JPH11147734A - 帯電防止能強化板とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】研磨処理なしに、摩擦係数が低く、良好な帯電
防止能を有し、容易にかつ安価で製造できる帯電防止能
強化板の実現。 【解決手段】基板１上に、スズ添加量の異なる２層構造
２、３のスズ添加酸化インジウム薄膜又は、アンチモン
添加量の異なる２層構造２、３のアンチモン添加酸化ス
ズ薄膜又は、アルミニウム添加量の異なる２層構造２、
３のアルミニウム添加酸化亜鉛薄膜を備え、表面側の層
の方が内部側の層よりその添加量が多いことを特徴とす
る帯電防止能強化板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、帯電による静電吸
着を防止するための帯電防止能強化板、例えば、原稿自
動送り機構付き複写機用天板、およびその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】原稿自動送り機構を備えた複写機が原稿
詰まりを起こす原因として、原稿と天板ガラスとの機械
的摩擦の結果生じる帯電による静電吸着が挙げられる。
従って、原稿詰まりの発生を防止するためには、天板ガ
ラス表面の摩擦抵抗および電気抵抗を下げることが必要
である。

【０００３】従来、上記の摩擦抵抗および電気抵抗を低
減する方法として、天板ガラス上に有機珪素化合物から
なる潤滑層と、酸化スズ・酸化アンチモン系（ＡＴＯ）
や酸化インジウム・酸化スズ系（ＩＴＯ）などからなる
透明導電層の２層構造膜を形成し、上層の潤滑層で摩擦
抵抗を低減し、下層の透明導電膜で電気抵抗を低減する
方法が知られている。

【０００４】潤滑層の形成方法としては、ポリフルオロ
アルキル基を含有する化合物や炭素数が１０以上の高級
アミン化合物などの有機化合物を用いる方法や、珪素に
イソシアネート基を結合させた化合物や両末端変性ポリ
ジメチルシロキサンなどの有機珪素化合物を用いる方法
がある。

【０００５】また、透明導電膜の形成方法としては、
（１）真空蒸着法、（２）スパッタリング法、（３）Ｃ
ＶＤ法、（４）熱分解法等が知られている。

【０００６】さらには、シリカゾル溶液中に、ＩＴＯや
ＡＴＯなどの透明導電粒子を分散させた溶液を塗布・焼
成して、酸化珪素をマトリックスとして、前記の透明導
電粒子が分散した微構造の帯電防止膜を形成する方法も
知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の
（１）、（２）、（３）の方法では、結晶粒子が島状構
造から成長して単一膜となるために、粒径が大きく、膜
の表面平滑性が悪いために、研磨が必要であったり、ま
た、潤滑層を形成することにより、摩擦係数の小さい２
層構造の帯電防止膜を形成することが必要であった。

【０００８】一方、（４）の方法は、上記の（１）、
（２）、（３）の方法の問題点を解決する可能性を有し
ているものの、実用に耐えうる膜を形成することが困難
であった。例えば、硝酸インジウム、塩化インジウム、
塩化第２スズ等の無機化合物の有機溶液を使用した場合
は、形成された膜に白濁を生じたり、得られた膜の機械
的強度が不足で容易に傷がつく等の欠点がある。また、
オクチル酸インジウム等のイオン結合性の強い有機酸イ
ンジウムを用いる方法においては、有機酸インジウムが
加水分解し易く、比較的容易に化学変化するために、塗
布液のゲル化が生じる等の欠点がある。

【０００９】同様に、シリカゾル溶液中に透明導電粒子
を分散させた溶液を塗布・焼成して、酸化珪素をマトリ
ックスとして、前記の透明導電粒子が分散した微構造の
帯電防止膜を形成する方法も、１回の塗布・焼成で製膜
できる利点は有するものの、得られた膜の平滑性や強度
に問題がある。

【００１０】本発明は、このような従来の帯電防止能強
化板が有する上記課題を考慮し、研磨処理なしに、摩擦
係数が低く、良好な帯電防止能を有し、容易にかつ安価
で製造できる帯電防止能強化板およびその製造方法を提
供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】第１の本発明（請求項１
に対応）は、スズ添加量の異なる２層構造のスズ添加酸
化インジウム薄膜又は、アンチモン添加量の異なる２層
構造のアンチモン添加酸化スズ薄膜又は、アルミニウム
添加量の異なる２層構造のアルミニウム添加酸化亜鉛薄
膜を基板上に備えることを特徴とする帯電防止能強化板
である。

【００１２】また、第２の本発明（請求項２に対応）
は、スズ添加量が傾斜した傾斜構造のスズ添加酸化イン
ジウム薄膜又は、アンチモン添加量が傾斜した傾斜構造
のアンチモン添加酸化スズ薄膜又は、アルミニウム添加
量が傾斜した傾斜構造のアルミニウム添加酸化亜鉛薄膜
を基板上に備えることを特徴とする帯電防止能強化板で
ある。

【００１３】また、請求項３の本発明（請求項３に対
応）は、前記スズ添加酸化インジウム薄膜、アンチモン
添加酸化スズ薄膜若しくはアルミニウム添加酸化亜鉛薄
膜上に、酸化珪素を主成分とする薄膜を備えることを特
徴とする第１又は２の本発明に記載の帯電防止能強化板
である。

【００１４】第４の本発明（請求項４に対応）は、前記
スズ添加酸化インジウム薄膜、アンチモン添加酸化スズ
薄膜若しくはアルミニウム添加酸化亜鉛薄膜は、それぞ
れ上層（表層）部が下層部よりもスズ、アンチモン若し
くはアルミニウム添加量が多いことを特徴とする第１に
記載の帯電防止能強化板である。

【００１５】第５の本発明（請求項５に対応）は、前記
スズ添加酸化インジウム薄膜、アンチモン添加酸化スズ
薄膜若しくはアルミニウム添加酸化亜鉛薄膜は、それぞ
れ、内部側から表面側へスズ、アンチモン若しくはアル
ミニウム添加量が徐々に多くなっていることを特徴とす
る第２の本発明に記載の帯電防止能強化板である。

【００１６】第６の本発明（請求項９に対応）は、揮発
性インジウム化合物と、不揮発性スズ化合物と、有機溶
剤とを含む帯電防止膜形成用組成物を、基板に塗布する
帯電防止膜塗布工程と、前記帯電防止膜塗布工程の後、
前記帯電防止膜形成用組成物を乾燥する帯電防止膜乾燥
工程と、前記帯電防止膜乾燥工程の後、前記帯電防止膜
形成用組成物を焼成して帯電防止膜を形成する帯電防止
膜焼成工程とを備えることを特徴とする帯電防止能強化
板の製造方法である。

【００１７】第７の本発明（請求項１０に対応）は、前
記帯電防止膜焼成工程の後、金属アルコキシドから誘導
される有機珪素化合物の縮合体を含む有機溶液を、前記
帯電防止膜上に塗布・乾燥・焼成することによって、保
護膜を形成する保護膜形成工程を備えることを特徴とす
る第６の本発明に記載の帯電防止能強化板の製造方法で
ある。

【００１８】第８の本発明（請求項１１に対応）は、前
記不揮発性スズ化合物は、シュウ酸スズであることを特
徴とする第９または１０の本発明に記載の帯電防止能強
化板の製造方法である。

【００１９】第９の本発明（請求項１２に対応）は、前
記揮発性インジウム化合物は、硝酸インジウムまたは塩
化インジウムのいずれかと、β−ジケトン類、多価アル
コール類または多価アルコール縮合体であるところの有
機化合物との反応物であることを特徴とする第６〜８の
いずれかに記載の本発明の帯電防止能強化板の製造方法
である。

【００２０】すなわち、本発明の帯電防止能強化板は、
スズ添加量の異なる２層構造のスズ添加酸化インジウム
薄膜を備えたことを特徴とするものであり、特に、２層
構造のスズ添加酸化インジウム薄膜において、上層部が
下層部よりもスズ添加量を多くして、膜の表面付近に、
酸化インジウムよりも熱的、機械的および化学的耐久性
の高い酸化スズの量を増加させることにより、膜表面の
機械的および化学的耐久性を向上させることができる。

【００２１】また、２層構造のスズ添加酸化インジウム
薄膜の膜厚が８０ｎｍ以下にすることにより、複写機用
天板として良好な帯電防止能と耐久性と透過率を満足す
ることができる。さらには、前記の２層構造のスズ添加
酸化インジウム薄膜上に酸化珪素を主成分とする薄膜を
設けることにより、よりいっそう膜表面の機械的および
化学的耐久性を向上させることができる。

【００２２】すなわち、本発明の複写機用天板の製造方
法においては、揮発性インジウム化合物と、不揮発性ス
ズ化合物と、有機溶剤からなる帯電防止膜形成用組成物
を、基板に塗布する工程と、前記基板を乾燥する工程
と、前記基板を焼成する工程により、スズ添加量の異な
る２層構造のスズ添加酸化インジウム薄膜を基板上に形
成する。このとき、揮発性インジウム化合物と、不揮発
性スズ化合物と、有機溶剤からなる帯電防止膜形成用組
成物は、乾燥時に有機溶剤が蒸発して、揮発性インジウ
ム化合物と不揮発性スズ化合物の混合物を生じ、さらに
焼成時において、昇温中に表面部分の揮発性インジウム
化合物が昇華もしくは蒸発することにより、不揮発性ス
ズ化合物の量が増加し、両者の熱分解の結果、微構造に
おいて、粒径の小さな粒子からなり、上層部が下層部よ
りもスズ添加量の多い、２層構造のスズ添加酸化インジ
ウム薄膜を形成することができる。

【００２３】さらに、膜厚と昇温温度と添加物の昇華性
とを変化させることによって、添加物量の傾斜構造を持
たすことも可能である。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００２５】図１は、本発明の一実施の形態における帯
電防止能強化板の構成を示す断面図である。本実施の形
態における帯電防止能強化板は、複写機用天板として使
用されることを目的としたものである。

【００２６】図１において、基板１は透明なソーダライ
ムガラス基板であり、その上面には、スズ添加量の異な
る２層構造のスズ添加酸化インジウム薄膜２、３と、酸
化珪素を主成分とする薄膜である保護膜４を備えてい
る。上層スズ添加酸化インジウム薄膜３は、下層スズ添
加酸化インジウム薄膜２よりもスズ添加量を多くしてい
る。また、２層構造のスズ添加酸化インジウム薄膜２、
３の合計膜厚ｄは、８０ｎｍ以下になっている。

【００２７】すなわち、本実施の形態における帯電防止
能強化板は、スズ添加量の異なる２層構造のスズ添加酸
化インジウム薄膜２、３を備え、上層スズ添加酸化イン
ジウム薄膜３が下層スズ添加酸化インジウム薄膜２より
もスズ添加量を多くすることによって、膜の表面付近
に、酸化インジウムよりも熱的、機械的および化学的耐
久性の高い酸化スズの量を増加させている。これによ
り、膜表面の機械的および化学的耐久性を向上させてい
る。また、２層構造のスズ添加酸化インジウム薄膜２、
３の合計膜厚を８０ｎｍ以下にすることにより、複写機
用天板として良好な帯電防止能と耐久性と透過率を満足
させている。これは、膜厚が８０ｎｍより大きくなる
と、特に可視透過率が８０％以下になり複写機用天板と
して適さなくなるためである。さらには、２層構造のス
ズ添加酸化インジウム薄膜２、３上に酸化珪素を主成分
とする薄膜である保護膜４を設けることにより、よりい
っそう膜表面の機械的および化学的耐久性を向上させて
いる。

【００２８】次に、本実施の形態における帯電防止能強
化板の製造方法を説明する。

【００２９】まず、透明なソーダライムガラス基板であ
る基板１の上面に、揮発性インジウム化合物と、不揮発
性スズ化合物と、有機溶剤からなる帯電防止膜形成用組
成物を塗布する。つぎに、基板１上に塗布した前記帯電
防止膜形成用組成物を乾燥させる。つきに、基板１上に
塗布した前記帯電防止膜形成用組成物を焼成させること
によって、スズ添加量の異なる２層構造のスズ添加酸化
インジウム薄膜２、３が基板１上に形成される。この
後、２層構造のスズ添加酸化インジウム薄膜２、３上
に、金属アルコキシドから誘導される有機珪素化合物の
縮合体を含む有機溶液を、塗布・乾燥・焼成することに
よって、保護膜４が形成される。

【００３０】なお、前記揮発性のインジウム化合物は、
熱分解温度以下で蒸気圧を有するものであればよく、例
えば、硝酸インジウムまたは塩化インジウムのいずれか
と、アセチルアセトンなどのβ−ジケトン類、トリメチ
レングリコールやグリセリンなどの多価アルコール類ま
たはジエチレングリコールやトリエチレングリコールな
どの多価アルコール縮合体であるところの有機化合物と
の反応物が挙げられる。また、前記不揮発性スズ化合物
としては、空気中では安定であるが、加熱処理により分
解し易いものであればよく、例えば、カルボン酸スズや
ジカルボン酸スズが挙げられ、炭素数が小さい、ギ酸ス
ズ、酢酸スズが好ましく、とくにシュウ酸スズが最も好
ましい。また、前記有機溶剤としては、上述の有機化合
物や無機化合物を溶解するものであればよく、例えば、
エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸
エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類、アセトン、ジ
エチルケトン等のケトン類、メトキシエタノール、エト
キシエタノール等のエーテルアルコール類などが挙げら
れる。さらに、帯電防止膜形成用組成物の塗布には、ス
クリーン印刷法、ロールコート法、ディップコート法、
スピンコート法等を用いることができるが、ディップコ
ート法、スピンコート法が好ましい。また、焼成温度と
しては、帯電防止膜形成用組成物が分解する温度以上
で、かつ基板の変形温度以下であればよく、３００〜５
００℃が好ましい。

【００３１】なお、保護膜の形成に用いられる金属アル
コキシドから誘導される有機珪素化合物の縮合体を含む
有機溶液は以下のようにして合成される。化１に示すよ
うな珪素の金属アルコキシドを有機溶剤に溶解させる。

【００３２】

【化１】

【００３３】ここで、有機溶剤としては、前記の金属ア
ルコキシドを溶解するものであればよく、例えば、エタ
ノール、イソプロパノール等のアルコール類、メトキシ
エタノール、エトキシエタノール等のエーテルアルコー
ル類などが挙げられる。そして、前記の金属アルコキシ
ドを酸性条件下で、部分加水分解することにより、有機
珪素化合物の縮合体を含む有機溶液を合成する。ここ
で、化２で示される有機珪素化合物の縮合体は、１次元
の構造を有しており、平滑度の高い保護膜を形成するの
に適している。

【００３４】

【化２】

【００３５】また、有機珪素化合物の縮合体を含む有機
溶液の塗布には、スクリーン印刷法、ロールコート法、
ディップコート法、スピンコート法等を用いることがで
きるが、ディップコート法、スピンコート法が好まし
い。また、焼成温度としては、有機珪素化合物の縮合体
が重縮合する温度以上で、かつ基板の変形温度以下であ
ればよく、８０〜５００℃が好ましい。

【００３６】すなわち、本実施の形態における帯電防止
能強化板の製造方法においては、前記帯電防止膜形成用
組成物は、乾燥時に有機溶剤が蒸発して、揮発性インジ
ウム化合物と不揮発性スズ化合物の混合物を生じ、さら
に焼成時において、昇温中に表面部分の揮発性インジウ
ム化合物が昇華もしくは蒸発することにより、不揮発性
スズ化合物の量が増加し、両者の熱分解の結果、微構造
において、粒径の小さな粒子からなり、上層部が下層部
よりもスズ添加量の多い、２層構造のスズ添加酸化イン
ジウム薄膜２、３を形成することができる。一般に、粒
径が小さいほど、膜の機械的強度は高く、かつ、膜表面
の平滑度が良好であるために膜の摩擦抵抗は低くなるこ
とが知られている。

【００３７】

【実施例】以下に、上述した実施の形態に対応する詳細
な実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例によっ
て限定されるものではない。

【００３８】（実施例１）１リットルの三角フラスコ
に、４５ｇの硝酸インジウム（化３）を秤量し、５０ｇ
のアセチルアセトンを加えて、室温で混合・溶解させ
た。その溶液に、５．４ｇ［（数１）で１０ｍｏｌ％］
のシュウ酸第１スズ（化４）とメタノールを加えて還流
した。その還流後の溶液を室温付近まで冷却し、さらに
アセトンを加え、撹拌・混合して、帯電防止膜形成用組
成物を合成した。その帯電防止膜形成用組成物に、ソー
ダライムガラス基板（４７０ｍｍ×３５０ｍｍ×３ｍｍ
厚）を３０ｃｍ／ｍｉｎの引き上げ速度でディップコー
トした。その基板を５分間室温で放置し、６０℃で５分
間乾燥した後、５００℃で１時間焼成した。

【００３９】

【化３】

【００４０】

【数１】

【００４１】

【化４】

【００４２】（実施例２）２００ミリリットルの三角フ
ラスコに、９ｇの硝酸インジウム（化３）を秤量し、８
ｇのジエチレングリコールを加えて、室温で混合・溶解
させた。その溶液に、５．４ｇ［（数１）で１０ｍｏｌ
％］のシュウ酸第１スズ（化４）とメトキシエタノール
を加えて還流した。その還流後の溶液を室温付近まで冷
却して、帯電防止膜形成用組成物を合成した。その帯電
防止膜形成用組成物を、ソーダライムガラス基板にスピ
ンコートした。その基板を５分間室温で放置し、６０℃
で５分間乾燥した後、４００℃で１時間焼成した。

【００４３】さらに、２００ミリリットルの三角フラス
コに、１０ｇのテトラエトキシシラン（化５）を秤量
し、５０ミリリットルの脱水エタノールに、室温で混合
・溶解させた。その溶液に、１ｇの濃塩酸を９ミリリッ
トルの脱水エタノールで１０倍に希釈して、撹拌しなが
ら滴下することにより、有機珪素化合物の縮合体を含む
有機溶液を合成した。その有機溶液を、ソーダライムガ
ラス基板にスピンコートした。その基板を５分間室温で
放置し、６０℃で５分間乾燥した後、２００℃で３０分
間加熱処理した。

【００４４】

【化５】

【００４５】（比較例１）ハロゲン化珪素、シランアル
コキシドおよび導電物質を含むシリカゾル溶液からなる
ＥＣコート液（旭硝子株式会社製）を、洗浄したソーダ
ライムガラス基板にスピンコートした。その基板を５分
間室温で放置し、６０℃で５分間乾燥した後、１５０℃
で３０分間焼成した。

【００４６】（比較例２）洗浄したソーダライムガラス
基板上に、イオンプレーティング法によりＩＴＯ膜を形
成した。

【００４７】表１に実施例１，２、比較例１，２の結果
を示す。なお、耐久性は、原稿自動送り機構付き複写機
を用いて、４６枚／分の速度で、３０万枚の原稿を複写
したときの結果である。

【００４８】

【表１】

【００４９】以上の結果から明らかなように、比較例
１，２に比べて、実施例１，２は摩擦係数が低く、帯電
防止能が高く、かつ膜の機械的強度も高く、原稿自動送
り機能付き複写機用天板として優れた特性を示している
ことがわかる。なお、実施例１，２のシート抵抗値は、
比較例１，２の値に比べて大きくなっているが、１ＭΩ
／□以下であれば、実用上十分に小さい電気抵抗である
と言え、比較例１，２の値との差によって、実用上の帯
電防止能が劣化するものではない。

【００５０】つまり、摩擦力係数が十分小さいので、静
電気自体の発生を極力抑圧できるので、多少電気抵抗が
大きくなっても全体として帯電防止能力が高くなる。

【００５１】なお、本発明は、上記添加量としてスズ、
マトリックスとしてインジウムに限らず、アンチモンを
添加量とし、マトリックスとしてスズを、あるいは添加
量としてアルミニウムを、マトリックスとして亜鉛を用
いるようにしてもよい。

【００５２】なお、本発明は、スズ添加量が傾斜した傾
斜構造のスズ添加酸化インジウム薄膜又は、アンチモン
添加量が傾斜した傾斜構造のアンチモン添加酸化スズ薄
膜又は、アルミニウム添加量が傾斜した傾斜構造のアル
ミニウム添加酸化亜鉛薄膜を基板上に備えるようにして
もよい。第２図はその様子を示す断面図である。ここで
５は、その添加量が傾斜した部分を示す。上部側の方が
添加量が多くなった傾斜構造をしている。このような構
造の本発明も、前述した構造の本発明と同様の良い効果
を持つ。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、研磨処理なしに、摩擦係数が低く、良好
な帯電防止能を有し、容易にかつ安価で製造できる帯電
防止能強化板およびその製造方法を提供することができ
る。

【００５４】また、本発明の帯電防止能強化板を原稿自
動送り機構付き複写機の天板として用いると、静電吸着
による原稿詰まり防止の用途に適するものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における帯電防止能強化
板の構成を示す断面図。

【図２】本発明の一実施の形態における帯電防止能強化
板の構成を示す断面図。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下層スズ添加酸化インジウム薄膜 ３ 上層スズ添加酸化インジウム薄膜 ４ 保護膜 ５ 添加量傾斜部

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スズ添加量の異なる２層構造のスズ添加
   酸化インジウム薄膜又は、アンチモン添加量の異なる２
   層構造のアンチモン添加酸化スズ薄膜又は、アルミニウ
   ム添加量の異なる２層構造のアルミニウム添加酸化亜鉛
   薄膜を基板上に備えることを特徴とする帯電防止能強化
   板。
2. 【請求項２】 スズ添加量が傾斜した傾斜構造のスズ添
   加酸化インジウム薄膜又は、アンチモン添加量が傾斜し
   た傾斜構造のアンチモン添加酸化スズ薄膜又は、アルミ
   ニウム添加量が傾斜した傾斜構造のアルミニウム添加酸
   化亜鉛薄膜を基板上に備えることを特徴とする帯電防止
   能強化板。
3. 【請求項３】 前記スズ添加酸化インジウム薄膜、アン
   チモン添加酸化スズ薄膜若しくはアルミニウム添加酸化
   亜鉛薄膜上に、酸化珪素を主成分とする薄膜を備えるこ
   とを特徴とする請求項１又は２に記載の帯電防止能強化
   板。
4. 【請求項４】 前記スズ添加酸化インジウム薄膜、アン
   チモン添加酸化スズ薄膜若しくはアルミニウム添加酸化
   亜鉛薄膜は、それぞれ上層（表層）部が下層部よりもス
   ズ、アンチモン若しくはアルミニウム添加量が多いこと
   を特徴とする請求項１に記載の帯電防止能強化板。
5. 【請求項５】 前記スズ添加酸化インジウム薄膜、アン
   チモン添加酸化スズ薄膜若しくはアルミニウム添加酸化
   亜鉛薄膜は、それぞれ、内部側から表面側へスズ、アン
   チモン若しくはアルミニウム添加量が徐々に多くなって
   いることを特徴とする請求項２に記載の帯電防止能強化
   板。
6. 【請求項６】 前記薄膜の総膜厚は、８０ｎｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の帯
   電防止能強化板。
7. 【請求項７】 前記基板は、ガラスであることを特徴と
   する請求項１〜６のいずれかに記載の帯電防止能強化
   板。
8. 【請求項８】 複写機用天板として使用されることを特
   徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の帯電防止能強
   化板。
9. 【請求項９】 揮発性インジウム化合物と、不揮発性ス
   ズ化合物と、有機溶剤とを含む帯電防止膜形成用組成物
   を、基板に塗布する帯電防止膜塗布工程と、前記帯電防
   止膜塗布工程の後、前記帯電防止膜形成用組成物を乾燥
   する帯電防止膜乾燥工程と、前記帯電防止膜乾燥工程の
   後、前記帯電防止膜形成用組成物を焼成して帯電防止膜
   を形成する帯電防止膜焼成工程とを備えることを特徴と
   する帯電防止能強化板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記帯電防止膜焼成工程の後、金属ア
    ルコキシドから誘導される有機珪素化合物の縮合体を含
    む有機溶液を、前記帯電防止膜上に塗布・乾燥・焼成す
    ることによって、保護膜を形成する保護膜形成工程を備
    えることを特徴とする請求項９に記載の帯電防止能強化
    板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記不揮発性スズ化合物は、シュウ酸
    スズであることを特徴とする請求項９または１０に記載
    の帯電防止能強化板の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記揮発性インジウム化合物は、硝酸
    インジウムまたは塩化インジウムのいずれかと、β−ジ
    ケトン類、多価アルコール類または多価アルコール縮合
    体であるところの有機化合物との反応物であることを特
    徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の帯電防止能
    強化板の製造方法。