JPH1116965A - 半導体ウエハの特性検査方法 - Google Patents
半導体ウエハの特性検査方法Info
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- JPH1116965A JPH1116965A JP16247797A JP16247797A JPH1116965A JP H1116965 A JPH1116965 A JP H1116965A JP 16247797 A JP16247797 A JP 16247797A JP 16247797 A JP16247797 A JP 16247797A JP H1116965 A JPH1116965 A JP H1116965A
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- Japan
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- wafer
- tape
- electrode
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハのハンドリングに際し、ウエハ
割れを起こさないようにすること。 【解決手段】 ウエハ（１）のボンディングパッド電極
（３）側からp/n 接合（４）を分離するp/n 接合分離溝
（２）を形成し、金ワイヤ（１０）を貼り付けた粘着材
付テープ（９）にダイボンド側電極（５）を乗せてウエ
ハ（１）を貼り付ける。テープ（９）が保持材となるた
め、p/n 接合分離溝（２）を深く形成してもウエハ割れ
を起こしにくい。ダイボンド側電極（５）は金ワイヤ
（１０）を介して電気的に引き出されることで、半導体
ウエハ上の各チップの特性を測定することができる。
割れを起こさないようにすること。 【解決手段】 ウエハ（１）のボンディングパッド電極
（３）側からp/n 接合（４）を分離するp/n 接合分離溝
（２）を形成し、金ワイヤ（１０）を貼り付けた粘着材
付テープ（９）にダイボンド側電極（５）を乗せてウエ
ハ（１）を貼り付ける。テープ（９）が保持材となるた
め、p/n 接合分離溝（２）を深く形成してもウエハ割れ
を起こしにくい。ダイボンド側電極（５）は金ワイヤ
（１０）を介して電気的に引き出されることで、半導体
ウエハ上の各チップの特性を測定することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの特
性検査方法、特にウエハの割れを減少させることができ
る検査方法に関する。
性検査方法、特にウエハの割れを減少させることができ
る検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３を参照して、従来のＬＥＤ等のチッ
プの形成プロセスを説明する。ｐ型半導体とｎ型半導体
の２層構造からなる厚さ３００μｍ前後のウエハ１（一
方の面がｐ型、他方の面がｎ型）の片側にワイヤボンド
を前提としたボンディングパッド電極３を、他方にラン
プ筐体等に銀ペーストで接着（ダイボンド）することを
前提とした電極５を形成する。
プの形成プロセスを説明する。ｐ型半導体とｎ型半導体
の２層構造からなる厚さ３００μｍ前後のウエハ１（一
方の面がｐ型、他方の面がｎ型）の片側にワイヤボンド
を前提としたボンディングパッド電極３を、他方にラン
プ筐体等に銀ペーストで接着（ダイボンド）することを
前提とした電極５を形成する。
【０００３】ボンディングパッド電極３はワイヤボンド
に適した大きさのドット電極とし、ダイボンド側電極５
は、ウエハ１全面を覆った全面電極、あるいは部分電極
の場合でもウエハ１全面でつながっていて目がチップサ
イズよりも小さいメッシュ状電極とドット電極の組み合
わせにすることが一般に行われている。
に適した大きさのドット電極とし、ダイボンド側電極５
は、ウエハ１全面を覆った全面電極、あるいは部分電極
の場合でもウエハ１全面でつながっていて目がチップサ
イズよりも小さいメッシュ状電極とドット電極の組み合
わせにすることが一般に行われている。
【０００４】このウエハ１上に形成した個々のチップの
電気的光学的特性を測定するためには、チップサイズに
対応した寸法でウエハ１のボンディングパッド形成面側
からダイシングにより機械的にp/n 接合４を分離した後
に、加工歪み除去のための化学的エッチングを行った状
態を準備する必要がある。
電気的光学的特性を測定するためには、チップサイズに
対応した寸法でウエハ１のボンディングパッド形成面側
からダイシングにより機械的にp/n 接合４を分離した後
に、加工歪み除去のための化学的エッチングを行った状
態を準備する必要がある。
【０００５】p/n 接合分離溝２の深さはウエハ１のp/n
接合４を分離する側の表面からp/n接合４までの距離よ
り大きくなければならないが、一方この接合分離したウ
エハ１を単独でハンドリングするためには、少なくとも
残り代として１００μｍ程度残す必要がある。
接合４を分離する側の表面からp/n接合４までの距離よ
り大きくなければならないが、一方この接合分離したウ
エハ１を単独でハンドリングするためには、少なくとも
残り代として１００μｍ程度残す必要がある。
【０００６】このウエハ１の特性を検査するには、図４
に示すように、ウエハ１を単独でハンドリングし、ダイ
ボンド側面の電極５を金属板（テストステージ７）に接
触させ電気的接触を確保し、かつ他方ボンディングパッ
ド側面の電極３にプローブ針６を接触させて電気的接続
を確保することにより、チップ１個ずつの電気的光学的
特性を測定し合否判定する。これをウエハ１上に形成し
てあるチップの全数あるいは予め決めた抜取頻度で繰り
返す。その後、個々のチップに分断するため、p/n 接合
分離溝２に沿ってダイボンド側の面からケガキ傷を形成
し機械的に割るスクライブ法を用いた加工を行う。
に示すように、ウエハ１を単独でハンドリングし、ダイ
ボンド側面の電極５を金属板（テストステージ７）に接
触させ電気的接触を確保し、かつ他方ボンディングパッ
ド側面の電極３にプローブ針６を接触させて電気的接続
を確保することにより、チップ１個ずつの電気的光学的
特性を測定し合否判定する。これをウエハ１上に形成し
てあるチップの全数あるいは予め決めた抜取頻度で繰り
返す。その後、個々のチップに分断するため、p/n 接合
分離溝２に沿ってダイボンド側の面からケガキ傷を形成
し機械的に割るスクライブ法を用いた加工を行う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来技術ではこのよう
なスクライブ法によって個々のチップに分断する工程に
おいて、p/n 接合分離溝２とウエハ１の劈開方向が一致
しない場合に残り代の大きさに比例してチップ形状が悪
化する( 設計した位置で割れずに別の位置で割れてしま
う) という欠点があった。
なスクライブ法によって個々のチップに分断する工程に
おいて、p/n 接合分離溝２とウエハ１の劈開方向が一致
しない場合に残り代の大きさに比例してチップ形状が悪
化する( 設計した位置で割れずに別の位置で割れてしま
う) という欠点があった。
【０００８】一方、残り代を薄くするとウエハ１の機械
的強度が低下して、ウエハハンドリング中にウエハ割れ
を生じ、作業効率を著しく低下させる原因となる。本発
明は、チップ形状を安定化させるためにp/n 接合分離溝
２の残り代を薄くしたウエハ１に対して、ウエハの割れ
を減少させることが可能な電気的光学的特性検査の方法
を提供するものである。
的強度が低下して、ウエハハンドリング中にウエハ割れ
を生じ、作業効率を著しく低下させる原因となる。本発
明は、チップ形状を安定化させるためにp/n 接合分離溝
２の残り代を薄くしたウエハ１に対して、ウエハの割れ
を減少させることが可能な電気的光学的特性検査の方法
を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
特性検査方法は、一方の面にボンディングパッド電極、
他方の面にダイボンド側電極が形成され、前記一方の面
からはチップサイズに対応した寸法で分断する溝が形成
され、前記他方の面側には残り代が残されている半導体
ウエハの特性検査方法において、粘着材を塗布したテー
プに導電性金属ワイヤを貼り、そのテープを前記半導体
ウエハの前記他方の面に貼ることで、前記他方の面側の
電極の電気的接触を前記導電性金属ワイヤで取るもので
ある。このように、テープをウエハに貼り付けることに
より、ウエハ単独状態よりも機械的強度が増加する。
特性検査方法は、一方の面にボンディングパッド電極、
他方の面にダイボンド側電極が形成され、前記一方の面
からはチップサイズに対応した寸法で分断する溝が形成
され、前記他方の面側には残り代が残されている半導体
ウエハの特性検査方法において、粘着材を塗布したテー
プに導電性金属ワイヤを貼り、そのテープを前記半導体
ウエハの前記他方の面に貼ることで、前記他方の面側の
電極の電気的接触を前記導電性金属ワイヤで取るもので
ある。このように、テープをウエハに貼り付けることに
より、ウエハ単独状態よりも機械的強度が増加する。
【００１０】また、粘着材を紫外線を照射することによ
り粘着度が弱くなる方向へ変化するものとすることによ
り、特性測定の後、ウエハに不必要な力が加わらないよ
うテープ粘着材に紫外線を照射し粘着力を低下させてウ
エハをテープから取り外すことができる。さらに、テー
プをドーナツ形状の金属フレームに貼り付けることによ
り取り扱い自体が容易になるとともに、電気的な引き出
しも容易になる。
り粘着度が弱くなる方向へ変化するものとすることによ
り、特性測定の後、ウエハに不必要な力が加わらないよ
うテープ粘着材に紫外線を照射し粘着力を低下させてウ
エハをテープから取り外すことができる。さらに、テー
プをドーナツ形状の金属フレームに貼り付けることによ
り取り扱い自体が容易になるとともに、電気的な引き出
しも容易になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明では、図１に示すように、
厚さ３００μｍ前後のウエハ１に対し、残り代が２０〜
５０μｍとなるように、p/n 接合分離溝２を深く形成す
る。一方、導電性金属ワイヤとして金ワイヤ１０を用
い、粘着材として紫外線を照射することにより粘着度が
弱くなる方向へ変化するものを用いて、図２に示すよう
に、粘着材を塗布した樹脂製テープ９に金ワイヤ１０を
貼り付ける。この金ワイヤ１０を貼り付けたテープ９を
弛まないようにして、中空のドーナツ形状の金属フレー
ム８に貼り付ける。
厚さ３００μｍ前後のウエハ１に対し、残り代が２０〜
５０μｍとなるように、p/n 接合分離溝２を深く形成す
る。一方、導電性金属ワイヤとして金ワイヤ１０を用
い、粘着材として紫外線を照射することにより粘着度が
弱くなる方向へ変化するものを用いて、図２に示すよう
に、粘着材を塗布した樹脂製テープ９に金ワイヤ１０を
貼り付ける。この金ワイヤ１０を貼り付けたテープ９を
弛まないようにして、中空のドーナツ形状の金属フレー
ム８に貼り付ける。
【００１２】この状態のテープ９の粘着材の上に上記ウ
エハ１を乗せ、ダイボンド側面で貼り付ける。このよう
にテープ９が貼り付けられたウエハ１をテストステージ
７に乗せ、プローバー装置の片方の電極を金属フレーム
８に取り付け、他方の電極をプローバー装置のプローブ
針６に取り付けて、このプローブ針６をボンディングパ
ッド電極３に接触させることにより、装置電源の＋側
（あるいは−側）−プローブ針６−ボンディングパッド
電極３−チップp/n 接合４−ダイボンド側電極５−金ワ
イヤ１０−金属フレーム８−装置電源の−側（あるいは
＋側）という電流の流れを作って、ウエハ１上のチップ
の電気的光学的特性を測定し、合否判断する。不良チッ
プにはバッドマークを付ける。これをウエハ１上の全て
のボンディングパッドに対して、あるいは予め決めた抜
取頻度で繰り返す。
エハ１を乗せ、ダイボンド側面で貼り付ける。このよう
にテープ９が貼り付けられたウエハ１をテストステージ
７に乗せ、プローバー装置の片方の電極を金属フレーム
８に取り付け、他方の電極をプローバー装置のプローブ
針６に取り付けて、このプローブ針６をボンディングパ
ッド電極３に接触させることにより、装置電源の＋側
（あるいは−側）−プローブ針６−ボンディングパッド
電極３−チップp/n 接合４−ダイボンド側電極５−金ワ
イヤ１０−金属フレーム８−装置電源の−側（あるいは
＋側）という電流の流れを作って、ウエハ１上のチップ
の電気的光学的特性を測定し、合否判断する。不良チッ
プにはバッドマークを付ける。これをウエハ１上の全て
のボンディングパッドに対して、あるいは予め決めた抜
取頻度で繰り返す。
【００１３】特性測定の後、ウエハ１に不必要な力が加
わらないようテープ粘着材に紫外線を照射し粘着力を低
下させてウエハ１をテープ９から取り外す。次に、p/n
接合分離溝２に沿ってダイボンド側面からダイヤモンド
ツールを使用してケガキ傷を入れた（スクライブした）
後、圧力を加えスクライブ傷を起点に個々のチップを分
断する。
わらないようテープ粘着材に紫外線を照射し粘着力を低
下させてウエハ１をテープ９から取り外す。次に、p/n
接合分離溝２に沿ってダイボンド側面からダイヤモンド
ツールを使用してケガキ傷を入れた（スクライブした）
後、圧力を加えスクライブ傷を起点に個々のチップを分
断する。
【００１４】以上は本発明の基本的な実施の態様であ
る。以下に更に詳細な説明をする。テープ９は、テスト
ステージ７より十分大きく、かつプローバー装置の構造
上、許容可能なサイズとする。テープ基材に材質、厚さ
等、特別な制約はない。
る。以下に更に詳細な説明をする。テープ９は、テスト
ステージ７より十分大きく、かつプローバー装置の構造
上、許容可能なサイズとする。テープ基材に材質、厚さ
等、特別な制約はない。
【００１５】導電性金属ワイヤは細く加工するために展
性の高い、また腐食や錆によって電導性が劣化しない点
で、金ワイヤ１０が望ましい。金ワイヤ１０は、チップ
サイズより十分細く、またウエハ１と粘着材との間に挟
み込んだときに粘着材高さが大きく変化してウエハ１割
れの要因とならないような、２０μｍ以下の太さとす
る。この金ワイヤ１０を少なくとも１本、あるいは必要
に応じて複数本、金ワイヤ１０と金ワイヤ１０が交差し
ないようにテープ粘着材のウエハ１サイズよりも十分に
大きい範囲でかつ金属フレーム８に十分に達するように
貼り付ける。
性の高い、また腐食や錆によって電導性が劣化しない点
で、金ワイヤ１０が望ましい。金ワイヤ１０は、チップ
サイズより十分細く、またウエハ１と粘着材との間に挟
み込んだときに粘着材高さが大きく変化してウエハ１割
れの要因とならないような、２０μｍ以下の太さとす
る。この金ワイヤ１０を少なくとも１本、あるいは必要
に応じて複数本、金ワイヤ１０と金ワイヤ１０が交差し
ないようにテープ粘着材のウエハ１サイズよりも十分に
大きい範囲でかつ金属フレーム８に十分に達するように
貼り付ける。
【００１６】この金ワイヤ１０を貼り付けたテープ９を
弛まないようにして、中空のドーナツ形状の金属フレー
ム８に貼り付けることで、取り扱いが容易になるととも
に、この金属フレーム８と貼り付けた金ワイヤ１０とが
同電位となって、電気的な引き出しも容易になる。
弛まないようにして、中空のドーナツ形状の金属フレー
ム８に貼り付けることで、取り扱いが容易になるととも
に、この金属フレーム８と貼り付けた金ワイヤ１０とが
同電位となって、電気的な引き出しも容易になる。
【００１７】ウエハ１を前述のテープ９に貼り付けるこ
とにより、全面あるいはメッシュ状のダイボンド側電極
５が金ワイヤ１０と接触し、ダイボンド側電極５は金ワ
イヤ１０および金属フレーム８と同電位となる。
とにより、全面あるいはメッシュ状のダイボンド側電極
５が金ワイヤ１０と接触し、ダイボンド側電極５は金ワ
イヤ１０および金属フレーム８と同電位となる。
【００１８】
【発明の効果】ウエハ１にテープ９を貼り付けてハンド
リングする本発明の方法では、テープ９が保持材となっ
てウエハ１が従来方法と比較して割れにくく、また割れ
ても分割された一方のウエハ片と他方のウエハ片の位置
関係が元の形状時の位置関係を維持しているので、何れ
のウエハも金ワイヤ１０によってダイボンド側の電極５
の接触が確保できている限り、１枚のウエハとして電気
的光学的特性の測定をそのまま続行することが可能とな
り作業効率が改善される。
リングする本発明の方法では、テープ９が保持材となっ
てウエハ１が従来方法と比較して割れにくく、また割れ
ても分割された一方のウエハ片と他方のウエハ片の位置
関係が元の形状時の位置関係を維持しているので、何れ
のウエハも金ワイヤ１０によってダイボンド側の電極５
の接触が確保できている限り、１枚のウエハとして電気
的光学的特性の測定をそのまま続行することが可能とな
り作業効率が改善される。
【００１９】ウエハ１のp/n 接合分離溝２の残り代を薄
くして形成するので、残り代を厚く確保する従来方法と
比較して、チップ形状が安定する。ウエハ１のダイボン
ド側電極５の電気的接触を導電性金属ワイヤで取るの
で、テストステージ７を電導製のものにする制約がなく
なる。
くして形成するので、残り代を厚く確保する従来方法と
比較して、チップ形状が安定する。ウエハ１のダイボン
ド側電極５の電気的接触を導電性金属ワイヤで取るの
で、テストステージ７を電導製のものにする制約がなく
なる。
【図１】本発明の全体図である。
【図２】本発明の動作説明図である。
【図３】従来技術を説明する図である。
【図４】従来技術の全体図である。
１…ウエハ、２…p/n 接合分離溝、３…ボンディングパ
ッド電極、４…p/n 接合、５…ダイボンド側電極、６…
プローブ針、７…テストステージ、８…金属フレーム、
９…粘着材付テープ、１０…金ワイヤ
ッド電極、４…p/n 接合、５…ダイボンド側電極、６…
プローブ針、７…テストステージ、８…金属フレーム、
９…粘着材付テープ、１０…金ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 一方の面にボンディングパッド電極、他
方の面にダイボンド側電極が形成され、前記一方の面か
らはチップサイズに対応した寸法で分断する溝が形成さ
れ、前記他方の面側には残り代が残されている半導体ウ
エハの特性検査方法において、粘着材を塗布したテープ
に導電性金属ワイヤを貼り、そのテープを前記半導体ウ
エハの前記他方の面に貼ることで、前記他方の面側の電
極の電気的接触を前記導電性金属ワイヤで取ることを特
徴とする半導体ウエハの特性検査方法。 - 【請求項２】 前記粘着材は紫外線を照射することによ
り粘着度が弱くなる方向へ変化するものであることを特
徴とする請求項１記載の半導体ウエハの特性検査方法。 - 【請求項３】 前記テープをドーナツ形状の金属フレー
ムに貼り付けることを特徴とする請求項１又は２記載の
半導体ウエハの特性検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16247797A JPH1116965A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 半導体ウエハの特性検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16247797A JPH1116965A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 半導体ウエハの特性検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116965A true JPH1116965A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15755371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16247797A Pending JPH1116965A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 半導体ウエハの特性検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294773A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP16247797A patent/JPH1116965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294773A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
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