JPH11148861A - マイクロブリッジ構造 - Google Patents
マイクロブリッジ構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的強度が向上したマイクロブリッジ構造
を提供すること。 【解決手段】 マイクロブリッジ構造は、基板１から離
隔して設けられた薄膜部２と、前記薄膜部２の周辺部に
前記基板から離隔して形成され、前記薄膜部を支持する
ための支持部３，４とを具備する。前記支持部３，４
は、補強部６により補強されている。また、前記薄膜部
２も、周辺部の少なくとも一部に設けられた補強部６に
より補強されている。
を提供すること。 【解決手段】 マイクロブリッジ構造は、基板１から離
隔して設けられた薄膜部２と、前記薄膜部２の周辺部に
前記基板から離隔して形成され、前記薄膜部を支持する
ための支持部３，４とを具備する。前記支持部３，４
は、補強部６により補強されている。また、前記薄膜部
２も、周辺部の少なくとも一部に設けられた補強部６に
より補強されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板から離隔され
た薄膜部を支持部によって支持するマイクロブリッジ構
造に関する。
た薄膜部を支持部によって支持するマイクロブリッジ構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のマイクロブリッジ構造を使用す
るものの例として、非冷却型の赤外線イメージセンサが
知られている。
るものの例として、非冷却型の赤外線イメージセンサが
知られている。
【０００３】図９は、ＩＣ製造技術を利用して製造され
る従来の非冷却型赤外線イメージセンサにおけるセンサ
素子の構造を示している。センサ素子は、センサ部２と
支持部３，４からなる。図１０は、従来のセンサ素子の
支持部３，４の一部の形状を示す斜視図である。
る従来の非冷却型赤外線イメージセンサにおけるセンサ
素子の構造を示している。センサ素子は、センサ部２と
支持部３，４からなる。図１０は、従来のセンサ素子の
支持部３，４の一部の形状を示す斜視図である。
【０００４】赤外線イメージセンサでは、複数のセンサ
素子が２次元的にマトリクス状に配置され、各センサ素
子が図９に示すように形成されている。センサ素子は、
センサ部２に入射する赤外線の熱量による抵抗値の変化
を電気信号としてとり出すボロメータ型のものである。
センサ感度を上げるために、センサ部２は、基板１に対
する熱的絶縁をとるように基板１から離隔されたブリッ
ジ構造を持つように形成されている。
素子が２次元的にマトリクス状に配置され、各センサ素
子が図９に示すように形成されている。センサ素子は、
センサ部２に入射する赤外線の熱量による抵抗値の変化
を電気信号としてとり出すボロメータ型のものである。
センサ感度を上げるために、センサ部２は、基板１に対
する熱的絶縁をとるように基板１から離隔されたブリッ
ジ構造を持つように形成されている。
【０００５】また、センサ部２の表面には温度によって
抵抗値が変化する材料で形成されたセンサ抵抗パターン
５が形成されている。支持部３、４にも同じセンサ抵抗
パターン５の材料からなるパターン８が形成されてい
る。支持部３、４を介して、センサ部2の検出結果は、
基板１に形成されているセンサ信号の出力回路（図示せ
ず）に電気的に接続される。
抵抗値が変化する材料で形成されたセンサ抵抗パターン
５が形成されている。支持部３、４にも同じセンサ抵抗
パターン５の材料からなるパターン８が形成されてい
る。支持部３、４を介して、センサ部2の検出結果は、
基板１に形成されているセンサ信号の出力回路（図示せ
ず）に電気的に接続される。
【０００６】このような赤外線センサ素子にあって、セ
ンサ感度を上げるためには、（１）センサ部２において
吸収される赤外線の量を増やすこと、（２）センサ部２
で発生されるノイズを低減すること、（３）センサ部２
への熱絶縁性を改善すること等の点である。また、感度
に加えて、応答性を改善するためには、センサ部２の熱
容量を小さくすることが必要である。
ンサ感度を上げるためには、（１）センサ部２において
吸収される赤外線の量を増やすこと、（２）センサ部２
で発生されるノイズを低減すること、（３）センサ部２
への熱絶縁性を改善すること等の点である。また、感度
に加えて、応答性を改善するためには、センサ部２の熱
容量を小さくすることが必要である。
【０００７】センサ部２の熱容量を小さくするために
は、センサ部２の構成材料に比熱の小さいものを使用す
ること、センサ部２の膜厚を薄くすること、センサ部２
の面積を小さくすることが考えられる。製造プロセスの
関係から、センサ部２には一般にシリコン酸化物あるい
はシリコン窒化物が用いられており、使用可能な材料は
限られている。また、センサ部２の面積は小さくできな
い場合がある。入射赤外線を十分に吸収するためには、
反対に、センサ部２の面積を大きくすることが望まれる
場合がある。
は、センサ部２の構成材料に比熱の小さいものを使用す
ること、センサ部２の膜厚を薄くすること、センサ部２
の面積を小さくすることが考えられる。製造プロセスの
関係から、センサ部２には一般にシリコン酸化物あるい
はシリコン窒化物が用いられており、使用可能な材料は
限られている。また、センサ部２の面積は小さくできな
い場合がある。入射赤外線を十分に吸収するためには、
反対に、センサ部２の面積を大きくすることが望まれる
場合がある。
【０００８】そのような場合に、熱容量を小さくするた
めには、センサ部２を薄くしなければならない。しかし
ながら、センサ部２が基板１から離隔されている場合、
センサ部２の膜厚を薄くすることは、強度の観点から問
題がある。
めには、センサ部２を薄くしなければならない。しかし
ながら、センサ部２が基板１から離隔されている場合、
センサ部２の膜厚を薄くすることは、強度の観点から問
題がある。
【０００９】支持部３、４に注目すれば、熱伝導率が低
い材料を使って、より薄く、細く、長くした熱抵抗の高
い構造にして、基板１に対する断熱を図ることが必要に
なる。しかし、マイクロマシニング加工で用いることの
できる材料は限られており、材料的にも、また、強度的
にも限界がある。
い材料を使って、より薄く、細く、長くした熱抵抗の高
い構造にして、基板１に対する断熱を図ることが必要に
なる。しかし、マイクロマシニング加工で用いることの
できる材料は限られており、材料的にも、また、強度的
にも限界がある。
【００１０】このように、センサ部２を２つの支持部
３、４によって基板１から浮かせたブリッジ構造をとる
赤外線センサ素子にあっては、センサ部２における断熱
および熱容量に関する熱的特性の向上と構造的な強度の
保持とは相反する関係にある。
３、４によって基板１から浮かせたブリッジ構造をとる
赤外線センサ素子にあっては、センサ部２における断熱
および熱容量に関する熱的特性の向上と構造的な強度の
保持とは相反する関係にある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたものである。従って、本発明の
目的は、支持部の機械的強度が向上したマイクロブリッ
ジ構造を提供することにある。
解決するためになされたものである。従って、本発明の
目的は、支持部の機械的強度が向上したマイクロブリッ
ジ構造を提供することにある。
【００１２】また、本発明の他の目的は、支持部ととも
に、薄膜部の機械的強度も向上したマイクロブリッジ構
造を提供することにある。
に、薄膜部の機械的強度も向上したマイクロブリッジ構
造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のある観点を達成
するために、マイクロブリッジ構造は、基板から離隔し
て設けられた薄膜部と、前記薄膜部の周辺部に前記基板
から離隔して形成され、前記薄膜部を支持するための支
持部とを具備し、前記支持部は、補強部により補強され
ていることを特徴とする。
するために、マイクロブリッジ構造は、基板から離隔し
て設けられた薄膜部と、前記薄膜部の周辺部に前記基板
から離隔して形成され、前記薄膜部を支持するための支
持部とを具備し、前記支持部は、補強部により補強され
ていることを特徴とする。
【００１４】また、本発明の他の観点を達成するため
に、マイクロブリッジ構造基板から離隔して設けられた
薄膜部と、前記薄膜部の周辺部に前記基板から離隔して
形成され、前記薄膜部を支持するための支持部とを具備
し、前記薄膜部は補強部により補強されていることを特
徴とする。ここで、前記補強部は、前記薄膜部の周辺部
の少なくとも一部に設けられていることが望ましい。
に、マイクロブリッジ構造基板から離隔して設けられた
薄膜部と、前記薄膜部の周辺部に前記基板から離隔して
形成され、前記薄膜部を支持するための支持部とを具備
し、前記薄膜部は補強部により補強されていることを特
徴とする。ここで、前記補強部は、前記薄膜部の周辺部
の少なくとも一部に設けられていることが望ましい。
【００１５】前記補強部は、前記支持部の一方の側の長
手方向に設けられた段差部であってもよいし、或いは、
前記支持部の両側の長手方向に設けられた段差部であっ
てもよい。
手方向に設けられた段差部であってもよいし、或いは、
前記支持部の両側の長手方向に設けられた段差部であっ
てもよい。
【００１６】また、前記補強部は、逆Ｔ字型の断面を持
つように形成されてもよいし、あるいは、Ｔ字型の断面
を持つように形成されてもよい。逆Ｔ字型あるいはＴ字
型の断面を持つ補強部が前記補強部として前記薄膜部の
周辺部の少なくとも一部において形成されていることが
のぞましい。
つように形成されてもよいし、あるいは、Ｔ字型の断面
を持つように形成されてもよい。逆Ｔ字型あるいはＴ字
型の断面を持つ補強部が前記補強部として前記薄膜部の
周辺部の少なくとも一部において形成されていることが
のぞましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照して、本発
明のマイクロブリッジ構造について、非冷却型の赤外線
センサ素子を例に取り詳細に説明する。
明のマイクロブリッジ構造について、非冷却型の赤外線
センサ素子を例に取り詳細に説明する。
【００１８】本発明の第１の実施形態によるマイクロブ
リッジ構造を採用する赤外線センサについて説明する。
本発明の第１の実施形態による赤外線センサは複数の赤
外線センサ素子がマトリクス状に配列されている。
リッジ構造を採用する赤外線センサについて説明する。
本発明の第１の実施形態による赤外線センサは複数の赤
外線センサ素子がマトリクス状に配列されている。
【００１９】図１は、本発明の第１の実施形態による赤
外線センサの１つの赤外線センサ素子の構造を示す斜視
図である。赤外線センサは、入射する赤外線の熱による
抵抗値の変化を電気信号として出力するボロメータ型の
ものである。図１を参照して、第１の実施形態による赤
外線センサ素子について説明する。
外線センサの１つの赤外線センサ素子の構造を示す斜視
図である。赤外線センサは、入射する赤外線の熱による
抵抗値の変化を電気信号として出力するボロメータ型の
ものである。図１を参照して、第１の実施形態による赤
外線センサ素子について説明する。
【００２０】図１において、第１の実施形態による赤外
線センサ素子は、半導体基板１上に基板１から離隔して
設けられた薄膜部としての赤外線センサ部２を具備し、
ブリッジ構造のセンサ部２が形成されている。
線センサ素子は、半導体基板１上に基板１から離隔して
設けられた薄膜部としての赤外線センサ部２を具備し、
ブリッジ構造のセンサ部２が形成されている。
【００２１】センサ部２は、シリコン窒化物やシリコン
酸化物からなっている。センサ部２は、できるだけ熱容
量を小さくするように、薄型に形成される。こうして、
センサ感度及び応答速度を向上させることができる。
酸化物からなっている。センサ部２は、できるだけ熱容
量を小さくするように、薄型に形成される。こうして、
センサ感度及び応答速度を向上させることができる。
【００２２】センサ部２の表面には、温度によって抵抗
値が変化するセンサ抵抗パターン５が形成されている。
赤外線が入射されたとき、その熱量によりセンサ抵抗パ
ターンの抵抗値が変化し、その変化が検出される。従っ
て、センサ抵抗パターン５の材料は高い温度係数を持つ
材料を使用することが望ましい。第１の実施形態では、
センサ抵抗パターン５の材料には、チタン等の金属や酸
化バナジウム等の半導体が用いられる。
値が変化するセンサ抵抗パターン５が形成されている。
赤外線が入射されたとき、その熱量によりセンサ抵抗パ
ターンの抵抗値が変化し、その変化が検出される。従っ
て、センサ抵抗パターン５の材料は高い温度係数を持つ
材料を使用することが望ましい。第１の実施形態では、
センサ抵抗パターン５の材料には、チタン等の金属や酸
化バナジウム等の半導体が用いられる。
【００２３】センサ部２の下の基板１の表面には、セン
サ部２からの信号を処理するための回路部（図示せず）
が設けられている。図１に示すように、センサ部２の周
囲には、センサ部２での検出結果を基板１の回路部に接
続するための支持部３，４が設けられている。支持部
３、４は、センサ部２の一辺に沿って延び、最終的に基
板１に接続されている。
サ部２からの信号を処理するための回路部（図示せず）
が設けられている。図１に示すように、センサ部２の周
囲には、センサ部２での検出結果を基板１の回路部に接
続するための支持部３，４が設けられている。支持部
３、４は、センサ部２の一辺に沿って延び、最終的に基
板１に接続されている。
【００２４】また、検出結果の接続と同時に、支持部
３，４は、センサ部２が基板１から離隔されるようにセ
ンサ部２を支持している。こうして、センサ部２と支持
部３、４とは、矩形の領域を形成している。
３，４は、センサ部２が基板１から離隔されるようにセ
ンサ部２を支持している。こうして、センサ部２と支持
部３、４とは、矩形の領域を形成している。
【００２５】図１に示されるように、支持部３，４にも
センサ部２のセンサ抵抗パターン５と同じ材料からなる
パターン８が形成されている。これにより、支持部３、
４を介して、センサ部２と基板１に形成されているセン
サ信号の出力回路とが電気的に接続される。
センサ部２のセンサ抵抗パターン５と同じ材料からなる
パターン８が形成されている。これにより、支持部３、
４を介して、センサ部２と基板１に形成されているセン
サ信号の出力回路とが電気的に接続される。
【００２６】尚、回路部はセンサ部２の下では無く、他
の領域に複数の赤外線センサ素子用に回路部を集中的に
設けても良い。このときには、脚部３、４からその回路
部への配線パターンが基板１の表面上に形成される。
の領域に複数の赤外線センサ素子用に回路部を集中的に
設けても良い。このときには、脚部３、４からその回路
部への配線パターンが基板１の表面上に形成される。
【００２７】また、センサ部２が小面積を持つように形
成されるときには、支持部３，４はセンサ部２を囲むよ
うに設けられてもよい。この場合には、支持部３、４を
さらに長くすることが可能となり、センサ部２の熱絶縁
性をさらに改善することができる。
成されるときには、支持部３，４はセンサ部２を囲むよ
うに設けられてもよい。この場合には、支持部３、４を
さらに長くすることが可能となり、センサ部２の熱絶縁
性をさらに改善することができる。
【００２８】以上のように、本発明の赤外線センサは、
基板１からセンサ部２が離隔されたマイクロブリッジ構
造をとる非冷却型の赤外線センサである。
基板１からセンサ部２が離隔されたマイクロブリッジ構
造をとる非冷却型の赤外線センサである。
【００２９】図２は、支持部３，４の一方の側の長手方
向に設けられた補強段６を示す斜視図である。本発明の
赤外線センサでは、支持部３，４を薄く、細く、長くし
て熱抵抗の高め、センサ部２の熱絶縁性を高めることが
センサ部２のセンサ感度の向上の為に必要である。しか
しながら、支持部３，４を単に薄く、細く、長くする
と、機械的強度が弱くなり、赤外線センサ素子の破損の
危険が高まる。そこで、支持部３，４の一端側に長手方
向に沿って補強段６が形成されている。支持部が単なる
平板状に形成されている従来のセンサ素子と較べて、本
発明のセンサ素子では一桁以上高い構造上の強度を得る
ことができる。
向に設けられた補強段６を示す斜視図である。本発明の
赤外線センサでは、支持部３，４を薄く、細く、長くし
て熱抵抗の高め、センサ部２の熱絶縁性を高めることが
センサ部２のセンサ感度の向上の為に必要である。しか
しながら、支持部３，４を単に薄く、細く、長くする
と、機械的強度が弱くなり、赤外線センサ素子の破損の
危険が高まる。そこで、支持部３，４の一端側に長手方
向に沿って補強段６が形成されている。支持部が単なる
平板状に形成されている従来のセンサ素子と較べて、本
発明のセンサ素子では一桁以上高い構造上の強度を得る
ことができる。
【００３０】次に、本発明の第２の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造について図３と図４を参照して説明す
る。
クロブリッジ構造について図３と図４を参照して説明す
る。
【００３１】図４に示されるように、第２の実施形態に
よるマイクロブリッジ構造では、支持部３，４の両側の
長手方向に補強段６が形成されている。また、図３に示
されるように、センサ部２の周囲にも補強段６が設けら
れている。この場合、センサ部２を薄くすることがで
き、熱容量を小さくすることができる。こうして、支持
部３，４とセンサ部２を高強度構造にすることができ
る。
よるマイクロブリッジ構造では、支持部３，４の両側の
長手方向に補強段６が形成されている。また、図３に示
されるように、センサ部２の周囲にも補強段６が設けら
れている。この場合、センサ部２を薄くすることがで
き、熱容量を小さくすることができる。こうして、支持
部３，４とセンサ部２を高強度構造にすることができ
る。
【００３２】次に、本発明の第３の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造について図５、図６、図７を参照して
説明する。図５は、本発明の第３の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造を示す斜視図である。図６は、第３の
実施形態で使用される支持部を説明するための断面斜視
図である。図７は、本発明の第３の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造を示す平面図である。
クロブリッジ構造について図５、図６、図７を参照して
説明する。図５は、本発明の第３の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造を示す斜視図である。図６は、第３の
実施形態で使用される支持部を説明するための断面斜視
図である。図７は、本発明の第３の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造を示す平面図である。
【００３３】図６から明らかなように、支持部３，４の
断面は、逆Ｔ字型を持っている。支持部３，４に設けら
れるパターン８は、逆Ｔ字型の中に埋め込まれている。
逆Ｔ字型の補強部６はセンサ部２の周辺部にも設けられ
ている。逆Ｔ字型の補強部６で囲まれたセンサ部２の中
央部ではセンサ抵抗パターン５が露出している。この結
果、補強部がセンサ部２の周囲に形成されても、センサ
部２の動作を妨げることはない。このようにして、薄膜
部としてのセンサ部２の強度の向上が図られている。
尚、センサ抵抗パターン５は、センサ部２の中に埋め込
まれていても良いことに注意すべきである。
断面は、逆Ｔ字型を持っている。支持部３，４に設けら
れるパターン８は、逆Ｔ字型の中に埋め込まれている。
逆Ｔ字型の補強部６はセンサ部２の周辺部にも設けられ
ている。逆Ｔ字型の補強部６で囲まれたセンサ部２の中
央部ではセンサ抵抗パターン５が露出している。この結
果、補強部がセンサ部２の周囲に形成されても、センサ
部２の動作を妨げることはない。このようにして、薄膜
部としてのセンサ部２の強度の向上が図られている。
尚、センサ抵抗パターン５は、センサ部２の中に埋め込
まれていても良いことに注意すべきである。
【００３４】尚、第３の実施形態では、補強部６がセン
サ部２の周囲の全体に形成されているが、補強部６はセ
ンサ部２の周囲に部分的に設けられてもよい。その場合
でも、センサ部２の補強効果はある。
サ部２の周囲の全体に形成されているが、補強部６はセ
ンサ部２の周囲に部分的に設けられてもよい。その場合
でも、センサ部２の補強効果はある。
【００３５】支持部３，４の補強部６は、図１０に示さ
れる従来の支持部の上に支持部３，４と同一の材料から
なる上層を積層し、それらをドライエッチングすること
により作成することができる。ドライエッチングには反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性のエッチン
グ方法が望ましい。上層の材料が異なる場合には、ドラ
イエッチングの条件を層ごとに変えてドライエッチング
を行えばよい。
れる従来の支持部の上に支持部３，４と同一の材料から
なる上層を積層し、それらをドライエッチングすること
により作成することができる。ドライエッチングには反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等の異方性のエッチン
グ方法が望ましい。上層の材料が異なる場合には、ドラ
イエッチングの条件を層ごとに変えてドライエッチング
を行えばよい。
【００３６】次に、本発明の第４の実施形態によるマイ
クロブリッジ構造について図８を参照して説明する。図
８は、第４の実施形態で使用される支持部を説明するた
めの断面斜視図である。図８から明らかなように、支持
部３，４の断面は、Ｔ字型を持っている。支持部３，４
に設けられるパターン８は、Ｔ字型の中に埋め込まれて
いる。Ｔ字型の補強部６はセンサ部２の周辺部にも設け
られている。Ｔ字型の補強部６で囲まれたセンサ部２の
中央部ではセンサ抵抗パターン５が露出している。この
結果、補強部がセンサ部２の周囲に形成されても、セン
サ部２の動作を妨げることはない。このようにして、薄
膜部としてのセンサ部２の強度の向上が図られている。
尚、センサ抵抗パターン５は、センサ部２の中に埋め込
まれていても良いことに注意すべきである。
クロブリッジ構造について図８を参照して説明する。図
８は、第４の実施形態で使用される支持部を説明するた
めの断面斜視図である。図８から明らかなように、支持
部３，４の断面は、Ｔ字型を持っている。支持部３，４
に設けられるパターン８は、Ｔ字型の中に埋め込まれて
いる。Ｔ字型の補強部６はセンサ部２の周辺部にも設け
られている。Ｔ字型の補強部６で囲まれたセンサ部２の
中央部ではセンサ抵抗パターン５が露出している。この
結果、補強部がセンサ部２の周囲に形成されても、セン
サ部２の動作を妨げることはない。このようにして、薄
膜部としてのセンサ部２の強度の向上が図られている。
尚、センサ抵抗パターン５は、センサ部２の中に埋め込
まれていても良いことに注意すべきである。
【００３７】本発明は、以上説明したボロメータ型の赤
外線センサに限らず、その他焦電型、熱電対型などの全
ての非冷却型のセンサにも適用が可能である。
外線センサに限らず、その他焦電型、熱電対型などの全
ての非冷却型のセンサにも適用が可能である。
【００３８】また、本発明は、非冷却型の赤外線センサ
素子に限らず、基板から浮かせた薄膜部を支持部によっ
て基板上に支持するようにしたマイクロブリッジ構造に
広く適用されるものである。
素子に限らず、基板から浮かせた薄膜部を支持部によっ
て基板上に支持するようにしたマイクロブリッジ構造に
広く適用されるものである。
【００３９】上記の如く、表面マイクロマシン構造を一
例により本発明を説明したが、バルクマイクロマシン構
造においても本発明の構造を適用できることは明らかで
ある。
例により本発明を説明したが、バルクマイクロマシン構
造においても本発明の構造を適用できることは明らかで
ある。
【００４０】
【発明の効果】以上、本発明によれば、基板から離隔さ
れた薄膜部が支持部によって基板上に支持されるマイク
ロブリッジ構造において、支持部に補強段が形成される
ので、構造体の強度を向上させることができる。このた
め、支持部をより薄く、細く、長くすることが可能とな
り、薄膜部の熱絶縁性を向上させることができる。
れた薄膜部が支持部によって基板上に支持されるマイク
ロブリッジ構造において、支持部に補強段が形成される
ので、構造体の強度を向上させることができる。このた
め、支持部をより薄く、細く、長くすることが可能とな
り、薄膜部の熱絶縁性を向上させることができる。
【００４１】また薄膜部にも補強段が形成されれば、構
造体の強度をさらに向上させることができる。これによ
り、薄膜部をより薄く形成することが可能となり、薄膜
部の熱容量の低減化を図ることができる。
造体の強度をさらに向上させることができる。これによ
り、薄膜部をより薄く形成することが可能となり、薄膜
部の熱容量の低減化を図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
【図２】本発明の第１の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
【図４】本発明の第２の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
【図５】本発明の第３の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す斜視
図である。
【図６】本発明の第３の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す平面
図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子の構成を示す平面
図である。
【図８】本発明の第４の実施形態によるマイクロブリッ
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
ジ構造が適用される赤外線センサ素子で使用される支持
部の一部を示す斜視図である。
【図９】従来のマイクロブリッジ構造が適用される赤外
線センサ素子の構成を示す斜視図である。
線センサ素子の構成を示す斜視図である。
【図１０】従来のマイクロブリッジ構造が適用される赤
外線センサ素子で使用される支持部の一部を示す斜視図
である。
外線センサ素子で使用される支持部の一部を示す斜視図
である。
１： 基板 ２： 薄膜部（センサ部） ３，４： 支持部 ５： センサ抵抗パターン ６： 補強部 ８： 支持部上の接続パターン
Claims (8)
- 【請求項１】基板から離隔して設けられた薄膜部と、 前記薄膜部の周辺部に前記基板から離隔して形成され、
前記薄膜部を支持するための支持部とを具備し、 前記支持部は、補強部により補強されていることを特徴
とするマイクロブリッジ構造。 - 【請求項２】基板から離隔して設けられた薄膜部と、 前記薄膜部の周辺部に前記基板から離隔して形成され、
前記薄膜部を支持するための支持部とを具備し、 前記薄膜部は補強部により補強されていることを特徴と
するマイクロブリッジ構造。 - 【請求項３】前記補強部は、前記薄膜部の周辺部の少な
くとも一部に設けられていることを特徴とする請求項２
に記載のマイクロブリッジ構造。 - 【請求項４】前記補強部は、前記支持部の一方の側の長
手方向に設けられた段差部であることを特徴とする請求
項１に記載のマイクロブリッジ構造。 - 【請求項５】前記補強部は、前記支持部の両側の長手方
向に設けられた段差部であることを特徴とする請求項１
に記載のマイクロブリッジ構造。 - 【請求項６】前記補強部は、逆Ｔ字型の断面を持つよう
に形成されていることを特徴とする請求項１または２に
記載のマイクロブリッジ構造。 - 【請求項７】前記補強部は、Ｔ字型の断面を持つように
形成されていることを特徴とする請求項１または２に記
載のマイクロブリッジ構造。 - 【請求項８】前記補強部は、前記薄膜部の周辺部の少な
くとも一部において突出した突出部であることを特徴と
する請求項２に記載のマイクロブリッジ構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239874A JPH11148861A (ja) | 1997-09-09 | 1998-08-26 | マイクロブリッジ構造 |
| EP98116953A EP0902479A1 (en) | 1997-09-09 | 1998-09-08 | Microbridge structure with reinforcement section |
| US09/150,329 US6165587A (en) | 1997-09-09 | 1998-09-09 | Microbridge structure with reinforcement section |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-284208 | 1997-09-09 | ||
| JP28420897 | 1997-09-09 | ||
| JP10239874A JPH11148861A (ja) | 1997-09-09 | 1998-08-26 | マイクロブリッジ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11148861A true JPH11148861A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=26534464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10239874A Pending JPH11148861A (ja) | 1997-09-09 | 1998-08-26 | マイクロブリッジ構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6165587A (ja) |
| EP (1) | EP0902479A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11148861A (ja) |
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1998
- 1998-08-26 JP JP10239874A patent/JPH11148861A/ja active Pending
- 1998-09-08 EP EP98116953A patent/EP0902479A1/en not_active Withdrawn
- 1998-09-09 US US09/150,329 patent/US6165587A/en not_active Expired - Fee Related
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010202 |