JPH11162990A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH11162990A JPH11162990A JP32470097A JP32470097A JPH11162990A JP H11162990 A JPH11162990 A JP H11162990A JP 32470097 A JP32470097 A JP 32470097A JP 32470097 A JP32470097 A JP 32470097A JP H11162990 A JPH11162990 A JP H11162990A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡便な方法でもって汚染重金属のゲッタリング
が行えるようにし、微細化あるいは高密度化に対応でき
る半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板の表面に所定のパターン形状で
形成された絶縁膜直下の半導体基板であって、上記のパ
ターン形状の中心領域に位置するところに高濃度不純物
が導入され、この高濃度不純物の導入された領域の周辺
領域に低濃度不純物が導入される。ここで、上記のパタ
ーン形状に形成された絶縁膜は半導体装置の素子分離領
域に形成される素子分離絶縁膜となり、上記の高濃度不
純物および低濃度不純物の導入される領域はチャネルス
トッパ領域として用いられる。この場合に、上記の高濃
度不純物および低濃度不純物の濃度は適量になるように
設定される。
が行えるようにし、微細化あるいは高密度化に対応でき
る半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板の表面に所定のパターン形状で
形成された絶縁膜直下の半導体基板であって、上記のパ
ターン形状の中心領域に位置するところに高濃度不純物
が導入され、この高濃度不純物の導入された領域の周辺
領域に低濃度不純物が導入される。ここで、上記のパタ
ーン形状に形成された絶縁膜は半導体装置の素子分離領
域に形成される素子分離絶縁膜となり、上記の高濃度不
純物および低濃度不純物の導入される領域はチャネルス
トッパ領域として用いられる。この場合に、上記の高濃
度不純物および低濃度不純物の濃度は適量になるように
設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特に汚染重金属を容易にゲッタリ
ングできる半導体装置の構造およびその製造方法に関す
る。
その製造方法に関し、特に汚染重金属を容易にゲッタリ
ングできる半導体装置の構造およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の構造の微細化および高密度
化は精力的に推し進められている。そして、この微細化
では、現在、０．１５μｍ寸法で形成された半導体素子
が用いられ、この寸法を設計基準にしたメモリデバイス
あるいはロジックデバイス等の半導体装置の開発が行わ
れている。
化は精力的に推し進められている。そして、この微細化
では、現在、０．１５μｍ寸法で形成された半導体素子
が用いられ、この寸法を設計基準にしたメモリデバイス
あるいはロジックデバイス等の半導体装置の開発が行わ
れている。
【０００３】このような微細化は、半導体装置の高集積
化、高速化あるいは低消費電力化による高性能化あるい
は多機能化にとって最も効果的な手法であり、今後の半
導体装置の製造にとって必須である。そして、半導体装
置の低消費電力化においては、半導体基板に形成される
拡散層の接合リークの低減が特に必要になる。また、半
導体装置の微細化と共に薄膜化される絶縁膜の信頼性を
高めることも必須となってくる。
化、高速化あるいは低消費電力化による高性能化あるい
は多機能化にとって最も効果的な手法であり、今後の半
導体装置の製造にとって必須である。そして、半導体装
置の低消費電力化においては、半導体基板に形成される
拡散層の接合リークの低減が特に必要になる。また、半
導体装置の微細化と共に薄膜化される絶縁膜の信頼性を
高めることも必須となってくる。
【０００４】しかし、このような半導体素子の微細化に
伴い、製造工程で導入される微粒子と共に重金属汚染が
より重要な問題となってくる。特に、半導体基板上に形
成される半導体装置が高密度化してくると、半導体素子
の周辺に大きな応力が生じるようになり、汚染重金属が
半導体素子に捕獲（ゲッタリングという）されるように
なる 例えば、微量のＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉ等の重金属が半
導体装置の製造工程で混入すると、これらの重金属は厚
い絶縁膜の形成された素子分離領域にゲッタリングされ
る。特に、このような素子分離領域の端部にゲッタリン
グされやすい。これは、この端部に応力が集中するため
である。
伴い、製造工程で導入される微粒子と共に重金属汚染が
より重要な問題となってくる。特に、半導体基板上に形
成される半導体装置が高密度化してくると、半導体素子
の周辺に大きな応力が生じるようになり、汚染重金属が
半導体素子に捕獲（ゲッタリングという）されるように
なる 例えば、微量のＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉ等の重金属が半
導体装置の製造工程で混入すると、これらの重金属は厚
い絶縁膜の形成された素子分離領域にゲッタリングされ
る。特に、このような素子分離領域の端部にゲッタリン
グされやすい。これは、この端部に応力が集中するため
である。
【０００５】そして、上記のような拡散層の接合リーク
低減が困難になると共に、ゲート酸化膜等の薄い絶縁膜
の信頼性が低下するようになる。
低減が困難になると共に、ゲート酸化膜等の薄い絶縁膜
の信頼性が低下するようになる。
【０００６】以下、素子分離領域の形成方法として現在
よく使用されているＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄ
ａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法について図９と
図１０に基づいて説明する。
よく使用されているＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄ
ａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法について図９と
図１０に基づいて説明する。
【０００７】図９（ａ）に示すように、シリコン基板２
１の表面に所定のパターンに保護絶縁膜２２とマスク絶
縁膜２３とが積層して形成される。ここで、保護絶縁膜
２２はシリコン酸化膜で形成され、マスク絶縁膜２３は
耐酸化性の高いシリコン窒化膜等で形成される。
１の表面に所定のパターンに保護絶縁膜２２とマスク絶
縁膜２３とが積層して形成される。ここで、保護絶縁膜
２２はシリコン酸化膜で形成され、マスク絶縁膜２３は
耐酸化性の高いシリコン窒化膜等で形成される。
【０００８】そして、マスク絶縁膜２３が酸化マスクに
され、シリコン基板２１の露出表面が熱酸化される。こ
のようにして、図９（ｂ）に示すように、素子分離絶縁
膜２４が形成される。この素子分離絶縁膜２４は膜厚が
２００ｎｍ程度のシリコン酸化膜である。この熱酸化で
素子分離絶縁膜２４はマスク絶縁膜２３下に食い込みを
生じさせる。すなわち、素子分離絶縁膜２４の端部によ
く知られたバーズビークが形成される。
され、シリコン基板２１の露出表面が熱酸化される。こ
のようにして、図９（ｂ）に示すように、素子分離絶縁
膜２４が形成される。この素子分離絶縁膜２４は膜厚が
２００ｎｍ程度のシリコン酸化膜である。この熱酸化で
素子分離絶縁膜２４はマスク絶縁膜２３下に食い込みを
生じさせる。すなわち、素子分離絶縁膜２４の端部によ
く知られたバーズビークが形成される。
【０００９】そして、図９（ｃ）に示すように、マスク
絶縁膜２３が選択的に除去される。このようにして、シ
リコン基板２１表面に保護絶縁膜２２と素子分離絶縁膜
２４が形成されるようになる。これ以後、ゲート酸化
膜、ゲート電極、ソース・ドレイン用の拡散層等が形成
され、半導体装置を構成するＭＯＳトランジスタが形成
されるようになる。
絶縁膜２３が選択的に除去される。このようにして、シ
リコン基板２１表面に保護絶縁膜２２と素子分離絶縁膜
２４が形成されるようになる。これ以後、ゲート酸化
膜、ゲート電極、ソース・ドレイン用の拡散層等が形成
され、半導体装置を構成するＭＯＳトランジスタが形成
されるようになる。
【００１０】このような素子分離領域では、図１０に示
すように、シリコン基板２１表面に形成された素子分離
絶縁膜２４直下にチャネルストッパ領域２５が形成され
る。シリコン基板２１がＰ型導電型の場合、不純物濃度
が１０16原子／ｃｍ3 程度のボロン不純物が、ほぼ一様
にチャネルストッパ領域２５に導入されるようになる。
また、シリコン基板２１がＮ型導電型の場合は、チャネ
ルストッパ領域２５にリン不純物が導入される。
すように、シリコン基板２１表面に形成された素子分離
絶縁膜２４直下にチャネルストッパ領域２５が形成され
る。シリコン基板２１がＰ型導電型の場合、不純物濃度
が１０16原子／ｃｍ3 程度のボロン不純物が、ほぼ一様
にチャネルストッパ領域２５に導入されるようになる。
また、シリコン基板２１がＮ型導電型の場合は、チャネ
ルストッパ領域２５にリン不純物が導入される。
【００１１】このチャネルストッパ領域の形成は、厚い
絶縁膜である素子分離絶縁膜２４下のシリコン基板表面
が反転し素子分離の機能なくなるのを主に防止するため
である。
絶縁膜である素子分離絶縁膜２４下のシリコン基板表面
が反転し素子分離の機能なくなるのを主に防止するため
である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置が微細化さ
れてくると、素子分離絶縁膜２４の端部に形成されるバ
ーズビークの低減が必須になる。このために、素子分離
絶縁膜の端部での応力が増大しその直下のシリコン基板
２１表面に大きな応力が発生するようになる。
れてくると、素子分離絶縁膜２４の端部に形成されるバ
ーズビークの低減が必須になる。このために、素子分離
絶縁膜の端部での応力が増大しその直下のシリコン基板
２１表面に大きな応力が発生するようになる。
【００１３】そして、半導体装置の製造工程で混入され
る重金属は、この大きな応力の形成された領域にゲッタ
リングされるようになる。また、Ｆｅのような重金属は
シリコン酸化膜である素子分離絶縁膜にもゲッタリング
される。このようにして、素子分離領域に集められた重
金属は、素子分離領域近傍に形成される拡散層の接合リ
ークを増加させたり、あるいは、素子分離領域近傍に形
成される絶縁膜の絶縁性を低下させるようになる。
る重金属は、この大きな応力の形成された領域にゲッタ
リングされるようになる。また、Ｆｅのような重金属は
シリコン酸化膜である素子分離絶縁膜にもゲッタリング
される。このようにして、素子分離領域に集められた重
金属は、素子分離領域近傍に形成される拡散層の接合リ
ークを増加させたり、あるいは、素子分離領域近傍に形
成される絶縁膜の絶縁性を低下させるようになる。
【００１４】このような問題は、通常のＬＯＣＯＳ構造
の素子分離領域だけでなく、トレンチ構造の素子分離領
域にも同様に生じるものである。
の素子分離領域だけでなく、トレンチ構造の素子分離領
域にも同様に生じるものである。
【００１５】このような問題を解決する手段として、特
開昭６２−４８０２８号公報に記載された、ＬＯＣＯＳ
構造の中央部のシリコン基板に結晶欠陥を導入する方法
がある。しかし、この方法では、シリコン基板表面に多
数の２次欠陥が発生するようになるために、半導体素子
が微細になり素子分離領域が狭くなってくると、逆に、
半導体素子に悪影響を及ぼすようになる。
開昭６２−４８０２８号公報に記載された、ＬＯＣＯＳ
構造の中央部のシリコン基板に結晶欠陥を導入する方法
がある。しかし、この方法では、シリコン基板表面に多
数の２次欠陥が発生するようになるために、半導体素子
が微細になり素子分離領域が狭くなってくると、逆に、
半導体素子に悪影響を及ぼすようになる。
【００１６】また、この方法でのゲッタリングは、過飽
和分だけの重金属のゲッタリングであり、シリコン基板
への固溶分の重金属はゲッタリングできない。このため
に、この方法では、半導体装置の製造ラインのクリーン
化が進むとその効力が低減するようになる。
和分だけの重金属のゲッタリングであり、シリコン基板
への固溶分の重金属はゲッタリングできない。このため
に、この方法では、半導体装置の製造ラインのクリーン
化が進むとその効力が低減するようになる。
【００１７】本発明の目的は、上記の問題を全て解決
し、簡便な方法でもって汚染重金属のゲッタリングが行
えるようにし、微細化あるいは高密度化に対応できる半
導体装置およびその製造方法を提供することにある。
し、簡便な方法でもって汚染重金属のゲッタリングが行
えるようにし、微細化あるいは高密度化に対応できる半
導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】このために本発明の半導
体装置では、半導体基板の表面に所定のパターン形状に
形成された絶縁膜直下の半導体基板であって、前記パタ
ーン形状の中心領域に位置するところに高濃度不純物が
導入され、前記高濃度不純物の導入された領域の周辺領
域に低濃度不純物が導入されている。
体装置では、半導体基板の表面に所定のパターン形状に
形成された絶縁膜直下の半導体基板であって、前記パタ
ーン形状の中心領域に位置するところに高濃度不純物が
導入され、前記高濃度不純物の導入された領域の周辺領
域に低濃度不純物が導入されている。
【００１９】そして、前記パターン形状に形成された絶
縁膜は半導体装置の素子分離領域に形成される素子分離
絶縁膜となり、前記高濃度不純物および低濃度不純物の
導入された領域はチャネルストッパ領域となる。ここ
で、前記高濃度不純物および低濃度不純物がボロン不純
物であり、前記高濃度不純物の濃度が１０18原子／ｃｍ
3 以上になるように設定されている。あるいは、前記高
濃度不純物と低濃度不純物の濃度比が１０2 以上になる
ように設定されている。あるいは、前記高濃度不純物お
よび低濃度不純物はリン不純物となっている。
縁膜は半導体装置の素子分離領域に形成される素子分離
絶縁膜となり、前記高濃度不純物および低濃度不純物の
導入された領域はチャネルストッパ領域となる。ここ
で、前記高濃度不純物および低濃度不純物がボロン不純
物であり、前記高濃度不純物の濃度が１０18原子／ｃｍ
3 以上になるように設定されている。あるいは、前記高
濃度不純物と低濃度不純物の濃度比が１０2 以上になる
ように設定されている。あるいは、前記高濃度不純物お
よび低濃度不純物はリン不純物となっている。
【００２０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
所定の開口部を有する耐酸化性のあるマスク絶縁膜を半
導体基板の表面に形成する工程と、前記開口部を通して
半導体基板の表面に低濃度不純物のための第１のイオン
注入をする工程と、前記第１のイオン注入後、前記開口
部の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成し前記マスク絶
縁膜とサイドウォール絶縁膜とをイオン注入マスクにし
て高濃度不純物のための第２のイオン注入する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を除去した後、前記マスク絶
縁膜を酸化マスクにして前記開口部の半導体基板を熱酸
化し素子分離絶縁膜を形成する工程とを含む。
所定の開口部を有する耐酸化性のあるマスク絶縁膜を半
導体基板の表面に形成する工程と、前記開口部を通して
半導体基板の表面に低濃度不純物のための第１のイオン
注入をする工程と、前記第１のイオン注入後、前記開口
部の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成し前記マスク絶
縁膜とサイドウォール絶縁膜とをイオン注入マスクにし
て高濃度不純物のための第２のイオン注入する工程と、
前記サイドウォール絶縁膜を除去した後、前記マスク絶
縁膜を酸化マスクにして前記開口部の半導体基板を熱酸
化し素子分離絶縁膜を形成する工程とを含む。
【００２１】あるいは、本発明の半導体装置の製造方法
は、所定の開口部を有する耐酸化性のあるマスク絶縁膜
を半導体基板の表面に形成する工程と、前記開口部の側
壁にサイドウォール絶縁膜を形成し前記マスク絶縁膜と
サイドウォール絶縁膜とをイオン注入マスクにして高濃
度不純物のための第２のイオン注入をする工程と、前記
サイドウォール絶縁膜を除去した後、前記開口部を通し
て半導体基板の表面に低濃度不純物のための第１のイオ
ン注入をする工程と、前記マスク絶縁膜を酸化マスクに
して前記開口部の半導体基板を熱酸化し素子分離絶縁膜
を形成する工程とを含む。
は、所定の開口部を有する耐酸化性のあるマスク絶縁膜
を半導体基板の表面に形成する工程と、前記開口部の側
壁にサイドウォール絶縁膜を形成し前記マスク絶縁膜と
サイドウォール絶縁膜とをイオン注入マスクにして高濃
度不純物のための第２のイオン注入をする工程と、前記
サイドウォール絶縁膜を除去した後、前記開口部を通し
て半導体基板の表面に低濃度不純物のための第１のイオ
ン注入をする工程と、前記マスク絶縁膜を酸化マスクに
して前記開口部の半導体基板を熱酸化し素子分離絶縁膜
を形成する工程とを含む。
【００２２】半導体装置の製造工程で混入する汚染重金
属は、半導体基板の表面に形成された厚い絶縁膜の近傍
に集まるようになる。これは、この領域に大きな応力が
生じるようになるためである。あるいは、Ｆｅ等の重金
属がシリコン酸化膜のような絶縁膜にゲッタリングされ
易いためである。
属は、半導体基板の表面に形成された厚い絶縁膜の近傍
に集まるようになる。これは、この領域に大きな応力が
生じるようになるためである。あるいは、Ｆｅ等の重金
属がシリコン酸化膜のような絶縁膜にゲッタリングされ
易いためである。
【００２３】そこで、本発明の主要部となる、上記絶縁
膜下の半導体基板に形成された高濃度不純物の導入され
る領域とその周辺の低濃度不純物の導入される領域とを
有する構造では、汚染重金属が高濃度不純物の導入され
る領域に偏析され易くなる。そして、結果として、高濃
度不純物の導入される領域が汚染重金属のゲッタリング
領域として有効に働くようになり、上記の厚い絶縁膜近
傍に集まってくる重金属を捕獲するようになる。
膜下の半導体基板に形成された高濃度不純物の導入され
る領域とその周辺の低濃度不純物の導入される領域とを
有する構造では、汚染重金属が高濃度不純物の導入され
る領域に偏析され易くなる。そして、結果として、高濃
度不純物の導入される領域が汚染重金属のゲッタリング
領域として有効に働くようになり、上記の厚い絶縁膜近
傍に集まってくる重金属を捕獲するようになる。
【００２４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
を説明するための素子分離領域の断面図である。
を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態
を説明するための素子分離領域の断面図である。
【００２５】図１に示すように、シリコン基板１上に選
択的に素子分離絶縁膜２が形成されている。そして、こ
の素子分離絶縁膜２の下であってシリコン基板１の表面
部に低濃度チャネルストッパ領域３と高濃度チャネルス
トッパ領域４が形成されている。ここで、高濃度チャネ
ルストッパ領域４が素子分離領域の中央部に位置する領
域に形成され、低濃度チャネルストッパ領域３は素子分
離領域の周辺部に位置する領域に形成される。
択的に素子分離絶縁膜２が形成されている。そして、こ
の素子分離絶縁膜２の下であってシリコン基板１の表面
部に低濃度チャネルストッパ領域３と高濃度チャネルス
トッパ領域４が形成されている。ここで、高濃度チャネ
ルストッパ領域４が素子分離領域の中央部に位置する領
域に形成され、低濃度チャネルストッパ領域３は素子分
離領域の周辺部に位置する領域に形成される。
【００２６】例えば、シリコン基板１の導電型がＰ型の
場合に、高濃度チャネルストッパ領域４には高濃度のボ
ロン不純物が導入される。そして、低濃度チャネルスト
ッパ領域３には、後述するように、高濃度チャネルスト
ッパ領域４のボロン不純物の２桁以下の低濃度のボロン
不純物が導入される。
場合に、高濃度チャネルストッパ領域４には高濃度のボ
ロン不純物が導入される。そして、低濃度チャネルスト
ッパ領域３には、後述するように、高濃度チャネルスト
ッパ領域４のボロン不純物の２桁以下の低濃度のボロン
不純物が導入される。
【００２７】そして、シリコン基板１表面であって、素
子分離絶縁膜２に自己整合的（セルフアライン）に拡散
層５が形成される。ここで、拡散層５にはシリコン基板
１と逆導電型の不純物が導入される。通常、図１に示す
ように、低濃度チャネルストッパ領域３は拡散層５と接
するようにして形成される。
子分離絶縁膜２に自己整合的（セルフアライン）に拡散
層５が形成される。ここで、拡散層５にはシリコン基板
１と逆導電型の不純物が導入される。通常、図１に示す
ように、低濃度チャネルストッパ領域３は拡散層５と接
するようにして形成される。
【００２８】次に本発明の第２の実施の形態として、本
発明の素子分離領域の構造の製造方法方法について、図
２と図３に基づいて説明する。ここで、図２および図３
は本発明を説明するための製造工程順の断面図である。
以下、図１に説明したものと同一のものは同一符号で示
される。
発明の素子分離領域の構造の製造方法方法について、図
２と図３に基づいて説明する。ここで、図２および図３
は本発明を説明するための製造工程順の断面図である。
以下、図１に説明したものと同一のものは同一符号で示
される。
【００２９】図２（ａ）に示すように、導電型がＰ型の
シリコン基板１の表面に、膜厚２０ｎｍ程度のシリコン
酸化膜が熱酸化の方法で形成され、保護絶縁膜６が設け
られる。そして、この保護絶縁膜６上に膜厚２００ｎｍ
程度のシリコン窒化膜が積層して堆積され、フォトリソ
グラフィ技術とドライエッチング技術とで開口部が設け
られてマスク絶縁膜７が形成される。ここで、シリコン
窒化膜は化学気相成長（ＣＶＤ）法で堆積される。ま
た、開口部の寸法は０．６μｍ程度である。
シリコン基板１の表面に、膜厚２０ｎｍ程度のシリコン
酸化膜が熱酸化の方法で形成され、保護絶縁膜６が設け
られる。そして、この保護絶縁膜６上に膜厚２００ｎｍ
程度のシリコン窒化膜が積層して堆積され、フォトリソ
グラフィ技術とドライエッチング技術とで開口部が設け
られてマスク絶縁膜７が形成される。ここで、シリコン
窒化膜は化学気相成長（ＣＶＤ）法で堆積される。ま
た、開口部の寸法は０．６μｍ程度である。
【００３０】次に、図２（ｂ）に示すように、全面に第
１のイオン８がイオン注入され、第１のチャネルストッ
パ注入がなされる。ここで、第１のイオン８はボロンイ
オンであり、注入エネルギーは４０ｋｅＶでありドーズ
量は１０12イオン／ｃｍ2 程度に設定される。そして、
熱処理が施される。このようにして、上述した低濃度チ
ャネルストッパ領域３が形成されるようになる。
１のイオン８がイオン注入され、第１のチャネルストッ
パ注入がなされる。ここで、第１のイオン８はボロンイ
オンであり、注入エネルギーは４０ｋｅＶでありドーズ
量は１０12イオン／ｃｍ2 程度に設定される。そして、
熱処理が施される。このようにして、上述した低濃度チ
ャネルストッパ領域３が形成されるようになる。
【００３１】次に、図２（ｃ）に示すように、マスク絶
縁膜７に設けられた開口部の側壁にサイドウォール絶縁
膜９が形成される。このサイドウォール絶縁膜９は、初
めに全面に膜厚２００ｎｍ程度のシリコン酸化膜がＣＶ
Ｄ法で堆積され、引き続いて、異方性の反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）による全面エッチイング（エッチバ
ック）が施されて、形成される。このようにして、膜厚
が２００ｎｍ程度のサイドウォール絶縁膜９が形成され
るようになる。
縁膜７に設けられた開口部の側壁にサイドウォール絶縁
膜９が形成される。このサイドウォール絶縁膜９は、初
めに全面に膜厚２００ｎｍ程度のシリコン酸化膜がＣＶ
Ｄ法で堆積され、引き続いて、異方性の反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）による全面エッチイング（エッチバ
ック）が施されて、形成される。このようにして、膜厚
が２００ｎｍ程度のサイドウォール絶縁膜９が形成され
るようになる。
【００３２】次に、図３（ａ）に示すように、マスク絶
縁膜７とサイドウォール絶縁膜９が注入マスクにされ、
第２のイオン１０が全面にイオン注入され、第２のチャ
ネルストッパ注入がなされる。ここで、第２のイオン１
０もボロンイオンであり、注入エネルギーは５０ｋｅＶ
でありドーズ量は１０14イオン／ｃｍ2 程度に設定され
る。そして、熱処理が施される。このようにして、高濃
度チャネルストッパ領域４が形成されるようになる。こ
こで、サイドウォール絶縁膜９の膜厚が２００ｎｍ程度
あるので、高濃度チャネルストッパ領域４は低濃度チャ
ネルストッパ領域３より片側２００ｎｍ程度狭まった領
域に形成されるようになる。
縁膜７とサイドウォール絶縁膜９が注入マスクにされ、
第２のイオン１０が全面にイオン注入され、第２のチャ
ネルストッパ注入がなされる。ここで、第２のイオン１
０もボロンイオンであり、注入エネルギーは５０ｋｅＶ
でありドーズ量は１０14イオン／ｃｍ2 程度に設定され
る。そして、熱処理が施される。このようにして、高濃
度チャネルストッパ領域４が形成されるようになる。こ
こで、サイドウォール絶縁膜９の膜厚が２００ｎｍ程度
あるので、高濃度チャネルストッパ領域４は低濃度チャ
ネルストッパ領域３より片側２００ｎｍ程度狭まった領
域に形成されるようになる。
【００３３】次に、図３（ｂ）に示すように、マスク絶
縁膜７の開口部側壁に形成されていたサイドウォール絶
縁膜９はフッ酸溶液等の化学薬液で除去される。そし
て、マスク絶縁膜７がマスクにされ熱酸化がなされて、
図３（ｃ）に示すように、低濃度チャネルストッパ領域
３および高濃度チャネルストッパ領域４上に素子分離絶
縁膜２が形成される。ここで、素子分離絶縁膜２は膜厚
３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜である。
縁膜７の開口部側壁に形成されていたサイドウォール絶
縁膜９はフッ酸溶液等の化学薬液で除去される。そし
て、マスク絶縁膜７がマスクにされ熱酸化がなされて、
図３（ｃ）に示すように、低濃度チャネルストッパ領域
３および高濃度チャネルストッパ領域４上に素子分離絶
縁膜２が形成される。ここで、素子分離絶縁膜２は膜厚
３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜である。
【００３４】次に、マスク絶縁膜７がホット燐酸等の化
学薬液で除去される。そして、ヒ素不純物のイオン注入
と熱処理とで図１に説明した拡散層５が形成されること
になる。
学薬液で除去される。そして、ヒ素不純物のイオン注入
と熱処理とで図１に説明した拡散層５が形成されること
になる。
【００３５】次に、図４に基づいて、本発明の効果およ
び本発明の条件について説明する。図４は、高濃度チャ
ネルストッパ領域４（Ｐ+ 領域という）のボロン濃度と
重金属のゲッタリング能力の関係を説明するためのグラ
フである。ここで、グラフの横軸に上記のボロン濃度
が、縦軸にＮ+ Ｐ接合のリーク電流がそれぞれとられて
いる。
び本発明の条件について説明する。図４は、高濃度チャ
ネルストッパ領域４（Ｐ+ 領域という）のボロン濃度と
重金属のゲッタリング能力の関係を説明するためのグラ
フである。ここで、グラフの横軸に上記のボロン濃度
が、縦軸にＮ+ Ｐ接合のリーク電流がそれぞれとられて
いる。
【００３６】図４から判るように、Ｐ+ 領域ボロン濃度
が１０18原子／ｃｍ3 以上になると急激に接合リークが
低減するようになる。このように、本発明の第２の実施
の形態では、高濃度チャネルストッパ領域４に１０18原
子／ｃｍ3 以上の濃度のボロン不純物が含有されると非
常に効果的になることがいえる。
が１０18原子／ｃｍ3 以上になると急激に接合リークが
低減するようになる。このように、本発明の第２の実施
の形態では、高濃度チャネルストッパ領域４に１０18原
子／ｃｍ3 以上の濃度のボロン不純物が含有されると非
常に効果的になることがいえる。
【００３７】このような素子分離領域の重金属ゲッタリ
ング能力は、高濃度チャネルストッパ領域４と低濃度チ
ャネルストッパ領域３（Ｐ領域という）のボロン濃度比
にも強く依存する。これについて、図５に基づいて説明
する。
ング能力は、高濃度チャネルストッパ領域４と低濃度チ
ャネルストッパ領域３（Ｐ領域という）のボロン濃度比
にも強く依存する。これについて、図５に基づいて説明
する。
【００３８】図５は、Ｐ+ 領域ボロン濃度／Ｐ領域ボロ
ン濃度の比と重金属のゲッタリング能力の関係を説明す
るためのグラフである。ここで、グラフの横軸にＰ+ 領
域ボロン濃度／Ｐ領域ボロン濃度の値が、そして、縦軸
にＮ+ Ｐ接合のリーク電流がとられている。
ン濃度の比と重金属のゲッタリング能力の関係を説明す
るためのグラフである。ここで、グラフの横軸にＰ+ 領
域ボロン濃度／Ｐ領域ボロン濃度の値が、そして、縦軸
にＮ+ Ｐ接合のリーク電流がとられている。
【００３９】図５から判るように、Ｐ+ 領域ボロン濃度
／Ｐ領域ボロン濃度の値が１０2 以上になると、急激に
接合リークが低減するようになる。このように、本発明
の第２の実施の形態では、低濃度チャネルストッパ領域
３のボロン不純物濃度が高濃度チャネルストッパ領域４
のボロン不純物濃度の１／１００以下になると効果的に
なる。これは、汚染重金属が高濃度チャネルストッパ領
域４と低濃度チャネルストッパ領域３とに分配されるた
めに、高濃度チャネルストッパ領域４と低濃度チャネル
ストッパ領域３とのボロン濃度の相対比が重要になるか
らである。
／Ｐ領域ボロン濃度の値が１０2 以上になると、急激に
接合リークが低減するようになる。このように、本発明
の第２の実施の形態では、低濃度チャネルストッパ領域
３のボロン不純物濃度が高濃度チャネルストッパ領域４
のボロン不純物濃度の１／１００以下になると効果的に
なる。これは、汚染重金属が高濃度チャネルストッパ領
域４と低濃度チャネルストッパ領域３とに分配されるた
めに、高濃度チャネルストッパ領域４と低濃度チャネル
ストッパ領域３とのボロン濃度の相対比が重要になるか
らである。
【００４０】次に本発明の第３の実施の形態として、本
発明の素子分離領域の構造の別の製造方法方法につい
て、図６と図７に基づいて説明する。ここで、図６およ
び図７は本発明を説明するための製造工程順の断面図で
ある。以下、第２の実施の形態で説明したものと同一の
ものは同一符号で示される。
発明の素子分離領域の構造の別の製造方法方法につい
て、図６と図７に基づいて説明する。ここで、図６およ
び図７は本発明を説明するための製造工程順の断面図で
ある。以下、第２の実施の形態で説明したものと同一の
ものは同一符号で示される。
【００４１】図６（ａ）に示すように、導電型がＮ型の
シリコン基板１の表面に、膜厚２０ｎｍ程度のシリコン
酸化膜が熱酸化の方法で形成され、保護絶縁膜６が設け
られる。そして、この保護絶縁膜６上に膜厚５００ｎｍ
程度のシリコン窒化膜が積層して堆積され、フォトリソ
グラフィ技術とドライエッチング技術とで開口部が設け
られてマスク絶縁膜７が形成される。ここで、シリコン
窒化膜はＣＶＤ法で堆積される。
シリコン基板１の表面に、膜厚２０ｎｍ程度のシリコン
酸化膜が熱酸化の方法で形成され、保護絶縁膜６が設け
られる。そして、この保護絶縁膜６上に膜厚５００ｎｍ
程度のシリコン窒化膜が積層して堆積され、フォトリソ
グラフィ技術とドライエッチング技術とで開口部が設け
られてマスク絶縁膜７が形成される。ここで、シリコン
窒化膜はＣＶＤ法で堆積される。
【００４２】次に、図６（ｂ）に示すように、第２の実
施の形態で説明したのと同様にして、マスク絶縁膜７に
設けられた開口部の側壁にサイドウォール絶縁膜９が形
成される。
施の形態で説明したのと同様にして、マスク絶縁膜７に
設けられた開口部の側壁にサイドウォール絶縁膜９が形
成される。
【００４３】次に、図６（ｃ）に示すように、マスク絶
縁膜７とサイドウォール絶縁膜９が注入マスクにされ、
第３のイオン１１が全面にイオン注入され、初めに、第
２のチャネルストッパ注入がなされる。ここで、第３の
イオン１１はリンイオンであり、注入エネルギーは５０
ｋｅＶでありドーズ量は１０13イオン／ｃｍ2 程度に設
定される。そして、熱処理が施される。このようにし
て、高濃度チャネルストッパ領域４ａが形成されるよう
になる。
縁膜７とサイドウォール絶縁膜９が注入マスクにされ、
第３のイオン１１が全面にイオン注入され、初めに、第
２のチャネルストッパ注入がなされる。ここで、第３の
イオン１１はリンイオンであり、注入エネルギーは５０
ｋｅＶでありドーズ量は１０13イオン／ｃｍ2 程度に設
定される。そして、熱処理が施される。このようにし
て、高濃度チャネルストッパ領域４ａが形成されるよう
になる。
【００４４】次に、図７（ａ）に示すように、マスク絶
縁膜７の開口部側壁に形成されていたサイドウォール絶
縁膜９はフッ酸溶液等の化学薬液で除去される。そし
て、図７（ｂ）に示すように、マスク絶縁膜７がマスク
にされ熱酸化がなされて、素子分離絶縁膜２が形成され
る。ここで、素子分離絶縁膜２は膜厚２５０ｎｍ程度の
シリコン酸化膜である。
縁膜７の開口部側壁に形成されていたサイドウォール絶
縁膜９はフッ酸溶液等の化学薬液で除去される。そし
て、図７（ｂ）に示すように、マスク絶縁膜７がマスク
にされ熱酸化がなされて、素子分離絶縁膜２が形成され
る。ここで、素子分離絶縁膜２は膜厚２５０ｎｍ程度の
シリコン酸化膜である。
【００４５】次に、図７（ｃ）に示すように、全面に第
４のイオン１２がイオン注入され、第１のチャネルスト
ッパ注入がなされる。ここで、第４のイオン１２はリン
イオンであり、注入エネルギーは３００ｋｅＶでありド
ーズ量は１０12イオン／ｃｍ2 程度に設定される。そし
て、熱処理が施される。このようにして、低濃度チャネ
ルストッパ領域３ａが形成されるようになる。
４のイオン１２がイオン注入され、第１のチャネルスト
ッパ注入がなされる。ここで、第４のイオン１２はリン
イオンであり、注入エネルギーは３００ｋｅＶでありド
ーズ量は１０12イオン／ｃｍ2 程度に設定される。そし
て、熱処理が施される。このようにして、低濃度チャネ
ルストッパ領域３ａが形成されるようになる。
【００４６】そして、マスク絶縁膜７がホット燐酸等の
化学薬液で除去され、ボロン不純物のイオン注入と熱処
理とで図１に説明した拡散層５が形成される。
化学薬液で除去され、ボロン不純物のイオン注入と熱処
理とで図１に説明した拡散層５が形成される。
【００４７】次に、本発明の第４の実施の形態を図面を
参照して説明する。図８は本発明の実施の形態を説明す
るための素子分離領域の断面図である。この実施の形態
はトレンチ素子分離に本発明を適用した場合である。
参照して説明する。図８は本発明の実施の形態を説明す
るための素子分離領域の断面図である。この実施の形態
はトレンチ素子分離に本発明を適用した場合である。
【００４８】図８に示すように、シリコン基板１表面に
ウェル１３が形成され、このウェル１３の所定の領域に
トレンチ１４が形成されている。そして、このトレンチ
１４に埋め込み絶縁膜１５が充填されている。この埋め
込み絶縁膜１５が先述した素子分離絶縁膜となる。この
埋め込み絶縁膜１５下であってトレンチ１４底部に高濃
度チャネルストッパ領域１６が形成されている。
ウェル１３が形成され、このウェル１３の所定の領域に
トレンチ１４が形成されている。そして、このトレンチ
１４に埋め込み絶縁膜１５が充填されている。この埋め
込み絶縁膜１５が先述した素子分離絶縁膜となる。この
埋め込み絶縁膜１５下であってトレンチ１４底部に高濃
度チャネルストッパ領域１６が形成されている。
【００４９】そして、ウェル１３表面にゲート酸化膜１
７とゲート電極１８とが形成され、拡散層１９が形成さ
れる。このようにして、ＭＯＳトランジスタが形成され
るようになる。
７とゲート電極１８とが形成され、拡散層１９が形成さ
れる。このようにして、ＭＯＳトランジスタが形成され
るようになる。
【００５０】次に、本発明の効果について以下に説明す
る。ここで、効果を定量的に把握するために、拡散層用
のヒ素不純物がイオン注入された後、汚染重金属として
Ｆｅイオンがシリコン基板の表面にイオン注入され、熱
処理が施されて、接合リークが測定された。表１は、第
２の実施の形態で本発明の素子分離領域が形成された場
合の試料の内訳である。ここで、従来例の試料は、従来
の技術で説明した素子分離領域を有するものである。
る。ここで、効果を定量的に把握するために、拡散層用
のヒ素不純物がイオン注入された後、汚染重金属として
Ｆｅイオンがシリコン基板の表面にイオン注入され、熱
処理が施されて、接合リークが測定された。表１は、第
２の実施の形態で本発明の素子分離領域が形成された場
合の試料の内訳である。ここで、従来例の試料は、従来
の技術で説明した素子分離領域を有するものである。
【００５１】
【表１】
【００５２】この結果が表２に示されている。ここで、
接合リークは室温で５Ｖの逆バイアスが印加されたとき
の値である。表２から判るように、本発明の方法により
接合リークは大幅に低減する。特に試料４では、接合リ
ークは従来の場合の１／１００以下に低減するようにな
る。なお、試料４では、Ｐ+ 領域ボロン濃度は１０18 原
子／ｃｍ3 程度であり、そして、Ｐ+ 領域ボロン濃度／
Ｐ領域ボロン濃度の比は１０2 程度である。
接合リークは室温で５Ｖの逆バイアスが印加されたとき
の値である。表２から判るように、本発明の方法により
接合リークは大幅に低減する。特に試料４では、接合リ
ークは従来の場合の１／１００以下に低減するようにな
る。なお、試料４では、Ｐ+ 領域ボロン濃度は１０18 原
子／ｃｍ3 程度であり、そして、Ｐ+ 領域ボロン濃度／
Ｐ領域ボロン濃度の比は１０2 程度である。
【００５３】
【表２】
【００５４】次に、第３の実施の形態で説明した本発明
の素子分離領域の場合の効果について、表３と表４とで
説明する。
の素子分離領域の場合の効果について、表３と表４とで
説明する。
【００５５】この場合も効果を定量的に把握するため
に、拡散層用のボロン不純物がイオン注入された後、汚
染重金属としてＦｅイオンがシリコン基板の表面にイオ
ン注入され、熱処理が施されて、接合リークが測定され
た。表３は、第３の実施の形態で本発明の素子分離領域
が形成された場合の試料の内訳である。ここで、従来例
の試料は、従来の技術で説明した素子分離領域を有する
ものである。
に、拡散層用のボロン不純物がイオン注入された後、汚
染重金属としてＦｅイオンがシリコン基板の表面にイオ
ン注入され、熱処理が施されて、接合リークが測定され
た。表３は、第３の実施の形態で本発明の素子分離領域
が形成された場合の試料の内訳である。ここで、従来例
の試料は、従来の技術で説明した素子分離領域を有する
ものである。
【００５６】
【表３】
【００５７】この結果が表４に示されている。この場合
も、接合リークは室温で５Ｖの逆バイアスが印加された
ときの値である。表４から判るように、本発明の方法に
より接合リークは、従来の場合の１／１０００程度に低
減するようになる。
も、接合リークは室温で５Ｖの逆バイアスが印加された
ときの値である。表４から判るように、本発明の方法に
より接合リークは、従来の場合の１／１０００程度に低
減するようになる。
【００５８】
【表４】
【００５９】同様に、ゲート酸化膜の信頼性でもって本
発明の効果が定量的に測定された。ここで、ゲート酸化
膜の膜厚は１０ｎｍに設定されその信頼性評価がなされ
た。その結果、ゲート酸化膜が絶縁破壊に至るまでの帯
電量の評価で、本発明の場合には従来の場合の４倍以上
の帯電量に耐えうることが明らかになった。
発明の効果が定量的に測定された。ここで、ゲート酸化
膜の膜厚は１０ｎｍに設定されその信頼性評価がなされ
た。その結果、ゲート酸化膜が絶縁破壊に至るまでの帯
電量の評価で、本発明の場合には従来の場合の４倍以上
の帯電量に耐えうることが明らかになった。
【００６０】以上の実施の形態の説明では、高濃度チャ
ネルストッパ領域と低濃度チャネルストッパ領域とが素
子分離絶縁膜の直下に形成される場合について説明され
た。本発明は、素子分離絶縁膜に限定されるものでな
く、この他、シリコン基板表面に形成される膜厚の厚い
絶縁膜の直下に形成されても同様の効果が生じることに
言及しておく。
ネルストッパ領域と低濃度チャネルストッパ領域とが素
子分離絶縁膜の直下に形成される場合について説明され
た。本発明は、素子分離絶縁膜に限定されるものでな
く、この他、シリコン基板表面に形成される膜厚の厚い
絶縁膜の直下に形成されても同様の効果が生じることに
言及しておく。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、半導体
基板の表面に所定のパターン形状で形成された絶縁膜直
下の半導体基板であって、上記のパターン形状の中心領
域に位置するところに高濃度不純物が導入され、この高
濃度不純物の導入された領域の周辺領域に低濃度不純物
が導入される。
基板の表面に所定のパターン形状で形成された絶縁膜直
下の半導体基板であって、上記のパターン形状の中心領
域に位置するところに高濃度不純物が導入され、この高
濃度不純物の導入された領域の周辺領域に低濃度不純物
が導入される。
【００６２】そして、上記のパターン形状に形成された
絶縁膜は半導体装置の素子分離領域に形成される素子分
離絶縁膜となり、上記の高濃度不純物および低濃度不純
物の導入される領域はチャネルストッパ領域として用い
られる。この場合に、上記の高濃度不純物および低濃度
不純物の濃度は適量になるように設定される。
絶縁膜は半導体装置の素子分離領域に形成される素子分
離絶縁膜となり、上記の高濃度不純物および低濃度不純
物の導入される領域はチャネルストッパ領域として用い
られる。この場合に、上記の高濃度不純物および低濃度
不純物の濃度は適量になるように設定される。
【００６３】このようにすると、半導体装置の製造工程
で混入し素子分離領域に集まり易い重金属が、上記の高
濃度不純物の導入された領域に効果的にゲッタリングさ
れるようになる。そして、素子分離領域近傍に形成され
る拡散層の接合リークが大幅に減少したり、あるいは、
素子分離領域近傍に形成される薄い絶縁膜の絶縁性が大
幅に向上するようになる。
で混入し素子分離領域に集まり易い重金属が、上記の高
濃度不純物の導入された領域に効果的にゲッタリングさ
れるようになる。そして、素子分離領域近傍に形成され
る拡散層の接合リークが大幅に減少したり、あるいは、
素子分離領域近傍に形成される薄い絶縁膜の絶縁性が大
幅に向上するようになる。
【００６４】また、本発明の方法では、半導体基板に結
晶欠陥は導入されず、半導体素子が微細になり素子分離
領域が狭くなっても効果的に働く。そして、本発明で
は、重金属が高濃度不純物の導入された領域に偏析する
ことを利用しているため、従来の技術と異なり、過飽和
分以上の重金属のゲッタリングが可能になる。このため
に、本発明の方法では、半導体装置の製造ラインのクリ
ーン化が進んでもその効力が低減することはない。
晶欠陥は導入されず、半導体素子が微細になり素子分離
領域が狭くなっても効果的に働く。そして、本発明で
は、重金属が高濃度不純物の導入された領域に偏析する
ことを利用しているため、従来の技術と異なり、過飽和
分以上の重金属のゲッタリングが可能になる。このため
に、本発明の方法では、半導体装置の製造ラインのクリ
ーン化が進んでもその効力が低減することはない。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための素
子分離領域の断面図である。
子分離領域の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明するための製
造工程順の断面図である。
造工程順の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を説明するための製
造工程順の断面図である。
造工程順の断面図である。
【図４】上記実施の形態での効果的な条件を説明するた
めのグラフである。
めのグラフである。
【図５】上記実施の形態での効果的な条件を説明するた
めのグラフである。
めのグラフである。
【図６】本発明の第３の実施の形態を説明するための製
造工程順の断面図である。
造工程順の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態を説明するための製
造工程順の断面図である。
造工程順の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態を説明するための素
子分離領域の断面図である。
子分離領域の断面図である。
【図９】従来の技術を説明するための素子分離領域の製
造工程順の断面図である。
造工程順の断面図である。
【図１０】従来の技術を説明するための素子分離領域の
断面図である。
断面図である。
１，２１ シリコン基板 ２，２４ 素子分離絶縁膜 ３，３ａ 低濃度チャネルストッパ領域 ４，４ａ，１６ 高濃度チャネルストッパ領域 ５，１９ 拡散層 ６，２２ 保護絶縁膜 ７，２３ マスク絶縁膜 ８ 第１のイオン ９ サイドウォール絶縁膜 １０ 第２のイオン １１ 第３のイオン １２ 第４のイオン １３ ウェル １４ トレンチ １５ 埋め込み絶縁膜 １７ ゲート酸化膜 １８ ゲート電極 ２５ チャネルストッパ領域
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に所定のパターン形状
に形成された絶縁膜直下の半導体基板であって、前記パ
ターン形状の中心領域に位置するところに高濃度不純物
が導入され、前記高濃度不純物の導入された領域の周辺
領域に低濃度不純物が導入されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 前記パターン形状に形成された絶縁膜が
半導体装置の素子分離領域に形成される素子分離絶縁膜
であり、前記高濃度不純物および低濃度不純物の導入さ
れた領域がチャネルストッパ領域であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記高濃度不純物および低濃度不純物が
ボロン不純物であり、前記高濃度不純物の濃度が１０18
原子／ｃｍ3 以上になるように設定されていることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記高濃度不純物と低濃度不純物の濃度
比が１０2 以上になるように設定されていることを特徴
とする請求項１、請求項２または請求項３記載の半導体
装置。 - 【請求項５】 前記高濃度不純物および低濃度不純物が
リン不純物であることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の半導体装置。 - 【請求項６】 所定の開口部を有する耐酸化性のあるマ
スク絶縁膜を半導体基板の表面に形成する工程と、前記
開口部を通して半導体基板の表面に低濃度不純物のため
の第１のイオン注入をする工程と、前記第１のイオン注
入後、前記開口部の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成
し前記マスク絶縁膜とサイドウォール絶縁膜とをイオン
注入マスクにして高濃度不純物のための第２のイオン注
入する工程と、前記サイドウォール絶縁膜を除去した
後、前記マスク絶縁膜を酸化マスクにして前記開口部の
半導体基板を熱酸化し素子分離絶縁膜を形成する工程
と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 所定の開口部を有する耐酸化性のあるマ
スク絶縁膜を半導体基板の表面に形成する工程と、前記
開口部の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成し前記マス
ク絶縁膜とサイドウォール絶縁膜とをイオン注入マスク
にして高濃度不純物のための第２のイオン注入をする工
程と、前記サイドウォール絶縁膜を除去した後、前記開
口部を通して半導体基板の表面に低濃度不純物のための
第１のイオン注入をする工程と、前記マスク絶縁膜を酸
化マスクにして前記開口部の半導体基板を熱酸化し素子
分離絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32470097A JPH11162990A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32470097A JPH11162990A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162990A true JPH11162990A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18168747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32470097A Pending JPH11162990A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129559A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの不純物除去方法及び半導体装置 |
| JP2010118585A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | メサ型ツェナーダイオード及びその製造方法 |
| US8026576B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-09-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32470097A patent/JPH11162990A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129559A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェーハの不純物除去方法及び半導体装置 |
| US8026576B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-09-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board |
| JP2010118585A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | メサ型ツェナーダイオード及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010807 |