JPH11164545A - 遅延クロック線を使用してチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減する方法および装置 - Google Patents

遅延クロック線を使用してチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減する方法および装置

Info

Publication number
JPH11164545A
JPH11164545A JP10258044A JP25804498A JPH11164545A JP H11164545 A JPH11164545 A JP H11164545A JP 10258044 A JP10258044 A JP 10258044A JP 25804498 A JP25804498 A JP 25804498A JP H11164545 A JPH11164545 A JP H11164545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge pump
clock
clock signal
pump circuit
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10258044A
Other languages
English (en)
Inventor
May Lee
メイ・リー
Lawrence D Engh
ローレンス・ディ・エンフ
Neizarian Heigopp
ヘイゴップ・ネイザリアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INF STORAGE DEVICES Inc
Original Assignee
INF STORAGE DEVICES Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by INF STORAGE DEVICES Inc filed Critical INF STORAGE DEVICES Inc
Publication of JPH11164545A publication Critical patent/JPH11164545A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電源電流サージを低減したチャージ・ポンプ
回路を提供する。 【解決手段】 チャージ・ポンプ回路は、第1のクロッ
クを与える第1のクロック線と、それぞれ各出力クロッ
ク線上でそれぞれの入力クロックから遅延し反転したク
ロックを発生する直列に接続された複数の遅延回路と、
それぞれ電荷を蓄積する直列に接続された複数のチャー
ジ・ポンプ段とを含む。第1のクロック線は第1のチャ
ージ・ポンプ段に結合され、複数の出力クロック線は残
りの複数の各チャージ・ポンプ段に結合される。各チャ
ージ・ポンプ段の動作は電源電流サージを低減し、分け
るためにずらせてある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チャージ・ポン
プ、およびチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減
する方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】Enghの特許第5629890号は、
読取り同時書込みプログラミング方法を組み込んだアナ
ログ信号記憶用の集積回路システムに関する。特許第5
629890号の読取り同時書込みプログラミング方法
では、高電圧ランプをメモリ・セルに印加して、メモリ
・セルをターゲット電圧までプログラムする。図1に、
メモリ・セルの書込み/プログラミング中に高い出力電
圧を供給するチャージ・ポンプ回路100を示す。図1
に示すように、チャージ・ポンプ回路100は2つのチ
ャージ・ポンプ線を含み、各チャージ・ポンプ線はそれ
ぞれ複数のチャージ・ポンプ段110A1〜110An
よび110B1〜110Bnを有する。各チャージ・ポン
プ段110A1〜110Anおよび110B1〜110Bn
は、各コンデンサCA1〜CAnおよびCB1〜CBnおよ
びそれぞれダイオードとして接続された各Nチャネル・
デバイスMA1〜MAnおよびMB1〜MBnを含む。複数
のクロック発生源CLK1、CLK1B、CLK2、お
よびCLK2Bが設けられ、各チャージ・ポンプの交互
の段が共通のクロック信号に接続される。
【0003】図2Aに従来技術のチャージ・ポンプ・ク
ロック信号のタイミング図を示す。この図から分かるよ
うに、クロック信号CLK1とCLK1BおよびCLK
2とCLK2Bは重なり合わない。したがって、クロッ
ク信号CLK1とCLK1Bは両方同時に高になること
はなく、クロック信号CLK2とCLK2Bは両方同時
に高になることはない。図1の回路の動作は次のように
説明できる。この説明では、図1のすべてのダイオード
接続トランジスタのダイオード電圧降下はVdに等し
く、かつクロック信号は0または接地とVddの間で変動
すると仮定する。クロック信号CLK1が低のとき、コ
ンデンサCA1は電圧Vdd−Vdまで充電される。Vd
ダイオード接続トランジスタMA0のダイオード電圧降
下である。クロック信号CLK1が高になったとき、ノ
ードA0の電圧は2Vdd−Vdに向かって上昇する。ノー
ドA1の電圧が現在2Vdd−2Vdよりも小さい(クロッ
ク信号CLK1Bが低である)場合、ダイオード接続ト
ランジスタMA1 は順方向バイアスされ、電荷の一部が
コンデンサCA1からコンデンサCA2にダンプされる。
【0004】他方、ノードA1の電圧が2Vdd−2Vd
ちょうど等しい場合、ダイオード接続トランジスタMA
2 は導通しきい値のちょうど上にくる。ただし、実質的
な電荷がコンデンサCA1からコンデンサCA2に移され
ることはない。クロック信号CLK1が再び高になった
とき、ダイオード接続トランジスタMA1 は逆バイアス
される。クロック信号CLK1Bが高になったとき、ノ
ードA1 の電圧は2Vdd−2Vdから3Vdd−2Vdに向
かって増大する。この時点でノードA2 の電圧が3Vdd
−3Vdよりも小さい場合、コンデンサCA2からの電荷
の一部はコンデンサCA3 中にダンプされる。他方、ノ
ードA2の電圧が3Vdd−3Vdにちょうど等しい場合、
ダイオード接続トランジスタMA2 は導通しきい値のち
ょうど上にくる。ただし、この場合も実質的な電荷がコ
ンデンサCA2 からコンデンサCA3 に移されることは
ない。したがって、この分析を限界まで実施すると、n
個のチャージ・ポンプ段の場合、無負荷(開回路)チャ
ージ・ポンプ出力のチャージ・ポンプ電圧限界はN(V
dd−Vd)に等しくなることが分かる。
【0005】チャージ・ポンプ上に実際の負荷がある場
合、出力コンデンサCAn およびCBn はポンピング・
サイクル間で若干放電し、出力電流を負荷に供給する。
この場合、2つのチャージ・ポンプ線の各段はチャージ
・ポンプ出力電流に依存する速度で電荷を出力に向かっ
てポンプする。したがって、チャージ・ポンプ回路は、
コンデンサのサイズ×クロック信号の周波数に反比例す
る電源インピーダンスを有する電圧源のように見える。
【0006】読取り同時書込みプログラミング方法で
は、高い電圧の印加を終了すべきとき(すなわち、ター
ゲット電圧に達するとき)を決定するためにメモリ・セ
ルをプログラムしている間、読取り動作を同時に実施す
る。読取りは書込み動作中に行われるので、図1のチャ
ージ・ポンプ回路100は、セル上に記憶された電圧を
読み戻しているときにアクティブになる。チャージ・ポ
ンプ段の数に応じて、従来技術の各クロック・ドライバ
への負担は比較的大きくなり、(n*C)/2に比例す
る。nはチャージ・ポンプ段の数、Cは各コンデンサの
値である。大きい負荷を駆動するには大きいクロック・
ドライバが必要であり、これは電源に対する要求を大き
くする。電源に対する大きい要求は、システム中に望ま
しくない外乱をもたらす電流サージを引き起こす。図2
Bに、クロックCLK1、CLK1B、CLK2、およ
びCLK2Bに関する電源の電流サージを概略的に示
す。
【0007】大きい電流サージは、読取り同時書込みプ
ログラミング方法のメモリ・セルの不正確な読取りとな
ることがある。その結果、メモリ・セルはアンダープロ
グラムまたはオーバープログラムされることがある。ま
た従来技術のチャージ・ポンプでは、クロックCLK1
とCLK1Bが重なり合わず、かつクロックCLK2と
CLK2Bが重なり合わないことを保証する追加の回路
が必要である。さらに、より小さいダイ・サイズの要求
が継続するにつれて、意図した機能用のダイ領域を縮小
するための新しい設計技法およびシステムの組み込みが
必要になる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって、高い電圧
を出力し、同時に瞬時的な電源電流サージを低減し、か
つ回路の全体的なサイズを縮小する高電圧チャージ・ポ
ンプを提供する装置および方法が当技術分野では必要で
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、電源電流サー
ジを低減し、分けるチャージ・ポンプ回路である。チャ
ージ・ポンプ回路は、第1のクロックを与える第1のク
ロック線と、それぞれ各出力クロック線上にそれぞれの
入力クロックから遅延し反転したクロックを発生する直
列に接続された複数の遅延回路と、それぞれ電荷を蓄積
する直列に接続された複数のチャージ・ポンプ段とを含
む。第1のクロック線は第1のチャージ・ポンプ段に結
合され、複数の出力クロック線は残りの複数の各チャー
ジ・ポンプ段に結合される。各チャージ・ポンプ段の動
作は電源電流サージを低減し、分けるためにずらせてあ
る。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の特徴および利点は、本発
明の以下の詳細な説明から明らかになろう。まず図3を
参照すると、本発明のチャージ・ポンプ回路300の好
ましい実施形態が示されている。チャージ・ポンプ回路
300は、クロック信号CLK1を与えるクロック信号
線310、それぞれ一連のチャージ・ポンプ段320A
1 〜320Anおよび320B1〜320Bn を含む第1
および第2のチャージ・ポンプまたはチャージ・ポンプ
線、複数の同じ反転遅延クロック回路 3301〜330
m 、およびチャージ・ポンプ回路のフィルタリングされ
た出力PUMPOUTを与える低域フィルタ回路340
を含む。第1のチャージ・ポンプ線320A1〜320
n の各段は、1つのコンデンサ322A1〜322An
およびそれぞれダイオード接続された1つのNチャネル
・デバイス324A1〜324Anを含む。同様に、第2
のチャージ・ポンプ線320B1〜320Bnの各段は、
1つのコンデンサ322B1〜322Bnおよびそれぞれ
ダイオード接続された1つのNチャネル・デバイス32
4B1〜324Bnを含む。
【0011】図3で分かるように、チャージ・ポンプ段
320A1 はクロック信号CLK1によって駆動され
る。チャージ・ポンプ段320A2および320B2は、
遅延3301 によってクロック信号CLK1に対して遅
延し、反転したクロック信号CLK2によって駆動され
る。同様に、上側チャージ・ポンプ線中の一連の段の各
段は、図4Bに示すように連続して遅延し、反転したク
ロック信号として駆動される。また、図3に示される一
連の下側チャージ・ポンプ段は、それぞれチャージ・ポ
ンプ線の前の段を駆動するクロック信号に対して遅延
し、反転したクロック信号によって駆動される。ただ
し、下側チャージ・ポンプ線の第1の段320B1 はク
ロック信号CLK1によって駆動されるのではなく、遅
延し反転したクロック信号CLK2によって駆動され、
したがって上側チャージ・ポンプ線中で起こることは何
でも同様に下側チャージ・ポンプ線中でも起こる。ただ
し、時間はそれに対して遅延する。なお、本明細書にお
いてはパルスは高の時アクティブであり、低のとき非ア
クティブとする。
【0012】通常の負荷で動作する場合、まずクロック
信号CLK1が図4Bに示すように低であると仮定す
る。コンデンサ322A1 は、ダイオード接続トランジ
スタ302Aを介して電圧Vdd−Vd まで充電される。
クロック信号CLK1が高になったとき、ノードA0
電圧2Vdd−Vdに向かって上昇する。図4Bから分か
るように、この時点で遅延し反転したクロック信号CL
K2はまだ高である。この時点でのノードA1の電圧が
2Vdd−2Vdよりも小さくなければ、ダイオード接続
トランジスタ324A1は順方向バイアスされず、電荷
がコンデンサ322A1からコンデンサ322A2 に移
されることはない。しかしながら、遅延し反転したクロ
ック信号CLK2がその後低になったとき、ダイオード
接続トランジスタ324A1は順方向バイアスされ、コ
ンデンサ322A1の電荷の一部がコンデンサ322A2
に移され、ノードA1の電圧が上昇する。
【0013】同様に、遅延し反転したクロック信号CL
K2が再び高になったとき、ノードA1 の電圧は増分V
ddだけさらに上昇する。この時点で、さらに遅延し反転
したクロック信号CLK3はまだ高であり、この場合も
ノードA1 の電圧がそのとき存在する電圧よりも少なく
ともVddだけ小さければ、電荷の一部がコンデンサ32
2A2からコンデンサ322A3に移されることはない。
しかしながら、さらに遅延し反転したクロック信号CL
K3が低になったとき、ダイオード接続トランジスタ3
24A2は順方向バイアスされ、コンデンサ322A2
らの電荷の一部がコンデンサ322A3に移され、ノー
ドA3の電圧が上昇する。
【0014】定常状態では各ノードA0〜An-1の平均電
圧は変化しないので、段320A1の電荷ポンピング・
サイクルでコンデンサ322A1からコンデンサ322
2に移された電荷は、段320A2 などの電荷ポンピ
ング・サイクルでコンデンサ322A2からコンデンサ
322A3に移された電荷に等しくなることは明らかで
ある。しかしながら、図3の上側チャージ・ポンプ線の
n個の段の各段のこれらの電荷ポンピング・サイクルは
互いに遅延するか、またはずれ、したがってクロック信
号を発生する電源の電流スパイク負荷が同様にずれる
(図4Cおよび図4D参照)。特に、従来技術では、そ
れぞれn個の段を有する2つの交互配置チャージ・ポン
プ線を仮定すれば、各クロック信号はn個のコンデンサ
を一度に駆動することになる。それと比較して、図3の
回路では2つのコンデンサのみが一度に駆動され、2n
個のすべてのコンデンサの駆動はn倍の増分にわたって
広がる。各時間増分は1つの遅延回路330の遅延に等
しい。したがって、図3の回路は、例えば、従来技術の
クロック周波数と同じクロック周波数(好ましくはより
高い周波数)で動作するかもしれないが、電源への瞬時
的な負担は大幅に軽減され、電源電流リプルの周波数は
かなり高くなり、リプルのフィルタリングがより容易か
つより有効になる。
【0015】再び図3を参照すると、クロック信号CL
K1が低になったとき、どんな電荷もコンデンサ322
1からコンデンサ322A2に移されており、次にコン
デンサ322A1の電圧をVdd−Vd以下に下げることは
ダイオード接続トランジスタ302Aを介して電源から
回復されることが分かる。したがって、クロック信号が
高になることによってもたらされるポンピング作用はそ
のクロック信号を駆動する電源に負担をかけるが、コン
デンサ322A1 上の電荷の補給もクロック信号CLK
1が低になったとき電源にいくらかの負担をかける。下
側ポンプ線の第1の段322B1 を信号CLK1によっ
て駆動することもできたが、この段のドライブのずれお
よび反転はまた、次の電荷ポンピング動作に備えてコン
デンサ322A1および322B1の電荷の同時補給を回
避する。これはまた電源の電流スパイクの大きさを小さ
くする。チャージ・ポンプ線開始信号の反転はまたチャ
ージ・ポンプ線の出力をインタリーブし、出力リプル電
圧を減少させ、その周波数を増大させるので、フィルタ
リングがより容易になる。
【0016】図5に本発明の遅延回路400の一実施形
態を示す。図5を参照すると、遅延回路400は、Pチ
ャネルMOSデバイス404、408、410、416
およびNチャネルMOSデバイス406、412、41
4、418を含む。遅延回路400は、入力信号線40
2上の入力クロック信号CLKINを受信し、クロック
信号CLKINを所定の時間だけ遅延し反転した出力ク
ロック信号CLKOUTを出力信号線420上に与え
る。より具体的には、入力クロック信号CLKINが低
になったとき、Nチャネル・デバイス406はオフにな
り、Pチャネル・デバイス404はオンになり、ノード
AがVddまで高に引かれる。ノードAがVddになると、
Pチャネル・デバイス408および410はオフにな
り、Nチャネル・デバイス412および414はオンに
なる。Nチャネル・デバイス412がオンになると、ノ
ードBはVSSまで引き下げられ、Nチャネル・デバイス
418がオフになる。Nチャネル・デバイス414がオ
ンであるので、ノードCもVSSであるノードBの電圧ま
で引き下げられる。このためPチャネル・デバイス41
6はオンになる。したがって、出力クロック信号CLK
OUTはVddまで高に引かれる。Nチャネル・デバイス
414は、トランジスタ416がオンになる前にトラン
ジスタ418がオフになることを保証し、両方のトラン
ジスタがスイッチング中に一時的にオンになるのを防
ぐ。
【0017】反対に、入力クロック信号CLKINが高
になった場合、Pチャネル・デバイス404はオフにな
り、Nチャネル・デバイス406はオンになり、ノード
AがVSSまで低に引かれる。ノードAが0ボルト(また
は0ボルト近く)になると、Nチャネル・デバイス41
2および414はオフになり、Pチャネル・デバイス4
08および410はオンになる。両方のPチャネル・デ
バイス408および410がオンになると、まずノード
CがVddまで高に引かれ、したがってPチャネル・デバ
イス416がオフになる。その後、ノードBがVddまで
高に引かれ、それによりNチャネル・デバイス418が
オンになる。Nチャネル・デバイス418がオンになる
と、出力クロック信号CLKOUTはVSSまで低に引か
れる。この場合Pチャネル・デバイス410は、トラン
ジスタ418がオンになる前にトランジスタ416がオ
フになることを保証し、この場合も両方のトランジスタ
がスイッチング中に一時的にオンになるのを防ぐ。この
ようにして、遅延回路400は上述のように入力クロッ
ク信号を反転し、遅延する。
【0018】好ましい実施形態では、遅延回路3301
〜330Mはアナログ遅延および反転回路、具体的には
単に回路の応答時間に基づいて遅延を加える連続インバ
ータ・タイプの回路である。しかしながら、他の実施形
態では、例として、周波数をクロック信号CLK1のn
倍に分周し、より高い周波数の各カウントが次の連続す
る遅延し反転したクロック・サイクルを開始するなど、
クロック信号CLK1をデジタル式に生成することもあ
る。このようにすると、M個の遅延し反転したクロック
信号があるクロック・サイクルCLK1のサイクル時間
中等しくずれ、本発明の平滑化効果を最大することがで
きる。さらに、そのような実施形態では、M個の遅延し
反転したクロック・サイクルの全列を与えるラップアラ
ウンドを使用して、チャージ・ポンプ段320B1を遅
延したクロック信号CLKM/2で駆動し、後続の各段が
次の後続の遅延し反転したクロック信号によって駆動さ
れるようにすることもできる。そのような実施形態は、
コンデンサ322A1 および322B1上の電荷の補給
を等しくずらし、かつ出力フィルタおよび負荷への2つ
のチャージ・ポンプ線のポンピングを等しくずらす。た
だし、開示した好ましい実施形態のそれを超える電源電
流スパイクの低減は大きくない。
【0019】前に指摘したように、遅延回路によって生
成された各クロック信号は遅延回路への入力に対して反
転し、遅延する。すべての遅延回路の組合せによって与
えられる全遅延は、最良の性能のためにクロック信号C
LK1の周期の少なくとも1/2であることが好まし
い。したがって、電流電源サージが時間がたつにつれて
分かれるだけでなく、各クロック・ドライバ(すなわち
遅延回路)上の負荷が小さくなり、したがってクロック
・ドライバは小さくてよい。また、遅延回路によって必
要とされるスイッチング電流が時間がたつにつれて広が
る。したがって、図4Cおよび図4Dに示すように、電
源電流サージの振幅は小さくなり、周波数がより高くな
る。このことは、クロック・ドライバのスイッチング中
に大きい、より低い周波数の電源電流サージが発生する
従来技術と区別されるべきであり、もちろん、従来技術
のクロック・ドライバはより大きい容量性負荷を駆動す
るために大きくしなければならなかった。
【0020】以上の結果、本発明は、従来技術に勝るよ
り静かなシステムを提供し、読取り同時書込みプログラ
ミング方法中にメモリ・セルをアンダープログラムまた
はオーバープログラムする従来技術の問題を緩和する。
さらに、従来技術のチャージ・ポンプ回路は、クロック
信号CLK1およびCLK1Bならびにクロック信号C
LK2およびCLK2Bが重なり合わないことを保証す
る回路を必要とするが、本発明ではそのような回路は不
要である。
【0021】図3のチャージ・ポンプ回路300の面積
をさらに縮小するために、各コンデンサの容量値は同じ
ポンピング容量に対してクロック周波数に反比例するの
で、コンデンサはより小さく製造され、クロック周波数
は高くされる。この場合、より小さいコンデンサを駆動
するためにさらに小さい遅延クロック・ドライバが必要
である。クロック周波数を高くし、コンデンサ・サイズ
を縮小すると、出力電圧リプルの周波数が高くなり、出
力リプルの振幅が減少し、抵抗342およびコンデンサ
344によるチャージ・ポンプ出力のフィルタリングが
より容易かつより有効になる。
【0022】本発明によれば、より小さいクロック・ド
ライバおよびより小さい負荷のために電源の電流サージ
が低減され、分けられる。さらに、高いクロック周波数
およびより小さいコンデンサを使用することによって、
回路の全体的なサイズがさらに縮小される。これはまた
出力リプルを低減し、より静かなシステムおよび向上し
たシステム性能を与える。
【0023】いくつかの例示的な実施形態を説明し、添
付の図面に図示したが、そのような実施形態は、広い本
発明を説明するためのものにすぎず、制限するものでは
ないこと、および様々な他の修正形が当業者なら容易に
思い付くので、本発明は図示し、説明した特定の構成お
よび配置に限定されないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術のチャージ・ポンプ回路を示す図で
ある。
【図2】 従来技術のチャージ・ポンプ・クロック発生
源のタイミング図(A)と、従来技術のチャージ・ポン
プ回路の電源電流サージを示す図(B)である。
【図3】 本発明のチャージ・ポンプ回路の一実施形態
を示す図である。
【図4】 本発明の好ましい実施形態のチャージ・ポン
プ回路中で使用されるクロック信号のタイミング図
(B)と、個々のドライバ電流サージを示す図(C)
と、結合したドライバ電流サージを示す図(D)であ
る。
【図5】 本発明の好ましい実施形態で使用される遅延
回路の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
300 チャージ・ポンプ回路 302A ダイオード接続トランジスタ 320A1〜320An 第1のチャージ・ポンプ 320B1〜320Bn 第2のチャージ・ポンプ 322A1〜322An コンデンサ 322B1〜322Bn コンデンサ 324A1〜324An Nチャネル・デバイス 324B1〜324Bn Nチャネル・デバイス 3301〜330m 反転遅延クロック回路 340 低域フィルタ回路 400 遅延回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年11月25日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図4】
【図5】
【図3】
フロントページの続き (72)発明者 ローレンス・ディ・エンフ アメリカ合衆国・94062・カリフォルニア 州・レッドウッド シティ・ハイド スト リート・105 (72)発明者 ヘイゴップ・ネイザリアン アメリカ合衆国・95117・カリフォルニア 州・サン ホゼ・フリード アヴェニュ・ 4039

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のクロック信号を有する第1のクロ
    ック線と、 第1のクロック発生源に結合され、第1の電荷を蓄積
    し、第1のクロック信号に応答して第1の電圧を出力す
    る第1のチャージ・ポンプ回路と、 第1のクロック線に結合され、遅延させて第2のクロッ
    ク線上に第2のクロック信号を発生させる第1の遅延回
    路と、 第1のチャージ・ポンプ回路と第1の遅延回路に結合さ
    れ、第2の電荷を蓄積し、第2のクロック信号に応答し
    て第2の電圧を発生する第2のチャージ・ポンプ回路と
    を含み、 電源電流サージを低減し、分けるために、第2のチャー
    ジ・ポンプ段の動作を第1のチャージ・ポンプ段の動作
    に対してずらせてある、電源電流サージを低減したチャ
    ージ・ポンプ回路。
  2. 【請求項2】 第1のクロック信号がアクティブであ
    り、かつ第2のクロック信号が非アクティブであると
    き、第1のチャージ・ポンプ回路上の第1の電荷の第1
    の部分が第2のチャージ・ポンプ回路に移される請求項
    1に記載のチャージ・ポンプ回路。
  3. 【請求項3】 第1の遅延回路に結合され、遅延させて
    第3のクロック信号線上に第3のクロック信号を発生さ
    せる第2の遅延回路と、 第2のチャージ・ポンプ回路と第2の遅延回路に結合さ
    れ、第3のクロック信号に応答して第3の電圧を出力す
    る第3のチャージ・ポンプ回路とをさらに含み、第2の
    クロック信号がアクティブであり、かつ第3のクロック
    信号が非アクティブであるとき、第2の電荷の第2の部
    分が第3のチャージ・ポンプ回路に移される請求項1に
    記載のチャージ・ポンプ回路。
  4. 【請求項4】 第1のチャージ・ポンプ回路および第2
    のチャージ・ポンプ回路がそれぞれ、 第1または第2のクロック線に結合されたコンデンサ
    と、 コンデンサに結合された入力および第2のチャージ・ポ
    ンプ回路または出力端子に結合された出力を有するダイ
    オードとして構成されたNチャネル・デバイスとを含む
    請求項1に記載のチャージ・ポンプ回路。
  5. 【請求項5】 第2のクロック信号は、第1のクロック
    信号から所定の時間遅延し、反転する請求項2に記載の
    チャージ・ポンプ回路。
  6. 【請求項6】 第3のクロック信号は、第2のクロック
    信号から所定の時間だけ遅延し、反転する請求項3に記
    載のチャージ・ポンプ回路。
  7. 【請求項7】 第2のチャージ・ポンプ回路の出力に結
    合され、第2の電圧を平滑化する低域フィルタをさらに
    含む請求項1に記載のチャージ・ポンプ回路。
  8. 【請求項8】 低域フィルタが、結合された抵抗と出力
    コンデンサを含む請求項7に記載のチャージ・ポンプ回
    路。
  9. 【請求項9】 第1のチャージ・ポンプ回路に結合され
    た端子を有する電源をさらに含む請求項1に記載のチャ
    ージ・ポンプ回路。
  10. 【請求項10】 第1のクロックを供給する第1のクロ
    ック線と、 それぞれ各出力クロック線上にそれぞれの入力クロック
    から遅延し反転したクロックを発生する直列に接続され
    た複数の遅延回路と、 それぞれ電荷を蓄積する直列に接続された複数のチャー
    ジ・ポンプ段であって、第1のクロック線が第1のチャ
    ージ・ポンプ段に結合され、複数の出力クロック線が残
    りの複数の各チャージ・ポンプ段に結合される複数のチ
    ャージ・ポンプ段とを備え、電源電流サージを低減し、
    分けるために、各チャージ・ポンプ段の動作をずらせて
    ある電源電流サージを低減し、分けるチャージ・ポンプ
    回路。
  11. 【請求項11】 あるチャージ・ポンプ段のクロックが
    アクティブであり、かつ次のチャージ・ポンプ段のクロ
    ックが非アクティブであるとき、電荷があるチャージ・
    ポンプ段から次のチャージ・ポンプ段に移される請求項
    10に記載のチャージ・ポンプ回路。
  12. 【請求項12】 各チャージ・ポンプ段が、 クロックまたは第1のクロック線に結合されたコンデン
    サと、 コンデンサに結合された入力および次のチャージ・ポン
    プ段に結合された出力を有するダイオードとして構成さ
    れたNチャネル・デバイスとを含む請求項10に記載の
    チャージ・ポンプ回路。
  13. 【請求項13】 複数のチャージ・ポンプ段の最後のチ
    ャージ・ポンプ段の出力に結合され、出力電圧を平滑化
    する低域フィルタ回路をさらに含む請求項10に記載の
    チャージ・ポンプ回路。
  14. 【請求項14】 低域フィルタが、結合された抵抗と出
    力コンデンサを含む請求項13に記載のチャージ・ポン
    プ回路。
  15. 【請求項15】 複数のチャージ・ポンプ段の第1のチ
    ャージ・ポンプ段に電源電圧を供給することができる電
    源端子をさらに含む請求項10に記載のチャージ・ポン
    プ回路。
  16. 【請求項16】 複数の遅延回路によって与えられる全
    遅延が第1のクロック信号の周期の少なくとも1/2で
    ある請求項10に記載のチャージ・ポンプ回路。
  17. 【請求項17】 第1のクロック、複数の遅延回路、複
    数のチャージ・ポンプ段、および最後のチャージ・ポン
    プ段に結合された出力端子を有するチャージ・ポンプ回
    路中の電源電流サージを低減し、分ける方法であって、 a)第1のクロックを第1のチャージ・ポンプ段および
    第1の遅延回路に与えるステップと、 b)複数の遅延回路が、それぞれその入力クロックに対
    して遅延し反転した複数のクロックを発生するステップ
    と、 c)複数のクロックを残りの複数の各チャージ・ポンプ
    段に与えるステップと、 d)あるチャージ・ポンプ段のクロックがアクティブで
    あり、かつ次のチャージ・ポンプ段のクロックが非アク
    ティブであるとき、電荷をあるチャージ・ポンプ段から
    次のチャージ・ポンプ段に移すステップとを含み、電源
    電流サージを低減し、分けるために、各チャージ・ポン
    プ段の動作を前のチャージ・ポンプ段に対してずらせて
    ある方法。
  18. 【請求項18】 電圧を有する電源端子を第1のチャー
    ジ・ポンプ段に結合するステップをさらに含む請求項1
    7に記載の方法。
  19. 【請求項19】 各チャージ・ポンプ段が、 クロックまたは第1のクロックに結合されたコンデンサ
    と、 コンデンサに結合された入力および次のチャージ・ポン
    プ段に結合された出力を有するダイオードとして構成さ
    れたNチャネル・デバイスとを含む請求項17に記載の
    方法。
  20. 【請求項20】 出力電圧を平滑化するために低域フィ
    ルタ回路を出力端子に結合するステップをさらに含む請
    求項10に記載のチャージ・ポンプ回路。
JP10258044A 1997-09-12 1998-09-11 遅延クロック線を使用してチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減する方法および装置 Pending JPH11164545A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/928716 1997-09-12
US08/928,716 US6100752A (en) 1997-09-12 1997-09-12 Method and apparatus for reducing power supply current surges in a charge pump using a delayed clock line

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11164545A true JPH11164545A (ja) 1999-06-18

Family

ID=25456641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10258044A Pending JPH11164545A (ja) 1997-09-12 1998-09-11 遅延クロック線を使用してチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減する方法および装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6100752A (ja)
EP (1) EP0902525A3 (ja)
JP (1) JPH11164545A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650172B1 (en) 1999-07-08 2003-11-18 Nec Electronics Corporation Boost circuit with sequentially delayed activation of pump circuit stages
JP2005033993A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Samsung Electronics Co Ltd 電荷ポンプ回路

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208542B1 (en) 1998-06-30 2001-03-27 Sandisk Corporation Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory
JP2001078437A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Toshiba Corp ポンプ回路
JP3910765B2 (ja) * 1999-09-08 2007-04-25 株式会社東芝 電圧発生回路及びこれを用いた電圧転送回路
FR2800934B1 (fr) * 1999-11-10 2002-01-18 Mhs Circuit elevateur de tension de type pompe de charge
JP3614747B2 (ja) * 2000-03-07 2005-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したicカード及びそれを搭載した電子機器
US6816000B2 (en) * 2000-08-18 2004-11-09 Texas Instruments Incorporated Booster circuit
US6967523B2 (en) * 2000-11-21 2005-11-22 Mosaid Technologies Incorporated Cascaded charge pump power supply with different gate oxide thickness transistors
CN100568689C (zh) * 2000-11-21 2009-12-09 睦塞德技术公司 电荷泵电源
US6779122B2 (en) 2000-12-26 2004-08-17 Intel Corporation Method and apparatus for executing a long latency instruction to delay the restarting of an instruction fetch unit
JP3871551B2 (ja) * 2001-11-08 2007-01-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 電圧供給回路
JP2003219633A (ja) * 2002-01-17 2003-07-31 Seiko Epson Corp 昇圧回路
TWI233617B (en) * 2004-01-02 2005-06-01 Univ Nat Chiao Tung Charge pump circuit suitable for low voltage process
US7457155B2 (en) * 2006-08-31 2008-11-25 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory device and method having bit-state assignments selected to minimize signal coupling
US7969235B2 (en) 2008-06-09 2011-06-28 Sandisk Corporation Self-adaptive multi-stage charge pump
DE102009010550A1 (de) * 2009-02-25 2010-09-02 Texas Instruments Deutschland Gmbh Ladungspumpe mit Selbsttaktung und Verfahren
EP2244365A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-27 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. Method and apparatus for discharging the capacitors of a boost converter composed of plural bridge devices
JP2011120407A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Renesas Electronics Corp チャージポンプ回路
CN102290983B (zh) * 2011-06-16 2014-01-01 北京大学 电荷泵
US9417685B2 (en) * 2013-01-07 2016-08-16 Micron Technology, Inc. Power management
US9491151B2 (en) 2015-01-07 2016-11-08 Ememory Technology Inc. Memory apparatus, charge pump circuit and voltage pumping method thereof
US9300283B1 (en) * 2015-02-18 2016-03-29 Freescale Semiconductor,Inc. Single capacitor, low leakage charge pump
KR102589116B1 (ko) * 2019-04-10 2023-10-12 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. 재구성 가능한 전압 조정기
CN115622389A (zh) * 2021-06-29 2023-01-17 合肥格易集成电路有限公司 电荷泵电路和存储器
JP2026504396A (ja) * 2023-02-02 2026-02-05 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド 複数のチャージポンプユニットのためのポンピングコントローラ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3818309A (en) * 1971-09-21 1974-06-18 M Ichikawa Dc transformer
NL8702734A (nl) * 1987-11-17 1989-06-16 Philips Nv Spanningsvermenigvuldigschakeling en gelijkrichtelement.
JPH0817033B2 (ja) * 1988-12-08 1996-02-21 三菱電機株式会社 基板バイアス電位発生回路
US5036229A (en) * 1989-07-18 1991-07-30 Gazelle Microcircuits, Inc. Low ripple bias voltage generator
DE4130191C2 (de) * 1991-09-30 1993-10-21 Samsung Electronics Co Ltd Konstantspannungsgenerator für eine Halbleitereinrichtung mit kaskadierter Auflade- bzw. Entladeschaltung
US5191232A (en) * 1992-03-17 1993-03-02 Silicon Storage Technology, Inc. High frequency voltage multiplier for an electrically erasable and programmable memory device
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
US5629890A (en) * 1994-09-14 1997-05-13 Information Storage Devices, Inc. Integrated circuit system for analog signal storing and recovery incorporating read while writing voltage program method
KR0167692B1 (ko) * 1995-09-14 1999-02-01 김광호 반도체 메모리장치의 차아지 펌프회로

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6650172B1 (en) 1999-07-08 2003-11-18 Nec Electronics Corporation Boost circuit with sequentially delayed activation of pump circuit stages
JP2005033993A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Samsung Electronics Co Ltd 電荷ポンプ回路

Also Published As

Publication number Publication date
US6100752A (en) 2000-08-08
EP0902525A3 (en) 1999-07-21
EP0902525A2 (en) 1999-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11164545A (ja) 遅延クロック線を使用してチャージ・ポンプ中の電源電流サージを低減する方法および装置
US6154088A (en) Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US5812018A (en) Voltage booster circuit
US6563235B1 (en) Switched capacitor array circuit for use in DC-DC converter and method
EP1338081B1 (en) Charge pump power supply
US7274248B2 (en) Booster circuit and semiconductor device having same
JP3422838B2 (ja) 高電圧チャ−ジ・ポンプ
US5790393A (en) Voltage multiplier with adjustable output level
JPH0519311B2 (ja)
US5841703A (en) Method and apparatus for removal of VT drop in the output diode of charge pumps
JPH0828965B2 (ja) 電圧変換回路
WO2001024348A1 (en) Method and apparatus for reducing stress across capacitors used in integrated circuits
JP2004274861A (ja) 昇圧回路
US6037622A (en) Charge pump circuits for low supply voltages
EP0404124B1 (en) Charge pump having pull-up circuit operating with two clock pulse sequences
WO2002017466A1 (en) Cascadable high efficiency charge pump circuit and related methods
JPS62502223A (ja) 電圧マルチプライヤ回路
US6838928B2 (en) Boosting circuit configured with plurality of boosting circuit units in series
JP3096252B2 (ja) ネガティブ電圧駆動回路
JP2004005773A (ja) 昇圧装置
US6232826B1 (en) Charge pump avoiding gain degradation due to the body effect
KR20070032927A (ko) 차지 펌프식 승압 회로를 갖는 반도체 장치
JPH0281090A (ja) 電力回収回路
JP4427898B2 (ja) 昇圧装置及びその制御方法
JPH0898511A (ja) 昇圧回路