JPH11189731A

JPH11189731A - ハロゲン化銅フタロシアニン粗顔料を使用に適する顔料の形に変換する方法

Info

Publication number: JPH11189731A
Application number: JP10295307A
Authority: JP
Inventors: Dr Andrea Birgit Schuetze; ビルギットシュッツェアンドレア; Dr Frank Scherhag; シェアハークフランク; Peter Boettcher; ベトヒャーペーター
Original assignee: BASF SE
Current assignee: BASF SE
Priority date: 1997-10-17
Filing date: 1998-10-16
Publication date: 1999-07-13
Anticipated expiration: 2018-10-16
Also published as: CN1219558A; DE19745922A1; KR19990037151A; EP0909795A1; CN1085232C; JP4427112B2; DE59801211D1; EP0909795B1; KR100544448B1; US5944887A

Abstract

(57)【要約】【課題】ハロゲン化銅フタロシアニン粗顔料を使用に
適する顔料の形に変換する方法を提供する。【解決手段】粗顔料を、銅フタロシアニン誘導体の存
在で、必要により水の存在で、高めた温度で、液状の酸
性芳香族有機媒体を用いて処理することにより、塩素含
量４〜５０.３重量％を有するハロゲン化銅フタロシア
ニン粗顔料を、使用に適する顔料の形に変換する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、塩素含量４〜５
０.３重量％を有するハロゲン化銅フタロシアニン粗顔
料を使用に適する顔料の形に変換する新規の方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】銅フタロシアニンのハロゲン化の際に、
一般に多く凝結する傾向により顔料として使用するため
に不適当である無定形から微細結晶までの生成物が得ら
れる。

【０００３】粗顔料を適当な顔料の形に変換するために
多くの原理的方法、例えば機械的粒子の粉砕または高め
た温度での濃硫酸または有機溶剤を用いる処理が知られ
ている。

【０００４】ポリハロゲン化銅フタロシアニンを溶剤で
処理するために、主にキシレン（ドイツ特許出願公開第
２０１３８１８号明細書）、トリクロロベンゼン、クロ
ロナフタレンまたはニトロベンゼン（ドイツ特許出願公
開第２４４９２３１号明細書）、２−ニトロフェノール
（ドイツ特許出願公開第１２４２１８０号明細書）、ナ
フトール（英国特許第１０８８７３６号明細書）、安息
香酸および／またはアルキル安息香酸（欧州特許出願公
開第５８８８８号明細書）または脂肪族ケトン（ドイツ
特許出願公開第３６３６４２８号明細書）を水の存在ま
たは不在で使用する。特開平６−３３６５５６号には、
水および芳香族溶剤の混合物中で、銅フタロシアニン誘
導体の存在で、ポリハロゲン化銅フタロシアニンを加熱
する方法が記載されている。

【０００５】これらの公知の方法はしばしば不満足な結
果を生じるだけであり、更に高いハロゲン化の程度（３
８.５重量％以上の塩素含量、すなわち銅フタロシアニ
ン骨格に少なくとも１０個の塩素原子）を有する銅フタ
ロシアニンに限定される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ポリ
ハロゲン化したおよび、特に最初にハロゲン化した（例
えば塩素含量３８.５％未満の）銅フタロシアニン粗顔
料を、技術的に簡単な、経済的な方法で、色彩的に価値
の高い顔料の形に変換することができ、それぞれの使用
目的に最も適した顔料の製造を可能にする方法を提供す
ることである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題は、塩素含量４
〜５０.３重量％を有するハロゲン化銅フタロシアニン
粗顔料を使用に適する顔料の形に変換する方法により解
決され、この方法は、粗顔料を、銅フタロシアニン−ス
ルホン酸および−カルボン酸およびこれらのアルカリ金
属塩、アンモニウム塩およびアルキルアンモニウム塩、
アミノ置換したおよびアミノメチル化した銅フタロシア
ニンおよびこれらと、アルキル化剤、スルホン酸、スル
ホン酸クロリドおよびカルボン酸クロリドとの反応生成
物、イミドメチレンおよびアミドメチレン置換した銅フ
タロシアニン、アルキル、アリールおよびシアノにより
置換された銅フタロシアニンおよびヒドロキシおよびア
ルコキシ置換した銅フタロシアニンからなる群から選択
される銅フタロシアニン誘導体の存在で、必要により水
の存在で、高めた温度で、液状の酸性芳香族有機媒体を
用いて処理することを特徴とする。

【０００８】この場合に、有機媒体として、有利には一
般式Ｉ：

【０００９】

【化３】

【００１０】［式中のＸはヒドロキシ基またはカルボキ
シ基であり、ベンゼン環Ｄは付加的に、ニトロ、Ｃ₁〜
Ｃ₄−アルキル、有利にはＣ₁〜Ｃ₂−アルキル、Ｃ₂〜Ｃ
₄−アルケニル、有利にはＣ₂〜Ｃ₃−アルケニル、塩素
および臭素からなる群から選択される２個までの同じか
または異なる置換基を有していてもよく、ベンゼン環縮
合していてもよい］で表される化合物を使用する。

【００１１】Ｘがカルボキシ基である場合（安息香酸を
基礎とする溶剤）は、ベンゼン環Ｄは、有利には付加的
なＣ₁〜Ｃ₄−アルキル、特にＣ₁〜Ｃ₂−アルキルにより
置換された基であり、または特に有利には非置換であ
る。

【００１２】Ｘがヒドロキシ基である場合（フェノール
溶剤）は、ベンゼン環Ｄは、有利には更に前記の置換基
の１個を有し、ベンゼン環Ｄがベンゼン環縮合している
場合は、有利には他の置換基を有しない。

【００１３】有機媒体は室温でほとんど水に溶解せず、
処理温度で液状であるべきである。従って、前記化合物
Ｉの融点は、一般に２００℃以下、有利には１５０℃以
下であるべきである。

【００１４】適当な酸性芳香族有機媒体の例は、安息香
酸、２−、３−および４−メチル安息香酸、２−、３−
および４−エチル安息香酸、フェノール、２−、３−お
よび４−ニトロフェノール、２−、３−および４−メチ
ルフェノール（−クレゾール）、２−、３−および４−
エチルフェノール、２−アリルフェノール、２−、３−
および４−ブロモフェノール、２,４−ジブロモフェノ
ール、２,４−ジクロロフェノール、２−クロロ−６−
ニトロフェノール、２−クロロ−４−ニトロフェノー
ル、２,４−ジニトロフェノール、３−メチル−４−ニ
トロフェノール、１−および２−ナフトールおよび１−
ブロモ−２−ナフトールおよびこれらの混合物であり、
３−および４−ニトロフェノール、１−および２−ナフ
トールが有利であり、２−ニトロフェノールが特に有利
である。

【００１５】銅フタロシアニン粗顔料１ｇ当たりの使用
される有機媒体の量は、一般に１〜２０ｇの範囲内であ
り、有利には１〜６ｇの範囲内である。

【００１６】本発明の顔料の処理は水の不在でまたは水
の存在で行うことができる。すなわちハロゲン化した銅
フタロシアニン粗顔料を、乾燥した形でまたは有利には
直接ハロゲン化の際に得られる、水で湿った（一般に５
０〜９０重量％の範囲の含水量）フィルタープレスケー
キの形で使用することができる。

【００１７】本発明の顔料処理中の水の量は重要でない
が、空時収率を不必要に低下しないために、過度に多く
の量の水を回避すべきである。

【００１８】本発明の顔料の処理は、もちろん誘導体の
混合物も含めた、前記の銅フタロシアニン誘導体の１種
の存在で実施する。

【００１９】銅フタロシアニン誘導体は再結晶中の結晶
の成長を調節し、生じる顔料の表面を変性するために用
いられる。その選択は粗顔料の塩素化の程度、再結晶し
た顔料の好ましい特性および後の適用媒体に依存する。

【００２０】一般式ＩＩ：

【００２１】

【化４】

【００２２】［式中のＡおよびＢはそれぞれ互いに独立
に以下の置換基：−ＳＯ₃Ｍ−、−ＣＯ₂Ｍ、−ＳＯ₃Ｈ
・ＨＮＲ¹Ｒ²、−ＣＨ₂ＮＲ³Ｒ⁴、−ＮＲ³Ｒ⁴、−ＣＨ₂
ＮＲ³Ｒ⁴・ＨＯ₃ＳＲ⁵、−ＮＲ³Ｒ⁴・ＨＯ₃ＳＲ⁵、−Ｎ
ＨＣＯＲ¹、−ＣＨ₂ＮＨＣＯＲ¹、−ＮＨＳＯ₂Ｒ¹、−
ＣＨ₂ＮＨＳＯ₂Ｒ¹、−ＳＯ₂ＮＨＲ ¹、−ＣＯＮＨＲ¹、
Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル、アリール、シアノまたは−ＯＲ⁶
であり、式中のＲ¹およびＲ²はそれぞれ互いに独立に水
素、または−ＮＲ⁷Ｒ⁸により置換されていてもよいＣ₂
〜Ｃ₂₀−アルケニルまたはＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキルであ
り、式中のＲ⁷およびＲ⁸はそれぞれ互いに独立に１個以
上のヘテロ原子を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキ
ル、Ｃ₅〜Ｃ₈−シクロアルキルまたは水素であり、Ｒ³
およびＲ⁴はそれぞれ互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
ルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニルまたはアリールである
か、または互いに結合して、窒素原子および場合により
ほかのヘテロ原子またはカルボニル基またはスルホニル
基を有する、ベンゼン環縮合していてもよい５員環また
は６員環を形成し、Ｒ⁵はｐ−（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキ
ル）フェニルまたはＣ₂〜Ｃ₂₀−アルケニルであり、Ｒ⁶
は水素またはＣ₁〜Ｃ₆−アルキルであり、かつＭは水素
またはアルカリ金属であり、ｍは０より大きく４.０ま
での整数または分数であり、ｎは０〜４.０の整数また
は分数である］で表される銅フタロシアニン誘導体が有
利である。

【００２３】ＡおよびＢは互いに独立に以下の置換基：
−ＳＯ₃Ｍ、−ＳＯ₃Ｈ・ＨＮＲ¹Ｒ²、−ＣＨ₂ＮＲ
³Ｒ⁴、−ＣＨ₂ＮＲ³Ｒ⁴・ＨＯ ₃ＳＲ⁵または−ＳＯ₂ＮＨ
Ｒ¹であり、式中のＲ¹およびＲ²は互いに独立にＣ₁〜Ｃ
₂₀−アルキルまたは水素であり、Ｒ³およびＲ⁴は互いに
独立にＣ₁〜Ｃ₆−アルキルまたは水素であるか、または
窒素原子と結合してカルボニル基またはスルホニル基を
有するベンゼン環縮合した５員環を形成し、Ｒ⁵はｐ−
（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキル）フェニルであり、ｍは０より
大きく、４までの整数または分数であり、ｎは０〜４の
整数または分数であり、ただしｍ＋ｎの合計は０.１〜
４、特に１.０〜３.５である一般式ＩＩの銅フタロシア
ニン誘導体が特に有利である。

【００２４】一般式ＩＩに含まれる基ＡおよびＢまたは
これらの置換基の例として以下のものが挙げられる：直
鎖または分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル基、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペ
ンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、２−メチルペンチ
ル、ヘプチル、１−エチルペンチル、オクチル、２−エ
チルヘキシル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デ
シル、イソデシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシ
ル、イソトリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘ
キサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシ
ル、およびエイコシル（イソオクチル、イソノニル、イ
ソデシルおよびイソトリデシルは通俗的な名称であり、
オキソ合成により得られるアルコールに由来する、これ
に関しては、Ullmanns Encyklopaedie der technischen
Chemie 第４版、第７巻、２１５〜２１７頁、第１１
巻、４３５〜４３６頁参照）、直鎖または分枝鎖状のＣ
₂〜Ｃ₂₀−アルケニル基、例えばエテニル、プロペニ
ル、イソプロペニル、ブテニル、イソブテニル、ペンテ
ニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニ
ル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニ
ル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニ
ル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、
およびエイコセニル、直鎖または分枝鎖状のＣ₁〜Ｃ₆−
アルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｔ−ブ
トキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキ
シ、ｔ−ペントキシ、およびヘキソキシ、１個以上の炭
素原子の代わりに酸素および／または窒素のようなヘテ
ロ原子を有していてもよいが、これを介して結合してい
ないＣ₅〜Ｃ₈−シクロアルキル基、例えばシクロペンチ
ル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチ
ル、テトラヒドロフリル、ピロリジル、ピペリジル、ピ
ペラジルおよびモルホリニル、アリール基、例えばナフ
チルおよび特にフェニル、ｐ−（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキ
ル）フェニル基、例えばｐ−デシルフェニル、ｐ−ウン
デシルフェニル、ｐ−ドデシルフェニル、ｐ−トリデシ
ルフェニル、ｐ−テトラデシルフェニル、ｐ−ペンタデ
シルフェニル、ｐ−ヘキサデシルフェニル、ｐ−ヘプタ
デシルフェニル、ｐ−オクタデシルフェニル、ｐ−ノナ
デシルフェニル、およびｐ−エイコシルフェニル、カル
ボキシ、有利にはスルホおよびモノ−（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−ア
ルキル）アンモニウムスルホネート基、例えばモノデシ
ル−、モノウンデシル−、モノドデシル−、モノトリデ
シル−、モノテトラデシル−、モノペンタデシル−、モ
ノヘキサデシル−、モノヘプタデシル−、モノオクタデ
シル−、モノノナデシル−、およびモノエイコシルアン
モニウムスルホネート基、モノ−およびジ−（Ｃ₁〜Ｃ₆
−アルキル）アミノ基、例えばモノ−およびジメチルア
ミノ、モノ−およびジエチルアミノ、モノ−およびジプ
ロピルアミノ、モノ−およびジイソプロピルアミノ、モ
ノ−およびジブチルアミノ、モノ−およびジイソブチル
アミノ、モノ−およびジペンチルアミノ、モノ−および
ジヘキシルアミノ、モノ−およびジ−（Ｃ₁〜Ｃ₆−アル
キル）アミノメチル基、この場合に前記のアミノ基はメ
チレン基を介してフタロシアニン骨格に結合している、
モノ−およびジ−（Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル）アミノ基、有
利には相当するアミノメチル基と、Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキ
ルフェニルスルホン酸、例えばｐ−デシル−、ｐ−ウン
デシル−、ｐ−ドデシル−、ｐ−トリデシル−、ｐ−テ
トラデシル−、ｐ−ペンタデシル−、ｐ−ヘキサデシル
−、ｐ−ヘプタデシル−、ｐ−オクタデシル−、ｐ−ノ
ナデシル−、およびｐ−エイコシルフェニルスルホン酸
との反応生成物、この場合にアルキル基はスルホン酸基
に対してｏ−、ｍ−または有利にはｐ−位に位置する、
例えば−ＣＨ₂−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂・ＨＯ₃Ｓ−Ｐｈ−４−
Ｃ₁₂Ｈ₃₅および−ＣＨ₂−ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₅）・ＨＯ₃Ｓ−Ｐ
ｈ−４−Ｃ₁₂Ｈ₃₅、アミン窒素原子を有し、これを介し
て結合したヘテロシクロアルキル基およびヘテロアリー
ル基、例えば４−モルホリニル、ピロリジル、ピペリジ
ル、ピペラジル、ピラゾリル、ピリル、ピラジル、イミ
ダジル、Ｎ−フタリミジル、Ｎ−サッカリニル、有利に
は−ＣＨ₂−を介してフタロシアニン骨格に結合した相
当する基、モノ−（Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキルカルボニル）
アミノ基、例えばモノメチル−、モノエチル−、モノプ
ロピル−、モノイソプロピル−、モノブチル−、モノイ
ソブチル−、ｔ−モノブチル−、モノペンチル−、モノ
イソペンチル−、モノネオペンチル−、ｔ−モノペンチ
ル−、モノヘキシル−、２−モノメチルペンチル−、モ
ノヘプチル−、１−モノエチルペンチル−、モノオクチ
ル−、２−モノエチルヘキシル−、モノイソオクチル
−、モノノニル−、モノイソノニル−、モノデシル−、
モノウンデシル−、モノドデシル−、モノトリデシル
−、モノテトラデシル−、モノペンタデシル−、モノヘ
キサデシル−、モノヘプタデシル−、モノオクタデシル
−、モノノナデシル−、モノエイコシルカルボニルアミ
ノ、および−ＣＨ₂−を介してフタロシアニン骨格に結
合した相当するアミノ基、モノ−（Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキ
ルスルホニル）アミノ基、例えばモノメチル−、モノエ
チル−、モノプロピル−、モノイソプロピル−、モノブ
チル−、モノイソブチル−、ｔ−モノブチル−、モノペ
ンチル−、モノイソペンチル−、モノネオペンチル−、
ｔ−モノペンチル−、モノヘキシル−、２−モノメチル
ペンチル−、モノヘプチル−、１−モノエチルペンチル
−、モノオクチル−、２−モノエチルヘキシル−、モノ
イソオクチル−、モノノニル−、モノイソノニル−、モ
ノデシル−、モノウンデシル−、モノドデシル−、モノ
トリデシル−、モノテトラデシル−、モノペンタデシル
−、モノヘキサデシル−、モノヘプタデシル−、モノオ
クタデシル−、モノノナデシル−、モノエイコシルスル
ホニルアミノ、および−ＣＨ₂−を介してフタロシアニ
ン骨格に結合した相当するアミノ基、モノ−（Ｃ₁〜Ｃ
₂₀−アルキルアミノ）スルホニル基、例えばモノメチル
−、モノエチル−、モノプロピル−、モノイソプロピル
−、モノブチル−、モノイソブチル−、ｔ−モノブチル
−、モノペンチル−、モノイソペンチル−、モノネオペ
ンチル−、ｔ−モノペンチル−、モノヘキシル−、２−
モノメチルペンチル−、モノヘプチル−、１−モノエチ
ルペンチル−、モノオクチル−、２−モノエチルヘキシ
ル−、モノイソオクチル−、モノノニル−、モノイソノ
ニル−、モノデシル−、モノウンデシル−、モノドデシ
ル−、モノトリデシル−、モノテトラデシル−、モノペ
ンタデシル−、モノヘキサデシル−、モノヘプタデシル
−、モノオクタデシル−、モノノナデシル−、モノエイ
コシルアミノスルホニル、この場合にアルキル基は末端
のアミノ基、モノ−またはジ−（Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル）
アミノ基を有していてもよい、モノ−（Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
ルキルアミノ）カルボニル基、例えばモノメチル−、モ
ノエチル−、モノプロピル−、モノイソプロピル−、モ
ノブチル−、モノイソブチル−、ｔ−モノブチル−、モ
ノペンチル−、モノイソペンチル−、モノネオペンチル
−、ｔ−モノペンチル−、モノヘキシル−、２−モノメ
チルペンチル−、モノヘプチル−、１−モノエチルペン
チル−、モノオクチル−、２−モノエチルヘキシル−、
モノイソオクチル−、モノノニル−、モノイソノニル
−、モノデシル−、モノウンデシル−、モノドデシル
−、モノトリデシル−、モノテトラデシル−、モノペン
タデシル−、モノヘキサデシル−、モノヘプタデシル
−、モノオクタデシル−、モノノナデシル−、モノエイ
コシルアミノカルボニル、この場合にアルキル基は末端
のアミノ基、モノ−またはジ−（Ｃ₁〜Ｃ₆−アルキル）
アミノ基を有していてもよい。

【００２５】フタロシアニン誘導体ＩＩは自体公知であ
るか、または公知の方法により製造できる（例えば欧州
特許公開第５３５７７４号明細書、ドイツ特許出願公開
第２５１６０５４号明細書、欧州特許公開第５３８７８
４号明細書、ドイツ特許出願公開第２９０５１１４号明
細書）。

【００２６】本発明の方法においては、銅フタロシアニ
ン誘導体ＩＩを、それぞれ銅フタロシアニン粗顔料に対
して、一般に０.１〜２０重量％、有利には１〜１０重
量％使用する。

【００２７】適当な作業温度は一般に８０〜２００℃、
有利には８０〜１２０℃であり、この場合に温度をそれ
ぞれの場合に酸性の芳香族有機媒体の融点に調整すべき
である。

【００２８】本発明の顔料の処理は、水の存在で、有利
には１００℃より高い温度で、自己圧下に閉鎖した反応
器中で実施する。

【００２９】顔料の処理は、一般に２〜１０時間、特に
２〜５時間を要する。選択した温度が高いほど、再結晶
はますます速く進行する。

【００３０】本発明の方法は、製造技術的に、有利には
以下のように実施する。

【００３１】有利には水で湿らせたフィルターケーキと
して存在するハロゲン化銅フタロシアニン粗顔料、銅フ
タロシアニン誘導体および酸性の芳香族有機媒体の混合
物を、所望の温度に加熱し、この温度で２〜１０時間撹
拌する。引き続き、顔料を単離するために、５０〜１０
０℃で、少なくとも、有機媒体を水溶性アルカリ金属塩
に変換するために化学量論的に必要である量の水性塩基
（例えば２〜６０重量％アルカリ金属溶液）を添加す
る。引き続き顔料を濾過し、水で洗浄し、乾燥する。

【００３２】アルカリ金属塩溶液を無機酸で酸性にし、
室温に冷却することにより有機媒体を再び晶出し、顔料
の処理に再び使用することができる。

【００３３】本発明の方法を用いて、従来のおよび水を
基礎とする塗料系に使用するために適している、優れた
流動特性を有する、明るい、澄んだ、濃い色のハロゲン
化（ハロゲン化したおよびポリハロゲン化した）銅フタ
ロシアニン顔料が有利に得られる。

【００３４】

【実施例】例塩素含量ｘ₁重量％を有するハロゲン化銅フタロシアニ
ン粗顔料５０ｇ（計算して１００％）（含水量ｘ₂重量
％の水性プレスケーキの形で使用した）、銅フタロシア
ニン誘導体ＩＩ′：

【００３５】

【化５】

【００３６】２.５ｇおよび有機媒体ＩＩＩ１００ｇの
混合物を、１００℃に加熱し、この温度で５時間撹拌し
た。

【００３７】８０℃に冷却後、３１重量％水酸化ナトリ
ウム溶液２９０ｇを添加した。顔料を濾過し、水で洗浄
し、１００℃で乾燥した。

【００３８】この実験の詳細およびその結果を以下の表
に記載する。

【００３９】

【表１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者フランクシェアハークドイツ連邦共和国シュトゥットガルト− フォイヤーバッハハッポルトシュトラーセ 39アー (72)発明者ペーターベトヒャードイツ連邦共和国カールスベルクパークシュトラーセ５

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】塩素含量４〜５０.３重量％を有するハ
ロゲン化銅フタロシアニン粗顔料を使用に適する顔料の
形に変換する方法において、粗顔料を、銅フタロシアニ
ン−スルホン酸および−カルボン酸およびこれらのアル
カリ金属塩、アンモニウム塩およびアルキルアンモニウ
ム塩、アミノ置換したおよびアミノメチル化した銅フタ
ロシアニンおよびこれらと、アルキル化剤、スルホン
酸、スルホン酸クロリドおよびカルボン酸クロリドとの
反応生成物、イミドメチレンおよびアミドメチレン置換
した銅フタロシアニン、アルキル、アリールおよびシア
ノにより置換された銅フタロシアニンおよびヒドロキシ
およびアルコキシ置換した銅フタロシアニンからなる群
から選択される銅フタロシアニン誘導体の存在で、必要
により水の存在で、高めた温度で、液状の酸性芳香族有
機媒体を用いて処理することを特徴とする、ハロゲン化
銅フタロシアニン粗顔料を使用に適する顔料の形に変換
する方法。
【請求項２】有機媒体として、一般式Ｉ：【化１】［式中のＸはヒドロキシ基またはカルボキシ基であり、
ベンゼン環Ｄは付加的に、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキ
ル、Ｃ₂〜Ｃ₄−アルケニル、塩素および臭素からなる群
から選択される２個までの同じかまたは異なる置換基を
有していてもよく、ベンゼン環縮合していてもよい］で
表される化合物を使用する請求項１記載の方法。
【請求項３】有機媒体として、２−ニトロフェノー
ル、３−ニトロフェノール、４−ニトロフェノール、１
−ナフトールまたは２−ナフトールを使用する請求項１
または２記載の方法。
【請求項４】一般式ＩＩ：【化２】［式中のＡおよびＢはそれぞれ互いに独立に以下の置換
基：−ＳＯ₃Ｍ−、−ＣＯ₂Ｍ、−ＳＯ₃Ｈ・ＨＮＲ
¹Ｒ²、−ＣＨ₂ＮＲ³Ｒ⁴、−ＮＲ³Ｒ⁴、−ＣＨ₂ＮＲ³Ｒ⁴
・ＨＯ₃ＳＲ⁵、−ＮＲ³Ｒ⁴・ＨＯ₃ＳＲ⁵、−ＮＨＣＯＲ
¹、−ＣＨ₂ＮＨＣＯＲ¹、−ＮＨＳＯ₂Ｒ¹、−ＣＨ₂ＮＨ
ＳＯ₂Ｒ¹、−ＳＯ₂ＮＨＲ ¹、−ＣＯＮＨＲ¹、Ｃ₁〜Ｃ₆
−アルキル、アリール、シアノまたは−ＯＲ⁶であり、
式中のＲ¹およびＲ²はそれぞれ互いに独立に水素、また
は−ＮＲ⁷Ｒ⁸により置換されていてもよいＣ₂〜Ｃ₂₀−
アルケニルまたはＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキルであり、式中の
Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ互いに独立に１個以上のヘテロ
原子を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₅〜Ｃ
₈−シクロアルキルまたは水素であり、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₂₀
−アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニルまたはアリールで
あるか、または互いに結合して、窒素原子および場合に
よりほかのヘテロ原子またはカルボニル基またはスルホ
ニル基を有する、ベンゼン環縮合していてもよい５員環
または６員環を形成し、Ｒ⁵はｐ−（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキル）フェニルまたはＣ₂
〜Ｃ₂₀−アルケニルであり、Ｒ⁶は水素またはＣ₁〜Ｃ₆−アルキルであり、かつＭは
水素またはアルカリ金属であり、ｍは０より大きく４.０までの整数または分数であり、ｎは０〜４.０の整数または分数である］で表される銅
フタロシアニン誘導体を使用する請求項１から３までの
いずれか１項記載の方法。
【請求項５】ＡおよびＢは互いに独立に以下の置換
基：−ＳＯ₃Ｍ、−ＳＯ₃Ｈ・ＨＮＲ¹Ｒ²、−ＣＨ₂ＮＲ³
Ｒ⁴、−ＣＨ₂ＮＲ³Ｒ⁴・ＨＯ ₃ＳＲ⁵または−ＳＯ₂ＮＨ
Ｒ¹であり、式中のＲ¹およびＲ²は互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキ
ルまたは水素であり、Ｒ³およびＲ⁴は互いに独立にＣ₁〜Ｃ₆−アルキルまたは
水素であるか、または互いに結合して窒素原子およびカ
ルボニル基またはスルホニル基を有する、ベンゼン環縮
合した５員環を形成し、Ｒ⁵はｐ−（Ｃ₁₀〜Ｃ₂₀−アルキル）フェニルであり、ｍは０より大きく、４までの整数または分数であり、ｎは０〜４の整数または分数であり、ただしｍ＋ｎの合
計は０.１〜４である一般式ＩＩの銅フタロシアニン誘
導体を使用する請求項１から４までのいずれか１項記載
の方法。
【請求項６】粗顔料に対して０.１〜２０重量％の一
般式ＩＩの銅フタロシアニン誘導体を使用する請求項１
から５までのいずれか１項記載の方法。