JPH11168263A - 光デバイス装置及びその製造方法 - Google Patents

光デバイス装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH11168263A
JPH11168263A JP10268951A JP26895198A JPH11168263A JP H11168263 A JPH11168263 A JP H11168263A JP 10268951 A JP10268951 A JP 10268951A JP 26895198 A JP26895198 A JP 26895198A JP H11168263 A JPH11168263 A JP H11168263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
base
electrical connection
optical device
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10268951A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukio Furukawa
幸生 古川
Toshihiko Onouchi
敏彦 尾内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10268951A priority Critical patent/JPH11168263A/ja
Priority to US09/158,820 priority patent/US6507594B1/en
Priority to DE69827902T priority patent/DE69827902T2/de
Priority to EP98118346A priority patent/EP0905833B1/en
Publication of JPH11168263A publication Critical patent/JPH11168263A/ja
Priority to US10/243,771 priority patent/US6771677B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0236—Fixing laser chips on mounts using an adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
    • H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18341—Intra-cavity contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】放熱性に優れ、作製の簡単な光デバイス装置で
ある。 【解決手段】第１の基板１１および第１の基板１１に支
持されている少なくとも１つの光機能領域とこれに対応
した電気的接続部２７、３１を含む第１の基体と、第２
の基板５１および第２の基板５１に搭載された電気的接
続部５５を含む第２の基体とが、異方導電性接着剤５
７、５９によって固定されている。両電気的接続部３
１、５５において第１の基体と第２の基体とが電気的に
接続されている。光機能領域の活性層１７と第２の基体
との距離を小さくでき、活性層１７から発生した熱を効
率よく第２の基体側に放出できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光デバイ
スや半導体受光デバイスなど、特に基板に垂直な方向に
光を発する垂直共振器型面発光半導体レーザなどの光デ
バイス装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量の光通信や光インターコネクショ
ンを実現するために、複数のレーザ素子をアレイ状に配
置し、光情報を並列に伝送する研究が進められている。
このアレイ化に適した発光デバイスとして、垂直共振器
型面発光半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emit
ting Laser: VCSEL）が注目されている。面発光半導体
レーザは、上下２つの反射ミラーで構成された共振器長
数μｍのファブリペロー共振器であるのが一般的であ
る。そして、低しきい値化を実現するために、発振波長
において吸収が小さく、できるだけ反射率の高い反射ミ
ラーが要求され、通常２種の屈折率の異なる材料を１／
４波長の厚さで交互に積層した多層膜が用いられる。
【０００３】また、半導体材料の選択によって、様々な
波長の面発光半導体レーザを構成することが可能であ
る。例えば、発振波長０．８５μｍや０．９８μｍのＧ
ａＡｓ系面発光半導体レーザと、発振波長１．３μｍや
１．５５μｍのＩｎＰ系面発光半導体レーザが良く知ら
れている。
【０００４】ＧａＡｓ系の場合、ミラーとしてはＧａＡ
ｓ基板上にエピタキシャル成長が可能なＡｌＡｓ／（Ａ
ｌ）ＧａＡｓ多層膜を用いるのが一般的である。一方、
ＩｎＰ系の場合、ＩｎＰ基板上にエピタキシャル成長が
可能なＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰでは屈折率差が小さく高
反射率が得にくいため、他の材料、例えばＳｉＯ2／Ｓ
ｉ多層膜やＡｌ2Ｏ3／Ｓｉ多層膜などが用いられてい
る。また、ＩｎＰ基板上に成長した活性層を含む半導体
層上に、別のＧａＡｓ基板上に成長したＡｌＡｓ／（Ａ
ｌ）ＧａＡｓ多層膜を貼り合わせて形成するといった手
法も知られている。
【０００５】アレイ化した面発光半導体レーザに電極取
り出し構造を設けるためには、面発光半導体レーザの表
面に直接電極引き出しパターンを形成するといった手法
がある。また、他の基板に配線パターンを形成し、それ
とレーザ基板を貼り付けるという手法も提案されてい
る。例えば、図８に示すように、電気配線を搭載したＡ
ｌＮ基板の電極とＡｌＧａＡｓ基板上の面発光半導体レ
ーザ表面の電極とを、はんだバンプを用いて電気的に接
続するものがある（特開平７−２８３４８６号参照）。
必要に応じてはんだバンプの回りを樹脂で埋め込んでも
よい。他には、図９に示すように、電気配線を搭載した
基板（第２の基板）の電極と第１の基板上の面発光半導
体レーザ表面の電極を直接接続して、まわりを樹脂で固
めるといった手法もある（特開平８−１５３９３５号参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、面
発光半導体レーザの表面に直接電極引き出しパターンを
形成した場合、レーザ領域の回りに電極パッドが必要に
なるため、レーザウェハの利用効率が低下し、コストが
かかる。
【０００７】また、他の基板に配線パターンを形成し、
それとレーザ基板を貼り付ける場合、例えば、図８のは
んだバンプを用いた電極取り出し構造においては、はん
だバンプの径が数１０から１００μｍ程度であるため、
活性層から電気配線を搭載した基板までの距離がはんだ
バンプ径で限定されてしまい、放熱性が悪いという欠点
がある。また、所定位置に多数のはんだバンプを配置す
る必要があり、作成工程が煩雑になることは否めない。
【０００８】図９の電気配線を搭載した基板の電極と面
発光半導体レーザ表面の電極を直接接続して、まわりを
樹脂で固める手法を用いた場合、活性層から電気配線を
搭載した基板（第２の基板）までの距離は図８の例に比
べ小さくすることが可能である。しかし、上下の電極の
間に挟まった樹脂の影響で抵抗が増加したり、最悪の場
合は絶縁されてしまいコンタクトが取れないなどとい
う、歩留まりの問題があった。また、表面状態に敏感
で、表面に絶縁物のゴミが付着していたり、酸化膜で覆
われていたりした場合、コンタクトを得るのが困難にな
るといった問題もある。
【０００９】また、面発光半導体レーザにおいて、半導
体材料と発振波長帯によっては基板を除去する必要があ
る。例えば、ＧａＡｓ基板を用いて発振波長０．８５μ
ｍの面発光半導体レーザを作製する場合、ＧａＡｓ基板
は不透明であるため、基板側から光を取り出すためには
基板を除去する必要がある。その他、ＩｎＰ基板を用い
て発振波長１．３μｍあるいは１．５５μｍの面発光半
導体レーザを作製する場合、ＩｎＰ基板を除去した後に
誘電体からなる多層膜ミラーを成膜する必要がある。そ
のため、面発光半導体レーザの発光領域に応じて半導体
基板をホール状にエッチングすることが行われている。
このホール状エッチングを再現性よく行うことは困難で
あり、また、個々の半導体レーザに対してホール状にエ
ッチングすることは、半導体レーザをアレイ化した際の
高密度化を妨げる要因ともなっている。さらには、ホー
ル部にＳｉＯ2／Ｓｉ多層膜やＡｌ2Ｏ3／Ｓｉ多層膜と
いった多層膜を再現性良く成膜することも難しく、歩留
まりを下げる要因となる。
【００１０】図８、図９の例においても、半導体材料と
発振波長帯によっては基板を除去する必要がある（図８
の例では基板除去を不要にするため発振波長に対し透明
なＡｌＧａＡｓ基板を用いているが、この基板は一般的
でなくコストがかかる）が、この場合、こうした問題が
ある。電極付き基板を保持基板として、レーザ基板を貼
り付けた後に全面にわたり半導体基板を除去する方法も
考えられるが、図８、図９の例では、半導体基板を全面
にわたって除去することについて考慮されていない。具
体的には、除去後の膜厚が数μｍになったときの応力や
熱膨張などによって活性層にストレスがかかり、発振し
きい値の上昇や効率の低下を招いてしまうという欠点が
ある。
【００１１】このような課題に鑑み、本発明の目的は、
放熱性に優れ、作製の簡単なＶＣＳＥＬ装置などの光デ
バイス装置及びその製造方法を提供することにある。本
発明は、特に発熱の大きい発光デバイス装置において効
果を発揮するが、他の光デバイス装置でも優れた放熱性
を実現するものである。
【００１２】
【課題を解決する手段および作用】上記目的を達成する
ための本発明の光デバイスは、第１の基板、第１の基板
上に形成されている少なくとも１つの光機能領域（発光
領域、受光領域など）、光機能領域に電流を注入する或
は電圧を印加する為に光機能領域に対応して設けられた
少なくとも１つの第１の電気的接続部を含む第１の基体
と、第２の基板、第１の電気的接続部に対応して第２の
基板に設けられた少なくとも１つの第２の電気的接続部
（電気配線あるいは電子回路などを含んでもよい）を含
む第２の基体とが、導電性粒子を含んだ接着剤であっ
て、基板に垂直な方向にのみ導電性を有する異方導電性
接着剤によって固定されており、前記対応する第１及び
第２の電気的接続部において第１の基体と第２の基体と
が電気的に接続されていることを特徴とする。この構成
により、光機能領域の活性層と第２の基体との距離を小
さくでき、活性層から発生した熱を効率よく第２の基体
側に放出できる。
【００１３】より具体的には以下の様にもできる。第１
の基体と第２の基体とが電気的に接続される第１及び第
２の電気的接続部において、両基体の最表面に電極が存
在しており、第１及び第２の電気的接続部における第１
の基体と第２の基体の距離が、電気的非接続部における
第１の基体と第２の基体の距離に比べ小さくなるよう
に、第１の基体または第２の基体において、第１または
第２の電気的接続部の電極の上面が突き出ている。この
構成により、電気的接続部でのコンタクトを確実にで
き、さらに歩留まりを向上できる。
【００１４】電気的非接続部における第１の基体と第２
の基体との距離が導電性粒子の粒径よりも十分大きくな
るように、第１の基体または第２の基体において、第１
または第２の電気的接続部の電極の上面が突き出てい
る。この構成により、電気的接続部以外で電気的接続が
起きることを防ぐことができ、さらに歩留まりを向上で
きる。
【００１５】電気的非接続部において、第１の基体と第
２の基体の少なくとも一方の最表面に絶縁層が存在して
いる。この構成によっても、電気的接続部以外で電気的
接続が起きることを防ぐことができ、さらに歩留まりを
向上できる。
【００１６】前記光機能領域は、典型的には、発光領域
である。この構成において、第１の基体は、発光領域に
対応して形成された第１の多層膜ミラーと、第１の基板
上にエピタキシャル成長された活性層を含む半導体層
と、第２の多層膜ミラーとを含んだ第１の基板側から光
を取り出す面発光半導体レーザ構造を有している様にで
きる。この構成により、上記の構成において面発光半導
体レーザが構成できる。更に、異方導電性接着剤によっ
て固定された後に第１の基板の少なくとも一部（典型的
には、全域或はほぼ全域）を除去してなる様にできる。
この構成により、各光機能領域に対してホール状エッチ
ングすることなく成長基板である第１の基板の除去が可
能であるので、製造工程が簡単化できそして生産性が向
上する。また、デバイスが安定に作製でき、成長基板側
から光を取り出すのが容易で、アレイ化に適した構造の
面発光半導体レーザを実現できる。
【００１７】第１の電気的接続部の大きさが光機能領域
よりも十分大きい。この構成により、接着剤が収縮する
ことによる応力や熱膨張などによって生じるストレスが
光機能領域に伝わりにくくなり、たとえ成長基板を除去
しても光デバイスの特性を劣化させることがなくなる。
即ち、基板除去時の影響を小さくすることで、より特性
を安定させた面発光半導体レーザ等を実現できる。
【００１８】第１の基体は、第１の多層膜ミラーと第１
の電気的接続部の電極を含む第１の凸部を有しており、
第１の基板に平行な面内での第１の多層膜ミラーの径が
光機能領域の径よりも十分大きい。この構成によって
も、接着剤が収縮することによる応力や熱膨張などによ
って生じるストレスが光機能領域に伝わりにくくなり、
たとえ成長基板を除去しても光機能領域の特性を劣化さ
せることがなくなる。
【００１９】第１の基体は、光機能領域に対応して設け
られた第１の電気的接続部を含む第１の凸部と、光機能
領域の近傍に設けられた第１の凸部より若干低い高さを
有する第２の凸部を有しており、第１の凸部は第２の基
体と第１の電気的接続部を介して電気的に接続されてお
り、第２の凸部は第２の基体と電気的に絶縁されてい
る。この構成によっても、接着剤が収縮することによる
応力や熱膨張などによって生じるストレスが光機能領域
に伝わりにくくなり、たとえ成長基板を除去しても光機
能領域の特性を劣化させることがなくなる。この構成に
おいて、第１の凸部は第１の多層膜ミラーと第１の電気
的接続部の電極を含んでおり、第２の凸部は第１の多層
膜ミラーを含んでいる様にできる。
【００２０】第１の基体は、光機能領域に対応して設け
られた電気的接続部を含む第１の凸部と、光機能領域の
近傍に設けられた第１の凸部とほぼ同じ高さを有する電
気的接続部を含む第２の凸部を有しており、第１の凸部
は第２の基体と第１の電気的接続部を介して電気的に接
続されており、第２の凸部も第２の基体と第１の電気的
接続部を介して電気的に接続されている。この構成によ
り、光機能領域の両電極を同じ基板側に取り出す構成に
できるので電気的取り回しが簡単になり生産性が向上
し、更に接着剤が収縮することによる応力や熱膨張など
によって生じるストレスが光機能領域に伝わりにくくな
り、たとえ基板を除去しても発光領域の特性を劣化させ
ることがなくなる。この構成において、第１の凸部は第
１の多層膜ミラーと第１の電気的接続部の電極を含んで
おり、第２の凸部も第１の多層膜ミラーと第１の電気的
接続部の電極を含む様にできる。この構成は容易に作製
できる。
【００２１】第１の基体と第２の基体を貼り付けた後に
第１の基板の全域或はほぼ全域を除去し、除去して現れ
た半導体面に第２の多層膜ミラーを形成した構成である
（とくに、第２の多層膜ミラーが誘電体多層膜から成っ
たりする）。この構成により、ホール部への成膜が不要
であるのでミラーの成膜が簡単になり歩留まり及び生産
性が向上する。
【００２２】第１、第２の多層膜ミラーが、共に第１の
基板にエピタキシャル成長された半導体多層膜からな
る。この構成により、半導体多層膜ミラーを用いた上記
のような面発光半導体レーザ等の作製が可能になる。多
層膜ミラーと半導体エピ層とを連続的に積層できるので
製造工程が簡単化される。
【００２３】第１の基体が端面発光型半導体レーザ構造
を有している。この構成により、上記のような構成にお
いて、端面発光型半導体レーザが構成できる。
【００２４】異方導電性接着剤が、接着性を有する絶縁
性樹脂、及び該絶縁性樹脂中に配合された導電性粒子か
らなる。更には、絶縁性樹脂が、熱硬化型樹脂、熱可塑
性樹脂、もしくは紫外線硬化型樹脂であり、異方導電性
接着剤がペースト状或はシート状の接着剤である。この
構成により、加圧しながら、加熱あるいは紫外線を照射
することで異方導電性接続を得ることができる。さら
に、絶縁性樹脂が熱可塑性樹脂である場合には、リペア
（接着後に電極の位置ずれがあるときに、再加熱により
接着剤を溶融させて基板を引き剥がし、溶剤で洗浄し
て、再利用可能にすること）することが可能となり、生
産性が向上する。
【００２５】第２の基板が熱伝導性のよい材料である。
この構成により、発光デバイスなどの光デバイスの放熱
をより容易にすることが可能となる。
【００２６】更に、上記目的を達成するための本発明の
光デバイスの製造方法は、第１の基板上に活性層を含む
半導体層をエピタキシャル成長する工程、第１の基板上
に少なくとも１つの活性領域と活性領域に電流を注入す
るか或は電圧を印加するための第１の電気的接続部を形
成して第１の基体を構成する工程、第２の基板上に前記
第１の電気的接続部に対応した少なくとも１つの第２の
電気的接続部を形成して第２の基体を構成する工程、導
電性粒子を含んだ接着剤であって、前記基板に垂直な方
向にのみ導電性を有する異方導電性接着剤によって第１
の基体と第２の基体を接合し、前記対応する第１及び第
２の電気的接続部において第１の基体と第２の基体とを
電気的に接続する工程、を有することを特徴とする。
【００２７】本発明の原理を具体例を用いて説明する。
上記目的を達成するため、本発明では、面発光半導体レ
ーザ等の発光素子などの光デバイスを搭載した第１の基
体と、電気的接続部（電気配線あるいは電子回路などを
含んでもよい）を搭載した第２の基体とを、上記のいわ
ゆる異方導電性接着剤によって固定し、所定部分におい
て第１の基体と第２の基体とが電気的に接続することに
より発デバイス装置を構成している。面発光半導体レー
ザ装置を例にとり、図１を用いて説明する。第１の基体
において、第１の基板は例えばＩｎＰ基板であり、第１
の基板上に活性層を含む半導体層をエピタキシャル成長
し、発光領域のまわりをドーナツ状にエッチングしてポ
リイミドなどを埋め込む。さらに、発光領域以外の部分
をＳｉＮxなどの絶縁層で覆った後に窓をあけた電極を
成膜し、窓部分のコンタクト層を除去する。次いで、誘
電体多層膜ミラーをＲＦスパッタ法などで形成し、ミラ
ーを電極で覆う。
【００２８】第２の基体において、第２の基板は例えば
Ｓｉ基板であり、表面に熱酸化膜を形成した後に電極を
形成する。図１には示していないが、この電極はパッド
を備えた配線などに接続されていてもよい。次いで、第
２の基体上に異方導電性接着剤を配置し、電極同士が接
着するように第１の基体を第２の基体に対して合わせて
加圧・加熱することによって、両者は接着される。
【００２９】異方導電性接着剤は、特開昭６２−２６０
８７７号、特開昭６２−１６５８８６号等に提案されて
おり、基本的には、接着性を有する絶縁性樹脂と、その
樹脂中に配合された導電性粒子からなる。絶縁性樹脂と
しては、熱硬化型樹脂、熱可塑性樹脂もしくは紫外線硬
化型樹脂が用いられる。導電性粒子は例えばプラスチッ
ク粒子に金をコーティングしたものや、Ｎｉ等の金属粒
子に金をコーティングしたものであり、用途にもよる
が、導電性粒子は体積比で０．１から１０％程度含まれ
るのが一般的である。印刷等で塗布可能なペースト状の
タイプ（例えば、ハイソール株式会社製の接着剤ＴＧ９
０００１）や、予めシート状に加工したタイプ（例え
ば、日立化成工業株式会社製の接着剤ＦＣ−１００）な
どが市販されている。
【００３０】このような異方導電性接着剤を挿んで、２
つの基板を圧縮加熱することにより、電極と電極に挟ま
れた部分では、導電性粒子が変形して電極と密着したり
（プラスチック粒子のような比較的柔らかい場合に起こ
り、接触面積の増加による抵抗低減の効果がある）、導
電性粒子の一部が電極にめり込んだり（Ｎｉ粒子のよう
な比較的固い場合に起こり、電極表面の酸化層を破壊し
て確実な導通を得る）して上下の導通が可能になる。一
方、その他の部分では粒子は絶縁性樹脂中に浮遊した状
態であり導通はとれない。よって、上下方向には導電
性、水平方向には絶縁性の、いわゆる異方導電性を得る
ことができる。
【００３１】通常の銀ペースト等の導電性接着剤も、樹
脂と導電性粒子の組み合わせであることが多いが、この
場合は体積比で８０％程度の導電性粒子が含まれるのが
一般的であり、水平方向にも導通してしまい、異方導電
性は得られない。
【００３２】導電性粒子の粒径はｌμｍ程度から１０μ
ｍ程度であり、貼り付け基板の形状に合わせて適当なも
のを選べばよい。例えば粒径４μｍのものを選んだ場
合、第１の基体と第２の基体の距離は４μｍ以下にな
る。これは、はんだバンプを用いた場合（図８に対応）
に比ベ一桁小さい値であり、優れた放熱性を実現する。
また、直接電極同士を接続して回りを樹脂で固めた場合
（図９に対応）に比べ、粒子の粒径と同程度のゴミが付
着していても問題無く接続でき、歩留まりが向上する。
この作用は、面発光半導体レーザに限らず、例えば端面
発光型半導体レーザなどであっても達成される。
【００３３】さらに、絶縁性樹脂として熱可塑性樹脂を
用いた場合、接着後に電極の位置ずれがあっても、再加
熱により接着剤を溶融させて基板を引き剥がし溶剤で洗
浄して、再び利用することができるので、生産性を向上
させることができる。
【００３４】さらに、本発明の光デバイス装置において
は、第２の基体を保持基板として用いることができるの
で、各光機能領域に対応して部分的にホールエッチング
することなく、第１の基体側の第１の基板を容易に除去
することが可能となり、特に面発光半導体レーザにおい
て、歩留まりを向上させることや高密度アレイ化が可能
となる。
【００３５】この点を図１を用いて説明する。第２の基
体に貼り付けを行った後に、第１の基板のほぼ全面を選
択ウエットエッチングなどの方法を用いて除去する。除
去後、半導体層の膜厚は１μｍから数μｍになる。この
状態において、接着剤が収縮することによる応力や熱膨
張などによって生じるストレスが発光領域に伝わりにく
くするため、接着する部分すなわち誘電体ミラーの部分
の大きさを発光領域の径に比べ大きくしている。そのた
め、成長基板を除去しても発光デバイスの特性を劣化さ
せることがない。さらに、除去して現れた半導体面に誘
電体多層膜ミラーを成膜する（ＬＥＤの場合はこれを省
いてもよい）。この場合、平坦な基板に成膜するのと同
等であるので、ホール部に成膜する場合に比べ歩留まり
が向上する。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に述べる。
【００３７】第１の実施例 図１、図２、図３を用いて本発明による第１の実施例を
説明する。図１は本実施例による面発光半導体レーザの
断面図、図２、図３は作製工程を説明する図である。ま
ず、図２を用いて第１の基体について説明する。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１１上に、厚さ０．２μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓ
エッチストップ層１３、厚さ２．０μｍのｎ−ＩｎＰス
ペーサ層１５、厚さ０．７μｍのｕ（ｕｎｄｏｐｅｄ）
−ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長１．３μｍ）の
バルク活性層１７、厚さ１．０μｍのｐ−ＩｎＰスペー
サ層１９、厚さ０．２μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層２１を順次成長する（図２（ａ））。成長手段は
たとえばＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＣＢＥ等の方法で行う。
【００３８】さらに、個々の発光領域のまわりをＲＩＢ
Ｅ法などでドーナツ状にエッチングして、エッチング部
分をボリイミド２３で埋め込む（図２（ｂ）、
（ｃ））。発光領域は、例えば、直径２０μｍの円形
で、ドーナツ形状にエッチングした外形は４０μｍの円
形とする。図２には示していないが、ポリイミド２３で
埋め込む前に後に作製する多層膜ミラーの有効径に合わ
せて、活性層１７を１５μｍ程度まで硫酸系エッチャン
トで選択ウェットエッチングしてもよい。
【００３９】次に、発光領域以外の部分を絶緑するため
にＳｉＮx２５で覆った後に直径１５μｍの窓をあけた
厚さ０．５μｍのＣｒ／Ａｕからなるｐ電極２７を蒸着
し、窓部分のコンタクト層２１を除去する（図２
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ））。次いで、厚さ２．５μｍ、
直径１００μｍのＡｌ2Ｏ3／Ｓｉからなる多層膜ミラー
２９をＲＦスパッタ法などで形成し、ミラー２９を厚さ
０．５μｍのＡｕ電極３１で覆う（図２（ｇ）、
（ｈ））。以上で、第１の基体の貼り付け面側の加工を
終了する。
【００４０】図３を用いて、貼り付け工程について説明
する。第１の基体は上記の工程で作製したものを上下反
転させてある（図３（ａ）左）。第１の基体について
は、その後の基板除去を簡単にするために１００μｍ程
度まで予め基板１１を研磨しておいてもよい。第２の基
体は、Ｓｉ基板５１の表面に熱酸化膜５３を形成した後
に、例えば、厚さ１μｍのＣｒ／Ａｕからなる電極５５
を形成してなる。図３には示していないが、この電極５
５はパッドを備えた配線に接続されている。このように
作製された第２の基体上に、導電性粒子５９を含んだ熱
硬化樹脂５７を塗布する（図３（ａ）右）。導電性粒子
５９はＮｉの金属粒子に金をコーティングしたものであ
り、粒径４μｍ程度のものである。そして、第１の基体
と第２の基体は、それらの電極部分が接触するようにそ
れぞれを合わせて、３ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を加えなが
ら２００℃に加熱して樹脂５７を硬化させる（図３
（ｂ））。加圧・加熱することにより、電極３１と電極
５５に挟まれた部分では導電性粒子５９が変形したり一
部が電極にめり込んだりして上下の導通が可能になる。
一方、その他の部分では粒子５９は樹脂５７中に浮遊し
た状態であり導通はとれない。
【００４１】このように貼り付けを行った場合、第１の
基体と第２の基体の距離は４μｍ以下になる。これは、
はんだバンプを用いた場合（図８に対応）に比ベ一桁小
さい値であり、これにより本発明のデバイスは放熱性に
優れている。また、直接電極同士を接続して回りを樹脂
で固めた場合（図９に対応）に比べ、粒子５９の粒径と
同程度のゴミが付着していても問題無く接続でき、歩留
まりが向上する。
【００４２】次に、一部分にＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ
電極６１を成膜した後に、基板１１を塩酸系エッチャン
トでエッチストップ層１３までエッチングし、さらに、
エッチストップ層１３を硫酸系エッチャントでエッチン
グして除去する（図３（ｃ））。このとき、ほぼ全面に
わたってエッチングすることができるので、ホール状エ
ッチングする場合に比べ、工程が簡単で歩留まりが向上
する。除去後、半導体層の膜厚は４μｍ程度になる。こ
の状態において、樹脂５７が収縮することによる応力や
熱膨張などによって生じるストレスが発光領域に伝わり
にくくするため、接着する部分すなわち多層膜ミラー２
９の部分の大きさを発光領域の径に比べ大きくしてい
る。そのため、基板１１を除去してもレーザの特性を劣
化させることがない。さらに、基板１１とエッチストッ
プ層１３を除去して現れた半導体面にＡｌ2Ｏ3／Ｓｉか
らなる多層膜ミラー６３を成膜する（図３（ｄ））。こ
の場合、平坦な基板に成膜するのと同等であるので、ホ
ール部に成膜する場合に比べ歩留まりが向上する。
【００４３】このような方法を用いて、４×４の面発光
半導体レーザアレイを作製したところ、しきい値や発振
波長、パワーなどの特性のばらつきは殆どなかった。各
半導体レーザの動作は、共通電極６１と所望の電極５５
の間で配線を介して電流を流すことで行なわれる。
【００４４】本実施例において、第２の基体には電気配
線の代わりに電子回路の電極が設けてあってもよく、基
板５１としてＳｉ以外であってもよく、例えばＡｌＮな
どでもよい。
【００４５】また、導電性粒子としてＮｉ粒子に金をコ
ーティングものを用いたが、これに限ったものではな
く、例えば、プラスチック粒子に金をコーティングした
ものであってもよい。また、その粒径も構造に応じて適
当なものを選べばよい。加えて、紫外線硬化型樹脂を用
いてもよい。この場合、第２の基体に用いる基板５１と
しては紫外線を透過するタイプのものが望ましい。さら
に、導電粒子を配合した樹脂を予めシート状に加工した
ものを第１の基体と第２の基体の間に挿んで、加圧・加
熱することにより接着を行ってもよい。また、熱可塑性
樹脂を用いてもよい。この場合、接着後に電極の位置ず
れがあっても、再加熱により接着剤を溶融させて基板を
引き剥がし溶剤で洗浄して、再び利用することができる
ので、生産性を向上させるという効果がある。
【００４６】また、ｎ電極６１を、貼り付けを行った後
に成膜しているが、貼り付けを行う前に予め成膜してお
いてもよい。さらに、活性層１７として、バルクではな
くＭＱＷ構造のものを用いてもよく、ｐ−ＩｎＰ基板を
用いてレーザの作製を行ってもよい。
【００４７】加えて、多層膜ミラー２９、６３はＡｌ2
Ｏ3／Ｓｉに限ったものではなく、例えば、ＳｉＯ2／Ｓ
ｉ、ＭｇＯ／Ｓｉであってもよい。
【００４８】第２の実施例 図４を用いて本発明による第２の実施例を説明する。図
４は本実施例による面発光半導体レーザの断面図であ
る。本実施例は、ｐ電極、ｎ電極ともに第２の基体側か
ら取り出せる構造になっている。構造は殆ど第１の実施
例と同様であり重複する部分の詳しい説明は省略する。
図４において、図１と同一の部分には同じ番号を付けて
ある。
【００４９】本実施例では、第１の基体は、発光領域以
外の部分の一部において、ｎ−ＩｎＰスペーサ層１５が
露出するようにエッチングされている。そして、この部
分でｎ側のコンタクトがとれるようにｎ電極１０１が成
膜されている。このとき、ｎ電極１０１とｐ電極２７と
を共に、両極性に対応できる電極、例えばＴｉ／Ｐｔ／
Ａｕで構成しておけば、同時に成膜することが可能とな
る。さらに、多層膜ミラー２９を成膜する際に同時に多
層膜ミラーと同一の構成のバンプ１０３を形成し、その
上をＡｕからなる電極１０５で覆う。このように作製し
た第１の基体を第１の実施例と同様の方法で第２の基体
に貼り付け、その後、基板１１およびエッチストップ層
１３を全面にわたって除去し、さらに、除去した上に多
層膜ミラー６３を成膜する。本実施例は、第１の実施例
に比べ、基板１１側にｎ電極をとるための領域を残す必
要が無いので、作製がより簡単になるという利点があ
る。さらに、ｎ電極、ｐ電極双方を第２の基体側から取
り出せるので、ＩＣパッケージへの実装が容易になる、
第２の基体に電子回路を設けた場合の整合性が良い、等
の利点がある。その他の点は第１実施例と同じである。
【００５０】第３の実施例 図５を用いて本発明による第３の実施例を説明する。図
５は本実施例による面発光半導体レーザの断面図であ
る。第２の基体は第１の実施例と同様の構造であり、同
一の番号をつけてある。第１の基体について以下に説明
する。ｎ−ＧａＡｓ基板（図５中においては後に除去さ
れるため記されていない）上に、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａ
ｓ／ｎ−ＡｌＡｓからなる半導体多層膜ミラー２１３、
厚さ０．１１μｍのｕ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓスペーサ層
２１５、ｕ−Ｉｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓ／ｕ−ＧａＡｓからな
る量子井戸構造の活性層２１７（バンドギャップ波長
０．８５μｍ）、厚さ０．１１μｍのｕ−Ａｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓスペーサ層２１９、ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ／
ｐ−ＡＩＡｓからなる半導体多層膜ミラー２２１を順次
成長する。成長手段はたとえばＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、Ｃ
ＢＥ等の方法で行う。
【００５１】さらに、ＲＩＢＥ法などで、円柱状の発光
領域の周囲をドーナツ状の土手が囲った形にエッチング
する。発光領域は例えば直径２５μｍの円形で、土手は
内径が５０μｍ外形が９０μｍのドーナツ状とする。図
５には示していないが、発光領域の半導体多層膜ミラー
２２１のＡｌＡｓを選択的に酸化することにより、電流
狭窄構造を設けてもよい。そして、発光領域の多層膜ミ
ラー２２１上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ電極２２３
を成膜して、第１の基体の貼り付け面側の加工を終了す
る。
【００５２】次に、このように作製した第１の基体を第
１の実施例と同様の方法で第２の基体に貼り付けた後、
ｎ−ＧａＡｓ基板（図５中表示なし）を全面にわたって
除去し、発光領域以外の一部分にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから
なるｎ電極２２５を成膜する。本実施例における面発光
半導体レーザにおいて、発振波長に対して成長基板は不
透明であるので除去する必要がある。本実施例では、樹
脂５７が収縮することによる応力や熱膨張などによって
生じるストレスが発光領域に伝わりにくくするため、発
光領域の回りに発光領域の円柱の高さよりも若干低い高
さを有する土手を形成している。よって、成長基板全面
を除去してもレーザの特性を劣化させることがない。す
なわち、ホール状エッチングすることなく、第２の基体
を支持基板としてｎ−ＧａＡｓ基板（図５中表示なし）
を全面にわたって除去できるので、工程が簡単で歩留ま
りが向上する。このような方法を用いて、４×４の面発
光半導体レーザアレイを作製したところ、しきい値や波
長、パワーなどの特性のばらつきは殆どなかった。
【００５３】本実施例において、ｎ電極２２５を、貼り
付け基板５１への貼り付けを行った後に成膜している
が、貼り付けを行う前に予め成膜しておいてもよい。ま
た、活性層２１７として、バルク構造のものを用いても
よく、ｐ−ＧａＡｓ基板を用いてレーザの作製を行って
もよい。
【００５４】第４の実施例 図６を用いて本発明による第４の実施例を説明する。図
６は本実施例による面発光半導体レーザの断面図であ
る。第１の基体の半導体層の構成は第３の実施例と同様
の構造であり、同一の番号をつけてある。第１の基体に
ついて以下に説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板（図６中にお
いては後に除去されるため記されていない）上に半導体
層を成膜した後に、発光領域のまわりをＲＩＢＥ法など
でドーナツ状にエッチングして、エッチング部分をポリ
イミド３０１で埋め込む。発光領域は、例えば、直径２
５μｍの円形で、ドーナツ形状にエッチングした外形は
５０μｍの円形とする。図６には示していないが、ポリ
イミド３０１で埋め込む前に発光領域の半導体多層膜ミ
ラー２２１のＡｌＡｓを選択的に酸化することにより、
電流狭窄構造を設けてもよい。次に、発光領域以外の部
分を絶縁するためにＳｉＮx３０３で覆った後に、Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕからなる直径８０μｍの円形のｐ電極３０
５を蒸着する。以上で、第１の基体の貼り付け面側の加
工を終了する。
【００５５】第２の基体は、Ｓｉ基板３５１の表面に熱
酸化膜３５３を形成した後に、例えば、厚さ１μｍのＣ
ｒ／Ａｕからなる電極３５５を形成してあり、さらに電
気的接続部以外の領域を５μｍ程度エッチングしてあ
る。図６には示していないが、この電極はパッドを備え
た配線に接続されている。このように作製した第１、第
２の基体を第１の実施例と同様の方法で第２の基体に貼
り付けた後、ｎ−ＧａＡｓ基板（図６中表示なし）を全
面にわたって除去し、発光領域以外の一部分にＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕからなるｎ電極２２５を成膜する。
【００５６】本実施例においては、発光領域に比べ電気
的接続部が大きいため、樹脂５７が収縮することによる
応力や熱膨張などによって生じるストレスが発光領域に
伝わりにくくなっている。また、第２の基体の電気的非
接続部において基板が予めエッチングされているため、
加圧時に不要な樹脂が効果的に電気的接続部の外に押し
出されるといった利点があり、さらに、樹脂５９の粒径
より電気的非接続部の第１、第２の基体のギャップが大
きいため、確実に絶緑をとることができる。本実施例に
おいて、第２の基体には電気配線の代わりに電子回路の
電極が設けてあってもよく、基板としてＳｉ以外であっ
てもよく、例えばＡｌＮなどでもよい。また、第２の実
施例のように、ｐ電極、ｎ電極両方を第２の基板側から
取り出す構成にしてもよい。動作などは上記実施例と同
じである。
【００５７】第１実施例から第４実施例において、光の
取り出し側の反射ミラーを付けないで、ＬＥＤアレーと
してもよい。ＬＥＤの作製はその分容易になる。
【００５８】第５の実施例 本発明は面発光半導体レーザだけでなく、端面発光型半
導体レーザに適用してもよい。図７を用いて本発明によ
る第５の実施例を説明する。図７は本発明による端面発
光型半導体レーザの斜視断面図である。
【００５９】第１の基体の構成について説明する。ｎ−
ＩｎＰ基板４１１上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波層４１
３、ｕ−ＩｎＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長１．３μ
ｍ）のバルク活性層４１５、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰグレー
ティング層４１７、ｐ−ＩｎＰクラッド層４１９、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層４２１を順次成長する。成
長手段はたとえばＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、ＣＢＥ等の方法
で行う。グレーティング層４１７には回折格子４１８が
形成されている。
【００６０】さらに、クラッド層４１９、コンタクト層
４２１をリッジ状にエッチングし、その上に、Ｃｒ／Ａ
ｕからなるｐ電極４２３、４２５、４２７を成膜する。
最後に、ＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ電極４２９を成膜す
る。また、両端面には反射防止膜が形成されている（図
７中には示していない）。本実施例においては、１つの
共振器に対し３つの独立な電流注入領域を設けた３電極
構造のＤＦＢレーザアレイを構成している。
【００６１】第２の基体は、熱酸化膜５３を形成したＳ
ｉ基板５１上に、ｐ電極４２３、４２５、４２７に対応
した位置に電極４５３、４５５、４５７を成膜してい
る。図７には示していないが、この電極４５３、４５
５、４５７はパッドを備えた配線に接続されている。こ
のように作製した第１、第２の基体を第１の実施例と同
様の方法で貼り付けてレーザアレイが構成される。
【００６２】第２の基体を介して電流注入を行なうこと
によりレーザを駆動する。例えば、各領域の電流注入量
を制御することにより波長可変を行なうことも可能であ
る。
【００６３】本実施例においては、粒子５９の粒径４μ
ｍの接着剤を用いた場合、第１の基体と第２の基体の距
離は４μｍ以下になり、放熱性に優れ、歩留まりの良い
レーザアレイを構成することができる。本実施例におい
て、活性層としてはＭＱＷ構造のものを用いてもよい。
また、ＤＢＲレーザやファブリ・ペロレーザであっても
よく、２電極構造や単電極構造であっても勿論よい。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放熱性に優れ、作製の簡単な光デバイス装置を実現でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明による光デバイス装置の第１の実
施例を示す断面図である。
【図２】図２は第１の実施例の作成プロセスを説明する
図である。
【図３】図３は第１の実施例の作成プロセスを説明する
図である。
【図４】図４は本発明による光デバイス装置の第２の実
施例を示す断面図である。
【図５】図５は本発明による光デバイス装置の第３の実
施例を示す断面図である。
【図６】図６は本発明による光デバイス装置の第４の実
施例を示す断面図である。
【図７】図７は本発明による光デバイス装置の第５の実
施例を示す斜視断面図である。
【図８】図８は従来例を示す図である。
【図９】図９は他の従来例を示す図である。
【符号の説明】
１１，５１，３５１，４１１ 基板 １３ エッチストップ層 １５，１９，２１５，２１９ スペーサ層 １７，２１７，４１５ 活性層 ２１，４２１ コンタクト層 ２３，３０１ ポリイミド ２５，３０３ ＳｉＮx ２７，３１，５５，６１，１０１，１０５，２２３，２
２５，３０５，３５５，４２３，４２５，４２７，４２
９，４５３，４５５，４５７ 電極 ２９，６３，２１３，２２１ 多層膜ミラー ５３，３５３ 熱酸化膜 ５７ 樹脂 ５９ 導電性粒子 １０３ バンプ ４１３ 導波層 ４１７ グレーティング層 ４１８ 回折格子 ４１９ クラッド層

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の基板、第１の基板上に形成されてい
    る少なくとも１つの光機能領域、該光機能領域に電流を
    注入する或は電圧を印加する為に該光機能領域に対応し
    て設けられた少なくとも１つの第１の電気的接続部を含
    む第１の基体と、 第２の基板、該第１の電気的接続部に対応して第２の基
    板に設けられた少なくとも１つの第２の電気的接続部を
    含む第２の基体とが、 導電性粒子を含んだ接着剤であって、該基板に垂直な方
    向にのみ導電性を有する異方導電性接着剤によって固定
    されており、 前記対応する第１及び第２の電気的接続部において第１
    の基体と第２の基体とが電気的に接続されていることを
    特徴とする光デバイス装置。
  2. 【請求項２】前記第２の基体は、更に前記第２の電気的
    接続部に繋がった電気配線あるいは電子回路を含むこと
    を特徴とする請求項１に記載の光デバイス装置。
  3. 【請求項３】前記第１の基体と第２の基体とが電気的に
    接続される前記第１及び第２の電気的接続部において、
    両基体の最表面に電極が存在しており、該第１及び第２
    の電気的接続部における第１の基体と第２の基体の距離
    が、電気的非接続部における第１の基体と第２の基体の
    距離に比べ小さくなるように、第１の基体または第２の
    基体において、該第１または第２の電気的接続部の電極
    の上面が突き出ていることを特徴とする請求項１または
    ２に記載の光デバイス装置。
  4. 【請求項４】電気的非接続部における第１の基体と第２
    の基体との距離が導電性粒子の粒径よりも十分大きくな
    るように、第１の基体または第２の基体において、前記
    第１または第２の電気的接続部の電極の上面が突き出て
    いることを特徴とする請求項１、２または３に記載の光
    デバイス装置。
  5. 【請求項５】電気的非接続部において、第１の基体と第
    ２の基体の少なくとも一方の最表面に絶縁層が存在して
    いることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の
    光デバイス装置。
  6. 【請求項６】前記光機能領域は発光領域であることを特
    徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の光デバイス装
    置。
  7. 【請求項７】前記第１の基体は、発光領域に対応して形
    成された第１の多層膜ミラーと、第１の基板上にエピタ
    キシャル成長された活性層を含む半導体層と、第２の多
    層膜ミラーとを含んだ第１の基板側から光を取り出す面
    発光半導体レーザ構造を有していることを特徴とする請
    求項６に記載の光デバイス装置。
  8. 【請求項８】前記異方導電性接着剤によって固定された
    後に第１の基板の全域或はほぼ全域を除去してなること
    を特徴とする請求項７に記載の光デバイス装置。
  9. 【請求項９】前記第１の電気的接続部の大きさが発光領
    域よりも十分大きいことを特徴とする請求項７または８
    に記載の光デバイス装置。
  10. 【請求項１０】前記第１の基体は、第１の多層膜ミラー
    と前記第１の電気的接続部の電極を含む第１の凸部を有
    しており、第１の多層膜ミラーの径が発光領域の径より
    も十分大きいことを特徴とする請求項７、８または９に
    記載の光デバイス装置。
  11. 【請求項１１】前記第１の基体は、光機能領域に対応し
    て設けられた前記第１の電気的接続部を含む第１の凸部
    と、光機能領域の近傍に設けられた第１の凸部より若干
    低い高さを有する第２の凸部を有しており、該第１の凸
    部は第２の基体と該第１の電気的接続部を介して電気的
    に接続されており、第２の凸部は第２の基体と電気的に
    絶縁されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何
    れかに記載の光デバイス装置。
  12. 【請求項１２】前記第１の凸部は第１の多層膜ミラーと
    前記第１の電気的接続部の電極を含んでおり、第２の凸
    部は第１の多層膜ミラーを含んでいることを特徴とする
    請求項１１に記載の光デバイス装置。
  13. 【請求項１３】前記第１の基体は、光機能領域に対応し
    て設けられた電気的接続部を含む第１の凸部と、光機能
    領域の近傍に設けられた第１の凸部とほぼ同じ高さを有
    する電気的接続部を含む第２の凸部を有しており、該第
    １の凸部は第２の基体と第１の電気的接続部を介して電
    気的に接続されており、第２の凸部も第２の基体と第１
    の電気的接続部を介して電気的に接続されていることを
    特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の光デバイ
    ス装置。
  14. 【請求項１４】前記第１の凸部及び第２の凸部は第１の
    多層膜ミラーと前記第１の電気的接続部の電極を含んで
    いることを特徴とする請求項１３に記載の光デバイス装
    置。
  15. 【請求項１５】前記第１の基体と第２の基体を貼り付け
    た後に第１の基板の全域或はほぼ全域を除去し、除去し
    て現れた半導体面に第２の多層膜ミラーを形成した構成
    であることを特徴とする請求項６乃至１４の何れかに記
    載の光デバイス装置。
  16. 【請求項１６】前記第２の多層膜ミラーが誘電体多層膜
    からなることを特徴とする請求項１５に記載の光デバイ
    ス装置。
  17. 【請求項１７】前記第１、第２の多層膜ミラーが、共に
    第１の基板にエピタキシャル成長された半導体多層膜か
    らなることを特徴とする請求項６乃至１５の何れかに記
    載の光デバイス装置。
  18. 【請求項１８】前記第１の基体が端面発光型半導体レー
    ザ構造を有していることを特徴とする請求項１乃至６の
    何れかに記載の光デバイス装置。
  19. 【請求項１９】前記異方導電性接着剤が、接着性を有す
    る絶縁性樹脂、及び該絶縁性樹脂中に配合された導電性
    粒子からなることを特徴とする請求項１乃至１８の何れ
    かに記載の光デバイス装置。
  20. 【請求項２０】前記絶縁性樹脂が、熱硬化型樹脂、熱可
    塑性樹脂、もしくは紫外線硬化型樹脂であることを特徴
    とする請求項１９に記載の光デバイス装置。
  21. 【請求項２１】前記異方導電性接着剤がペースト状の接
    着剤であることを特徴とする請求項１９または２０に記
    載の光デバイス装置。
  22. 【請求項２２】前記異方導電性接着剤がシート状の接着
    剤であることを特徴とする請求項１９または２０に記載
    の光デバイス装置。
  23. 【請求項２３】第２の基板が熱伝導性のよい材料である
    ことを特徴とする請求項１乃至２２の何れかに記載の光
    デバイス装置。
  24. 【請求項２４】第１の基板上に活性層を含む半導体層を
    エピタキシャル成長する工程、 第１の基板上に少なくとも１つの活性領域と活性領域に
    電流を注入するか或は電圧を印加するための第１の電気
    的接続部を形成して第１の基体を構成する工程、 第２の基板上に前記第１の電気的接続部に対応した少な
    くとも１つの第２の電気的接続部を形成して第２の基体
    を構成する工程、 導電性粒子を含んだ接着剤であって、前記基板に垂直な
    方向にのみ導電性を有する異方導電性接着剤によって第
    １の基体と第２の基体を接合し、前記対応する第１及び
    第２の電気的接続部において第１の基体と第２の基体と
    を電気的に接続する工程、 を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
JP10268951A 1997-09-30 1998-09-07 光デバイス装置及びその製造方法 Withdrawn JPH11168263A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10268951A JPH11168263A (ja) 1997-09-30 1998-09-07 光デバイス装置及びその製造方法
US09/158,820 US6507594B1 (en) 1997-09-30 1998-09-23 Optical device structure and fabrication method thereof
DE69827902T DE69827902T2 (de) 1997-09-30 1998-09-28 Optische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
EP98118346A EP0905833B1 (en) 1997-09-30 1998-09-28 Optical device structure and fabrication method thereof
US10/243,771 US6771677B2 (en) 1997-09-30 2002-09-16 Optical device structure and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28254997 1997-09-30
JP9-282549 1997-09-30
JP10268951A JPH11168263A (ja) 1997-09-30 1998-09-07 光デバイス装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11168263A true JPH11168263A (ja) 1999-06-22

Family

ID=26548547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10268951A Withdrawn JPH11168263A (ja) 1997-09-30 1998-09-07 光デバイス装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6507594B1 (ja)
EP (1) EP0905833B1 (ja)
JP (1) JPH11168263A (ja)
DE (1) DE69827902T2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1060938A2 (en) 1999-06-15 2000-12-20 Nissan Motor Company, Limited Vehicle follow-up control system using target values of torque and acceleration
US6989596B2 (en) 2000-11-21 2006-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser
US7324573B2 (en) 2001-03-09 2008-01-29 Seiko Epson Corporation Method of fabricating surface-emission type light-emitting device, surface-emitting semiconductor laser, method of fabricating the same, optical module and optical transmission device
JP2010123921A (ja) * 2008-10-22 2010-06-03 Nichia Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子
JP2011520272A (ja) * 2008-05-08 2011-07-14 ウニヴェルズィテート・ウルム 最適化された性質を有する表面実装のための全自動調節された表面放射半導体レーザー
JP2015216288A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社リコー レーザ装置、レーザ装置の製造方法、レーザ加工機及び表示装置
WO2019116654A1 (ja) * 2017-12-13 2019-06-20 ソニー株式会社 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置
JP2021013027A (ja) * 2016-09-19 2021-02-04 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 製造方法、及び、光電子デバイス
US11309453B2 (en) 2017-01-16 2022-04-19 Apple Inc. Combining light-emitting elements of differing divergence on the same substrate
US11322910B2 (en) 2019-02-21 2022-05-03 Apple Inc. Indium-phosphide VCSEL with dielectric DBR
US11374381B1 (en) 2019-06-10 2022-06-28 Apple Inc. Integrated laser module
US11381060B2 (en) 2017-04-04 2022-07-05 Apple Inc. VCSELs with improved optical and electrical confinement
US11418010B2 (en) 2019-04-01 2022-08-16 Apple Inc. VCSEL array with tight pitch and high efficiency
US12494618B2 (en) 2022-09-14 2025-12-09 Apple Inc. Vertical emitters with integrated final-stage transistor switch

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2844400A (en) * 1998-12-29 2000-07-31 Corning Incorporated Method for fabricating an optical device using purified adhesives in the opticalpath
JP3990846B2 (ja) * 1999-08-27 2007-10-17 キヤノン株式会社 面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置
JP2001085789A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
DE10018043A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-11 Jenoptik Jena Gmbh Verfahren zur Kontaktierung eines Hochleistungsdiodenlaserbarrens und eine Hochleistungsdiodenlaserbarren-Kontakt-Anordnung von elektrischen Kontakten thermisch untergeordneter Funktion
CN1263208C (zh) * 2001-03-09 2006-07-05 阿莱特技术公司 用横向带隙构造模式控制的垂直空腔表面发射激光器及其制造方法
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
US20030152125A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-14 Junichi Kinoshita Surface emitting laser and semiconductor light emitting device
JP3833179B2 (ja) * 2002-02-13 2006-10-11 キヤノン株式会社 光波長変換装置、及び光波長変換方法
KR100941129B1 (ko) * 2002-03-26 2010-02-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
JP3927913B2 (ja) * 2003-03-05 2007-06-13 キヤノン株式会社 光電気混載装置、及びその駆動方法
US7012942B2 (en) * 2003-08-01 2006-03-14 Eastman Kodak Company Modulating the properties of the gain region at spaced locations in an organic vertical cavity laser array device
US7615787B2 (en) * 2004-03-26 2009-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Photo-semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4785392B2 (ja) * 2004-03-26 2011-10-05 キヤノン株式会社 テラヘルツ電磁波の発生素子の製造方法
FR2868877B1 (fr) * 2004-04-13 2008-08-01 Intexys Sa Composants lasers a comportement thermique ameliore et procede de fabrication
JP2006049281A (ja) * 2004-06-30 2006-02-16 Canon Inc 基板の製造方法、基板の製造装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置
JP3913253B2 (ja) * 2004-07-30 2007-05-09 キヤノン株式会社 光半導体装置およびその製造方法
US7736964B2 (en) * 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US20060137901A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Electronic device including a substrate structure and a process for forming the same
US20070290196A1 (en) * 2005-07-08 2007-12-20 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the organic light emitting display device
JP5196779B2 (ja) * 2006-03-17 2013-05-15 キヤノン株式会社 光伝導素子及びセンサ装置
JP4857027B2 (ja) * 2006-05-31 2012-01-18 キヤノン株式会社 レーザ素子
JP5127430B2 (ja) * 2007-12-25 2013-01-23 キヤノン株式会社 レーザ素子
JP6062640B2 (ja) 2011-03-18 2017-01-18 キヤノン株式会社 光伝導素子
KR101513642B1 (ko) * 2013-08-21 2015-04-20 엘지전자 주식회사 반도체 디바이스
CN107732651B (zh) 2016-08-12 2020-08-04 美国亚德诺半导体公司 光发射器封装件
US12283555B2 (en) 2018-03-23 2025-04-22 Analog Devices International Unlimited Company Semiconductor packages
JP7683252B2 (ja) * 2021-03-12 2025-05-27 株式会社リコー 面発光レーザアレイ、光源モジュール及び測距装置
CN113629184B (zh) * 2021-08-06 2024-08-23 苏州矩阵光电有限公司 化合物半导体霍尔元件及其制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62165886A (ja) 1986-01-18 1987-07-22 日立化成工業株式会社 回路の接続部材
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
JPS62260877A (ja) 1986-04-17 1987-11-13 Kawakami Toryo Kk 異方導電性接着剤
US5258577A (en) 1991-11-22 1993-11-02 Clements James R Die mounting with uniaxial conductive adhesive
EP0560072A3 (en) * 1992-03-13 1993-10-06 Nitto Denko Corporation Anisotropic electrically conductive adhesive film and connection structure using the same
JP3194503B2 (ja) 1992-06-04 2001-07-30 キヤノン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
US5431571A (en) * 1993-11-22 1995-07-11 W. L. Gore & Associates, Inc. Electrical conductive polymer matrix
JP2737647B2 (ja) * 1994-03-10 1998-04-08 カシオ計算機株式会社 異方導電性接着剤およびそれを用いた導電接続構造
JPH07283486A (ja) 1994-04-05 1995-10-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 面発光レーザ実装構造
US5637176A (en) 1994-06-16 1997-06-10 Fry's Metals, Inc. Methods for producing ordered Z-axis adhesive materials, materials so produced, and devices, incorporating such materials
US5796714A (en) * 1994-09-28 1998-08-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical module having a vertical-cavity surface-emitting laser
JP2795627B2 (ja) 1994-09-28 1998-09-10 松下電器産業株式会社 垂直共振器型面発光レーザを有する光モジュール及びその製造方法
US5789278A (en) * 1996-07-30 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating chip modules
JP3559680B2 (ja) 1997-04-25 2004-09-02 キヤノン株式会社 リング共振器型面発光半導体レーザ及びその製造法
JPH11154774A (ja) 1997-08-05 1999-06-08 Canon Inc 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
US6011307A (en) * 1997-08-12 2000-01-04 Micron Technology, Inc. Anisotropic conductive interconnect material for electronic devices, method of use and resulting product
JPH11168262A (ja) 1997-09-30 1999-06-22 Canon Inc 面型光デバイス、その製造方法、および表示装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1060938A2 (en) 1999-06-15 2000-12-20 Nissan Motor Company, Limited Vehicle follow-up control system using target values of torque and acceleration
US6989596B2 (en) 2000-11-21 2006-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser
US7324573B2 (en) 2001-03-09 2008-01-29 Seiko Epson Corporation Method of fabricating surface-emission type light-emitting device, surface-emitting semiconductor laser, method of fabricating the same, optical module and optical transmission device
JP2011520272A (ja) * 2008-05-08 2011-07-14 ウニヴェルズィテート・ウルム 最適化された性質を有する表面実装のための全自動調節された表面放射半導体レーザー
JP2010123921A (ja) * 2008-10-22 2010-06-03 Nichia Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子
JP2015216288A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 株式会社リコー レーザ装置、レーザ装置の製造方法、レーザ加工機及び表示装置
JP2021013027A (ja) * 2016-09-19 2021-02-04 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 製造方法、及び、光電子デバイス
US11309453B2 (en) 2017-01-16 2022-04-19 Apple Inc. Combining light-emitting elements of differing divergence on the same substrate
US11381060B2 (en) 2017-04-04 2022-07-05 Apple Inc. VCSELs with improved optical and electrical confinement
JPWO2019116654A1 (ja) * 2017-12-13 2021-01-28 ソニー株式会社 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置
WO2019116654A1 (ja) * 2017-12-13 2019-06-20 ソニー株式会社 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置
US11710942B2 (en) 2017-12-13 2023-07-25 Sony Corporation Method of manufacturing light-emitting module, light-emitting module, and device
US11322910B2 (en) 2019-02-21 2022-05-03 Apple Inc. Indium-phosphide VCSEL with dielectric DBR
US11418010B2 (en) 2019-04-01 2022-08-16 Apple Inc. VCSEL array with tight pitch and high efficiency
US11374381B1 (en) 2019-06-10 2022-06-28 Apple Inc. Integrated laser module
US12494618B2 (en) 2022-09-14 2025-12-09 Apple Inc. Vertical emitters with integrated final-stage transistor switch

Also Published As

Publication number Publication date
US20030016715A1 (en) 2003-01-23
DE69827902D1 (de) 2005-01-05
DE69827902T2 (de) 2005-12-22
US6507594B1 (en) 2003-01-14
US6771677B2 (en) 2004-08-03
EP0905833A3 (en) 2001-10-10
EP0905833A2 (en) 1999-03-31
EP0905833B1 (en) 2004-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6507594B1 (en) Optical device structure and fabrication method thereof
KR101195311B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US6222868B1 (en) Surface-type optical device, fabrication method therefor and display device
JP4116587B2 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
US6261859B1 (en) Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device
EP0704947B1 (en) Optical module having a vertical-cavity surface-emitting laser
CN106505410A (zh) 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法
JP2000049414A (ja) 光機能素子装置、これを用いた光送受信装置、光インターコネクション装置および光記録装置
US4977570A (en) Semiconductor laser array with stripe electrodes having pads for wire bonding
JPH1051078A (ja) 半導体レーザアレイ及びその製造方法
JP3164203B2 (ja) 面発光レーザおよびその製造方法
JP4755199B2 (ja) 多波長集積半導体レーザ装置の製造方法
KR100627703B1 (ko) 하이브리드 금속접합 표면방출 레이저 및 그 제작 방법
JP2000012981A (ja) 面型半導体光デバイスおよびその作製方法
JP2000022273A (ja) 密着結合領域の付近に電極を持つ半導体光デバイス及びその作製方法
JP3685285B2 (ja) 半導体レーザー装置
JPH11261157A (ja) 面発光型半導体レーザ素子及びその作製方法
JPH11266056A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JPH10335741A (ja) 半導体レ−ザ素子及びその製造方法
JP2000196182A (ja) 積層型半導体レ―ザ装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040816

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060105

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060127