JPH11204337A - 平面コイル及び平面トランス - Google Patents
平面コイル及び平面トランスInfo
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- JPH11204337A JPH11204337A JP10003853A JP385398A JPH11204337A JP H11204337 A JPH11204337 A JP H11204337A JP 10003853 A JP10003853 A JP 10003853A JP 385398 A JP385398 A JP 385398A JP H11204337 A JPH11204337 A JP H11204337A
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Landscapes
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コイル導体の層厚を大きくするとともに、コ
イル導体を構成する各線条の間隔を狭くして、小型で直
流抵抗の小さい高性能平面コイル及びそれを用いた高性
能トランスを提供する。 【解決手段】 絶縁基板の片面又は両面に厚さ５０〜４
００μｍの複数のコイル導体線条をギャップ部のアスペ
クト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設け、かつ所望によりその表
面が金属めっき薄膜層で被覆されている平面コイルにお
いて、該コイル導体線条がマッシュルーム状断面を有
し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部の幅（ｌ）の２倍
以上、頭部の高さ（Ｈ）の１．５倍以下及び各コイル導
体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以上である平面コイ
ル、及びその平面コイルを、絶縁性フィルムを介して複
数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟着して構成さ
れた平面トランスとする。
イル導体を構成する各線条の間隔を狭くして、小型で直
流抵抗の小さい高性能平面コイル及びそれを用いた高性
能トランスを提供する。 【解決手段】 絶縁基板の片面又は両面に厚さ５０〜４
００μｍの複数のコイル導体線条をギャップ部のアスペ
クト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設け、かつ所望によりその表
面が金属めっき薄膜層で被覆されている平面コイルにお
いて、該コイル導体線条がマッシュルーム状断面を有
し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部の幅（ｌ）の２倍
以上、頭部の高さ（Ｈ）の１．５倍以下及び各コイル導
体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以上である平面コイ
ル、及びその平面コイルを、絶縁性フィルムを介して複
数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟着して構成さ
れた平面トランスとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面コイル及び平
面トランス、特に１０Ｗ以下の小さいパワーで作動する
平面コイル及び平面トランスに関するものである。
面トランス、特に１０Ｗ以下の小さいパワーで作動する
平面コイル及び平面トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】平面コイルは、デジタルオーディオディ
スクの二軸アクチエータや人工衛星などの電源用又は信
号用として広く用いられている。ところで、最近、平面
コイルの精密部品用としての需要が高まるに従い、幅が
細く、かつ厚さの大きい、いわゆるハイアスペクト導体
パターンを狭い間隔で複数個並列的に形成させたものが
要求されるようになってきた。これまで、このような平
面コイルは、絶縁基板上に、導体薄膜を被着し、その上
にネガ型ホトレジスト層を施し、常法に従いレジストパ
ターンを形成させたのち、エッチング処理して、導体薄
膜の露出部分を食刻し、次いでレジストパターンを除去
することによって製造されている。
スクの二軸アクチエータや人工衛星などの電源用又は信
号用として広く用いられている。ところで、最近、平面
コイルの精密部品用としての需要が高まるに従い、幅が
細く、かつ厚さの大きい、いわゆるハイアスペクト導体
パターンを狭い間隔で複数個並列的に形成させたものが
要求されるようになってきた。これまで、このような平
面コイルは、絶縁基板上に、導体薄膜を被着し、その上
にネガ型ホトレジスト層を施し、常法に従いレジストパ
ターンを形成させたのち、エッチング処理して、導体薄
膜の露出部分を食刻し、次いでレジストパターンを除去
することによって製造されている。
【０００３】しかしながら、このようにして得られる平
面コイルは、導体薄膜のエッチングに際し、エッチング
液がレジストパターンで被覆されている部分にも入り込
み、その部分の導体までも溶解除去してしまう結果、残
存する導体の断面が台形となり、コイルパターン間の間
隔が大幅に増大したものになるのを免れない。
面コイルは、導体薄膜のエッチングに際し、エッチング
液がレジストパターンで被覆されている部分にも入り込
み、その部分の導体までも溶解除去してしまう結果、残
存する導体の断面が台形となり、コイルパターン間の間
隔が大幅に増大したものになるのを免れない。
【０００４】このような欠点を改善するために、前記の
絶縁基板と導体薄膜との電気抵抗の差を利用して、導体
薄膜へ選択的に厚いめっきを施す方法が提案されたが
（特開昭５８−１２３１５号公報）、めっき下地膜が薄
く、特にスパイラルパターンを形成する場合などに下地
の配線抵抗が増大し、めっき電流を大きくすることがで
きない上、めっきの成長速度に異方性がないため導体パ
ターンの厚さを大きくすることができない。
絶縁基板と導体薄膜との電気抵抗の差を利用して、導体
薄膜へ選択的に厚いめっきを施す方法が提案されたが
（特開昭５８−１２３１５号公報）、めっき下地膜が薄
く、特にスパイラルパターンを形成する場合などに下地
の配線抵抗が増大し、めっき電流を大きくすることがで
きない上、めっきの成長速度に異方性がないため導体パ
ターンの厚さを大きくすることができない。
【０００５】そのほか、絶縁基板全面に金属薄膜を設
け、この上に厚いレジストパターンを形成させたのち、
パターンめっきでハイアスペクト導体を形成させ、レジ
ストを除去したのち、イオンミリングなどのドライエッ
チングで、線間の金属薄膜を除去する方法なども知られ
ているが、レジストの厚さは、せいぜい５０μｍが限度
であるので、導体パターンの厚さとしては、４０μｍ程
度が得られるにすぎない。このように従来の平面コイル
は、コイル導体の層厚自体を厚くすることが困難である
上、エッチングにより導体パターンを形成するので、コ
イル導体を構成する各線条間の間隔はコイル導体の層厚
の２倍程度が限度であるため、コイル導体部の空間的な
意味での占積率が低く、直流抵抗が大きくなるのを免れ
ず、良好な電気特性を得ることができない。
け、この上に厚いレジストパターンを形成させたのち、
パターンめっきでハイアスペクト導体を形成させ、レジ
ストを除去したのち、イオンミリングなどのドライエッ
チングで、線間の金属薄膜を除去する方法なども知られ
ているが、レジストの厚さは、せいぜい５０μｍが限度
であるので、導体パターンの厚さとしては、４０μｍ程
度が得られるにすぎない。このように従来の平面コイル
は、コイル導体の層厚自体を厚くすることが困難である
上、エッチングにより導体パターンを形成するので、コ
イル導体を構成する各線条間の間隔はコイル導体の層厚
の２倍程度が限度であるため、コイル導体部の空間的な
意味での占積率が低く、直流抵抗が大きくなるのを免れ
ず、良好な電気特性を得ることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コイル導体
の層厚を大きくするとともに、コイル導体を構成する各
線条の間隔を狭くして、小型で直流抵抗の小さい高性能
平面コイル及びそれを用いた高性能トランスを提供する
ことを目的としてなされたものである。
の層厚を大きくするとともに、コイル導体を構成する各
線条の間隔を狭くして、小型で直流抵抗の小さい高性能
平面コイル及びそれを用いた高性能トランスを提供する
ことを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、高性能平面
コイルを得るために、鋭意研究を重ねた結果、コイル導
体の各線条を異方性成長させて、マッシュルーム状断面
に形成することにより、コイル導体の高さを５０μｍ以
上に、かつ各線条間の間隔を２０μｍ以下で形成させう
ること、したがって、見掛け上の占積率を増大して電気
特性を向上させうることを見出し、この知見に基づいて
本発明をなすに至った。
コイルを得るために、鋭意研究を重ねた結果、コイル導
体の各線条を異方性成長させて、マッシュルーム状断面
に形成することにより、コイル導体の高さを５０μｍ以
上に、かつ各線条間の間隔を２０μｍ以下で形成させう
ること、したがって、見掛け上の占積率を増大して電気
特性を向上させうることを見出し、この知見に基づいて
本発明をなすに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、絶縁基板の片面又は
両面に厚さ５０〜４００μｍの複数のコイル導体線条を
ギャップ部のアスペクト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設け、か
つ所望によりその表面が金属めっき薄膜層で被覆されて
いる平面コイルにおいて、該コイル導体線条がマッシュ
ルーム状断面を有し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部
の幅（ｌ）の２倍以上、頭部の高さ（Ｈ）の１．５倍以
下及び各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以上
であることを特徴とする平面コイル、及びその平面コイ
ルを、絶縁性フィルムを介して複数個積層し、全体を薄
型強磁性体コアで挟着して構成された平面トランスを提
供するものである。
両面に厚さ５０〜４００μｍの複数のコイル導体線条を
ギャップ部のアスペクト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設け、か
つ所望によりその表面が金属めっき薄膜層で被覆されて
いる平面コイルにおいて、該コイル導体線条がマッシュ
ルーム状断面を有し、その断面の頭部の幅（Ｌ）が首部
の幅（ｌ）の２倍以上、頭部の高さ（Ｈ）の１．５倍以
下及び各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以上
であることを特徴とする平面コイル、及びその平面コイ
ルを、絶縁性フィルムを介して複数個積層し、全体を薄
型強磁性体コアで挟着して構成された平面トランスを提
供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、添付図面に従って、本発明
をさらに詳細に説明する。図１は、本発明の平面コイル
の部分断面拡大図であって、絶縁基板１の上に金属薄膜
層２を介してコイル導体線条３，３′，３″…が並列的
に設けられている。この各線条は頭部４と首部５からな
るマッシュルーム状断面を有し、その頭部の幅（Ｌ）は
首部の幅（ｌ）の２倍以上、好ましくは２〜５倍、頭部
の高さ（Ｈ）の１．５倍以下、好ましくは０．５〜１．
５倍、各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以
上、好ましくは４〜１０倍であることが必要である。
をさらに詳細に説明する。図１は、本発明の平面コイル
の部分断面拡大図であって、絶縁基板１の上に金属薄膜
層２を介してコイル導体線条３，３′，３″…が並列的
に設けられている。この各線条は頭部４と首部５からな
るマッシュルーム状断面を有し、その頭部の幅（Ｌ）は
首部の幅（ｌ）の２倍以上、好ましくは２〜５倍、頭部
の高さ（Ｈ）の１．５倍以下、好ましくは０．５〜１．
５倍、各コイル導体線条間の最小間隔（Ｇ）の２倍以
上、好ましくは４〜１０倍であることが必要である。
【００１０】図２は、本発明の平面コイルを製造する方
法の１例であって、先ず円板状絶縁基板１上にスルーホ
ール７を穿設し、次いで該基板上に金属めっき薄膜層２
を設け、さらにホトレジストパターン層６を形成した構
造体を形成する（イ）。次に、上記の金属めっき薄膜層
２が露出している部分を中心として、好ましくはこれと
同じ金属を光沢電気めっきすることにより、マッシュル
ーム状断面をもつ線条３，３′，３″…を並列的に形成
させる（ロ）。次いで、残存してるレジストを剥離した
のち（ハ）、選択的なエッチング処理を施して、各線条
間の金属めっき薄膜層のみを除去する（ニ）。この場
合、所望ならば、ハイアスペクトめっきの後で、保護用
金属をめっきして、コイル導体線条の表面を被覆する。
法の１例であって、先ず円板状絶縁基板１上にスルーホ
ール７を穿設し、次いで該基板上に金属めっき薄膜層２
を設け、さらにホトレジストパターン層６を形成した構
造体を形成する（イ）。次に、上記の金属めっき薄膜層
２が露出している部分を中心として、好ましくはこれと
同じ金属を光沢電気めっきすることにより、マッシュル
ーム状断面をもつ線条３，３′，３″…を並列的に形成
させる（ロ）。次いで、残存してるレジストを剥離した
のち（ハ）、選択的なエッチング処理を施して、各線条
間の金属めっき薄膜層のみを除去する（ニ）。この場
合、所望ならば、ハイアスペクトめっきの後で、保護用
金属をめっきして、コイル導体線条の表面を被覆する。
【００１１】このように、ホトレジスト層が除去され、
コイルパターン状に金属めっき薄膜層が露出した部分を
中心に光沢電気めっきを行う場合、めっき条件を適切に
すれば、高さ方向の成長速度が幅方向の成長速度に比べ
て大きくなり、めっき部分が膨成して１回の処理でもマ
ッシュルーム状の、直流抵抗の小さいコイル導体線条が
形成される。
コイルパターン状に金属めっき薄膜層が露出した部分を
中心に光沢電気めっきを行う場合、めっき条件を適切に
すれば、高さ方向の成長速度が幅方向の成長速度に比べ
て大きくなり、めっき部分が膨成して１回の処理でもマ
ッシュルーム状の、直流抵抗の小さいコイル導体線条が
形成される。
【００１２】この際のめっき条件は、めっき浴の組成、
めっき槽の形状、浴の撹拌条件に依存するが、予備的試
験を繰り返すことにより容易に最適条件を選定すること
ができる。この際の電流密度については、限界電流密度
の７０％以上で異方性成長を行わせる。
めっき槽の形状、浴の撹拌条件に依存するが、予備的試
験を繰り返すことにより容易に最適条件を選定すること
ができる。この際の電流密度については、限界電流密度
の７０％以上で異方性成長を行わせる。
【００１３】また、この際のコイル導体の各線条の首部
の幅は、まずレジストパターン上の露出している金属薄
膜の幅をレジストの解像度及びコイル導体を形成したと
きの強度を考慮して最小に選び、このパターンでのめっ
き条件を検討して、もっともアスペクト比の大きい条件
に設定し、所定の膜厚まで成長させたのち、各線条間の
間隔の最小値を測定し、これに設計値を減じた値だけレ
ジストパターン上の露出している金属薄膜の幅を増加す
ることによって調整する。
の幅は、まずレジストパターン上の露出している金属薄
膜の幅をレジストの解像度及びコイル導体を形成したと
きの強度を考慮して最小に選び、このパターンでのめっ
き条件を検討して、もっともアスペクト比の大きい条件
に設定し、所定の膜厚まで成長させたのち、各線条間の
間隔の最小値を測定し、これに設計値を減じた値だけレ
ジストパターン上の露出している金属薄膜の幅を増加す
ることによって調整する。
【００１４】なお、この際のめっき浴としては、抵抗の
低い金属の光沢めっき浴であればよく、特に制限はない
が、無光沢めっき浴の場合は、コイル導体の線条間の間
隔が狭くなると線条間でショートするので用いることは
できない。
低い金属の光沢めっき浴であればよく、特に制限はない
が、無光沢めっき浴の場合は、コイル導体の線条間の間
隔が狭くなると線条間でショートするので用いることは
できない。
【００１５】本発明の平面コイルにおいて、アスペクト
比の大きいものが得られる理由としては次のことが考え
られる。すなわち、スルーホールめっきにおいて、孔の
アスペクト比が大きい場合は孔内の膜厚が外部の膜厚よ
り小さくなり、この傾向はアスペクト比が大きいほど顕
著になるが、本発明において、コイル導体パターンを光
沢めっきにより形成される場合も、これと類似した現像
が起り、最初の間はめっきが等方的に成長するが、膜厚
が大きくなるに従って、溝部のアスペクトが大きくなり
異方的な成長が行われ、頭部が形成されることにより、
次第にこの傾向が助長されてアスペクト比が益々増大す
る。図３は、本発明の平面コイルの１例を示す平面図で
あって、この図においては、コイルパターンが円形スパ
イラル状に形成されているが、このコイルパターンの形
状としては、これ以外に角形スパイラル状、折れ線状な
ど従来の平面コイルで用いられている任意の形状をとる
ことができる。このようにして得た平面コイルは、薄型
強磁性体コアに挟着して用いることもできる。この薄型
強磁性体コアとしては、例えば厚さ１．２ｍｍのＮｉＺ
ｎ系フェライトなどが用いられる。
比の大きいものが得られる理由としては次のことが考え
られる。すなわち、スルーホールめっきにおいて、孔の
アスペクト比が大きい場合は孔内の膜厚が外部の膜厚よ
り小さくなり、この傾向はアスペクト比が大きいほど顕
著になるが、本発明において、コイル導体パターンを光
沢めっきにより形成される場合も、これと類似した現像
が起り、最初の間はめっきが等方的に成長するが、膜厚
が大きくなるに従って、溝部のアスペクトが大きくなり
異方的な成長が行われ、頭部が形成されることにより、
次第にこの傾向が助長されてアスペクト比が益々増大す
る。図３は、本発明の平面コイルの１例を示す平面図で
あって、この図においては、コイルパターンが円形スパ
イラル状に形成されているが、このコイルパターンの形
状としては、これ以外に角形スパイラル状、折れ線状な
ど従来の平面コイルで用いられている任意の形状をとる
ことができる。このようにして得た平面コイルは、薄型
強磁性体コアに挟着して用いることもできる。この薄型
強磁性体コアとしては、例えば厚さ１．２ｍｍのＮｉＺ
ｎ系フェライトなどが用いられる。
【００１６】次に、本発明の平面コイルを絶縁性フィル
ムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟
着すれば、非常に電気特性の優れた平面トランスを得る
ことができる。この際の絶縁性フィルムとしては、厚さ
０．０５ｍｍのポリエステルフィルムのようなプラスチ
ックフィルムが適当であり、薄型強磁性体コアとしては
前記したものと同じものを用いることができる。
ムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コアで挟
着すれば、非常に電気特性の優れた平面トランスを得る
ことができる。この際の絶縁性フィルムとしては、厚さ
０．０５ｍｍのポリエステルフィルムのようなプラスチ
ックフィルムが適当であり、薄型強磁性体コアとしては
前記したものと同じものを用いることができる。
【００１７】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００１８】実施例１ ３インチ基板に２８４個のコイルを製造するため、以下
の処理を行った。すなわちアンクラッドＦＲ４基板（厚
さ１００μｍ）の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスル
ーホールを開け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍ
の厚さの銅層を形成した。その上にポジ型ホトレジスト
を乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートした。次
いで、スルーホール周囲のレジストを除去すると同時
に、コイル部を形成するために、レジストパターン幅９
０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）
２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成
した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために
用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は１１．５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめ
っきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌであ
り、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプを
カソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０ｍ
ｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が
１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔
は１０μｍであった。次に、レジストを剥離し、下地銅
膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形
成したのち、単一の平面コイルにカットした。このよう
にして得た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法
が３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の
厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔
（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部
の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．
６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特
性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μ
Ｈであった。比較のために、同じパターンのコイルを通
常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を
両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
の処理を行った。すなわちアンクラッドＦＲ４基板（厚
さ１００μｍ）の所定の位置に、直径０．２ｍｍのスル
ーホールを開け、無電解銅めっき液でその両面に１μｍ
の厚さの銅層を形成した。その上にポジ型ホトレジスト
を乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコートした。次
いで、スルーホール周囲のレジストを除去すると同時
に、コイル部を形成するために、レジストパターン幅９
０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）
２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成
した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために
用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は１１．５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめ
っきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌであ
り、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプを
カソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０ｍ
ｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が
１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔
は１０μｍであった。次に、レジストを剥離し、下地銅
膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形
成したのち、単一の平面コイルにカットした。このよう
にして得た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法
が３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の
厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔
（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部
の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．
６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特
性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μ
Ｈであった。比較のために、同じパターンのコイルを通
常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を
両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
【００１９】比較例 実施例１で導体の断面形状の首の幅が頭の幅と同じコイ
ルをパターンめっき法により形成した。すなわち、実施
例１と同じ手法で同一基板上に下地銅膜を形成し、コイ
ル導体線条のギャップ位置に厚さ３５μｍ、幅１０μｍ
のレジストパターンを形成し、これに実施例と同一条件
で厚さ３０μｍのめっきを施した。これを５回繰り返
し、レジストを剥離してイオンミリングで導体間の下地
銅膜をエッチングして、実施例１で首の幅が頭の幅と同
じ断面形状のコイルを片面に形成した。この時の基板の
反りは１．２ｍｍであった。一方、実施例１と同じ手法
で片面のみにコイルを形成し、基板の反りを測定すると
０．２５ｍｍであった。首を細くすることで基板の反り
量が１／５に減少しているのが分かる。
ルをパターンめっき法により形成した。すなわち、実施
例１と同じ手法で同一基板上に下地銅膜を形成し、コイ
ル導体線条のギャップ位置に厚さ３５μｍ、幅１０μｍ
のレジストパターンを形成し、これに実施例と同一条件
で厚さ３０μｍのめっきを施した。これを５回繰り返
し、レジストを剥離してイオンミリングで導体間の下地
銅膜をエッチングして、実施例１で首の幅が頭の幅と同
じ断面形状のコイルを片面に形成した。この時の基板の
反りは１．２ｍｍであった。一方、実施例１と同じ手法
で片面のみにコイルを形成し、基板の反りを測定すると
０．２５ｍｍであった。首を細くすることで基板の反り
量が１／５に減少しているのが分かる。
【００２０】実施例２ 実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅１
１０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線
幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により
形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のた
めに用いている。コイル部となるレジスト除去部のパタ
ーンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍ
で巻数は１１．５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴
でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌで
あり、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプ
をカソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０
ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚
が２００μｍになるまでめっきした。このときの導体間
隔は１０μｍであった。実施例１に比べて、頭部の長さ
（Ｌ）が１０μｍ長くなっているので、導体高さが大き
く取れる。次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオン
ミリングでエッチングしてコイル導体部を形成したの
ち、単一の平面コイルにカットした。このようにして得
た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法が３．１
×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚さ
（Ｈ）が２００μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が
１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅
（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．５、
Ｌ／Ｇ比が１０であった。また、このものの電気特性
は、直流抵抗０．０６Ω、インダクタンス値０．３６μ
Ｈであった。比較のために、同じパターンのコイルを通
常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を
両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
０．９Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅１
１０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線
幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により
形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のた
めに用いている。コイル部となるレジスト除去部のパタ
ーンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍ
で巻数は１１．５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴
でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は７０ｇ／ｌで
あり、液温度は２５℃である。小孔の開いているパイプ
をカソードの付近に設置して、ここからめっき液を２０
ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚
が２００μｍになるまでめっきした。このときの導体間
隔は１０μｍであった。実施例１に比べて、頭部の長さ
（Ｌ）が１０μｍ長くなっているので、導体高さが大き
く取れる。次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオン
ミリングでエッチングしてコイル導体部を形成したの
ち、単一の平面コイルにカットした。このようにして得
た２８４個の平面コイルは、それぞれ外形寸法が３．１
×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚さ
（Ｈ）が２００μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が
１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅
（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．５、
Ｌ／Ｇ比が１０であった。また、このものの電気特性
は、直流抵抗０．０６Ω、インダクタンス値０．３６μ
Ｈであった。比較のために、同じパターンのコイルを通
常のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を
両面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
０．９Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
【００２１】実施例３ 実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅９
０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）
２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成
した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために
用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は１１．５回である。これを光沢高速硫酸銅めっき浴
でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は１１０ｇ／ｌ
であり、液温度は３５℃である。小孔の開いているパイ
プをカソードの付近に設置して、ここからめっき液を５
０ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度９Ａ／ｄｍ2で膜厚が
１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔
は１０μｍであった。次に、レジストを剥離し、下地銅
膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形
成した。このようにして得た平面コイルは、外形寸法が
３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚
さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）
が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅
（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６
７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特性
は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨ
であった。比較のために、同じパターンのコイルを通常
のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を両
面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅９
０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線幅）
２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により形成
した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のために
用いている。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は１１．５回である。これを光沢高速硫酸銅めっき浴
でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度は１１０ｇ／ｌ
であり、液温度は３５℃である。小孔の開いているパイ
プをカソードの付近に設置して、ここからめっき液を５
０ｍｍ／秒で噴出させ、電流密度９Ａ／ｄｍ2で膜厚が
１５０μｍになるまでめっきした。このときの導体間隔
は１０μｍであった。次に、レジストを剥離し、下地銅
膜をイオンミリングでエッチングしてコイル導体部を形
成した。このようにして得た平面コイルは、外形寸法が
３．１×３．１×０．４ｍｍであり、コイル導体層の厚
さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）
が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅
（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６
７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特性
は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨ
であった。比較のために、同じパターンのコイルを通常
のプリント配線板の製法によって、３６μｍの銅箔を両
面に貼った１００μｍ厚のＦＲ４基板を用いて作成し
た。ファインパターンであるために、歩留まりは大幅に
減少したが、良品の電気的特性を測定すると、直流抵抗
１．１Ω、インダクタンス値０．３７μＨであった。な
お、外形寸法は３．１×３．１×０．２ｍｍである。こ
のことから、本発明の平面コイルは、通常のプリント配
線板の製法で作成したものに比べて直流抵抗を１／１０
以下にできることが分かる。
【００２２】実施例４ 直径３インチ、厚さ３５０μｍ、比透磁率８００のＮｉ
Ｚｎ系フェライト基板に、無電解銅めっき液でその両面
に１μｍの厚さの銅層を形成した。その上にポジ型ホト
レジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコート
し、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間
隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリ
ソグラフィー法により形成した。コイル部となるレジス
ト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半
径は０．９ｍｍで巻数は５．７５回である。これを光沢
硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度
を７０ｇ／ｌ、液温度を２５℃として、実施例１と同様
にして、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍ
になるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍ
であった。次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオン
ミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。さ
らにこの上にカーテンコート法で感光性エポキシ樹脂を
ギャップ部も含めて塗布し、仮硬化後、所定の位置に、
慣用のホトリソグラフィー法によりコンタクトホールを
形成し、本硬化した。次いで前記の感光性エポキシ樹脂
を絶縁基板として、前記と同じ方法を繰り返し、第二の
コイル層を形成し積層平面コイル集合体を製造した。こ
の集合体を分割して得た１個の平面コイルは、外形寸法
が３．１×３．１×０．７ｍｍであり、コイル導体層の
厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔
（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部
の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．
６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特
性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．６μＨ
であった。このものは、実施例１の平面コイルに比べて
インダクタンス値が約５０％増加している。
Ｚｎ系フェライト基板に、無電解銅めっき液でその両面
に１μｍの厚さの銅層を形成した。その上にポジ型ホト
レジストを乾燥膜厚で５μｍになるようにスピンコート
し、レジストパターン幅９０μｍ、レジストパターン間
隔（露出する導体の線幅）２０μｍのパターンをホトリ
ソグラフィー法により形成した。コイル部となるレジス
ト除去部のパターンは円形スパイラル状で、最内周の半
径は０．９ｍｍで巻数は５．７５回である。これを光沢
硫酸銅めっき浴でめっきした。めっき液の硫酸銅の濃度
を７０ｇ／ｌ、液温度を２５℃として、実施例１と同様
にして、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍ
になるまでめっきした。このときの導体間隔は１０μｍ
であった。次に、レジストを剥離し、下地銅膜をイオン
ミリングでエッチングしてコイル導体部を形成した。さ
らにこの上にカーテンコート法で感光性エポキシ樹脂を
ギャップ部も含めて塗布し、仮硬化後、所定の位置に、
慣用のホトリソグラフィー法によりコンタクトホールを
形成し、本硬化した。次いで前記の感光性エポキシ樹脂
を絶縁基板として、前記と同じ方法を繰り返し、第二の
コイル層を形成し積層平面コイル集合体を製造した。こ
の集合体を分割して得た１個の平面コイルは、外形寸法
が３．１×３．１×０．７ｍｍであり、コイル導体層の
厚さ（Ｈ）が１５０μｍ、コイル導体線条間の間隔
（Ｇ）が１０μｍ、頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部
の幅（ｌ）が２０μｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．
６７、Ｌ／Ｇ比が５であった。また、このものの電気特
性は、直流抵抗０．１Ω、インダクタンス値０．６μＨ
であった。このものは、実施例１の平面コイルに比べて
インダクタンス値が約５０％増加している。
【００２３】実施例５ 直径３インチ、厚さ３００μｍのＮｉＺｎ系複合フェラ
イト基板（フェライト粉末７０容量％及びエポキシ樹脂
３０容量％）に、無電解銅めっき液で１μｍの厚さの銅
層を形成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚
で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパター
ン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の
線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法によ
り形成した。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は５．７５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめ
っきした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温
度を２５℃として、実施例１と同様にして、電流密度
２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっき
した。このときの導体間隔は１０μｍであった。次に、
レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチ
ングしてコイル導体部を形成した。さらにこの上にカー
テンコート法で感光性エポキシ樹脂をギャップ部も含め
て塗布し、仮硬化後、所定の位置に、慣用のホトリソグ
ラフィー法によりコンタクトホールを形成し、本硬化し
た。次いで前記の感光性エポキシ樹脂を絶縁基板とし
て、前記と同じ方法を繰り返し、第二のコイル層を形成
し積層平面コイル集合体を製造した。この集合体を分割
して得た１個の平面コイルは、外形寸法が３．１×３．
１×０．６ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１
５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、
頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μ
ｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が１
０であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗
０．１Ω、インダクタンス値０．４８μＨであった。こ
のものは、実施例１の平面コイルに比べてインダクタン
ス値が約３０％増加している。
イト基板（フェライト粉末７０容量％及びエポキシ樹脂
３０容量％）に、無電解銅めっき液で１μｍの厚さの銅
層を形成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚
で５μｍになるようにスピンコートし、レジストパター
ン幅９０μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の
線幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法によ
り形成した。コイル部となるレジスト除去部のパターン
は円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍで巻
数は５．７５回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめ
っきした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温
度を２５℃として、実施例１と同様にして、電流密度
２．５Ａ／ｄｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっき
した。このときの導体間隔は１０μｍであった。次に、
レジストを剥離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチ
ングしてコイル導体部を形成した。さらにこの上にカー
テンコート法で感光性エポキシ樹脂をギャップ部も含め
て塗布し、仮硬化後、所定の位置に、慣用のホトリソグ
ラフィー法によりコンタクトホールを形成し、本硬化し
た。次いで前記の感光性エポキシ樹脂を絶縁基板とし
て、前記と同じ方法を繰り返し、第二のコイル層を形成
し積層平面コイル集合体を製造した。この集合体を分割
して得た１個の平面コイルは、外形寸法が３．１×３．
１×０．６ｍｍであり、コイル導体層の厚さ（Ｈ）が１
５０μｍ、コイル導体線条間の間隔（Ｇ）が１０μｍ、
頭部の幅（Ｌ）が１００μｍ、首部の幅（ｌ）が２０μ
ｍ、Ｌ／ｌ比が５、Ｌ／Ｈ比が０．６７、Ｌ／Ｇ比が１
０であった。また、このものの電気特性は、直流抵抗
０．１Ω、インダクタンス値０．４８μＨであった。こ
のものは、実施例１の平面コイルに比べてインダクタン
ス値が約３０％増加している。
【００２４】実施例６ 実施例１で作成したコイルの中央部に穿孔し、外形寸法
が３．２×３．２×１．３ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェ
ライトコアで挟着し、平面コイルを形成した。この時の
インダクタンス値は１１μＨであり、インダクタンス値
が約３０倍に増大している。
が３．２×３．２×１．３ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェ
ライトコアで挟着し、平面コイルを形成した。この時の
インダクタンス値は１１μＨであり、インダクタンス値
が約３０倍に増大している。
【００２５】実施例７ 実施例１で用いたものと同じアンクラッドＦＲ４基板の
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅２
００μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線
幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により
形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のた
めに用いている。コイル部となるレジスト除去部のパタ
ーンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍ
で巻数は６回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめっ
きした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温度
を２５℃として、液撹拌はカソードロックを３ｍｍ／秒
の速さでストローク１００ｍｍ、電流密度２．５Ａ／ｄ
ｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このと
きの導体間隔は１０μｍであった。次に、レジストを剥
離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイ
ル導体部を形成した。外形寸法は３．１×３．１×０．
４ｍｍであり、電気特性は、直流抵抗０．０５Ωであっ
た。これを絶縁性フィルムを介して実施例１で得た平面
コイルの中央部を穿孔してから積層し、全体を外形寸法
３．２×３．２×１．７ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェラ
イトコアで挟着して、平面トランスを形成した。結合係
数は、周波数５００ｋＨｚで測定して０．９５であっ
た。
所定の位置に、直径０．２ｍｍのスルーホールを設け、
無電解銅めっき液でその両面に１μｍの厚さの銅層を形
成した。その上にポジ型ホトレジストを乾燥膜厚で５μ
ｍになるようにスピンコートし、レジストパターン幅２
００μｍ、レジストパターン間隔（露出する導体の線
幅）２０μｍのパターンをホトリソグラフィー法により
形成した。ここでスルーホールは両面の銅層の接続のた
めに用いている。コイル部となるレジスト除去部のパタ
ーンは円形スパイラル状で、最内周の半径は０．９ｍｍ
で巻数は６回である。これを光沢硫酸銅めっき浴でめっ
きした。めっき液の硫酸銅の濃度を７０ｇ／ｌ、液温度
を２５℃として、液撹拌はカソードロックを３ｍｍ／秒
の速さでストローク１００ｍｍ、電流密度２．５Ａ／ｄ
ｍ2で膜厚が１５０μｍになるまでめっきした。このと
きの導体間隔は１０μｍであった。次に、レジストを剥
離し、下地銅膜をイオンミリングでエッチングしてコイ
ル導体部を形成した。外形寸法は３．１×３．１×０．
４ｍｍであり、電気特性は、直流抵抗０．０５Ωであっ
た。これを絶縁性フィルムを介して実施例１で得た平面
コイルの中央部を穿孔してから積層し、全体を外形寸法
３．２×３．２×１．７ｍｍのＮｉＺｎ系ＥＩ型フェラ
イトコアで挟着して、平面トランスを形成した。結合係
数は、周波数５００ｋＨｚで測定して０．９５であっ
た。
【００２６】参考例 コイル導体線条の頭部の幅（Ｌ）が１１０μｍのもの
（Ａ）と１７０μｍのもの（Ｂ）について、導体線条の
間隔（Ｇ）を１０μｍとして同定してめっきを行い、
（Ｌ−ｌ）／２、すなわちマッシュルーム断面のひさし
の長さを変えて、導体の厚さ（Ｈ）の変化を測定し、そ
の結果をグラフとして図４に示す。なお、このグラフに
は参考のために等方成長の場合の結果をＣとして示し
た。このことより、オーバーハング部のひさしの長さを
大きくすることで、横方向へのめっきの成長速度が抑制
される結果、導体間隔を一定にしたままで、導体の厚さ
を大きくすることができ、直流抵抗の小さい平面コイル
が得られることが分かる。また、ひさしの長さを大きく
するほど導体の厚さを大きくしうることが分かる。
（Ａ）と１７０μｍのもの（Ｂ）について、導体線条の
間隔（Ｇ）を１０μｍとして同定してめっきを行い、
（Ｌ−ｌ）／２、すなわちマッシュルーム断面のひさし
の長さを変えて、導体の厚さ（Ｈ）の変化を測定し、そ
の結果をグラフとして図４に示す。なお、このグラフに
は参考のために等方成長の場合の結果をＣとして示し
た。このことより、オーバーハング部のひさしの長さを
大きくすることで、横方向へのめっきの成長速度が抑制
される結果、導体間隔を一定にしたままで、導体の厚さ
を大きくすることができ、直流抵抗の小さい平面コイル
が得られることが分かる。また、ひさしの長さを大きく
するほど導体の厚さを大きくしうることが分かる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の平面コイルは、コイル導体線条
間の間隔を小さくしたまま、導体の厚さを大きくするこ
とができるので、直流抵抗を小さくすることができ、こ
れを用いて平面トランスを構成すると、特に１０Ｗ以下
の小パワーにおいて優れた電気特性を示すものになると
いう利点がある。
間の間隔を小さくしたまま、導体の厚さを大きくするこ
とができるので、直流抵抗を小さくすることができ、こ
れを用いて平面トランスを構成すると、特に１０Ｗ以下
の小パワーにおいて優れた電気特性を示すものになると
いう利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の平面コイルの部分断面図。
【図２】 本発明の平面コイルを製造する方法の１例の
工程図。
工程図。
【図３】 本発明の平面コイルの形状の１例を示す平面
図。
図。
【図４】 本発明の平面コイルにおけるひさし長さと導
体高さとの関係を示すグラフ。
体高さとの関係を示すグラフ。
１ 絶縁基板 ２ 金属薄膜層 ３，３′，３″ コイル導体線条 ６ ホトレジストパターン層 ７ スルーホール
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の片面又は両面に厚さ５０〜４
００μｍの複数のコイル導体線条をギャップ部のアスペ
クト比（Ｈ／Ｇ）１以上で設けた平面コイルにおいて、
該コイル導体線条がマッシュルーム状断面を有し、その
断面の頭部の幅（Ｌ）が首部の幅（ｌ）の２倍以上、頭
部の高さ（Ｈ）の１．５倍以下及び各コイル導体線条間
の最小間隔（Ｇ）の２倍以上であることを特徴とする平
面コイル。 - 【請求項２】 コイル導体線条が保護用金属めっき薄膜
層で被覆されている請求項１記載の平面コイル。 - 【請求項３】 請求項１又は２の平面コイルを、絶縁性
フィルムを介して複数個積層し、全体を薄型強磁性体コ
アで挟着して構成された平面トランス。
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