JPH11186782A

JPH11186782A - 電子機器のシールド構造

Info

Publication number: JPH11186782A
Application number: JP35134497A
Authority: JP
Inventors: Toyohide Miyazaki; 豊秀宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-12-19
Filing date: 1997-12-19
Publication date: 1999-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】導体層のシールド効果が確保されるとともに
接合部からの電磁波の漏洩がより効果的抑制される、電
子機器のシールド構造を提供する。【解決手段】ベース導体１０１の上に軟磁性体の微粒
子または扁平化した微粒子を有機バインダに混合して形
成した磁性層を備えた電磁波吸収体１０７を挿んでシー
ルドケース１０４を固定した構造となっており、ベース
導体１０１には組み立て時にシールドケース１０４に接
触する突起１０２が設けられており、電磁波吸収体１０
７には組み立て時に突起１０２が貫通する開口部１０８
が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器から放射
される電磁波の漏洩を防止するためのシールド構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ等の電子装置から放
射される電磁波が、周辺装置に電磁障害や電波障害を起
こすことが問題となっている。これらの対策として、筐
体めっきやシールドケースを用いて、ノイズを内部に閉
じこめる電磁波低減化対策が講ぜられている。

【０００３】図８は、金属製のシールドケースを使用し
たシールド構造の従来例の模式的断面図であり、図中符
号８０１は電子部品、８０２は筐体、８０３ａ、８０３
ｂはシールドケース、８０４はプリント基板、８０９は
ガスケットである。

【０００４】図８において、電子部品８０１が搭載され
たプリント基板８０４の一部の部品上をシールドケース
８０３ｂで覆う例と、プリント基板８０４全体をシール
ドケース８０３ａで覆うように取り付けられている例と
が示されている。これらのシールド方法では、基板や筐
体のそり等により、電磁波の接合面からの漏れが生ずる
ことが指摘されており、最近の電子回路における使用周
波数の高速化でさらに漏れが増大し、この漏れに対する
十分な対応が迫られているのが現状である。

【０００５】図９は、隙間からの電磁波の漏れを防ぐた
めのチューブタイプのガスケットの断面図であり、図１
０は粘着層を有する弾性体の角柱状のガスケットの断面
図である。図中符号９１１は金属製ネット、９１２は弾
性体、９１３は中空部、１０１１は弾性体、１０１２は
導電化した筒状の布、１０１４は導電性粘着層である。

【０００６】図９や図１０に示されるようないわゆるガ
スケットは、筐体を構成するパーツ間の接続部分等に多
用されている。図９は、チューブ状の弾性体９１２の表
層に金属製のネット９１１を被せたもの、図１０は、導
電化した筒状の布１０１２の中にスポンジ状の弾性体１
０１１をいれて角柱状に成形し、片面に導電性粘着層１
０１４を設けたものである。しかしながら、これらのガ
スケットを使用した方法は、弾性体９１２、１０１１の
材質に応じた接触圧は得られるが、最近の使用周波数の
高速化で、接触抵抗による電磁波の漏洩が増加し、十分
なシールド効果が得られていないのが現状である。

【０００７】図１１は、特開平０５−０１３９７９号公
報で開示された磁性体を併用したシールド材の部分断面
斜視図であり、図中符号１１０６は板状磁性体、１１１
５は導電性を有する板状磁石、１１１６は箱状導体であ
る。

【０００８】上述のシールド材と同様に電磁波吸収層を
活用して、金属筺体の継ぎ目部やドアの周囲に用いて電
磁波の漏洩を抑制するもので、箱状の導体１１１６内に
棒状または板状の磁性体１１０６と磁石１１１５を埋め
込んで、低周波領域でより高いシールド効果を得てい
る。しかし、より高周波領域での対応には、ガスケット
を併用しているのが現状である。

【０００９】図１２は磁性体を併用した複合電磁シール
ド材の断面図であり、図中符号１２０４は導電性繊維、
１２０６は複合フェライトである。

【００１０】図１２の電磁シールド材は、ＥＭＣＪ８３
−４０（電気通信学会環境電磁部会報）「導電性繊維布
とフエライトの複合電磁シールド材」の電磁波吸収材で
ある。複合フェライト１２０６の両面を導体である導電
性繊維１２０４で裏打した構造となっており、材料の面
全体でシ−ルド効果を発揮させる構造であるが、電磁波
吸収材をケースの内面全体に張り付けるため、多くの材
料が必要であったり、重量の増加や、内部の部品の発熱
に対する放熱効果の劣化が懸念される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように導電体や
磁性体を用いた種々のシールド構造が用いられている
が、高周波領域における電子機器において、めっき筐体
やシールドケースによる十分なシールド効果を得るため
には、これらのめっき筐体やシールドケースなどの導体
層のシールド効果を確保するとともに、接合部のインピ
ーダンスの不連続による電磁波の漏洩を防止する必要が
ある。しかしながら従来のシールド構造においては必ず
しも十分な効果があるとはいえない。

【００１２】従来の技術を理論および実験の結果を参照
して問題点を説明する。金属層のシールド効果（ＳＥ）
とは、シールドにより減衰された電界強度比の関数のこ
とで、無限平面で考察されたシェルクノフ理論で以下の
ように示される。

【００１３】ＳＥ（ｄＢ）＝２０ｌｏｇＥｌ／Ｅ２但しＥｌ：入射電界強度（Ｖ／ｍ）Ｅ２：透過電界強度（Ｖ／ｍ）ＳＥ（ｄＢ）＝Ｒ＋Ａ但し反射損失Ｒ＝５０＋１０ｌｏｇ（ρ×ｆ）−１
（ｄＢ）吸収損失Ａ＝１．７ｔ（ｆ／ρ）１／２（ｄＢ）

【００１４】従って、シールド効果は、めっきの厚さｔ
と、周波数ｆが同一ならば、体積固有抵抗値ρの平方根
に反比例すると言える。

【００１５】しかし、現実的なシールド層は有限平面
で、接地インピーダンスの影響が考えられる。従つて、
実際のシールドケースのシールド効果では、電気的続部
分の接合抵抗の低減化が重要である。

【００１６】図１３は、プリント基板とめっきを施した
筐体のボス部分でのネジの締め付けトルクによる接触抵
抗の変化の状態の説明図であり、（ａ）は測定結果のグ
ラフ、（ｂ）は測定装置の模式的斜視図である。図中符
号１３０１はプリント基板、１３０２は筐体、１３０３
はねじ、１３０４、１３０５はプローブである。

【００１７】測定は、図１３（ｂ）に示すように、１ミ
クロンの厚さの銅めっきが施されためっき筐体１３０２
と銅板からなるプリント基板１３０１とをねじ１３０３
によって締め付ける構成とし、ねじ１３０３の締め付け
トルクを変化させたときの接触抵抗をプローブ１３０
４、１３０５を用いて４端子法で測定した。

【００１８】図１３（ａ）から、加圧によって抵抗値は
一定値に収束せず、接合部での抵抗値が不連続となるこ
とが推定される。

【００１９】図１４は、シールド効果評価装置の説明図
であり、（ａ）はシールド効果評価チャンバーの模式的
断面図、（ｂ）は、シールド効果評価システムのブロッ
ク構成図である。図中符号１４０１はシールド評価チャ
ンバ、１４０２はサンプル、１４０３はガスケット、１
４０５、１４０６は磁界アンテナ、１４０７は標準信号
発生器、１４０８はスペクトラムアナライザ、１４０
９、１４１０は増幅器、１４１１はシールド効果評価器
である。

【００２０】図１４のシールド効果評価装置では、シー
ルド効果評価チャンバにアドバンテスト法のシールド評
価器（ＴＲ１７３０１）を用い、標準信号発生器１４０
７にはアンリツ製ＭＧ３６０１Ａを、増幅器１４０１に
はアドバンテスト製ＴＲ４５００２を、増幅器１４０９
にはＨＰ製８４４７Ｄを、スペクトラムアナライザ１４
１０にはＨＰ製８５６８Ｂを用いた。シールド効果評価
チャンバ１４０１に取り付けられたサンプル１４０２と
ガスケット１４０３のシールド効果の評価システムであ
り、入力側には磁界アンテナ１４０５に接続した標準信
号発生器１４０７を使用し、出力側には、磁界アンテナ
１４０６に接続したスペクトラムアナライザ１４０８を
使用して、減衰した電磁波の電力を、ｄＢｍで表示す
る。

【００２１】図１５は、図１４の装置を用いて両面めっ
き法で１μｍの銅めっき層を構成した平板のシールド効
果の測定結果を示すグラフである。平板とグランドの接
続部は燐青銅製のガスケットを用いて接続した。横軸に
周波数、縦軸にシールド効果を示す。この結果から、ア
ドバンテスト法で使用した一般的な燐青銅やべリリウム
製ガスケットでの接合圧力では、５００ＭＨｚ以上の周
波数領域でシールド効果が大きく減衰していることがわ
かる。従って、シールドケースのシールド効果を十分に
発揮させるためには、この接合部の接合抵抗を下げ、か
つ漏れるノイズを吸収減衰させることが重要である。こ
こでは、接続にガスケットを使用したアドバンテス法を
使用したが、厚い金属板と大きなネジでサンプルを接続
するＫＥＣ法では同一のサンプルが高周波領域で減衰せ
ずに得られる。従って、接触圧が不足して、高周波領域
でシールド効果が減衰する。

【００２２】本発明は、このような課題を解消するため
になされたもので、シールドケースとべ―ス導体との間
に強固な導通構造を設けることに加えて、シールドケー
スとべ―ス導体との間に高周波特性のよい電磁波吸収層
を入れることによって、導体層のシールド効果が確保さ
れるとともに接合部からの電磁波の漏洩がより効果的抑
制される、電子機器のシールド構造を提供することを目
的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】本発明の電子機器のシー
ルド構造は、電子機器の筐体構造において、導体で形成
されたケースとそのケースを固定するべ−ス導体との間
に、開口を設けた電磁波吸収体を挟んだ接合構造で、べ
−ス導体側およびケース側の少なくともいずれか一方に
開口部を貫通してそのケースとそのべ−ス導体とを導通
させる突起が形成されている。

【００２４】電磁波吸収体が、軟磁性体の微粒子および
扁平化した微粒子の少なくともいずれか一方を混入した
有機バインダで形成された磁性体の支持層を備えている
ことが好ましく、電磁波吸収体の磁性体の支持層を構成
する微粒子および扁平化した微粒子が、フエライト、ア
モルファス合金、パーマロイのいずれかであることが好
ましい。

【００２５】電磁波吸収体に穿孔される開口が１個であ
っても複数であってもかまわない。

【００２６】さらに、ベース導体の接合面に電気めっき
によるシールドめっきが施されていることが好ましい。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の電子
機器のシールド構造の説明図であり、（ａ）は本発明の
実施の形態の電子機器のシールド構造の（ｂ）の切断線
Ｘ−Ｘでの部分断面図、（ｂ）はベース導体層であるめ
っき筐体の上面図、（ｃ）は４枚で構成された電磁波吸
収体の上面図、（ｄ）はスチール製のシールドケースの
側面図、（ｅ）はスチール製のシールドケースの上面図
である。図中符号１０１はベース導体、１０２はベース
導体の突起、１０３はベース導体のシールドめっき、１
０４はシールドケース、１０５はシールドケースのフラ
ンジ部、１０７は電磁波吸収体、１０８は電磁波吸収体
に設けられた開口部である。

【００２８】本発明の実施の形態のシールド構造は、ベ
ース導体１０１の上に軟磁性体の微粒子または扁平化し
た微粒子を有機バインダに混合して形成した磁性層を備
えた電磁波吸収体１０７を挿んでシールドケース１０４
を固定した構造となっており、ベース導体１０１には組
み立て時にシールドケース１０４に接触する突起１０２
が設けられており、電磁波吸収体１０７には組み立て時
に突起１０２が貫通する開口部１０８が設けられてい
る。このようにベース導体１０１とシールドケース１０
４とが導通していることと、電磁波吸収体１０７が軟磁
性体の微粒子または扁平化した微粒子を有機バインダに
混合して形成された磁性層を備えていることと、ベース
導体１０１の接合面にシールドめっきが施されているこ
とが本発明の特徴である。図１ではベース導体１０１に
形成された長方形の突起１０２を介してベース導体１０
１とシールドケース１０４とが導通しているが、突起の
形状や導通させる方法を限定するものではない。

【００２９】次に図１を参照してこの実施の形態の１実
施例を具体的に説明する。ベース導体１０１には、シー
ルドめっき１０３として電気めっきで銅が厚さ１．０μ
ｍ形成されており、ベース導体１０１の突起１０２は、
幅３ｍｍ、長さ１０ｍｍ、高さ５ｍｍの柱状で３０ｍｍ
ピッチの長方形状にあらかじめベース導体１０１上に成
型されている。この上に、シールドめっき１０３が施さ
れてベース導体１０１が形成されている。電磁波吸収体
１０７は厚さ５ｍｍ、幅７ｍｍの帯状に成型され、中心
線に沿って、幅３ｍｍ、長さ１０ｍｍの開口部１０６が
３０ｍｍ間隔で打ち抜き成型されている。市販の電磁波
吸収体では厚さが１ｍｍ程度であることが多いので、こ
のときは５枚重ねればよい。次に、成型した電磁波吸収
体１０７の開口部１０８がべ−ス導体１０１の突起１０
２と係合し、シールドケース１０４のフランジ部１０５
と整合するような長さにカットし、ベース導体１０１の
シールドケース１０４のフランジ部１０５に対応する位
置にセットする。電磁波吸収体１０７は、フェライト粉
体をゴム系バインダーで固着したもので、容易に変形
し、固定できる。この上に、ニッケルめっきを施したス
チール製のシールドケース１０４のフランジ部１０５を
載せ、４隅をネジで固定して本実施例のシールド構造は
完成した。

【００３０】次に他の実施例について説明する。図２は
本発明の電子機器のシールド構造の実施例の説明図であ
り、（ａ）は本発明実施例の電子機器のシールド構造の
（ｂ）の切断線Ｘ−Ｘでの部分断面図、（ｂ）はベース
導体層であるめっき筐体の上面図、（ｃ）は４枚で構成
された電磁波吸収体の上面図、（ｄ）はスチール製のシ
ールドケースの側面図、（ｅ）はスチール製のシールド
ケースの上面図である。図中符号２０１はベース導体、
２０３はベース導体のシールドめっき、２０４はシール
ドケース、２０５はシールドケースのフランジ部、２０
６はシールドケースの突起、２０７は電磁波吸収体、２
０８は電磁波吸収体に設けられた開口部である。

【００３１】図１と反対に、この実施例ではシールドケ
ース２０４側に突起２０６を作り、電磁波吸収体２０７
の開口部２０８を通して平面状のべ−ス導体２０１に接
続したものである。また、シールドケース２０４とべ−
ス導体２０１の両方に突起を形成し、電磁波吸収体２０
７の開口部２０８の内部で接続してもよい。

【００３２】さらに、開口部の形状は先の実施例の形状
に限定されるものではない。これまでの実施例では長方
形であったが円形であっても、楕円形でも構わない。図
３は電磁波吸収体の開口部の例を示す上面図であり、
（ａ）は連続した細長い開口部を有する例であり、
（ｂ）は細長い開口部が所定の間隔で設けられた例であ
る。図中符号３０７、３５７は電磁波吸収体、３０８、
３５８は開口部である。この場合突起はこの開口部に対
応する細長い突起となり、シールドケースの側壁部の延
長部を接触用に用いることができ、加工が容易となる。

【００３３】また、開口部の数も一つであっても、複数
個あってもよく、周波数が低い領域では、グランド接続
ポイントが４〜５点あればシールドケース自体のシール
ド効果に問題はない。

【００３４】電磁波吸収体の選定については、通常１Ｇ
Ｈｚ付近に吸収ピークを持つものが多いが、後述の図７
でも示した通り効果がある。さらに、良好な結果を得る
ためには、５００ＭＨｚ〜１ＧＨｚに吸収ピークをもつ
ものが理想であるが、近いものとして、後述のバスタレ
イド等でよい結果が得られる。

【００３５】次に本発明の電子機器のシールド構造の効
果について実験例を加えて説明する。上述のように、導
電体やガスケットに併用する電磁波吸収層の特性によ
り、シールド効果に大きな差を生じる。図４は、簡易的
な電磁波吸収層のシールド評価システムの模式的構成図
であり、図中符号４０６はコア型電磁吸収体、４０７は
信号発生源、４０８は出力部、４０９は信号線、４１０
はアンテナ、４１１はスペクトラムアナライザ、４１２
はプリンタである。ノイズ発生源である信号発生源４０
７に信号線４０９を取り付け、途中にコア型の焼結フェ
ライトなどの電磁波吸収体４０６を入れ、出力部４０８
から放射された電磁波を、磁界および電界アンテナ４１
０を使用して周波数帯域による強度をスペクトロアナラ
イザー４１１で検出するものである。

【００３６】図５は、図４の電磁波吸収層のシールド効
果評価システムによる測定対象の一つである、内部にグ
ランドに接続された導体が入った焼結フェアライトコア
の模式的斜視図であり、図中符号５０３は導体、５０
４、５０５はグランド接続端、５０６は焼結フェライト
コア、５０９は信号線である。焼結フェライトコア５０
６の中に両端をグランド接続端５０４、５０５でグラン
ドに接続された導体５０３が貫通している。

【００３７】図６は、図４の電磁波吸収層のシールド効
果評価システムによる測定結果のグラフであり、（ａ）
は信号線のみの場合、（ｂ）は焼結フェライトコアのみ
を使用した場合（ｃ）は焼結フェアライトコア内にグラ
ンドに接続された導体が入った場合である。

【００３８】この電磁波吸収層のシールド効果評価はケ
ーブルのノイズ対策としてよく使用される焼結フェライ
トを用いて行った例で、（ａ）は対象区となる焼結フェ
ライトのなし状態であり、（ｂ）の焼結フェライトのみ
を入れた状態では、１００ＭＨｚ付近で大きな減衰効果
が得られているが、５００ＭＨｚ以上では効果がきわめ
て少ない。（ｃ）は図５に示すように、グランドに接続
されたケーブルを並行して入れたときで、即ち、グラン
ド層に相当するシールドケースが電磁波吸収層内に入っ
ているときを想定したもので、１００ＭＨｚ付近では、
シールド効果が消失してしまい、５００ＭＨｚクラスで
も効果がみられない。

【００３９】これに対して、図７は電磁波吸収層に、樹
脂やゴムなどの加圧変形特性を持った有機バインダー中
にフェライトの微粒子を混合したものを用いた場合のシ
ールド効果評価システムによる測定結果のグラフであ
り、（ａ）はフェライト入り樹脂コアのみを使用した場
合、（ｂ）はフェライト入り樹脂コア内にグランドに接
続された導体が入った場合である。

【００４０】対象区である図６（ａ）に比ベ、１００Ｍ
Ｈｚ付近では、あまり効果がみられないが、５００ＭＨ
ｚクラスでは、電磁波吸収層内にグランドにつながった
導体があっても、いずれも良好なシールド効果を示し、
焼結フェライトとの場合とは性質を大きく異にする。こ
のフェライト入り樹脂コアの市販の例としては「ＴＤＫ
電波吸収型電磁シールド材カタログ中のＩＲ材やＩＶ
材」やトーキンの「電磁干渉抑制体バスタレイド」など
がよく、先のＥＭＣＪ８３−４０に示されているよう
に、使用周波数領域に応じた範囲で磁気損失が大きくな
る材料が好ましい。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子機器
のシールド構造では、ベース導体とシールドケースとが
導通しており、中間の電磁波吸収体が軟磁性体の微粒子
または扁平化した微粒子を有機バインダに混合して形成
された磁性層を備えており、ベース導体の接合面にシー
ルドめっきが施されているので、筐体の嵌合部や電気的
接続部分の接続抵抗を十分下げ、筐体上の導体によるシ
ールド効果が本来持っている能力まで十分に発揮させる
ので、導体層のシールド効果が確保されるとともに接合
部からの電磁波の漏洩がより効果的に抑制されるという
効果がある。

【００４２】さらに、さらにベース導体の接合面に電気
めっきを使用することで接合部以外のめっき厚さを減ら
しながら、効果的な放射妨害波の抑制を可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子機器のシールド構造の説明図であ
る。（ａ）は本発明の実施の形態の電子機器のシールド
構造の（ｂ）の切断線Ｘ−Ｘでの部分断面図である。
（ｂ）はベース導体層であるめっき筐体の上面図であ
る。（ｃ）は４枚で構成された電磁波吸収体の上面図で
ある。（ｄ）はスチール製のシールドケースの側面図で
ある。（ｅ）はスチール製のシールドケースの上面図で
ある。

【図２】本発明の電子機器のシールド構造の実施例の説
明図である。（ａ）は本発明実施例の電子機器のシール
ド構造の（ｂ）の切断線Ｘ−Ｘでの部分断面図である。
（ｂ）はベース導体層であるめっき筐体の上面図であ
る。（ｃ）は４枚で構成された電磁波吸収体の上面図で
ある。（ｄ）はスチール製のシールドケースの側面図で
ある。（ｅ）はスチール製のシールドケースの上面図で
ある。

【図３】電磁波吸収体の開口部の例を示す上面図であ
る。（ａ）は連続した細長い開口部を有する例である。
（ｂ）は細長い開口部が所定の間隔で設けられた例であ
る。

【図４】簡易的な電磁波吸収層のシールド評価システム
の模式的構成図である。

【図５】図４の電磁波吸収層のシールド効果評価システ
ムによる測定対象の一つである、内部にグランドに接続
された導体が入った焼結フェアライトコアの模式的斜視
図である。

【図６】図４の電磁波吸収層のシールド効果評価システ
ムによる測定結果のグラフでありる。（ａ）は信号線の
みの場合である。（ｂ）は焼結フェライトコアのみを使
用した場合である。（ｃ）は焼結フェアライトコア内に
グランドに接続された導体が入った場合である。

【図７】電磁波吸収層に、樹脂やゴムなどの加圧変形特
性を持った有機バインダー中にフェライトの微粒子を混
合したものを用いた場合のシールド効果評価システムに
よる測定結果のグラフである。（ａ）はフェライト入り
樹脂コアのみを使用した場合である。（ｂ）はフェライ
ト入り樹脂コア内にグランドに接続された導体が入った
場合である。

【図８】金属製のシールドケースを使用したシールド構
造の従来例の模式的断面図である。

【図９】隙間からの電磁波の漏れを防ぐためのチューブ
タイプのガスケットの断面図である。

【図１０】粘着層を有する弾性体の角柱状のガスケット
の断面図である。

【図１１】特開平０５−０１３９７９号公報で開示され
た磁性体を併用したシールド材の部分断面斜視図であ
る。体

【図１２】磁性体を併用した複合電磁シールド材の断面
図である。

【図１３】プリント基板とめっきを施した筐体のボス部
分でのネジの締め付けトルクによる接触抵抗の変化の状
態の説明図である。（ａ）は測定結果のグラフである。
（ｂ）は測定装置の模式的斜視図である。

【図１４】シールド効果評価装置の説明図である。
（ａ）はシールド効果評価チャンバーの模式的断面図で
ある。（ｂ）はシールド効果評価システムのブロック構
成図である。

【図１５】図１４の装置を用いて両面めっき法で１μｍ
の銅めっき層を構成した平板のシールド効果の測定結果
を示すグラフである。

【符号の説明】

１０１、２０１ベース導体１０２ベース導体の突起１０３、２０３ベース導体のシールドめっき１０４、２０４シールドケース１０５、２０５シールドケースのフランジ部１０７、２０７電磁波吸収体１０８、２０８電磁波吸収体に設けられた開口部２０６シールドケースの突起３０７、３５７電磁波吸収体３０８、３５８開口部４０６コア型電磁吸収体４０７信号発生源４０８出力部４０９信号線４１０アンテナ４１１スペクトラムアナライザ４１２プリンタ５０３導体５０４、５０５グランド接続端５０６焼結フェライトコア５０９信号線８０１電子部品８０２筐体８０３ａ、８０３ｂシールドケース８０４プリント基板８０９ガスケット９１１金属製ネット９１２弾性体９１３中空部１０１１弾性体１０１２導電化した筒状の布１０１４導電性粘着層１１０６板状磁性体１１１５導電性を有する板状磁石１１１６箱状導体１２０４導電性繊維１２０６複合フェライト１３０１プリント基板１３０２筐体１３０３ねじ１３０４、１３０５プローブ１４０１シールド評価チャンバ１４０２サンプル１４０３ガスケット１４０５、１４０６磁界アンテナ１４０７標準信号発生器１４０８スペクトラムアナライザ１４０９、１４１０増幅器１４１１シールド効果評価器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子機器の筐体構造において、導体で形
成されたケースと該ケースを固定するべ−ス導体との間
に、開口を設けた電磁波吸収体を挟んだ接合構造で、前
記べ−ス導体側および前記ケース側の少なくともいずれ
か一方に前記開口部を貫通して該ケースと該べ−ス導体
とを導通させる突起が形成されていること特徴とする電
子機器のシールド構造。
【請求項２】前記電磁波吸収体が、軟磁性体の微粒子
および扁平化した微粒子の少なくともいずれか一方を混
入した有機バインダで形成された磁性体の支持層を備え
ていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器のシ
ールド構造。
【請求項３】前記電磁波吸収体の磁性体の支持層を構
成する微粒子および扁平化した微粒子が、フエライト、
アモルファス合金、パーマロイのいずれかである請求項
２に記載の電子機器のシールド構造。
【請求項４】前記電磁波吸収体に穿孔される開口が１
個である請求項１に記載の電子機器のシールド構造。
【請求項５】前記電磁波吸収体に穿孔される開口が複
数である請求項１に記載の電子機器のシールド構造。
【請求項６】前記ベース導体の接合面に電気めっきに
よるシールドめっきが施されていることを特徴とする請
求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電子機器の
シールド構造。