JPH11193330A - 置換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造方法 - Google Patents
置換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造方法Info
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Abstract
ブロックされたポリジオルガノシロキサンを製造する。 【構成】 この方法は、A)ヒドロキシルで末端をブロ
ックされたポリジオルガノシロキサンを、酸性重合触媒
の存在下で、少なくとも2つケイ素が結合した水素原子
を有するケイ素含有化合物及び−Si(R’)3 で末
端をブロックされたシロキサンと混合して、混合物を形
成させる工程、B)工程Aの混合物を用いて反応を行う
工程、及びC)ヒドロシリル化触媒の存在下で、置換さ
れたアルケニルシランを工程Bで得られた反応生成物に
添加して、置換されたシルエチレン基で部分的に末端を
ブロックされたポリジオルガノシロキサンを形成させる
工程からなる。
Description
チレン基で部分的に末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンの製造方法に関するものであり、より詳細
にはアルコキシルエチレンで部分的に末端をブロックさ
れたポリジオルガノシロキサンの製造方法に関するもの
である。これらのポリジオルガノシロキサンは、シーラ
ント組成物において有用である。
両末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンは、
当該技術分野においてよく知られている。例えば、米国
特許第3175993号明細書、同第4772675号
明細書及び同第4962174号明細書に記載されると
おりである。
アルコキシルエチレンで末端をブロックされたポリジオ
ルガノシロキサン、及び白金触媒の存在下で、水素で末
端をブロックされたポリジオルガノシロキサンを、アル
ケニル基を有するアルコキシシランと反応させることか
らなるそれらの製造方法が記載されている。アルコキシ
ルエチレンで末端をブロックされたポリジオルガノシロ
キサンは、下記の平均分子式を有する。:
(ORiv)aR1 3−a]4−y
脂肪族不飽和を含まない2価の炭化水素基であり、R
ivは、炭素原子が5以下の、アルキル基又は酸素に対
してハロゲンアルファを有さないハロアルキル基であ
り、R1 は、脂肪族不飽和を持たない、炭素原子が1
〜18の、1価の炭化水素基、含ハロゲン炭化水素基又
はシアノアルキル基であり、yは、0〜2の平均値を有
し、xは、少なくとも3の値を有し、aは、2〜3の平
均値を有する。)
ジメチルハイドロジェンシロキシで末端をブロックされ
たポリジメチルシロキサンを、ビニルトリメトキシシラ
ンと反応させることからなる、アルコキシルエチレンで
末端をブロックされたポリマーの製造方法が記載されて
いる。ビニルで末端をブロックされたポリジオルガノシ
ロキサンが、下記一般式の末端をブロックされている組
成物と反応させられる方法もまた、開示されている。
定義されるとおりである。) 米国特許第4962174号明細書には、まづ初めに、
ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオルガノシ
ロキサンを、白金触媒の存在下で、2〜4つのSiH基
を有する過剰の化合物と反応させ、次いでその生成物を
ビニルトリアルコキシシランと反応させることからな
る、アルコキシルエチレンで末端をブロックされたポリ
ジオルガノシロキサンの製造方法が記載されている。
るポリジオルガノシロキサンは、ポリジオルガノシロキ
サン鎖のそれぞれの末端に、置換されたシルエチレン基
を有し、それ故に置換されたシルエチレン基で完全に末
端をブロックされたポリジオルガノシロキサンと呼ばれ
る。
れたポリジオルガノシロキサンの1つの重要な用途は、
シーラント組成物におけるものである。しかしながら、
この用途において、アルコキシルエチレンで完全に末端
をブロックされたポリジオルガノシロキサンを使用する
場合、硬度が低く、破壊点での伸びが高い等の所望の物
理特性が、知られている配合では達成され得ない。この
様な物理特性を達成するために、例えば、アルコキシル
エチレンで完全に末端をブロックされたポリジオルガノ
シロキサンを、アルコキシルエチレンで部分的に末端を
ブロックされたポリジオルガノシロキサンに置き換える
ことによって、シーラント組成物において架橋されやす
い基の数を減らすことができる。
で部分的に末端をブロックされたポリジオルガノシロキ
サンを得るために、最終ポリマーの末端基として、未反
応のSiH又はSi−ビニル基の割合を保持するのが、
一般的な方法である。しかしながら、アルコキシルエチ
レン及びSiH基で末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンは、例えば、架橋の間にシーラントが泡立
つことによって、又はシーラント組成物が黄化すること
によって証明されるとおり、シーラント組成物で使用さ
れる場合、充分には安定でない。また、残渣のビニル末
端基を含有する、アルコキシルエチレンで部分的に末端
をブロックされたポリジオルガノシロキサンは、紫外線
光の中で、又は高温の条件下では安定ではない。
れた問題を回避する、置換されたシルエチレン基で、特
にはアルコキシルエチレン基で部分的に末端をブロック
されたポリジオルガノシロキサンの製造方法をここで、
見出した。
下の工程からなる、置換されたシルエチレン基で部分的
に末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンを製
造する方法が提供される。: A)ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンを、酸性重合触媒の存在下で、少なくとも
2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ素含有化合
物及び−Si(R’)3 で末端をブロックされたシロ
キサンと混合して、混合物を形成させる工程(式中、そ
れぞれのR’は独立に、炭素原子を1〜6つ有する一価
の炭化水素又は含ハロゲン炭化水素を表す。)、 B)少なくとも1つケイ素が結合した水素原子及び少な
くとも1つ−Si(R’)3 基を有するポリジオルガ
ノシロキサンを製造するために、工程Aの混合物を用い
て反応を行うことによって、反応生成物を形成させる工
程、及び、 C)ヒドロシリル化触媒の存在下で、置換されたアルケ
ニルシランを工程Bで得られた反応生成物に添加して、
置換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックさ
れたポリジオルガノシロキサンを形成させる工程。
「からなる」は、「含有する」、「包含する」及び「成
る」の概念を意味し、包含する、最も広い意味で使用さ
れている。
て、ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンは、酸性重合触媒の存在下で、少なくとも
2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ素含有化合
物及び−Si(R’)3 で末端をブロックされたシロ
キサンの混合物と混合されて、混合物を形成する(式
中、それぞれのR’は独立に、炭素原子を1〜6つ有す
る一価の炭化水素又は含ハロゲン炭化水素を表す。)。
少なくとも2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ
素含有化合物と、−Si(R’)3 で末端をブロック
されたシロキサンは、ヒドロキシルで末端をブロックさ
れたポリジオルガノシロキサンの添加前に、共に混合さ
れるのが好ましい。
適する、ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオ
ルガノシロキサンは、下記一般式(I)を有するのが好
ましい。:
異なっていてもよく、炭素原子を1〜18有する、一価
の炭化水素、一価の含ハロゲン炭化水素、及び、一価の
シアノアルキル基からなる群から選択される。)
であり、最も好ましくはメチル基である。yは、25℃
でのポリマーの粘度が、5〜3000000mPa.
s、好ましくは10〜10000mPa.s、より好ま
しくは20〜2000mPa.sになるような値を有す
る。ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンは、当該技術分野においてよく知られてお
り、商業的に入手可能である。それらは、当該技術分野
において知られている多くの技術、例えばジオルガノジ
クロロシランを加水分解し、テトラシロキサン冠状物質
を、加水分解混合物から分離し、引き続いてアルカリ性
触媒の存在下で、冠状物質をポリジオルガノシロキサン
まで重合することによって製造され得る。
たポリジオルガノシロキサンの例としては、α,ω−ヒ
ドロキシ−ポリジメチルシロキサン、α,ω−ヒドロキ
シ−ポリメチルフェニルシロキサン、及び、α,ω−ヒ
ドロキシ−ポリジメチルコメチルフェニルシロキサン等
が挙げられる。2又はそれ以上のタイプのヒドロキシル
で末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンの混
合物を、本発明による方法で使用してもよいが、1つの
タイプのみが使用されるのが好ましい。
適する、少なくとも2つケイ素が結合した水素原子を有
するケイ素含有化合物は、下記一般式(II)を有す
る。:
ても異なっていてもよく、水素、炭素原子を1〜18有
する、脂肪族炭化水素及び芳香族炭化水素からなる群か
ら選択される。)
ル基であり、より好ましくはメチル基であり、sは、0
〜約100の値を有するが、但し1分子当たり少なくと
も2つのケイ素が結合した水素原子が存在するような値
である。適する少なくとも2つケイ素が結合した水素原
子を有するケイ素含有化合物の例としては、テトラメチ
ルジシロキサン、α,ω−ヒドリド−ポリジメチル−コ
メチルフェニルシロキサン等が挙げられる。ケイ素含有
化合物は、異なるケイ素原子に水素原子が付いた、1分
子当たりケイ素原子が2つだけ結合した水素原子を有す
るのが好ましい。
ましいケイ素含有化合物は、下記一般式(III)を有
する。:
は、メチル基を表す。) 少なくとも2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ
素含有化合物は、商業的に入手可能であり、例えば英国
特許第1141868号明細書に記載されるとおり、当
該技術分野においてよく知られている。
適する、−Si(R’)3 で末端をブロックされたシ
ロキサンは、下記一般式(IV)を有し得る。:
異なっていてもよく、上記に定義されるとおりであり、
それぞれのR’は、独立に炭素原子を1〜6つ有する、
一価の炭化水素、又は、含ハロゲン炭化水素、例えばハ
ロアルキル基を表す。) 好ましくはR’は、炭素原子を1〜6つ有する一価の炭
化水素であり、より好ましくはメチル又はフェニル基で
あり、最も好ましくはメチル基である。zは、0〜10
0、好ましくは4〜20、より好ましくは4〜10の値
を有する。
たシロキサンの製造方法は、当該技術分野においてよく
知られており、これらのシロキサンは商業的に入手可能
である。本発明による方法で使用するのに特に適する、
−Si(R’)3 で末端をブロックされたシロキサン
としては、ヘキサメチルジシロキサン、α,ω−トリメ
チルシリル−ポリジメチルシロキサン、及び、α,ω−
トリメチル−ポリメチルフェニルシロキサン等が挙げら
れる。
程Aで供給されなければならない。適する触媒の例とし
ては、硫酸、塩酸、ルイス酸、及び、ドデシニルベンゼ
ンスルホン酸等が挙げられる。酸性重合触媒は、米国特
許第3839398号明細書、同第4564693号明
細書(例えば、五塩化リンと塩化アンモニウムを反応さ
せることによって製造されるような)、及び、欧州特許
第215470号明細書に従って製造される様な、ホス
ホニトリルハライド特には塩化ホスホニトリルから誘導
されるタイプ等の、酸性ホスファゼン触媒、並びに、一
般式:
(v−t+1) Rvi t 〕−
くは塩素原子であり、Mは元素であり、Rviは12個
まで炭素原子を有するアルキル基であり、nは1〜6の
値を有し、好ましくは2〜4の値を有し、より好ましく
は2であり、vはMの原子価又は酸化状態であり、tは
0からv−1の値を有する。)を有する、英国特許第2
252969号明細書及び欧州特許第657209号明
細書に記載される様なホスホニトリルハライド触媒であ
るのが好ましい。
げられる。触媒の陰イオン部分は、ルイス酸から誘導さ
れ、一般式〔MX(v−t+1) Rvi t 〕− を有
するのが好ましい。tの値は0であるのが好ましいが、
アルキル基も含まれ得る。ルイス酸をベースとする陰イ
オンは、ホスホニトリル陽イオン部分のハライドと同
じ、ハライドXを含むのが好ましい、即ち最も好ましく
は塩素である。ルイス酸部分の元素Mは、ポーリングの
尺度による電気陰性度値が、1〜2、好ましくは1.2
〜1.9、最も好ましくは1.5〜1.9の電気的陽性
の元素である。
a、IIb、IIIa、IVa、IVb、Va、Vb、
VIb、VIIb及びVIIIに見出される。それら
は、P、Al、B、Be、Me、Sb及びSiを含み、
好ましくはPである。触媒のホスホニトリル部分のリン
原子と、M元素の間の電気陰性度値の差は、この値がよ
り大きい場合に高い触媒活性を与えるので、好ましい範
囲の中で、できるだけ大きい方が好ましい。ホスファゼ
ン触媒は、一般式Cl3P(NPCl2)n NPCl
3 + PCl6 −(式中、nは1又は2である。)に
よる物質であるのが好ましい。
は、工程Aの反応混合物を用いて行われ、少なくとも1
つケイ素が結合した水素原子及び少なくとも1つ−Si
(R’)3 基を有するポリジオルガノシロキサンを製
造する。−Si(R’)3 基に対する、ケイ素が結合
した水素原子の割合は、例えば、工程Aの反応混合物中
に存在する−Si(R’)3 基に対する、ケイ素が結
合した水素原子の比等の因子に依存するであろう。実質
的に同じ粘度を有する、−Si(R’)3 で末端をブ
ロックされたシロキサンと、2つケイ素が結合した水素
原子を有するケイ素含有化合物とを使用するのが好まし
く、粘度は、10〜20mPa.sの範囲であるのが好
ましい。
を、工程Cの前の工程Aの反応混合物及び/又は工程B
で得られる反応生成物に添加してもよい。連鎖延長剤
は、反応混合物/生成物中に残っているヒドロキシル基
と反応し、工程Bで得られる反応生成物の鎖を延ばすよ
うに選択される。酸性重合触媒と反応することによっ
て、工程Bの反応を中和させるように、代わりに又は付
加的に選択され得る。
トリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、又
はデカメチルシクロペンタシラザン等のシクロシラザン
化合物であるのが好ましい。連鎖延長剤は、ヘキサメチ
ルシクロトリシラザンであるのがより好ましい。シクロ
シラザンは、当該技術分野においてよく知られており、
例えば単量体のアミノシランの縮合によって製造され得
る。
ラザン等の連鎖延長剤を添加することによって、シリル
化反応によって、工程Bで得られる反応生成物から残っ
ているヒドロキシル基を減らすが、工程Bで得られる反
応生成物の鎖を延ばすことも見出した。
ドロシリル化触媒の存在下で、置換されたアルケニルシ
ランを工程Bで得られた反応生成物に添加して、置換さ
れたシルエチレン基で部分的に末端をブロックされたポ
リジオルガノシロキサンを形成させる。適する置換され
たアルケニルシランの例としては、アルケニルアルコキ
シシラン、アルケニルアセトキシシラン、及びアルケニ
ルオキシモシラン等が挙げられる。置換されたアルケニ
ルシランが、アルケニルアルコキシシラン又はアルケニ
ルアセトキシシランであるのが好ましい。より好ましく
は、置換されたアルケニルシランが、アルケニルアルコ
キシシランであり、下記一般式(V)のものであり得
る。:
も異なっていてもよく、炭素原子を1〜6つ有する一価
の炭化水素であり、Rは上記に定義されるとおりであ
り、mは、0又は1の値を有し、好ましくは0であり、
Rv は、1価の不飽和炭化水素を表す。)
り好ましくはメチル又はエチルであり、好ましくはR及
びRv は、ビニル、アリル、ヘキセニル又はスチリル
基、若しくは、それらの組み合わせを表し、より好まし
くはビニルである。適するアルケニルアルコキシシラン
の例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリ
エトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ヘキセニ
ルトリエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン
又はそれらの混合物等が挙げられる。アルケニルアルコ
キシシランが、ビニルトリエトキシシランであるのが好
ましい。
Bで得られた反応生成物と、置換されたアルケニルシラ
ンの反応は、ヒドロシリル化触媒で触媒作用を引き起こ
される。適するヒドロシリル化触媒の例としては、白
金、ロジウム又はイリジウムをベースとする触媒等が挙
げられる。ヒドロシリル化触媒は、白金をベースとする
のが好ましく、適する白金触媒としては、塩化白金、白
金の塩、塩化白金酸及び白金の錯体等が挙げられる。好
ましい形態は、6水和物か無水の形態の塩化白金酸であ
る。代わりに、例えば塩化白金酸・6水和物とジビニル
テトラメチルジシロキサンから製造される様な、白金の
錯体も使用し得る。白金を0.7重量%与える様な、塩
化白金酸・6水和物と、ジメチルビニルシロキシで末端
をブロックされたポリジメチルシロキサンで希釈されて
いるジビニルテトラメチルジシロキサンの白金の錯体
が、最も好ましい。
て、下記一般式(VI)を好ましくは有する置換された
シルエチレン基で部分的に末端をブロックされたポリジ
オルガノシロキサンを製造することができる。:
異なっていてもよく、炭素原子を1〜18有する、一価
の炭化水素、1価の含ハロゲン炭化水素、及び、一価の
シアノアルキル基からなる群から選択され、それぞれの
R’は、同じであっても異なっていてもよく、上記に定
義されるとおりである。) Dは、下記一般式を有する。:
であり、Zは、炭素原子を1〜6つ有する2価の炭化水
素基又は2価の炭化水素基と(R2 SiO)n 等のシ
ロキサン基の組み合わせであり(nは、0〜10の値を
有する。)、mは、0又は1であり、xは、25℃での
ポリジオルガノシロキサンの粘度が、500〜3000
000mPa.s、好ましくは1000〜350000
mPa.s、より好ましくは10000〜120000
mPa.sになるような値を有する。)
部分的に末端をブロックされたポリジオルガノシロキサ
ンの製造方法の例は、以下の工程からなる。:例えば5
0〜220℃、好ましくは150〜200℃の反応温度
下、酸性重合触媒の存在下で、ヒドロキシルで末端をブ
ロックされたポリジオルガノシロキサンを、少なくとも
2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ素含有化合
物と、−Si(R’)3で末端をブロックされたシロキサ
ンとの混合物と混合して、混合物を形成させることから
なる、第1の工程A。第2の工程Bにおいては、反応物
が、ポリジオルガノシロキサンのヒドロキシル基と反応
し、縮合して、少なくとも1つケイ素が結合した水素原
子及び少なくとも1つ−Si(R’)3 基で末端をブ
ロックされたポリジオルガノシロキサンを製造する。
を有するケイ素含有化合物と、−Si(R’)3 で末
端をブロックされたシロキサンとの間の重量比は、1/
100〜100/1であるのが好ましく、より好ましく
は1/10〜10/1であり、最も好ましくは7/3〜
9/1である。混合物に対する、ヒドロキシルで末端を
ブロックされたポリジオルガノシロキサンの重量比は、
100/1〜1/100であり、好ましくは95/5〜
99/1である。触媒は、例えばヒドロキシルで末端を
ブロックされたポリジオルガノシロキサンの5〜100
ppm、好ましくは15〜50ppmの濃度で添加され
る。
を有するケイ素含有化合物と、−Si(R’)3 で末
端をブロックされたシロキサンは、混合作業を容易にす
るために、実質的に同じ粘度を有するのが好ましい。更
に、混合物中に存在する、−Si(R’)3 基に対す
る、ケイ素が結合した水素原子の比を制御することによ
って、本発明による方法の利点の1つを与える、工程B
の反応生成物中に存在する−Si(R’)3 基に対す
る、ケイ素が結合した水素原子の比を制御することが可
能である。
をブロックされたポリジオルガノシロキサンの500〜
2000ppmの濃度で、工程Aの反応混合物及び/又
は工程Bの反応生成物に添加してもよい。連鎖延長剤
は、工程Bの反応生成物に残っているヒドロキシル基と
反応する。連鎖延長剤は、ヘキサメチルシクロトリシラ
ザン等のシクロシラザンであるのが好ましく、反応生成
物とシクロシラザンの反応により、酸性重合触媒を中和
し得る、副生成物としてNH3 が製造される。
アルケニルシラン好ましくはアルケニルアルコキシシラ
ンは、ヒドロシリル化触媒、好ましくは白金触媒の存在
下で、工程Bの反応生成物の過剰モルで、例えば20〜
150℃、好ましくは30〜70℃の温度下で添加され
て、置換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロッ
クされたポリジオルガノシロキサン、例えば部分的にア
ルコキシルエチレンで末端をブロックされたポリジオル
ガノシロキサンを得るのが好ましい。反応は約50℃の
温度下で、好ましくは70℃を超えないで行われるの
が、最も好ましい。置換されたアルケニルシランは、工
程Bの反応生成物中に存在する残渣のSiHとヒドロシ
リル化反応を行って、置換されたシルエチレン基で部分
的に末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンを
形成する。
換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックされ
たポリジオルガノシロキサンに加えて、他の物質もま
た、工程Cの反応生成物中に含有されていてもよい。例
えば、置換されたシルエチレン基で完全に末端をブロッ
クされたポリジオルガノシロキサン、完全に(R’)3
Si−で末端をブロックされたポリジオルガノシロキサ
ン、並びに、部分的に及び/又は完全にヒドロキシルで
末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンが挙げ
られる。存在する他の物質の割合は、例えば、製法中に
存在する−Si(R’)3 に対するケイ素が結合した
水素原子の割合に依存するであろう。
は、存在する合計の末端基の50〜99%、より好まし
くは60〜99%を置換されたシルエチレン末端基とし
て有するのが好ましく、10〜3000000mPa.
s、好ましくは1000〜350000mPa.s、よ
り好ましくは10000〜120000mPa.sの粘
度を有するのが好ましい。
エチレン基で部分的に末端をブロックされたポリジオル
ガノシロキサンは、シーラント組成物で使用するのに適
しており、モジュラスが低く、硬度が低く、破壊点での
伸びが高い等の所望の物理的要求に寄与し得る。
に載せられており、添付の特許請求の範囲に示される本
発明を制限するものとして、解釈されるべきではない。
全ての部は、重量を基準にして表現されており、粘度
は、25℃で測定されている。
ロキサン中に存在する置換されたシルエチレン末端基の
割合は、工程Aの反応生成物及び工程Cの最終生成物中
の、H−NMR分析によって見つけられる、ケイ素に結
合している水素の割合を比較することによって同定され
た。
末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造 存在する合計の末端基の78%がアルコキシルエチレン
末端基で、粘度がMmPa.s(表1に詳細に記載され
るとおり)の、部分的にアルコキシルエチレンで末端を
ブロックされたポリジオルガノシロキサンを、以下の手
順を使用して製造した。:加熱、冷却及びスプレー乾燥
装置を備えた重合反応器を使用した。反応器は、試薬の
入口手段を有するNiro(登録商標)スプレー乾燥機、反
応室及び出口手段からなっていた。試薬の入口手段はま
た、所望の割合で触媒を混合するための混合装置と、圧
縮空気の入口とからなっていた。重合装置への反応物の
供給速度は、300kg/1時間であり、空気流は、2
00℃の温度下で、250Nm3/1時間であった。
クされたポリジメチルシロキサン100部を、185℃
の温度まで加熱し、次いでポリマーA及びBの混合物y
部(詳細は表1参照)と混合した。Aは、SiH結合が
0.16重量%、粘度が10mPa.sの、水素で末端
をブロックされたポリジメチルシロキサンであり、B
は、25℃での粘度が10mPa.sの、Si(CH
3 )3で末端をブロックされたポリジメチルシロキサ
ンであった。次いで、ヒドロキシルで末端をブロックさ
れたポリジメチルシロキサンをベースとして20ppm
の濃度で、塩化ホスホニトリルをベースとした酸性ホス
ファゼン触媒を、重合反応器に次いで導入された混合物
に添加した。
て、ホスファゼン触媒を中和させるために、工程Aの混
合物に、ヘキサメチルシクロシラザンを、ヒドロキシル
で末端をブロックされたポリジメチルシロキサンの重量
をベースとして1000ppmの割合で添加した。
トラメチルジシロキサンと白金の錯体w部の存在下で、
工程Bの反応生成物100部に添加した。反応混合物中
に存在する合計の末端基の78%がアルコキシルエチレ
ン末端基である、部分的にアルコキシルエチレンで末端
をブロックされたポリジオルガノシロキサンを、表1に
報告されるとおり、異なる粘度Mで得られた。
端基%を有する、部分的にアルコキシルエチレンで末端
をブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造 様々な割合のアルコキシルエチレン末端基を有する、粘
度が110000mPa.sの、部分的にアルコキシル
エチレンで末端をブロックされたポリジオルガノシロキ
サンの混合物を、実施例1の手順に従い、表2に示され
るA/Bの比を使用して、製造した(なお、yは、1.
7部を表し、zは0.63部を表し、wは0.007部
を表す。)。アルコキシルエチレン基の理論的な割合
は、表2に示されるA/Bの比から得られた。理論的な
結果と表2に報告されるH−NMR分析によって得られ
る結果との間に、よい相関関係が得られた。
換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックされ
たポリジオルガノシロキサンを容易に製造することがで
きる。
Claims (7)
- 【請求項1】 置換されたシルエチレン基で部分的に末
端をブロックされたポリジオルガノシロキサンの製造方
法であって、以下の工程からなることを特徴とする前記
製造方法。 A)ヒドロキシルで末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンを、酸性重合触媒の存在下で、少なくとも
2つケイ素が結合した水素原子を有するケイ素含有化合
物及び−Si(R’)3 で末端をブロックされたシロ
キサンと混合して、混合物を形成させる工程(式中、そ
れぞれのR’は独立に、炭素原子を1〜6つ有する一価
の炭化水素又は含ハロゲン炭化水素を表す。)、 B)少なくとも1つケイ素が結合した水素原子及び少な
くとも1つ−Si(R’)3 基を有するポリジオルガ
ノシロキサンを製造するために、工程Aの混合物を用い
て反応を行うことによって、反応生成物を形成させる工
程、及び、 C)ヒドロシリル化触媒の存在下で、置換されたアルケ
ニルシランを工程Bで得られた反応生成物に添加して、
置換されたシルエチレン基で部分的に末端をブロックさ
れたポリジオルガノシロキサンを形成すさせる工程。 - 【請求項2】 置換されたアルケニルシランが、アルケ
ニルアルコキシシランであり、かつ、置換されたシルエ
チレン基で部分的に末端をブロックされたポリジオルガ
ノシロキサンが、部分的にアルコキシルエチレンで末端
をブロックされたポリジオルガノシロキサンである、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 工程Cの前の工程Aの反応混合物及び/
又は工程Bの反応生成物に、連鎖延長剤を添加する、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項4】 連鎖延長剤が、ヘキサメチルシクロトリ
シラザンである、請求項3に記載の方法。 - 【請求項5】 少なくとも2つケイ素が結合した水素原
子を有するケイ素含有化合物と、−Si(R’)3 で
末端をブロックされたシロキサンとを、ヒドロキシルで
末端をブロックされたポリジオルガノシロキサンと混合
する前に混合する、請求項1ないし4のいずれか一項に
記載の方法。 - 【請求項6】 酸性重合触媒が、一般式〔X(PX2=
N)n PX3 〕+ 〔MX(v−t+1) Rvi
t 〕− (式中、Xはハロゲン原子を表し、Mは元素
であり、Rviは12個まで炭素原子を有するアルキル
であり、nは1〜6の値を有し、vはMの原子価又は酸
化状態であり、tは0からv−1の値を有する。)を有
する、ホスホニトリルハライド触媒である、請求項1な
いし5のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項7】 置換されたアルケニルシランが、ビニル
トリエトキシシランである、請求項1ないし6のいずれ
か一項に記載の方法。
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