JPH11204805A - ダイオード電極用モリブデン材とその製造方法 - Google Patents
ダイオード電極用モリブデン材とその製造方法Info
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- JPH11204805A JPH11204805A JP582998A JP582998A JPH11204805A JP H11204805 A JPH11204805 A JP H11204805A JP 582998 A JP582998 A JP 582998A JP 582998 A JP582998 A JP 582998A JP H11204805 A JPH11204805 A JP H11204805A
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- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 品質が揃い且つ寿命の長いダイオードを得る
ことができるダイオード電極用モリブデン材とその製造
方法とを提供すること。 【解決手段】 ダイオード電極用モリブデン材は，ダイ
オード１０に，ダイオードチップ１を挟みこむモリブデ
ン電極２，３として組み込み，２００〜１５００Ｖの電
位を与えたときの逆方向電流Ｉｒが１７ｎＡ以下であ
る。このダイオード電極用モリブデン材は，モリブデン
棒に１０００〜２０００℃の範囲で熱処理を施すことに
より，単位面積当たりの結晶粒数を６５００個／ｍｍ2
以下に制御して製造される。
ことができるダイオード電極用モリブデン材とその製造
方法とを提供すること。 【解決手段】 ダイオード電極用モリブデン材は，ダイ
オード１０に，ダイオードチップ１を挟みこむモリブデ
ン電極２，３として組み込み，２００〜１５００Ｖの電
位を与えたときの逆方向電流Ｉｒが１７ｎＡ以下であ
る。このダイオード電極用モリブデン材は，モリブデン
棒に１０００〜２０００℃の範囲で熱処理を施すことに
より，単位面積当たりの結晶粒数を６５００個／ｍｍ2
以下に制御して製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ダイオード素子の
ダイオード電極に用いられるモリブデン材とその製造方
法に関する。
ダイオード電極に用いられるモリブデン材とその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，ダイオードは，逆方向電圧Ｖｒ
をかけた時，逆方向電流Ｉｒが発生する。この逆方向電
流Ｉｒが大きいほど，ダイオードとしての特性が低く，
短寿命に繋がるとされている。このようなダイオードに
用いられる電極，即ち，ダイオード電極としてφ０．８
〜φ３ｍｍの径を備えたモリブデン材が使用されてい
る。このモリブデン材では，加工方法として，粉末冶金
法により焼結された棒，又は角棒を転打加工及び線引加
工し，中間工程にて加工し易くするための熱処理を施し
ながら，電解研磨の化学処理，又は芯なし研磨，バレル
研磨等の機械的処理により目的の径に仕上げている。そ
の時におけるモリブデン材中のモリブデンの結晶粒の数
は，径によっても異なるが，２００００〜４００００個
／ｍｍ2 程度である。
をかけた時，逆方向電流Ｉｒが発生する。この逆方向電
流Ｉｒが大きいほど，ダイオードとしての特性が低く，
短寿命に繋がるとされている。このようなダイオードに
用いられる電極，即ち，ダイオード電極としてφ０．８
〜φ３ｍｍの径を備えたモリブデン材が使用されてい
る。このモリブデン材では，加工方法として，粉末冶金
法により焼結された棒，又は角棒を転打加工及び線引加
工し，中間工程にて加工し易くするための熱処理を施し
ながら，電解研磨の化学処理，又は芯なし研磨，バレル
研磨等の機械的処理により目的の径に仕上げている。そ
の時におけるモリブデン材中のモリブデンの結晶粒の数
は，径によっても異なるが，２００００〜４００００個
／ｍｍ2 程度である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前述の
モリブデン材を電極として使用したダイオードにおいて
は，逆方向電圧Ｖｒを与えた時，逆方向電流１ｒのばら
つきが大きく，一つづつ全数に渡って評価テストを行う
ような選別が必要であるという欠点があった。
モリブデン材を電極として使用したダイオードにおいて
は，逆方向電圧Ｖｒを与えた時，逆方向電流１ｒのばら
つきが大きく，一つづつ全数に渡って評価テストを行う
ような選別が必要であるという欠点があった。
【０００４】そこで，本発明の技術的課題は，品質が揃
い且つ寿命の長いダイオードを得ることができるダイオ
ード電極用モリブデン材とその製造方法とを提供するこ
とにある。
い且つ寿命の長いダイオードを得ることができるダイオ
ード電極用モリブデン材とその製造方法とを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は，モリブデン
加工時に１０００℃〜２０００℃の熱処理を施し，結晶
粒の数を単位面積当たり６５００個／ｍｍ2 以下に制御
することにより，ダイオード電極として，逆方向電流Ｉ
ｒを著しく低下させることができることを見出だし本発
明を為すに至ったものである。
加工時に１０００℃〜２０００℃の熱処理を施し，結晶
粒の数を単位面積当たり６５００個／ｍｍ2 以下に制御
することにより，ダイオード電極として，逆方向電流Ｉ
ｒを著しく低下させることができることを見出だし本発
明を為すに至ったものである。
【０００６】本発明によれば，ダイオードに組み込み，
２００〜１５００Ｖの電位を与えたときの逆方向電流Ｉ
ｒが１７ｎＡ以下であることを特徴とするダイオード電
極用モリブデン材が得られる。
２００〜１５００Ｖの電位を与えたときの逆方向電流Ｉ
ｒが１７ｎＡ以下であることを特徴とするダイオード電
極用モリブデン材が得られる。
【０００７】また，本発明によれば，前記ダイオード電
極用モリブデン材において，単位面積当たりの結晶粒の
数が６５００個／ｍｍ2 以下であることを特徴とするダ
イオード電極用モリブデン材が得られる。
極用モリブデン材において，単位面積当たりの結晶粒の
数が６５００個／ｍｍ2 以下であることを特徴とするダ
イオード電極用モリブデン材が得られる。
【０００８】さらに，本発明によれば，モリブデン棒に
１０００〜２０００℃の範囲で熱処理を施すことによ
り，単位面積当たりの結晶粒数を６５００個／ｍｍ2 以
下に制御することを特徴とするダイオード電極用モリブ
デン材の製造方法が得られる。
１０００〜２０００℃の範囲で熱処理を施すことによ
り，単位面積当たりの結晶粒数を６５００個／ｍｍ2 以
下に制御することを特徴とするダイオード電極用モリブ
デン材の製造方法が得られる。
【０００９】ここで，本発明において，ダイオード電極
として，逆方向電流Ｉｒを著しく低下させることができ
る理由としては，次のように推定することができる。
として，逆方向電流Ｉｒを著しく低下させることができ
る理由としては，次のように推定することができる。
【００１０】まず，モリブデン材の粒界に存在する不純
物等が抵抗のばらつきを発生させると考えられ，粒子を
大きくすることにより，粒界の不純物の影響が少なくな
ったことが考えられる。
物等が抵抗のばらつきを発生させると考えられ，粒子を
大きくすることにより，粒界の不純物の影響が少なくな
ったことが考えられる。
【００１１】また，モールドする前処理としてエッチン
グ等の化学処理を行うが，その時に粒界が少ない為，安
定した処理ができることにより，モールドするガラス等
との密着性が良くなったことが考えられる。
グ等の化学処理を行うが，その時に粒界が少ない為，安
定した処理ができることにより，モールドするガラス等
との密着性が良くなったことが考えられる。
【００１２】尚，次に述べる本発明の実施の形態におい
ては，従来の加工後に熱処理をして，結晶粒の数をコン
トロールしているが，加工途中にて熱処理を行うことに
よって結晶粒数のコントロールを行っても，同様の結果
が得られる。
ては，従来の加工後に熱処理をして，結晶粒の数をコン
トロールしているが，加工途中にて熱処理を行うことに
よって結晶粒数のコントロールを行っても，同様の結果
が得られる。
【００１３】また，本発明において，熱処理温度設定の
理由は，次の通りである。熱処理温度が１０００℃未満
の場合は粒子を大きくすることができないために，従来
と同様に品質の揃った特性の良好なものが得られないか
らであり，またモリブデンの融点は２６２０℃前後であ
り，それ以下でなければ，粉末冶金による利点が得られ
ないとともに，２０００℃を超えた熱処理を行う場合に
は，コストが高く，実用性にかける為，前述の範囲とし
たものである。
理由は，次の通りである。熱処理温度が１０００℃未満
の場合は粒子を大きくすることができないために，従来
と同様に品質の揃った特性の良好なものが得られないか
らであり，またモリブデンの融点は２６２０℃前後であ
り，それ以下でなければ，粉末冶金による利点が得られ
ないとともに，２０００℃を超えた熱処理を行う場合に
は，コストが高く，実用性にかける為，前述の範囲とし
たものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明の実施の形態によるダイオー
ド電極用モリブデン材を用いたダイオードの概略構成を
示す断面図である。図１を参照すると，ダイオード１０
は，ダイオードチップ１がモリブデン電極２，３の一端
間に挟み込まれ，モリブデン電極２，３とともにガラス
モールド６に覆われることによって形成されている。ま
た，モリブデン電極２，３の他端からパッカーション溶
接又は銀ろう付によって設けられたリード線４，５が夫
々外方に延在している。これらのリード線は，Ｚｒ含有
Ｃｕ等のＣｕ合金又は，Ｃｕ合金にＳｎ，Ｎｉ等をめっ
きしたものからなる。このモリブデン電極２，３は，次
のように製造されている。
ド電極用モリブデン材を用いたダイオードの概略構成を
示す断面図である。図１を参照すると，ダイオード１０
は，ダイオードチップ１がモリブデン電極２，３の一端
間に挟み込まれ，モリブデン電極２，３とともにガラス
モールド６に覆われることによって形成されている。ま
た，モリブデン電極２，３の他端からパッカーション溶
接又は銀ろう付によって設けられたリード線４，５が夫
々外方に延在している。これらのリード線は，Ｚｒ含有
Ｃｕ等のＣｕ合金又は，Ｃｕ合金にＳｎ，Ｎｉ等をめっ
きしたものからなる。このモリブデン電極２，３は，次
のように製造されている。
【００１６】従来と同様の加工，即ち，粉末冶金法によ
り焼結された棒または角棒を転打加工および線引加工
し，中間工程にて加工し易くするための熱処理を施しな
がら，電解研磨の化学処理又は芯なし研磨，バレル研磨
等の機械的処理により目的の径に仕上げた。次に，目的
の製品の製作後，１２００℃，１〜３時間にて熱処理を
施し，結晶粒数が単位面積当たり約４０００個／ｍ
ｍ2 ，約６５００個／ｍｍ2，約７０００個／ｍｍ2 の
ものを各５０個作製した。この試料に，逆方向電圧Ｖｒ
をかけた時の逆方向電流Ｉｒは，下記表１に示すよう
に，６５００個以下／ｍｍ2 の場合には５〜１７ｎＡと
ばらつきが小さく，７０００個／ｍｍ2 の場合，５〜１
００ｎＡとなり逆方向電流Ｉｒのばらつきが大きくなっ
た。
り焼結された棒または角棒を転打加工および線引加工
し，中間工程にて加工し易くするための熱処理を施しな
がら，電解研磨の化学処理又は芯なし研磨，バレル研磨
等の機械的処理により目的の径に仕上げた。次に，目的
の製品の製作後，１２００℃，１〜３時間にて熱処理を
施し，結晶粒数が単位面積当たり約４０００個／ｍ
ｍ2 ，約６５００個／ｍｍ2，約７０００個／ｍｍ2 の
ものを各５０個作製した。この試料に，逆方向電圧Ｖｒ
をかけた時の逆方向電流Ｉｒは，下記表１に示すよう
に，６５００個以下／ｍｍ2 の場合には５〜１７ｎＡと
ばらつきが小さく，７０００個／ｍｍ2 の場合，５〜１
００ｎＡとなり逆方向電流Ｉｒのばらつきが大きくなっ
た。
【００１７】一方，比較の為に，前述と同様の加工を施
し，熱処理を行わなかった従来と同様のモリブデン材で
あって，結晶粒数が単位面積当たり，２０，０００〜４
０，０００個／ｍｍ2 にしたφ０．８〜３．０ｍｍのモ
リブデン材にダイオードチップを挟み込み，ガラスにて
モールドしたダイオードを得た。その比較のためのダイ
オード試料を測定した結果，逆方向電圧Ｖｒをかけた時
の逆方向電流Ｉｒは，５〜１５０ｎＡのばらつきが発生
した。下記表１にその一例を示した。
し，熱処理を行わなかった従来と同様のモリブデン材で
あって，結晶粒数が単位面積当たり，２０，０００〜４
０，０００個／ｍｍ2 にしたφ０．８〜３．０ｍｍのモ
リブデン材にダイオードチップを挟み込み，ガラスにて
モールドしたダイオードを得た。その比較のためのダイ
オード試料を測定した結果，逆方向電圧Ｖｒをかけた時
の逆方向電流Ｉｒは，５〜１５０ｎＡのばらつきが発生
した。下記表１にその一例を示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】上記表１から，本発明の実施の形態による
ダイオード電極用モリブデン材を用いたダイオードによ
れば，比較試料のものに比べて，最大逆方向電流Ｉｒｍ
ａｘが１／１０〜１／５程度に抑えられ，ばらつきが小
さくなり，歩留まりが向上することが判った。
ダイオード電極用モリブデン材を用いたダイオードによ
れば，比較試料のものに比べて，最大逆方向電流Ｉｒｍ
ａｘが１／１０〜１／５程度に抑えられ，ばらつきが小
さくなり，歩留まりが向上することが判った。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
品質が揃い且つ寿命の長いダイオードを得ることができ
るダイオード電極用モリブデン材とその製造方法とを提
供することができる。
品質が揃い且つ寿命の長いダイオードを得ることができ
るダイオード電極用モリブデン材とその製造方法とを提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるダイオード電極用モ
リブデン材を用いたダイオードの概略構成を示す断面図
である。
リブデン材を用いたダイオードの概略構成を示す断面図
である。
１ ダイオードチップ ２，３ モリブデン電極 ４，５ リード線 ６ ガラスモールド １０ ダイオード
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６９１Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイオードに組み込み，２００〜１５０
０Ｖの電位を与えたときの逆方向電流Ｉｒが１７ｎＡ以
下であることを特徴とするダイオード電極用モリブデン
材。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイオード電極用モリブ
デン材において，単位面積当たりの結晶粒の数が６５０
０個／ｍｍ2 以下であることを特徴とするダイオード電
極用モリブデン材。 - 【請求項３】 モリブデン棒に１０００〜２０００℃の
範囲で熱処理を施すことにより，単位面積当たりの結晶
粒数を６５００個／ｍｍ2 以下に制御することを特徴と
するダイオード電極用モリブデン材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP582998A JPH11204805A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | ダイオード電極用モリブデン材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP582998A JPH11204805A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | ダイオード電極用モリブデン材とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204805A true JPH11204805A (ja) | 1999-07-30 |
| JPH11204805A5 JPH11204805A5 (ja) | 2005-08-04 |
Family
ID=11621946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP582998A Pending JPH11204805A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | ダイオード電極用モリブデン材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144250A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Allied Material Corp | モリブデン材料とその製造方法 |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP582998A patent/JPH11204805A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008144250A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Allied Material Corp | モリブデン材料とその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041228 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041228 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070124 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |