JPH11194512A - 電子写真感光体、その製造方法、それを用いた画像形成装置 - Google Patents
電子写真感光体、その製造方法、それを用いた画像形成装置Info
- Publication number
- JPH11194512A JPH11194512A JP9360656A JP36065697A JPH11194512A JP H11194512 A JPH11194512 A JP H11194512A JP 9360656 A JP9360656 A JP 9360656A JP 36065697 A JP36065697 A JP 36065697A JP H11194512 A JPH11194512 A JP H11194512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vinyl acetate
- vinyl chloride
- vinyl
- charge generation
- generation layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0539—Halogenated polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0542—Polyvinylalcohol, polyallylalcohol; Derivatives thereof, e.g. polyvinylesters, polyvinylethers, polyvinylamines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた塗布性で電荷発生層が形成でき、感度
およびその繰返し使用における静電的な安定性に優れた
電子写真感光体を用いて優れた特性の画像を形成する。 【解決手段】 機能分離型感光体の電荷発生層にτ型無
金属フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合
体とを含有させる。特に、重量比でτ型無金属フタロシ
アニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体=1/3〜
3/1に選ぶ。電荷発生層厚を0.1〜0.6μmに選
ぶ。塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコールの共重
合体を選ぶ。特に、モノマー換算でビニルアルコール成
分を少なくとも10重量%以上含むものを選ぶ。分散剤
としてケトン系溶剤を用いた塗布液で電荷発生層を形成
する。反転現像プロセスを用いた画像形成装置に上記感
光体を適用する。
およびその繰返し使用における静電的な安定性に優れた
電子写真感光体を用いて優れた特性の画像を形成する。 【解決手段】 機能分離型感光体の電荷発生層にτ型無
金属フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合
体とを含有させる。特に、重量比でτ型無金属フタロシ
アニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体=1/3〜
3/1に選ぶ。電荷発生層厚を0.1〜0.6μmに選
ぶ。塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコールの共重
合体を選ぶ。特に、モノマー換算でビニルアルコール成
分を少なくとも10重量%以上含むものを選ぶ。分散剤
としてケトン系溶剤を用いた塗布液で電荷発生層を形成
する。反転現像プロセスを用いた画像形成装置に上記感
光体を適用する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光領域から近
赤外光領域に至る幅広い波長域に高い感度を有する電子
写真感光体、その製造方法およびそれを用いた画像形成
装置に関する。
赤外光領域に至る幅広い波長域に高い感度を有する電子
写真感光体、その製造方法およびそれを用いた画像形成
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】感光体の感光層材料として、従来から知
られているセレン、硫化カドミウムおよび酸化亜鉛等の
無機光導電性材料には、たとえば暗所において適度な電
位に帯電できる、暗所において電荷の逸散が少ない、お
よび光照射によって速かに電荷を逸散できるなどの利点
を有する。その反面、次のような欠点を有する。たとえ
ばセレン系材料を用いた感光体では、製造条件が難し
く、製造コストが高く、また熱や機械的な衝撃に弱いた
め取扱いに注意を要する。また、硫化カドミウム系材料
や酸化亜鉛系材料を用いた感光体では、多湿の環境下で
安定した感度が得られず、また増感剤として添力した色
素がコロナ帯電による帯電劣化や露光による光退色を生
じるので、長期的に安定した特性が得られない。一方、
感光層材料として提案されているポリビニルカルバゾー
ルなどの有機光導電性材料は、無機光導電性材料に比べ
て成膜性や軽量性などの点で優れている。
られているセレン、硫化カドミウムおよび酸化亜鉛等の
無機光導電性材料には、たとえば暗所において適度な電
位に帯電できる、暗所において電荷の逸散が少ない、お
よび光照射によって速かに電荷を逸散できるなどの利点
を有する。その反面、次のような欠点を有する。たとえ
ばセレン系材料を用いた感光体では、製造条件が難し
く、製造コストが高く、また熱や機械的な衝撃に弱いた
め取扱いに注意を要する。また、硫化カドミウム系材料
や酸化亜鉛系材料を用いた感光体では、多湿の環境下で
安定した感度が得られず、また増感剤として添力した色
素がコロナ帯電による帯電劣化や露光による光退色を生
じるので、長期的に安定した特性が得られない。一方、
感光層材料として提案されているポリビニルカルバゾー
ルなどの有機光導電性材料は、無機光導電性材料に比べ
て成膜性や軽量性などの点で優れている。
【0003】有機光導電性材料を用いた感光体の実用化
に対し、高い感度、高い耐久性および環境変化による高
い安定性を得るために提案された機能分離型の感光体
は、光導電性機能としての電荷発生機能と電荷輸送機能
とを分離したものであり、積層型や分散型などがある。
このような機能分離型感光体は、電荷発生機能や電荷輸
送機能のための材料の選択範囲が広く、したがって帯電
性、感度、残留電位、繰返し特性および耐刷性などの電
子写真特性において、最適な材料を選択することによっ
て高性能な感光体が提供できる。また、塗工の手法で作
成できるので、極めて生産性が高く、安価な感光体が提
供できる。さらに、電荷発生機能のための材料によっ
て、感光波長域を自在に選択できる。
に対し、高い感度、高い耐久性および環境変化による高
い安定性を得るために提案された機能分離型の感光体
は、光導電性機能としての電荷発生機能と電荷輸送機能
とを分離したものであり、積層型や分散型などがある。
このような機能分離型感光体は、電荷発生機能や電荷輸
送機能のための材料の選択範囲が広く、したがって帯電
性、感度、残留電位、繰返し特性および耐刷性などの電
子写真特性において、最適な材料を選択することによっ
て高性能な感光体が提供できる。また、塗工の手法で作
成できるので、極めて生産性が高く、安価な感光体が提
供できる。さらに、電荷発生機能のための材料によっ
て、感光波長域を自在に選択できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】特に、比較的長波長域
まで高感度なフタロシアニンが電荷発生材料として用い
られ、近年、高速プリンタの1種であるレーザ光源を用
いた電子写真方式のレーザプリンタ用として有効に用い
られる。フタロシアニンを用いた感光体の例は、たとえ
ば特開昭58−182639号公報、特開昭60−19
153号公報および特開昭63−267949号公報に
開示されている。特開昭58−182639号公報では
τ型、η型無金属フタロシアニンが、特開昭60−19
153号公報では変形τ型、変形η型無金属フタロシア
ニンが、それぞれ使用されている。また、特開昭63−
267949号公報では、τ型、変形τ型、η型、変形
η型フタロシアニンとブチラール樹脂との混合物が使用
されている。しかし、このような材料を用いた感光体で
も感度やその繰返し使用における静電的な安定性などの
静電特性に関して実用化に充分ではない。
まで高感度なフタロシアニンが電荷発生材料として用い
られ、近年、高速プリンタの1種であるレーザ光源を用
いた電子写真方式のレーザプリンタ用として有効に用い
られる。フタロシアニンを用いた感光体の例は、たとえ
ば特開昭58−182639号公報、特開昭60−19
153号公報および特開昭63−267949号公報に
開示されている。特開昭58−182639号公報では
τ型、η型無金属フタロシアニンが、特開昭60−19
153号公報では変形τ型、変形η型無金属フタロシア
ニンが、それぞれ使用されている。また、特開昭63−
267949号公報では、τ型、変形τ型、η型、変形
η型フタロシアニンとブチラール樹脂との混合物が使用
されている。しかし、このような材料を用いた感光体で
も感度やその繰返し使用における静電的な安定性などの
静電特性に関して実用化に充分ではない。
【0005】また、特開平1−307759号公報に
は、塩化ビニル系共重合体樹脂をバインダとして用いた
電荷発生層を有する電子写真感光体が開示されている。
しかし、該感光体でも実用化に充分な静電特性が得られ
ていない。
は、塩化ビニル系共重合体樹脂をバインダとして用いた
電荷発生層を有する電子写真感光体が開示されている。
しかし、該感光体でも実用化に充分な静電特性が得られ
ていない。
【0006】本発明の目的は、優れた分散性の電荷発生
層を有し、静電特性、特に感度およびその繰返し使用に
おける静電的な安定性に優れた電子写真感光体を提供す
ることである。また、本発明の他の目的は、優れた塗布
性で電荷発生層が形成できる電子写真感光体の製造方法
を提供することである。また、本発明のさらに他の目的
は、優れた画像特性の画像形成が可能な電子写真感光体
を用いた画像形成装置を提供することである。
層を有し、静電特性、特に感度およびその繰返し使用に
おける静電的な安定性に優れた電子写真感光体を提供す
ることである。また、本発明の他の目的は、優れた塗布
性で電荷発生層が形成できる電子写真感光体の製造方法
を提供することである。また、本発明のさらに他の目的
は、優れた画像特性の画像形成が可能な電子写真感光体
を用いた画像形成装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体
において、前記電荷発生層は、τ型無金属フタロシアニ
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体である。
上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体
において、前記電荷発生層は、τ型無金属フタロシアニ
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有するこ
とを特徴とする電子写真感光体である。
【0008】本発明に従えば、機能分離型感光体におい
て、電荷発生層にτ型無金属フタロシアニンと塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系共重合体とを含有させることによっ
て、静電特性、特に感度およびその繰返し使用における
静電的な安定性に優れた電子写真感光体が提供できる。
て、電荷発生層にτ型無金属フタロシアニンと塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系共重合体とを含有させることによっ
て、静電特性、特に感度およびその繰返し使用における
静電的な安定性に優れた電子写真感光体が提供できる。
【0009】また本発明は、前記τ型無金属フタロシア
ニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体との重量比
が、τ型無金属フタロシアニン/塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体で1/3〜3/1の範囲であることを特徴
とする。
ニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体との重量比
が、τ型無金属フタロシアニン/塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体で1/3〜3/1の範囲であることを特徴
とする。
【0010】本発明に従えば、τ型無金属フタロシアニ
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体との重量比を1
/3〜3/1の範囲に選ぶことによって、感度およびそ
の繰返し使用における静電的な安定性がさらに向上す
る。
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体との重量比を1
/3〜3/1の範囲に選ぶことによって、感度およびそ
の繰返し使用における静電的な安定性がさらに向上す
る。
【0011】また本発明は、前記電荷発生層の膜厚が、
0.1μm〜0.6μmの範囲に選ばれることを特徴と
する。
0.1μm〜0.6μmの範囲に選ばれることを特徴と
する。
【0012】本発明に従えば、電荷発生層の膜厚を0.
1μm〜0.6μmの範囲に選ぶことによって、優れた
感度およびその繰返し使用における静電的な安定性が得
られる。
1μm〜0.6μmの範囲に選ぶことによって、優れた
感度およびその繰返し使用における静電的な安定性が得
られる。
【0013】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
が選ばれることを特徴とする。
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
が選ばれることを特徴とする。
【0014】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体を
選ぶことによって、優れた感度およびその繰返し使用に
おける静電的な安定性が得られる。
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体を
選ぶことによって、優れた感度およびその繰返し使用に
おける静電的な安定性が得られる。
【0015】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合体が選ばれることを特徴とする。
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合体が選ばれることを特徴とする。
【0016】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合体を選ぶことによって、優れた感度およびその
繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合体を選ぶことによって、優れた感度およびその
繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
【0017】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体が選ばれることを特徴とする。
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体が選ばれることを特徴とする。
【0018】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルア
ルコール共重合体を選ぶことによって、優れた感度およ
びその繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルア
ルコール共重合体を選ぶことによって、優れた感度およ
びその繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
【0019】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル−ビニルアルコール共重合体において、モノマー換算
で、ビニルアルコール成分が少なくとも10重量%以上
含まれていることを特徴とする。
ル−ビニルアルコール共重合体において、モノマー換算
で、ビニルアルコール成分が少なくとも10重量%以上
含まれていることを特徴とする。
【0020】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
−ビニルアルコール共重合体として、モノマー換算で、
ビニルアルコール成分が少なくとも10重量%以上含ま
れるものを用いることによって、優れた感度およびその
繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
−ビニルアルコール共重合体として、モノマー換算で、
ビニルアルコール成分が少なくとも10重量%以上含ま
れるものを用いることによって、優れた感度およびその
繰返し使用における静電的な安定性が得られる。
【0021】また本発明は、導電性支持体上に電荷発生
層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体の製造方法で
あって、電荷発生層用の塗布液を塗布して電荷発生層を
形成する電子写真感光体の製造方法において、前記電荷
発生層用塗布液は、τ型無金属フタロシアニンをケトン
系溶剤中で分散してなることを特徴とする電子写真感光
体の製造方法である。
層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体の製造方法で
あって、電荷発生層用の塗布液を塗布して電荷発生層を
形成する電子写真感光体の製造方法において、前記電荷
発生層用塗布液は、τ型無金属フタロシアニンをケトン
系溶剤中で分散してなることを特徴とする電子写真感光
体の製造方法である。
【0022】本発明に従えば、機能分離型感光体の製造
において、特に電荷発生層用の塗布液はτ型無金属フタ
ロシアニンをケトン系溶剤中で分散してなり、電荷発生
層は該塗布液を塗布することによって形成される。該塗
布液は分散性に優れ、これを用いることによって優れた
塗布性で電荷発生層を形成することができる。このよう
にして作成された電子写真感光体は、上述したように優
れた感度および繰返し使用における静電的な安定性を有
する。
において、特に電荷発生層用の塗布液はτ型無金属フタ
ロシアニンをケトン系溶剤中で分散してなり、電荷発生
層は該塗布液を塗布することによって形成される。該塗
布液は分散性に優れ、これを用いることによって優れた
塗布性で電荷発生層を形成することができる。このよう
にして作成された電子写真感光体は、上述したように優
れた感度および繰返し使用における静電的な安定性を有
する。
【0023】また本発明は、前記電荷発生層塗布液は、
結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含
有することを特徴とする。
結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含
有することを特徴とする。
【0024】本発明に従えば、電荷発生層用の塗布液は
結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含
有してなる。該塗布液を用いることによって、優れた塗
布性で電荷発生層を形成することができる。
結着樹脂として塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含
有してなる。該塗布液を用いることによって、優れた塗
布性で電荷発生層を形成することができる。
【0025】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合体が含有されることを特徴とする。
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイ
ン酸共重合体が含有されることを特徴とする。
【0026】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体として塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸
共重合体を含有する。該塗布液を用いることによって、
優れた塗布性で電荷発生層を形成することができる。
系共重合体として塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸
共重合体を含有する。該塗布液を用いることによって、
優れた塗布性で電荷発生層を形成することができる。
【0027】また本発明は、前記塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体が含有されることを特徴とする。
ル系共重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体が含有されることを特徴とする。
【0028】本発明に従えば、塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体として塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアル
コール共重合体を含有する。該塗布液を用いることによ
って、優れた塗布性で電荷発生層を形成することができ
る。
系共重合体として塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアル
コール共重合体を含有する。該塗布液を用いることによ
って、優れた塗布性で電荷発生層を形成することができ
る。
【0029】また本発明は、電子写真感光体を用い、反
転現像プロセスで画像を形成する画像形成装置におい
て、前記電子写真感光体は、上述のうちのいずれか1つ
に記載の電子写真感光体であることを特徴とする。
転現像プロセスで画像を形成する画像形成装置におい
て、前記電子写真感光体は、上述のうちのいずれか1つ
に記載の電子写真感光体であることを特徴とする。
【0030】本発明に従えば、反転現像プロセスを用い
た画像形成装置に対して上述したような電子写真感光体
を適用することによって、該画像形成装置で優れた画像
特性の画像が形成可能となる。
た画像形成装置に対して上述したような電子写真感光体
を適用することによって、該画像形成装置で優れた画像
特性の画像が形成可能となる。
【0031】ここで、本発明の電子写真感光体を構成す
る材料について説明する。
る材料について説明する。
【0032】電荷発生層に含有される電荷発生材料とし
ては周知のτ型無金属フタロシアニンを用いることがで
き、たとえば特開昭58−182639号公報、特開昭
60−19153号公報および特開昭63−26794
9号公報に記載されているものを用いることができる。
また、これらの無金属フタロシアニンを2種以上混合し
て使用しても構わない。
ては周知のτ型無金属フタロシアニンを用いることがで
き、たとえば特開昭58−182639号公報、特開昭
60−19153号公報および特開昭63−26794
9号公報に記載されているものを用いることができる。
また、これらの無金属フタロシアニンを2種以上混合し
て使用しても構わない。
【0033】用いられるτ型無金属フタロシアニンは、
ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.2,9.2,1
6.8,17.4,20.4および20.9に強い線を
示すX線回折図形を有するものである。特に赤外線吸収
スペクトルとして、700〜760cm-1の間に751
±2cm-1が最も強い4本の吸収帯を有し、1320〜
1340cm-1の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を有
し、3288±3cm-1に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.2,9.2,1
6.8,17.4,20.4および20.9に強い線を
示すX線回折図形を有するものである。特に赤外線吸収
スペクトルとして、700〜760cm-1の間に751
±2cm-1が最も強い4本の吸収帯を有し、1320〜
1340cm-1の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を有
し、3288±3cm-1に特徴的な吸収を有するものが
望ましい。
【0034】τ型無金属フタロシアニンの代表的な製造
方法における特徴点は、α型無金属フタロシアニンを5
0〜180℃、好ましくは60〜130℃において、τ
型を示すに足りる充分な時間だけ、撹拌または機械的歪
力をもってミリングすることである。なお、製造条件に
依存する結晶中の格子欠陥や転移のでき方などによっ
て、X線回折および赤外線吸収スぺクトルには多少の誤
差が生じるので、上述のように範囲をもって示してい
る。
方法における特徴点は、α型無金属フタロシアニンを5
0〜180℃、好ましくは60〜130℃において、τ
型を示すに足りる充分な時間だけ、撹拌または機械的歪
力をもってミリングすることである。なお、製造条件に
依存する結晶中の格子欠陥や転移のでき方などによっ
て、X線回折および赤外線吸収スぺクトルには多少の誤
差が生じるので、上述のように範囲をもって示してい
る。
【0035】τ型無金属フタロシアニンの原料として用
いることができるα型無金属フタロシアニンは、モーザ
ーおよびトーマスの「フタロシアニン化合物」(Moser
andThomas“Phthalocyanine Compounds”)などの公知
の方法や他の適当な方法によって得られる。α型無金属
フタロシアニンを得るために用いられる無金属フタロシ
アニンは、硫酸などの酸によって脱金属ができるリチウ
ムフタロシアニン、ナトリウムフタロシアニン、カルシ
ウムフタロシアニンおよびマグネシウムフタロシアニン
などの金属フタロシアニンを酸処理することによって得
られる。あるいは、フタロジニトリル、アミノイミノイ
ソインドレニンまたはアルコキシイミノイソインドレニ
ンなどから直接合成される。無金属フタロシアニンを望
ましくは5℃以下で硫酸などの酸に溶解した後、または
無金属フタロシアニンを酸塩にした後、水、好ましくは
氷水中に注いで、再折出することによって、または加水
分解することによって、α型無金属フタロシアニンが得
られる。
いることができるα型無金属フタロシアニンは、モーザ
ーおよびトーマスの「フタロシアニン化合物」(Moser
andThomas“Phthalocyanine Compounds”)などの公知
の方法や他の適当な方法によって得られる。α型無金属
フタロシアニンを得るために用いられる無金属フタロシ
アニンは、硫酸などの酸によって脱金属ができるリチウ
ムフタロシアニン、ナトリウムフタロシアニン、カルシ
ウムフタロシアニンおよびマグネシウムフタロシアニン
などの金属フタロシアニンを酸処理することによって得
られる。あるいは、フタロジニトリル、アミノイミノイ
ソインドレニンまたはアルコキシイミノイソインドレニ
ンなどから直接合成される。無金属フタロシアニンを望
ましくは5℃以下で硫酸などの酸に溶解した後、または
無金属フタロシアニンを酸塩にした後、水、好ましくは
氷水中に注いで、再折出することによって、または加水
分解することによって、α型無金属フタロシアニンが得
られる。
【0036】α型無金属フタロシアニンは、乾燥状態ま
たは水ペースト状態で、撹拌またはミリングされる。こ
のとき、顔料の通常の分散、乳化および混合などと同様
の分散メディア、たとえばガラスビーズ、スチールビー
ズまたはジルコニアビーズを用いても構わない。また、
分散メディアを用いなくても構わない。分散媒として
は、撹拌やミリング時の温度において液状のものが用い
られ、たとえばグリセリン、エチレングリコールおよび
ジエチレングリコールなどのアルコール系、ポリエチレ
ングリコール系、エテレングリコールモノメチルエーテ
ルおよびエチレングリコールモノブチルエーテルなどの
セロソルブ系、ケトン系、およびエステルケトン系の溶
剤が挙げられる。
たは水ペースト状態で、撹拌またはミリングされる。こ
のとき、顔料の通常の分散、乳化および混合などと同様
の分散メディア、たとえばガラスビーズ、スチールビー
ズまたはジルコニアビーズを用いても構わない。また、
分散メディアを用いなくても構わない。分散媒として
は、撹拌やミリング時の温度において液状のものが用い
られ、たとえばグリセリン、エチレングリコールおよび
ジエチレングリコールなどのアルコール系、ポリエチレ
ングリコール系、エテレングリコールモノメチルエーテ
ルおよびエチレングリコールモノブチルエーテルなどの
セロソルブ系、ケトン系、およびエステルケトン系の溶
剤が挙げられる。
【0037】α型からτ型への結晶転移工程で使用され
る撹拌またはミリング装置としては、たとえばサンドミ
ル、ニーダ、ホモミキサ、アジタ、スターラ、バンバリ
ミキサ、ボールミル、アトライタおよびペイントシェー
カが挙げられる。結晶転移工程における温度範囲は、上
述のように50〜180℃、好ましくは60〜130℃
に選ばれる。また、通常の結晶転移工程と同様に結晶核
を用いても構わない。
る撹拌またはミリング装置としては、たとえばサンドミ
ル、ニーダ、ホモミキサ、アジタ、スターラ、バンバリ
ミキサ、ボールミル、アトライタおよびペイントシェー
カが挙げられる。結晶転移工程における温度範囲は、上
述のように50〜180℃、好ましくは60〜130℃
に選ばれる。また、通常の結晶転移工程と同様に結晶核
を用いても構わない。
【0038】結晶転移速度は、撹拌やミリングの効率、
歪力、原料、粒子径および温度などの種々の条件に依存
する。結晶転移工程終了後、通常の精製法で磨砕助剤お
よび分散媒などを除去し、乾燥することによって目的と
するτ型無金属フタロシアニンが得られる。
歪力、原料、粒子径および温度などの種々の条件に依存
する。結晶転移工程終了後、通常の精製法で磨砕助剤お
よび分散媒などを除去し、乾燥することによって目的と
するτ型無金属フタロシアニンが得られる。
【0039】また、用いられるτ型無金属フタロシアニ
ンとして、ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.5,
9.1,16.8,17.3,20.3,20.8,2
1.4および21.7に強い線を示すX線回折図形を有
する変形τ型無金属フタロシアニンがある。変形τ型無
金属フタロシアニンとしては、特に、赤外線吸収スペク
トルにおいて、700〜760cm-1の間に753±2
cm-1が最も強い4本の吸収帯を有し、1320〜13
40cm-1の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を有し、
3297±3cm-1に特徴的な吸収を有するものが望ま
しい。変形τ型無金属フタロシアニンは、上述のτ型無
金属フタロシアニンとほぼ同様な製造方法によって得る
ことができる。
ンとして、ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.5,
9.1,16.8,17.3,20.3,20.8,2
1.4および21.7に強い線を示すX線回折図形を有
する変形τ型無金属フタロシアニンがある。変形τ型無
金属フタロシアニンとしては、特に、赤外線吸収スペク
トルにおいて、700〜760cm-1の間に753±2
cm-1が最も強い4本の吸収帯を有し、1320〜13
40cm-1の間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を有し、
3297±3cm-1に特徴的な吸収を有するものが望ま
しい。変形τ型無金属フタロシアニンは、上述のτ型無
金属フタロシアニンとほぼ同様な製造方法によって得る
ことができる。
【0040】電荷発生層に含有される結着樹脂として
は、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体が用いられる。
特に、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合比が、塩化ビニ
ル/酢酸ビニル=95/5〜50/50の範囲のものが
使用される。また、塩化ビニルおよび酢酸ビニル以外
に、共重合体全休の15重量%までの量の第3の共重合
体成分が含まれていてもよい。第3の共重合体成分とし
ては、ビニルアルコールおよびマレイン酸が挙げられ
る。また、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体の分子量
は、3000〜80000の範囲のものが好ましい。
は、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体が用いられる。
特に、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合比が、塩化ビニ
ル/酢酸ビニル=95/5〜50/50の範囲のものが
使用される。また、塩化ビニルおよび酢酸ビニル以外
に、共重合体全休の15重量%までの量の第3の共重合
体成分が含まれていてもよい。第3の共重合体成分とし
ては、ビニルアルコールおよびマレイン酸が挙げられ
る。また、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体の分子量
は、3000〜80000の範囲のものが好ましい。
【0041】塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体は、具
体的に、塩化ビニル−酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−ビニルアルコール、塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール
−マレイン酸および塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル
酸などの共重合体が挙げられる。
体的に、塩化ビニル−酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル−ビニルアルコール、塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール
−マレイン酸および塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル
酸などの共重合体が挙げられる。
【0042】電荷発生層において、τ型無金属フタロシ
アニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含有する
ことによって、キャリア発生効率や電荷注入効率が向上
して、静電特性、特に感度が著しく向上し、また繰返し
使用時の電位安定性が著しく向上するものと推測され
る。
アニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含有する
ことによって、キャリア発生効率や電荷注入効率が向上
して、静電特性、特に感度が著しく向上し、また繰返し
使用時の電位安定性が著しく向上するものと推測され
る。
【0043】また、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体を含有する電荷発生層塗工
液は分散性が非常に安定しているので、塗工時の塗膜欠
陥が低減し、それにともなう画像欠陥が防止できる。
ニル−酢酸ビニル系共重合体を含有する電荷発生層塗工
液は分散性が非常に安定しているので、塗工時の塗膜欠
陥が低減し、それにともなう画像欠陥が防止できる。
【0044】電荷発生層において、電荷発生材料と結着
樹脂との配合比(重量比)は、電荷発生材料/結着樹脂
=1/10〜20/1の範囲に選ばれる。1/10より
も小さいときには感度が悪くなり実使用に耐えられず、
20/1よりも大きいときには繰返し使用時における帯
電性の低下が大きくなるので好ましくない。なお、後述
する実施例から、好ましくは1/3〜3/1の範囲に選
ばれる。また、電荷発生層の厚みは、0.05μm〜5
μmの範囲に選ばれる。0.05μmよりも小さいとき
には感度が悪くなり、5μmよりも大きいときには繰返
し使用時において帯電性の低下が大きくなるので好まし
くない。なお、後述する実施例から、好ましくは0.1
μm〜0.6μmの範囲に選ばれる。
樹脂との配合比(重量比)は、電荷発生材料/結着樹脂
=1/10〜20/1の範囲に選ばれる。1/10より
も小さいときには感度が悪くなり実使用に耐えられず、
20/1よりも大きいときには繰返し使用時における帯
電性の低下が大きくなるので好ましくない。なお、後述
する実施例から、好ましくは1/3〜3/1の範囲に選
ばれる。また、電荷発生層の厚みは、0.05μm〜5
μmの範囲に選ばれる。0.05μmよりも小さいとき
には感度が悪くなり、5μmよりも大きいときには繰返
し使用時において帯電性の低下が大きくなるので好まし
くない。なお、後述する実施例から、好ましくは0.1
μm〜0.6μmの範囲に選ばれる。
【0045】電荷輸送層の材料には、正孔輸送物質と電
子輸送物質とがある。正孔輸送物質としては、たとえば
ポリ−N−カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−
カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピ
レン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘
導体、エナミン誘導体、および以下の一般式(化1)〜
(化20)で示される化合物がある。
子輸送物質とがある。正孔輸送物質としては、たとえば
ポリ−N−カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−
カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピ
レン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリ
ビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾー
ル誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘
導体、エナミン誘導体、および以下の一般式(化1)〜
(化20)で示される化合物がある。
【0046】
【化1】
【0047】式(化1)中、R1はメチル基、エチル
基、2−ヒドロキシエチル基または2−クロルエチル基
を表し、R2はメチル基、エチル基、ベンジル基または
フェニル基を表し、R3は水素原子、塩素原子、臭素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。
基、2−ヒドロキシエチル基または2−クロルエチル基
を表し、R2はメチル基、エチル基、ベンジル基または
フェニル基を表し、R3は水素原子、塩素原子、臭素原
子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。
【0048】
【化2】
【0049】式(化2)中、Arはナフタレン環、アン
トラセン環、スチリル環およびそれらの置換体、あるい
はピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Rはア
ルキル基またはベンジル基を表す。
トラセン環、スチリル環およびそれらの置換体、あるい
はピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Rはア
ルキル基またはベンジル基を表す。
【0050】
【化3】
【0051】式(化3)中、R1はアルキル基、ベンジ
ル基、フェニル基またはナフチル基を表し、R2は水素
原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアル
コキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基
またはジアリールアミノ基を表し、nは1〜4の整数を
表し、nが2以上のときはR2は同じでも異なっていて
もよい。R3は水素原子またはメトキシ基を表す。
ル基、フェニル基またはナフチル基を表し、R2は水素
原子、炭素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアル
コキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基
またはジアリールアミノ基を表し、nは1〜4の整数を
表し、nが2以上のときはR2は同じでも異なっていて
もよい。R3は水素原子またはメトキシ基を表す。
【0052】
【化4】
【0053】式(化4)中、R1は炭素数1〜11のア
ルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素
環基を表し、R2およびR3はそれぞれ同一でも異なっ
ていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、
ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換も
しくは無置換のアラルキル基を表し、またR2およびR
3は互いに結合して窒素を含む複素環を形成していても
よい。R4は同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲ
ン原子を表す。
ルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素
環基を表し、R2およびR3はそれぞれ同一でも異なっ
ていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、
ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換も
しくは無置換のアラルキル基を表し、またR2およびR
3は互いに結合して窒素を含む複素環を形成していても
よい。R4は同一でも異なっていてもよく、水素原子、
炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲ
ン原子を表す。
【0054】
【化5】
【0055】式(化5)中、Rは水素原子またはハロゲ
ン原子を表し、Arは置換もしくは無置換のフェニル
基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を
表す。
ン原子を表し、Arは置換もしくは無置換のフェニル
基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を
表す。
【0056】
【化6】
【0057】式(化6)中、R1は水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基または炭
素数1〜4のアルキル基を表し、Arは
原子、シアノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基または炭
素数1〜4のアルキル基を表し、Arは
【0058】
【化7】
【0059】を表し、R2は炭素数1〜4のアルキル基
を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4
のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジア
ルキルアミノ基を表し、nは1または2であって、nが
2のときはR3は同一でも異なってもよく、R4および
R5は水素原子、炭素数1〜4の置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のべンジル基を表
す。
を表し、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4
のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基またはジア
ルキルアミノ基を表し、nは1または2であって、nが
2のときはR3は同一でも異なってもよく、R4および
R5は水素原子、炭素数1〜4の置換もしくは無置換の
アルキル基または置換もしくは無置換のべンジル基を表
す。
【0060】
【化8】
【0061】式(化8)中、Rはカルバゾリル基、ピリ
ジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいは
それぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基またはアントリル基であって、これらの
置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、
シアノ基、アラルキルアミノ基、N−アルキル−N−ア
ラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチル
アミノ基からなる群から選ばれた基を表す。
ジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいは
それぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル
基、ナフチル基またはアントリル基であって、これらの
置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、
シアノ基、アラルキルアミノ基、N−アルキル−N−ア
ラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基およびアセチル
アミノ基からなる群から選ばれた基を表す。
【0062】
【化9】
【0063】式(化9)中、R1は低級アルキル基、置
換もしくは無置換のフェニル基またはベンジル基を表
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級ア
ルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表
し、nは1または2の整数を表す。
換もしくは無置換のフェニル基またはベンジル基を表
し、R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級ア
ルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表
し、nは1または2の整数を表す。
【0064】
【化10】
【0065】式(化10)中、R1は水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基またハロゲン原子を表し、R2およ
びR3はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル
基あるいは置換もしくは無置換アリール基を表し、R4
は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換
のフェニル基を表し、またArは置換もしくは無置換の
フェニル基またはナフチル基を表す。
ル基、アルコキシ基またハロゲン原子を表し、R2およ
びR3はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル
基あるいは置換もしくは無置換アリール基を表し、R4
は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換
のフェニル基を表し、またArは置換もしくは無置換の
フェニル基またはナフチル基を表す。
【0066】
【化11】
【0067】式(化11)中、nは0または1の整数、
R1は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換
のフェニル基を表し、Arは置換もしくは未置換のアリ
ール基を表し、R5は置換アルキル基を含むアルキル
基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、
Aは
R1は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換
のフェニル基を表し、Arは置換もしくは未置換のアリ
ール基を表し、R5は置換アルキル基を含むアルキル
基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、
Aは
【0068】
【化12】
【0069】9−アントリル基または置換もしくは無置
換のカルバソリル基を表し、ここで、R2は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または−N
(R3,R4)(但し、R3およびR4はアルキル基、
置換もしくは無置換のアラルキル基または置換もしくは
無置換のアリール基を示し、R3およびR4は同じでも
異なっていてもよく、R4は環を形成してもよい)を表
し、mは0,1,2または3の整数であって、mが2以
上のときはR2は同一でも異なってもよいく、nが0の
ときにはAとR1は共同で環を形成してもよい。
換のカルバソリル基を表し、ここで、R2は水素原子、
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または−N
(R3,R4)(但し、R3およびR4はアルキル基、
置換もしくは無置換のアラルキル基または置換もしくは
無置換のアリール基を示し、R3およびR4は同じでも
異なっていてもよく、R4は環を形成してもよい)を表
し、mは0,1,2または3の整数であって、mが2以
上のときはR2は同一でも異なってもよいく、nが0の
ときにはAとR1は共同で環を形成してもよい。
【0070】
【化13】
【0071】式(化13)中、R1,R2およびR3は
水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアル
キルアミノ基またはハロゲン原子を表し、nは0または
1を表す。
水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアル
キルアミノ基またはハロゲン原子を表し、nは0または
1を表す。
【0072】
【化14】
【0073】式(化14)中、R1およびR2は置換ア
ルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換
のアリール基を表し、Aは置換アミノ基、置換もしくは
未置換のアリール基またはアリル基を表す。
ルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換
のアリール基を表し、Aは置換アミノ基、置換もしくは
未置換のアリール基またはアリル基を表す。
【0074】
【化15】
【0075】式(化15)中、Xは水素原子、低級アル
キル基またはハロゲン原子を表し、Rは置換アルキル基
を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリー
ル基を表し、Aは置換アミノ基または置換もしくは無置
換のアリール基を表す。
キル基またはハロゲン原子を表し、Rは置換アルキル基
を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリー
ル基を表し、Aは置換アミノ基または置換もしくは無置
換のアリール基を表す。
【0076】
【化16】
【0077】式(化16)中、R1は低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、nは0〜
4の整数を表し、R2およびR3は同じでも異なっても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たハロゲン原子を表す。
低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、nは0〜
4の整数を表し、R2およびR3は同じでも異なっても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基ま
たハロゲン原子を表す。
【0078】
【化17】
【0079】式(化17)中、R1,R3およびR4は
水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、R2は水素原子、アル
コキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロ
ゲン原子を表す。但し、R1,R2,R3およびR4は
すベて水素原子である場合を除く。また、k,l,mお
よびnは1,2,3または4の整数であり、各々が2,
3または4の整数のときは、前記R1,R2,R3およ
びR4は同じでも異なってもよい。
水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、R2は水素原子、アル
コキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロ
ゲン原子を表す。但し、R1,R2,R3およびR4は
すベて水素原子である場合を除く。また、k,l,mお
よびnは1,2,3または4の整数であり、各々が2,
3または4の整数のときは、前記R1,R2,R3およ
びR4は同じでも異なってもよい。
【0080】
【化18】
【0081】式(化18)中、Arは炭素数18個以下
の縮合多環式炭化水素基を表し、またR1およびR2は
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基
を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。
の縮合多環式炭化水素基を表し、またR1およびR2は
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基
を表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。
【0082】
【化19】
【0083】式(化19)中、Arは置換もしくは無置
換の芳香族炭化水素基を表し、Aは−Ar′−N(R
1,R2)(但し、Arは置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基を表し、R1およびR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である)を表す。
換の芳香族炭化水素基を表し、Aは−Ar′−N(R
1,R2)(但し、Arは置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基を表し、R1およびR2は置換もしくは無置
換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール
基である)を表す。
【0084】
【化20】
【0085】式(化20)中、Arは芳香族炭化水素基
を、Rは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基ま
たはアリール基をそれぞれ表す。nは0または1、mは
1または2であって、n=0、m=1の場合、ArとR
は共同で環を形成してもよい。
を、Rは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基ま
たはアリール基をそれぞれ表す。nは0または1、mは
1または2であって、n=0、m=1の場合、ArとR
は共同で環を形成してもよい。
【0086】一般式(化1)で表される化合物には、9
−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1−メチル−
1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3
−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1,1
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。一般式(化2)で
表される化合物には、4−ジエチルアミノスチリル−β
−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、
4−メトキシナフタレン−1−アルデヒド−1−ベンジ
ル−1−フェニルヒドラゾンなどがある。
−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1−メチル−
1−フェニルヒドラゾン、9−エチルカルバゾール−3
−アルデヒド−1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾ
ン、9−エチルカルバゾール−3−アルデヒド−1,1
−ジフェニルヒドラゾンなどがある。一般式(化2)で
表される化合物には、4−ジエチルアミノスチリル−β
−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン、
4−メトキシナフタレン−1−アルデヒド−1−ベンジ
ル−1−フェニルヒドラゾンなどがある。
【0087】一般式(化3)で表される化合物には、4
−メトキシベンズアルデヒド−1−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド−
1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾ
ン、4−メトキシベンズアルデヒド−1−ベンジル−1
−(4−メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニ
ルアミノベンズアルデヒド−1−ベンジル−1−フェニ
ルヒドラゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
−1,1−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
−メトキシベンズアルデヒド−1−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン、2,4−ジメトキシベンズアルデヒド−
1−ベンジル−1−フェニルヒドラゾン、4−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾ
ン、4−メトキシベンズアルデヒド−1−ベンジル−1
−(4−メトキシ)フェニルヒドラゾン、4−ジフェニ
ルアミノベンズアルデヒド−1−ベンジル−1−フェニ
ルヒドラゾン、4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
−1,1−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【0088】一般式(化4)で表される化合物には、
1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパ
ン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、
1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ジメチル−4,4′ビス(ジエチルアミ
ノ)−トリフェニルメタンなどがある。一般式(化5)
で表される化合物には、9−(4−ジエチルアミノスチ
リル)アントラセン、9−ブロム−10−(4−ジエチ
ルアミノスチリル)アントラセンなどがある。
1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパ
ン、トリス(4−ジエチルアミノフェニル)メタン、
1,1−ビス(4−ジベンジルアミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ジメチル−4,4′ビス(ジエチルアミ
ノ)−トリフェニルメタンなどがある。一般式(化5)
で表される化合物には、9−(4−ジエチルアミノスチ
リル)アントラセン、9−ブロム−10−(4−ジエチ
ルアミノスチリル)アントラセンなどがある。
【0089】一般式(化6)で表される化合物には、9
−(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3
−(9−フルオレニリデン)−9−エチルカルバゾール
などがある。一般式(化8)で表される化合物には、
1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベン
ゼンなどがある。一般式(化9)で表される化合物に
は、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、3−(4
メトキシスチリル)−9−エチルカルバゾールなどがあ
る。
−(4−ジメチルアミノベンジリデン)フルオレン、3
−(9−フルオレニリデン)−9−エチルカルバゾール
などがある。一般式(化8)で表される化合物には、
1,2−ビス(4−ジエチルアミノスチリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(2,4−ジメトキシスチリル)ベン
ゼンなどがある。一般式(化9)で表される化合物に
は、3−スチリル−9−エチルカルバゾール、3−(4
メトキシスチリル)−9−エチルカルバゾールなどがあ
る。
【0090】一般式(化10)で表される化合物には、
4−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミ
ノスチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1−
(4−ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1−
(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレンなどがあ
る。一般式(化11)で表される化合物には、4′−ジ
フェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、4′−ビス
(4−メチルフェニル)アミノ−α−フェニルスチルベ
ンなどがある。
4−ジフェニルアミノスチルベン、4−ジベンジルアミ
ノスチルベン、4−ジトリルアミノスチルベン、1−
(4−ジフェニルアミノスチリル)ナフタレン、1−
(4−ジエチルアミノスチリル)ナフタレンなどがあ
る。一般式(化11)で表される化合物には、4′−ジ
フェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、4′−ビス
(4−メチルフェニル)アミノ−α−フェニルスチルベ
ンなどがある。
【0091】一般式(化13)で表される化合物には、
1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−
5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
フェニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−
(4−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがあ
る。一般式(化14)で表される化合物には、2,5−
ビス(4−ジエチルアミノフェニル−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−N,N−ジフェニルアミノ−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、2−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾールなどがある。
1−フェニル−3−(4−ジエチルアミノスチリル)−
5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−
フェニル−3−(4−ジメチルアミノスチリル)−5−
(4−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンなどがあ
る。一般式(化14)で表される化合物には、2,5−
ビス(4−ジエチルアミノフェニル−1,3,4−オキ
サジアゾール、2−N,N−ジフェニルアミノ−5−
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサ
ジアゾール、2−(4−ジメチルアミノフェニル)−5
−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾールなどがある。
【0092】一般式(化15)で表される化合物には、
2−N,N′−ジフェニルアミノ−5−(N−エチルカ
ルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2−(4−ジエチルアミノフェニル)−5−(N−
エチルカルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサ
ジアゾールなどがある。一般式(化16)で表されるベ
ンジジン化合物には、N,N′−ジフェニル−N,N′
−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン、3,3′−ジメチル−N,
N,N,′N′−テトラキス(4−メチルフェニル)−
[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミンなどが
ある。
2−N,N′−ジフェニルアミノ−5−(N−エチルカ
ルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサジアゾー
ル、2−(4−ジエチルアミノフェニル)−5−(N−
エチルカルバゾール−3−イル)−1,3,4−オキサ
ジアゾールなどがある。一般式(化16)で表されるベ
ンジジン化合物には、N,N′−ジフェニル−N,N′
−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン、3,3′−ジメチル−N,
N,N,′N′−テトラキス(4−メチルフェニル)−
[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジアミンなどが
ある。
【0093】一般式(化17)で表されるビフェニルア
ミン化合物には、4′−メトキシ−N,N′−ジフェニ
ル−[1,1′−ビフェニル]−4−アミン、4′−メ
チル−N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,
1′−ビフェニル]−4−アミン、4′−メトキシ−
N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,1′−ビ
フェニル]−4−アミンなどがある。一般式(化18)
で表されるトリアリールアミン化合物には、1−ジフェ
ニルアミノピレン、1−ジ(p−トリルアミノ)ピレン
などがある。
ミン化合物には、4′−メトキシ−N,N′−ジフェニ
ル−[1,1′−ビフェニル]−4−アミン、4′−メ
チル−N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,
1′−ビフェニル]−4−アミン、4′−メトキシ−
N,N−ビス(4−メチルフェニル)−[1,1′−ビ
フェニル]−4−アミンなどがある。一般式(化18)
で表されるトリアリールアミン化合物には、1−ジフェ
ニルアミノピレン、1−ジ(p−トリルアミノ)ピレン
などがある。
【0094】一般式(化19)で表されるジオレフィン
芳香族化合物には、1,4−ビス(4−ジフェニルアミ
ノスチリル)ベンゼン、1,4−[ビス(4−ジ(p−
トリル)アミノスチリル]ベンゼンなどがある。一般式
(化20)で表されるスチリルピレン化合物には、l−
(4−ジフェニルアミノスチリル)ピレン、1−[4−
ジ(p−トリル)アミノスチリル]ピレンなどがある。
芳香族化合物には、1,4−ビス(4−ジフェニルアミ
ノスチリル)ベンゼン、1,4−[ビス(4−ジ(p−
トリル)アミノスチリル]ベンゼンなどがある。一般式
(化20)で表されるスチリルピレン化合物には、l−
(4−ジフェニルアミノスチリル)ピレン、1−[4−
ジ(p−トリル)アミノスチリル]ピレンなどがある。
【0095】一方、電子輸送物質としては、たとえばク
ロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9
−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−
フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサント
ン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,
8−トリニトロ−インデノ4H−インデノ[1,2−
b]チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジ
ベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、および3,
5−ジメチル−3′,5′−ジ−tert−ブチル−
4,4′−ジフェノキノンがある。
ロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テ
トラシアノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9
−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−
フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロキサント
ン、2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,
8−トリニトロ−インデノ4H−インデノ[1,2−
b]チオフェン−4−オン、1,3,7−トリニトロジ
ベンゾチオフェン−5,5−ジオキサイド、および3,
5−ジメチル−3′,5′−ジ−tert−ブチル−
4,4′−ジフェノキノンがある。
【0096】上述した正孔輸送物質や電子輸送物質の電
荷輸送物質は、単独または2種以上混合して用いても構
わない。
荷輸送物質は、単独または2種以上混合して用いても構
わない。
【0097】電荷輸送層に使用される結着樹脂として
は、ポリカーボネート(ビスフェノールAタイプ、ビス
フェノールZタイプ)、ポリエステル、メタクリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッ
ド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアリ
クレート、ポリアクリルアミド、ポリアミド、フェノキ
シ樹脂などが用いられる。これらの結着樹脂は、単独ま
たは2種類以上の混合物として用いることができる。
は、ポリカーボネート(ビスフェノールAタイプ、ビス
フェノールZタイプ)、ポリエステル、メタクリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッ
ド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポ
リビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアリ
クレート、ポリアクリルアミド、ポリアミド、フェノキ
シ樹脂などが用いられる。これらの結着樹脂は、単独ま
たは2種類以上の混合物として用いることができる。
【0098】電荷輸送層に使用される溶剤としては、
N,N′−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエ
チルケトン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジクロ
ロエタン、ジクロロメタン、モノクロルベンゼン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチルおよび
ジメチルスルホキシドなどがある。
N,N′−ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエ
チルケトン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジクロ
ロエタン、ジクロロメタン、モノクロルベンゼン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチルおよび
ジメチルスルホキシドなどがある。
【0099】電荷輸送層において電荷輸送物質と結着樹
脂との配合比(重量比)は、1/2〜5/1の範囲が好
ましい。電荷輸送層の膜厚は、5μm〜50μmの範囲
が好ましい。
脂との配合比(重量比)は、1/2〜5/1の範囲が好
ましい。電荷輸送層の膜厚は、5μm〜50μmの範囲
が好ましい。
【0100】また、電荷発生層中には電荷輸送物質を含
有させることが好ましく、これによって残留電位の抑制
や帯電性、感度の向上が図れる。電荷輸送物質として
は、正孔輸送物質と電子輸送物質との両方が使用可能で
あるが、電荷輸送層に正孔輸送物質を用いたときには、
電荷発生層中に電子輸送物質を含有させることが特に効
果的である。また電荷輸送層に電子輸送物質を用いたと
きには、電荷発生層中に正孔輸送物質を含有させること
が特に効果的である。なお、前者の場合、電荷発生層に
フタロシアニンとジフェノキノンとを同時に含有させた
とき、帯電性の向上、感度の向上および残留電位の抑制
の効果が特に大きい。
有させることが好ましく、これによって残留電位の抑制
や帯電性、感度の向上が図れる。電荷輸送物質として
は、正孔輸送物質と電子輸送物質との両方が使用可能で
あるが、電荷輸送層に正孔輸送物質を用いたときには、
電荷発生層中に電子輸送物質を含有させることが特に効
果的である。また電荷輸送層に電子輸送物質を用いたと
きには、電荷発生層中に正孔輸送物質を含有させること
が特に効果的である。なお、前者の場合、電荷発生層に
フタロシアニンとジフェノキノンとを同時に含有させた
とき、帯電性の向上、感度の向上および残留電位の抑制
の効果が特に大きい。
【0101】電荷発生層や電荷輸送層を形成する方法と
しては、電荷発生層用塗工液や電荷輸送層用塗工液に基
体を浸漬する方法、あるいは各塗工液を基体にスプレー
する方法などを用いることができる。
しては、電荷発生層用塗工液や電荷輸送層用塗工液に基
体を浸漬する方法、あるいは各塗工液を基体にスプレー
する方法などを用いることができる。
【0102】また、接着性や電荷ブロッキング性を向上
させるために、電荷発生層および電荷輸送層からなる光
導電層と、基体との間に中間層を設けてもよい。中間層
は、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はそ
の上に光導電層を溶剤で塗布することを考えると、一般
の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望
ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコー
ル、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウムなどの水溶性
樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロンなど
のアルコール可溶性樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタ
ン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂な
ど、三次元綱目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げら
れる。なお、中間層にはモアレ防止、残留電位の低減等
のために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコ
ニウム、酸化スズおよび酸化インジウムなどの金属酸化
物の微粉末顔料を加えても構わない。
させるために、電荷発生層および電荷輸送層からなる光
導電層と、基体との間に中間層を設けてもよい。中間層
は、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はそ
の上に光導電層を溶剤で塗布することを考えると、一般
の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望
ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコー
ル、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウムなどの水溶性
樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロンなど
のアルコール可溶性樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタ
ン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂な
ど、三次元綱目構造を形成する硬化型樹脂などが挙げら
れる。なお、中間層にはモアレ防止、残留電位の低減等
のために、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコ
ニウム、酸化スズおよび酸化インジウムなどの金属酸化
物の微粉末顔料を加えても構わない。
【0103】電荷発生層および電荷輸送層からなる光導
電層を形成するための基体としては、アルミニウム、黄
銅、ステンレス、ニッケルなどの金属ドラムおよびシー
ト、ポリエチレンフタレート、ポリプロピレン、ナイロ
ン、紙などの材料にアルミニウム、ニッケルなどの金属
を蒸着するか、あるいは酸化チタン、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、カーボンブラックなどの導電性物質を適当な
バインダーとともに塗布して導電処理したプラスチッ
ク、紙などのシート状または円筒状基体が挙げられる。
電層を形成するための基体としては、アルミニウム、黄
銅、ステンレス、ニッケルなどの金属ドラムおよびシー
ト、ポリエチレンフタレート、ポリプロピレン、ナイロ
ン、紙などの材料にアルミニウム、ニッケルなどの金属
を蒸着するか、あるいは酸化チタン、酸化スズ、酸化イ
ンジウム、カーボンブラックなどの導電性物質を適当な
バインダーとともに塗布して導電処理したプラスチッ
ク、紙などのシート状または円筒状基体が挙げられる。
【0104】
【発明の実施の形態】(実施例1)直径65mm、長さ
332mmのアルミニウム製ドラムを準備した。4重量
部のアルコール可溶性ナイロン樹脂CM8000(東レ
社製)と、80重量部のメタノールと、20重量部のn
−ブタノールとを混合し、スターラで撹拌して溶解し、
下引き層用塗工液を調整した。ドラムを下引き層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
ドラム上に膜厚0.5μmの下引き層を形成した。
332mmのアルミニウム製ドラムを準備した。4重量
部のアルコール可溶性ナイロン樹脂CM8000(東レ
社製)と、80重量部のメタノールと、20重量部のn
−ブタノールとを混合し、スターラで撹拌して溶解し、
下引き層用塗工液を調整した。ドラムを下引き層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
ドラム上に膜厚0.5μmの下引き層を形成した。
【0105】次に、2重量部のτ型無金属フタロシアニ
ン Liophoton TPA−891(東洋インキ
製造社製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合体 SOLBIN M(日信化学工業社
製)と、100重量部のMEK(メチルエチルケトン)
とを混合し、ボールミルで48時間分散し、電荷発生層
用塗工液を調整した。下引き層が形成されたドラムを電
荷発生層用塗工液に浸漬し、引き上げた後、120℃で
10分乾燥し、下引き層上に膜厚0.3μmの電荷発生
層を形成した。さらに、10重量部の
ン Liophoton TPA−891(東洋インキ
製造社製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−マ
レイン酸共重合体 SOLBIN M(日信化学工業社
製)と、100重量部のMEK(メチルエチルケトン)
とを混合し、ボールミルで48時間分散し、電荷発生層
用塗工液を調整した。下引き層が形成されたドラムを電
荷発生層用塗工液に浸漬し、引き上げた後、120℃で
10分乾燥し、下引き層上に膜厚0.3μmの電荷発生
層を形成した。さらに、10重量部の
【0106】
【化21】
【0107】で表される電荷輸送物質と、10重量部の
ポリカーボネート樹脂 K1300(帝人化成社製)
と、0.002重量部のシリコンオイル KF50(信
越化学社製)と、150重量部のジクロロメタンとを混
合し、撹拌して溶解し、電荷輸送層用塗工液を調整し
た。電荷発生層が形成されたドラムを電荷輸送層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
電荷発生層上に膜厚25μmの電荷輸送層を形成した。
このようにして感光体を作成した。
ポリカーボネート樹脂 K1300(帝人化成社製)
と、0.002重量部のシリコンオイル KF50(信
越化学社製)と、150重量部のジクロロメタンとを混
合し、撹拌して溶解し、電荷輸送層用塗工液を調整し
た。電荷発生層が形成されたドラムを電荷輸送層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
電荷発生層上に膜厚25μmの電荷輸送層を形成した。
このようにして感光体を作成した。
【0108】(比較例1)実施例1の電荷発生層用塗工
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のブチラール樹脂 エスレック BX
−1(積水化学工業社製)を使用した以外は実施例1と
同様にして感光体を作成した。
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のブチラール樹脂 エスレック BX
−1(積水化学工業社製)を使用した以外は実施例1と
同様にして感光体を作成した。
【0109】(比較例2)実施例1の電荷発生層用塗工
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のエポキシ樹脂 BPO−20E(理
研化学社製)を使用した以外は実施例1と同様にして感
光体を作成した。
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のエポキシ樹脂 BPO−20E(理
研化学社製)を使用した以外は実施例1と同様にして感
光体を作成した。
【0110】(比較例3)実施例1の電荷発生層用塗工
液の組成を、2重量部の
液の組成を、2重量部の
【0111】
【化22】
【0112】で表されるトリスアゾ顔料と、2重量部の
塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体 SOL
BIN M(日信化学工業社製)と、100重量部のM
EKとからなる組成に変更した以外は実施例1と同様に
して感光体を作成した。
塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体 SOL
BIN M(日信化学工業社製)と、100重量部のM
EKとからなる組成に変更した以外は実施例1と同様に
して感光体を作成した。
【0113】(比較例4)比較例3の電荷発生層用塗工
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のブチラール樹脂 エスレック BX
−1(積水化学工業社製)を使用した以外は比較例3と
同様にして感光体を作成した。
液の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体に代
わって、2重量部のブチラール樹脂 エスレック BX
−1(積水化学工業社製)を使用した以外は比較例3と
同様にして感光体を作成した。
【0114】実施例1および比較例1〜4の感光体を、
デジタル複写機AR5130(シャープ社製)改造機に
装着して、耐刷試験を行った結果を表1に示す。耐刷試
験としては、初期および30000枚画像形成後のそれ
ぞれについて、暗部電位VO(−V)および明部電位V
L(−V)を評価した。感度に関して、初期の明部電位
VLが低いことが好ましく、静電的な安定性に関して、
繰返し使用における暗部電位VOおよび明部電位VLの
変化が少ないことが好ましい。実施例1、すなわちτ型
無金属フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重
合体とを含有する電荷発生層を有する感光体は、比較例
1〜4に比べて、感度が良好でかつ初期と30000枚
画像形成後との電位がほぼ同じであり、繰返し使用にお
いて静電的な安定性が優れていることが分かった。
デジタル複写機AR5130(シャープ社製)改造機に
装着して、耐刷試験を行った結果を表1に示す。耐刷試
験としては、初期および30000枚画像形成後のそれ
ぞれについて、暗部電位VO(−V)および明部電位V
L(−V)を評価した。感度に関して、初期の明部電位
VLが低いことが好ましく、静電的な安定性に関して、
繰返し使用における暗部電位VOおよび明部電位VLの
変化が少ないことが好ましい。実施例1、すなわちτ型
無金属フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重
合体とを含有する電荷発生層を有する感光体は、比較例
1〜4に比べて、感度が良好でかつ初期と30000枚
画像形成後との電位がほぼ同じであり、繰返し使用にお
いて静電的な安定性が優れていることが分かった。
【0115】
【表1】
【0116】また、実施例1および比較例1,2の感光
体について、同様の複写機で、反転現像方式で全面が白
色となる白べたの画像形成を行ったところ、実施例1お
よび比較例1では欠陥のない画像が得られたが、比較例
2では黒い斑点状の欠陥がある画像が得られた。以上の
評価結果から、実施例1のτ型無金属フタロシアニンと
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有する電荷発
生層を有する感光体において、欠陥の少ない画像が形成
でき、かつ静電的な特性が良好であることが分かった。
体について、同様の複写機で、反転現像方式で全面が白
色となる白べたの画像形成を行ったところ、実施例1お
よび比較例1では欠陥のない画像が得られたが、比較例
2では黒い斑点状の欠陥がある画像が得られた。以上の
評価結果から、実施例1のτ型無金属フタロシアニンと
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有する電荷発
生層を有する感光体において、欠陥の少ない画像が形成
でき、かつ静電的な特性が良好であることが分かった。
【0117】(実施例2)実施例1の電荷発生層用塗工
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
0.8,3.2重量部に変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
0.8,3.2重量部に変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
【0118】(実施例3)実施例1の電荷発生層用塗工
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
1,3重量部に変更した以外は、実施例1と同様にして
感光体を作成した。
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
1,3重量部に変更した以外は、実施例1と同様にして
感光体を作成した。
【0119】(実施例4)実施例1の電荷発生層用塗工
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
3,1重量部に変更した以外は、実施例1と同様にして
感光体を作成した。
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
3,1重量部に変更した以外は、実施例1と同様にして
感光体を作成した。
【0120】(実施例5)実施例1の電荷発生層用塗工
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
3.2,0.8重量部に変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
液において、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビニル−
酢酸ビニル−マレイン酸共重合体との量を、それぞれ
3.2,0.8重量部に変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
【0121】実施例1〜5の感光体を、同様の複写機に
装着して、耐刷試験を行った結果を表2に示す。実施例
1,3,4、すなわちτ型無金属フタロシアニンと塩化
ビニル−酢酸ビニル系共重合体との比率を、重量比で、
τ型無金属フタロシアニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体=1/3,1/1,3/1とした電荷発生層を
有する感光体において、特に感度が良好でかつ初期と3
0000枚画像形成後との電位がほぼ同じであり、繰返
し使用において静電的な安定性が優れていることが分か
った。
装着して、耐刷試験を行った結果を表2に示す。実施例
1,3,4、すなわちτ型無金属フタロシアニンと塩化
ビニル−酢酸ビニル系共重合体との比率を、重量比で、
τ型無金属フタロシアニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体=1/3,1/1,3/1とした電荷発生層を
有する感光体において、特に感度が良好でかつ初期と3
0000枚画像形成後との電位がほぼ同じであり、繰返
し使用において静電的な安定性が優れていることが分か
った。
【0122】
【表2】
【0123】以上の評価結果から、τ型無金属フタロシ
アニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体=1/3〜
3/1の範囲の電荷発生層を有する感光体において、欠
陥の少ない画像が形成でき、かつ特に高感度で静電的な
安定性の優れた静電特性であることが分かった。
アニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体=1/3〜
3/1の範囲の電荷発生層を有する感光体において、欠
陥の少ない画像が形成でき、かつ特に高感度で静電的な
安定性の優れた静電特性であることが分かった。
【0124】(実施例6)実施例1の電荷発生層におい
て、膜厚を0.05μmに変更した以外は、実施例1と
同様にして感光体を作成した。
て、膜厚を0.05μmに変更した以外は、実施例1と
同様にして感光体を作成した。
【0125】(実施例7)実施例1の電荷発生層におい
て、膜厚を0.1μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
て、膜厚を0.1μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
【0126】(実施例8)実施例1の電荷発生層におい
て、膜厚を0.6μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
て、膜厚を0.6μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
【0127】(実施例9)実施例1の電荷発生層におい
て、膜厚を0.8μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
て、膜厚を0.8μmに変更した以外は、実施例1と同
様にして感光体を作成した。
【0128】実施例1,6〜9の感光体を、同様の複写
機に装着して、耐刷試験を行った結果を表3に示す。実
施例1,7,8、すなわち膜厚を0.1,0.3,0.
6μmとした電荷発生層を有する感光体において、特に
感度が良好でかつ初期と30000枚画像形成後との電
位がほぼ同じであり、繰返し使用において静電的な安定
性が優れていることが分かった。
機に装着して、耐刷試験を行った結果を表3に示す。実
施例1,7,8、すなわち膜厚を0.1,0.3,0.
6μmとした電荷発生層を有する感光体において、特に
感度が良好でかつ初期と30000枚画像形成後との電
位がほぼ同じであり、繰返し使用において静電的な安定
性が優れていることが分かった。
【0129】
【表3】
【0130】以上の評価結果から、膜厚が0.1〜0.
6μmの範囲の電荷発生層を有する感光体において、欠
陥の少ない画像が形成でき、かつ特に高感度で静電的な
安定性の優れた静電特性であることが分かった。
6μmの範囲の電荷発生層を有する感光体において、欠
陥の少ない画像が形成でき、かつ特に高感度で静電的な
安定性の優れた静電特性であることが分かった。
【0131】(実施例10)直径65mm、長さ350
mmのアルミニウム製ドラムを準備した。4重量部の水
溶性ポリビニルアセタール樹脂 KW−1(積水化学工
業社製)と、80重量部のメタノールと、20重量部の
水とを混合し、スターラで撹拌して溶解し、下引き層用
塗工液を調整した。ドラムを下引き層用塗工液に浸漬
し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、ドラム上
に膜厚1μmの下引き層を形成した。
mmのアルミニウム製ドラムを準備した。4重量部の水
溶性ポリビニルアセタール樹脂 KW−1(積水化学工
業社製)と、80重量部のメタノールと、20重量部の
水とを混合し、スターラで撹拌して溶解し、下引き層用
塗工液を調整した。ドラムを下引き層用塗工液に浸漬
し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、ドラム上
に膜厚1μmの下引き層を形成した。
【0132】次に、2重量部のτ型無金属フタロシアニ
ン Liophoton TPA−891(東洋インキ
製造社製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ア
クリル酸共重合体 SOLBIN MF(日信化学工業
社製)と、100重量部のMEKとを混合し、ボールミ
ルで48時間分散し、電荷発生層用塗工液を調整した。
下引き層が形成されたドラムを電荷発生層用塗工液に浸
漬し、引き上げた後、120℃で10分乾燥し、下引き
層上に膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。さら
に、8重量部の
ン Liophoton TPA−891(東洋インキ
製造社製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ア
クリル酸共重合体 SOLBIN MF(日信化学工業
社製)と、100重量部のMEKとを混合し、ボールミ
ルで48時間分散し、電荷発生層用塗工液を調整した。
下引き層が形成されたドラムを電荷発生層用塗工液に浸
漬し、引き上げた後、120℃で10分乾燥し、下引き
層上に膜厚0.3μmの電荷発生層を形成した。さら
に、8重量部の
【0133】
【化23】
【0134】で表される電荷輸送物質と、10重量部の
ポリカーボネート樹脂 Z200(三菱瓦斯化学社製)
と、0.002重量部のシリコンオイル KF50(信
越化学社製)と、120重量部のジクロロメタンとを混
合し、撹拌して溶解し、電荷輸送層用塗工液を調整し
た。電荷発生層が形成されたドラムを電荷輸送層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
電荷発生層上に膜厚35μmの電荷輸送層を形成した。
このようにして感光体を作成した。
ポリカーボネート樹脂 Z200(三菱瓦斯化学社製)
と、0.002重量部のシリコンオイル KF50(信
越化学社製)と、120重量部のジクロロメタンとを混
合し、撹拌して溶解し、電荷輸送層用塗工液を調整し
た。電荷発生層が形成されたドラムを電荷輸送層用塗工
液に浸漬し、引き上げた後、120℃で20分乾燥し、
電荷発生層上に膜厚35μmの電荷輸送層を形成した。
このようにして感光体を作成した。
【0135】(実施例11)実施例10の電荷発生層用
塗工液に代わって、実施例1の電荷発生層用塗工液を用
いたた以外は、実施例10と同様にして感光体を作成し
た。
塗工液に代わって、実施例1の電荷発生層用塗工液を用
いたた以外は、実施例10と同様にして感光体を作成し
た。
【0136】(実施例12)実施例10の電荷発生層用
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体 SOLBINC(日信化学工業社製)を使用した以
外は実施例10と同様にして感光体を作成した。
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体 SOLBINC(日信化学工業社製)を使用した以
外は実施例10と同様にして感光体を作成した。
【0137】(実施例13)実施例10の電荷発生層用
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコ−ル共重合体 SOLBIN A(日信化学工
業社製)を使用した以外は実施例10と同様にして感光
体を作成した。なお、該共重合体のビニルアルコ−ル成
分の含有率は、モノマー換算で5重量%である。
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコ−ル共重合体 SOLBIN A(日信化学工
業社製)を使用した以外は実施例10と同様にして感光
体を作成した。なお、該共重合体のビニルアルコ−ル成
分の含有率は、モノマー換算で5重量%である。
【0138】(実施例14)実施例10の電荷発生層用
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコ−ル共重合体 SOLBIN A5(日信化学
工業社製)を使用した以外は実施例10と同様にして感
光体を作成した。なお、該共重合体のビニルアルコ−ル
成分の含有率は、モノマー換算で12重量%である。
塗工液の塩化ビニル−酢酸ビニル−アクリル酸共重合体
に代わって、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコ−ル共重合体 SOLBIN A5(日信化学
工業社製)を使用した以外は実施例10と同様にして感
光体を作成した。なお、該共重合体のビニルアルコ−ル
成分の含有率は、モノマー換算で12重量%である。
【0139】実施例10〜14の感光体を、同様の複写
機に装着して、耐刷試験を行った結果を表4に示す。実
施例11〜14、すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル系共
重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体および塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有す
る電荷発生層を有する感光体において、感度が良好でか
つ初期と30000枚画像形成後との電位がほぼ同じで
あり、繰返し使用において静電的な安定性が優れている
ことが分かった。また、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体を含有する電荷発生層を有する感
光体においては、特に、ビニルアルコール成分がモノマ
ー換算で10重量%以上であるときに、感度が良好であ
ることが分かった。
機に装着して、耐刷試験を行った結果を表4に示す。実
施例11〜14、すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル系共
重合体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共
重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体および塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有す
る電荷発生層を有する感光体において、感度が良好でか
つ初期と30000枚画像形成後との電位がほぼ同じで
あり、繰返し使用において静電的な安定性が優れている
ことが分かった。また、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体を含有する電荷発生層を有する感
光体においては、特に、ビニルアルコール成分がモノマ
ー換算で10重量%以上であるときに、感度が良好であ
ることが分かった。
【0140】
【表4】
【0141】(比較例5)実施例1の電荷発生層用塗工
液の組成を、2重量部のτ型無金属フタロシアニン L
iophoton TPA−891(東洋インキ製造社
製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合体 SOLBIN M(日信化学工業社製)
と、100重量部のテトラヒドロフラン(THF)とか
らなる組成に変更した以外は実施例1と同様にして感光
体を作成した。
液の組成を、2重量部のτ型無金属フタロシアニン L
iophoton TPA−891(東洋インキ製造社
製)と、2重量部の塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン
酸共重合体 SOLBIN M(日信化学工業社製)
と、100重量部のテトラヒドロフラン(THF)とか
らなる組成に変更した以外は実施例1と同様にして感光
体を作成した。
【0142】実施例1および比較例5の感光体を、同様
の複写機に装着して、初期の電位を測定した結果を表5
に示す。実施例1、すなわちMEKを含有する電荷発生
層を有する感光体において、感度が優れていることが分
かった。以上の結果から、分散媒としてはMEKなどの
ケトン系溶剤が好ましいことが分かった。
の複写機に装着して、初期の電位を測定した結果を表5
に示す。実施例1、すなわちMEKを含有する電荷発生
層を有する感光体において、感度が優れていることが分
かった。以上の結果から、分散媒としてはMEKなどの
ケトン系溶剤が好ましいことが分かった。
【0143】
【表5】
【0144】また、実施例11〜13および比較例2の
電荷発生層用塗工液を密封容器に入れて常温で静置保存
し、液の状態を観察した結果を表6に示す。実施例11
〜13、すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体と
して、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体および塩化ビニル−酢
酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有する電荷発
生層用塗工液において、特に塩化ビニル−酢酸ビニル−
マレイン酸共重合体および塩化ビニル−酢酸ビニル−ビ
ニルアルコール共重合体を含有する電荷発生層用塗工液
において、保存安定性が優れていることが分かった。
電荷発生層用塗工液を密封容器に入れて常温で静置保存
し、液の状態を観察した結果を表6に示す。実施例11
〜13、すなわち塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体と
して、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体および塩化ビニル−酢
酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有する電荷発
生層用塗工液において、特に塩化ビニル−酢酸ビニル−
マレイン酸共重合体および塩化ビニル−酢酸ビニル−ビ
ニルアルコール共重合体を含有する電荷発生層用塗工液
において、保存安定性が優れていることが分かった。
【0145】
【表6】
【0146】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、機能分離
型感光体において電荷発生層にτ型無金属フタロシアニ
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有させた
ので、高感度で繰返し使用における静電的な安定性に優
れた静電特性の感光体が実現できる。特に、τ型無金属
フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体と
の重量比を1/3〜3/1に選んだ。また、電荷発生層
の膜厚を0.1μm〜0.6μmの範囲に選んだ。ま
た、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
マレイン酸共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体を選んだ。また、塩化ビニル−酢酸
ビニル−ビニルアルコール共重合体において、ビニルア
ルコール成分が、モノマー換算で、少なくとも10重量
%以上含まれているようにした。したがって、さらに高
感度で静電的な安定性に優れた静電特性の感光体が実現
できる。
型感光体において電荷発生層にτ型無金属フタロシアニ
ンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有させた
ので、高感度で繰返し使用における静電的な安定性に優
れた静電特性の感光体が実現できる。特に、τ型無金属
フタロシアニンと塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体と
の重量比を1/3〜3/1に選んだ。また、電荷発生層
の膜厚を0.1μm〜0.6μmの範囲に選んだ。ま
た、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−
マレイン酸共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニル
アルコール共重合体を選んだ。また、塩化ビニル−酢酸
ビニル−ビニルアルコール共重合体において、ビニルア
ルコール成分が、モノマー換算で、少なくとも10重量
%以上含まれているようにした。したがって、さらに高
感度で静電的な安定性に優れた静電特性の感光体が実現
できる。
【0147】また本発明によれば、機能分離型感光体の
製造において電荷発生層用の塗布液はτ型無金属フタロ
シアニンをケトン系溶剤中で分散してなり、電荷発生層
は保存安定性に優れた該塗布液を塗布することによって
形成される。したがって、優れた塗布性で電荷発生層を
形成することができる。特に、電荷発生層用の塗布液に
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体をさらに含有させ
た。また、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有させ
た。したがって、さらに優れた塗布性で電荷発生層を形
成することができる。
製造において電荷発生層用の塗布液はτ型無金属フタロ
シアニンをケトン系溶剤中で分散してなり、電荷発生層
は保存安定性に優れた該塗布液を塗布することによって
形成される。したがって、優れた塗布性で電荷発生層を
形成することができる。特に、電荷発生層用の塗布液に
塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体をさらに含有させ
た。また、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体として塩
化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体を含有させ
た。したがって、さらに優れた塗布性で電荷発生層を形
成することができる。
【0148】また本発明によれば、反転現像プロセスを
用いた画像形成装置に対して上述したような電子写真感
光体を適用することによって、該画像形成装置で欠陥の
少ない優れた画像特性の画像が形成可能となる。
用いた画像形成装置に対して上述したような電子写真感
光体を適用することによって、該画像形成装置で欠陥の
少ない優れた画像特性の画像が形成可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03G 5/06 371 G03G 5/06 371 (72)発明者 寺本 高広 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 川原 在彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 森田 和茂 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (12)
- 【請求項1】 導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを有する電子写真感光体において、 前記電荷発生層は、τ型無金属フタロシアニンと塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体とを含有することを特徴と
する電子写真感光体。 - 【請求項2】 前記τ型無金属フタロシアニンと塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体との重量比が、τ型無金属
フタロシアニン/塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体で
1/3〜3/1の範囲であることを特徴とする請求項1
記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 前記電荷発生層の膜厚が、0.1μm〜
0.6μmの範囲に選ばれることを特徴とする請求項1
記載の電子写真感光体。 - 【請求項4】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体
として、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体が選ばれるこ
とを特徴とする請求項1記載の電子写真感光体。 - 【請求項5】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体
として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体
が選ばれることを特徴とする請求項1記載の電子写真感
光体。 - 【請求項6】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体
として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共
重合体が選ばれることを特徴とする請求項1記載の電子
写真感光体。 - 【請求項7】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルア
ルコール共重合体において、モノマー換算で、ビニルア
ルコール成分が少なくとも10重量%以上含まれている
ことを特徴とする請求項6記載の電子写真感光体。 - 【請求項8】 導電性支持体上に電荷発生層と電荷輸送
層とを有する電子写真感光体の製造方法であって、電荷
発生層用の塗布液を塗布して電荷発生層を形成する電子
写真感光体の製造方法において、 前記電荷発生層用塗布液は、τ型無金属フタロシアニン
をケトン系溶剤中で分散してなることを特徴とする電子
写真感光体の製造方法。 - 【請求項9】 前記電荷発生層塗布液は、結着樹脂とし
て塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体を含有することを
特徴とする請求項8記載の電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項10】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合
体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合
体が含有されることを特徴とする請求項9記載の電子写
真感光体の製造方法。 - 【請求項11】 前記塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合
体として、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール
共重合体が含有されることを特徴とする請求項9記載の
電子写真感光体の製造方法。 - 【請求項12】 電子写真感光体を用い、反転現像プロ
セスで画像を形成する画像形成装置において、 前記電子写真感光体は、請求項1〜7のうちのいずれか
1つに記載の電子写真感光体であることを特徴とする電
子写真感光体を用いた画像形成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360656A JPH11194512A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子写真感光体、その製造方法、それを用いた画像形成装置 |
| US09/210,785 US6054237A (en) | 1997-12-26 | 1998-12-15 | Electrophotographic photoreceptor, process for producing the same, and image forming apparatus using same |
| EP98310742A EP0926557B1 (en) | 1997-12-26 | 1998-12-24 | Electrophotographic photoreceptor, process for producing the same, and use of said photoreceptor for forming an image |
| DE69836465T DE69836465T2 (de) | 1997-12-26 | 1998-12-24 | Elektrophotographischer Photorezeptor, Verfahren zu dessen Herstellung und Anwendung des Photorezeptors für die Bildherstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360656A JPH11194512A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子写真感光体、その製造方法、それを用いた画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11194512A true JPH11194512A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18470353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360656A Pending JPH11194512A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 電子写真感光体、その製造方法、それを用いた画像形成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6054237A (ja) |
| EP (1) | EP0926557B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11194512A (ja) |
| DE (1) | DE69836465T2 (ja) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182639A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6019153A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
| JP2614857B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1997-05-28 | ミノルタ株式会社 | 機能分離型感光体 |
| JPH01307759A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| US5087540A (en) * | 1989-07-13 | 1992-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phthalocyanine photosensitive materials for electrophotography and processes for making the same |
| US5312705A (en) * | 1990-07-27 | 1994-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photosensitive materials for electrophotography having a double-layer structure of a charge generation layer and a charge transport layer |
| JPH06308754A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 画像形成方法 |
| JPH06308755A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 画像形成方法 |
| JP3584600B2 (ja) * | 1996-03-11 | 2004-11-04 | 三菱化学株式会社 | 電子写真感光体 |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP9360656A patent/JPH11194512A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-15 US US09/210,785 patent/US6054237A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-24 DE DE69836465T patent/DE69836465T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-24 EP EP98310742A patent/EP0926557B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0926557B1 (en) | 2006-11-22 |
| DE69836465T2 (de) | 2007-09-13 |
| DE69836465D1 (de) | 2007-01-04 |
| EP0926557A1 (en) | 1999-06-30 |
| US6054237A (en) | 2000-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11242348A (ja) | 電子写真用顔料および該顔料を使用した電子写真用感光体 | |
| JP4418599B2 (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
| US6054237A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process for producing the same, and image forming apparatus using same | |
| JP2951032B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP4514759B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP4164779B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0511467A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2001323183A (ja) | ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びその製造方法並びにそれを用いた電子写真用感光体 | |
| JPH07230176A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2000137339A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2008250086A (ja) | アゾ顔料を含有する電子写真感光体、電子写真装置及びプロセスカートリッジ | |
| JPH0786692B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2688485B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0518424B2 (ja) | ||
| JP2563810B2 (ja) | 感光体 | |
| JP3486697B2 (ja) | 単層型電子写真感光体 | |
| JP2936511B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0789230B2 (ja) | 感光体 | |
| JP2000231208A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH04287048A (ja) | ビススチリル化合物及び電子写真感光体 | |
| JPH06148916A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0611869A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0862874A (ja) | 単層型電子写真感光体 | |
| KR20030081123A (ko) | 전자 사진용 감광체 및 그 제조 방법 | |
| JPH07239561A (ja) | 電子写真用感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040518 |