホン化合物の具体例とし
ては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシ
ルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−
トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキル
スルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステ
ル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート
等を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の
具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロール
トリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロール
メタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，
１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α
−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベ
ンゾインオクタンスルホネート、α−メチロールベンゾ
イントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロール
ベンゾインドデシルスルホネート等を挙げることができ
る。スルホンイミド化合物スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式（６）
で表される化合物を挙げることができる。

【００３０】

【化８】

【００３１】〔式（６）において、Ｑはアルキレン基、
アリーレン基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、
Ｒ⁹はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル
基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕スルホンイミド化合物の具体例としては、Ｎ−（トリフ
ルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−
（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミ
ド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフ
ェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニ
ルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチル
スルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ
−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニル
オキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンファースルホニル
オキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファースルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファースルホニルオ
キシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファースルホ
ニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン
−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カンファースルホ
ニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カン
ファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
タン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ
−（カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ
−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイ
ミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フ
タルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニル
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチル
フェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−
２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−メチルフェニル
スルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフ
ルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミ
ド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチル
フェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ
−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフ
ェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミ
ド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オ
キシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミ
ド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスルホニル
オキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルス
ルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−フ
ルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ
−（４−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−フルオロフェニルスル
ホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，
６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（４−フ
ルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド等を
挙げることができる。

【００３２】ジアゾメタン化合物ジアゾメタン化合物としては、例えば、下記式（７）で
表される化合物を挙げることができる。

【００３３】

【化９】

【００３４】〔式（７）において、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は相
互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アル
キル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示
す。〕ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフル
オロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘ
キシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニ
ル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−トルエンス
ルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル
−１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメ
タン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジア
ゾメタン等を挙げることができる。これらの（Ｂ）感放
射線性酸発生剤のうち、オニウム塩化合物、スルホ
ン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物および
ジアゾメタン化合物が好ましく、特に、ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスル
ホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムカンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェ
ニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフ
ェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネ
ート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチ
ロールベンゾインオクタンスルホネート、α−メチロー
ルベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メ
チロールベンゾインドデシルスルホネート、ピロガロー
ルメタンスルホン酸トリエステル、Ｎ−（トリフルオロ
メチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カン
ファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプ
ト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（カン
ファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、ビス（シク
ロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン等が好ましい。本
発明において、（Ｂ）感放射線性酸発生剤は、単独でま
たは２種以上を混合して使用することができる。

【００３５】（Ｂ）感放射線性酸発生剤の使用量は、
（Ａ）共重合体１００重量部当たり、通常、１〜２０重
量部、好ましくは１〜１０重量部である。この場合、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤の使用量が１重量部未満で
は、露光によって発生した酸の触媒作用による化学変化
を十分生起させることが困難となるおそれがあり、また
２０重量部を超えると、組成物を塗布する際に塗布むら
が生じたり、現像時に現像残り（スカム）等を発生する
おそれがある。

【００３６】酸拡散制御剤本発明においては、さらに、露光により（Ｂ）感放射線
性酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における拡散
現象を制御し、未露光領域での好ましくない化学反応を
抑制する作用等を有する酸拡散制御剤を配合することが
好ましい。このような酸拡散制御剤を使用することによ
り、組成物の保存安定性が向上し、またレジストとし
て、解像度が向上するとともに、ＰＥＤによるレジスト
パターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定
性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤
としては、露光やベークにより塩基性が変化しない含窒
素有機化合物が好ましく、その具体例としては、式Ｒ¹²
Ｒ¹³Ｒ¹⁴Ｎ（但し、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は相互に独立
に水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル
基を示す。）で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（α）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
るジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（β）」とい
う。）、窒素原子を３個以上有する重合体（以下、「含
窒素化合物（γ）」という。）、アミド基含有化合物、
ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることがで
きる。

【００３７】含窒素化合物（α）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、
ｎ−ドデシルジメチルアミン等のトリアルキルアミン
類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
アニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、
４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニル
アミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン等の芳香
族アミン類を挙げることができる。

【００３８】含窒素化合物（β）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，４−ビス [１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル] ベンゼン、１，３−ビス [１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル] ベンゼン等を挙げ
ることができる。

【００３９】含窒素化合物（γ）としては、例えば、ポ
リエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノ
エチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができ
る。前記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルム
アミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベ
ンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙
げることができる。

【００４０】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア
等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合物とし
ては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４
−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミ
ダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピ
リジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４
−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニ
ルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、ニコ
チン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−
オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピ
ラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリ
ン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチル
モルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジ
ン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オクタン等
を挙げることができる。

【００４１】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（α）、含窒素複素環化合物が好ましく、また、
含窒素化合物（α）の中では、トリアルキルアミン類が
特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、ピリジン
類が特に好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは
２種以上を混合して使用することができる。酸拡散制御
剤の使用量は、（Ａ）共重合体１００重量部当たり、通
常、１５重量部以下、好ましくは０．００１〜１０重量
部、さらに好ましくは０．００５〜５重量部である。こ
の場合、酸拡散制御剤の使用量が１５重量部を超える
と、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する
傾向がある。なお、酸拡散制御剤の使用量が０．００１
重量部未満であると、プロセス条件によっては、レジス
トとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれ
がある。

【００４２】アルカリ可溶性樹脂本発明においては、必要に応じて、（Ａ）共重合体以外
に、アルカリ可溶性樹脂を添加することができる。この
アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ現像液に対して親和性
を示す官能基、例えば、カルボキシル基、フェノール性
水酸基等の酸性官能基を１種以上有する、アルカリ現像
液に可溶な樹脂からなる。このようなアルカリ可溶性樹
脂を使用することにより、本発明の感放射線性樹脂組成
物から形成されるレジスト被膜のアルカリ現像液への溶
解速度の制御が容易となる結果、現像性をさらに向上さ
せることができる。アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ現
像液に可溶である限り特に限定されるものではないが、
その例としては、ヒドロキシスチレン類、イソプロペニ
ルフェノール類、ビニル安息香酸類、カルボキシメチル
スチレン類、カルボキシメトキシスチレン類、（メタ）
アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタ
コン酸、シトラコン酸、メサコン酸、けい皮酸等の酸性
官能基を有するエチレン性不飽和単量体の重合性の炭素
−炭素二重結合が開裂した繰返し単位を少なくとも１種
有する付加重合系樹脂や、ノボラック樹脂に代表される
酸性官能基を有する縮合系繰返し単位を少なくとも１種
有する重縮合系樹脂等を挙げることができる。前記付加
重合系樹脂からなるアルカリ可溶性樹脂は、酸性官能基
を有するエチレン性不飽和単量体の重合性の炭素−炭素
二重結合が開裂した繰返し単位のみから構成されていて
もよいが、場合により、１種以上の他の繰返し単位をさ
らに含有することもできる。このような他の繰返し単位
としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビ
ニルトルエン類、無水マレイン酸、（メタ）アクリロニ
トリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロ
ニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イ
タコンニトリル、（メタ）アクリルアミド、クロトンア
ミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミ
ド、シトラコンアミド、イタコンアミド、ビニルアニリ
ン類、ビニルピリジン類、Ｎ−ビニル−ε−カプロラク
タム、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルイミダゾール
等の重合性の炭素−炭素二重結合が開裂した繰返し単位
を挙げることができる。前記付加重合系樹脂のうち、レ
ジスト被膜としたときの放射線の透過性が高く、またド
ライエッチング耐性にも優れるという観点から、特にポ
リ（ヒドロキシスチレン）類およびイソプロペニルフェ
ノール共重合体類が好ましい。

【００４３】また、前記重縮合系樹脂からなるアルカリ
可溶性樹脂は、酸性官能基を有する縮合系繰返し単位の
みから構成されていてもよいが、場合により、１種以上
の他の縮合系繰返し単位をさらに含有することもでき
る。このような重縮合樹脂は、例えば、１種以上のフェ
ノール類と１種以上のアルデヒド類とを、場合により他
の縮合系繰返し単位を形成しうる重縮合成分と共に、酸
性触媒あるいは塩基性触媒の存在下、水媒質中あるいは
水と親水性溶媒との混合媒質中で、（共）重縮合するこ
とによって製造することができる。前記フェノール類と
しては、例えば、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ
−クレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレ
ノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノー
ル、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、３，４，５−トリメチルフェノール等を挙げ
ることができ、また前記アルデヒド類としては、例え
ば、ホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアル
デヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド等を挙げるこ
とができる。

【００４４】アルカリ可溶性樹脂のＭｗは、通常、１，
０００〜１００，０００、好ましくは３，０００〜５
０，０００、さらに好ましくは３，０００〜３０，００
０である。この場合、アルカリ可溶性樹脂のＭｗが１，
０００未満では、レジストとしての解像度が低下する傾
向があり、一方１００，０００を超えると、レジスト溶
液の粘度が高くなり、基板に塗布したとき、塗布領域で
の膜厚が不均一となるおそれがある。前記アルカリ可溶
性樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。アルカリ可溶性樹脂の使用量は、（Ａ）共
重合体１００重量部当たり、通常、２００重量部以下で
ある。この場合、アルカリ可溶性樹脂の使用量が２００
重量部を超えると、レジストとしての解像度が低下する
傾向がある。

【００４５】各種添加剤さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応
じて、界面活性剤、増感剤等の各種添加剤を配合するこ
ともできる。前記界面活性剤は、組成物の塗布性やスト
リエーション、レジストとしての現像性等を改良する作
用を示す。このような界面活性剤としては、例えば、ポ
リオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレ
ンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコ
ールジステアレート等を挙げることができる。界面活性
剤の配合量は、（Ａ）共重合体１００重量部当たり、通
常、２重量部以下である。前記増感剤は、放射線のエネ
ルギーを吸収して、そのエネルギーを（Ｂ）感放射線性
酸発生剤に伝達することにより、露光による酸の生成量
を増加する作用を示すもので、レジストとしての見掛け
の感度を向上させる効果を有する。好ましい増感剤の例
としては、ベンゾフェノン類、ローズベンガル類、アン
トラセン類、アセトフェノン類、ピレン類、フェノチア
ジン類等を挙げることができる。増感剤の配合量は、
（Ａ）共重合体１００重量部当たり、通常、５０重量部
以下である。また、染料および／または顔料を配合する
ことにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハ
レーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合すること
により、基板との接着性をさらに改善することができ
る。さらに、他の添加剤として、例えば、ハレーション
防止剤、形状改良剤、保存安定化剤、消泡剤等を配合す
ることもできる。

【００４６】溶剤本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、
全固形分の濃度が、通常、３〜５０重量％、好ましくは
５〜４０重量％となるように、溶剤に均一に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、エチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレン
グリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、エ
チレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート
等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテー
ト類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコ
ールモノ−ｎ−ブチルエーテル等のプロピレングリコー
ルモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメ
チルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテ
ル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、
プロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のプロ
ピレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート
等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート類；乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、
乳酸ｉ−プロピル等の乳酸エステル類；酢酸エチル、酢
酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、
酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｉ−アミル、プ
ロピオン酸ｉ−プロピル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プ
ロピオン酸ｉ−ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル
類；３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、
３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、
ピルビン酸エチル等の他のエステル類；トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素類；２−ヘプタノン、３−ヘプ
タノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクトン等のラクト
ン類等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で
または２種以上を混合して使用される。

【００４７】レジストパターンの形成本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、前述したようにして調製された組成物
溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗
布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニ
ウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することに
より、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理
（以下、「プレベーク」という。）を行ったのち、所定
のマスクパターンを介して露光する。その際に使用され
る放射線としては、（Ｂ）感放射線性酸発生剤の種類に
応じて、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）に代表される
紫外線、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）や
ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）に代表され
る遠紫外線、シンクロトロン放射線に代表されるＸ線あ
るいは電子線に代表される荷電粒子線を適宜選択して使
用される。また、露光量等の露光条件は、組成物の配合
組成、添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。本発
明においては、レジスト被膜の見掛けの感度を向上させ
るために、ポストベークを行うことが好ましい。その加
熱条件は、組成物の配合組成、添加剤の種類等により変
わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは４０〜１５
０℃である。次いで、露光されたレジスト被膜を、アル
カリ現像液を用い、通常、１０〜５０℃、現像時間３０
〜２００秒の条件下で現像することにより、所定のレジ
ストパターンを形成する。前記アルカリ現像液として
は、例えばモノ−、ジ−あるいはトリ−アルキルアミン
類；モノ−、ジ−あるいはトリ−アルカノールアミン
類；複素環式アミン類；テトラアルキルアンモニウムヒ
ドロキシド類；コリン；１，８−ジアザビシクロ［５．
４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ
［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の少
なくとも１種を、通常、１〜１０重量％、好ましくは１
〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶
液が使用される。また、前記アルカリ性水溶液からなる
現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶
性有機溶剤や界面活性剤を適量添加することもできる。
このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用する
場合には、一般に、現像後、水洗する。なお、レジスト
パターンの形成に際しては、環境雰囲気中に含まれる塩
基性不純物等の影響を防止するため、レジスト被膜上に
保護膜を設けることもできる。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。実
施例および比較例におけるＭｗおよびＭｎの測定および
各レジストの評価は、下記の要領で行った。ＭｗおよびＭｎ東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ_XL ２本、
Ｇ３０００Ｈ_XL １本、Ｇ４０００Ｈ_XL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分散ポ
リスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマト
グラフィ（ＧＰＣ）により測定した。感度線幅０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン
（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を、最適
露光量とし、この値により感度を評価した。解像度最適露光量で露光したときに解像されるレジストパター
ンの最小寸法（μｍ）を、解像度とした。パターン形状線幅０．２５μｍの１Ｌ１Ｓにおいて、パターン断面が
ほぼ矩形で、かつ定在波の影響を無視しうる場合を、パ
ターン形状が良好とした。耐熱性現像後、乾燥して、一辺２０μｍの正方形のパターンを
形成した基板を加熱したとき、パターン形状が変化しな
い最高温度（℃）により、耐熱性を評価した。

【００４９】（Ａ）共重合体の合成合成例１ｔ−ブチルアクリレート２３ｇ、２．５−ジメチル−
２．５−ヘキサンジオールジアクリレート４ｇ、ｐ−イ
ソプロペニルフェノール２７ｇおよびトリシクロデカニ
ルアクリレート１１ｇを、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート７８ｇと混合して均一溶液とし
た。この溶液を窒素ガスにより３０分間バブリングした
のち、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル３ｇとｔ
−ドデシルメルカプタン２ｇを加えて、窒素ガスによる
バブリングを継続しつつ、７０℃で２４時間重合した。
重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合して、生
成した共重合体を凝固させた。次いで、共重合体をジオ
キサンに再溶解させたのち、再度ヘキサンにより凝固さ
せる操作を数回繰り返して、未反応モノマーを除去し、
減圧下５０℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体を得
た。得られた共重合体は、Ｍｗが１０１，０００、Ｍｗ
／Ｍｎが４．７であり、¹³Ｃ−ＮＭＲおよび¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ測定の結果、各単量体の含有量の比率（重量比）は、
ｔ−ブチルアクリレート：２．５−ジメチル−２．５−
ヘキサンジオールジアクリレート：ｐ−イソプロペニル
フェノール：トリシクロデカニルアクリレート＝３５：
６：４２：１７であった。この共重合体を、共重合体
（Ａ−１）とする。

【００５０】合成例２単量体を、ｔ−ブチルアクリレート１９ｇ、２，５−ジ
メチル−２，５−ヘキサンジオールジアクリレート２
ｇ、ｐ−イソプロペニルフェノール１９ｇおよびイソボ
ルニルアクリレート１０ｇに変えた以外は、合成例１と
同様にして、白色の共重合体を得た。得られた共重合体
は、Ｍｗが６３，０００、Ｍｗ／Ｍｎが３．８であり、
¹³Ｃ−ＮＭＲおよび¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、各単量体
の含有量の比率（重量比）は、ｔ−ブチルアクリレー
ト：２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールジア
クリレート：ｐ−イソプロペニルフェノール：イソボル
ニルアクリレート（重量比）＝３８：４：３８：２０で
あった。この共重合体を、共重合体（Ａ−２）とする。

【００５１】合成例３ｔ−ブチルアクリレート１０ｇ、２．５−ジメチル−
２．５−ヘキサンジオールジアクリレート２ｇ、スチレ
ン５ｇ、ｐ−アセトキシスチレン４６ｇおよびｔ−ドデ
シルメルカプタン１ｇを、ジオキサン２００ｇと混合し
て均一溶液とした。この溶液を窒素ガスにより３０分間
バブリングしたのち、２，２’−アゾビスイソブチロニ
トリル２ｇを加えて、窒素ガスによるバブリングを継続
しつつ、７０℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶
液を多量のヘキサンと混合して、生成した共重合体を凝
固させた。次いで、共重合体をジオキサンに再溶解させ
たのち、再度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り
返して、未反応モノマーを除去し、減圧下５０℃で２４
時間乾燥して、白色の共重合体を得た。次いで、この共
重合体２４ｇを、メタノール２４０ｇ、トリエチルアミ
ン１５ｇおよび水５ｇと混合し、加温下で還流させつ
つ、８時間加水分解反応を行った。その後、反応溶液を
１重量％蓚酸水溶液中に投入して、共重合体を凝固さ
せ、水洗したのち、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、
白色の共重合体を得た。得られた共重合体は、Ｍｗが４
５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが４．２であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ
測定および¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、各単量体の含有量
の比率（重量比）は、ｔ−ブチルアクリレート：２．５
−ジメチル−２．５−ヘキサンジオールジアクリレー
ト：スチレン：ｐ−ヒドロキシスチレン＝２１：４：１
０：６５であった。この共重合体を、共重合体（Ａ−
３）とする。

【００５２】合成例４ｐ−ｔ−ブトキシスチレン３０ｇ、２．５−ジメチル−
２．５−ヘキサンジオールジアクリレート４ｇおよびｐ
−アセトキシスチレン９５ｇを、プロピレングリコール
モノメチルエーテル２６５ｇと混合して均一溶液とし
た。この溶液を窒素ガスにより３０分間バブリングした
のち、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル９ｇおよ
びｔ−ドデシルメルカプタン６ｇを加えて、窒素ガスに
よるバブリングを継続しつつ、７０℃で２４時間重合し
た。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合し
て、生成した共重合体を凝固させた。次いで、共重合体
をアセトンに再溶解させたのち、再度ヘキサンにより凝
固させる操作を数回繰り返して、未反応モノマーを除去
し、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体
を得た。次いで、この共重合体５０ｇを、メタノール５
００ｇ、トリエチルアミン２０ｇおよび水１０ｇと混合
し、加温下で還流させつつ、８時間加水分解反応を行っ
た。その後、反応溶液を１重量％蓚酸水溶液中に投入し
て、共重合体を凝固させ、水洗したのち、減圧下５０℃
で２４時間乾燥して、白色の共重合体を得た。得られた
共重合体は、Ｍｗが３８，０００、Ｍｗ／Ｍｎが２．９
であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定および¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結
果、各単量体の含有量の比率（重量比）は、ｐ−ｔ−ブ
トキシスチレン：２．５−ジメチル−２．５−ヘキサン
ジオールジアクリレート：ｐ−ヒドロキシスチレン＝３
１：４：６５であった。この共重合体を、共重合体（Ａ
−４）とする。

【００５３】合成例５２．５−ジメチル−２．５−ヘキサンジオールジアクリ
レート３ｇおよびｐ−アセトキシスチレン９７ｇを、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｇと混合
して均一溶液とした。この溶液を窒素ガスにより３０分
間バブリングしたのち、２，２’−アゾビスイソブチロ
ニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン４ｇを加
えて、窒素ガスによるバブリングを継続しつつ、７０℃
で２４時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘ
キサンと混合して、生成した共重合体を凝固させた。次
いで、共重合体をアセトンに再溶解させたのち、再度ヘ
キサンにより凝固させる操作を数回繰り返して、未反応
モノマーを除去し、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、
白色の共重合体を得た。次いで、この共重合体６０ｇ
を、メタノール５００ｇ、トリエチルアミン２０ｇおよ
び水１０ｇと混合し、加温下で還流させつつ、８時間加
水分解反応を行った。その後、反応溶液を１重量％蓚酸
水溶液中に投入して、共重合体を凝固させ、水洗したの
ち、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体
を得た。次いで、この共重合体２４ｇを、ジオキサン１
００ｇに溶解したのち、窒素ガスにより３０分間バブリ
ングした。この溶液に、エチルビニルエーテル４．５ｇ
と触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩
０．４ｇを加えて、１２時間アセタール化反応を行っ
た。その後、反応溶液を１重量％アンモニア水溶液に滴
下して、生成物を凝固させ、水洗したのち、減圧下５０
℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体を得た。得られ
た共重合体は、Ｍｗが５２，０００、Ｍｗ／Ｍｎが３．
４であり、¹³Ｃ−ＮＭＲおよび¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結
果、各単量体の含有量の比率（重量比）は、２．５−ジ
メチル−２．５−ヘキサンジオールジアクリレート：ｐ
−ヒドロキシスチレン：ｐ−（１−エトキシエトキシ）
スチレン＝４：６６：３０であった。この共重合体を、
共重合体（Ａ−５）とする。

【００５４】合成例６２．５−ジメチル−２．５−ヘキサンジオールジアクリ
レート５ｇおよびｐ−アセトキシスチレン９５ｇを、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｇと混合
して均一溶液とした。この溶液を窒素ガスにより３０分
間バブリングしたのち、２，２’−アゾビスイソブチロ
ニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン４ｇを加
えて、窒素ガスによるバブリングを継続しつつ、７０℃
で２４時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘ
キサンと混合して、生成した共重合体を凝固させた。次
いで、共重合体をアセトンに再溶解させたのち、再度ヘ
キサンにより凝固させる操作を数回繰り返して、未反応
モノマーを除去し、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、
白色の共重合体を得た。次いで、この共重合体６０ｇ
を、メタノール５００ｇ、トリエチルアミン２０ｇおよ
び水１０ｇと混合し、加温下で還流させつつ、８時間加
水分解反応を行った。その後、反応溶液を１重量％蓚酸
水溶液中に投入して、共重合体を凝固させ、水洗したの
ち、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体
を得た。次いで、この共重合体２４ｇを、ジオキサン１
００ｇに溶解したのち、窒素ガスにより３０分間バブリ
ングした。この溶液に、トリエチルアミン５ｇを添加し
たのち、攪拌下４５℃で、ジーｔ−ブチルジカーボネー
ト１０ｇを添加して、６時間反応させた。その後、反応
溶液を１重量％蓚酸水溶液中に投入して、共重合体を凝
固させ、水洗したのち、減圧下５０℃で一晩乾燥して、
白色の共重合体を得た。得られた共重合体は、Ｍｗが７
３，０００、Ｍｗ／Ｍｎが４．３であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ
および¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、各単量体の含有量の比
率（重量比）は、２．５−ジメチル−２．５−ヘキサン
ジオールジアクリレート：ｐ−ヒドロキシスチレン：ｐ
−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン＝６：６９：
２５であった。この共重合体を、共重合体（Ａ−６）と
する。

【００５５】合成例７単量体を、ｔ−ブチルアクリレート２３ｇ、下記式
（８）で表されるカーボネート基（２）を有する単量体
（以下、「単量体（８）」という。）４ｇ、ｐ−イソプ
ロペニルフェノール２７ｇおよびトリシクロデカニルア
クリレート１１ｇに変えた以外は、合成例１と同様にし
て、白色の共重合体を得た。得られた共重合体は、Ｍｗ
が８５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが４．５であり、¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲおよび¹Ｈ−ＮＭＲ測定の結果、各単量体の含有量
の比率（重量比）は、ｔ−ブチルアクリレート：単量体
（８）：ｐ−イソプロペニルフェノール：トリシクロデ
カニルアクリレート＝３５：６：４２：１７であった。
この共重合体を、共重合体（Ａ−７）とする。

【００５６】

【化１０】

【００５７】比較合成例１ｔ−ブチルアクリレート１０ｇ、スチレン５ｇ、ｐ−ア
セトキシスチレン５０ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタ
ン０．４ｇを、ジオキサン２００ｇと混合して均一溶液
とした。この溶液を窒素ガスにより３０分間バブリング
したのち、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル２ｇ
を加えて、窒素ガスによるバブリングを継続しつつ、７
０℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量の
ヘキサンと混合して、生成した共重合体を凝固させた。
次いで、共重合体をジオキサンに再溶解させたのち、再
度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り返して、未
反応モノマーを除去し、減圧下５０℃で２４時間乾燥し
て、白色の共重合体を得た。次いで、この共重合体２４
ｇを、メタノール２４０ｇ、トリエチルアミン１５ｇお
よび水５ｇと混合し、加温下で還流させつつ、８時間加
水分解反応を行った。その後、反応溶液を１重量％蓚酸
水溶液中に投入して、共重合体を凝固させ、水洗したの
ち、減圧下５０℃で２４時間乾燥して、白色の共重合体
を得た。得られた共重合体は、Ｍｗが１２，０００、Ｍ
ｗ／Ｍｎが１．６であり、¹³Ｃ−ＮＭＲ測定および¹Ｈ
−ＮＭＲ測定の結果、各単量体の含有量の比率（重量
比）は、ｔ−ブチルアクリレート：スチレン：ｐ−ヒド
ロキシスチレン＝２１：１０：６９であった。この共重
合体を、共重合体（ａ−１）とする。

【００５８】

【実施例】実施例１〜６および比較例１表１に示す配合処方（但し、部は重量に基づく。）の各
成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍの
メンブランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製し
た。その後、各組成物溶液をシリコンウエハー上にスピ
ンコートしたのち、表２に示す各温度で９０秒間プレベ
ーク（ＰＢ）を行って、膜厚０．７μｍのレジスト被膜
を形成した。次いで、ＫｒＦエキシマレーザーステッパ
ー（（株）ニコン製ステッパーＮＳＲ−２００５ＥＸ
８Ａ）を使用して露光したのち、表２に示す各温度で６
０秒間ポストベーク（ＰＥＢ）を行った。その後、２．
３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液を用い、２３℃で１分間、パドル法によりアルカリ現
像したのち、純水で洗浄し、乾燥して、レジストパター
ンを形成した。各レジストの評価結果を、表２に示す。
表１における共重合体以外の各成分は、下記のとおりで
ある。酸発生剤Ｂ−１：トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタン
スルホネートＢ−２：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタ
ンＢ−３：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
カンファースルホネート酸拡散制御剤Ｃ−１：トリ−ｎ−オクチルアミンＣ−２：ｎ−ドデシルジメチルアミン溶剤Ｄ−１：乳酸エチルＤ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート

【００５９】

【表１】

【００６０】

【表２】

【００６１】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、感
度、解像度が優れるとともに、定在波の影響が少なく、
パターン形状にも優れ、かつ高度の耐熱性を有し、しか
も紫外線、遠紫外線、Ｘ線あるいは荷電粒子線の如き各
種の放射線に有効に感応するものである。したがって、
本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後さらに微細化が
進行すると予想される半導体デバイス製造用の化学増幅
型ポジ型レジストとして極めて好適に使用することがで
きる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者河口和雄東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエスアール株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）（ａ）重合性の炭素−炭素二重結
合を１個有する単量体の該炭素−炭素二重結合が開裂し
て得られる繰返し単位（Ｉ）と、（ｂ）重合性の炭素−
炭素二重結合を２個以上有し、かつ酸の作用により分解
する下記構造式（１）または構造式（２）で表される２
価の基を少なくとも１個有する単量体であって、各炭素
−炭素二重結合が前記２価の基を介して連結した構造を
有する単量体の該炭素−炭素二重結合が開裂して得られ
る繰返し単位（II) とを含有する共重合体、および
（Ｂ）感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする
感放射線性樹脂組成物。【化１】【化２】〔構造式（１）および構造式（２）において、Ｒ¹、Ｒ
²、Ｒ³およびＲ⁴は相互に独立に炭素数１〜５のアル
キル基または炭素数６〜１４のアリール基を示す。〕