JPH1114551A - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
マスク欠陥検査装置Info
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- JPH1114551A JPH1114551A JP9164172A JP16417297A JPH1114551A JP H1114551 A JPH1114551 A JP H1114551A JP 9164172 A JP9164172 A JP 9164172A JP 16417297 A JP16417297 A JP 16417297A JP H1114551 A JPH1114551 A JP H1114551A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細化されたマスクパタ−ンの欠陥を検出す
ることができるマスク検査装置を提供すること。 【解決手段】 深紫外のレ−ザ光をパルス発振可能なレ
−ザ発振源11と、このレ−ザ発振源から出力されるレ−
ザ光をレ−ザ光の空間位相分布を変化させるように反射
する振動ミラ−15と、この振動ミラ−で反射されたレ−
ザ光が照射されるマスクパタ−ン19と、このマスクパタ
−ンを通過したレ−ザ光を受光する受光センサ22と、受
光センサで受光されたマスクパタ−ンの撮像画像とマス
クパタ−ンの参照画像とを比較することによりマスクの
欠陥を抽出する制御回路10とを具備するようにしたこと
を特徴とする。
ることができるマスク検査装置を提供すること。 【解決手段】 深紫外のレ−ザ光をパルス発振可能なレ
−ザ発振源11と、このレ−ザ発振源から出力されるレ−
ザ光をレ−ザ光の空間位相分布を変化させるように反射
する振動ミラ−15と、この振動ミラ−で反射されたレ−
ザ光が照射されるマスクパタ−ン19と、このマスクパタ
−ンを通過したレ−ザ光を受光する受光センサ22と、受
光センサで受光されたマスクパタ−ンの撮像画像とマス
クパタ−ンの参照画像とを比較することによりマスクの
欠陥を抽出する制御回路10とを具備するようにしたこと
を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外レ−ザ光を用
いてマスクのパタ−ンの欠陥を検査するようにしたマス
ク検査装置に関する。
いてマスクのパタ−ンの欠陥を検査するようにしたマス
ク検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリ（ＤＲＡＭ）の容量
は、１Ｇバイト以上に到達しようとしている。このた
め、半導体の最小線幅はますます小さくなるなる傾向に
ある。この傾向により、半導体メモリを形成する上で必
要なマスクパタ−ンが微細化されている。
は、１Ｇバイト以上に到達しようとしている。このた
め、半導体の最小線幅はますます小さくなるなる傾向に
ある。この傾向により、半導体メモリを形成する上で必
要なマスクパタ−ンが微細化されている。
【０００３】このため、マスクの製造工程では、半導体
の最小線幅と同程度のマスクパタ−ンの欠陥の有無を検
査しなければならない。このように、マスクパタ−ンの
欠陥サイズが微小になると検査装置の光源波長を短くし
て光学系の分解能を上げることが必要になる。
の最小線幅と同程度のマスクパタ−ンの欠陥の有無を検
査しなければならない。このように、マスクパタ−ンの
欠陥サイズが微小になると検査装置の光源波長を短くし
て光学系の分解能を上げることが必要になる。
【０００４】従来のマスク欠陥検査装置ではＨｇランプ
やＨｇＸｅランプ等のランプを照明光源として、その照
明光に分布する広い光のスペクトルの中から、ｇ線のｉ
線などの必要な短波長の光を選択して検査をしていた。
やＨｇＸｅランプ等のランプを照明光源として、その照
明光に分布する広い光のスペクトルの中から、ｇ線のｉ
線などの必要な短波長の光を選択して検査をしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
マスク欠陥検査装置は、以下に述べるような問題点が発
生してくる。ＨｇランプやＨｇＸｅランプ等のランプを
照明光とする場合深紫外の光は光量が弱く、撮像に十分
な光量が得られない。このため、半導体の露光装置分野
では、深紫外光の光源としてエキシマレーザやＹＡＧレ
ーザがよく知られている。
マスク欠陥検査装置は、以下に述べるような問題点が発
生してくる。ＨｇランプやＨｇＸｅランプ等のランプを
照明光とする場合深紫外の光は光量が弱く、撮像に十分
な光量が得られない。このため、半導体の露光装置分野
では、深紫外光の光源としてエキシマレーザやＹＡＧレ
ーザがよく知られている。
【０００６】この場合に、パルスレーザはスペックルと
呼ばれる空間的強度むらがあり、撮像するマスク面の照
明むらが５％以内が要求される検査装置の光源として使
うには難しい。
呼ばれる空間的強度むらがあり、撮像するマスク面の照
明むらが５％以内が要求される検査装置の光源として使
うには難しい。
【０００７】このスペックルによる空間的照明むらの解
決方法はエキシマレーザを使ったウェハの露光装置に関
してよく研究されている。まず、第１に光路の途中に回
転する位相板を挿入する方法（特開昭６３−１７３３２
２号）や、光路の途中でハエの目レンズで照明光を均一
にする手前に振動するミラーを挿入する方法（文献：牛
田一雄、光学 Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．１０（１９９４）
Ｐ６０２）などがある。
決方法はエキシマレーザを使ったウェハの露光装置に関
してよく研究されている。まず、第１に光路の途中に回
転する位相板を挿入する方法（特開昭６３−１７３３２
２号）や、光路の途中でハエの目レンズで照明光を均一
にする手前に振動するミラーを挿入する方法（文献：牛
田一雄、光学 Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．１０（１９９４）
Ｐ６０２）などがある。
【０００８】これらの方法はいずれも空間的な照明むら
を変化させて露光を繰り返しウェハ上のレジストに感光
する光量を積分することにより、照明むらを均一にする
ようにしていた。
を変化させて露光を繰り返しウェハ上のレジストに感光
する光量を積分することにより、照明むらを均一にする
ようにしていた。
【０００９】このようなマスク検査装置では、検査する
マスクを連続して移動させながら検査するため、同じ場
所に何回も光を当てて光量を積分する手段がとれないと
いう困難があった。
マスクを連続して移動させながら検査するため、同じ場
所に何回も光を当てて光量を積分する手段がとれないと
いう困難があった。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、微細化されたマスクパタ−ンの欠陥を
検出することができるマスク欠陥検査装置を提供するこ
とにある。
で、その目的は、微細化されたマスクパタ−ンの欠陥を
検出することができるマスク欠陥検査装置を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わるマスク
欠陥検査装置は、深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ
発振源と、このレ−ザ発振源から出力されるレ−ザ光を
レ−ザ光の空間位相分布を変化させるように反射する振
動ミラ−と、この振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照
射されるマスクパタ−ンと、このマスクパタ−ンを通過
したレ−ザ光を受光する受光センサと、上記受光センサ
で受光されたマスクパタ−ンの撮像画像とマスクパタ−
ンの参照画像とを比較することによりマスクの欠陥を抽
出する手段とを具備するようにしたことを特徴とする。
欠陥検査装置は、深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ
発振源と、このレ−ザ発振源から出力されるレ−ザ光を
レ−ザ光の空間位相分布を変化させるように反射する振
動ミラ−と、この振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照
射されるマスクパタ−ンと、このマスクパタ−ンを通過
したレ−ザ光を受光する受光センサと、上記受光センサ
で受光されたマスクパタ−ンの撮像画像とマスクパタ−
ンの参照画像とを比較することによりマスクの欠陥を抽
出する手段とを具備するようにしたことを特徴とする。
【００１２】請求項２に係わるマスク欠陥検査装置は、
深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ発振源と、このレ
−ザ発振源から出力されるレ−ザ光をレ−ザ光の空間位
相分布を変化させるように反射する振動ミラ−と、この
振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照射されるマスクパ
タ−ンと、このマスクパタ−ンを通過したレ−ザ光を受
光するＣＣＤラインセンサとを具備し、上記マスクパタ
−ンをＹ方向にΔＬだけ移動させる毎に上記レ−ザ発振
源からレ−ザ光を出力させ、ＣＣＤラインセンサで撮像
したマスクパタ−ン像を蓄積し、その蓄積されたマスク
パタ−ン像とマスクパタ−ンの参照画像とを比較するこ
とによりマスクの欠陥を抽出する手段とを具備したこと
を特徴とする。
深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ発振源と、このレ
−ザ発振源から出力されるレ−ザ光をレ−ザ光の空間位
相分布を変化させるように反射する振動ミラ−と、この
振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照射されるマスクパ
タ−ンと、このマスクパタ−ンを通過したレ−ザ光を受
光するＣＣＤラインセンサとを具備し、上記マスクパタ
−ンをＹ方向にΔＬだけ移動させる毎に上記レ−ザ発振
源からレ−ザ光を出力させ、ＣＣＤラインセンサで撮像
したマスクパタ−ン像を蓄積し、その蓄積されたマスク
パタ−ン像とマスクパタ−ンの参照画像とを比較するこ
とによりマスクの欠陥を抽出する手段とを具備したこと
を特徴とする。
【００１３】請求項２においては、レ−ザ光源から出力
された深紫外レ−ザ光は、例えばマイクロアレイレンズ
と回転位相板よりなる照明部において干渉がなくなるよ
うに制御される。この照明部から出力される干渉がない
レ−ザ光は、微動する振動ミラ−により反射されてコン
デンサレンズ、対物レンズを介してマスクパタ−ンに入
射される。
された深紫外レ−ザ光は、例えばマイクロアレイレンズ
と回転位相板よりなる照明部において干渉がなくなるよ
うに制御される。この照明部から出力される干渉がない
レ−ザ光は、微動する振動ミラ−により反射されてコン
デンサレンズ、対物レンズを介してマスクパタ−ンに入
射される。
【００１４】そして、このマスクパタ−ンを通過した光
は、集光レンズを介して受光センサで受光される。この
受光センサとして積算型ＣＣＤラインセンサを用いた場
合には、ラインセンサがステ−ジの移動方向（Ｙ方向）
に合わせて連続して形成されており、１ラインごとのピ
ッチをΔＬとすると、ステ−ジの移動がΔＬだけ変位す
る毎に、パルスレ−ザに同期信号を発生して発振させ
る。
は、集光レンズを介して受光センサで受光される。この
受光センサとして積算型ＣＣＤラインセンサを用いた場
合には、ラインセンサがステ−ジの移動方向（Ｙ方向）
に合わせて連続して形成されており、１ラインごとのピ
ッチをΔＬとすると、ステ−ジの移動がΔＬだけ変位す
る毎に、パルスレ−ザに同期信号を発生して発振させ
る。
【００１５】回転位相板は常に回転しており、パルスレ
−ザから出力された光が通過する位相板の位置は発振の
度に変わり光の位相が変化する。揺動ミラ−はミラ−が
揺動することでマスク面上の光軸の位置を変化させマス
ク面に発生するスペックルの位置が変化する。この結
果、レ−ザが発振する度にセンサ面上に現れるスペック
ルの位置は異なり、１ラインの素子で蓄積した電荷を次
の１ラインの素子に電気的に積算し、それを何段にも積
算することにより光量むらが平均化される。
−ザから出力された光が通過する位相板の位置は発振の
度に変わり光の位相が変化する。揺動ミラ−はミラ−が
揺動することでマスク面上の光軸の位置を変化させマス
ク面に発生するスペックルの位置が変化する。この結
果、レ−ザが発振する度にセンサ面上に現れるスペック
ルの位置は異なり、１ラインの素子で蓄積した電荷を次
の１ラインの素子に電気的に積算し、それを何段にも積
算することにより光量むらが平均化される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の一実
施の形態について説明する。図１はマスク検査装置の全
体構成を示す図である。図１において、１１は例えば１
８０ないし３００ｎｍの波長のパルスレ−ザを発振する
深紫外パルスレ−ザ装置である。このパルスレ−ザ装置
１１は、ＹＡＧレ−ザの基本波からＳＨＧあるいはＦＨ
Ｇの結晶で、その４倍（波長：266 ｎｍ）を取り出し、
その波長を狭帯域化素子で±０．５ｎｍ程度に狭帯域化
したＹＡＧレ−ザを光源とする。
施の形態について説明する。図１はマスク検査装置の全
体構成を示す図である。図１において、１１は例えば１
８０ないし３００ｎｍの波長のパルスレ−ザを発振する
深紫外パルスレ−ザ装置である。このパルスレ−ザ装置
１１は、ＹＡＧレ−ザの基本波からＳＨＧあるいはＦＨ
Ｇの結晶で、その４倍（波長：266 ｎｍ）を取り出し、
その波長を狭帯域化素子で±０．５ｎｍ程度に狭帯域化
したＹＡＧレ−ザを光源とする。
【００１７】この深紫外パルスレ−ザ装置１１から出力
されるパルスレ−ザはマイクロレンズアレイ１２及び回
転位相板１３を通過してレンズ１４に入射される。この
マイクロレンズアレイ１２と回転位相板１３によりレ−
ザ光の干渉をなくす照明部が構成される。ここで、１３
ａは回転位相板１３を回転させるモ−タである。
されるパルスレ−ザはマイクロレンズアレイ１２及び回
転位相板１３を通過してレンズ１４に入射される。この
マイクロレンズアレイ１２と回転位相板１３によりレ−
ザ光の干渉をなくす照明部が構成される。ここで、１３
ａは回転位相板１３を回転させるモ−タである。
【００１８】レンズ１４に入射されたレ−ザ光は揺動す
る揺動ミラ−１５に入射される。この揺動ミラ−１５は
図示しない揺動機構により揺動される。この揺動ミラ−
１５の鏡面で反射されたレ−ザ光は、マスク板圧補正レ
ンズ１６を介してコンデンサレンズ１７に入射される。
このコンデンサレンズ１７を介して集光されたレ−ザ光
は、対物レンズ１８を介してマスクパタ−ン１９に照射
される。このマスクパタ−ン１９には半導体メモリ用の
微細パタ−ンが形成されている。
る揺動ミラ−１５に入射される。この揺動ミラ−１５は
図示しない揺動機構により揺動される。この揺動ミラ−
１５の鏡面で反射されたレ−ザ光は、マスク板圧補正レ
ンズ１６を介してコンデンサレンズ１７に入射される。
このコンデンサレンズ１７を介して集光されたレ−ザ光
は、対物レンズ１８を介してマスクパタ−ン１９に照射
される。このマスクパタ−ン１９には半導体メモリ用の
微細パタ−ンが形成されている。
【００１９】そして、このマスクパタ−ン１９を通過し
たレ−ザ光はコンデンサレンズ２０、変倍レンズ２１を
介して受光センサとしての積算型ＣＣＤラインセンサ２
２で受光される。
たレ−ザ光はコンデンサレンズ２０、変倍レンズ２１を
介して受光センサとしての積算型ＣＣＤラインセンサ２
２で受光される。
【００２０】このラインセンサ２２は基台２３上に設置
されている。また、ラインセンサ２２のすぐ横には、共
焦点フォ−カス系の光検知器２４が設置されている。こ
の光検知器２４は、ＣＣＤラインセンサ２２と同一高さ
でかつ同一照明エリアに設けてある。この構造によっ
て、温度、大気変動があってもオ−トフォ−カスが可能
となる。
されている。また、ラインセンサ２２のすぐ横には、共
焦点フォ−カス系の光検知器２４が設置されている。こ
の光検知器２４は、ＣＣＤラインセンサ２２と同一高さ
でかつ同一照明エリアに設けてある。この構造によっ
て、温度、大気変動があってもオ−トフォ−カスが可能
となる。
【００２１】ところで、マスクパタ−ン１９はＸＹステ
−ジで一定方向により移動される。このＸＹステ−ジの
移動は制御回路１０により制御される。この制御回路１
０により、ＸＹステ−ジの位置を観測することにより、
マスクパタ−ンの位置を観測するようにしている。
−ジで一定方向により移動される。このＸＹステ−ジの
移動は制御回路１０により制御される。この制御回路１
０により、ＸＹステ−ジの位置を観測することにより、
マスクパタ−ンの位置を観測するようにしている。
【００２２】ところで、積算型ＣＣＤラインセンサ２２
は図２に示すように形成されている。図２において、ラ
インセンサ３１がステ−ジのＹ方向の移動方向に合わせ
て複数連続して形成されている。この１ライン毎のピッ
チをΔＬとする。
は図２に示すように形成されている。図２において、ラ
インセンサ３１がステ−ジのＹ方向の移動方向に合わせ
て複数連続して形成されている。この１ライン毎のピッ
チをΔＬとする。
【００２３】制御回路１０はステ−ジの移動がΔＬだけ
変位する毎に、同期信号をパルスレ−ザ装置１１に出力
して、その変位に同期したパルスレ−ザを出力する。こ
の制御回路１０は、マスクパタ−ン１９の参照画像を発
生する手段及びＣＣＤラインセンサ２２で積分されたマ
スクパタ−ン１９の撮像画像とを比較することによりマ
スクパタ−ン１９の欠陥を抽出するようにしている。
変位する毎に、同期信号をパルスレ−ザ装置１１に出力
して、その変位に同期したパルスレ−ザを出力する。こ
の制御回路１０は、マスクパタ−ン１９の参照画像を発
生する手段及びＣＣＤラインセンサ２２で積分されたマ
スクパタ−ン１９の撮像画像とを比較することによりマ
スクパタ−ン１９の欠陥を抽出するようにしている。
【００２４】例えば、ＣＣＤラインセンサ２２として大
きさが１３μｍで６４段蓄積型のセンサ素子を使うと
き、１３０倍の光学倍率の条件でステ−ジが１０ｍｍ／
ｓ移動すると、約４kHz の発振周波数でレ−ザを発光す
ると１ラインあたり８回の同一画像を重ねて撮像するこ
とができる。
きさが１３μｍで６４段蓄積型のセンサ素子を使うと
き、１３０倍の光学倍率の条件でステ−ジが１０ｍｍ／
ｓ移動すると、約４kHz の発振周波数でレ−ザを発光す
ると１ラインあたり８回の同一画像を重ねて撮像するこ
とができる。
【００２５】次に、上記のように構成された本発明の一
実施の形態の動作について説明する。制御回路１０は、
ＸＹステ−ジのＹ方向の移動量がΔＬだけ変位する毎
に、同期信号をパルスレ−ザ装置１１はに出力する。こ
の同期信号に応答して、パルスレ−ザ装置１１は、ＹＡ
Ｇレ−ザを出力する。
実施の形態の動作について説明する。制御回路１０は、
ＸＹステ−ジのＹ方向の移動量がΔＬだけ変位する毎
に、同期信号をパルスレ−ザ装置１１はに出力する。こ
の同期信号に応答して、パルスレ−ザ装置１１は、ＹＡ
Ｇレ−ザを出力する。
【００２６】このＹＡＧレ−ザは、マイクロレンズアレ
イ１２と常に回転している回転位相板１３を介してレ−
ザ光の干渉をなくす処理がなされる。つまり、回転位相
板１３は常に回転しており、パルスレ−ザから出力され
た光が通過する位相板の位置は発振の度に変わり光の位
相が変化する。
イ１２と常に回転している回転位相板１３を介してレ−
ザ光の干渉をなくす処理がなされる。つまり、回転位相
板１３は常に回転しており、パルスレ−ザから出力され
た光が通過する位相板の位置は発振の度に変わり光の位
相が変化する。
【００２７】レンズ１４に入射されたレ−ザ光は揺動す
る揺動ミラ−１５に入射される。この揺動ミラ−１５は
図示しない揺動機構により揺動される。この揺動ミラ−
１５の鏡面で反射されたレ−ザ光は、マスク板圧補正レ
ンズ１６を介してコンデンサレンズ１７に入射される。
このコンデンサレンズ１７を介して集光されたレ−ザ光
は、対物レンズ１８を介してマスクパタ−ン１９に照射
される。このマスクパタ−ン１９には半導体メモリ用の
微細パタ−ンが形成されている。
る揺動ミラ−１５に入射される。この揺動ミラ−１５は
図示しない揺動機構により揺動される。この揺動ミラ−
１５の鏡面で反射されたレ−ザ光は、マスク板圧補正レ
ンズ１６を介してコンデンサレンズ１７に入射される。
このコンデンサレンズ１７を介して集光されたレ−ザ光
は、対物レンズ１８を介してマスクパタ−ン１９に照射
される。このマスクパタ−ン１９には半導体メモリ用の
微細パタ−ンが形成されている。
【００２８】そして、このマスクパタ−ン１９を通過し
たレ−ザ光はコンデンサレンズ２０、変倍レンズ２１を
介して受光センサとしての積算型ＣＣＤラインセンサ２
２で受光される。
たレ−ザ光はコンデンサレンズ２０、変倍レンズ２１を
介して受光センサとしての積算型ＣＣＤラインセンサ２
２で受光される。
【００２９】揺動ミラ−はミラ−が揺動することでマス
ク面上の光軸の位置を変化させマスク面に発生するスペ
ックルの位置が変化する。この結果、レ−ザが発振する
度にセンサ面上に現れるスペックルの位置は異なり、１
ラインの素子で蓄積した電荷を次の１ラインの素子に電
気的に積算し、それを何段にも積算することにより光量
むらが平均化される。
ク面上の光軸の位置を変化させマスク面に発生するスペ
ックルの位置が変化する。この結果、レ−ザが発振する
度にセンサ面上に現れるスペックルの位置は異なり、１
ラインの素子で蓄積した電荷を次の１ラインの素子に電
気的に積算し、それを何段にも積算することにより光量
むらが平均化される。
【００３０】制御回路１０において、マスクパタ−ン１
９の参照画像とＣＣＤラインセンサ２２で積分されたマ
スクパタ−ン１９の撮像画像とを比較することによりマ
スクパタ−ン１９の欠陥を抽出するようにしている。
９の参照画像とＣＣＤラインセンサ２２で積分されたマ
スクパタ−ン１９の撮像画像とを比較することによりマ
スクパタ−ン１９の欠陥を抽出するようにしている。
【００３１】このようにすることにより、深紫外レ−ザ
光を用いてマスクパタ−ンの欠陥を検査する場合におい
て、光量むらをなくすことができるので、０．１μｍの
微細なオ−ダでマスクパタ−ンの欠陥を検出することが
できる。
光を用いてマスクパタ−ンの欠陥を検査する場合におい
て、光量むらをなくすことができるので、０．１μｍの
微細なオ−ダでマスクパタ−ンの欠陥を検出することが
できる。
【００３２】なお、上記実施の形態では、マイクロレン
ズアレイ１２を用いるようにしたが、ハエの目レンズを
使用することもできる。また、本発明においてはパルス
発振可能なレ−ザ発振源にかえて、Ａｒレ−ザのような
連続発振のレ−ザ発振源を用いても良い。
ズアレイ１２を用いるようにしたが、ハエの目レンズを
使用することもできる。また、本発明においてはパルス
発振可能なレ−ザ発振源にかえて、Ａｒレ−ザのような
連続発振のレ−ザ発振源を用いても良い。
【００３３】
【発明の効果】請求項１乃至３記載の発明によれば、深
紫外レ−ザ光を用いた場合でも、光量むらをなくすこと
ができるので、０．１μｍの微細なオ−ダでマスクパタ
−ンの欠陥を検出することができる。
紫外レ−ザ光を用いた場合でも、光量むらをなくすこと
ができるので、０．１μｍの微細なオ−ダでマスクパタ
−ンの欠陥を検出することができる。
【図１】本発明の一実施の形態に係わるマスク検査装置
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図２】同実施の形態に係わるラインセンサの構成を示
す図。
す図。
１１…パルスレ−ザ装置、１２…マイクロレンズアレ
イ、１３…回転位相板、１４…レンズ、１５…揺動ミラ
−、１６…マスク板圧補正レンズ、１７…コンデンサレ
ンズ、１８…対物レンズ、１９…マスクパタ−ン、２０
…コンデンサレンズ、２１…変倍レンズ、２２…ライン
センサ、２３…基台、２４…光検知器。
イ、１３…回転位相板、１４…レンズ、１５…揺動ミラ
−、１６…マスク板圧補正レンズ、１７…コンデンサレ
ンズ、１８…対物レンズ、１９…マスクパタ−ン、２０
…コンデンサレンズ、２１…変倍レンズ、２２…ライン
センサ、２３…基台、２４…光検知器。
Claims (3)
- 【請求項１】 深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ発
振源と、 このレ−ザ発振源から出力されるレ−ザ光をレ−ザ光の
空間位相分布を変化させるように反射する振動ミラ−
と、 この振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照射されるマス
クパタ−ンと、 このマスクパタ−ンを通過したレ−ザ光を受光する受光
センサと、 上記受光センサで受光されたマスクパタ−ンの撮像画像
とマスクパタ−ンの参照画像とを比較することによりマ
スクの欠陥を抽出する手段とを具備するようにしたこと
を特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 【請求項２】 深紫外のレ−ザ光を発振可能なレ−ザ発
振源と、 このレ−ザ発振源から出力されるレ−ザ光をレ−ザ光の
空間位相分布を変化させるように反射する振動ミラ−
と、 この振動ミラ−で反射されたレ−ザ光が照射されるマス
クパタ−ンと、 このマスクパタ−ンを通過したレ−ザ光を受光するＣＣ
Ｄラインセンサとを具備し、 上記マスクパタ−ンをＹ方向にΔＬだけ移動させる毎に
上記レ−ザ発振源からレ−ザ光を出力させ、ＣＣＤライ
ンセンサで撮像したマスクパタ−ン像を蓄積し、その蓄
積されたマスクパタ−ン像とマスクパタ−ンの参照画像
とを比較することによりマスクの欠陥を抽出する手段と
を具備したことを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 【請求項３】 上記レ−ザ光は波長が１８０〜３００ｎ
ｍであることを特とする請求項１あるいは請求項２記載
のマスク欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164172A JPH1114551A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | マスク欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164172A JPH1114551A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | マスク欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1114551A true JPH1114551A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15788103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9164172A Pending JPH1114551A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | マスク欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1114551A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054050A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 紫外光源、紫外光源を用いた光治療装置、および紫外光源を用いた露光装置 |
| WO2005078519A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 投写型表示装置、および投写型表示方法 |
| JP2009042113A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Kde Corp | 光学的欠陥検出装置および検出方法 |
| JP2009168524A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法 |
| JP2012150036A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nuflare Technology Inc | 照明装置、パターン検査装置及び照明光の形成方法 |
| JP2013502586A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 画像収集 |
| CN110992322A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-10 | 创新奇智(青岛)科技有限公司 | 基于卷积神经网络的贴片掩膜检测系统及检测方法 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9164172A patent/JPH1114551A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054050A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 紫外光源、紫外光源を用いた光治療装置、および紫外光源を用いた露光装置 |
| US7298546B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-11-20 | Nikon Corporation | Ultraviolet light source, laser treatment apparatus comprising ultraviolet light source, and exposure apparatus comprising ultraviolet light source |
| WO2005078519A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 投写型表示装置、および投写型表示方法 |
| JPWO2005078519A1 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 投写型表示装置、および投写型表示方法 |
| JP2009042113A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Kde Corp | 光学的欠陥検出装置および検出方法 |
| JP2009168524A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法 |
| JP2013502586A (ja) * | 2009-08-20 | 2013-01-24 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 画像収集 |
| JP2015172585A (ja) * | 2009-08-20 | 2015-10-01 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーションＫｌａ−Ｔｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 検査システム |
| JP2012150036A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nuflare Technology Inc | 照明装置、パターン検査装置及び照明光の形成方法 |
| CN110992322A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-10 | 创新奇智(青岛)科技有限公司 | 基于卷积神经网络的贴片掩膜检测系统及检测方法 |
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