JPH11167746A - 光記録媒体およびその記録方法 - Google Patents

光記録媒体およびその記録方法

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JPH11167746A
JPH11167746A JP9364543A JP36454397A JPH11167746A JP H11167746 A JPH11167746 A JP H11167746A JP 9364543 A JP9364543 A JP 9364543A JP 36454397 A JP36454397 A JP 36454397A JP H11167746 A JPH11167746 A JP H11167746A
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JP
Japan
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dielectric layer
layer
recording
recording medium
thickness
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Jiro Yoshinari
次郎 吉成
Masanori Kosuda
正則 小須田
Hiroshi Shinkai
浩 新開
Hiroshi Chihara
宏 千原
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Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする誘
電体層を少なくとも記録層の基体側に有する相変化型光
記録媒体において、オーバーライト可能回数を増大させ
る。 【解決手段】 基体上に第１誘電体層、記録層、第２誘
電体層、金属反射層を有し、第１誘電体層中において記
録層から離れて存在する誘電体層１ａがＺｎＳ−ＳｉＯ
2からなり、記録層に接して存在する誘電体層１ｂがＳ
ｉ3Ｎ4および／またはＧｅ3Ｎ4からなり、第２誘電体層
が、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2または希土類酸化物から
なる単層構成であるか、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電
体層２ａを記録層側に含み、ＳｉＯ2または希土類酸化
物からなる誘電体層２ｂを反射層側に含む積層構成であ
り、誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmであって、か
つ、第１誘電体層に対する誘電体層１ｂの厚さ比が０．
５以下である光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体と、これにオーバーライトを行う方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は、駆動装
置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純である
ため、注目されている。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の
カルコゲナイト系材料が用いられることが多い。
【０００４】相変化型光記録媒体において情報を記録す
る際には、記録層が融点以上まで昇温されるような高パ
ワー（記録パワー）のレーザー光を照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザー光を照射する。消去パ
ワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加
熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻
る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビ
ームの強度を変調することにより、オーバーライトが可
能である。
【０００５】相変化型光記録媒体では、通常、記録層の
両側に誘電体層が形成されている。これらの誘電体層に
は、 １）レーザー光照射による熱履歴に対し、記録層や基板
などを保護できること、 ２）各層の界面で反射してくる光の干渉効果を利用して
再生信号を増幅できること、 ３）各誘電体層の熱伝導率等を適当に調整することによ
り、記録・消去特性を調整できることなどが求められ
る。
【０００６】このような条件を満足する誘電体層とし
て、屈折率の高いＺｎＳを主成分とするものが用いられ
ることが多い。例えば、特開昭６３−１０３４５３号公
報には、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物からなる誘電体層
を有する光学式情報記録部材が記載されている。同公報
では、記録時の照射パワーに対する感度の上昇と、誘電
体材料の記録消去の繰り返し回数の増大とを効果として
おり、感度の上昇は誘電体層の熱定数の最適化によるも
ので、記録消去の繰り返し回数の増大は、記録および消
去に要するレーザーパワーの低下によるものとしてい
る。同公報では、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）が１０
〜３０モル％のときに、記録および消去に要するレーザ
ーエネルギーが最も少なくてすむので好ましいとしてい
る。
【０００７】しかし、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料などから
構成される記録層の両側に、ＺｎＳを主成分とする誘電
体層を設けた相変化型光記録媒体では、オーバーライト
の繰り返しによりＣ／Ｎ低下が生じ、数千回程度でオー
バーライトが不可能となってしまう。オーバーライトに
よるＣ／Ｎ低下の原因としては、隣接する誘電体層との
間での元素拡散などに起因する記録層の組成変化の影響
が大きいと考えられる。
【０００８】特開平２−６４９３７号公報には、記録層
の片面または両面に耐熱保護層を設け、さらに、耐熱保
護層の少なくとも片面に、耐熱保護層よりも体積弾性率
の小さい保護層を設けることで、繰り返し記録特性を向
上させることが記載されている。同公報では、体積弾性
率の小さい保護層を構成する材料としてＭｏＳ2、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ等が、耐熱保護層を構成する材料として炭
化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムが挙げられて
いる。同公報の実施例２では、記録層の両側にＳｉＮx
層を２０nmの厚さに設け、さらにこの両側に、ＺｎＳを
レーザー入射側に１００nm、反対側に２００nmの厚さに
設けている。そして、この構成により、数万回の良好な
繰り返し記録特性が得られた旨の記載がある。
【０００９】しかし、本発明者らが同公報の実施例と同
様な膜構成で追試を行ったところ、オーバーライト可能
回数は１万回程度にすぎなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、硫化
亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする誘電体層を少なく
とも記録層の基体側に有する相変化型光記録媒体におい
て、オーバーライト可能回数を増大させることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体上に相変化型の記録層を有し、記録層の下
側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電体層お
よび第２誘電体層を有し、第２誘電体層上に金属からな
る反射層を有する光記録媒体であって、第１誘電体層
が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂ
をそれぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケ
イ素を主成分とするものであり、誘電体層１ｂが窒化ケ
イ素および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするも
のであり、第２誘電体層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とするか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土
類酸化物を主成分とするものであり、誘電体層１ｂの厚
さが０．５〜４０nmであって、かつ、第１誘電体層の厚
さ（ｔ1）に対する誘電体層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比
（ｔ1b／ｔ1）が０．５以下である光記録媒体。 （２） 基体上に相変化型の記録層を有し、記録層の下
側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電体層お
よび第２誘電体層を有し、第２誘電体層上に金属からな
る反射層を有する光記録媒体であって、第１誘電体層
が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に誘電体層１ｂ
をそれぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛および酸化ケ
イ素を主成分とするものであり、誘電体層１ｂが窒化ケ
イ素および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするも
のであり、第２誘電体層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素
を主成分とする誘電体層２ａを記録層側に含み、酸化ケ
イ素または希土類酸化物を主成分とする誘電体層２ｂを
反射層側に含むものであり、誘電体層１ｂの厚さが０．
５〜４０nmであって、かつ、第１誘電体層の厚さ
（ｔ1）に対する誘電体層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比（ｔ
1b／ｔ1）が０．５以下である光記録媒体。 （３） 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分とするも
のであって、かつ厚さが５nm未満である上記（１）また
は（２）の光記録媒体。 （４） 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳお
よびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［ＳｉＯ2／
（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１ａの
酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を含ま
ず）である上記（１）〜（３）のいずれかの光記録媒
体。 （５） 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする
ものである上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒
体。 （６） 記録層の平均結晶粒径が２０〜１５０nmである
上記（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体。 （７） 上記（１）〜（６）のいずれかの光記録媒体に
オーバーライトを行う方法であって、オーバーライトに
用いるレーザービームのパワーレベルを、ＰP（ピーク
パワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バイアスパワー１）
と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパワー２）との３段
階とし、記録マーク形成のためのレーザービームを、ピ
ークパワーがＰP、ボトムパワーがＰB2となるようにパ
ルス変調し、かつ、最終パルス照射後にパワーレベルを
ＰB2まで低下させた後、消去パワーレベルであるＰB1に
戻す光記録媒体の記録方法。
【００１２】
【作用および効果】本発明が対象とする光記録媒体は、
図１に示すように、基体２上に、第１誘電体層３１、相
変化型の記録層４、第２誘電体層３２、金属からなる反
射層５を有し、第１誘電体層３１が、基体２側に誘電体
層１ａを、記録層４側に誘電体層１ｂをそれぞれ含むも
のである。
【００１３】誘電体層１ａは、硫化亜鉛および酸化ケイ
素を主成分とするものであり、誘電体層１ｂは、窒化ケ
イ素および／または窒化ゲルマニウムを主成分とするも
のである。そして、誘電体層１ｂは、上記した所定の厚
さとされる。この構成とすることにより、オーバーライ
トの繰り返しによるジッターの増大が小さくなるので、
オーバーライト可能回数（ジッターが１３％を超えるま
でのオーバーライト回数）は十分に多くなる。オーバー
ライト可能回数が増大する理由は明らかではないが、誘
電体層１ａと記録層４との間に誘電体層１ｂを設けたこ
とで、誘電体層１ａからのＺｎやＳの拡散による記録層
４の組成変化が抑制されたことなどによると考えられ
る。
【００１４】図１に示す構造において、第２誘電体層は
記録層からの熱流出の経路となっている。第２誘電体層
を通過する熱は反射層により速やかに放散されるため、
第２誘電体層の温度上昇は第１誘電体層よりも小さくな
る。このため、第２誘電体層には第１誘電体層ほどの耐
熱性は要求されず、反射層との界面および記録層との界
面における剥離のしにくさや熱伝導のよさが要求され
る。第２誘電体層の主成分を硫化亜鉛と酸化ケイ素との
混合物から構成した場合、この混合物は体積弾性率が低
いために剥離が生じにくい。また、前記混合物は熱伝導
性が低いため、第２誘電体層を薄くできるという利点も
ある。しかし、高パワーで記録する必要がある場合に
は、第２誘電体層も高温となるため、記録層へのＺｎや
Ｓの拡散が生じやすい。そこで本発明では、必要に応
じ、第２誘電体層の主成分を酸化ケイ素または希土類酸
化物とする。酸化ケイ素層または希土類酸化物層はＺｎ
やＳの拡散に対しバリア的に働くため、高パワー記録が
必要な場合に効果的である。
【００１５】ただし、記録層に接して酸化ケイ素層また
は希土類酸化物層を設けると、記録層の結晶化速度が速
くなるので、結晶化速度を抑える必要のある場合には、
図２に示すように第２誘電体層を２層構造とし、酸化ケ
イ素または希土類酸化物からなる誘電体層２ｂと記録層
４との間に、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物からなる
誘電体層２ａを設ける構成とすればよい。この構成とす
ることにより、記録層の結晶化速度を抑制することがで
きる。また、この構成の場合、誘電体層２ａは薄くても
十分な効果を発揮するので、誘電体層２ａを設けること
による記録層への悪影響（ＺｎやＳの拡散）は、ほとん
どない。
【００１６】ところで、前記特開平２−６４９３７号公
報の実施例にしたがい、記録層の両側にＳｉＮx層を設
けて追試を行った結果、前述したようにオーバーライト
可能回数は１万回程度にすぎず、本発明の効果に比べ劣
るものとなった。この理由は明らかではないが、記録層
の両側のＳｉＮx層に発生する大きな応力が隣接する層
との界面の機械的特性を悪化させ、剥離を生じさせるた
めと考えられる。また、本発明者らの研究では、基体と
記録層との間に存在するＳｉＮx層が厚すぎると、高温
・高湿環境下で保存したときにＳｉＮx層が剥離してし
まうことがわかった。
【００１７】また、特開平６−１９５７４７号公報に
は、基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、Ｓｉ3Ｎ4層、記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2層、反射層が順に積層された光デ
ィスクが記載されている。この光ディスクは、記録層と
基板側のＺｎＳ−ＳｉＯ2層との間にＳｉ3Ｎ4層を有す
る点については本発明の光記録媒体と同じである。
【００１８】しかし、同公報記載の発明の目的は、短波
長光源の使用下、あるいはディスク高速回転下でも消去
率を低下させない、というものであり、本発明の目的と
は異なる。同公報では前記目的を達成するために、Ｓｉ
3Ｎ4層を記録層の結晶化を促進する層として利用してい
るが、本発明者らの研究によれば、Ｓｉ3Ｎ4層を結晶化
促進のために利用する場合の好ましい厚さは、本発明で
限定する誘電体層１ｂの厚さ範囲を上回る。したがっ
て、Ｓｉ3Ｎ4層を同公報記載の目的を達成し得る厚さに
すると、本発明の効果であるオーバーライト可能回数の
向上が不十分となる。また、本発明における誘電体層１
ｂに相当するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、Ｓｉ3Ｎ4層と基
板との間に存在するＺｎＳ−ＳｉＯ2層が相対的に薄く
なって高Ｃ／Ｎが得られなくなる。また、本発明におけ
る誘電体層１ｂに相当するＳｉ3Ｎ4層が厚すぎると、高
温・高湿環境下で保存した場合に、層間で剥離が生じて
しまうという問題も生じる。なお、同公報にはＳｉ3Ｎ4
層の厚さについてはいっさい記載されていない。また、
同公報には、Ｓｉ3Ｎ4に替えて窒化ゲルマニウムを用い
てもよい旨の記載もない。
【００１９】また、特開平４−５２１８８号公報には、
透明基板、第１保護層、記録薄膜、第２保護層、反射層
が順次形成された相変化型光記録媒体が記載されてい
る。この媒体は、記録薄膜がＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂからな
り、記録薄膜の少なくとも一方の面にＧｅＮからなる窒
化物層が形成され、第１保護層および第２保護層がＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2からなる点については、本発明と同じであ
る。
【００２０】しかし、同公報記載の発明は、記録薄膜の
全面を結晶化させるための初期化の際に、窒化物層を溶
融させて記録薄膜と混合させ、記録薄膜中に窒素を含有
させることを目的とする。記録薄膜中に窒素を含有させ
るのは、記録・消去の繰り返しに伴う保護層の脈動によ
って記録薄膜材料が基板の案内溝に沿って移動すること
を防ぐためである。したがって、初期化後、同公報記載
の媒体に記録・消去を行う際には、窒化物層は存在しな
いか、例え存在しても組成が著しく変化していることに
なるので、本発明における誘電体１ｂと同等の効果、す
なわち、ＺｎやＳの拡散に対するバリア層としての効果
は得られない。また、溶融させることにより初期化した
記録薄膜は、粒径１５０nmを超える粗大な結晶粒からな
り、その後の記録・消去の繰り返しにより結晶粒が徐々
に微細化していくことになる。すなわち、記録・消去の
繰り返しによって原子移動が生じる。したがって、記録
・消去を繰り返したときに記録薄膜内で偏析が生じ、安
定した特性が得られないという問題がある。これに対し
本発明では、初期化の際に記録層を固相で結晶化するた
め、誘電体層１ｂがバリア層としての働きを失わない。
また、固相初期化後の記録層の平均結晶粒径は２０〜１
５０nm程度であり、記録・消去を繰り返した後の結晶粒
径に近いため、安定した記録・消去が可能である。しか
も、同公報の実施例において実際に作製されている光記
録媒体は、本発明とは異なり、記録薄膜と第２保護層と
の間に窒化物層を設けたものなので、例え溶融初期化後
に窒化物層が存在していたとしても、本発明による効果
は実現しない。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
【００２２】本発明の光記録媒体の具体的な構成例を、
図１および図２にそれぞれ示す。これらの光記録媒体
は、基体２表面側に、第１誘電体層３１、記録層４、第
２誘電体層３２、反射層５および保護層６をこの順に設
けた片面記録型（単板型）媒体である。なお、この片面
記録型媒体を２枚用い、保護層６が内側になるように接
着層により接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適
用できる。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接
着層により接着した媒体にも、本発明は適用できる。
【００２３】基体 本発明の光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビ
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００２４】本発明の光記録媒体は、特に高密度記録に
適し、特に、グルーブとランドとの両方を記録トラック
とする構成（ランド・グルーブ記録）に適する。この場
合の記録トラックピッチは、通常、０．３〜１．０μm
程度とすることが好ましい。
【００２５】第１誘電体層３１、第２誘電体層３２ 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱の放出を調整するために設けら
れる。また、両誘電体層を設けることにより、変調度を
向上させることができる。
【００２６】第１誘電体層３１中には、基体２側に誘電
体層１ａが存在し、記録層４側に誘電体層１ｂが存在す
る。誘電体層１ａは、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成
分とする。誘電体層１ａの酸化ケイ素含有率は、２〜４
０モル％（４０モル％を含まず）、好ましくは１０〜３
０モル％である。誘電体層１ａの酸化ケイ素含有率が高
すぎると、屈折率が小さくなりすぎて高Ｃ／Ｎが得られ
にくくなる。一方、酸化ケイ素含有率が低すぎると、オ
ーバーライト可能回数が少なくなってしまう。誘電体層
１ａは均質であってもよく、酸化ケイ素含有率が段階的
または連続的に変化する傾斜組成構造であってもよい。
【００２７】誘電体層１ｂは、窒化ケイ素および／また
は窒化ゲルマニウムを主成分とし、好ましくは窒化ケイ
素または窒化ゲルマニウムから構成され、より好ましく
は窒化ゲルマニウムから構成される。誘電体層１ｂに含
有される窒化ケイ素の組成は特に限定されず、例えばＳ
ｉxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５５）とすればよい。ま
た、窒化ゲルマニウムの組成も特に限定されず、例えば
ＧｅxＮ1-x（ｘ＝０．３５〜０．５５）とすればよい。
【００２８】第２誘電体層３２は、単層構造（図１参
照）としてもよく、前述したように、必要に応じて積層
構造（図２参照）としてもよい。単層構造とする場合、
第２誘電体層は、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
するか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を
主成分とすることが好ましい。また、積層構造とする場
合、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分とする誘電体層
２ａを記録層４側に設け、酸化ケイ素を主成分とする
か、希土類酸化物を主成分とする誘電体層２ｂを反射層
５側に設ける２層構造とすることが好ましい。
【００２９】第２誘電体層３２が硫化亜鉛および酸化ケ
イ素を主成分とする単層構造である場合、酸化ケイ素含
有率は、好ましくは２モル％以上、より好ましくは４０
モル％以上である。第２誘電体層３２の酸化ケイ素含有
率が低すぎると、第２誘電体層３２から記録層へのＺｎ
やＳの拡散の影響が大きくなる。
【００３０】第２誘電体層を２層構造とし、硫化亜鉛お
よび酸化ケイ素を主成分とする誘電体層２ａを設ける場
合、誘電体層２ａの酸化ケイ素含有率は５〜６０モル％
とすることが好ましい。誘電体層２ａの酸化ケイ素含有
率が低すぎると、誘電体層２ａから記録層へのＺｎやＳ
の拡散の影響が大きくなり、酸化ケイ素含有率が高すぎ
ると、誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分と
なる。
【００３１】第２誘電体層３２に用いる希土類元素は特
に限定されず、例えばＣｅ、Ｌａ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ
ｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の少なくとも１種を用いればよいが、
好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙの少なくとも１種を用いる。
【００３２】なお、酸化ケイ素を含有する各誘電体層が
それぞれ満足すべき、あるいは満足することが好ましい
上記酸化ケイ素含有率は、層の平均値としてだけでな
く、層全体を通して満足される必要がある。
【００３３】本明細書における酸化ケイ素含有率は、硫
化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺｎＳおよびＳｉＯ
2に換算して、ＳｉＯ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）により求
めた値である。すなわち、蛍光Ｘ線分析などにより求め
たＳ量、Ｚｎ量、Ｓｉ量に基づいて決定する。なお、例
えばＳに対しＺｎが過剰であった場合や、Ｚｎに対しＳ
が過剰であった場合には、過剰なＺｎやＳは、他の化合
物（ＺｎＯ等）として含有されているか、遊離状態で存
在しているものと考え、ＺｎＳ含有率算出の際にはＺｎ
およびＳのうち少ないほうに合わせる。
【００３４】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは３
０〜３００nm、より好ましくは５０〜２５０nmである。
第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、記録
に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、変調度
も高くなる。
【００３５】誘電体層１ｂの厚さは、０．５〜４０nm、
好ましくは０．８〜３０nmである。ただし、誘電体層１
ｂを窒化ケイ素から構成する場合には、高温・高湿環境
下で保存したときの剥離を防ぐために、５nm未満、特に
４nm以下とすることが好ましい。また、誘電体層１ｂを
窒化ゲルマニウムから構成する場合には、高温・高湿環
境下で保存しても剥離は生じないので、バリア性を高く
するために、５〜４０nm、特に５〜３０nmとすることが
好ましい。誘電体層１ｂが薄すぎても厚すぎても、オー
バーライト可能回数の向上が不十分となる。
【００３６】また、第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対す
る誘電体層１ｂの厚さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）は、
好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下であ
る。誘電体層１ｂの厚さが上記した好ましい範囲内であ
っても、ｔ1b／ｔ1が大きすぎるとオーバーライト可能
回数の向上が不十分となる。
【００３７】第２誘電体層３２の厚さは、１０〜５０n
m、好ましくは１３〜３５nmである。第２誘電体層をこ
のような厚さとすることにより冷却速度が速くなるの
で、記録マークのエッジが明瞭となってジッターが小さ
くなる。また、このような厚さとすることにより、変調
度を高くすることができる。
【００３８】第２誘電体層３２を２層構造とする場合、
誘電体層２ａの厚さは好ましくは２〜１５nm、より好ま
しくは３〜１０nmである。誘電体層２ａが薄すぎると、
誘電体層２ａを設けることによる効果が不十分となる。
一方、誘電体層２ａが厚すぎると、高パワーで記録する
場合に、誘電体層２ａから記録層４へのＺｎやＳの拡散
の影響が大きくなる。なお、第２誘電体層の厚さ
（ｔ2）に対する誘電体層２ａの厚さ（ｔ2a）の比（ｔ
2a／ｔ2）は、通常、０．５程度以下とすることが好ま
しい。
【００３９】硫化亜鉛を含有する誘電体層には、０〜１
０００℃においてその硫化物生成標準自由エネルギーが
ＺｎＳ生成標準自由エネルギーより低い元素（以下、金
属元素Ａという）を含有させることが好ましい。誘電体
層中に金属元素Ａを含有させることにより、繰り返しオ
ーバーライトの際に誘電体層からのＳやＺｎの遊離を抑
制することができ、これによりジッター増大を防ぐこと
ができるので、オーバーライト可能回数を増やすことが
できる。
【００４０】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００４１】誘電体層中において、全金属元素に対する
金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好ましくは１．５
原子％以下、より好ましくは１．３原子％以下である。
金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオーバーライ
ト時のジッター増大抑制効果が実現しない。なお、金属
元素Ａの添加による効果を十分に実現するためには、金
属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％以上、より
好ましくは０．０３原子％以上とする。全金属元素中の
金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭＡ（電子線
プローブＸ線マイクロアナリシス）などにより測定する
ことができる。なお、誘電体層中における全金属量を求
める際には、Ｓｉ等の半金属も加えるものとする。
【００４２】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００４３】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましく、特にスパッタ
法により形成することが好ましい。誘電体層１ｂを形成
する場合には、例えば窒化ケイ素や窒化ゲルマニウムを
ターゲットするスパッタ法を用いてもよく、ＳｉやＧｅ
をターゲットとして窒素含有雰囲気中でスパッタを行う
反応性スパッタ法を用いてもよい。
【００４４】なお、スパッタ法を用いて傾斜組成構造の
誘電体層を形成する場合、例えば、複数のターゲットを
用いる多元スパッタ法を利用し、成膜初期から終期にか
けて、各ターゲットへ投入するパワーの比を段階的また
は連続的に変化させればよい。
【００４５】誘電体層中に上記金属元素Ａを含有させる
ためには、様々な方法を利用することができる。例え
ば、金属元素ＡがＣｅである場合には、Ｃｅ単体やＣｅ
Ｏ2からなるチップを、誘電体層の主成分となる主ター
ゲット上に載せたものをターゲットとして用いてもよ
く、主ターゲット中にＣｅＯ2やその他のＣｅ化合物と
して含有させてもよい。また、金属元素ＡとしてＣａや
Ｍｇを用いる場合、上記主ターゲット上にＣａＯやＭｇ
Ｏからなるチップを載せてターゲットとしてもよいが、
これらには潮解性があるので、好ましくない。したがっ
て、この場合には、ＣａＦ2やＭｇＦ2からなるチップを
主ターゲット上に載せてターゲットとすることが好まし
い。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂａ、Ｎａなどを用いる場
合も、潮解性の点で、酸化物チップよりもフッ化物チッ
プを用いるほうが好ましい。また、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、
Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以外の化合物として主ター
ゲット中に含有させて用いてもよい。なお、主ターゲッ
トには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などのような複合ターゲット
を用いてもよく、主ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ2
とをそれぞれ単独で用いるような多元スパッタ法を利用
してもよい。
【００４６】スパッタは、通常、Ａｒ雰囲気中で行う
が、上記金属元素Ａを含有させる場合には、好ましくは
ＡｒとＯ2との混合雰囲気中でスパッタを行う。スパッ
タ時のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上
記主ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有
効であるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主タ
ーゲットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合
物を含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰
囲気中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表
したとき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好
ましくは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、
記録パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、
消去パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好まし
くない。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させる
ためには、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ま
しくは１０％以上とする。
【００４７】記録層４ 記録時に高温まで誘電体層が加熱される相変化型記録媒
体であれば、記録層の組成によらず本発明の効果は認め
られるので、記録層の組成は特に限定されない。ただ
し、以下に説明するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成やＩｎ−Ａ
ｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成、特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の
記録層を有する相変化型光記録媒体に対し、本発明は特
に有効である。
【００４８】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式Ｉ Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
【００４９】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
【００５０】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００５１】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００５２】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式II ［（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc］1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．１０ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．７８、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
【００５３】式IIにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の反射率が低くなって変
調度が低下してしまう。
【００５４】式IIにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００５５】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００５６】式IIにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００５７】式IIにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、
ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素であ
る。元素Ｍは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素ＭのうちＶ、Ｔａ、Ｃｅ、ＧｅおよびＹの少な
くとも１種が好ましく、ＶおよびＴａの少なくとも１種
がより好ましく、Ｖが特に好ましい。
【００５８】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００５９】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
【００６０】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００６１】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００６２】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００６３】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００６４】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。
【００６５】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００６６】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００６７】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００６８】反射層５ 反射層の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の単体ある
いはこれらの１種以上を含む合金などの高反射率金属か
ら構成すればよい。反射層の厚さは、３０〜３００nmと
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十分
な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても反
射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。反射層
は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成する
ことが好ましい。
【００６９】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００７０】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００７１】記録再生方法 本発明の光記録媒体へのオーバーライトは、従来の相変
化型光記録媒体へのオーバーライトと同様にして行うこ
ともできるが、好ましくは、オーバーライトに使用する
レーザービームの変調パターンを次に説明するものとす
る。
【００７２】本発明において好ましく使用されるレーザ
ービームの変調パターンを、図３（ａ）および図３
（ｂ）に示す。図３（ａ）は、３Ｔ信号記録用の変調パ
ターン（記録パルスパターン）であり、図３（ｂ）は、
１１Ｔ信号記録用の変調パターンである。各図におい
て、横方向は時間、縦方向はレーザービームのパワーレ
ベルである。なお、各図には、３Ｔおよび１１ＴのＮＲ
ＺＩ信号パターンを併記してある。
【００７３】これらの変調パターンにおけるパワーレベ
ルは、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バ
イアスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパ
ワー２）との３段階である。記録パワーをパルス変調す
ることは従来も行われているが、その場合には、記録パ
ルスのボトム値は消去パワーであるＰB1となっていた。
これに対し、このパターンの特徴は、記録パルスを、ピ
ーク値ＰP、ボトム値ＰB 2とし、かつ最終パルス照射後
に、パワーレベルをいったんボトム値ＰB2まで低下させ
た後、消去パワーレベルであるＰB1に戻すことである。
記録パルスをこのようなパターンとすることにより、記
録密度を高くした場合でも記録マークの形状が歪みにく
くなり、ジッターの増大を抑えることができる。
【００７４】なお、ＰP、ＰB1およびＰB2は、記録層の
組成や媒体の線速度などによっても異なるが、通常、そ
れぞれ９〜１２mW、４〜６mWおよび０〜２mWの範囲内か
ら選択される。
【００７５】本発明の光記録媒体にオーバーライトを行
う際に、レーザービームに対する記録層の線速度は特に
限定されないが、記録層を上記組成とした場合には、線
速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは１．
２〜１６m/sである。
【００７６】上記組成の記録層を有する光記録媒体で
は、書き換えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例
えば１００〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
【００７７】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
【００７８】射出成形によりグルーブ（幅０．７４μ
m、深さ６５nm、ピッチ１．４８μm）を同時形成した直
径１２０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネー
ト基体２の表面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２
誘電体層３２、反射層５および保護層６を以下に示す手
順で形成し、図１または図２に示す構成を有する光記録
ディスクサンプルとした。
【００７９】第１誘電体層３１および第２誘電体層３２
を構成する各誘電体層の組成および厚さを、表１に示
す。なお、単層構成の第１誘電体層の組成および厚さに
ついては、表１の誘電体層１ａの欄に示し、単層構成の
第２誘電体層の組成および厚さについては、表１の誘電
体層２ａの欄に示した。各誘電体層のうち、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2からなるもの、ＳｉＯ2からなるもの、ＣｅＯ2か
らなるものは、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ法により
形成した。また、Ｓｉ3Ｎ4またはＧｅ3Ｎ4からなるもの
は、ＧｅまたはＳｉからなるターゲットを用い、窒素を
含有するＡｒ雰囲気中において反応性スパッタ法により
形成した。
【００８０】記録層４は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。記録層の組成および厚さを、表１
に示す。
【００８１】反射層５は、Ａｒ雰囲気中においてスパッ
タ法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子
％Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１５０nmとした。
【００８２】保護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の保護層厚さは５μm であった。
【００８３】このようにして作製した各サンプルの記録
層を、バルクイレーザーを用いて固相で初期化した。初
期化後の記録層の結晶粒径は、約１００nmであった。次
いで、各サンプルを光記録媒体評価装置（波長６３８n
m、開口率ＮＡ＝０．６、線速度６m/s）に載せ、以下の
記録パルスを用いて、繰り返しオーバーライトにおける
特性評価を行った。
【００８４】記録パルス パルスパターン：図３（ａ）、図３（ｂ）に例示される
パターン、 記録パワー（ピークパワー）：１１．０mW、 消去パワー（バイアスパワー１）：５．０mW、 ボトムパワー（バイアスパワー２）：０．５mW
【００８５】各サンプルについて、オーバーライト可能
回数を測定した。オーバーライト可能回数は、ジッター
が１３％以下に収まる最大のオーバーライト回数とし、
ジッターはオーバーライト１０００回ごとに測定した。
結果を表１に示す。
【００８６】また、第１誘電体層に剥離が生じると反射
率が大きく変化することを利用し、各サンプルを６０℃
・８０％ＲＨの環境下で５０時間保存した後の反射率変
化から剥離の有無を調べた。結果を表１に示す。
【００８７】
【表１】
【００８８】表１から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、第１誘電体層および第２誘電体層を共にＺｎ
Ｓ：ＳｉＯ2＝８５：１５（モル比）から構成した比較
サンプルNo.１８、記録層の両側に接してそれぞれＳｉ3
Ｎ4層を設けた比較サンプルNo.１９、および結晶化速度
促進のために誘電体層１ｂを本発明で限定する範囲より
も厚くした比較サンプルNo.２０（前記特開平６−１９
５７４７号公報の実施例に相当）では、オーバーライト
可能回数が１万回以下にすぎないが、本発明サンプル
（No.１〜１７）では、いずれもオーバーライト可能回
数が１０万回以上となっている。また、誘電体層１ｂを
窒化ケイ素から構成する場合には、厚さを５nm未満とす
れば、高温・高湿環境に保存した場合でも第１誘電体層
に剥離が生じないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明の光記録媒体の
オーバーライトに使用されるレーザービームの変調パタ
ーンを示すグラフである。
【符号の説明】
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千原 宏 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体上に相変化型の記録層を有し、記録
    層の下側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電
    体層および第２誘電体層を有し、第２誘電体層上に金属
    からなる反射層を有する光記録媒体であって、 第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に
    誘電体層１ｂをそれぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛
    および酸化ケイ素を主成分とするものであり、誘電体層
    １ｂが窒化ケイ素および／または窒化ゲルマニウムを主
    成分とするものであり、 第２誘電体層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
    するか、酸化ケイ素を主成分とするか、希土類酸化物を
    主成分とするものであり、 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmであって、かつ、
    第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対する誘電体層１ｂの厚
    さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）が０．５以下である光記
    録媒体。
  2. 【請求項２】 基体上に相変化型の記録層を有し、記録
    層の下側および上側にそれぞれ記録層と接する第１誘電
    体層および第２誘電体層を有し、第２誘電体層上に金属
    からなる反射層を有する光記録媒体であって、 第１誘電体層が、基体側に誘電体層１ａを、記録層側に
    誘電体層１ｂをそれぞれ含み、誘電体層１ａが硫化亜鉛
    および酸化ケイ素を主成分とするものであり、誘電体層
    １ｂが窒化ケイ素および／または窒化ゲルマニウムを主
    成分とするものであり、 第２誘電体層が、硫化亜鉛および酸化ケイ素を主成分と
    する誘電体層２ａを記録層側に含み、酸化ケイ素または
    希土類酸化物を主成分とする誘電体層２ｂを反射層側に
    含むものであり、 誘電体層１ｂの厚さが０．５〜４０nmであって、かつ、
    第１誘電体層の厚さ（ｔ1）に対する誘電体層１ｂの厚
    さ（ｔ1b）の比（ｔ1b／ｔ1）が０．５以下である光記
    録媒体。
  3. 【請求項３】 誘電体層１ｂが、窒化ケイ素を主成分と
    するものであって、かつ厚さが５nm未満である請求項１
    または２の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 硫化亜鉛および酸化ケイ素をそれぞれＺ
    ｎＳおよびＳｉＯ2に換算して酸化ケイ素含有率［Ｓｉ
    Ｏ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）］を求めたとき、誘電体層１
    ａの酸化ケイ素含有率が２〜４０モル％（４０モル％を
    含まず）である請求項１〜３のいずれかの光記録媒体。
  5. 【請求項５】 記録層がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを主成分
    とするものである請求項１〜４のいずれかの光記録媒
    体。
  6. 【請求項６】 記録層の平均結晶粒径が２０〜１５０nm
    である請求項１〜５のいずれかの光記録媒体。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかの光記録媒体に
    オーバーライトを行う方法であって、 オーバーライトに用いるレーザービームのパワーレベル
    を、ＰP（ピークパワー）と、ＰPよりも低いＰB1（バイ
    アスパワー１）と、ＰB1よりも低いＰB2（バイアスパワ
    ー２）との３段階とし、 記録マーク形成のためのレーザービームを、ピークパワ
    ーがＰP、ボトムパワーがＰB2となるようにパルス変調
    し、かつ、最終パルス照射後にパワーレベルをＰB2まで
    低下させた後、消去パワーレベルであるＰB1に戻す光記
    録媒体の記録方法。
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