JPH11199400A - 水晶基板のエッチング方法 - Google Patents
水晶基板のエッチング方法Info
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- JPH11199400A JPH11199400A JP354798A JP354798A JPH11199400A JP H11199400 A JPH11199400 A JP H11199400A JP 354798 A JP354798 A JP 354798A JP 354798 A JP354798 A JP 354798A JP H11199400 A JPH11199400 A JP H11199400A
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- laser irradiation
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水晶基板をフッ酸を主成分とするエッチング
液にてエッチングを行う場合、エッチングした断面形状
を垂直に近づけるには長時間のエッチング時間が必要で
あった。 【解決手段】 エッチング液に溶解させる部分のすべて
あるいは一部分にあらかじめレーザー照射を行い変質層
を形成する。その後にエッチング液に浸してエッチング
する。
液にてエッチングを行う場合、エッチングした断面形状
を垂直に近づけるには長時間のエッチング時間が必要で
あった。 【解決手段】 エッチング液に溶解させる部分のすべて
あるいは一部分にあらかじめレーザー照射を行い変質層
を形成する。その後にエッチング液に浸してエッチング
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、振動子やセンサー
など水晶を用いた素子を水晶基板のウエットエッチング
により形成する場合の水晶基板のエッチングに関する。
など水晶を用いた素子を水晶基板のウエットエッチング
により形成する場合の水晶基板のエッチングに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、エッチング前にレ
ーザーを照射するようなことはなかった。この工程を図
６を用いて説明する。図６は従来の工程を示した図であ
りエッチングする水晶基板の断面を示している。
ーザーを照射するようなことはなかった。この工程を図
６を用いて説明する。図６は従来の工程を示した図であ
りエッチングする水晶基板の断面を示している。
【０００３】図６（ａ）では、水晶基板１の両面にエッ
チング液に溶解しない耐腐食膜２を形成している。この
耐腐食膜２としては一般には２層の金属膜からなり下地
にクロムまたはチタンなどが用いられ上層に金等が使用
される。この上に図６（ｂ）のように感光性のフォトレ
ジスト材３を塗布する。次に、図６（ｃ）のように露
光、現像によって所望のフォトレジストのパターン４を
形成する。そして、図６（ｄ）のように耐腐食膜２をエ
ッチングし、図６(ｅ)のように水晶基板１をエッチング
する。ここでエッチングに用いるエッチング液は重弗化
アンモニウム液や弗化アンモニウム液と弗化水素酸の混
合液などが用いられる。エッチング後フォトレジストの
パターン４と耐腐食膜２を除去することにより図６
（ｆ）のように所望の形の水晶基板を得ることができ
る。以上のように本発明のごとくエッチング前にレーザ
ーを照射するようなことはなかった。
チング液に溶解しない耐腐食膜２を形成している。この
耐腐食膜２としては一般には２層の金属膜からなり下地
にクロムまたはチタンなどが用いられ上層に金等が使用
される。この上に図６（ｂ）のように感光性のフォトレ
ジスト材３を塗布する。次に、図６（ｃ）のように露
光、現像によって所望のフォトレジストのパターン４を
形成する。そして、図６（ｄ）のように耐腐食膜２をエ
ッチングし、図６(ｅ)のように水晶基板１をエッチング
する。ここでエッチングに用いるエッチング液は重弗化
アンモニウム液や弗化アンモニウム液と弗化水素酸の混
合液などが用いられる。エッチング後フォトレジストの
パターン４と耐腐食膜２を除去することにより図６
（ｆ）のように所望の形の水晶基板を得ることができ
る。以上のように本発明のごとくエッチング前にレーザ
ーを照射するようなことはなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、水
晶基板のエッチングした断面は完全に垂直とはならな
ず、振動子やセンサーなど水晶を用いた素子で断面が垂
直となって欲しい部分があった場合、長時間エッチング
して可能な限り断面を垂直にしていた。したがって長時
間エッチングしなければばらないという課題を有してい
た。また、長時間エッチングを行うためには、図６
（ｃ）でフォトレジストのパターン４の大きさをエッチ
ング時間に見合っただけ大きくしておかなくてはならず
設計の自由度が失われるという課題を有していた。ここ
で、断面が垂直にならない理由は、水晶基板をウェット
エッチングした場合、水晶の結晶の異方性から、必ず断
面に突起が生じる向きがあるからである。これは、月間
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄの１９９０年
１２月号の２０８ページ図６に記載してあるとおりであ
る。
晶基板のエッチングした断面は完全に垂直とはならな
ず、振動子やセンサーなど水晶を用いた素子で断面が垂
直となって欲しい部分があった場合、長時間エッチング
して可能な限り断面を垂直にしていた。したがって長時
間エッチングしなければばらないという課題を有してい
た。また、長時間エッチングを行うためには、図６
（ｃ）でフォトレジストのパターン４の大きさをエッチ
ング時間に見合っただけ大きくしておかなくてはならず
設計の自由度が失われるという課題を有していた。ここ
で、断面が垂直にならない理由は、水晶基板をウェット
エッチングした場合、水晶の結晶の異方性から、必ず断
面に突起が生じる向きがあるからである。これは、月間
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄの１９９０年
１２月号の２０８ページ図６に記載してあるとおりであ
る。
【０００５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされ、その目的とするところは、エッチングを行
った断面を垂直にする水晶基板のエッチング方法を提供
することにあり、長時間のエッチングを必要とせず、ま
た設計の自由度も失われることのない水晶基板のエッチ
ング方法を提供する。
めになされ、その目的とするところは、エッチングを行
った断面を垂直にする水晶基板のエッチング方法を提供
することにあり、長時間のエッチングを必要とせず、ま
た設計の自由度も失われることのない水晶基板のエッチ
ング方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の水晶基板のエッ
チング方法は、エッチング液に溶解させる部分のすべて
あるいは一部分にあらかじめレーザー照射を行い、その
後にエッチング液に浸してエッチングすることを特徴と
する。
チング方法は、エッチング液に溶解させる部分のすべて
あるいは一部分にあらかじめレーザー照射を行い、その
後にエッチング液に浸してエッチングすることを特徴と
する。
【０００７】または、エッチング途中で一旦エッチング
を中止し、エッチング液に溶解させる部分のすべてある
いは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶基板を溶解
するエッチング液を用いてエッチングすること、あるい
は上記のエッチングとレーザー照射を繰り返すことを特
徴とする。
を中止し、エッチング液に溶解させる部分のすべてある
いは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶基板を溶解
するエッチング液を用いてエッチングすること、あるい
は上記のエッチングとレーザー照射を繰り返すことを特
徴とする。
【０００８】または、エッチング液に溶解させる部分の
すべてあるいは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶
基板を溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う
こと、あるいは上記のレーザー照射とエッチングを繰り
返すことを特徴とする。
すべてあるいは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶
基板を溶解するエッチング液を用いてエッチングを行う
こと、あるいは上記のレーザー照射とエッチングを繰り
返すことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の水晶基板のエッチング方
法の好適な例について、詳細に説明する。
法の好適な例について、詳細に説明する。
【００１０】（実施例１）実施例１では、本発明の水晶
基板のエッチング方法についての概要について説明す
る。
基板のエッチング方法についての概要について説明す
る。
【００１１】図１は、本発明の概要を示す工程図であ
る。この図１では水晶基板1を断面から見た方向で示し
ている。
る。この図１では水晶基板1を断面から見た方向で示し
ている。
【００１２】図1（ａ）は、水晶基板1に耐腐食膜のパタ
ーン５とフォトレジストのパターン4がすでに形成され
終わっている状態である。ここでフォトレジストのパタ
ーン4は今後水晶基板1のエッチングを行う際には必要無
いためあってもなくてもかまわない。図1ではある状態
で示している。そして、従来例では水晶基板1のエッチ
ングを行うが、本発明では図1（ｂ）のごとくレーザー
照射を行う。この図ではレーザー光６を模式的に示して
ある。レーザー光６を照射する部分はエッチング液に溶
解させる部分のすべてあるいは一部分である。このこと
については後で説明する。図１の実施例では、レーザー
光の照射をエッチング液に溶解させる部分の一部分に設
定してある。
ーン５とフォトレジストのパターン4がすでに形成され
終わっている状態である。ここでフォトレジストのパタ
ーン4は今後水晶基板1のエッチングを行う際には必要無
いためあってもなくてもかまわない。図1ではある状態
で示している。そして、従来例では水晶基板1のエッチ
ングを行うが、本発明では図1（ｂ）のごとくレーザー
照射を行う。この図ではレーザー光６を模式的に示して
ある。レーザー光６を照射する部分はエッチング液に溶
解させる部分のすべてあるいは一部分である。このこと
については後で説明する。図１の実施例では、レーザー
光の照射をエッチング液に溶解させる部分の一部分に設
定してある。
【００１３】レーザー光６を照射した場合、水晶の表面
から内部にレーザー光６のエネルギーによって水晶基板
１に熱エネルギーが伝わる。熱エネルギーが一定値以上
高温になれば水晶基板１の結晶の相転移などを生じさ
せ、変質層７を形成する。この変質層７を必要な部分に
必要数形成する。
から内部にレーザー光６のエネルギーによって水晶基板
１に熱エネルギーが伝わる。熱エネルギーが一定値以上
高温になれば水晶基板１の結晶の相転移などを生じさ
せ、変質層７を形成する。この変質層７を必要な部分に
必要数形成する。
【００１４】図１（ｃ）は水晶基板の裏側にもこの変質
層７をレーザー光７によって形成しているところを示し
たものである。
層７をレーザー光７によって形成しているところを示し
たものである。
【００１５】次に図１（ｄ）のように水晶基板１のエッ
チングを行う。エッチング液は水晶基板１を溶解する弗
化水素水などが用いられる。この時、変質層７は水晶基
板１に比較してかなり早く溶解する。したがってエッチ
ング時間を非常に短くすることが可能である。
チングを行う。エッチング液は水晶基板１を溶解する弗
化水素水などが用いられる。この時、変質層７は水晶基
板１に比較してかなり早く溶解する。したがってエッチ
ング時間を非常に短くすることが可能である。
【００１６】必要な時間エッチングを行い、フォトレジ
ストのパターン４と耐腐食膜のパターン５を取り去れば
図１（ｅ）のようになり、所望の水晶形状が得られる。
ストのパターン４と耐腐食膜のパターン５を取り去れば
図１（ｅ）のようになり、所望の水晶形状が得られる。
【００１７】（実施例２）図２は本発明の一実施例のレ
ーザー照射位置を示す断面図を示す。これを用いて変質
層を形成する位置について説明する。
ーザー照射位置を示す断面図を示す。これを用いて変質
層を形成する位置について説明する。
【００１８】図２（ａ）はエッチング液に溶解させる部
分のすべてにレーザー照射によって変質層７を形成した
ものである。この場合、フォトレジストのパターン４と
耐腐食膜のパターン５の近傍までレーザー照射を行い変
質層７を形成するにはレーザー照射装置の制御が重要で
ある。
分のすべてにレーザー照射によって変質層７を形成した
ものである。この場合、フォトレジストのパターン４と
耐腐食膜のパターン５の近傍までレーザー照射を行い変
質層７を形成するにはレーザー照射装置の制御が重要で
ある。
【００１９】図２（ｂ）は図２（ａ）と同様にフォトレ
ジストのパターン４と耐腐食膜のパターン５の近傍まで
レーザー照射を行い変質層７を形成しているが、エッチ
ング液に溶解させる部分のすべてにレーザー照射によっ
て変質層７を形成しているわけではない。これは、水晶
のＺ板と呼ばれる水晶基板１を用いた場合では+Ｘ軸方
向で突起が生ずることから、エッチング後に残る水晶基
板１の+Ｘ軸方向の近傍のみに変質層７を形成し、この
部分のエッチング液に対する溶解速度を増加し、＋Ｘ軸
方向の突起を減ずるものである。−Ｘ側のフォトレジス
トのパターン４と耐腐食膜のパターン５の近傍は水晶の
異方性からほぼストレートにエッチングされるためレー
ザー照射を行う必要はない。Ｚ板以外の切り出し角の基
板を用いた場合でも断面を垂直にしたい部分の近傍にレ
ーザー照射を行えばよい。
ジストのパターン４と耐腐食膜のパターン５の近傍まで
レーザー照射を行い変質層７を形成しているが、エッチ
ング液に溶解させる部分のすべてにレーザー照射によっ
て変質層７を形成しているわけではない。これは、水晶
のＺ板と呼ばれる水晶基板１を用いた場合では+Ｘ軸方
向で突起が生ずることから、エッチング後に残る水晶基
板１の+Ｘ軸方向の近傍のみに変質層７を形成し、この
部分のエッチング液に対する溶解速度を増加し、＋Ｘ軸
方向の突起を減ずるものである。−Ｘ側のフォトレジス
トのパターン４と耐腐食膜のパターン５の近傍は水晶の
異方性からほぼストレートにエッチングされるためレー
ザー照射を行う必要はない。Ｚ板以外の切り出し角の基
板を用いた場合でも断面を垂直にしたい部分の近傍にレ
ーザー照射を行えばよい。
【００２０】図２（ｃ）はフォトレジストのパターン４
と耐腐食膜のパターン５より離して変質層７を形成した
ものである。フォトレジストのパターン４と耐腐食膜の
パターン５の近傍にレーザーを照射するのは難しいこ
と、レーザーによる熱が耐腐食膜のパターン５やフォト
レジストのパターン４に影響を与えることを防止する目
的がある。
と耐腐食膜のパターン５より離して変質層７を形成した
ものである。フォトレジストのパターン４と耐腐食膜の
パターン５の近傍にレーザーを照射するのは難しいこ
と、レーザーによる熱が耐腐食膜のパターン５やフォト
レジストのパターン４に影響を与えることを防止する目
的がある。
【００２１】図２（ｄ）は図２（ｃ）とほぼ同じではあ
るが、深さ方向への変質層７の大きさが短くなってい
る。水晶基板１の厚みが大きい場合には有効である。
るが、深さ方向への変質層７の大きさが短くなってい
る。水晶基板１の厚みが大きい場合には有効である。
【００２２】ここで、図３を用いてなぜ本発明の水晶基
板のエッチング方法を用いるとエッチングが早くなるか
について説明する。
板のエッチング方法を用いるとエッチングが早くなるか
について説明する。
【００２３】図３はＺ板の水晶基板１をフォトレジスト
のパターン４と耐腐食膜のパターン５をマスクとして用
いた場合のエッチング後の断面形状を示した図である。
水晶基板１をエッチングした場合、水晶の異方性から+
Ｘ軸方向に突起が生じる。図３では、従来の方法の場合
の＋X軸方向に生じる突起８を破線で、本発明の一方法
である図２（ｄ）の変質層７を形成した後のエッチング
形状の＋X軸方向に生じる突起９を実線で同時に示して
ある。ここで従来の方法の場合と本発明の方法の場合と
でのエッチング時間は同一である。
のパターン４と耐腐食膜のパターン５をマスクとして用
いた場合のエッチング後の断面形状を示した図である。
水晶基板１をエッチングした場合、水晶の異方性から+
Ｘ軸方向に突起が生じる。図３では、従来の方法の場合
の＋X軸方向に生じる突起８を破線で、本発明の一方法
である図２（ｄ）の変質層７を形成した後のエッチング
形状の＋X軸方向に生じる突起９を実線で同時に示して
ある。ここで従来の方法の場合と本発明の方法の場合と
でのエッチング時間は同一である。
【００２４】従来の方法の場合の＋X方向に生じる突起
９は大きく、この突起を小さくするためには更にエッチ
ングを行う必要がある。一方、本発明の方法の場合の＋
X方向に生じる突起は非常に小さくなる。これは、レー
ザー照射によって生じた変質層では水晶の異方性がなく
なってしまうためエッチング速度が非常に速くなるため
である。
９は大きく、この突起を小さくするためには更にエッチ
ングを行う必要がある。一方、本発明の方法の場合の＋
X方向に生じる突起は非常に小さくなる。これは、レー
ザー照射によって生じた変質層では水晶の異方性がなく
なってしまうためエッチング速度が非常に速くなるため
である。
【００２５】（実施例３）図４を用いて本発明の一実施
例を音叉型振動子に適用した例を説明する。
例を音叉型振動子に適用した例を説明する。
【００２６】図４はレーザー照射を行う部分を示す水晶
基板の正面図である。ここではＺ板の水晶基板１を用い
て音叉型振動子を形成することを想定している。わかり
やすくするため水晶基板１には１個の音叉型振動子を形
成する場合について示した。
基板の正面図である。ここではＺ板の水晶基板１を用い
て音叉型振動子を形成することを想定している。わかり
やすくするため水晶基板１には１個の音叉型振動子を形
成する場合について示した。
【００２７】水晶基板１にはすでに耐腐食膜およびフォ
トレジストの音叉形状パターン１０が形成してある。す
なわち図１（ａ）で示した工程はすでに終了しているこ
とを示す。
トレジストの音叉形状パターン１０が形成してある。す
なわち図１（ａ）で示した工程はすでに終了しているこ
とを示す。
【００２８】音叉型振動子を製造する上で重要なこと
は、音叉の先端部分および音叉の叉の部分での断面形状
が垂直に近いほうが振動子特性は向上することである。
したがって実施例３では音叉先端部分と音叉の叉部分の
断面が垂直になるように考えてレーザーを照射する。音
叉の根元部分の断面形状は振動子の特性にはほとんど影
響を与えないためここではレーザー照射は行わない。た
だし、音叉型ジャイロセンサーなどでは音叉の根元部分
の断面形状も重要になる場合があるが、その場合はこの
実施例を応用すればよい。
は、音叉の先端部分および音叉の叉の部分での断面形状
が垂直に近いほうが振動子特性は向上することである。
したがって実施例３では音叉先端部分と音叉の叉部分の
断面が垂直になるように考えてレーザーを照射する。音
叉の根元部分の断面形状は振動子の特性にはほとんど影
響を与えないためここではレーザー照射は行わない。た
だし、音叉型ジャイロセンサーなどでは音叉の根元部分
の断面形状も重要になる場合があるが、その場合はこの
実施例を応用すればよい。
【００２９】レーザーによって加工する部分１１は音叉
先端部分の＋Ｘ方向に沿って行う。−Ｘ方向では断面は
自然と垂直となるため特にレーザーを照射する必要はな
いが、エッチング速度を上げる場合には行ってもかまわ
ない。
先端部分の＋Ｘ方向に沿って行う。−Ｘ方向では断面は
自然と垂直となるため特にレーザーを照射する必要はな
いが、エッチング速度を上げる場合には行ってもかまわ
ない。
【００３０】また音叉のまた部分でも断面に突起が生じ
易くかつ突起は振動子特性に悪影響を生じさせるためレ
ーザー照射を行う。
易くかつ突起は振動子特性に悪影響を生じさせるためレ
ーザー照射を行う。
【００３１】レーザー照射を行う深さ方向については、
図１（ａ）から（ｃ）のように深さ方向すべてでも、図
１（ｄ）のように一部分でもよい。
図１（ａ）から（ｃ）のように深さ方向すべてでも、図
１（ｄ）のように一部分でもよい。
【００３２】以上、レーザーの照射位置について説明し
てきたが、レーザーを照射する位置は、水晶のエッチン
グ速度を早くしたい部分に照射すればよく突起の生じる
位置のみに限定するものではない。しかし、突起を短時
間のエッチングで小さくするためにはレーザー照射が有
効である。
てきたが、レーザーを照射する位置は、水晶のエッチン
グ速度を早くしたい部分に照射すればよく突起の生じる
位置のみに限定するものではない。しかし、突起を短時
間のエッチングで小さくするためにはレーザー照射が有
効である。
【００３３】(実施例４)図５は、エッチング途中で一旦
エッチングを中止し、エッチング液に溶解させる部分の
すべてあるいは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶
基板を溶解するエッチング液を用いてエッチングする工
程を示す水晶の断面図である。
エッチングを中止し、エッチング液に溶解させる部分の
すべてあるいは一部分にレーザーを照射し、さらに水晶
基板を溶解するエッチング液を用いてエッチングする工
程を示す水晶の断面図である。
【００３４】図５（ａ）は、水晶基板1に耐腐食膜のパ
ターン５とフォトレジストのパターン4がすでに形成さ
れ終わっている状態である。ここでフォトレジストのパ
ターン4は今後水晶基板1のエッチングを行う際には必要
無いためあってもなくてもかまわない。
ターン５とフォトレジストのパターン4がすでに形成さ
れ終わっている状態である。ここでフォトレジストのパ
ターン4は今後水晶基板1のエッチングを行う際には必要
無いためあってもなくてもかまわない。
【００３５】図５（ｂ）は、エッチング途中でエッチン
グを一時停止した状態の形状を示している。
グを一時停止した状態の形状を示している。
【００３６】図５(ｃ)は図５(ｂ)でエッチング液に溶解
させる部分にレーザーを照射し、変質層７を形成してい
る。
させる部分にレーザーを照射し、変質層７を形成してい
る。
【００３７】図５(ｄ)は図５（ｃ）で変質層７を形成し
た反対面にも変質層７を形成している様子を示したもの
である。図５(ｃ)で水晶の片側からレーザーを照射し変
質層７を水晶基板１の表裏から同じように変質層７を形
成できるならばこの工程は必須のものではない。
た反対面にも変質層７を形成している様子を示したもの
である。図５(ｃ)で水晶の片側からレーザーを照射し変
質層７を水晶基板１の表裏から同じように変質層７を形
成できるならばこの工程は必須のものではない。
【００３８】図５(ｅ)は図５(ｄ)の後に更にエッチング
を行い仕上げたものである。
を行い仕上げたものである。
【００３９】以上のようにエッチングとレーザー照射を
交互に行うことにより板厚の厚い水晶基板でも本発明を
適用できる。さらにレーザー照射による変質層の形成に
ついても条件が緩やかとなり制御よく形成することが可
能となる。
交互に行うことにより板厚の厚い水晶基板でも本発明を
適用できる。さらにレーザー照射による変質層の形成に
ついても条件が緩やかとなり制御よく形成することが可
能となる。
【００４０】実施例４では途中までエッチングしてレー
ザー照射を行いさらにエッチングを行う手順について説
明したが、この工程を組み合わせて途中エッチング、レ
ーザー照射、途中エッチング、レーザー照射、エッチン
グのようにいろいろと組み合わせることが可能である。
また一番最初にレーザーを照射し、途中エッチング、レ
ーザー照射、エッチングのように組み合わせてもかまわ
ない。
ザー照射を行いさらにエッチングを行う手順について説
明したが、この工程を組み合わせて途中エッチング、レ
ーザー照射、途中エッチング、レーザー照射、エッチン
グのようにいろいろと組み合わせることが可能である。
また一番最初にレーザーを照射し、途中エッチング、レ
ーザー照射、エッチングのように組み合わせてもかまわ
ない。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、長時間のエッチングを
行わなくとも、水晶基板のエッチング断面を短時間のエ
ッチングで垂直にすることができる。また、短時間のエ
ッチングで断面を垂直にすることができるため設計の自
由度が大きくなるという効果を有する。
行わなくとも、水晶基板のエッチング断面を短時間のエ
ッチングで垂直にすることができる。また、短時間のエ
ッチングで断面を垂直にすることができるため設計の自
由度が大きくなるという効果を有する。
【００４２】さらに、エッチング断面を垂直にできるこ
とから水晶を用いた振動子、その他センサー等において
特性が向上するという効果を有する。
とから水晶を用いた振動子、その他センサー等において
特性が向上するという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の概要を示す工程図。
【図２】本発明の一実施例のレーザー照射位置を示す断
面図。
面図。
【図３】従来技術を用いた水晶基板のエッチング後の断
面と本発明の一実施例を用いた場合の水晶基板の断面
図。
面と本発明の一実施例を用いた場合の水晶基板の断面
図。
【図４】本発明の一実施例のレーザー照射を行う部分を
示す水晶基板の正面図。
示す水晶基板の正面図。
【図５】本発明の一実施例の工程を示す水晶基板の断面
図。
図。
【図６】従来の技術を用いた工程を示す水晶基板の断面
図。
図。
１ 水晶基板 ２ 耐腐食膜 ３ フォトレジスト ４ フォトレジストのパターン ５ 耐腐食膜のパターン ６ レーザー光 ７ 変質層 ８ 従来の方法の場合の＋X方向に生じる突起 ９ 本発明の方法の場合の＋X方向に生じる突起 １０ 耐腐食膜およびフォトレジストの音叉形状パター
ン １１ レーザーによって加工する部分
ン １１ レーザーによって加工する部分
Claims (3)
- 【請求項１】 水晶を所望の形状に、水晶基板を溶解す
るエッチング液を用いてエッチングする場合において、
エッチング液に溶解させる部分のすべてあるいは一部分
にあらかじめレーザー照射を行い、その後にエッチング
液に浸してエッチングすることを特徴とする水晶基板の
エッチング方法。 - 【請求項２】 水晶基板を所望の形状に、水晶基板を溶
解するエッチング液を用いてエッチングする場合におい
て、エッチング途中で一旦エッチングを中止し、エッチ
ング液に溶解させる部分のすべてあるいは一部分にレー
ザーを照射し、さらに水晶基板を溶解するエッチング液
を用いてエッチングすること、あるいは上記のエッチン
グとレーザー照射を繰り返すことを特徴とする水晶基板
のエッチング方法。 - 【請求項３】 水晶基板を所望の形状に、水晶基板を溶
解するエッチング液を用いてエッチングする場合におい
て、エッチング液に溶解させる部分のすべてあるいは一
部分にレーザーを照射し、さらに水晶基板を溶解するエ
ッチング液を用いてエッチングを行うこと、あるいは上
記のレーザー照射とエッチングを繰り返すことを特徴と
する水晶基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00354798A JP3849272B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 水晶基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00354798A JP3849272B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 水晶基板のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11199400A true JPH11199400A (ja) | 1999-07-27 |
| JP3849272B2 JP3849272B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=11560455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00354798A Expired - Fee Related JP3849272B2 (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 水晶基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3849272B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005016976A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 振動片の製造方法、振動子、ジャイロセンサおよび電子機器 |
| US7195715B2 (en) | 2003-05-27 | 2007-03-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method for manufacturing quartz oscillator |
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| US7863804B2 (en) | 2005-06-29 | 2011-01-04 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric vibration element and piezoelectric device |
| JP2011082735A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Seiko Epson Corp | 水晶振動片の製造方法および水晶デバイス |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010248032A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 合成石英ガラス基板の微細加工方法 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP00354798A patent/JP3849272B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US10364179B2 (en) | 2007-10-01 | 2019-07-30 | Lg Chem, Ltd. | Method for manufacturing glass cliche using laser etching and apparatus for laser irradiation therefor |
| JP2010034712A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | 水晶片の製造方法 |
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| JP2010187063A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | 水晶基板の加工方法および音叉型水晶振動片の製造方法 |
| JP2011082735A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Seiko Epson Corp | 水晶振動片の製造方法および水晶デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3849272B2 (ja) | 2006-11-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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