JPH1116214A - 多層光ディスク - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１および第２の情報層の積層による多層デ
ィスクにおいて、より高品位な再生がなされるようにす
る。 【解決手段】 第１の情報層４ｆと、第２の情報層４ｓ
とが重ね合わされて１枚の光ディスクとされた構成を有
するものである。そして、その第１の情報層は、７７０
ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲（第１の波長）の第１の再
生光に対する反射率が９０％以上の金属反射膜を有し、
第２の情報層は、上記第１の再生光に対する屈折率ｎｓ
1 と、６１５ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（第２の波
長）の第２の再生光に対する屈折率ｎｓ2 のそれぞれの
実数部での比ｎｓ2 ／ｎｓ1 が、１．０５以上である半
透明反射膜を有する構成とする。
ィスクにおいて、より高品位な再生がなされるようにす
る。 【解決手段】 第１の情報層４ｆと、第２の情報層４ｓ
とが重ね合わされて１枚の光ディスクとされた構成を有
するものである。そして、その第１の情報層は、７７０
ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲（第１の波長）の第１の再
生光に対する反射率が９０％以上の金属反射膜を有し、
第２の情報層は、上記第１の再生光に対する屈折率ｎｓ
1 と、６１５ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（第２の波
長）の第２の再生光に対する屈折率ｎｓ2 のそれぞれの
実数部での比ｎｓ2 ／ｎｓ1 が、１．０５以上である半
透明反射膜を有する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層光ディスク特
に２層の情報層が重ね合わされて１枚のディスクとして
形成された光ディスクに係わる。
に２層の情報層が重ね合わされて１枚のディスクとして
形成された光ディスクに係わる。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記録媒体において、大容量の
情報を扱うことの要求が益々高まっているが、この場合
においても、目的とする情報を、ランダムアクセスして
再生することができるように、大容量の光ディスクの必
要性が高まっている。
情報を扱うことの要求が益々高まっているが、この場合
においても、目的とする情報を、ランダムアクセスして
再生することができるように、大容量の光ディスクの必
要性が高まっている。
【０００３】このような大容量の情報を扱うことのでき
る光ディスクとして、多層光ディスクの提案、特に２層
の情報層が重ね合わされて、すなわち積層されて１枚の
ディスクとして形成された光ディスクの提案がなされて
いる。
る光ディスクとして、多層光ディスクの提案、特に２層
の情報層が重ね合わされて、すなわち積層されて１枚の
ディスクとして形成された光ディスクの提案がなされて
いる。
【０００４】この多層光ディスクとしては、種々のもの
が提案されているが、１つに、金属反射膜がコートされ
た第１の情報層と、反射率、透過率等の分光特性に波長
依存性を有する半透明反射膜がコートされた第２の情報
層とを有し、２つの異なる波長の第１および第２の再生
光を用いて、これら第１および第２の情報層からの情報
の読み出しを行うようにした多層光ディスクの提案がな
されている（特開平２−２２３０３０号公報、特開平８
−３３９５７４号公報参照）。
が提案されているが、１つに、金属反射膜がコートされ
た第１の情報層と、反射率、透過率等の分光特性に波長
依存性を有する半透明反射膜がコートされた第２の情報
層とを有し、２つの異なる波長の第１および第２の再生
光を用いて、これら第１および第２の情報層からの情報
の読み出しを行うようにした多層光ディスクの提案がな
されている（特開平２−２２３０３０号公報、特開平８
−３３９５７４号公報参照）。
【０００５】このような、第１および第２の情報層を有
し、第１および第２の再生光を用いてその再生を行う多
層光ディスクにおいて、例えば第１の再生光として、従
来汎用の例えば再生専用のコンパクトディスク（ＣＤ）
の再生プレーヤにおける波長範囲の再生光によって再生
ができるようにして、多層光ディスク構成とするにもか
かわらず、一方の情報層に関しては通常のＣＤと同様の
再生プレーヤによって再生が可能な構成とすることが提
案されている。
し、第１および第２の再生光を用いてその再生を行う多
層光ディスクにおいて、例えば第１の再生光として、従
来汎用の例えば再生専用のコンパクトディスク（ＣＤ）
の再生プレーヤにおける波長範囲の再生光によって再生
ができるようにして、多層光ディスク構成とするにもか
かわらず、一方の情報層に関しては通常のＣＤと同様の
再生プレーヤによって再生が可能な構成とすることが提
案されている。
【０００６】この第１および第２の情報層が積層された
光ディスクは、例えば図１にその一例の概略断面図を示
すように、例えば第１の光透過性基板１ｆの表面に形成
された第１の情報ピット２ｆに金属反射膜３ｆが被着さ
れてなる第１の情報層４ｆと、第２の光透過性基板１ｓ
の表面に形成された第２の情報ピット２ｓに半透明反射
膜３ｓが被着されてなる第２の情報層４ｓとが、第１の
光透過性基板１ｆの第１の情報層４ｆが形成された側と
は反対側の面と第２の光透過性基板１ｓの第２の情報層
４ｓが形成された側の面とを透明接着材料５によって接
合して構成される。
光ディスクは、例えば図１にその一例の概略断面図を示
すように、例えば第１の光透過性基板１ｆの表面に形成
された第１の情報ピット２ｆに金属反射膜３ｆが被着さ
れてなる第１の情報層４ｆと、第２の光透過性基板１ｓ
の表面に形成された第２の情報ピット２ｓに半透明反射
膜３ｓが被着されてなる第２の情報層４ｓとが、第１の
光透過性基板１ｆの第１の情報層４ｆが形成された側と
は反対側の面と第２の光透過性基板１ｓの第２の情報層
４ｓが形成された側の面とを透明接着材料５によって接
合して構成される。
【０００７】そして、第２の光透過性基板１ｓの背面側
から、第１の再生光Ｌｆとして、従来汎用の例えば再生
専用のコンパクトディスク（ＣＤ）の再生プレーヤにお
ける再生光の波長範囲７７０ｎｍ〜８３０ｎｍ（以下第
１の波長という）のレーザー光を照射して第１の情報層
４ｆの情報の再生を行い、第２の再生光Ｌｓとして、こ
れより波長が短く、量産化が可能な半導体レーザーの６
１５ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（以下第２の波長とい
う）のレーザー光を、第２の情報層４ｓにフォーカシン
グさせるように照射することによって第２の情報層４ｓ
の情報の再生がなされる。
から、第１の再生光Ｌｆとして、従来汎用の例えば再生
専用のコンパクトディスク（ＣＤ）の再生プレーヤにお
ける再生光の波長範囲７７０ｎｍ〜８３０ｎｍ（以下第
１の波長という）のレーザー光を照射して第１の情報層
４ｆの情報の再生を行い、第２の再生光Ｌｓとして、こ
れより波長が短く、量産化が可能な半導体レーザーの６
１５ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（以下第２の波長とい
う）のレーザー光を、第２の情報層４ｓにフォーカシン
グさせるように照射することによって第２の情報層４ｓ
の情報の再生がなされる。
【０００８】このような光ディスクを用いて、情報の再
生を行う場合、第１の情報層４ｆから高品位の再生信号
を得るには、(i) 第１の波長による第１の再生光Ｌｆに
対する金属反射膜３ｆの反射率Ｒｆ1が高いこと、(ii)
第２の情報層４ｓにおけるこの第１の波長の光に対する
透過率Ｔｓ1 ができるだけ高いこと、つまり第１の波長
の光に対する光吸収率Ａｓ1 ができるだけ小さく、第１
の波長の光に対する反射率Ｒｓ1 ができるだけ小さいこ
とである。また、第２の情報層４ｓから高品位の再生信
号を得るには、(iii) 第２の波長による第２の再生光Ｌ
ｓに対する半透明反射膜３ｓの反射率Ｒｓ2 が高いこと
である。(iv) したがって、上述の(ii)および(iii) か
ら、第２の情報層４ｓの半透明反射膜３ｓは、Ｒｓ2 −
Ｒｓ1 ができるだけ大（Ｒｓ2 がＲｓ1 よりできるだけ
大）である特性を有することが望まれる。
生を行う場合、第１の情報層４ｆから高品位の再生信号
を得るには、(i) 第１の波長による第１の再生光Ｌｆに
対する金属反射膜３ｆの反射率Ｒｆ1が高いこと、(ii)
第２の情報層４ｓにおけるこの第１の波長の光に対する
透過率Ｔｓ1 ができるだけ高いこと、つまり第１の波長
の光に対する光吸収率Ａｓ1 ができるだけ小さく、第１
の波長の光に対する反射率Ｒｓ1 ができるだけ小さいこ
とである。また、第２の情報層４ｓから高品位の再生信
号を得るには、(iii) 第２の波長による第２の再生光Ｌ
ｓに対する半透明反射膜３ｓの反射率Ｒｓ2 が高いこと
である。(iv) したがって、上述の(ii)および(iii) か
ら、第２の情報層４ｓの半透明反射膜３ｓは、Ｒｓ2 −
Ｒｓ1 ができるだけ大（Ｒｓ2 がＲｓ1 よりできるだけ
大）である特性を有することが望まれる。
【０００９】このような、第２の情報層４ｓの半透明反
射膜３ｓを構成する材料としては、シリコン（Ｓｉ）
や、誘電体の多層膜構成を採ることが提案されている。
上記(ii)で挙げたように、第１の波長の光に対する光吸
収率ができるだけ小さいことが要求されることから、Ｓ
ｉによる場合結晶性にすぐれた薄膜として成膜されるこ
とが望まれるが、このＳｉを光透過性基板、特に量産
性、コスト等においてすぐれたポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）等のプラスチック基板上にすぐれた膜質をもって成
膜することは、このプラスティック基板の耐熱性の問題
から制約がある。また、誘電体の多層膜構成とする場合
は、単層膜の成膜に比して製造工程がきわめて煩雑とな
り、コスト高を来すという問題がある。
射膜３ｓを構成する材料としては、シリコン（Ｓｉ）
や、誘電体の多層膜構成を採ることが提案されている。
上記(ii)で挙げたように、第１の波長の光に対する光吸
収率ができるだけ小さいことが要求されることから、Ｓ
ｉによる場合結晶性にすぐれた薄膜として成膜されるこ
とが望まれるが、このＳｉを光透過性基板、特に量産
性、コスト等においてすぐれたポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）等のプラスチック基板上にすぐれた膜質をもって成
膜することは、このプラスティック基板の耐熱性の問題
から制約がある。また、誘電体の多層膜構成とする場合
は、単層膜の成膜に比して製造工程がきわめて煩雑とな
り、コスト高を来すという問題がある。
【００１０】また、光透過性基板としては、価格、信頼
性、量産性等の上から、主としてポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）によって構成される。しかしながら、この場合、ガ
ラスに比し複屈折がかなり大きいという問題がある。こ
の複屈折は、主として基板の極く薄い表面層（厚さ数十
μｍ程度の部分）に集中しており、基板厚さには依存し
ないことが知られている。したがって、この複屈折は、
光透過性基板の厚さによらず、単にこの表面を、目的と
する再生光が何回通過するかによるものであり、図１に
示した２枚の光透過性基板１ｓおよび１ｆが用いられる
場合は、第１の情報層３ｆの再生光は２枚の光透過性基
板１ｓおよび１ｆの両面の表面層を通過することにな
り、複屈折の影響は単層の場合の２倍となる。
性、量産性等の上から、主としてポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）によって構成される。しかしながら、この場合、ガ
ラスに比し複屈折がかなり大きいという問題がある。こ
の複屈折は、主として基板の極く薄い表面層（厚さ数十
μｍ程度の部分）に集中しており、基板厚さには依存し
ないことが知られている。したがって、この複屈折は、
光透過性基板の厚さによらず、単にこの表面を、目的と
する再生光が何回通過するかによるものであり、図１に
示した２枚の光透過性基板１ｓおよび１ｆが用いられる
場合は、第１の情報層３ｆの再生光は２枚の光透過性基
板１ｓおよび１ｆの両面の表面層を通過することにな
り、複屈折の影響は単層の場合の２倍となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した第
１および第２の情報層の積層による多層ディスクにおい
て、より高品位な再生がなされるようにする。
１および第２の情報層の積層による多層ディスクにおい
て、より高品位な再生がなされるようにする。
【００１２】ところで、このような光ディスクにおい
て、高品位の再生信号を得ることができるようにするに
は、第１の波長の光に対する反射率が７０％以上とする
ことが望まれる。この値は、汎用のコンパクトディスク
ＣＤでの規格値で高い再生信号を得る１つの使用とする
ことができる。また、第２の波長の光に対する反射率
は、１８％〜３０％であることが望まれる。この値は、
いわゆるＤＶＤ（DigitalVersatile Disc）の２層ディ
スクでの規格値で高品位の再生信号を得る１つの指標と
することができる。
て、高品位の再生信号を得ることができるようにするに
は、第１の波長の光に対する反射率が７０％以上とする
ことが望まれる。この値は、汎用のコンパクトディスク
ＣＤでの規格値で高い再生信号を得る１つの使用とする
ことができる。また、第２の波長の光に対する反射率
は、１８％〜３０％であることが望まれる。この値は、
いわゆるＤＶＤ（DigitalVersatile Disc）の２層ディ
スクでの規格値で高品位の再生信号を得る１つの指標と
することができる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による多層光ディ
スクは、第１の情報層と、第２の情報層とが重ね合わさ
れて１枚の光ディスクとされた構成を有するものであ
る。そして、その第１の情報層は、７７０ｎｍ〜８３０
ｎｍの波長範囲（第１の波長）の第１の再生光に対する
反射率が９０％以上の金属反射膜を有し、第２の情報層
は、上記第１の再生光に対する屈折率ｎｓ1 と、６１５
ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（第２の波長）の第２の再
生光に対する屈折率ｎｓ2 のそれぞれの実数部での比ｎ
ｓ2 ／ｎｓ1 が、１．０５以上である半透明反射膜を有
する構成とする。
スクは、第１の情報層と、第２の情報層とが重ね合わさ
れて１枚の光ディスクとされた構成を有するものであ
る。そして、その第１の情報層は、７７０ｎｍ〜８３０
ｎｍの波長範囲（第１の波長）の第１の再生光に対する
反射率が９０％以上の金属反射膜を有し、第２の情報層
は、上記第１の再生光に対する屈折率ｎｓ1 と、６１５
ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲（第２の波長）の第２の再
生光に対する屈折率ｎｓ2 のそれぞれの実数部での比ｎ
ｓ2 ／ｎｓ1 が、１．０５以上である半透明反射膜を有
する構成とする。
【００１４】あるいは、第２の情報層は、上記第１の再
生光に対する屈折率の虚数部が０．０５以下の半透明反
射膜を有する構成とする。
生光に対する屈折率の虚数部が０．０５以下の半透明反
射膜を有する構成とする。
【００１５】上述の本発明構成による光ディスクは、そ
の第１および第２の情報層に関して第１および第２の再
生光によって高品位の再生を行うことができ、第１の情
報層に関しては、汎用のＣＤプレーヤによっても、高品
位再生を行うことができるようになされたものである。
の第１および第２の情報層に関して第１および第２の再
生光によって高品位の再生を行うことができ、第１の情
報層に関しては、汎用のＣＤプレーヤによっても、高品
位再生を行うことができるようになされたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明による多層光ディスクは、
第１の情報層と、第２の情報層とが重ね合わされて１枚
の光ディスクとされた構成とする。この光ディスクは、
例えば図１で示したように、それぞれ第１および第２の
情報層２ｆおよび２ｓが形成された第１および第２の光
透過性基板１ｆおよび１ｓを重ね合わせ透明接着材料５
によって接合した構成とすることができる。
第１の情報層と、第２の情報層とが重ね合わされて１枚
の光ディスクとされた構成とする。この光ディスクは、
例えば図１で示したように、それぞれ第１および第２の
情報層２ｆおよび２ｓが形成された第１および第２の光
透過性基板１ｆおよび１ｓを重ね合わせ透明接着材料５
によって接合した構成とすることができる。
【００１７】第１および第２の光透過性基板１ｆおよび
１ｓは、それぞれ例えばポリカーボネート（ＰＣ）等の
プラスティックを用いて射出成型によって成形し、この
成形と同時に、成型金型のキャビティ内に配置されたス
タンパ、例えばニッケルスタンパによってそれぞれの一
主面に第１および第２の情報層４ｆおよび４ｓの情報ピ
ット２ｆおよび２ｓを転写成形し、各他方の主面を平滑
な面として形成する。あるいは、第１および第２の光透
過性基板１ｆおよび１ｓを、ＰＣ等のプラスティックあ
るいはガラスによる平滑基板として形成し、その各一主
面に、例えば紫外線硬化樹脂の塗布、スタンパの押圧、
硬化処理によるいわゆる２Ｐ法（Photopolymerization
法) によって情報ピット２ｆおよび２ｓを形成すること
もできる。
１ｓは、それぞれ例えばポリカーボネート（ＰＣ）等の
プラスティックを用いて射出成型によって成形し、この
成形と同時に、成型金型のキャビティ内に配置されたス
タンパ、例えばニッケルスタンパによってそれぞれの一
主面に第１および第２の情報層４ｆおよび４ｓの情報ピ
ット２ｆおよび２ｓを転写成形し、各他方の主面を平滑
な面として形成する。あるいは、第１および第２の光透
過性基板１ｆおよび１ｓを、ＰＣ等のプラスティックあ
るいはガラスによる平滑基板として形成し、その各一主
面に、例えば紫外線硬化樹脂の塗布、スタンパの押圧、
硬化処理によるいわゆる２Ｐ法（Photopolymerization
法) によって情報ピット２ｆおよび２ｓを形成すること
もできる。
【００１８】第１および第２の光透過性基板１ｆおよび
１ｓは、その例えば射出成型時の金型温度、圧力、圧力
保持時間等の選定によって、その複屈折が、５０ｎｍ以
下の基板として構成する。
１ｓは、その例えば射出成型時の金型温度、圧力、圧力
保持時間等の選定によって、その複屈折が、５０ｎｍ以
下の基板として構成する。
【００１９】そして、第１の光透過性基板１ｆの第１の
情報ピット２ｆの形成面上に、金属反射膜３ｆを、全面
的に、蒸着、スパッタリング等によって被着して、第１
の情報層４ｆを形成する。また、この第１の情報層４ｆ
上を覆って全面的に保護膜６を被着形成する。第２の光
透過性基板１ｓの第２の情報ピット２ｓの形成面上に
は、全面的に半透明反射膜３ｓが被着されて第２の情報
層４ｓが形成される。
情報ピット２ｆの形成面上に、金属反射膜３ｆを、全面
的に、蒸着、スパッタリング等によって被着して、第１
の情報層４ｆを形成する。また、この第１の情報層４ｆ
上を覆って全面的に保護膜６を被着形成する。第２の光
透過性基板１ｓの第２の情報ピット２ｓの形成面上に
は、全面的に半透明反射膜３ｓが被着されて第２の情報
層４ｓが形成される。
【００２０】これら、第１の光透過性基板１ｆの第１の
情報層４ｆが形成された側とは反対側の面と、第２の光
透過性基板１ｓの第２の情報層４ｓが形成された側の面
とを例えば紫外線硬化樹脂による透明接着材料５によっ
て接合して多層光ディスクを構成する。
情報層４ｆが形成された側とは反対側の面と、第２の光
透過性基板１ｓの第２の情報層４ｓが形成された側の面
とを例えば紫外線硬化樹脂による透明接着材料５によっ
て接合して多層光ディスクを構成する。
【００２１】この構成において、第１および第２の光透
過性基板１ｆおよび１ｓは、これらの厚さの総和が、
１．１〜１．３ｍｍに選定される。例えば第１および第
２の光透過性基板１ｆおよび１ｓの各厚さを０．６ｍｍ
とし、透明接着材料５の厚さを０．０５ｍｍとして全体
の厚さを１．２５ｍｍとすることが望ましい。
過性基板１ｆおよび１ｓは、これらの厚さの総和が、
１．１〜１．３ｍｍに選定される。例えば第１および第
２の光透過性基板１ｆおよび１ｓの各厚さを０．６ｍｍ
とし、透明接着材料５の厚さを０．０５ｍｍとして全体
の厚さを１．２５ｍｍとすることが望ましい。
【００２２】この本発明による多層光ディスクに対する
第１の情報層４ｆの情報の読み出しすなわち再生は、図
１に示すように、第２の光透過性基板１ｓの背面側か
ら、第１の波長の第１の再生光Ｌｆ、例えば従来汎用の
例えば再生専用のＣＤプレーヤにおける再生光の波長範
囲７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの半導体レーザー光を照射し
て金属反射膜３ｆによる反射光によって再生する。ま
た、第２の情報層４ｓの情報の再生は、第２の波長によ
る第２の再生光Ｌｓ、すなわち６１５ｎｍ〜６５５ｎｍ
の波長範囲半導体レーザー光を、同様に、第２の光透過
性基板１ｓの背面側から、第２の情報層４ｓにフォーカ
シングさせるて、これよりの反射光によって再生信号を
得る。
第１の情報層４ｆの情報の読み出しすなわち再生は、図
１に示すように、第２の光透過性基板１ｓの背面側か
ら、第１の波長の第１の再生光Ｌｆ、例えば従来汎用の
例えば再生専用のＣＤプレーヤにおける再生光の波長範
囲７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの半導体レーザー光を照射し
て金属反射膜３ｆによる反射光によって再生する。ま
た、第２の情報層４ｓの情報の再生は、第２の波長によ
る第２の再生光Ｌｓ、すなわち６１５ｎｍ〜６５５ｎｍ
の波長範囲半導体レーザー光を、同様に、第２の光透過
性基板１ｓの背面側から、第２の情報層４ｓにフォーカ
シングさせるて、これよりの反射光によって再生信号を
得る。
【００２３】そして、特に本発明においては、第１の情
報層４ｆを構成する金属反射膜３ｆを、７７０ｎｍ〜８
３０ｎｍの波長範囲の第１の再生光に対する反射率が９
０％以上となる金属反射膜によって構成する。この金属
反射膜３ｆを構成する金属は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ
もしくはこれの合金を、蒸着、スパッタリング等によっ
て形成し得る。この金属反射膜３ｆの膜厚は、確実に高
い反射率を得ることができる５０ｎｍ以上好ましくは７
０ｎｍ以上とする。
報層４ｆを構成する金属反射膜３ｆを、７７０ｎｍ〜８
３０ｎｍの波長範囲の第１の再生光に対する反射率が９
０％以上となる金属反射膜によって構成する。この金属
反射膜３ｆを構成する金属は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ
もしくはこれの合金を、蒸着、スパッタリング等によっ
て形成し得る。この金属反射膜３ｆの膜厚は、確実に高
い反射率を得ることができる５０ｎｍ以上好ましくは７
０ｎｍ以上とする。
【００２４】この金属反射膜３ｆ上に形成する保護膜６
は、紫外線硬化樹脂を塗布硬化することによって構成で
きる。
は、紫外線硬化樹脂を塗布硬化することによって構成で
きる。
【００２５】第２の情報層４ｓを構成する半透明反射膜
３ｓは、第１の波長の光に対する透過率Ｔｓ1 が高く、
つまり第１の波長の光に対する光吸収率Ａｓ1 が小さ
く、第１の波長の光に対する反射率Ｒｓ1 が小さく、か
つ第２の波長による第２の再生光Ｌｓに対する反射率Ｒ
ｓ2 、すなわちＲｓ2 −Ｒｓ1 を大にする。具体的には
薄膜においては、屈折率が大であれば反射率が大きく、
屈折率が小であれば反射率が小さいことから、半透明反
射膜３ｓにおける第１および第２の波長の光に対する屈
折率をｎｓ1 およびｎｓ2 とするとき、ｎｓ2 ／ｎｓ1
を大きく、特に各屈折率ｎｓ1 および屈折率ｎｓ2 のそ
れぞれの実数部での比ｎｓ2 ／ｎｓ1 を、１．０５以上
とする。
３ｓは、第１の波長の光に対する透過率Ｔｓ1 が高く、
つまり第１の波長の光に対する光吸収率Ａｓ1 が小さ
く、第１の波長の光に対する反射率Ｒｓ1 が小さく、か
つ第２の波長による第２の再生光Ｌｓに対する反射率Ｒ
ｓ2 、すなわちＲｓ2 −Ｒｓ1 を大にする。具体的には
薄膜においては、屈折率が大であれば反射率が大きく、
屈折率が小であれば反射率が小さいことから、半透明反
射膜３ｓにおける第１および第２の波長の光に対する屈
折率をｎｓ1 およびｎｓ2 とするとき、ｎｓ2 ／ｎｓ1
を大きく、特に各屈折率ｎｓ1 および屈折率ｎｓ2 のそ
れぞれの実数部での比ｎｓ2 ／ｎｓ1 を、１．０５以上
とする。
【００２６】また、半透明反射膜３ｓは、第１の再生光
に対する屈折率の虚数部が０．０５以下の半透明反射膜
材料によって構成される。
に対する屈折率の虚数部が０．０５以下の半透明反射膜
材料によって構成される。
【００２７】半透明反射膜３ｓは、アモルファスＳｉ
Ｈ、アモルファスＳｉＯ、アモルファスＳｉＮの単体材
料、もしくはこれらとアモルファスＳｉのうちの２以上
の混合材料の例えばＳｉ（ＨＯ）、Ｓｉ（ＨＮＯ）のア
モルファス膜の単層膜構造として構成する。またはＧ
ｅ、アモルファスＧｅ、アモルファスＧｅＨ、アモルフ
ァスＧｅＯ、アモルファスＧｅＮ、もしくはこれら２以
上の混合材料の例えばＧｅ（ＨＮＯ）のアモルファス
膜、あるいはアモルファスＳｉＧｅ、アモルファスＳｉ
ＧｅＨ、アモルファスＳｉＧｅＯ、アモルファスＳｉＧ
ｅＮ、もしくはこれら２以上の混合材料であるＳｉＧｅ
（ＨＯＮ）のアモルファス膜より構成し得る。
Ｈ、アモルファスＳｉＯ、アモルファスＳｉＮの単体材
料、もしくはこれらとアモルファスＳｉのうちの２以上
の混合材料の例えばＳｉ（ＨＯ）、Ｓｉ（ＨＮＯ）のア
モルファス膜の単層膜構造として構成する。またはＧ
ｅ、アモルファスＧｅ、アモルファスＧｅＨ、アモルフ
ァスＧｅＯ、アモルファスＧｅＮ、もしくはこれら２以
上の混合材料の例えばＧｅ（ＨＮＯ）のアモルファス
膜、あるいはアモルファスＳｉＧｅ、アモルファスＳｉ
ＧｅＨ、アモルファスＳｉＧｅＯ、アモルファスＳｉＧ
ｅＮ、もしくはこれら２以上の混合材料であるＳｉＧｅ
（ＨＯＮ）のアモルファス膜より構成し得る。
【００２８】また、この半透明反射膜３ｓの厚さは、２
２ｎｍ以下、すなわち後述する分光特性の膜厚依存性に
おける所要の反射率を得ることができる膜厚許容値が得
られる、膜厚が小さい側のゾーン１において形成するこ
とが好ましい。
２ｎｍ以下、すなわち後述する分光特性の膜厚依存性に
おける所要の反射率を得ることができる膜厚許容値が得
られる、膜厚が小さい側のゾーン１において形成するこ
とが好ましい。
【００２９】次に、半透明反射膜３ｓの実施例について
説明する。この半透明反射膜３ｓは、例えば結晶珪素
（Ｓｉ）あるいは多結晶珪素を原材料としたスパッタリ
ングあるいは真空蒸着法によって、アモルファスＳｉ
（以下ａ−Ｓｉと記す）膜として形成し、その膜形成時
に当たって、酸素あるいは水素を混入する。例えば真空
蒸着による場合、この蒸着を行う真空チャンバー内を、
例えば１０-4Ｐａオーダーに達する程度の高い真空度に
して後、微量の酸素、あるいは水素、またはその両方を
導入して、第２の光透過性基板１ｓの第２の情報ピット
２ｓが形成された面に、蒸着を行って目的とする半透明
反射膜３ｓを形成する。また、スパッタリングによると
きは、そのスパッタリングを行うチャンバー内に導入さ
れるＡｒ等の不活性ガスの他に、同様に微量の酸素、あ
るいは水素、またはその両方を導入していわゆる反応性
スパッタリングを行って目的とする半透明反射膜３ｓを
形成する。
説明する。この半透明反射膜３ｓは、例えば結晶珪素
（Ｓｉ）あるいは多結晶珪素を原材料としたスパッタリ
ングあるいは真空蒸着法によって、アモルファスＳｉ
（以下ａ−Ｓｉと記す）膜として形成し、その膜形成時
に当たって、酸素あるいは水素を混入する。例えば真空
蒸着による場合、この蒸着を行う真空チャンバー内を、
例えば１０-4Ｐａオーダーに達する程度の高い真空度に
して後、微量の酸素、あるいは水素、またはその両方を
導入して、第２の光透過性基板１ｓの第２の情報ピット
２ｓが形成された面に、蒸着を行って目的とする半透明
反射膜３ｓを形成する。また、スパッタリングによると
きは、そのスパッタリングを行うチャンバー内に導入さ
れるＡｒ等の不活性ガスの他に、同様に微量の酸素、あ
るいは水素、またはその両方を導入していわゆる反応性
スパッタリングを行って目的とする半透明反射膜３ｓを
形成する。
【００３０】尚、Ｓｉが、酸素や水素と完全に反応した
後には、ＳｉＯ2 あるいはＳｉＨ4となることが知られ
ているが、本発明における半透明反射膜３ｓの形成にお
いては、このように完全な反応がなされるものではな
く、Ｓｉ原子とＳｉ原子とが共有結合していない、いわ
ゆるダングリングボンドに、酸素や水素を結合させた構
造として光の吸収を抑制するものであり、このための酸
素や水素の添加は、Ｓｉ原子に対して酸素や水素の割合
が２〜３０原子％程度に選定される。
後には、ＳｉＯ2 あるいはＳｉＨ4となることが知られ
ているが、本発明における半透明反射膜３ｓの形成にお
いては、このように完全な反応がなされるものではな
く、Ｓｉ原子とＳｉ原子とが共有結合していない、いわ
ゆるダングリングボンドに、酸素や水素を結合させた構
造として光の吸収を抑制するものであり、このための酸
素や水素の添加は、Ｓｉ原子に対して酸素や水素の割合
が２〜３０原子％程度に選定される。
【００３１】このようにして、第１および第２の情報層
４ｓおよび４ｆがそれぞれ形成された第１および第２の
光透過性基板１ｆおよび１ｓは、第１の光透過性基板１
ｆの第１の情報層４ｆが形成された側とは反対側の面と
第２の光透過性基板１ｓの第２の情報層４ｓが形成され
た側の面とを透明接着材料５によって接合される。
４ｓおよび４ｆがそれぞれ形成された第１および第２の
光透過性基板１ｆおよび１ｓは、第１の光透過性基板１
ｆの第１の情報層４ｆが形成された側とは反対側の面と
第２の光透過性基板１ｓの第２の情報層４ｓが形成され
た側の面とを透明接着材料５によって接合される。
【００３２】この透明接着材料５による接合は、例えば
半透明反射膜３ｓ上に、液状の紫外線硬化樹脂による透
明接着材料５を塗布し、両基板１ｆおよび１ｓを、互い
に所定の位置関係に設定して重ねた状態で、紫外線照射
を行って透明接着材料５を硬化してその接合を行う。
半透明反射膜３ｓ上に、液状の紫外線硬化樹脂による透
明接着材料５を塗布し、両基板１ｆおよび１ｓを、互い
に所定の位置関係に設定して重ねた状態で、紫外線照射
を行って透明接着材料５を硬化してその接合を行う。
【００３３】次に、半透明反射膜３ｓの光学的特性につ
いて考察する。この場合、それぞれＰＣ基板のそれぞれ
凹凸のない鏡面による一主面上に、本発明構成における
アモルファスＳｉＯ（ａ−ＳｉＯ）、アモルファスＳｉ
Ｈ（ａ−ＳｉＨ）、アモルファスＳｉＨＯ（ａ−ＳｉＨ
Ｏ）、更に比較のためのアモルファスＳｉ（ａ−Ｓ
ｉ）、結晶Ｓｉをそれぞれ成膜し、これに前述した他方
の基板との接合に用いる紫外線硬化樹脂による保護膜を
３０μｍの厚さに塗布した各試料を作製した。また、こ
れら試料において、それぞれの成膜の膜厚を１０ｎｍ〜
１００ｎｍの範囲で形成し、その膜厚測定と、光透過率
および反射率から波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍとに
おける複素屈折率を求めた。その結果を、下記表１に示
す。なお、表１に結晶Ｓｉについても比較例として例示
したが、この値については、文献値を用いた。また、表
１に、各試料について、その屈折率の実数部の比ｎ2 ／
ｎ1 も合せて示した。
いて考察する。この場合、それぞれＰＣ基板のそれぞれ
凹凸のない鏡面による一主面上に、本発明構成における
アモルファスＳｉＯ（ａ−ＳｉＯ）、アモルファスＳｉ
Ｈ（ａ−ＳｉＨ）、アモルファスＳｉＨＯ（ａ−ＳｉＨ
Ｏ）、更に比較のためのアモルファスＳｉ（ａ−Ｓ
ｉ）、結晶Ｓｉをそれぞれ成膜し、これに前述した他方
の基板との接合に用いる紫外線硬化樹脂による保護膜を
３０μｍの厚さに塗布した各試料を作製した。また、こ
れら試料において、それぞれの成膜の膜厚を１０ｎｍ〜
１００ｎｍの範囲で形成し、その膜厚測定と、光透過率
および反射率から波長７８０ｎｍと波長６５０ｎｍとに
おける複素屈折率を求めた。その結果を、下記表１に示
す。なお、表１に結晶Ｓｉについても比較例として例示
したが、この値については、文献値を用いた。また、表
１に、各試料について、その屈折率の実数部の比ｎ2 ／
ｎ1 も合せて示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１に基く屈折率を用いて、各成膜材料を
第２の情報層の半透明反射膜とした場合の、第１の情報
層の波長７８０ｎｍに対する反射率Ｒ1 と、第２の情報
層の波長６５０ｎｍに対する反射率Ｒ2 を計算によって
求めた。この場合、第１の情報層の金属反射膜３ｆを、
厚さ１００ｎｍのＡｕ膜によって構成した場合を想定
し、第１の光透過性基板１ｆとこの金属反射膜３ｆとの
界面での反射率を９５％とした。各試料についての計算
による分光特性の膜厚依存をそれぞれ図２〜図６に示し
た。すなわち、図２はａ−ＳｉＯの場合、図３はａ−Ｓ
ｉＨの場合、図４はａ−ＳｉＨＯの場合、図５は酸素お
よび水素を含まないａ−Ｓｉの場合、図６は結晶Ｓｉの
である。
第２の情報層の半透明反射膜とした場合の、第１の情報
層の波長７８０ｎｍに対する反射率Ｒ1 と、第２の情報
層の波長６５０ｎｍに対する反射率Ｒ2 を計算によって
求めた。この場合、第１の情報層の金属反射膜３ｆを、
厚さ１００ｎｍのＡｕ膜によって構成した場合を想定
し、第１の光透過性基板１ｆとこの金属反射膜３ｆとの
界面での反射率を９５％とした。各試料についての計算
による分光特性の膜厚依存をそれぞれ図２〜図６に示し
た。すなわち、図２はａ−ＳｉＯの場合、図３はａ−Ｓ
ｉＨの場合、図４はａ−ＳｉＨＯの場合、図５は酸素お
よび水素を含まないａ−Ｓｉの場合、図６は結晶Ｓｉの
である。
【００３６】図６の結晶Ｓｉの場合、その膜厚が０から
厚くなるにつれ、反射率Ｒ1 が減少して、Ｒ2 が増加す
る。そして、厚さが１３ｎｍ付近でＲ1 ＞７０％、かつ
Ｒ2＞１８％となり（以下この厚さ領域をゾーン１と呼
称する）、冒頭に述べた指標を満たすことから、良好な
再生信号が得られる。そして、更に膜厚が増加し、１３
０ｎｍ付近で、再び上記条件Ｒ1 ＞７０％、かつＲ2 ＞
１８％となる（以下この厚さ領域をゾーン２と呼称す
る）。そして、この増減が繰返されるが、この第２のゾ
ーンより厚い領域では、製造上の問題から実用的には回
避されることが望ましい。そこで、各単層材料における
ゾーン１および２で、所望の反射率Ｒ1 ＞７０％、かつ
Ｒ2 ＞１８％が得られる膜厚の上限と下限の範囲と、そ
の中心からの割合を膜厚許容値〔％〕として括弧内に示
した。
厚くなるにつれ、反射率Ｒ1 が減少して、Ｒ2 が増加す
る。そして、厚さが１３ｎｍ付近でＲ1 ＞７０％、かつ
Ｒ2＞１８％となり（以下この厚さ領域をゾーン１と呼
称する）、冒頭に述べた指標を満たすことから、良好な
再生信号が得られる。そして、更に膜厚が増加し、１３
０ｎｍ付近で、再び上記条件Ｒ1 ＞７０％、かつＲ2 ＞
１８％となる（以下この厚さ領域をゾーン２と呼称す
る）。そして、この増減が繰返されるが、この第２のゾ
ーンより厚い領域では、製造上の問題から実用的には回
避されることが望ましい。そこで、各単層材料における
ゾーン１および２で、所望の反射率Ｒ1 ＞７０％、かつ
Ｒ2 ＞１８％が得られる膜厚の上限と下限の範囲と、そ
の中心からの割合を膜厚許容値〔％〕として括弧内に示
した。
【００３７】
【表２】
【００３８】この場合、実用的見地から望ましい許容値
は、±５％程度であり、このことから、ａ−ＳｉＨ、ａ
−ＳｉＨＯ、更に結晶Ｓｉを用いることが好ましいこと
が分かる。しかしながら、結晶Ｓｉは冒頭に述べたよう
に、光透過性基板上に成膜することが困難であって実用
的ではない。また、図５のａ−Ｓｉは、図６と比較して
明らかなように、結晶Ｓｉに比し光吸収が大きくなるた
めに実用的な膜厚の許容値が比較的小さい。これに比
し、酸素が混入されたａ−ＳｉＯでは、ａ−Ｓｉに比し
て７８０ｎｍでの吸収が小さくなったこと、およびｎ2
／ｎ1 が大きくなったことによって、ゾーン２での反射
率Ｒ1 が高くなり、これによって、ゾーン２で膜厚の許
容値が±５％より高い値を示している。同様に水素が混
入されたａ−ＳｉＨについても同様に吸収の減少、およ
びｎ2 ／ｎ1 が酸素混入より大となったことによってゾ
ーン１においても、充分な膜厚許容値が得られた。そし
て、このように膜厚の小さいゾーン１においても、充分
な膜厚許容値が得られることは、この膜厚の小さいゾー
ン１において半透明反射膜３ｓを形成することができる
ことから、成膜時間の短縮化等から実用上の利益が大き
い。更に、酸素および水素の双方が混入されたａ−Ｓｉ
ＨＯによれば、更に吸収が減少することによって、ゾー
ン１および２においてその膜厚許容値が更に拡大されて
いて、より製造上有利性を増すものである。
は、±５％程度であり、このことから、ａ−ＳｉＨ、ａ
−ＳｉＨＯ、更に結晶Ｓｉを用いることが好ましいこと
が分かる。しかしながら、結晶Ｓｉは冒頭に述べたよう
に、光透過性基板上に成膜することが困難であって実用
的ではない。また、図５のａ−Ｓｉは、図６と比較して
明らかなように、結晶Ｓｉに比し光吸収が大きくなるた
めに実用的な膜厚の許容値が比較的小さい。これに比
し、酸素が混入されたａ−ＳｉＯでは、ａ−Ｓｉに比し
て７８０ｎｍでの吸収が小さくなったこと、およびｎ2
／ｎ1 が大きくなったことによって、ゾーン２での反射
率Ｒ1 が高くなり、これによって、ゾーン２で膜厚の許
容値が±５％より高い値を示している。同様に水素が混
入されたａ−ＳｉＨについても同様に吸収の減少、およ
びｎ2 ／ｎ1 が酸素混入より大となったことによってゾ
ーン１においても、充分な膜厚許容値が得られた。そし
て、このように膜厚の小さいゾーン１においても、充分
な膜厚許容値が得られることは、この膜厚の小さいゾー
ン１において半透明反射膜３ｓを形成することができる
ことから、成膜時間の短縮化等から実用上の利益が大き
い。更に、酸素および水素の双方が混入されたａ−Ｓｉ
ＨＯによれば、更に吸収が減少することによって、ゾー
ン１および２においてその膜厚許容値が更に拡大されて
いて、より製造上有利性を増すものである。
【００３９】表１および表２からわかるように、第２の
情報層４ｓを構成する半透明反射膜３ｓとしては、吸収
を表す屈折率の虚数部の値が７８０ｎｍで０．００５以
下であることが望ましい。また、実数部屈折率比ｎ2 ／
ｎ1 すなわち第２の情報層４ｓとしてのｎｓ1 ／ｎｓ2
は、１．０５以上であることが望ましいことがわかる。
情報層４ｓを構成する半透明反射膜３ｓとしては、吸収
を表す屈折率の虚数部の値が７８０ｎｍで０．００５以
下であることが望ましい。また、実数部屈折率比ｎ2 ／
ｎ1 すなわち第２の情報層４ｓとしてのｎｓ1 ／ｎｓ2
は、１．０５以上であることが望ましいことがわかる。
【００４０】そして、因みに、第１の情報層４ｆの金属
反射膜３ｆを、例えば従来におけるＡｌにより構成した
場合は、各材料膜におけるＲ1 の値が、図２〜図６にお
けるＲ1 の値に、それぞれ波長７８０ｎｍに対するＡｌ
の反射率８１％と、Ａｕの同様の反射率９５％との比、
すなわち０．８５を乗じる値となる。すなわち、Ａｌ反
射膜の場合、Ａｕ反射膜に比してＲ1 が１５％低くなる
ことから、厚膜許容値を大きくすることができない。
反射膜３ｆを、例えば従来におけるＡｌにより構成した
場合は、各材料膜におけるＲ1 の値が、図２〜図６にお
けるＲ1 の値に、それぞれ波長７８０ｎｍに対するＡｌ
の反射率８１％と、Ａｕの同様の反射率９５％との比、
すなわち０．８５を乗じる値となる。すなわち、Ａｌ反
射膜の場合、Ａｕ反射膜に比してＲ1 が１５％低くなる
ことから、厚膜許容値を大きくすることができない。
【００４１】尚、上述した例では、第２の情報層４ｓの
半透明反射膜３ｓを、ａ−Ｓｉ系において酸素、水素あ
るいはその双方を導入した構成材料によって構成した場
合であるが、前記Ｇｅ、ＳｉＧｅ、あるいはａ−Ｇｅ
系、またはａ−ＳｉＧｅ系、そしてこれらに同様に酸
素、水素あるいはその双方を導入した構成材料によって
構成して同様の効果を得ることができるものである。
半透明反射膜３ｓを、ａ−Ｓｉ系において酸素、水素あ
るいはその双方を導入した構成材料によって構成した場
合であるが、前記Ｇｅ、ＳｉＧｅ、あるいはａ−Ｇｅ
系、またはａ−ＳｉＧｅ系、そしてこれらに同様に酸
素、水素あるいはその双方を導入した構成材料によって
構成して同様の効果を得ることができるものである。
【００４２】上述したように、本発明によれば、第１の
情報層４ｆの金属反射膜３ｆと、第２の情報層４ｓを構
成する半透明反射膜３ｓの各光学的特性の特定によっ
て、第２の情報層４ｓに対する第２の波長の第２の再生
光に対しては、光ディスクにおいて、指標とされる１８
％以上をもって導出することから、品位にすぐれた再生
信号を得ることができ、同時に、第１の波長の第１の再
生光に対しては、第２の情報層４ｓを充分透過し、かつ
金属反射膜３ｆを９０％以上としたことから、第１の情
報層４ｆに向かう第１の再生光が、第２の情報層３ｓで
幾分減少しても、充分高い効率をもって反射導出するこ
とができることから、この第１の再生光による第１の情
報層４ｆからの情報の再生についても品位にすぐれた再
生信号を得ることができる。
情報層４ｆの金属反射膜３ｆと、第２の情報層４ｓを構
成する半透明反射膜３ｓの各光学的特性の特定によっ
て、第２の情報層４ｓに対する第２の波長の第２の再生
光に対しては、光ディスクにおいて、指標とされる１８
％以上をもって導出することから、品位にすぐれた再生
信号を得ることができ、同時に、第１の波長の第１の再
生光に対しては、第２の情報層４ｓを充分透過し、かつ
金属反射膜３ｆを９０％以上としたことから、第１の情
報層４ｆに向かう第１の再生光が、第２の情報層３ｓで
幾分減少しても、充分高い効率をもって反射導出するこ
とができることから、この第１の再生光による第１の情
報層４ｆからの情報の再生についても品位にすぐれた再
生信号を得ることができる。
【００４３】そして、この第１の波長の第１の再生光
は、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲であることか
ら、例えば汎用のＣＤプレーヤを用いることができる。
つまり、第１の情報層４ｆの再生を可能にするものであ
る。
は、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲であることか
ら、例えば汎用のＣＤプレーヤを用いることができる。
つまり、第１の情報層４ｆの再生を可能にするものであ
る。
【００４４】また、図１の構成において、第１の情報層
４ｓに対する第１の再生光は、第１および第２の光透過
性基板１ｆおよび１ｓによる４回の表面通過がなされる
が、上述したように、その複屈折を５０ｎｍ以下とした
ことによって従来におけるＣＤや、ＤＶＤにおける複屈
折の値１００ｎｍに比して遜色のない等価な生成信号を
得ることができる。
４ｓに対する第１の再生光は、第１および第２の光透過
性基板１ｆおよび１ｓによる４回の表面通過がなされる
が、上述したように、その複屈折を５０ｎｍ以下とした
ことによって従来におけるＣＤや、ＤＶＤにおける複屈
折の値１００ｎｍに比して遜色のない等価な生成信号を
得ることができる。
【００４５】尚、上述した例では、２枚の光透過性基板
を用いた場合であるが、ある場合は、１枚の光透過性基
板上に、共に２Ｐ法によって第１および第２の情報層の
ピット形成を行うとか、一方の情報層のピット形成を光
透過性基板の射出成型と同時に形成して、他方の情報層
のピットを２Ｐによって形成することもできるなど、図
示の例に限られるものではなく、種々の変形変更が可能
である。
を用いた場合であるが、ある場合は、１枚の光透過性基
板上に、共に２Ｐ法によって第１および第２の情報層の
ピット形成を行うとか、一方の情報層のピット形成を光
透過性基板の射出成型と同時に形成して、他方の情報層
のピットを２Ｐによって形成することもできるなど、図
示の例に限られるものではなく、種々の変形変更が可能
である。
【００４６】
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
第１の情報層４ｆの金属反射膜３ｆと、第２の情報層４
ｓを構成する半透明反射膜３ｓの各光学的特性の特定に
よって、第２の情報層４ｓに対する第２の波長の第２の
再生光に対しては、指標とされる１８％以上をもって導
出することから、品位にすぐれた再生信号を得ることが
でき、同時に、第１の波長の第１の再生光に対しては、
第２の情報層４ｓを充分透過し、かつ金属反射膜３ｆを
９０％以上としたことから、第１の情報層４ｆに向かう
第１の再生光が、第２の情報層３ｓで幾分減少しても、
充分高い効率をもって反射導出することができることか
ら、この第１の再生光による第１の情報層４ｆからの情
報の再生についても品位にすぐれた再生信号を得ること
ができる。
第１の情報層４ｆの金属反射膜３ｆと、第２の情報層４
ｓを構成する半透明反射膜３ｓの各光学的特性の特定に
よって、第２の情報層４ｓに対する第２の波長の第２の
再生光に対しては、指標とされる１８％以上をもって導
出することから、品位にすぐれた再生信号を得ることが
でき、同時に、第１の波長の第１の再生光に対しては、
第２の情報層４ｓを充分透過し、かつ金属反射膜３ｆを
９０％以上としたことから、第１の情報層４ｆに向かう
第１の再生光が、第２の情報層３ｓで幾分減少しても、
充分高い効率をもって反射導出することができることか
ら、この第１の再生光による第１の情報層４ｆからの情
報の再生についても品位にすぐれた再生信号を得ること
ができる。
【００４７】そして、この第１の波長の第１の再生光
は、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲であることか
ら、例えば汎用のＣＤプレーヤを用いることができる。
つまり、第１の情報層４ｆの再生を可能にするものであ
る。
は、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範囲であることか
ら、例えば汎用のＣＤプレーヤを用いることができる。
つまり、第１の情報層４ｆの再生を可能にするものであ
る。
【００４８】また、図１の構成において、第１の情報層
４ｓに対する第１の再生光は、第１および第２の光透過
性基板１ｆおよび１ｓによる４回の表面通過がなされる
が、上述したように、その複屈折を５０ｎｍ以下とした
ことによって従来におけるＣＤや、ＤＶＤにおける複屈
折の値１００ｎｍに比して遜色のない等価な生成信号を
得ることができる。
４ｓに対する第１の再生光は、第１および第２の光透過
性基板１ｆおよび１ｓによる４回の表面通過がなされる
が、上述したように、その複屈折を５０ｎｍ以下とした
ことによって従来におけるＣＤや、ＤＶＤにおける複屈
折の値１００ｎｍに比して遜色のない等価な生成信号を
得ることができる。
【００４９】また、本発明構成においては、第２の情報
層４ｆを、単層膜によって構成するので、その製造が誘
電体膜を多層に積層する構造を採る場合に比してその設
計、製造の簡易化、したがって、生産性の向上をはかる
ことができる。
層４ｆを、単層膜によって構成するので、その製造が誘
電体膜を多層に積層する構造を採る場合に比してその設
計、製造の簡易化、したがって、生産性の向上をはかる
ことができる。
【図１】本発明および従来の多層光ディスクの一例の概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明による多層光ディスクの半透明反射膜の
構成の説明に供するアモルファスＳｉＯの反射率の波長
依存性を示す図である。
構成の説明に供するアモルファスＳｉＯの反射率の波長
依存性を示す図である。
【図３】本発明による多層光ディスクの半透明反射膜の
構成の説明に供するアモルファスＳｉＨの反射率の波長
依存性を示す図である。
構成の説明に供するアモルファスＳｉＨの反射率の波長
依存性を示す図である。
【図４】本発明による多層光ディスクの半透明反射膜の
構成の説明に供するアモルファスＳｉＨＯの反射率の波
長依存性を示す図である。
構成の説明に供するアモルファスＳｉＨＯの反射率の波
長依存性を示す図である。
【図５】本発明による多層光ディスクの半透明反射膜の
構成の説明に供するアモルファスＳｉの反射率の波長依
存性を示す図である。
構成の説明に供するアモルファスＳｉの反射率の波長依
存性を示す図である。
【図６】本発明による多層光ディスクの半透明反射膜の
構成の説明に供する結晶Ｓｉの反射率の波長依存性を示
す図である。
構成の説明に供する結晶Ｓｉの反射率の波長依存性を示
す図である。
１ｆ 第１の光透過性基板、１ｓ 第２の光透過性基
板、２ｆ 第１の情報ピット、２ｓ 第２の情報ピッ
ト、３ｆ 金属反射膜、３ｓ 半透明反射膜、４ｆ第１
の情報層、４ｓ 第２の情報層、５ 透明接着材料、６
保護膜、Ｌｆ第１の再生光、Ｌｓ 第２の再生光
板、２ｆ 第１の情報ピット、２ｓ 第２の情報ピッ
ト、３ｆ 金属反射膜、３ｓ 半透明反射膜、４ｆ第１
の情報層、４ｓ 第２の情報層、５ 透明接着材料、６
保護膜、Ｌｆ第１の再生光、Ｌｓ 第２の再生光
Claims (12)
- 【請求項１】 第１の情報層と、第２の情報層とが重ね
合わされて１枚の光ディスクとされ、 上記第１の情報層は、７７０ｎｍ〜８３０ｎｍの波長範
囲の第１の再生光に対する反射率が９０％以上の金属反
射膜を有し、 上記第２の情報層は、上記第１の再生光に対する屈折率
ｎｓ1 と、６１５ｎｍ〜６５５ｎｍの波長範囲の第２の
再生光に対する屈折率ｎｓ2 のそれぞれの実数部での比
ｎｓ2 ／ｎｓ1 が、１．０５以上である半透明反射膜を
有してなることを特徴とする多層光ディスク。 - 【請求項２】 第１の情報層と、第２の情報層とが重ね
合わされて１枚の光ディスクとされ、 上記第１の情報層は、７８０ｎｍ〜８２０ｎｍの波長範
囲の第１の再生光に対する反射率が９０％以上の金属反
射膜を有し、 上記第２の情報層は、上記第１の再生光に対する屈折率
の虚数部が０．０５以下の半透明反射膜を有してなるこ
とを特徴とする多層光ディスク。 - 【請求項３】 上記半透明反射膜が、上記第１の再生光
に対する屈折率の虚数部が０．０５以下であることを特
徴とする請求項１に記載の多層光ディスク。 - 【請求項４】 上記半透明反射膜が、アモルファスＳｉ
Ｈ、アモルファスＳｉＯ、アモルファスＳｉＮの各単体
材料、もしくはこれらとアモルファスＳｉのうちの２以
上の混合材料のアモルファス膜よりなることを特徴とす
る請求項１に記載の多層光ディスク。 - 【請求項５】 上記半透明反射膜が、アモルファスＳｉ
Ｈ、アモルファスＳｉＯ、アモルファスＳｉＮの各単体
材料、もしくはこれらとアモルファスＳｉのうちの２以
上の混合材料のアモルファス膜よりなることを特徴とす
る請求項２に記載の多層光ディスク。 - 【請求項６】 上記半透明反射膜が、アモルファスＳｉ
Ｈ、アモルファスＳｉＯ、アモルファスＳｉＮの各単体
材料、もしくはこれらとアモルファスＳｉのうちの２以
上の混合材料のアモルファス膜よりなることを特徴とす
る請求項３に記載の多層光ディスク。 - 【請求項７】 上記半透明反射膜の膜厚が、２２ｎｍ以
下とされたことを特徴とする請求項１に記載の多層光デ
ィスク。 - 【請求項８】 上記半透明反射膜の膜厚が、２２ｎｍ以
下とされたことを特徴とする請求項２に記載の多層光デ
ィスク。 - 【請求項９】 上記半透明反射膜の膜厚が、２２ｎｍ以
下とされたことを特徴とする請求項３に記載の多層光デ
ィスク。 - 【請求項１０】 上記第１の情報層を有する第１のプラ
スティック基板と、上記第２の情報層を有する第２のプ
ラスティック基板とが透明接着材料によって貼り合わさ
れて成り、 上記第１および第２のプラスティック基板は、それぞれ
その複屈折が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項１に記載の多層光ディスク。 - 【請求項１１】 上記第１の情報層を有する第１のプラ
スティック基板と、上記第２の情報層を有する第２のプ
ラスティック基板とが透明接着材料によって貼り合わさ
れて成り、 上記第１および第２のプラスティック基板は、それぞれ
その複屈折が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項２に記載の多層光ディスク。 - 【請求項１２】 上記第１の情報層を有する第１のプラ
スティック基板と、上記第２の情報層を有する第２のプ
ラスティック基板とが透明接着材料によって貼り合わさ
れて成り、 上記第１および第２のプラスティック基板は、それぞれ
その複屈折が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項３に記載の多層光ディスク。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP16445797A JP3867347B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 多層光ディスク |
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| EP98304761A EP0886270B1 (en) | 1997-06-20 | 1998-06-17 | Multi-layer optical disks |
| IDP980893A ID20471A (id) | 1997-06-20 | 1998-06-18 | Piringan optik berlapis banyak |
| US09/100,710 US6030678A (en) | 1997-06-20 | 1998-06-19 | Multi-layer optical disk |
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| KR10-1998-0023236A KR100512661B1 (ko) | 1997-06-20 | 1998-06-20 | 다층광디스크 |
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|---|---|---|---|
| JP16445797A JP3867347B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 多層光ディスク |
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|---|---|
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| JPH1116214A5 JPH1116214A5 (ja) | 2004-12-16 |
| JP3867347B2 JP3867347B2 (ja) | 2007-01-10 |
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ID=15793548
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20050079018A (ko) * | 2004-02-03 | 2005-08-09 | 엘지전자 주식회사 | 광 디스크 구조 |
| KR100894972B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2009-04-24 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광학 기록 매체 |
| US7567499B2 (en) | 2005-08-30 | 2009-07-28 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical disc and method of producing the same |
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| JPH08339574A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-12-24 | Sony Corp | 多層光ディスク |
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| FR2832250A1 (fr) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | Commissariat Energie Atomique | Support optique a double niveau d'enregistrement |
| KR100911139B1 (ko) * | 2002-05-30 | 2009-08-06 | 삼성전자주식회사 | 복수개의 기록층이 구비된 광 디스크, 그 기록방법 및재생방법 |
| JP2008159228A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Toshiba Corp | 光ディスク及び光ディスク装置 |
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| JPH09128803A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sony Corp | 光ディスク |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP16445797A patent/JP3867347B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 1998-06-17 EP EP98304761A patent/EP0886270B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-17 DE DE69835789T patent/DE69835789T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-18 ID IDP980893A patent/ID20471A/id unknown
- 1998-06-19 US US09/100,710 patent/US6030678A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-20 CN CN98103132A patent/CN1129125C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-20 KR KR10-1998-0023236A patent/KR100512661B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| DE69835789D1 (de) | 2006-10-19 |
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