JPH11147775A - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物の製造方法Info
- Publication number
- JPH11147775A JPH11147775A JP9331294A JP33129497A JPH11147775A JP H11147775 A JPH11147775 A JP H11147775A JP 9331294 A JP9331294 A JP 9331294A JP 33129497 A JP33129497 A JP 33129497A JP H11147775 A JPH11147775 A JP H11147775A
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- JP
- Japan
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- powder
- producing
- dielectric
- dielectric porcelain
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつ
きが小さく、並びにτfが零に近い特性を安定して得ら
れる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｂｉ2Ｏ3を含む成形体を、これと同組成
の粉末、あるいは、ＺｒＯ2の粉末で覆い、これらを下
板（アルミナセッター）と上蓋（アルミナこう鉢）で囲
った状態で焼結する。
きが小さく、並びにτfが零に近い特性を安定して得ら
れる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 【解決手段】 Ｂｉ2Ｏ3を含む成形体を、これと同組成
の粉末、あるいは、ＺｒＯ2の粉末で覆い、これらを下
板（アルミナセッター）と上蓋（アルミナこう鉢）で囲
った状態で焼結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波帯
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物の
製造方法に関する。
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器の進歩により、自動車電
話や携帯電話、ＰＨＳ等の移動体通信システム、ＧＰＳ
（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅ
ｍ）が急速に普及している。そのため、通信に利用され
る周波数帯域が拡大し、マイクロ波帯域での利用が盛ん
になっている。古くは、このマイクロ波帯域で使用され
る回路には、空洞共振器、アンテナ等が用いられてい
た。しかし、これら部品は、マイクロ波の波長と同程度
の大きさになるため、自動車用電話機、携帯電話機、小
型ＧＰＳ装置等に適用できるような小型化が不可能であ
った。
話や携帯電話、ＰＨＳ等の移動体通信システム、ＧＰＳ
（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅ
ｍ）が急速に普及している。そのため、通信に利用され
る周波数帯域が拡大し、マイクロ波帯域での利用が盛ん
になっている。古くは、このマイクロ波帯域で使用され
る回路には、空洞共振器、アンテナ等が用いられてい
た。しかし、これら部品は、マイクロ波の波長と同程度
の大きさになるため、自動車用電話機、携帯電話機、小
型ＧＰＳ装置等に適用できるような小型化が不可能であ
った。
【０００３】これに対し、近年、マイクロ波フィルタや
発信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いること
によって、回路部品の小型化が盛んに行われ、一般化し
つつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電体
材料の要求特性は、使用周波数帯域における誘電率（以
下、εrと呼ぶ）が大きいこと、共振周波数の温度係数
（以下、τfと呼ぶ）ができるだけ零に近いこと、マイ
クロ波帯域での誘電損失［以下、ｔａｎδ（＝１／Ｑ）
と呼ぶ］が小さいことがあげられる。なお、マイクロ波
帯域でのｔａｎδの大小は、そのときの共振周波数をｆ
とすると、一般的にＱ×ｆの形で表現される。そのた
め、以下、Ｑ×ｆの表現を用いる。
発信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いること
によって、回路部品の小型化が盛んに行われ、一般化し
つつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電体
材料の要求特性は、使用周波数帯域における誘電率（以
下、εrと呼ぶ）が大きいこと、共振周波数の温度係数
（以下、τfと呼ぶ）ができるだけ零に近いこと、マイ
クロ波帯域での誘電損失［以下、ｔａｎδ（＝１／Ｑ）
と呼ぶ］が小さいことがあげられる。なお、マイクロ波
帯域でのｔａｎδの大小は、そのときの共振周波数をｆ
とすると、一般的にＱ×ｆの形で表現される。そのた
め、以下、Ｑ×ｆの表現を用いる。
【０００４】また、従来から主にコイル、ＩＣ、水晶振
動子等に用いられてきた温度補償用コンデンサは、最近
になって移動体通信機のデジタル回路用バイパスコンデ
ンサ等としての需要が増加している。
動子等に用いられてきた温度補償用コンデンサは、最近
になって移動体通信機のデジタル回路用バイパスコンデ
ンサ等としての需要が増加している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これまで、マイクロ波
用、あるいは温度補償用コンデンサの誘電体磁器組成物
としては、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3系、ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2系、ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系、ＢａＯ−希土
類酸化物−ＴｉＯ2系、（Ｐｂ、Ｃａ）ＺｒＯ3等の材料
が知られている。しかしこれまでに開示されている材料
では、マイクロ波帯域において、εrが大きいほどＱ×
ｆが小さいという傾向があった。その欠点を解決するた
めに、本発明者等は、十分大きな無負荷Ｑとεr＞１１
０と実用上、十分小さな絶対値τfを合わせ持つ材料と
して、特開平７−１７２９１２号により、ＢａＯ−Ｌａ
2Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2等を提案した。
用、あるいは温度補償用コンデンサの誘電体磁器組成物
としては、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3系、ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2系、ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系、ＢａＯ−希土
類酸化物−ＴｉＯ2系、（Ｐｂ、Ｃａ）ＺｒＯ3等の材料
が知られている。しかしこれまでに開示されている材料
では、マイクロ波帯域において、εrが大きいほどＱ×
ｆが小さいという傾向があった。その欠点を解決するた
めに、本発明者等は、十分大きな無負荷Ｑとεr＞１１
０と実用上、十分小さな絶対値τfを合わせ持つ材料と
して、特開平７−１７２９１２号により、ＢａＯ−Ｌａ
2Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2等を提案した。
【０００６】しかしながら、ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ3−Ｓｍ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2等の材料のようにＢｉ2Ｏ3を多
量に含む組成では、焼結工程において、焼結温度が高く
なるとＢｉ2Ｏ3の蒸発が促進されるため、εr、Ｑ×ｆ
が劣化し、また、εrのばらつきが大きくなる欠点があ
った。
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2等の材料のようにＢｉ2Ｏ3を多
量に含む組成では、焼結工程において、焼結温度が高く
なるとＢｉ2Ｏ3の蒸発が促進されるため、εr、Ｑ×ｆ
が劣化し、また、εrのばらつきが大きくなる欠点があ
った。
【０００７】そこで、本発明の技術的課題は、Ｂｉ2Ｏ3
の蒸発が開始される温度付近で焼結を行っても、εr、
Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが小さく、並
びにτfが零に近い特性が安定して得られる誘電体磁器
組成物の製造方法を提供することにある。
の蒸発が開始される温度付近で焼結を行っても、εr、
Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが小さく、並
びにτfが零に近い特性が安定して得られる誘電体磁器
組成物の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに鋭意検討した結果、本発明者は、Ｂｉ2Ｏ3を含む誘
電体磁器組成物の成形体を、磁器と酸化物粉末でほぼ密
閉に近い状態に覆うことで、焼結温度をＢｉ2Ｏ3の蒸発
が開始する温度付近としても、焼結空間内のＢｉ2Ｏ3の
蒸気圧が適度に制御されるため、組成ずれがなくなり、
εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが小さ
く、並びにτfが零に近い誘電体磁器組成物が得られる
ことを見出した。
めに鋭意検討した結果、本発明者は、Ｂｉ2Ｏ3を含む誘
電体磁器組成物の成形体を、磁器と酸化物粉末でほぼ密
閉に近い状態に覆うことで、焼結温度をＢｉ2Ｏ3の蒸発
が開始する温度付近としても、焼結空間内のＢｉ2Ｏ3の
蒸気圧が適度に制御されるため、組成ずれがなくなり、
εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが小さ
く、並びにτfが零に近い誘電体磁器組成物が得られる
ことを見出した。
【０００９】即ち、本発明は、Ｂｉ2Ｏ3を含む誘電体磁
器組成物の成形体を磁器と酸化物粉末により覆って焼結
することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法であ
る。
器組成物の成形体を磁器と酸化物粉末により覆って焼結
することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法であ
る。
【００１０】また、本発明は、上記の誘電体磁器組成物
の製造方法において、前記酸化物粉末は、前記成形体と
同組成の粉末であることを特徴とする誘電体磁器組成物
の製造方法である。
の製造方法において、前記酸化物粉末は、前記成形体と
同組成の粉末であることを特徴とする誘電体磁器組成物
の製造方法である。
【００１１】また、本発明は、上記の誘電体磁器組成物
の製造方法において、前記酸化物粉末は、ＺｒＯ2であ
ることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法であ
る。
の製造方法において、前記酸化物粉末は、ＺｒＯ2であ
ることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法であ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】Ｂｉ2Ｏ3を含む成形体を、これと
同組成の粉末、あるいは、ＺｒＯ2の粉末で覆い、これ
らを下板（アルミナセッター）と上蓋（アルミナこう
鉢）で囲った状態で焼結する。
同組成の粉末、あるいは、ＺｒＯ2の粉末で覆い、これ
らを下板（アルミナセッター）と上蓋（アルミナこう
鉢）で囲った状態で焼結する。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明の詳細を説
明する。
明する。
【００１４】（実施例１）まず、ＢａＣＯ3、ＳｒＯ、
Ｓｍ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2の各粉末を各
組成に応じて秤量した後、純水を用い、ジルコニアボー
ルにて樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し、混合
物を得た。次に、この混合物を乾燥させた後、大気中に
て１２００℃の温度で約４時間仮焼し、仮焼物を得た。
次に、上記のボールミルで２０時間湿式粉砕後、乾燥、
造粒し、直径１５ｍｍ、厚さ約６ｍｍの円盤状に成形し
た。次に、この成形体を、上記の仮焼物の２０時間湿式
粉砕粉末で覆い、さらに、アルミナセッターとアルミナ
こう鉢とで囲った状態で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
Ｓｍ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2の各粉末を各
組成に応じて秤量した後、純水を用い、ジルコニアボー
ルにて樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し、混合
物を得た。次に、この混合物を乾燥させた後、大気中に
て１２００℃の温度で約４時間仮焼し、仮焼物を得た。
次に、上記のボールミルで２０時間湿式粉砕後、乾燥、
造粒し、直径１５ｍｍ、厚さ約６ｍｍの円盤状に成形し
た。次に、この成形体を、上記の仮焼物の２０時間湿式
粉砕粉末で覆い、さらに、アルミナセッターとアルミナ
こう鉢とで囲った状態で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
【００１５】（実施例２）ＢａＣＯ3、ＳｒＯ、Ｓｍ2Ｏ
3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2の各粉末を各組成に応
じて秤量し、実施例１と同様の方法で、直径１５ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤を得た。次に、この成形体を、Ｚｒ
Ｏ2粉末で覆い、さらに、アルミナセッターとアルミナ
こう鉢とで囲った状態で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2の各粉末を各組成に応
じて秤量し、実施例１と同様の方法で、直径１５ｍｍ、
厚さ約６ｍｍの円盤を得た。次に、この成形体を、Ｚｒ
Ｏ2粉末で覆い、さらに、アルミナセッターとアルミナ
こう鉢とで囲った状態で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
【００１６】（比較例１）実施例１で作製した成形体
を、この成形体とアルミナセッター、アルミナこう鉢と
の間に約５ｍｍの隙間を設けた状態で、１２５０〜１３
５０℃の温度で焼結し、誘電体磁器を得た。
を、この成形体とアルミナセッター、アルミナこう鉢と
の間に約５ｍｍの隙間を設けた状態で、１２５０〜１３
５０℃の温度で焼結し、誘電体磁器を得た。
【００１７】（比較例２）実施例２で作製した成形体を
比較例１と同様の方法で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
比較例１と同様の方法で、１２５０〜１３５０℃の温度
で焼結し、誘電体磁器を得た。
【００１８】次に、実施例１、２、比較例１、２の各組
成の誘電体磁器について、誘電体共振器法により、
εr、Ｑ×ｆ値、τfを測定し、εrのばらつき３σ／平
均を計算した（測定試料数１００個）。τfは＋２０〜
＋６０℃の温度範囲でのｆの差により次式によって求め
た。
成の誘電体磁器について、誘電体共振器法により、
εr、Ｑ×ｆ値、τfを測定し、εrのばらつき３σ／平
均を計算した（測定試料数１００個）。τfは＋２０〜
＋６０℃の温度範囲でのｆの差により次式によって求め
た。
【００１９】 τf＝［ｆ(60℃)−ｆ(20℃)］／［４０×ｆ(20℃)］
【００２０】それらの結果を表１に示す。なお組成は、
ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2Ｏ3−ｄＢｉ2Ｏ3−ｅＬａ
2Ｏ3−ｆＴｉＯ2（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モ
ル％）のように表した。また、ｆは、２.０〜３.３ＧＨ
ｚであった。
ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2Ｏ3−ｄＢｉ2Ｏ3−ｅＬａ
2Ｏ3−ｆＴｉＯ2（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モ
ル％）のように表した。また、ｆは、２.０〜３.３ＧＨ
ｚであった。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１において、実施例１と比較例１、及び
実施例２と比較例２を比較すると明らかなように、実施
例１、２では、Ｂｉ2Ｏ3を含む誘電体磁器組成物の成形
体を、Ｂｉ2Ｏ3の蒸発が開始される温度付近で焼結して
も、アルミナセッター、アルミナこう鉢の間の空間を酸
化物粉末で覆った状態であるので、組成ずれが生じない
ため、εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが
小さく、並びにτfが零に近くなるのに対し、比較例
１、２では、アルミナセッターとアルミナこう鉢の間に
空間があるため、Ｂｉ2Ｏ3の蒸発による影響で異相が生
成され、εr、Ｑ×ｆ、τfが急激に劣化し、εrのばら
つきが大きくなる。
実施例２と比較例２を比較すると明らかなように、実施
例１、２では、Ｂｉ2Ｏ3を含む誘電体磁器組成物の成形
体を、Ｂｉ2Ｏ3の蒸発が開始される温度付近で焼結して
も、アルミナセッター、アルミナこう鉢の間の空間を酸
化物粉末で覆った状態であるので、組成ずれが生じない
ため、εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつ、εrのばらつきが
小さく、並びにτfが零に近くなるのに対し、比較例
１、２では、アルミナセッターとアルミナこう鉢の間に
空間があるため、Ｂｉ2Ｏ3の蒸発による影響で異相が生
成され、εr、Ｑ×ｆ、τfが急激に劣化し、εrのばら
つきが大きくなる。
【００２３】なお、以上の実施例では、ＢａＯ−ＳｒＯ
−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2の組成の例
について示したが、これに限定されない。例えば、Ｂａ
Ｏ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ
−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＰｂＯ、
ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2−Ｐ
ｂＯ−Ｇｄ2Ｏ3、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2
Ｏ3−ＴｉＯ2−Ｇｄ2Ｏ3の組成でもよい。
−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2の組成の例
について示したが、これに限定されない。例えば、Ｂａ
Ｏ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2、ＢａＯ
−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2−ＰｂＯ、
ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2Ｏ3−ＴｉＯ2−Ｐ
ｂＯ−Ｇｄ2Ｏ3、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−Ｌａ2
Ｏ3−ＴｉＯ2−Ｇｄ2Ｏ3の組成でもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明した通り、本発明によれば、
εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつεrのばらつきが小さく、
並びにτｆが零に近い誘電体磁器組成物の製造方法が得
られる。したがって、誘電体共振器等を製造する際、ε
rのばらつきは、ｆのばらつきにつながるため、目的の
ｆを安定して得るためには、本発明の製造方法は非常に
有効である。
εr、Ｑ×ｆ値が大きく、かつεrのばらつきが小さく、
並びにτｆが零に近い誘電体磁器組成物の製造方法が得
られる。したがって、誘電体共振器等を製造する際、ε
rのばらつきは、ｆのばらつきにつながるため、目的の
ｆを安定して得るためには、本発明の製造方法は非常に
有効である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｂｉ2Ｏ3を含む誘電体磁器組成物の成形
体を磁器と酸化物粉末により覆って焼結することを特徴
とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体磁器組成物の製造
方法において、前記酸化物粉末は、前記成形体と同組成
の粉末であることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造
方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の誘電体磁器組成物の製造
方法において、前記酸化物粉末は、ＺｒＯ2であること
を特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331294A JPH11147775A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331294A JPH11147775A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11147775A true JPH11147775A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18242087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331294A Pending JPH11147775A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11147775A (ja) |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP9331294A patent/JPH11147775A/ja active Pending
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