JPH11191502A - 低抵抗型チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 抵抗値のバラツキ及び変動が少ない低抵抗型
チップ抵抗器を提供する。 【解決手段】 アルミナ基板１の表面及び裏面にＡｇ−
Ｐｄ含有グレーズペーストを用いて一対の表面電極２，
２及び裏面電極３、３を形成する。一対の表面電極２，
２間及び一対の裏面電極３，３間にＡｇ−Ｐｄ含有グレ
ーズペーストを用いて表面側低抵抗体４及び裏面側低抵
抗体５を形成する。表面側低抵抗体４及び裏面側低抵抗
体５を２層構造のオーバーコート６〜９で覆う。アルミ
ナ基板１を間にして対向する表面電極２と裏面電極３と
を相互に接続するようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペース
トを用いてアルミナ基板の両端部に一対の側面電極１
０，１０を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗値がｍΩ台の
低抵抗型チップ抵抗器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の一般的なチップ抵抗器は、アルミ
ナ基板の表面に形成した一対の表面電極の間に抵抗ペー
ストを用いて厚膜の抵抗体を形成し、厚膜の抵抗体の上
をオーバーコートで覆い、基板の両端部に半田付け電極
を形成した構造を有している。従来の低抵抗型チップ抵
抗器も、基本的にはこの構造を採用している。但し従来
は、抵抗体の抵抗値を下げるために、抵抗ペーストを複
数回塗布して抵抗体の厚みを厚くしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】抵抗値が低くなるほ
ど、抵抗体の抵抗値のバラツキ及び変動が大きな問題と
なるだけでなく、電極部の抵抗値のバラツキ及び変動も
全体の抵抗値に大きな影響を持つようになる。しかしな
がら従来のように抵抗体の厚みを厚くする構造を採用す
ると、抵抗体の抵抗値のバラツキが大きくなる上、抵抗
体とアルミナ基板の熱膨脹係数の差から抵抗体がアルミ
ナ基板から離れ易くなって、抵抗値が変動しやすくな
る。

【０００４】本発明の目的は、抵抗値のバラツキ及び変
動が少ない低抵抗型チップ抵抗器を提供することにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の低抵抗型チップ
抵抗器では、アルミナ基板の表面にＡｇ−Ｐｄ含有グレ
ーズペーストを用いて一対の表面電極を形成する。また
アルミナ基板の裏面にＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペースト
を用いて一対の裏面電極を形成する。そして一対の表面
電極間に該一対の表面電極と端部が重なるようにＡｇ−
Ｐｄ含有グレーズペーストを用いて表面側低抵抗体を形
成し、一対の裏面電極間に該一対の裏面電極と端部が重
なるようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用いて裏
面側低抵抗体を形成する。表面側低抵抗体を１層構造以
上の表側オーバーコートで覆い、また裏面側低抵抗体も
１層構造以上の裏側オーバーコートで覆う。そしてアル
ミナ基板を間にして対向する表面電極と裏面電極とを相
互に接続するようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを
用いてアルミナ基板の両端部に一対の側面電極を形成す
る。

【０００６】ここでＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストと
は、Ａｇ粉末とＰｄ粉末とが適宜の割合でガラスペース
トに混ぜられたものであり、Ａｇ粉末だけを含有するＡ
ｇ含有グレーズペーストと比べて、抵抗値のバラツキ及
び変動が少ない。

【０００７】アルミナ基板の両面に抵抗体を形成する構
造は、公知である。しかしながら当業者には、この構造
を用いて抵抗値がｍΩ台の低抵抗型チップ抵抗器を作る
という発想は従来なかった。これは基板の両面に抵抗体
を形成すると、製造工程が多くなるだけでなく、構造が
複雑になるために、極めて非現実的な構造であるとの考
えが当業者の常識なっていたからである。本発明では、
この当業者の常識を破って、あえて表面側低抵抗体と裏
面側低抵抗体とを並列に接続する構成を採用した。表面
側低抵抗体と裏面側低抵抗体とを並列接続すると、従来
のように抵抗体の厚みを厚くする構造を採用しなくて
も、全体の抵抗値を大きく下げることができるだけでな
く、抵抗体がアルミナ基板から剥離して抵抗値が変動す
るといった問題も生じなくなり、低抵抗型チップ抵抗器
においては優れた効果を発揮する。そして本発明では、
更に抵抗値のバラツキと変動を小さくするために、表面
電極、裏面電極、表面側低抵抗体、裏面側低抵抗体及び
側面電極のすべてをＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストに
より形成した。このような構成も、従来当業者が考えな
かったものであり、この構成を採用することにより、各
部の抵抗値のバラツキ及び変動が少なくなって、結果と
して、抵抗値のバラツキ及び変動が少ない低抵抗型チッ
プ抵抗器を得ることができたのである。

【０００８】なお一般的なチップ抵抗器であれば、半田
付け性を改善するために、側面電極の表面をニッケルメ
ッキ層と半田メッキ層とにより覆っている。しかしなが
ら、メッキ層も抵抗値を持っており、抵抗器の抵抗値が
低くなると、メッキ層の抵抗値のバラツキも大きな影響
を持つようになる。そのため本発明では、このようなメ
ッキ層をあえて形成していない。

【０００９】表側オーバーコート及び裏側オーバーコー
トは、２層構造のガラスオーバーコートから構成するの
が好ましい。そして一対の側面電極はその裏側端部が、
裏側オーバーコートの表面よりも突出するように形成す
る。このようにすると半田付けが良好になるだけでな
く、半田付け時の熱で抵抗値が変動するのを防止でき
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態の一例を製造方法とともに詳細に説明する。図
１は、本発明の低抵抗型チップ抵抗器の実施の形態の一
例の断面図である。また図２（Ａ）〜（Ｄ）及び（ａ）
〜（ｄ）は、製造工程の途中の工程までを示す図であ
る。なお図１においては、理解を容易にするために、各
部の形状を誇張して描いてある。

【００１１】図１及び図２において、１はアルミナ基板
であり、一般的にはセラミックス基板とも呼ばれる。ア
ルミナ基板１の表面にはＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペース
トを用いて一対の表面電極２，２が形成されている。こ
の例では、ＡｇとＰｄの含有比率が９５：５のＡｇ−Ｐ
ｄ含有グレーズペーストを用いて、スクリ−ン印刷によ
り厚みが約３０μｍの表面電極２，２を形成した［図２
（Ａ）及び（ａ）参照］。Ａｇ−Ｐｄ含有グレーズペー
ストの焼成温度は、約８００℃である。

【００１２】次にアルミナ基板１の裏面にＡｇ−Ｐｄ含
有グレーズペーストを用いて一対の裏面電極３，３を形
成した［図２（Ｂ）及び（ｂ）参照］。裏面電極３，３
は、表面電極２，２を形成したＡｇ−Ｐｄ含有グレーズ
ペーストと同じペーストを用いて、表面電極２，２と同
様に形成した。裏面電極３，３の厚みも約３０μｍであ
る。

【００１３】次に一対の表面電極２，２間に一対の表面
電極２，２と端部が重なるようにＡｇ−Ｐｄ含有グレー
ズペーストを用いて表面側低抵抗体４を形成した。この
例では、ＡｇとＰｄの含有比率が７０：３０のＡｇ−Ｐ
ｄ含有グレーズペーストを用いて、スクリ−ン印刷によ
り厚みが約３０μｍの表面側低抵抗体４を形成した［図
２（Ｃ）及び（ｃ）参照］。Ａｇ−Ｐｄ含有グレーズペ
ーストの焼成温度は、約８００℃である。同様にして、
一対の裏面電極３，３間に一対の裏面電極３，３と端部
が重なるようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用い
て裏面側低抵抗体５を形成した［図２（Ｄ）及び（ｄ）
参照］。裏面側低抵抗体５も表面側低抵抗体４を形成す
るために用いたＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用い
て形成した。表面側低抵抗体４及び裏面側低抵抗体５の
抵抗値はそれぞれ約４０ｍΩであった。

【００１４】次に表面側低抵抗体４の表面をガラスペー
ストで覆って下側ガラス層６を形成した。下側ガラス層
６の厚みは、約１０μｍで、ガラスペーストの焼成温度
は約６００℃であった。また同様にして、裏面側低抵抗
体５の表面をガラスペーストで覆って下側ガラス層７を
形成した。下側ガラス層７の厚みも、約１０μｍで、ガ
ラスペーストの焼成温度は約６００℃であった。

【００１５】次に下側ガラス層６及び７の上を非晶質ガ
ラスペーストで覆って上側ガラス層８及び９をそれぞれ
形成した。上側ガラス層８及び９の厚みは、それぞれ約
１０μｍで、非晶質ガラスペーストの焼成温度は約６０
０℃であった。下側ガラス層６と上側ガラス層８とによ
り、表側オーバーコートが構成され、下側ガラス層７と
上側ガラス層９とにより、裏側オーバーコートが構成さ
れている。

【００１６】最後に、アルミナ基板１を間にして対向す
る表面電極２と裏面電極３とを相互に接続するようにＡ
ｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用いてアルミナ基板１
の両端部に一対の側面電極１０，１０を形成した。側面
電極１０，１０を形成するために用いたＡｇ−Ｐｄ含有
グレーズペーストは、表面電極２，２及び裏面電極３，
３を形成するために用いたものと同じＡｇ−Ｐｄ含有グ
レーズペーストである。なお一対の側面電極１０，１０
の裏側端部１０ａ，１０ａは、上側ガラス層９の表面よ
りも突出するように形成されている。

【００１７】この様にして形成した低抵抗型チップ抵抗
器の側面電極１０と表面電極２を含めた電極部分及び側
面電極と裏面電極３を含めた電極部分の抵抗値は、約
０．２５ｍΩである。したがってこの低抵抗型チップ抵
抗器の抵抗値は、約２０ｍΩである。

【００１８】この構造の低抵抗型チップ抵抗器を多数個
製造してＴＣＲを測定したところ、平均１００ｐｐｍと
低くなることが確認された。またこの構造の低抵抗型チ
ップ抵抗器では、アルミナ基板１の両面に抵抗体がある
ため、電極のどの部分にプローブを当ててもほぼ同じ抵
抗値を読取ることができる。

【００１９】上記例では、表側オーバーコート及び裏側
オーバーコートを共に２層構造のガラスオーバーコート
により形成したが、消費電力が小さい場合には、上側オ
ーバーコートを樹脂により形成してもよい。

【００２０】上記例において、表面電極２，２間の距離
及び裏面電極３，３間の距離を小さくすると、抵抗値を
更に小さくすることができる。

【００２１】上記例においては、表面電極２，２及び裏
面電極３，３ともに矩形状を呈しているが、表面電極
２，２及び裏面電極３，３を共にＬ字形状にしてもよ
い。

【００２２】

【発明の効果】本発明によれば、表面側低抵抗体と裏面
側低抵抗体とを並列に接続する構成を採用し、また表面
電極、裏面電極、表面側低抵抗体、裏面側低抵抗体及び
側面電極のすべてをＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストに
より形成することにより、抵抗値のバラツキ及び変動が
少ない低抵抗型チップ抵抗器を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の低抵抗型チップ抵抗器の実施の形態
の一例の断面図である。

【図２】 （Ａ）〜（Ｄ）及び（ａ）〜（ｄ）は、それ
ぞれ製造工程の途中の工程を示す図である。

【符号の説明】

１ アルミナ基板 ２ 表面電極 ３ 裏面電極 ４ 表面側低抵抗体 ５ 裏面側低抵抗体 ６，７ 下側ガラス層 ８，９ 上側ガラス層 １０ 側面電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミナ基板の表面にＡｇ−Ｐｄ含有グ
   レーズペーストを用いて形成された一対の表面電極と、 前記アルミナ基板の裏面にＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペー
   ストを用いて形成された一対の裏面電極と、 前記一対の表面電極間に該一対の表面電極と端部が重な
   るようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用いて形成
   された表面側低抵抗体と、 前記一対の裏面電極間に該一対の裏面電極と端部が重な
   るようにＡｇ−Ｐｄ含有グレーズペーストを用いて形成
   された裏面側低抵抗体と、 前記表面側低抵抗体を覆う１層構造以上の表側オーバー
   コートと、 前記裏面側低抵抗体を覆う１層構造以上の裏側オーバー
   コートと、 前記アルミナ基板を間にして対向する前記表面電極と前
   記裏面電極とを相互に接続するようにＡｇ−Ｐｄ含有グ
   レーズペーストを用いて前記アルミナ基板の両端部に形
   成された一対の側面電極とを具備してなる低抵抗型チッ
   プ抵抗器。
2. 【請求項２】 前記表側オーバーコート及び前記裏側オ
   ーバーコートは、２層構造のガラスオーバーコートから
   なり、 前記一対の側面電極は裏側端部が、前記裏側オーバーコ
   ートの表面よりも突出するように形成されている請求項
   １に記載の低抵抗型チップ抵抗器。