JPH11203731A - 光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法 - Google Patents
光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11203731A JPH11203731A JP635498A JP635498A JPH11203731A JP H11203731 A JPH11203731 A JP H11203731A JP 635498 A JP635498 A JP 635498A JP 635498 A JP635498 A JP 635498A JP H11203731 A JPH11203731 A JP H11203731A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist layer
- photoresist
- layer
- optical disk
- master
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 深さが異なるグルーブ及びピットを同じ原盤
に形成し、且つ、第一層目と第二層目との間に段差がな
いピットを得る。 【解決手段】 ガラス基板１上に第一フォトレジスト層
２を形成し、第一フォトレジスト層２上に酸化膜からな
る中間層３を形成し、中間層３上に第二フォトレジスト
層４を形成し、第二フォトレジスト層４を感光させる第
一の光Ａと第二フォトレジスト層４及び第一フォトレジ
スト層２を感光させる第二の光Ｂとによりグルーブ５及
びピット６を形成し、第二フォトレジスト層４を現像
し、中間層３を除去し、第一フォトレジスト層２を現像
することにより光ディスクのフォトレジスト原盤７を製
造する。ここで、第一フォトレジスト層２の感光感度特
性は、第二フォトレジスト層４の感光感度特性よりも高
い。
に形成し、且つ、第一層目と第二層目との間に段差がな
いピットを得る。 【解決手段】 ガラス基板１上に第一フォトレジスト層
２を形成し、第一フォトレジスト層２上に酸化膜からな
る中間層３を形成し、中間層３上に第二フォトレジスト
層４を形成し、第二フォトレジスト層４を感光させる第
一の光Ａと第二フォトレジスト層４及び第一フォトレジ
スト層２を感光させる第二の光Ｂとによりグルーブ５及
びピット６を形成し、第二フォトレジスト層４を現像
し、中間層３を除去し、第一フォトレジスト層２を現像
することにより光ディスクのフォトレジスト原盤７を製
造する。ここで、第一フォトレジスト層２の感光感度特
性は、第二フォトレジスト層４の感光感度特性よりも高
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクのフォ
トレジスト原盤及びその製造方法に関する。
トレジスト原盤及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、高密度の記録媒体として光により
記録データを読み出す光ディスクが利用されており、光
ディスクの各種形態の中には、深さが異なるピットとグ
ルーブとを形成したものがある。そのような光ディスク
を得るには、光ディスクのフォトレジスト原盤のパター
ン形成もピットとグルーブとで変える必要がある。
記録データを読み出す光ディスクが利用されており、光
ディスクの各種形態の中には、深さが異なるピットとグ
ルーブとを形成したものがある。そのような光ディスク
を得るには、光ディスクのフォトレジスト原盤のパター
ン形成もピットとグルーブとで変える必要がある。
【０００３】このため、従来は、強度が弱いレーザによ
ってグルーブを形成し、強度が強いレーザによってピッ
トを形成している。ここで、ピットの深さはフォトレジ
ストの膜厚で決定するが、グルーブの深さはレーザの強
度に依存し、レーザ強度の変動やフォーカス信号の変動
などによってグルーブの深さに変動が生じやすい。また
同様に、グルーブの幅の制御も非常に困難である。
ってグルーブを形成し、強度が強いレーザによってピッ
トを形成している。ここで、ピットの深さはフォトレジ
ストの膜厚で決定するが、グルーブの深さはレーザの強
度に依存し、レーザ強度の変動やフォーカス信号の変動
などによってグルーブの深さに変動が生じやすい。また
同様に、グルーブの幅の制御も非常に困難である。
【０００４】このような問題を解決するために提案され
た従来の技術の第一の例としては特開平2-276038号公報
記載の発明がある。この第一の例ではフォトレジスト層
を二層化し、ガラス原盤上の第一フォトレジスト層のプ
リベイク温度に比べて、第一フォトレジスト層上の第二
フォトレジスト層のプリベイク温度を低くしている。
た従来の技術の第一の例としては特開平2-276038号公報
記載の発明がある。この第一の例ではフォトレジスト層
を二層化し、ガラス原盤上の第一フォトレジスト層のプ
リベイク温度に比べて、第一フォトレジスト層上の第二
フォトレジスト層のプリベイク温度を低くしている。
【０００５】一般に、プリベイク温度が高いほど、フォ
トレジストの感光感度特性は低くなる。したがって、こ
のような製造方法によれば、第一層目のフォトレジスト
の感度は、第二層目のフォトレジストの感度に比べて低
くなる。よって、第一フォトレジスト層が感光しないレ
ーザ強度の最大値と、第一フォトレジスト層が感光する
レーザ強度の最小値との間には差ができる。したがっ
て、グルーブを所定の深さに形成できるレーザの強度に
ある程度の許容範囲を得ることができる。
トレジストの感光感度特性は低くなる。したがって、こ
のような製造方法によれば、第一層目のフォトレジスト
の感度は、第二層目のフォトレジストの感度に比べて低
くなる。よって、第一フォトレジスト層が感光しないレ
ーザ強度の最大値と、第一フォトレジスト層が感光する
レーザ強度の最小値との間には差ができる。したがっ
て、グルーブを所定の深さに形成できるレーザの強度に
ある程度の許容範囲を得ることができる。
【０００６】しかし、この第一の例では、第一フォトレ
ジスト層の上に第二フォトレジスト層を塗布する際に、
第一層目のフォトレジストが融けてしまったり、或い
は、第一層目のフォトレジストが第二層目のフォトレジ
ストと表面で反応してしまうという不都合が生じ、これ
により、第一フォトレジスト層の表面粗さが増大し、グ
ルーブノイズが大きくなるという問題がある。
ジスト層の上に第二フォトレジスト層を塗布する際に、
第一層目のフォトレジストが融けてしまったり、或い
は、第一層目のフォトレジストが第二層目のフォトレジ
ストと表面で反応してしまうという不都合が生じ、これ
により、第一フォトレジスト層の表面粗さが増大し、グ
ルーブノイズが大きくなるという問題がある。
【０００７】このような問題を解決するために提案され
た従来の技術の第二の例としては特開平7-161077号公報
記載の発明がある。この第二の例では、第一の例におけ
る第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間
に、第一層目のフォトレジストと第二層目のフォトレジ
ストとが混合することを防止する中間層を設けている。
中間層には、レーザに対して透過性を有し、フォトレジ
スト及びその溶剤に溶解せず、且つ、フォトレジストを
侵さずにエッチングや水洗等により除去可能な性質のも
のが選択される。
た従来の技術の第二の例としては特開平7-161077号公報
記載の発明がある。この第二の例では、第一の例におけ
る第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間
に、第一層目のフォトレジストと第二層目のフォトレジ
ストとが混合することを防止する中間層を設けている。
中間層には、レーザに対して透過性を有し、フォトレジ
スト及びその溶剤に溶解せず、且つ、フォトレジストを
侵さずにエッチングや水洗等により除去可能な性質のも
のが選択される。
【０００８】また、この第二の例でも、第一の例と同様
に、第一層目のフォトレジストの感度は第二層目のフォ
トレジストの感度に比べて低く設定されている。
に、第一層目のフォトレジストの感度は第二層目のフォ
トレジストの感度に比べて低く設定されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術の第一の例
及び第二の例のように、第一フォトレジスト層の感度を
第二フォトレジスト層の感度よりも低く設定すると、ピ
ットの形状に第一層目と第二層目との間で段差ができ、
光ディスクの読み取りの際に良好な信号が得られない。
及び第二の例のように、第一フォトレジスト層の感度を
第二フォトレジスト層の感度よりも低く設定すると、ピ
ットの形状に第一層目と第二層目との間で段差ができ、
光ディスクの読み取りの際に良好な信号が得られない。
【００１０】また、従来の第二の例では、中間層が設け
られているのだから第一フォトレジスト層の感度を第二
フォトレジスト層の感度よりも低くしなくてもグルーブ
の深さを制御できる。しかも、第一フォトレジスト層を
露光するレーザの強度は中間層によって弱められるの
で、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト
層の感度よりも低くしてしまっては、ピットの第一層目
と第二層目との間にできる段差が大きくなってしまう。
られているのだから第一フォトレジスト層の感度を第二
フォトレジスト層の感度よりも低くしなくてもグルーブ
の深さを制御できる。しかも、第一フォトレジスト層を
露光するレーザの強度は中間層によって弱められるの
で、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト
層の感度よりも低くしてしまっては、ピットの第一層目
と第二層目との間にできる段差が大きくなってしまう。
【００１１】本発明は、深さが異なるグルーブ及びピッ
トを同じ原盤に形成し、且つ、第一層目と第二層目との
間に段差がないピットを得ることを目的とする。
トを同じ原盤に形成し、且つ、第一層目と第二層目との
間に段差がないピットを得ることを目的とする。
【００１２】また本発明は、第二フォトレジスト層のプ
リベイク時及びポストベイク時に第一フォトレジスト層
から溶媒が蒸発してガスが発生し、ガスが集中する部分
が盛り上がることによる欠陥の発生を防ぐことを目的と
する。
リベイク時及びポストベイク時に第一フォトレジスト層
から溶媒が蒸発してガスが発生し、ガスが集中する部分
が盛り上がることによる欠陥の発生を防ぐことを目的と
する。
【００１３】さらに本発明は、中間層の選択の不適によ
りピットの底部に凹凸が生じることの防止を目的とす
る。
りピットの底部に凹凸が生じることの防止を目的とす
る。
【００１４】さらに本発明は、グルーブ及びピットの形
状・寸法を規定することにより、この光ディスクのフォ
トレジスト原盤を用いて製造された光ディスクから良好
な信号を得ることを目的とする。
状・寸法を規定することにより、この光ディスクのフォ
トレジスト原盤を用いて製造された光ディスクから良好
な信号を得ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の光
ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法では、ガラス
基板上に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層
と前記第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い
第二フォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォト
レジスト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光さ
せる第一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一
フォトレジスト層を感光させる第二の光とにより露光し
てグルーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記
第二の光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現
像し、第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去
し、前記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現
像する。
ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法では、ガラス
基板上に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層
と前記第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い
第二フォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォト
レジスト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光さ
せる第一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一
フォトレジスト層を感光させる第二の光とにより露光し
てグルーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記
第二の光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現
像し、第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去
し、前記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現
像する。
【００１６】したがって、ピットを形成する第二の光が
中間層で弱められても第一フォトレジスト層と第二フォ
トレジスト層との間で段差ができにくい。
中間層で弱められても第一フォトレジスト層と第二フォ
トレジスト層との間で段差ができにくい。
【００１７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第
一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジ
スト層のプリベイク温度よりも高い。
ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第
一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジ
スト層のプリベイク温度よりも高い。
【００１８】したがって、第二フォトレジスト層のプリ
ベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガ
スが発生することがない。
ベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガ
スが発生することがない。
【００１９】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であっ
て、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層の
プリベイク温度はポストベイク温度よりも高い。
載の光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であっ
て、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層の
プリベイク温度はポストベイク温度よりも高い。
【００２０】したがって、ポストベイク時に第一フォト
レジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがな
い。
レジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがな
い。
【００２１】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３のいずれか一に記載の光ディスクのフォトレジスト原
盤の製造方法により製造される光ディスクのフォトレジ
スト原盤であって、中間層がIn2O2，SnO2又はIn2O3-SnO
2(ITO)のいずれか一により形成されている。
３のいずれか一に記載の光ディスクのフォトレジスト原
盤の製造方法により製造される光ディスクのフォトレジ
スト原盤であって、中間層がIn2O2，SnO2又はIn2O3-SnO
2(ITO)のいずれか一により形成されている。
【００２２】したがって、酸化膜からなる中間層の材料
が規定され、ピットの底部に凹凸ができない。
が規定され、ピットの底部に凹凸ができない。
【００２３】請求項５記載の発明は、請求項４記載の光
ディスクのフォトレジスト原盤であって、第一フォトレ
ジスト層及び第二フォトレジスト層の厚さが300Å以上2
000Å以下であって、中間層の厚さが10Å以上100Å以下
であり、グルーブの深さは310Å以上2100Å以下であっ
て、ピットの深さは610Å以上4100Å以下であり、グル
ーブの半値幅がピットの半値幅よりも狭い。
ディスクのフォトレジスト原盤であって、第一フォトレ
ジスト層及び第二フォトレジスト層の厚さが300Å以上2
000Å以下であって、中間層の厚さが10Å以上100Å以下
であり、グルーブの深さは310Å以上2100Å以下であっ
て、ピットの深さは610Å以上4100Å以下であり、グル
ーブの半値幅がピットの半値幅よりも狭い。
【００２４】したがって、グルーブ及びピットの形状・
寸法が規定され、光ディスクにおいて良好な信号を得る
ことができる。
寸法が規定され、光ディスクにおいて良好な信号を得る
ことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の光ディスクのフォトレジ
スト原盤及びその製造方法の実施の第一の実施の形態に
ついて、図面に基づいて説明する。本実施の形態では、
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基盤１上にフォ
トレジスト（ここでは東京応化製のTSMR-8900）をスピ
ンコートして100℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第
一フォトレジスト層２を形成する。
スト原盤及びその製造方法の実施の第一の実施の形態に
ついて、図面に基づいて説明する。本実施の形態では、
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基盤１上にフォ
トレジスト（ここでは東京応化製のTSMR-8900）をスピ
ンコートして100℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第
一フォトレジスト層２を形成する。
【００２６】次に、第一フォトレジスト層２上に、In2O
3(95wt%)-SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約50Åの中
間層３を形成する。
3(95wt%)-SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約50Åの中
間層３を形成する。
【００２７】次に、中間層３上に、フォトレジスト（こ
こではヘキスト製のAZP-1350）をスピンコートして90℃
でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層
４を形成する。
こではヘキスト製のAZP-1350）をスピンコートして90℃
でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層
４を形成する。
【００２８】ここで、第一フォトレジスト層２の感度は
第二フォトレジスト層４の感度よりも高い。第一フォト
レジスト層２を形成したフォトレジストはプリベイク温
度が高すぎると、第二フォトレジスト層４を形成したフ
ォトレジストよりも感度が低くなるが、本実施の形態で
はプリベイク温度を適当な値に設定することによって、
第一フォトレジスト層２の感度を第二フォトレジスト層
４の感度よりも高くしている。
第二フォトレジスト層４の感度よりも高い。第一フォト
レジスト層２を形成したフォトレジストはプリベイク温
度が高すぎると、第二フォトレジスト層４を形成したフ
ォトレジストよりも感度が低くなるが、本実施の形態で
はプリベイク温度を適当な値に設定することによって、
第一フォトレジスト層２の感度を第二フォトレジスト層
４の感度よりも高くしている。
【００２９】このような第一フォトレジスト層２と第二
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
【００３０】グルーブは、第二フォトレジスト層４を感
光させる第一の光である強度３．０ｍＷのＡｒレーザＡ
で露光することにより形成する。ピットは、第一フォト
レジスト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる
第二の光で強度5.0mWのArレーザＢで露光することによ
り形成する。
光させる第一の光である強度３．０ｍＷのＡｒレーザＡ
で露光することにより形成する。ピットは、第一フォト
レジスト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる
第二の光で強度5.0mWのArレーザＢで露光することによ
り形成する。
【００３１】露光後、現像液（ここでは東京応化製のDE
-3）で第二フォトレジスト層４の現像を行い（図１
（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエッチングを行い（図
１（ｃ）参照）、現像液で第一フォトレジスト層２の現
像を行うことによりグルーブ５及びピット６のパターニ
ングを行って、図１（ｄ）に示す光ディスクのフォトレ
ジスト原盤７を得る。
-3）で第二フォトレジスト層４の現像を行い（図１
（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエッチングを行い（図
１（ｃ）参照）、現像液で第一フォトレジスト層２の現
像を行うことによりグルーブ５及びピット６のパターニ
ングを行って、図１（ｄ）に示す光ディスクのフォトレ
ジスト原盤７を得る。
【００３２】このように形成されたグルーブ５は、半値
幅が約0.5μｍ、深さが約1550Åになる。ピット６は、
半値幅が約0.55μｍ、深さが約3050Åになる。この光デ
ィスクのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せ
ず）を無磁界めっきによって約500Å形成し、さらに、N
iを電鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せ
ず）を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハ
イブリッドCD-Rを作製する。
幅が約0.5μｍ、深さが約1550Åになる。ピット６は、
半値幅が約0.55μｍ、深さが約3050Åになる。この光デ
ィスクのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せ
ず）を無磁界めっきによって約500Å形成し、さらに、N
iを電鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せ
ず）を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハ
イブリッドCD-Rを作製する。
【００３３】ここで、Niの導電膜を無磁界めっきによっ
て形成する場合には、パターニング後のポストベイクを
必要としない。
て形成する場合には、パターニング後のポストベイクを
必要としない。
【００３４】本実施の形態では、第一フォトレジスト層
２は中間層で弱められたArレーザＢにより露光される
が、第一フォトレジスト層２の感度は第二フォトレジス
ト層４の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層２
と第二フォトレジスト層４との間で段差になりにくく、
良好な形状のピット６を得ることができる。したがっ
て、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤７
を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディス
クから、良好な信号を得ることができる。
２は中間層で弱められたArレーザＢにより露光される
が、第一フォトレジスト層２の感度は第二フォトレジス
ト層４の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層２
と第二フォトレジスト層４との間で段差になりにくく、
良好な形状のピット６を得ることができる。したがっ
て、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤７
を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディス
クから、良好な信号を得ることができる。
【００３５】また、本実施の形態では、第二フォトレジ
スト層４のプリベイク温度は第一フォトレジスト層２の
プリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層
４のプリベイク時に第一フォトレジスト層２から溶媒が
蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中す
る部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
スト層４のプリベイク温度は第一フォトレジスト層２の
プリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層
４のプリベイク時に第一フォトレジスト層２から溶媒が
蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中す
る部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【００３６】つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジ
スト原盤及びその製造方法の実施の第二の実施の形態に
ついて説明する。なお、第一の実施の形態で説明した部
分の同一部分には同一符号を用い、詳細な説明も省略す
る（以下の実施の形態でも同様とする）。本実施の形態
では、まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基盤１上
にフォトレジスト（ここでは東京応化製のTSMR-GP800
0）をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約15
00Åの第一フォトレジスト層２を形成する。
スト原盤及びその製造方法の実施の第二の実施の形態に
ついて説明する。なお、第一の実施の形態で説明した部
分の同一部分には同一符号を用い、詳細な説明も省略す
る（以下の実施の形態でも同様とする）。本実施の形態
では、まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基盤１上
にフォトレジスト（ここでは東京応化製のTSMR-GP800
0）をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約15
00Åの第一フォトレジスト層２を形成する。
【００３７】次に、第一フォトレジスト層２上に、In2O
3(95wt%)-SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約60Åの中
間層３を形成する。
3(95wt%)-SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約60Åの中
間層３を形成する。
【００３８】次に、中間層３上に、フォトレジスト（こ
こでは東京応化製のTSMR-8900）をスピンコートして90
℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト
層４を形成する。
こでは東京応化製のTSMR-8900）をスピンコートして90
℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト
層４を形成する。
【００３９】ここで、第一フォトレジスト層２のフォト
レジストのプリベイク温度が135℃とかなり高いが、第
一フォトレジスト層２の感度は第二フォトレジスト層４
の感度よりも高い。
レジストのプリベイク温度が135℃とかなり高いが、第
一フォトレジスト層２の感度は第二フォトレジスト層４
の感度よりも高い。
【００４０】このような第一フォトレジスト層２と第二
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
【００４１】グルーブは、第二フォトレジスト層４を感
光させる第一の光である強度2.6mWのArレーザＡで露光
することにより形成する。ピットは、第一フォトレジス
ト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる第二の
光で強度4.5mWのArレーザＢで露光することにより形成
する。
光させる第一の光である強度2.6mWのArレーザＡで露光
することにより形成する。ピットは、第一フォトレジス
ト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる第二の
光で強度4.5mWのArレーザＢで露光することにより形成
する。
【００４２】露光後、現像液で第二フォトレジスト層４
の現像を行い（図１（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエ
ッチングを行い（図１（ｃ）参照）、現像液で第一フォ
トレジスト層２の現像を行うことによりグルーブ５及び
ピット６のパターニングを行う（図１（ｄ）参照）。こ
れを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジ
スト原盤７を得る。
の現像を行い（図１（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエ
ッチングを行い（図１（ｃ）参照）、現像液で第一フォ
トレジスト層２の現像を行うことによりグルーブ５及び
ピット６のパターニングを行う（図１（ｄ）参照）。こ
れを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジ
スト原盤７を得る。
【００４３】このように形成されたグルーブ５は、半値
幅が約0.55μｍ、深さが約1560Åになる。ピット６は、
半値幅が約0.6μｍ、深さが約3060Åになる。この光デ
ィスクのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せ
ず）をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Ni
を電鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せ
ず）を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハ
イブリッドCD-Rを作製する。
幅が約0.55μｍ、深さが約1560Åになる。ピット６は、
半値幅が約0.6μｍ、深さが約3060Åになる。この光デ
ィスクのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せ
ず）をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Ni
を電鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せ
ず）を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハ
イブリッドCD-Rを作製する。
【００４４】本実施の形態では、第一の実施の形態と同
様に、第一フォトレジスト層２は中間層で弱められたAr
レーザＢにより露光されるが、第一フォトレジスト層２
の感度は第二フォトレジスト層４の感度よりも高いの
で、第一フォトレジスト層２と第二フォトレジスト層４
との間で段差になりにくく、良好な形状のピット６を得
ることができる。したがって、本実施の形態の光ディス
クのフォトレジスト原盤７を用いて形成されたスタンパ
により作製される光ディスクから、良好な信号を得るこ
とができる。
様に、第一フォトレジスト層２は中間層で弱められたAr
レーザＢにより露光されるが、第一フォトレジスト層２
の感度は第二フォトレジスト層４の感度よりも高いの
で、第一フォトレジスト層２と第二フォトレジスト層４
との間で段差になりにくく、良好な形状のピット６を得
ることができる。したがって、本実施の形態の光ディス
クのフォトレジスト原盤７を用いて形成されたスタンパ
により作製される光ディスクから、良好な信号を得るこ
とができる。
【００４５】また、本実施の形態では、第二フォトレジ
スト層４のプリベイク温度は第一フォトレジスト層２の
プリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層
４のプリベイク時に第一フォトレジスト層２から溶媒が
蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中す
る部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
スト層４のプリベイク温度は第一フォトレジスト層２の
プリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層
４のプリベイク時に第一フォトレジスト層２から溶媒が
蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中す
る部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【００４６】さらに、本実施の形態では、ポストベイク
を行っているが、ポストベイク温度は第一フォトレジス
ト層２のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレ
ジスト層４から溶媒が蒸発したガスが発生することはあ
っても、第一フォトレジスト層２から前記ガスが発生す
ることがないため、ガスが集中する部分が盛り上がるこ
とによる欠陥が発生しない。
を行っているが、ポストベイク温度は第一フォトレジス
ト層２のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレ
ジスト層４から溶媒が蒸発したガスが発生することはあ
っても、第一フォトレジスト層２から前記ガスが発生す
ることがないため、ガスが集中する部分が盛り上がるこ
とによる欠陥が発生しない。
【００４７】なお、本実施の形態においては、In2O3(95
wt%)-SnO2(5wt%)で厚さ約60Åの中間層３を形成してい
るが、実施にあたっては、In2O3で厚さ約40Åの中間層
３を形成しても第二の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
wt%)-SnO2(5wt%)で厚さ約60Åの中間層３を形成してい
るが、実施にあたっては、In2O3で厚さ約40Åの中間層
３を形成しても第二の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００４８】また、本実施の形態の実施にあたっては、
SnO2で厚さ約50Åの中間層３を形成し、この中間層３の
エッチングを塩酸で行っても、第二の実施の形態と同様
の効果が得られる。
SnO2で厚さ約50Åの中間層３を形成し、この中間層３の
エッチングを塩酸で行っても、第二の実施の形態と同様
の効果が得られる。
【００４９】つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジ
スト原盤及びその製造方法の第三の実施の形態について
説明する。本実施の形態では、まず、図１（ａ）に示す
ように、ガラス基盤１上にフォトレジスト（ここでは東
京応化製のTSMR-GP8000）をスピンコートして135℃でプ
リベイクし、厚さ約300Åの第一フォトレジスト層２を
形成する。
スト原盤及びその製造方法の第三の実施の形態について
説明する。本実施の形態では、まず、図１（ａ）に示す
ように、ガラス基盤１上にフォトレジスト（ここでは東
京応化製のTSMR-GP8000）をスピンコートして135℃でプ
リベイクし、厚さ約300Åの第一フォトレジスト層２を
形成する。
【００５０】次に、第一フォトレジスト層２上に、In2O
3をDCスパッタし、厚さ約100Åの中間層３を形成する。
3をDCスパッタし、厚さ約100Åの中間層３を形成する。
【００５１】次に、中間層３上に、フォトレジスト（こ
こではシプレイ製のS9912NX）をスピンコートして90℃
でプリベイクし、厚さ約400Åの第二フォトレジスト層
４を形成する。
こではシプレイ製のS9912NX）をスピンコートして90℃
でプリベイクし、厚さ約400Åの第二フォトレジスト層
４を形成する。
【００５２】ここで、第一フォトレジスト層２の感度は
第二フォトレジスト層４の感度よりも高い。
第二フォトレジスト層４の感度よりも高い。
【００５３】このような第一フォトレジスト層２と第二
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
フォトレジスト層４とを、波長457.8nmのArレーザを用
いて、線速1.2m/sで露光する。
【００５４】グルーブは、第二フォトレジスト層４を感
光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザＡで露光
することにより形成する。ピットは、第一フォトレジス
ト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる第二の
光で強度4.5mWのArレーザＢで露光することにより形成
する。
光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザＡで露光
することにより形成する。ピットは、第一フォトレジス
ト層２及び第二フォトレジスト層４を感光させる第二の
光で強度4.5mWのArレーザＢで露光することにより形成
する。
【００５５】露光後、現像液で第二フォトレジスト層４
の現像を行い（図１（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエ
ッチングを行い（図１（ｃ）参照）、現像液で第一フォ
トレジスト層２の現像を行うことによりグルーブ５及び
ピット６のパターニングを行う（図１（ｄ）参照）。こ
れを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジ
スト原盤７を得る。
の現像を行い（図１（ｂ）参照）、硝酸で中間層３のエ
ッチングを行い（図１（ｃ）参照）、現像液で第一フォ
トレジスト層２の現像を行うことによりグルーブ５及び
ピット６のパターニングを行う（図１（ｄ）参照）。こ
れを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジ
スト原盤７を得る。
【００５６】このように形成されたグルーブ５は、半値
幅が約0.5μｍ、深さが約400Åになる。ピット６は、半
値幅が約0.6μｍ、深さが約800Åになる。この光ディス
クのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せず）
をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電
鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せず）
を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブ
リッドCD-RWを作製する。
幅が約0.5μｍ、深さが約400Åになる。ピット６は、半
値幅が約0.6μｍ、深さが約800Åになる。この光ディス
クのフォトレジスト原盤７に、Niの導電膜（図示せず）
をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電
鋳によって約0.3ｍｍ形成して、スタンパ（図示せず）
を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブ
リッドCD-RWを作製する。
【００５７】本実施の形態によっても、第二の実施の形
態と同様の効果が得られる。
態と同様の効果が得られる。
【００５８】ここで、酸化膜からなる中間層にSiO2やAl
2O3が用いられていると、ピット６の底部に図２に示す
ような凹凸が生じる。このことは、中間層３の膜厚、ピ
ット６形成時のレーザＢの強度、中間層３のエッチング
条件、第一フォトレジスト層２の現像条件を変えても改
善されない。本発明では、中間層をIn2O2，SnO2，In2O3
-SnO2(ITO)により形成しているので、ピットの底部に凹
凸が生じない。
2O3が用いられていると、ピット６の底部に図２に示す
ような凹凸が生じる。このことは、中間層３の膜厚、ピ
ット６形成時のレーザＢの強度、中間層３のエッチング
条件、第一フォトレジスト層２の現像条件を変えても改
善されない。本発明では、中間層をIn2O2，SnO2，In2O3
-SnO2(ITO)により形成しているので、ピットの底部に凹
凸が生じない。
【００５９】
【発明の効果】請求項１記載の発明では、ガラス基板上
に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層と前記
第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い第二フ
ォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォトレジス
ト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光させる第
一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一フォト
レジスト層を感光させる第二の光とにより露光してグル
ーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記第二の
光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現像し、
第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去し、前
記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現像する
ので、ピットを形成する第二の光が中間層で弱められて
も第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間
で段差をできにくくすることができる。
に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層と前記
第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い第二フ
ォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォトレジス
ト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光させる第
一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一フォト
レジスト層を感光させる第二の光とにより露光してグル
ーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記第二の
光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現像し、
第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去し、前
記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現像する
ので、ピットを形成する第二の光が中間層で弱められて
も第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間
で段差をできにくくすることができる。
【００６０】請求項２記載の発明では、第一フォトレジ
スト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリ
ベイク温度よりも高いので、第二フォトレジスト層のプ
リベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発して
ガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が
盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
スト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリ
ベイク温度よりも高いので、第二フォトレジスト層のプ
リベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発して
ガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が
盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
【００６１】請求項３記載の発明では、第一フォトレジ
スト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポ
ストベイク温度よりも高いので、ポストベイク時に第一
フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生するこ
とがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることに
よる欠陥を防止することができる。
スト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポ
ストベイク温度よりも高いので、ポストベイク時に第一
フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生するこ
とがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることに
よる欠陥を防止することができる。
【００６２】請求項４記載の発明では、中間層がIn
2O2，SnO2又はIn2O3-SnO2(ITO)のいずれか一により形成
されているので、酸化膜からなる中間層の材料を規定す
ることにより、ピットの底部に凹凸ができにくくするこ
とができる。
2O2，SnO2又はIn2O3-SnO2(ITO)のいずれか一により形成
されているので、酸化膜からなる中間層の材料を規定す
ることにより、ピットの底部に凹凸ができにくくするこ
とができる。
【００６３】請求項５記載の発明では、第一フォトレジ
スト層及び第二フォトレジスト層の厚さが300Å以上200
0Å以下であって、中間層の厚さが10Å以上100Å以下で
あり、グルーブの深さは310Å以上2100Å以下であっ
て、ピットの深さは610Å以上4100Å以下であり、グル
ーブの半値幅がピットの半値幅よりも狭いので、グルー
ブ及びピットの形状・寸法が規定され、光ディスクにお
いて良好な信号を得ることができる。
スト層及び第二フォトレジスト層の厚さが300Å以上200
0Å以下であって、中間層の厚さが10Å以上100Å以下で
あり、グルーブの深さは310Å以上2100Å以下であっ
て、ピットの深さは610Å以上4100Å以下であり、グル
ーブの半値幅がピットの半値幅よりも狭いので、グルー
ブ及びピットの形状・寸法が規定され、光ディスクにお
いて良好な信号を得ることができる。
【図１】本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及び
その製造方法の実施の形態を示す説明図である。
その製造方法の実施の形態を示す説明図である。
【図２】底面に凹凸ができたピットを示す模式図であ
る。
る。
１ ガラス原盤 ２ 第一フォトレジスト層 ３ 中間層 ４ 第二フォトレジスト層 ５ グルーブ ６ ピット ７ 光ディスクのフォトレジスト原盤 Ａ 第一の光 Ｂ 第二の光
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板上に第一フォトレジスト層と
酸化膜からなる中間層と前記第一フォトレジスト層より
も感光感度特性の低い第二フォトレジスト層とを順次形
成し、前記第二フォトレジスト層の形成後前記第二フォ
トレジスト層を感光させる第一の光と前記第二フォトレ
ジスト層及び前記第一フォトレジスト層を感光させる第
二の光とにより露光してグルーブ及びピットを形成し、
前記第一の光及び前記第二の光とによる露光後前記第二
フォトレジスト層を現像し、第二フォトレジスト層の現
像後前記中間層を除去し、前記中間層の除去後前記第一
フォトレジスト層を現像する光ディスクのフォトレジス
ト原盤の製造方法。 - 【請求項２】 第一フォトレジスト層のプリベイク温度
は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高い請
求項１記載の光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方
法。 - 【請求項３】 第一フォトレジスト層及び第二フォトレ
ジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高
い請求項１又は２記載の光ディスクのフォトレジスト原
盤の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３のいずれか一に記載
の光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法で製造さ
れる光ディスクのフォトレジスト原盤であって、中間層
がIn2O2，SnO2又はIn2O3-SnO2(ITO)のいずれか一により
形成されている光ディスクのフォトレジスト原盤。 - 【請求項５】 第一フォトレジスト層及び第二フォトレ
ジスト層の厚さが300Å以上2000Å以下であって、中間
層の厚さが10Å以上100Å以下であり、グルーブの深さ
は310Å以上2100Å以下であって、ピットの深さは610Å
以上4100Å以下であり、グルーブの半値幅がピットの半
値幅よりも狭い請求項４記載の光ディスクのフォトレジ
スト原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP635498A JP3548413B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP635498A JP3548413B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11203731A true JPH11203731A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3548413B2 JP3548413B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=11636045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP635498A Expired - Fee Related JP3548413B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3548413B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JP2009104785A (ja) * | 2009-02-16 | 2009-05-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体、情報記録媒体再生装置、情報記録媒体再生方法、情報記録媒体記録装置、情報記録媒体記録方法 |
| JP2009110659A (ja) * | 2009-01-23 | 2009-05-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体、情報記録媒体再生装置、情報記録媒体再生方法、情報記録媒体記録装置、情報記録媒体記録方法 |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP635498A patent/JP3548413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JPWO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JP4655937B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
| KR101059492B1 (ko) | 2003-12-01 | 2011-08-25 | 소니 가부시키가이샤 | 광 디스크용 원반의 제조 방법 및 광 디스크용 원반 |
| JP2009110659A (ja) * | 2009-01-23 | 2009-05-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体、情報記録媒体再生装置、情報記録媒体再生方法、情報記録媒体記録装置、情報記録媒体記録方法 |
| JP2009104785A (ja) * | 2009-02-16 | 2009-05-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体、情報記録媒体再生装置、情報記録媒体再生方法、情報記録媒体記録装置、情報記録媒体記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3548413B2 (ja) | 2004-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246531A (en) | Method of fabricating glass substrate for disk | |
| JP2582996B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US4732844A (en) | Method for manufacturing optical disk with address and guide grooves | |
| JPH09106584A (ja) | 光ディスク用記録原盤の製造方法 | |
| JPH04241237A (ja) | 高密度記録ディスク用スタンパとその製造方法 | |
| JPH0770094B2 (ja) | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク | |
| US6127100A (en) | Method of manufacturing a stamper for use in optical information recording medium | |
| JPS62241149A (ja) | 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3548413B2 (ja) | 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 | |
| US8263317B2 (en) | Formation of deep hollow areas and use thereof in the production of an optical recording medium | |
| JP2585861B2 (ja) | 光メモリ素子用フォトマスクの製造方法 | |
| JP3014065B2 (ja) | 光ディスク，ガラスマスタ，ガラススタンパ，ガラス基板，それらの製造方法 | |
| JP3479413B2 (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、光ディスク用スタンパ及び光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP2000348387A (ja) | 光記録媒体とその記録再生方法及びマスタスタンパの製造方法 | |
| JP3586731B2 (ja) | 光ディスク用ガラス原盤の作製方法 | |
| JP3129419B2 (ja) | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ | |
| JP3230313B2 (ja) | 反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製造方法 | |
| JP2739841B2 (ja) | 情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2003187503A (ja) | スタンパ製造方法 | |
| JPH11353718A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法及びマスタスタンパの製造方法 | |
| JPH07121913A (ja) | 光ディスク製造用スタンパ及びその製造方法 | |
| JPH08227538A (ja) | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 | |
| JPH01317241A (ja) | 光デイスク原盤作製法 | |
| JPH01286154A (ja) | 光ディスク基板 | |
| JP2001243662A (ja) | 記録媒体の製造方法、および記録媒体製造用原盤の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040416 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080423 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090423 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |