JPH11149869A - カラー陰極線管の蛍光面の作製方法 - Google Patents
カラー陰極線管の蛍光面の作製方法Info
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- JPH11149869A JPH11149869A JP31393997A JP31393997A JPH11149869A JP H11149869 A JPH11149869 A JP H11149869A JP 31393997 A JP31393997 A JP 31393997A JP 31393997 A JP31393997 A JP 31393997A JP H11149869 A JPH11149869 A JP H11149869A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 かかる光吸収膜のエッジに沿ったすじ状の輝
度むらを低減させることのできるカラー陰極線管の蛍光
面の作製方法を得る。 【解決手段】カラー陰極線管のパネル１の内面上に感光
膜２を被着形成し、光を電子ビーム到達位置決定手段の
電子ビーム通過孔を通じて感光膜２に照射し、その感光
膜２を現像して未露光部分を除去してレジスト膜２′を
パネル１の内面上に被着形成し、パネル１の内面上及び
レジスト膜２′に亘って光吸収膜３を被着形成し、レジ
スト膜２′及びそのレジスト膜２′上の光吸収膜３を除
去して、パネル１の内面上の光吸収膜３を残存せしめ、
パネル１の内面上の光吸収膜３が形成されている部分に
各色蛍光体Ｒ、Ｇ、Ｂを被着形成し、レジスト膜の厚さ
を０．１０ｍｇ／ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定
したものである。
度むらを低減させることのできるカラー陰極線管の蛍光
面の作製方法を得る。 【解決手段】カラー陰極線管のパネル１の内面上に感光
膜２を被着形成し、光を電子ビーム到達位置決定手段の
電子ビーム通過孔を通じて感光膜２に照射し、その感光
膜２を現像して未露光部分を除去してレジスト膜２′を
パネル１の内面上に被着形成し、パネル１の内面上及び
レジスト膜２′に亘って光吸収膜３を被着形成し、レジ
スト膜２′及びそのレジスト膜２′上の光吸収膜３を除
去して、パネル１の内面上の光吸収膜３を残存せしめ、
パネル１の内面上の光吸収膜３が形成されている部分に
各色蛍光体Ｒ、Ｇ、Ｂを被着形成し、レジスト膜の厚さ
を０．１０ｍｇ／ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はカラー陰極線管の蛍
光面の作製方法に関する。
光面の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー陰極線管の蛍光面の写真印刷法に
よる作製方法を説明する。先ず、カラー陰極線管のパネ
ルの内面上に感光材を塗布し、これを乾燥することによ
って、パネルの内面上に感光膜を形成する。この感光材
は、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と、ジアジドスチ
ルベンスルホン酸ナトリウム（ＤＡＳ）とを主成分とす
るものである。
よる作製方法を説明する。先ず、カラー陰極線管のパネ
ルの内面上に感光材を塗布し、これを乾燥することによ
って、パネルの内面上に感光膜を形成する。この感光材
は、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と、ジアジドスチ
ルベンスルホン酸ナトリウム（ＤＡＳ）とを主成分とす
るものである。
【０００３】次に、感光膜を、アパーチャグリル、シャ
ドーマスク等の電子ビーム到達位置決定用手段を通じ
て、紫外線を用いて露光し、その後その感光膜を現像す
ることによって、未露光部分を除去して、電子ビーム到
達位置決定用手段の電子ビーム通過孔に対応するパター
ンのレジスト膜（ＰＶＰ膜）を形成する。
ドーマスク等の電子ビーム到達位置決定用手段を通じ
て、紫外線を用いて露光し、その後その感光膜を現像す
ることによって、未露光部分を除去して、電子ビーム到
達位置決定用手段の電子ビーム通過孔に対応するパター
ンのレジスト膜（ＰＶＰ膜）を形成する。
【０００４】パネルの内面上及びレジスト膜を覆う如
く、黒鉛を主成分とする光吸収塗料を塗布し、その後乾
燥することによって、パネルの内面上及びレジスト膜を
被覆する光吸収膜を被着形成する。
く、黒鉛を主成分とする光吸収塗料を塗布し、その後乾
燥することによって、パネルの内面上及びレジスト膜を
被覆する光吸収膜を被着形成する。
【０００５】パネル内面上にレジスト膜が形成され、パ
ネルの内面上及びレジスト膜を被覆する如く光吸収膜の
形成されたものを、過酸化水素水によって処理して、パ
ネルの内面上のレジスト膜及びその上の光吸収膜を剥離
除去して、電子ビーム到達位置決定用手段の電子ビーム
非透過部のパターンに対応した光吸収膜（カーボン膜）
が内面に形成されたパネルが得られる。
ネルの内面上及びレジスト膜を被覆する如く光吸収膜の
形成されたものを、過酸化水素水によって処理して、パ
ネルの内面上のレジスト膜及びその上の光吸収膜を剥離
除去して、電子ビーム到達位置決定用手段の電子ビーム
非透過部のパターンに対応した光吸収膜（カーボン膜）
が内面に形成されたパネルが得られる。
【０００６】そして、光吸収膜（カーボン膜）が内面に
形成されたパネルの光吸収膜の形成されていないない部
分に、赤、緑及び青蛍光体を各色蛍光体別に被着形成す
ることにより、パネルの内面上に順次循環的に配された
ストライプ状の赤、緑及び青蛍光体並びに赤、緑及び青
蛍光体のない部分に設けられた光吸収膜（カーボン膜）
からなるカラー蛍光面がパネルの内面上に形成される。
形成されたパネルの光吸収膜の形成されていないない部
分に、赤、緑及び青蛍光体を各色蛍光体別に被着形成す
ることにより、パネルの内面上に順次循環的に配された
ストライプ状の赤、緑及び青蛍光体並びに赤、緑及び青
蛍光体のない部分に設けられた光吸収膜（カーボン膜）
からなるカラー蛍光面がパネルの内面上に形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、かかるカラ
ー蛍光面では、光吸収膜（カーボン膜）のエッジ部の凹
凸によって、光吸収膜のエッジに沿ったすじ状の輝度む
らが発生するという問題があった。
ー蛍光面では、光吸収膜（カーボン膜）のエッジ部の凹
凸によって、光吸収膜のエッジに沿ったすじ状の輝度む
らが発生するという問題があった。
【０００８】以下に、図２を参照して、光吸収膜のエッ
ジに沿ったすじ状の輝度むらの原因について検討する。
図２は、レジスト膜の厚さ（ＰＶＰ膜厚）、即ち、レジ
スト膜の１ｃｍ2 当たりの質量（ｍｇ）に対する、光吸
収膜（カーボン膜）エッジの振幅（μｍ）の特性を示
す。この場合、光吸収膜のエッジの振幅が小さいという
ことは、光吸収膜のエッジの凹凸が小さいことを意味す
る。
ジに沿ったすじ状の輝度むらの原因について検討する。
図２は、レジスト膜の厚さ（ＰＶＰ膜厚）、即ち、レジ
スト膜の１ｃｍ2 当たりの質量（ｍｇ）に対する、光吸
収膜（カーボン膜）エッジの振幅（μｍ）の特性を示
す。この場合、光吸収膜のエッジの振幅が小さいという
ことは、光吸収膜のエッジの凹凸が小さいことを意味す
る。
【０００９】ＰＶＰ膜厚が０．１０ｍｇ／ｃｍ2 のとき
の光吸収膜のエッジの振幅は０．３１５μｍ、ＰＶＰ膜
厚が０．１４ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの
振幅は０．３７５μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１５ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．４１２５μ
ｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１６ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収
膜のエッジの振幅は０．５０５μｍであった。
の光吸収膜のエッジの振幅は０．３１５μｍ、ＰＶＰ膜
厚が０．１４ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの
振幅は０．３７５μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１５ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．４１２５μ
ｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１６ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収
膜のエッジの振幅は０．５０５μｍであった。
【００１０】この図２の特性から、従来のカラー陰極線
管の蛍光面の作製方法では、ＰＶＰ膜厚（レジスト膜
厚）が略０．１６ｍｇ／ｃｍ2 以上であったため、光吸
収膜のエッジの振幅が大きく、即ち、光吸収膜の凹凸が
比較的大きいために、光吸収膜のエッジに沿ったすじ状
の輝度むらが明確に現れることが分かった。
管の蛍光面の作製方法では、ＰＶＰ膜厚（レジスト膜
厚）が略０．１６ｍｇ／ｃｍ2 以上であったため、光吸
収膜のエッジの振幅が大きく、即ち、光吸収膜の凹凸が
比較的大きいために、光吸収膜のエッジに沿ったすじ状
の輝度むらが明確に現れることが分かった。
【００１１】かかる点に鑑み、本発明は、かかる光吸収
膜のエッジに沿ったすじ状の輝度むらを低減させること
のできるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を提案しよ
うとするのものである。
膜のエッジに沿ったすじ状の輝度むらを低減させること
のできるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を提案しよ
うとするのものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、カラー陰極線
管のパネルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビ
ーム到達位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光
膜に照射し、その感光膜を現像して未露光部分を除去し
てレジスト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの
内面上及びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、
レジスト膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去し
て、パネルの内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの
内面上の光吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を
被着形成するようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製
方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定したものである。
管のパネルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビ
ーム到達位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光
膜に照射し、その感光膜を現像して未露光部分を除去し
てレジスト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの
内面上及びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、
レジスト膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去し
て、パネルの内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの
内面上の光吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を
被着形成するようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製
方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定したものである。
【００１３】かかるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法
において、レジスト膜の厚さを０．１６ｇ／ｃｍ2 以上
に選定する場合には、光吸収膜のエッジの振幅が０．５
０５μｍ以上と急激に大きくなるが、本発明のようにレ
ジスト膜の厚さを０．１５ｇ／ｃｍ2 以下に選定する
と、光吸収膜のエッジの幅が０．４１２５μｍ以下とな
り、レジスト膜の厚さが薄くなればなる程、光吸収層の
エッジの振幅が小さくなる。
において、レジスト膜の厚さを０．１６ｇ／ｃｍ2 以上
に選定する場合には、光吸収膜のエッジの振幅が０．５
０５μｍ以上と急激に大きくなるが、本発明のようにレ
ジスト膜の厚さを０．１５ｇ／ｃｍ2 以下に選定する
と、光吸収膜のエッジの幅が０．４１２５μｍ以下とな
り、レジスト膜の厚さが薄くなればなる程、光吸収層の
エッジの振幅が小さくなる。
【００１４】しかし、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ
／ｃｍ2 未満にすると、レジスト膜の反転残り等の問題
が生じるので、レジスト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 以上が望ましい。
／ｃｍ2 未満にすると、レジスト膜の反転残り等の問題
が生じるので、レジスト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 以上が望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、カラー陰極線管のパネ
ルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビーム到達
位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光膜に照射
し、その感光膜を現像して未露光部分を除去してレジス
ト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの内面上及
びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、レジスト
膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去して、パネル
の内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの内面上の光
吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を被着形成す
るようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を前提
の構成とする。
ルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビーム到達
位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光膜に照射
し、その感光膜を現像して未露光部分を除去してレジス
ト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの内面上及
びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、レジスト
膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去して、パネル
の内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの内面上の光
吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を被着形成す
るようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を前提
の構成とする。
【００１６】そして、かかるカラー陰極線管の蛍光面の
作製方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／
ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するものである。
作製方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／
ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するものである。
【００１７】上述の感光膜は、例えば、ポリビニルピロ
リドン及びジアジドスチルベンスルホン酸ナトリウムを
主成分とするものが可能である。
リドン及びジアジドスチルベンスルホン酸ナトリウムを
主成分とするものが可能である。
【００１８】上述の電子ビーム到達位置決定手段の電子
ビーム通過孔は、垂直方向のスリットである。
ビーム通過孔は、垂直方向のスリットである。
【００１９】（実施例）以下に、図１を参照して、本発
明の実施例を詳細に説明する。先ず、図１Ａに示す如
く、カラー陰極線管のパネル１の内面上に感光材を塗布
し、これを乾燥することによって、パネル１の内面上に
感光膜２を形成する。この感光材は、ポリビニルピロリ
ドン（ＰＶＰ）と、ジアジドスチルベンスルホン酸ナト
リウム（ＤＡＳ）とを主成分とするものである。
明の実施例を詳細に説明する。先ず、図１Ａに示す如
く、カラー陰極線管のパネル１の内面上に感光材を塗布
し、これを乾燥することによって、パネル１の内面上に
感光膜２を形成する。この感光材は、ポリビニルピロリ
ドン（ＰＶＰ）と、ジアジドスチルベンスルホン酸ナト
リウム（ＤＡＳ）とを主成分とするものである。
【００２０】次に、図１Ａの感光膜２を、電子ビーム透
過孔が垂直方向のスリットであるアパーチャグリル、電
子ビーム透過孔がドット状である、シャドウマスク等の
電子ビーム到達位置決定用手段を通じて、紫外線を用い
て露光し、その後その感光膜２を現像することによっ
て、未露光部分を除去して、図１Ｂに示すような、電子
ビーム到達位置決定用手段の電子ビーム通過孔に対応す
るパターンのレジスト膜２′を形成する。
過孔が垂直方向のスリットであるアパーチャグリル、電
子ビーム透過孔がドット状である、シャドウマスク等の
電子ビーム到達位置決定用手段を通じて、紫外線を用い
て露光し、その後その感光膜２を現像することによっ
て、未露光部分を除去して、図１Ｂに示すような、電子
ビーム到達位置決定用手段の電子ビーム通過孔に対応す
るパターンのレジスト膜２′を形成する。
【００２１】そして、このレジスト膜２′の厚さを０．
１０ｍｇ／ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するも
のである。
１０ｍｇ／ｃｍ2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するも
のである。
【００２２】かかるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法
において、レジスト膜の厚さを０．１６ｇ／ｃｍ2 以上
に選定する場合には、図２に示すように、光吸収膜のエ
ッジの振幅が０．５０５μｍ以上と急激に大きくなる
が、レジスト膜の厚さを０．１５ｇ／ｃｍ2 以下に選定
すると、光吸収膜のエッジの幅が０．４１２５μｍ以下
となり、レジスト膜の厚さが薄くなればなる程、光吸収
層のエッジの振幅が小さくなる。
において、レジスト膜の厚さを０．１６ｇ／ｃｍ2 以上
に選定する場合には、図２に示すように、光吸収膜のエ
ッジの振幅が０．５０５μｍ以上と急激に大きくなる
が、レジスト膜の厚さを０．１５ｇ／ｃｍ2 以下に選定
すると、光吸収膜のエッジの幅が０．４１２５μｍ以下
となり、レジスト膜の厚さが薄くなればなる程、光吸収
層のエッジの振幅が小さくなる。
【００２３】しかし、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ
／ｃｍ2 未満にすると、レジスト膜の反転残り等の問題
が生じるので、レジスト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 以上が望ましい。
／ｃｍ2 未満にすると、レジスト膜の反転残り等の問題
が生じるので、レジスト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 以上が望ましい。
【００２４】図１Ｂに示したパネル１の内面上及びレジ
スト膜２′を覆う如く、黒鉛を主成分とする光吸収塗料
を塗布し、その後乾燥することによって、図１Ｃに示す
如く、パネル１の内面上及びレジスト膜２′を被覆する
光吸収膜３を被着形成する。
スト膜２′を覆う如く、黒鉛を主成分とする光吸収塗料
を塗布し、その後乾燥することによって、図１Ｃに示す
如く、パネル１の内面上及びレジスト膜２′を被覆する
光吸収膜３を被着形成する。
【００２５】図１Ｃに示した、パネル内面１上にレジス
ト膜２′が形成され、パネル１の内面上及びレジスト膜
２′を被覆する如く光吸収膜３の形成されたものを、過
酸化水素水によって処理して、パネル１の内面上のレジ
スト膜２′及びその上の光吸収膜３を剥離除去して、図
１Ｄに示すように、電子ビーム到達位置決定用手段の電
子ビーム非透過部のパターンに対応した光吸収膜（カー
ボン膜）３が内面に形成されたパネル１が得られる。
ト膜２′が形成され、パネル１の内面上及びレジスト膜
２′を被覆する如く光吸収膜３の形成されたものを、過
酸化水素水によって処理して、パネル１の内面上のレジ
スト膜２′及びその上の光吸収膜３を剥離除去して、図
１Ｄに示すように、電子ビーム到達位置決定用手段の電
子ビーム非透過部のパターンに対応した光吸収膜（カー
ボン膜）３が内面に形成されたパネル１が得られる。
【００２６】そして、図１に示すように、光吸収膜（カ
ーボン膜）３が内面に形成されたパネル１の光吸収膜３
の形成されていない部分に、赤、緑及び青蛍光体を各色
蛍光体別に被着形成することにより、パネル１の内面上
に順次循環的に配されたストライプ状、又は、ドット状
の赤、緑及び青蛍光体Ｒ、Ｇ、Ｂ並びに赤、緑及び青蛍
光体Ｒ、Ｇ、Ｂの形成されていない部分のストライプ
状、又は、ドット状の孔を有する光吸収膜（カーボン
膜）３からなるカラー蛍光面４がパネル１の内面上に形
成される。
ーボン膜）３が内面に形成されたパネル１の光吸収膜３
の形成されていない部分に、赤、緑及び青蛍光体を各色
蛍光体別に被着形成することにより、パネル１の内面上
に順次循環的に配されたストライプ状、又は、ドット状
の赤、緑及び青蛍光体Ｒ、Ｇ、Ｂ並びに赤、緑及び青蛍
光体Ｒ、Ｇ、Ｂの形成されていない部分のストライプ
状、又は、ドット状の孔を有する光吸収膜（カーボン
膜）３からなるカラー蛍光面４がパネル１の内面上に形
成される。
【００２７】レジスト膜の厚さ（ＰＶＰ膜厚）、即ち、
レジスト膜の１ｃｍ2 当たりの質量（ｍｇ）に対する、
光吸収膜（カーボン膜）エッジの振幅（μｍ）の特性を
示す図２について説明する。ＰＶＰ膜厚が０．１０ｍｇ
／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．３１５
μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１４ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸
収膜のエッジの振幅は０．３７５μｍ、ＰＶＰ膜厚が
０．１５ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅
は０．４１２５μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１６ｍｇ／ｃｍ
2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．５０５μｍで
あった。
レジスト膜の１ｃｍ2 当たりの質量（ｍｇ）に対する、
光吸収膜（カーボン膜）エッジの振幅（μｍ）の特性を
示す図２について説明する。ＰＶＰ膜厚が０．１０ｍｇ
／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．３１５
μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１４ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸
収膜のエッジの振幅は０．３７５μｍ、ＰＶＰ膜厚が
０．１５ｍｇ／ｃｍ2 のときの光吸収膜のエッジの振幅
は０．４１２５μｍ、ＰＶＰ膜厚が０．１６ｍｇ／ｃｍ
2 のときの光吸収膜のエッジの振幅は０．５０５μｍで
あった。
【００２８】これによれば、ＰＶＰ膜厚が０．１６ｍｇ
／ｃｍ2 のときは、光吸収膜のエッジの振幅が急激に大
となり、ＰＶＰ膜厚が０．１５ｍｇ／ｃｍ2 以下のと
き、光吸収層のエッジの振幅が０．４１２５μｍ以下と
小さくなり、ＰＶＰ膜厚が小さくなればなる程光吸収層
のエッジの振幅が小さくなる。しかし、ＰＶＰ膜厚が
０．１０ｍｇ／ｃｍ2 未満になると、上述の感光膜から
なるレジスト膜の反転残り等の問題が生じるので、レジ
スト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ2 以上が望ましい。
従って、レジスト膜２′の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ2
〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するものである。
／ｃｍ2 のときは、光吸収膜のエッジの振幅が急激に大
となり、ＰＶＰ膜厚が０．１５ｍｇ／ｃｍ2 以下のと
き、光吸収層のエッジの振幅が０．４１２５μｍ以下と
小さくなり、ＰＶＰ膜厚が小さくなればなる程光吸収層
のエッジの振幅が小さくなる。しかし、ＰＶＰ膜厚が
０．１０ｍｇ／ｃｍ2 未満になると、上述の感光膜から
なるレジスト膜の反転残り等の問題が生じるので、レジ
スト膜の厚さは０．１０ｍｇ／ｃｍ2 以上が望ましい。
従って、レジスト膜２′の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ2
〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定するものである。
【００２９】図３〜図６は、ＰＶＰ膜の厚さをそれぞれ
０．１０ｍｇ／ｃｍ2 、０．１４ｍｇ／ｃｍ2 、０．１
５ｍｇ／ｃｍ2 及び０．１６ｍｇ／ｃｍ2 に選定したと
きの光吸収膜を画像処理機に入力し、光吸収膜のエッジ
を波の一種と見做してフーリエ解析して、光吸収膜のエ
ッジの振幅を定量的に評価したもので、横軸は光吸収層
（膜）のエッジの波長（μｍ）を示し、縦軸は光吸収膜
のエッジの振幅（μｍ）を示す。
０．１０ｍｇ／ｃｍ2 、０．１４ｍｇ／ｃｍ2 、０．１
５ｍｇ／ｃｍ2 及び０．１６ｍｇ／ｃｍ2 に選定したと
きの光吸収膜を画像処理機に入力し、光吸収膜のエッジ
を波の一種と見做してフーリエ解析して、光吸収膜のエ
ッジの振幅を定量的に評価したもので、横軸は光吸収層
（膜）のエッジの波長（μｍ）を示し、縦軸は光吸収膜
のエッジの振幅（μｍ）を示す。
【００３０】図３〜図６の評価では、カラー蛍光面のピ
ッチ（同じ色の蛍光体間のピッチ）をＰとするとき、光
吸収層（膜）のエッジの波長（μｍ）が、ｐ＝Ｐ／３
（隣同志の蛍光体間、又は、隣同志の光吸収膜間のピッ
チ）以上となる部分での光吸収層（膜）のエッジの振幅
（μｍ）の大小を評価する。同じ色の蛍光体間のピッチ
Ｐを２６０μｍ〜２８０μｍのうちの、例えば、２７０
μｍに選定すると、ピッチｐは、ｐ＝Ｐ／３＝９０μｍ
となる。そこで、光吸収層（膜）のエッジの波長が９０
μｍ以上である、例えば、１００μｍ、１５０μｍ、２
００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層（膜）のエッジ
の振幅（μｍ）の平均値が小さい程、光吸収膜のエッジ
に沿う輝度むらが少ないことが分かる。
ッチ（同じ色の蛍光体間のピッチ）をＰとするとき、光
吸収層（膜）のエッジの波長（μｍ）が、ｐ＝Ｐ／３
（隣同志の蛍光体間、又は、隣同志の光吸収膜間のピッ
チ）以上となる部分での光吸収層（膜）のエッジの振幅
（μｍ）の大小を評価する。同じ色の蛍光体間のピッチ
Ｐを２６０μｍ〜２８０μｍのうちの、例えば、２７０
μｍに選定すると、ピッチｐは、ｐ＝Ｐ／３＝９０μｍ
となる。そこで、光吸収層（膜）のエッジの波長が９０
μｍ以上である、例えば、１００μｍ、１５０μｍ、２
００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層（膜）のエッジ
の振幅（μｍ）の平均値が小さい程、光吸収膜のエッジ
に沿う輝度むらが少ないことが分かる。
【００３１】図３は、ＰＶＰ膜厚が０．１００ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３３μ
ｍ、０．３４μｍ、０．２９μｍ及び０．３０であるの
で、その平均値は０．３１５μｍになる。
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３３μ
ｍ、０．３４μｍ、０．２９μｍ及び０．３０であるの
で、その平均値は０．３１５μｍになる。
【００３２】図４は、ＰＶＰ膜厚が０．１４０ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３２μ
ｍ、０．３８μｍ、０．３９μｍ及び０．４１であるの
で、その平均値は０．３７５μｍになる。
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３２μ
ｍ、０．３８μｍ、０．３９μｍ及び０．４１であるの
で、その平均値は０．３７５μｍになる。
【００３３】図５は、ＰＶＰ膜厚が０．１５０ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．２８μ
ｍ、０．４２μｍ、０．４８μｍ及び０．４７であるの
で、その平均値は０．４１２５μｍになる。
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．２８μ
ｍ、０．４２μｍ、０．４８μｍ及び０．４７であるの
で、その平均値は０．４１２５μｍになる。
【００３４】図６は、ＰＶＰ膜厚が０．１６０ｍｇ／ｃ
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３７μ
ｍ、０．６６μｍ、０．５０μｍ及び０．５９であるの
で、その平均値は０．５０５μｍになる。
ｍ2 のときの特性を示す。光吸収層（膜）のエッジの波
長が９０ミクロン以上である、例えば、１００μｍ、１
５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍにおける光吸収層
（膜）のエッジの振幅（μｍ）は、それぞれ０．３７μ
ｍ、０．６６μｍ、０．５０μｍ及び０．５９であるの
で、その平均値は０．５０５μｍになる。
【００３５】ＰＶＰ膜厚がそれぞれ０．１００ｍｇ／ｃ
ｍ2 、０．１４０ｍｇ／ｃｍ2 、０．１５０ｍｇ／ｃｍ
2 、０．１６０ｍｇ／ｃｍ2 のときのエッジ評価値は、
それぞれ０．３１５μｍ、０．３７５μｍ、０．４１２
５μｍ、０．５０５μｍとなり、ＰＶＰ膜厚が小さい程
低くなり、膜厚が大きい程高くなることが分かる。
ｍ2 、０．１４０ｍｇ／ｃｍ2 、０．１５０ｍｇ／ｃｍ
2 、０．１６０ｍｇ／ｃｍ2 のときのエッジ評価値は、
それぞれ０．３１５μｍ、０．３７５μｍ、０．４１２
５μｍ、０．５０５μｍとなり、ＰＶＰ膜厚が小さい程
低くなり、膜厚が大きい程高くなることが分かる。
【００３６】
【発明の効果】上述せる本発明によれば、カラー陰極線
管のパネルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビ
ーム到達位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光
膜に照射し、その感光膜を現像して未露光部分を除去し
てレジスト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの
内面上及びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、
レジスト膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去し
て、パネルの内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの
内面上の光吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を
被着形成するようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製
方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定したので、光吸収膜の
エッジに沿ったすじ状の輝度むらを低減させることので
きるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を得ることがで
きる。
管のパネルの内面上に感光膜を被着形成し、光を電子ビ
ーム到達位置決定手段の電子ビーム通過孔を通じて感光
膜に照射し、その感光膜を現像して未露光部分を除去し
てレジスト膜をパネルの内面上に被着形成し、パネルの
内面上及びレジスト膜に亘って光吸収膜を被着形成し、
レジスト膜及びそのレジスト膜上の光吸収膜を除去し
て、パネルの内面上の光吸収膜を残存せしめ、パネルの
内面上の光吸収膜が形成されている部分に各色蛍光体を
被着形成するようにしたカラー陰極線管の蛍光面の作製
方法において、レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ
2 〜０．１５ｍｇ／ｃｍ2 に選定したので、光吸収膜の
エッジに沿ったすじ状の輝度むらを低減させることので
きるカラー陰極線管の蛍光面の作製方法を得ることがで
きる。
【図１】本発明の実施例のカラー陰極線管の蛍光面の作
製方法を断面図で示した工程図である。
製方法を断面図で示した工程図である。
【図２】ＰＶＰ膜厚（レジスト膜厚）に対する光吸収膜
のエッジの振幅（エッジ形状）の特性を示す特性図であ
る。
のエッジの振幅（エッジ形状）の特性を示す特性図であ
る。
【図３】ＰＶＰ膜厚（レジスト膜厚）が０．１００μｍ
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
【図４】ＰＶＰ膜厚（レジスト膜厚）が０．１４０μｍ
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
【図５】ＰＶＰ膜厚（レジスト膜厚）が０．１５０μｍ
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
【図６】ＰＶＰ膜厚（レジスト膜厚）が０．１６０μｍ
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
のときの、光吸収層（膜）のエッジの波長と、光吸収層
（膜）のエッジの振幅との関係を示す特性曲線図であ
る。
１ カラー陰極線管のパネル、２ 感光膜、２′ レジ
スト膜、３ 光吸収膜、４ カラー蛍光面、Ｒ 赤蛍光
体、Ｇ 緑蛍光体、Ｂ 青蛍光体である。
スト膜、３ 光吸収膜、４ カラー蛍光面、Ｒ 赤蛍光
体、Ｇ 緑蛍光体、Ｂ 青蛍光体である。
Claims (3)
- 【請求項１】 カラー陰極線管のパネルの内面上に感光
膜を被着形成し、光を電子ビーム到達位置決定手段の電
子ビーム通過孔を通じて上記感光膜に照射し、該感光膜
を現像して未露光部分を除去してレジスト膜を上記パネ
ルの内面上に被着形成し、 上記パネルの内面上及び上記レジスト膜に亘って光吸収
膜を被着形成し、上記レジスト膜及び該レジスト膜上の
光吸収膜を除去して、上記パネルの内面上の光吸収膜を
残存せしめ、 上記パネルの内面上の上記光吸収膜が形成されている部
分に各色蛍光体を被着形成するようにしたカラー陰極線
管の蛍光面の作製方法において、 上記レジスト膜の厚さを０．１０ｍｇ／ｃｍ2 〜０．１
５ｍｇ／ｃｍ2 に選定したことを特徴とするカラー陰極
線管の蛍光面の作製方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のカラー陰極線管の蛍光
面の作製方法において、 上記感光膜は、ポリビニルピロリドン及びジアジドスチ
ルベンスルホン酸ナトリウムを主成分とすることを特徴
とするカラー陰極線管の蛍光面の作製方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のカラー陰極線管の蛍光
面の作製方法において、 上記電子ビーム到達位置決定手段の電子ビーム通過孔
は、垂直方向のスリットであることを特徴とするカラー
陰極線管の蛍光面の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31393997A JPH11149869A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | カラー陰極線管の蛍光面の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31393997A JPH11149869A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | カラー陰極線管の蛍光面の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149869A true JPH11149869A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18047340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31393997A Pending JPH11149869A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | カラー陰極線管の蛍光面の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11149869A (ja) |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP31393997A patent/JPH11149869A/ja active Pending
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