JPH11208118A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH11208118A JPH11208118A JP10256110A JP25611098A JPH11208118A JP H11208118 A JPH11208118 A JP H11208118A JP 10256110 A JP10256110 A JP 10256110A JP 25611098 A JP25611098 A JP 25611098A JP H11208118 A JPH11208118 A JP H11208118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- dye
- recording medium
- information recording
- optical information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
- G11B7/2498—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds as cations
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B2007/24612—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes two or more dyes in one layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
- G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/256—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers improving adhesion between layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2595—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on gold
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒートモードによる記録用有機色素、特にシア
ニン色素を使用した光情報記録媒体の保存時の光劣化を
安定化カジカルやクエンチャーを使用しなくても防止す
る。 【構成】ヒートモードによる記録用有機色素と金属又は
金属イオンを含有する有機金属色素化合物を併用する。 【効果】上記目的を達成する。
ニン色素を使用した光情報記録媒体の保存時の光劣化を
安定化カジカルやクエンチャーを使用しなくても防止す
る。 【構成】ヒートモードによる記録用有機色素と金属又は
金属イオンを含有する有機金属色素化合物を併用する。 【効果】上記目的を達成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ
−Ｒ等のレーザー光により記録及び再生が可能なヒート
モードによる追記型の光情報記録媒体において、耐光性
を改善した光情報記録媒体に関する。
−Ｒ等のレーザー光により記録及び再生が可能なヒート
モードによる追記型の光情報記録媒体において、耐光性
を改善した光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】文字、図形等の画像や映像あるいは音声
等のデータを記録し、再生する手段としてＣＤ−Ｒがよ
く知られているが、現在のＣＤ−Ｒは、波長７７０〜８
３０ｎｍのレーザー光に対応した記録及び再生が可能な
光ディスクが用いられている。また、最近、このＣＤ−
Ｒに使用のレーザー光より短波長の例えば６２０〜６９
０ｎｍの赤色レーザー光により高密度記録及び再生が可
能なＤＶＤ−Ｒ（デジタル・ビデオ・ディスク−レコー
ダブル又はデジタルバーサタイル・ディスク−レコーダ
ブル）等が次の時代を担うメディアとして用いられるよ
うになっている。これらのＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等のヒ
ートモードによる追記型光情報記録媒体には、シアニン
などの有機色素を記録層として記録する光を照射するこ
とにより穴を形成する穴形成型光ディスクが用いられて
おり、特にシアニン色素はスピンコート法という生産性
の高い方法が適用できること、耐酸化性に優れること、
熱伝導性が低いので局所的加熱ができること等の優れた
点があり、特に半導体レーザの波長域に高い吸収性、反
射性を示すことから注目されている。
等のデータを記録し、再生する手段としてＣＤ−Ｒがよ
く知られているが、現在のＣＤ−Ｒは、波長７７０〜８
３０ｎｍのレーザー光に対応した記録及び再生が可能な
光ディスクが用いられている。また、最近、このＣＤ−
Ｒに使用のレーザー光より短波長の例えば６２０〜６９
０ｎｍの赤色レーザー光により高密度記録及び再生が可
能なＤＶＤ−Ｒ（デジタル・ビデオ・ディスク−レコー
ダブル又はデジタルバーサタイル・ディスク−レコーダ
ブル）等が次の時代を担うメディアとして用いられるよ
うになっている。これらのＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ等のヒ
ートモードによる追記型光情報記録媒体には、シアニン
などの有機色素を記録層として記録する光を照射するこ
とにより穴を形成する穴形成型光ディスクが用いられて
おり、特にシアニン色素はスピンコート法という生産性
の高い方法が適用できること、耐酸化性に優れること、
熱伝導性が低いので局所的加熱ができること等の優れた
点があり、特に半導体レーザの波長域に高い吸収性、反
射性を示すことから注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
シアニン色素は太陽光に対する耐光性が十分とは言え
ず、その対応策として、一般に半導体レーザ発振波長領
域に吸収特性を持つシアニン色素の主成分に対し、安定
化ラジカルを添加したり、シアニン色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンの結合体を添加することにより、その
色素を退色させる原因となる太陽光により発生する一重
項酸素をその酸化作用のより穏やかな三重項酸素に変化
させて、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのシアニン色素含有層の
耐光性を改善することが行なわれてきたが、例えは百科
事典のようにその内容の記録を長期間保存したい場合に
は、それでも十分とは言えず、長期間に渡る保存時の光
劣化を防止するさらなる改善策が強く望まれている。従
来、このような光劣化を防止する化合物として、例えば
アミニウム塩を使用する提案（特開平７−１９６５８８
号公報）もあるが、これは高温多湿（例えば８０℃で相
対湿度７０％）に弱く、また、ニッケルジチオールを使
用する提案（特開昭５７−１１０９０号公報）もあり、
かなりの光安定化効果は認められるがまだ十分ではな
い。これらは特に、短波長レーザー（６００〜６３０ｎ
ｍ）記録・再生用記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）に用いた場合
にその光劣化防止効果が低減する。また、インドアニリ
ン誘導体は近赤外線を吸収する色素として既に知られて
おり、この化合物を色素として用いた光情報記録媒体に
ついても、例えば特開平４−１４１４９３号公報、特開
平９−１７５０１５号公報等において開示されている
が、これらは単に記録層の色素としてその化合物を用い
ているに過ぎず、他の色素と併用してその色素の耐光性
を向上させる、いわゆる光安定化剤として使用されてい
る例はない。特に、特開平９−１７５０１５号公報にお
いては、記録層の耐光性をインドアニリン誘導体を用い
ることにより改善することができるという光テープ媒体
が開示されているが、用途が光テープ媒体であり、光デ
ィスクではないのみならず、その記録層の耐光性は色素
としてその化合物を単独で用いることにより得られるこ
とを示しているに過ぎず、他の色素の耐光性を改善する
光安定化剤としてこの化合物を用いることの技術思想は
一切示されていない。しかも、７００〜９００ｎｍのレ
ーザーを用いて記録する場合に適する色素として他の多
数の色素とともに挙げられているに過ぎず、まして６０
０〜６６０ｎｍのレーザーを用いて記録・再生する場合
に、インドアニリン誘導体を他の色素の光安定化剤とし
て用いることは勿論のこと、色素そのものとして単独で
用いることにより耐光性を改善しようとする技術思想も
全く窺われない。
シアニン色素は太陽光に対する耐光性が十分とは言え
ず、その対応策として、一般に半導体レーザ発振波長領
域に吸収特性を持つシアニン色素の主成分に対し、安定
化ラジカルを添加したり、シアニン色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンの結合体を添加することにより、その
色素を退色させる原因となる太陽光により発生する一重
項酸素をその酸化作用のより穏やかな三重項酸素に変化
させて、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのシアニン色素含有層の
耐光性を改善することが行なわれてきたが、例えは百科
事典のようにその内容の記録を長期間保存したい場合に
は、それでも十分とは言えず、長期間に渡る保存時の光
劣化を防止するさらなる改善策が強く望まれている。従
来、このような光劣化を防止する化合物として、例えば
アミニウム塩を使用する提案（特開平７−１９６５８８
号公報）もあるが、これは高温多湿（例えば８０℃で相
対湿度７０％）に弱く、また、ニッケルジチオールを使
用する提案（特開昭５７−１１０９０号公報）もあり、
かなりの光安定化効果は認められるがまだ十分ではな
い。これらは特に、短波長レーザー（６００〜６３０ｎ
ｍ）記録・再生用記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）に用いた場合
にその光劣化防止効果が低減する。また、インドアニリ
ン誘導体は近赤外線を吸収する色素として既に知られて
おり、この化合物を色素として用いた光情報記録媒体に
ついても、例えば特開平４−１４１４９３号公報、特開
平９−１７５０１５号公報等において開示されている
が、これらは単に記録層の色素としてその化合物を用い
ているに過ぎず、他の色素と併用してその色素の耐光性
を向上させる、いわゆる光安定化剤として使用されてい
る例はない。特に、特開平９−１７５０１５号公報にお
いては、記録層の耐光性をインドアニリン誘導体を用い
ることにより改善することができるという光テープ媒体
が開示されているが、用途が光テープ媒体であり、光デ
ィスクではないのみならず、その記録層の耐光性は色素
としてその化合物を単独で用いることにより得られるこ
とを示しているに過ぎず、他の色素の耐光性を改善する
光安定化剤としてこの化合物を用いることの技術思想は
一切示されていない。しかも、７００〜９００ｎｍのレ
ーザーを用いて記録する場合に適する色素として他の多
数の色素とともに挙げられているに過ぎず、まして６０
０〜６６０ｎｍのレーザーを用いて記録・再生する場合
に、インドアニリン誘導体を他の色素の光安定化剤とし
て用いることは勿論のこと、色素そのものとして単独で
用いることにより耐光性を改善しようとする技術思想も
全く窺われない。
【０００４】本発明の第１の目的は、長期間に渡る保存
時の光劣化を防止でき、しかも記録及び再生の性能を損
なわない光情報記録媒体を提供することにある。本発明
の第２の目的は、ヒートモードによる記録用色素の太陽
光の吸収エネルギーそのものを減らしてその劣化を防止
するために有機金属色素化合物を用いた光情報記録媒体
を提供することにある。本発明の第３の目的は、安定化
ラジカルやクエンチャーその他の光安定化剤を添加しな
いでもよい光情報記録媒体を提供することにある。本発
明の第４の目的は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒの従来の製造
方法をその大きな変更なしにほぼ適用できる光情報記録
媒体を提供することにある。
時の光劣化を防止でき、しかも記録及び再生の性能を損
なわない光情報記録媒体を提供することにある。本発明
の第２の目的は、ヒートモードによる記録用色素の太陽
光の吸収エネルギーそのものを減らしてその劣化を防止
するために有機金属色素化合物を用いた光情報記録媒体
を提供することにある。本発明の第３の目的は、安定化
ラジカルやクエンチャーその他の光安定化剤を添加しな
いでもよい光情報記録媒体を提供することにある。本発
明の第４の目的は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒの従来の製造
方法をその大きな変更なしにほぼ適用できる光情報記録
媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、光の吸収スペクト
ルを示すそれぞれに最大吸収ピークを有する２つの吸収
曲線が交叉する場合には、短波長側の最大吸収エネルギ
ーの一部分は長波長側の最大吸収エネルギー側にシフト
する現象が知られている（Ｎｉｃｈｏｌａｓ Ｊ，Ｔｕ
ｒｒｏ；Ｍｏｄｅｒｎ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｈｏｔ
ｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ｔｈｅ Ｂｅｎｊａｍｉｎ／Ｃ
ｕｍｍｉｎｇｓ ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，Ｉｎ
ｃ．第２９６〜２９８頁）ことから、これを利用すれ
ば、シアニン色素と適当に最大吸収波長を制御した金属
又は金属イオンを含む有機色素の誘導体、すなわち金属
キレート化合物を混合することにより、シアニン色素等
の光による退色劣化を極めて小さくできる、いわゆる耐
光性を改善できることを見出し、本発明をするに至っ
た。したがって、本発明は上記課題を解決するために、
（１）、基板上に色素層を含む光干渉層を有する光情報
記録媒体において、該色素層がヒートモードによる記録
用有機色素を含有し、かつ該光干渉層が金属又は金属イ
オンを含む有機金属色素化合物（但し、ピリドフエノチ
アジン誘導体、キノリンジオン誘導体、ナフトキノリン
ジオン誘導体又はナフトキノン誘導体のみの場合を除
く）を含有する光情報記録媒体であって、該記録用有機
色素の吸収スペクトル曲線と該有機金属色素化合物の吸
収スペトクル曲線が交叉し、かつ該有機金属色素化合物
は該記録用有機色素の最大吸収波長より長波長側に最大
吸収波長を有する光情報記録媒体を提供するものであ
る。また、本発明は、（２）、記録用有機色素がシアニ
ン色素である上記（１）の光情報記録媒体、（３）、シ
アニン色素が下記一般式〔化１〕で示される化合物であ
る上記（２）の光情報記録媒体、
を解決するために鋭意研究した結果、光の吸収スペクト
ルを示すそれぞれに最大吸収ピークを有する２つの吸収
曲線が交叉する場合には、短波長側の最大吸収エネルギ
ーの一部分は長波長側の最大吸収エネルギー側にシフト
する現象が知られている（Ｎｉｃｈｏｌａｓ Ｊ，Ｔｕ
ｒｒｏ；Ｍｏｄｅｒｎ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｈｏｔ
ｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ｔｈｅ Ｂｅｎｊａｍｉｎ／Ｃ
ｕｍｍｉｎｇｓ ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，Ｉｎ
ｃ．第２９６〜２９８頁）ことから、これを利用すれ
ば、シアニン色素と適当に最大吸収波長を制御した金属
又は金属イオンを含む有機色素の誘導体、すなわち金属
キレート化合物を混合することにより、シアニン色素等
の光による退色劣化を極めて小さくできる、いわゆる耐
光性を改善できることを見出し、本発明をするに至っ
た。したがって、本発明は上記課題を解決するために、
（１）、基板上に色素層を含む光干渉層を有する光情報
記録媒体において、該色素層がヒートモードによる記録
用有機色素を含有し、かつ該光干渉層が金属又は金属イ
オンを含む有機金属色素化合物（但し、ピリドフエノチ
アジン誘導体、キノリンジオン誘導体、ナフトキノリン
ジオン誘導体又はナフトキノン誘導体のみの場合を除
く）を含有する光情報記録媒体であって、該記録用有機
色素の吸収スペクトル曲線と該有機金属色素化合物の吸
収スペトクル曲線が交叉し、かつ該有機金属色素化合物
は該記録用有機色素の最大吸収波長より長波長側に最大
吸収波長を有する光情報記録媒体を提供するものであ
る。また、本発明は、（２）、記録用有機色素がシアニ
ン色素である上記（１）の光情報記録媒体、（３）、シ
アニン色素が下記一般式〔化１〕で示される化合物であ
る上記（２）の光情報記録媒体、
【化１】〔ただし、Ａは下記一般式〔化２〕ないし〔化
５〕のいずれかを表わし、
５〕のいずれかを表わし、
【化２】、
【化３】、
【化４】、
【化５】、Ａ’は下記一般式〔化６〕ないし〔化９〕の
いずれかを表わし、
いずれかを表わし、
【化６】、
【化７】、
【化８】、
【化９】、ＡとＡ’は同種であっても異種であってもよ
く（ただし、Ｄ1 、Ｄ2 はそれぞれ水素原子、アルキル
基、アルコキシル基、水酸基、ハロゲン原子、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボキシ
ル基、アルキルヒドロキシル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキルアミド基、アルキルアミノ基、アルキ
ルスルホンアミド基、アルキルカルバモイル基、アルキ
ルスルファモイル基、アルキルスルホニル基、フェニル
基、シアノ基、エステル基、スルホン基、アシル基、ア
リル基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ
基、アルキルカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、
アミノ基、アルキルスルホン基、チオシアノ基、メルカ
プト基、クロロスルホン基、アルキルアゾメチン基、ア
ルキルアミノスルホン基、ビニル基及びニトロ基の群の
なかから選択される置換基を表わし、同種であっても異
種であってもよく、ｐ、ｑは置換基の数であってそれぞ
れ１又は複数の整数を表わす。）、Ｒ、Ｒ' は置換又は
非置換のアルキル基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、アルキルカルボキシル基、アルコキシル基、
アルキルヒドロキシル基、アラルキル基、アルケニル
基、アルキルアミド基、アルキルアミノ基、アルキルス
ルホンアミド基、アルキルカルバモイル基、アルキルス
ルファモイル基、水酸基、ハロゲン原子、アルキルアル
コキシル基、ハロゲン化アルキル基、アルキルスルホニ
ル基、金属イオン若しくはアルキル基と結合したアルキ
ルカルボキシル基若しくはアルキルスルホニル基、フェ
ニル基、ベンジル基及びアルキルフェニル基の群から選
択される置換基を表わし、同種でも異種でもよく、Ｘ-
はハロゲン原子、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、Ｈ3 ＰＯ4 、
過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼンカル
ボン酸、アルキルカルボン酸、トリフルオロメチルカル
ボン酸、過ヨウ素酸及びＳＣＮ- の陰イオンの群のなか
から選択される陰イオンを表わし、Ｂは１、２又は３を
表わす。〕（４）、金属又は金属イオンが遷移金属から
なる上記（１）ないし（３）のいずれかの光情報記録媒
体、（５）、金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、
Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１種の
金属又は金属イオンであり、有機金属色素化合物がナフ
タレノン誘導体である上記（１）ないし（３）のいずれ
かの光情報記録媒体、（６）、金属又は金属イオンがＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の
少なくとも１種の金属又は金属イオンであり、有機金属
色素化合物がナフタレノン誘導体とピリドフェノチアジ
ン誘導体である上記（１）ないし（３）のいずれかにの
光情報記録媒体、（７）、金属又は金属イオンがＮｉ、
Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少な
くとも１種の金属又は金属イオンであり、ナフタレノン
誘導体が下記一般式〔化３０〕で示される化合物である
上記（５）又は（６）に記載の光情報記録媒体、
く（ただし、Ｄ1 、Ｄ2 はそれぞれ水素原子、アルキル
基、アルコキシル基、水酸基、ハロゲン原子、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボキシ
ル基、アルキルヒドロキシル基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキルアミド基、アルキルアミノ基、アルキ
ルスルホンアミド基、アルキルカルバモイル基、アルキ
ルスルファモイル基、アルキルスルホニル基、フェニル
基、シアノ基、エステル基、スルホン基、アシル基、ア
リル基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ
基、アルキルカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、
アミノ基、アルキルスルホン基、チオシアノ基、メルカ
プト基、クロロスルホン基、アルキルアゾメチン基、ア
ルキルアミノスルホン基、ビニル基及びニトロ基の群の
なかから選択される置換基を表わし、同種であっても異
種であってもよく、ｐ、ｑは置換基の数であってそれぞ
れ１又は複数の整数を表わす。）、Ｒ、Ｒ' は置換又は
非置換のアルキル基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、アルキルカルボキシル基、アルコキシル基、
アルキルヒドロキシル基、アラルキル基、アルケニル
基、アルキルアミド基、アルキルアミノ基、アルキルス
ルホンアミド基、アルキルカルバモイル基、アルキルス
ルファモイル基、水酸基、ハロゲン原子、アルキルアル
コキシル基、ハロゲン化アルキル基、アルキルスルホニ
ル基、金属イオン若しくはアルキル基と結合したアルキ
ルカルボキシル基若しくはアルキルスルホニル基、フェ
ニル基、ベンジル基及びアルキルフェニル基の群から選
択される置換基を表わし、同種でも異種でもよく、Ｘ-
はハロゲン原子、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、Ｈ3 ＰＯ4 、
過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ベンゼンスルホン酸、ト
ルエンスルホン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼンカル
ボン酸、アルキルカルボン酸、トリフルオロメチルカル
ボン酸、過ヨウ素酸及びＳＣＮ- の陰イオンの群のなか
から選択される陰イオンを表わし、Ｂは１、２又は３を
表わす。〕（４）、金属又は金属イオンが遷移金属から
なる上記（１）ないし（３）のいずれかの光情報記録媒
体、（５）、金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、
Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１種の
金属又は金属イオンであり、有機金属色素化合物がナフ
タレノン誘導体である上記（１）ないし（３）のいずれ
かの光情報記録媒体、（６）、金属又は金属イオンがＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の
少なくとも１種の金属又は金属イオンであり、有機金属
色素化合物がナフタレノン誘導体とピリドフェノチアジ
ン誘導体である上記（１）ないし（３）のいずれかにの
光情報記録媒体、（７）、金属又は金属イオンがＮｉ、
Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少な
くとも１種の金属又は金属イオンであり、ナフタレノン
誘導体が下記一般式〔化３０〕で示される化合物である
上記（５）又は（６）に記載の光情報記録媒体、
【化３０】（式中、Ｍ01はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｍｏ及びＦｅから選ばれる金属又は金属イオンを表
し、Ｅ及びＦはそれぞれ置換基を有していてもよく、Ｒ
01 2 のＲ01は同一でも異なってもよい水素原子、低級ア
ルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルキ
ル基であって、置換基を有していてもよく、Ｒ02は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、
アルキルスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルア
ミノ基又はアシルアミノ基であって、置換基を有してい
てもよく、Ｙ01はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4
- 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＮＯ3 - 、ＣＨ3 ＣＯ
Ｏ- 、ＳＯ4 --、ＡｒＳＯ3 - （Ａｒは未置換又は置換
基を有する芳香族環を表わす。）、ＲＳＯ3 - （Ｒは未
置換又は置換基を有する低級アルキル基を表わす。）等
の陰イオンの群のなかから選択される陰イオンを表わ
し、ｎ01は１〜２を表わす。）、（８）、上記一般式
〔化３０〕で示される化合物が下記一般式〔化１０〕で
示される化合物である上記（７）の光情報記録媒体、
Ｖ、Ｍｏ及びＦｅから選ばれる金属又は金属イオンを表
し、Ｅ及びＦはそれぞれ置換基を有していてもよく、Ｒ
01 2 のＲ01は同一でも異なってもよい水素原子、低級ア
ルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルキ
ル基であって、置換基を有していてもよく、Ｒ02は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、
アルキルスルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルア
ミノ基又はアシルアミノ基であって、置換基を有してい
てもよく、Ｙ01はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4
- 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、ＮＯ3 - 、ＣＨ3 ＣＯ
Ｏ- 、ＳＯ4 --、ＡｒＳＯ3 - （Ａｒは未置換又は置換
基を有する芳香族環を表わす。）、ＲＳＯ3 - （Ｒは未
置換又は置換基を有する低級アルキル基を表わす。）等
の陰イオンの群のなかから選択される陰イオンを表わ
し、ｎ01は１〜２を表わす。）、（８）、上記一般式
〔化３０〕で示される化合物が下記一般式〔化１０〕で
示される化合物である上記（７）の光情報記録媒体、
【化１０】（式中、Ｍ1 、Ｒ1 2のＲ1 、Ｒ2 、Ｙ1 、ｎ
1 は上記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ
01 2 のＲ01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わ
す。）、（９）、上記一般式〔化１０〕で示される化合
物はＲ1 2のＲ1 が同一でも異なってもよいエチル基等の
低級アルキル基、Ｒ2 が水素原子、メチル基等の低級ア
ルキル基、Ｙ1 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4
- 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 -の陰イオンの群のなかから
選択される陰イオンを表わす化合物である上記（８）の
光情報記録媒体，（１０）、上記一般式〔化３０〕で示
される化合物が下記一般式〔化１１〕で示される化合物
である（７）の光情報記録媒体、
1 は上記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ
01 2 のＲ01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わ
す。）、（９）、上記一般式〔化１０〕で示される化合
物はＲ1 2のＲ1 が同一でも異なってもよいエチル基等の
低級アルキル基、Ｒ2 が水素原子、メチル基等の低級ア
ルキル基、Ｙ1 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4
- 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 -の陰イオンの群のなかから
選択される陰イオンを表わす化合物である上記（８）の
光情報記録媒体，（１０）、上記一般式〔化３０〕で示
される化合物が下記一般式〔化１１〕で示される化合物
である（７）の光情報記録媒体、
【化１１】（式中、Ｍ2 、Ｒ3 2のＲ3 、Ｙ2 、ｎ2 は上
記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ01 2 の
Ｒ01、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わし、Ｒ4 2のＲ4 は同
一でも異なってもよいエチル基等の低級アルキル基を表
わす。）（１１）、上記一般式〔化１１〕で示される化
合物はＲ3 2のＲ3 が同一でも異なってもよいエチル基等
の低級アキル基、Ｙ2 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、
ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 - の陰イオンの群のな
かから選択される陰イオンを表わす化合物である上記
（１０）の光情報記録媒体、（１２）、ピリドフェノチ
アジン誘導体が下記一般式〔化１２〕で示される化合物
である上記（６）ないし１１のいずれかに記載の光情報
記録媒体、
記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ01 2 の
Ｒ01、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わし、Ｒ4 2のＲ4 は同
一でも異なってもよいエチル基等の低級アルキル基を表
わす。）（１１）、上記一般式〔化１１〕で示される化
合物はＲ3 2のＲ3 が同一でも異なってもよいエチル基等
の低級アキル基、Ｙ2 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、
ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 - の陰イオンの群のな
かから選択される陰イオンを表わす化合物である上記
（１０）の光情報記録媒体、（１２）、ピリドフェノチ
アジン誘導体が下記一般式〔化１２〕で示される化合物
である上記（６）ないし１１のいずれかに記載の光情報
記録媒体、
【化１２】（式中、Ｍ3 はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｍｏ及びＦｅの群から選ばれる金属又は金属イオン
を表し、Ｒ5 2のＲ5 は同一でも異なってもよいエチル基
等の低級アルキル基、Ｒ6 は水素原子、メチル基等の低
級アルキル基、Ｙ3 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、Ｂ
Ｆ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イオン、ｎ3 は１
〜２を表わす。）（１３）、金属又は金属イオンがＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の
少なくとも１種の金属又は金属イオンであり、ナフタレ
ノン誘導体が下記一般式〔化３１〕で示される化合物で
ある上記（５）の光情報記録媒体、
Ｖ、Ｍｏ及びＦｅの群から選ばれる金属又は金属イオン
を表し、Ｒ5 2のＲ5 は同一でも異なってもよいエチル基
等の低級アルキル基、Ｒ6 は水素原子、メチル基等の低
級アルキル基、Ｙ3 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、Ｂ
Ｆ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イオン、ｎ3 は１
〜２を表わす。）（１３）、金属又は金属イオンがＮ
ｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の
少なくとも１種の金属又は金属イオンであり、ナフタレ
ノン誘導体が下記一般式〔化３１〕で示される化合物で
ある上記（５）の光情報記録媒体、
【化３１】（式中、Ｍ02、Ｒ03 2 のＲ03、Ｒ04、Ｙ02、
ｎ02は上記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、
Ｒ01 2 のＲ01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わ
す。）（１４）、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光
により記録及び再生が可能である光ディスクである上記
（１）ないし（１３）のいずれかの光情報記録媒体を提
供するものである。
ｎ02は上記一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、
Ｒ01 2 のＲ01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わ
す。）（１４）、波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光
により記録及び再生が可能である光ディスクである上記
（１）ないし（１３）のいずれかの光情報記録媒体を提
供するものである。
【０００６】本発明において、光干渉層は、波長７７０
〜８３０ｎｍの波長領域のレーザーにより記録及び再生
が可能になるように形成することができ、この場合には
光干渉層をＣＤ−Ｒ用に使用することができるが、光波
長６２０ｎｍ〜６９０ｎｍの波長領域のレーザー光によ
り記録及び再生が可能になるように形成することもで
き、この場合にはこの光干渉層をＤＶＤ−Ｒ用に使用す
ることができる。本発明において、光干渉層とは、有機
色素材料を含有する色素層その他の有機材料あるいは無
機材料からなる層から構成され、レーザー照射でピット
形成可能な単一層又は複数層の色素層を含む記録層や、
この記録層以外に光情報記録媒体の光学的物性を調整す
る目的で屈折率、膜厚を調整した例えば樹脂材料からな
るエンハンス層、さらには基板と色素層、色素層が複数
の場合にはその間、色素層の上等に設ける中間層等も含
まれ、これらを総称したものである。
〜８３０ｎｍの波長領域のレーザーにより記録及び再生
が可能になるように形成することができ、この場合には
光干渉層をＣＤ−Ｒ用に使用することができるが、光波
長６２０ｎｍ〜６９０ｎｍの波長領域のレーザー光によ
り記録及び再生が可能になるように形成することもで
き、この場合にはこの光干渉層をＤＶＤ−Ｒ用に使用す
ることができる。本発明において、光干渉層とは、有機
色素材料を含有する色素層その他の有機材料あるいは無
機材料からなる層から構成され、レーザー照射でピット
形成可能な単一層又は複数層の色素層を含む記録層や、
この記録層以外に光情報記録媒体の光学的物性を調整す
る目的で屈折率、膜厚を調整した例えば樹脂材料からな
るエンハンス層、さらには基板と色素層、色素層が複数
の場合にはその間、色素層の上等に設ける中間層等も含
まれ、これらを総称したものである。
【０００７】本発明において、ヒートモードによる記録
用有機色素とは、その色素層が上記ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−
Ｒのそれぞれの記録用レーザー光の照射によりピットを
形成し、これにより記録を行うことができる有機色素は
いずれも含まれ、例えばシアニン色素、フタロシアニン
色素、アゾ金属化合物色素等が挙げられる。これらの内
でも、シアニン色素は太陽光に対する耐光性が弱いとさ
れているので、その改善を行う意義は極めて大きいが、
そのシアニン色素としては上記一般式〔化１〕で示され
る化合物が挙げられ、特に、Ｂが１の場合にはトリメチ
ン系シアニン色素であり、ＤＶＤ−Ｒ用に有効であり、
Ｂが２又は３の場合にはペンタメチン系シアニン色素、
ヘプタメチン系シアニン色素であり、ＣＤ−Ｒ用に有効
である。
用有機色素とは、その色素層が上記ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−
Ｒのそれぞれの記録用レーザー光の照射によりピットを
形成し、これにより記録を行うことができる有機色素は
いずれも含まれ、例えばシアニン色素、フタロシアニン
色素、アゾ金属化合物色素等が挙げられる。これらの内
でも、シアニン色素は太陽光に対する耐光性が弱いとさ
れているので、その改善を行う意義は極めて大きいが、
そのシアニン色素としては上記一般式〔化１〕で示され
る化合物が挙げられ、特に、Ｂが１の場合にはトリメチ
ン系シアニン色素であり、ＤＶＤ−Ｒ用に有効であり、
Ｂが２又は３の場合にはペンタメチン系シアニン色素、
ヘプタメチン系シアニン色素であり、ＣＤ−Ｒ用に有効
である。
【０００８】本発明においては、金属又は金属イオンを
含有する有機金属色素化合物を上記のヒートモードによ
る記録用有機色素と併用するが、この有機金属色素化合
物をその記録用有機色素層に含有させてもよく、光干渉
層を形成するその他の層に含有させてもよい。その金属
又は金属イオンとしては、遷移金属又はそのイオンが好
ましく、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ等の少なくとも１種が挙げられる。また、有機金属色
素化合物としては、キノリンジオン誘導体、ナフトキノ
リンジオン誘導体、ナフトキノン誘導体又はピリドフエ
ノチアジン誘導体の各単独誘導体（これら各単独誘導体
も同様に使用できるが別の発明を構成する。）の場合を
除く、１種又は２種以上（少なくとも２種）が挙げら
れ、例えばナフタレノン誘導体（インドアニリン誘導体
ともいう）その他の上記記録用有機色素の吸収スペクト
ル曲線と吸収スペトクル曲線が交叉し、かつこの記録用
有機色素の最大吸収波長より長波長側に最大吸収波長を
有する誘導体が挙げられる。これらは単独（それぞれに
おいて単数又は複数）又は上記のキノリンジオン誘導体
等の例示の誘導体及び上記のその他の誘導体の少なくと
も１種との組み合わせ、これら例示の誘導体及び上記の
その他の任意の誘導体の少なくとも２種の組み合わせが
挙げられる。ナフタレノン誘導体としては、例えば上記
一般式〔化３０〕、より具体的には上記一般式〔化１
０〕、上記一般式〔化１１〕、上記一般式〔化３１〕で
示される化合物を挙げることができる。さらに具体的化
合物については後述の実施例に記載するものや、これに
類似するものが挙げられる。上記一般式〔化３０〕中、
Ｅ、Ｆは置換基を有してもよく、その置換基としては塩
素原子等のハロゲン原子を挙げることができるが、上記
一般式〔化３１〕で示される化合物はその具体例であ
り、好ましい。また、上記ナフタレノン誘導体、上記の
例示したキノリンジオン誘導体、ナフトキノリンジオン
誘導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導体
と併用できるピリドフェノチアジン誘導体としては、例
えば上記一般式〔化１２〕で示される化合物を挙げるこ
とができる。
含有する有機金属色素化合物を上記のヒートモードによ
る記録用有機色素と併用するが、この有機金属色素化合
物をその記録用有機色素層に含有させてもよく、光干渉
層を形成するその他の層に含有させてもよい。その金属
又は金属イオンとしては、遷移金属又はそのイオンが好
ましく、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ、Ｆ
ｅ等の少なくとも１種が挙げられる。また、有機金属色
素化合物としては、キノリンジオン誘導体、ナフトキノ
リンジオン誘導体、ナフトキノン誘導体又はピリドフエ
ノチアジン誘導体の各単独誘導体（これら各単独誘導体
も同様に使用できるが別の発明を構成する。）の場合を
除く、１種又は２種以上（少なくとも２種）が挙げら
れ、例えばナフタレノン誘導体（インドアニリン誘導体
ともいう）その他の上記記録用有機色素の吸収スペクト
ル曲線と吸収スペトクル曲線が交叉し、かつこの記録用
有機色素の最大吸収波長より長波長側に最大吸収波長を
有する誘導体が挙げられる。これらは単独（それぞれに
おいて単数又は複数）又は上記のキノリンジオン誘導体
等の例示の誘導体及び上記のその他の誘導体の少なくと
も１種との組み合わせ、これら例示の誘導体及び上記の
その他の任意の誘導体の少なくとも２種の組み合わせが
挙げられる。ナフタレノン誘導体としては、例えば上記
一般式〔化３０〕、より具体的には上記一般式〔化１
０〕、上記一般式〔化１１〕、上記一般式〔化３１〕で
示される化合物を挙げることができる。さらに具体的化
合物については後述の実施例に記載するものや、これに
類似するものが挙げられる。上記一般式〔化３０〕中、
Ｅ、Ｆは置換基を有してもよく、その置換基としては塩
素原子等のハロゲン原子を挙げることができるが、上記
一般式〔化３１〕で示される化合物はその具体例であ
り、好ましい。また、上記ナフタレノン誘導体、上記の
例示したキノリンジオン誘導体、ナフトキノリンジオン
誘導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導体
と併用できるピリドフェノチアジン誘導体としては、例
えば上記一般式〔化１２〕で示される化合物を挙げるこ
とができる。
【０００９】上記ナフタレノン誘導体、上記の例示した
ピリドフェノチアジン誘導体、ナフトキノリンジオン誘
導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導体と
併用できるキノリンジオン誘導体としては、例えば下記
一般式〔化１３〕で示される化合物、具体的には下記一
般式〔化１４〕、一般式〔化１５〕で示される化合物を
挙げることができる。
ピリドフェノチアジン誘導体、ナフトキノリンジオン誘
導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導体と
併用できるキノリンジオン誘導体としては、例えば下記
一般式〔化１３〕で示される化合物、具体的には下記一
般式〔化１４〕、一般式〔化１５〕で示される化合物を
挙げることができる。
【００１０】
【化１３】
【００１１】（式中、Ｍ4 はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表し、Ｒ7 はアミノフェニル基、アミノフェニル基置換
アミノ基を表わし、Ｙ4 はハロゲンイオン、ＣｌＯ
4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イオンを
表わし、ｎ4 は１〜２を表わす。）
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表し、Ｒ7 はアミノフェニル基、アミノフェニル基置換
アミノ基を表わし、Ｙ4 はハロゲンイオン、ＣｌＯ
4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イオンを
表わし、ｎ4 は１〜２を表わす。）
【００１２】
【化１４】
【００１３】（式中、Ｍ4 、Ｙ4 、ｎ4 は上記一般式
〔化１３〕と同じものを表わし、Ｒ8 2のＲ8 はそれぞれ
同じでも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基を
表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ4 がＣｕ、ＮＲ8 2がパラ
位置でＲ8 2のＲ8 が共にメチル基、Ｙ4 がＣｌＯ4 - 、
ｎ4 が２の化合物（Ｃ34Ｈ30Ｎ6 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子
量８４８．５）を挙げることができる。この化合物の９
９％エタノール溶液の最大吸収波長は７０４ｎｍ（ε
（分子吸光係数、以下同様）＝１９，９００）である。
〔化１３〕と同じものを表わし、Ｒ8 2のＲ8 はそれぞれ
同じでも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基を
表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ4 がＣｕ、ＮＲ8 2がパラ
位置でＲ8 2のＲ8 が共にメチル基、Ｙ4 がＣｌＯ4 - 、
ｎ4 が２の化合物（Ｃ34Ｈ30Ｎ6 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子
量８４８．５）を挙げることができる。この化合物の９
９％エタノール溶液の最大吸収波長は７０４ｎｍ（ε
（分子吸光係数、以下同様）＝１９，９００）である。
【００１４】
【化１５】
【００１５】（式中、Ｍ4 、Ｙ4 、ｎ4 は上記一般式
〔化１３〕と同じものを表わし、Ｒ9 2のＲ9 はそれぞれ
同じでも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基を
表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ4 がＣｕ、ＮＲ9 2がパラ
位置でＲ9 2のＲ9 が共にメチル基、Ｙ4 がＣｌＯ4 - 、
ｎ4 が２の化合物（Ｃ34Ｈ28Ｎ4 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子
量８１８．５）を挙げることができる。この化合物のエ
タノール溶液の最大吸収波長は７６０ｎｍ（ε＝４９，
２００）である。また、上記ナフタレノン誘導体、上記
の例示したピリドフェノチアジン誘導体、キノリンジオ
ン誘導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導
体と併用できるナフトキノリンジオン誘導体としては、
例えば下記一般式〔化１６〕で示されるナフトキノリン
ジオン誘導体を挙げることができる。
〔化１３〕と同じものを表わし、Ｒ9 2のＲ9 はそれぞれ
同じでも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基を
表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ4 がＣｕ、ＮＲ9 2がパラ
位置でＲ9 2のＲ9 が共にメチル基、Ｙ4 がＣｌＯ4 - 、
ｎ4 が２の化合物（Ｃ34Ｈ28Ｎ4 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子
量８１８．５）を挙げることができる。この化合物のエ
タノール溶液の最大吸収波長は７６０ｎｍ（ε＝４９，
２００）である。また、上記ナフタレノン誘導体、上記
の例示したピリドフェノチアジン誘導体、キノリンジオ
ン誘導体、ナフトキノン誘導体又は上記のその他の誘導
体と併用できるナフトキノリンジオン誘導体としては、
例えば下記一般式〔化１６〕で示されるナフトキノリン
ジオン誘導体を挙げることができる。
【００１６】
【化１６】
【００１７】（式中、Ｍ5 はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表わし、Ｒ10は低級アルキル基、フェニル基、アミノフ
ェニル基（φ−ＮＲ12 2 （Ｒ12 2 のＲ12は同一でも異な
ってもよい低級アルキル基、φはベンゼン環を示
す。）、Ｒ11は低級アルキル基、メチル基等の低級アル
キル基置換アミノ基を表わし、Ｙ5 はハロゲンイオン、
ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イ
オンを表わし、ｎ5 は１〜２を表わし、ｍは１〜２を表
わす。） ナフトキノリンジオン誘導体の具体例としては、下記一
般式〔化１７〕で示される化合物を挙げることができ
る。
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表わし、Ｒ10は低級アルキル基、フェニル基、アミノフ
ェニル基（φ−ＮＲ12 2 （Ｒ12 2 のＲ12は同一でも異な
ってもよい低級アルキル基、φはベンゼン環を示
す。）、Ｒ11は低級アルキル基、メチル基等の低級アル
キル基置換アミノ基を表わし、Ｙ5 はハロゲンイオン、
ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イ
オンを表わし、ｎ5 は１〜２を表わし、ｍは１〜２を表
わす。） ナフトキノリンジオン誘導体の具体例としては、下記一
般式〔化１７〕で示される化合物を挙げることができ
る。
【００１８】
【化１７】
【００１９】（式中、Ｍ5 、Ｙ5 、ｎ5 、Ｒ12、ｍは上
記一般式〔化１６〕と同じものを表わし、Ｒ13 2 のＲ13
は同一でも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基
を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ5 がＣｕ、Ｒ12 2 のＲ12
が共にメチル基、Ｒ13 2 のＲ13は共にメチル基、Ｙ5 が
ＣｌＯ4 - 、ｎ5 が２の化合物（Ｃ54Ｈ46Ｎ6Ｏ12Ｃｌ2
Ｃｕ、Ｃ27Ｈ23Ｎ3 Ｏ10Ｃｌ2 Ｃｕの分子量６８３．
５）を挙げることができる。この化合物のテトラヒドロ
フラン溶液の最大吸収波長は７９４ｎｍ（ε＝２６，９
００）である。
記一般式〔化１６〕と同じものを表わし、Ｒ13 2 のＲ13
は同一でも異なってもよいメチル基等の低級アルキル基
を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ5 がＣｕ、Ｒ12 2 のＲ12
が共にメチル基、Ｒ13 2 のＲ13は共にメチル基、Ｙ5 が
ＣｌＯ4 - 、ｎ5 が２の化合物（Ｃ54Ｈ46Ｎ6Ｏ12Ｃｌ2
Ｃｕ、Ｃ27Ｈ23Ｎ3 Ｏ10Ｃｌ2 Ｃｕの分子量６８３．
５）を挙げることができる。この化合物のテトラヒドロ
フラン溶液の最大吸収波長は７９４ｎｍ（ε＝２６，９
００）である。
【００２０】上記ナフタレノン誘導体、上記の例示した
ピリドフェノチアジン誘導体、キノリンジオン誘導体、
ナフトキノリンジオン誘導体又は上記のその他の誘導体
と併用できるナフトキノン誘導体としては、例えば下記
一般式〔化１８〕で示される化合物、具体的には下記一
般式〔化１９〕、一般式〔化２０〕、一般式〔化２１〕
で示される化合物を挙げることができる。
ピリドフェノチアジン誘導体、キノリンジオン誘導体、
ナフトキノリンジオン誘導体又は上記のその他の誘導体
と併用できるナフトキノン誘導体としては、例えば下記
一般式〔化１８〕で示される化合物、具体的には下記一
般式〔化１９〕、一般式〔化２０〕、一般式〔化２１〕
で示される化合物を挙げることができる。
【００２１】
【化１８】
【００２２】（式中、Ｍ6 はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表わし、Ｒ14はアミノフェニル基、アミノフェニル置換
アミノ基、アミノフェニル置換エテニール（ｅｔｈｅｎ
ｙｌ）基を表わし、ｎ6 は１〜２、Ｙ6 はハロゲンイオ
ン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の
陰イオンを表わす。）
Ｖ、Ｍｏ、Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを
表わし、Ｒ14はアミノフェニル基、アミノフェニル置換
アミノ基、アミノフェニル置換エテニール（ｅｔｈｅｎ
ｙｌ）基を表わし、ｎ6 は１〜２、Ｙ6 はハロゲンイオ
ン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の
陰イオンを表わす。）
【００２３】
【化１９】
【００２４】（式中、Ｍ6 、ｎ6 、Ｙ6 は上記一般式
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ15 2のＲ15は同一で
も異なってもよいエチル基等の低級アルキル基を表わ
す。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＮｉ、ｎ6 が１、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ15 2 はパラ位置でＲ15 2 のＲ15は
共にエチル基である化合物（Ｃ20Ｈ19ＮＯ10Ｃｌ2 Ｎ
ｉ、分子量５６２．７）を挙げることができる。この化
合物のエタノール溶液の最大吸収波長は８１７ｎｍ（ε
＝２４，２００）である。
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ15 2のＲ15は同一で
も異なってもよいエチル基等の低級アルキル基を表わ
す。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＮｉ、ｎ6 が１、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ15 2 はパラ位置でＲ15 2 のＲ15は
共にエチル基である化合物（Ｃ20Ｈ19ＮＯ10Ｃｌ2 Ｎ
ｉ、分子量５６２．７）を挙げることができる。この化
合物のエタノール溶液の最大吸収波長は８１７ｎｍ（ε
＝２４，２００）である。
【００２５】
【化２０】
【００２６】（式中、Ｍ6 、ｎ6 、Ｙ6 は上記一般式
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ16 2のＲ16は同一で
も異なってもよいエチル基等の低級アルキル基、Ｒ17は
水素原子、メチル基等の低級アルキル基を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＣｕ、ｎ6 が２、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ16 2 はパラ位置でＲ16 2 のＲ16は
共にエチル基、Ｒ17がメチル基である化合物（Ｃ42Ｈ46
Ｎ4 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子量９３２．２）を挙げること
ができる。この化合物のエタノール溶液の最大吸収波長
は７１７ｎｍ（ε＝１５，２００）である。
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ16 2のＲ16は同一で
も異なってもよいエチル基等の低級アルキル基、Ｒ17は
水素原子、メチル基等の低級アルキル基を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＣｕ、ｎ6 が２、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ16 2 はパラ位置でＲ16 2 のＲ16は
共にエチル基、Ｒ17がメチル基である化合物（Ｃ42Ｈ46
Ｎ4 Ｏ12Ｃｌ2 Ｃｕ、分子量９３２．２）を挙げること
ができる。この化合物のエタノール溶液の最大吸収波長
は７１７ｎｍ（ε＝１５，２００）である。
【００２７】
【化２１】
【００２８】（式中、Ｍ6 、ｎ6 、Ｙ6 は上記一般式
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ18 2のＲ18、Ｒ19 2
のＲ19のそれぞれは独立に同一でも異なってもよいメチ
ル基等の低級アルキル基を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＮｉ、ｎ6 が１、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ18 2 、ＮＲ19 2 はそれぞれパラ位
置でＲ18 2 、Ｒ19 2 のＲ18、Ｒ19は共にメチル基である
化合物（Ｃ28Ｈ26Ｎ2 Ｏ10Ｃｌ2 Ｎｉ、分子量６８０）
を挙げることができる。この化合物のエタノール溶液の
最大吸収波長は７３４ｎｍ（ε＝３７，５００）であ
る。なお、ハロゲンとは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲ
ン族の元素をいう。
〔化１８〕と同じものを表わし、Ｒ18 2のＲ18、Ｒ19 2
のＲ19のそれぞれは独立に同一でも異なってもよいメチ
ル基等の低級アルキル基を表わす。） その具体的化合物としては、Ｍ6 がＮｉ、ｎ6 が１、Ｙ
6 がＣｌＯ4 - 、ＮＲ18 2 、ＮＲ19 2 はそれぞれパラ位
置でＲ18 2 、Ｒ19 2 のＲ18、Ｒ19は共にメチル基である
化合物（Ｃ28Ｈ26Ｎ2 Ｏ10Ｃｌ2 Ｎｉ、分子量６８０）
を挙げることができる。この化合物のエタノール溶液の
最大吸収波長は７３４ｎｍ（ε＝３７，５００）であ
る。なお、ハロゲンとは塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲ
ン族の元素をいう。
【００２９】一般にシアニン色素はＲ−（ＣＨ＝ＣＨ）
ｎ−ＣＨ＝Ｒ+ と表されるが、中央のビニル基の数ｎの
数が増加するにつれ深色側に最大吸収波長が移動すると
いわれ、ｎの増加につれ約１００ｎｍづつ深色になるの
で、本発明で用いる有機金属色素化合物としては、その
吸収波長が最も望ましい領域にあるものを選択し、シア
ニン色素と併用すると、両者の吸収スペクトル曲線が交
叉し、しかも有機金属色素化合物の最大吸収波長をシア
ニン色素の最大吸収波長より長波長側に存在するよう
に、両色素の選択を行うことが容易になり、長波長側の
ものがシアニン色素の退色劣化を防ぎ、シアニン色素の
太陽光による退色劣化をより抑制し易くなる。このよう
に、添加色素（安定化色素）としての本発明で用いる有
機金属色素化合物の方が長波長に吸収があることによ
り、光媒体用色素としての例えばシアニン色素が光によ
り励起されたエネルギーは光安定化色素に移動する。ま
た、有機金属色素化合物の金属が例えば銅、コバルト等
の遷移金属であれば光により励起された一重項酸素を消
光する。
ｎ−ＣＨ＝Ｒ+ と表されるが、中央のビニル基の数ｎの
数が増加するにつれ深色側に最大吸収波長が移動すると
いわれ、ｎの増加につれ約１００ｎｍづつ深色になるの
で、本発明で用いる有機金属色素化合物としては、その
吸収波長が最も望ましい領域にあるものを選択し、シア
ニン色素と併用すると、両者の吸収スペクトル曲線が交
叉し、しかも有機金属色素化合物の最大吸収波長をシア
ニン色素の最大吸収波長より長波長側に存在するよう
に、両色素の選択を行うことが容易になり、長波長側の
ものがシアニン色素の退色劣化を防ぎ、シアニン色素の
太陽光による退色劣化をより抑制し易くなる。このよう
に、添加色素（安定化色素）としての本発明で用いる有
機金属色素化合物の方が長波長に吸収があることによ
り、光媒体用色素としての例えばシアニン色素が光によ
り励起されたエネルギーは光安定化色素に移動する。ま
た、有機金属色素化合物の金属が例えば銅、コバルト等
の遷移金属であれば光により励起された一重項酸素を消
光する。
【００３０】上記のヒートモードによる記録用有機色素
と有機金属色素化合物の混合比は、前者１００重量部に
対して後者を０．１〜５０重量部、好ましくは１〜２０
重量部がよい。０．１重量部より少ないと、記録用有機
色素の太陽光による退色劣化を抑制する効果が明確に現
れ難いことがあり、また、５０重量部より多いと記録用
有機色素の濃度が希釈され、再生パワーが高くなった
り、反射率が高くとれなくなったりするので、好ましく
ない場合がある。
と有機金属色素化合物の混合比は、前者１００重量部に
対して後者を０．１〜５０重量部、好ましくは１〜２０
重量部がよい。０．１重量部より少ないと、記録用有機
色素の太陽光による退色劣化を抑制する効果が明確に現
れ難いことがあり、また、５０重量部より多いと記録用
有機色素の濃度が希釈され、再生パワーが高くなった
り、反射率が高くとれなくなったりするので、好ましく
ない場合がある。
【００３１】本発明の光情報記録媒体を製造するには、
上記一般式〔化１〕で示されるシアニン色素等の記録用
有機色素を例えば上記の有機金属色素化合物とともに溶
解した色素溶液を調製し、これを透光性の基板に塗布す
る。このシアニン色素の色素溶液にはクロロホルム、ジ
クロロエタン、フッ素化アルコール等のフッソ系溶剤、
メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、メタノー
ル、トルエン、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、
ジアセトンアルコール、メチルセロソルブ等のセロソル
ブ類、ジオキサン等を用いることができる。この場合の
シアニン色素の混合割合は１重量％〜１０重量％が好ま
しい。また、本発明に用いられる基板には、ガラスや、
エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等のプラスチックスが例示される。この基板
にはトラック溝あるいはピットが形成されていてもよ
く、また、アドレス信号に必要な信号を有するものでも
よい。また、上記シアニン色素溶液を基板に塗布するに
はスピンコート法を用いることが好ましい。この場合乾
燥後の塗布層の厚さは従来用いられているものが適用で
きる。また、本発明において使用される上記一般式〔化
３０〕等の安定化色素には、自動酸化防止剤、紫外線吸
収剤、過酸化物分解剤、スーパーオキシド、クェンチャ
ー等の他の化合物を併用してもよい。
上記一般式〔化１〕で示されるシアニン色素等の記録用
有機色素を例えば上記の有機金属色素化合物とともに溶
解した色素溶液を調製し、これを透光性の基板に塗布す
る。このシアニン色素の色素溶液にはクロロホルム、ジ
クロロエタン、フッ素化アルコール等のフッソ系溶剤、
メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミド、メタノー
ル、トルエン、シクロヘキサノン、アセチルアセトン、
ジアセトンアルコール、メチルセロソルブ等のセロソル
ブ類、ジオキサン等を用いることができる。この場合の
シアニン色素の混合割合は１重量％〜１０重量％が好ま
しい。また、本発明に用いられる基板には、ガラスや、
エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等のプラスチックスが例示される。この基板
にはトラック溝あるいはピットが形成されていてもよ
く、また、アドレス信号に必要な信号を有するものでも
よい。また、上記シアニン色素溶液を基板に塗布するに
はスピンコート法を用いることが好ましい。この場合乾
燥後の塗布層の厚さは従来用いられているものが適用で
きる。また、本発明において使用される上記一般式〔化
３０〕等の安定化色素には、自動酸化防止剤、紫外線吸
収剤、過酸化物分解剤、スーパーオキシド、クェンチャ
ー等の他の化合物を併用してもよい。
【００３２】上記の光干渉層のほかに反射層を設けても
よく、また、その反射層の上に保護層、さらには基板面
（レーザー光の入射側）に保護層を有する場合でもよ
い。反射層としては、蒸着、スパッタリング等により形
成したＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、これらの各々そ
の他の合金、さらにはこれら以外の微量成分が添加され
た合金等の金属膜等の高反射率材料膜が挙げられ、保護
層としては光情報記録媒体の保護と耐候性の向上等の目
的で紫外線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂の溶液をス
ピンコート法等により塗布し、硬化させた塗布層が挙げ
られる。
よく、また、その反射層の上に保護層、さらには基板面
（レーザー光の入射側）に保護層を有する場合でもよ
い。反射層としては、蒸着、スパッタリング等により形
成したＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、これらの各々そ
の他の合金、さらにはこれら以外の微量成分が添加され
た合金等の金属膜等の高反射率材料膜が挙げられ、保護
層としては光情報記録媒体の保護と耐候性の向上等の目
的で紫外線硬化型樹脂等の放射線硬化型樹脂の溶液をス
ピンコート法等により塗布し、硬化させた塗布層が挙げ
られる。
【００３３】このようにして基板の上に色素層を含む光
干渉層、反射層を設け、さらには保護層などが設けられ
た光ディスクが得られる。その光干渉層を少なくとも有
した他の同様な構成あるいは別の構成の光ディスクを貼
り合わせたり、あるいは基板そのものを対向させて貼り
合わせたりしてもよい。この貼り合わせのための材料、
方法としては、紫外線硬化樹脂、カチオン性硬化樹脂、
両面粘着シートや、ホットメルト法、スピンコート法、
ディスペンス法（押し出し法）、スクリーン印刷法、ロ
ールコート方式等が用いられる。
干渉層、反射層を設け、さらには保護層などが設けられ
た光ディスクが得られる。その光干渉層を少なくとも有
した他の同様な構成あるいは別の構成の光ディスクを貼
り合わせたり、あるいは基板そのものを対向させて貼り
合わせたりしてもよい。この貼り合わせのための材料、
方法としては、紫外線硬化樹脂、カチオン性硬化樹脂、
両面粘着シートや、ホットメルト法、スピンコート法、
ディスペンス法（押し出し法）、スクリーン印刷法、ロ
ールコート方式等が用いられる。
【００３４】
【発明の実施の形態】詳細は以下の実施例により説明す
るが、ポリカーボネート基板を用い、光干渉層の色素層
を、上記一般式〔化１〕に属する化合物であって、Ｉ．
Ｂが１の場合で、 上記一般式〔化２〕と〔化７〕の
組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2が共に水素原子、
Ｒ、Ｒ’が同種でも異種であってもよいプロピル基、ブ
チル基等の低級アルキル基である色素、 上記一般式
〔化２〕と〔化６〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、
Ｄ2 が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’が同種のエチル基等の低
級アルキル基である色素、 上記一般式〔化２〕と
〔化６〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2 が共に
メチル基等の低級アルキル基、Ｒ、Ｒ’が同種の炭素数
６〜１０のアルキル基である色素、 上記一般式〔化
３〕と〔化７〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2
が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’が同種の低級アルキル基を含
む炭素数１〜７のアルキル基である色素、ＩＩ．Ｂが２
の場合で、上記一般式〔化２〕と〔化６〕又は一般式
〔化３〕と〔化７〕の組み合わせからなる色素、その中
で、 特にＤ1 、Ｄ2 が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’がプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基であって、同種
であっても異種であってもよい色素、さらにこれらＩ、
ＩＩの中でも、特にＸ- がＣｌＯ4 - （過塩素酸）又は
ハロゲンの陰イオンである色素のそれぞれのインドレニ
ン系のシアニン色素について、これらＩの〜、ＩＩ
の〜の各々に属するそれぞれの色素又はそれぞれの
グループにおいて複数を併用する。また、このインドレ
ニン系のシアニン色素と併用する有機金属色素化合物と
しては、Ｉ．上記一般式〔化１０〕において、 Ｍ1
がＣｕ、 ｎ1 が１又は２、 Ｒ1 が共にエチル
基、 Ｒ2 がメチル基、 Ｙ1 がＣｌＯ4 - の任意
の組み合わせが可能な化合物、ＩＩ．上記一般式〔化１
１〕において、 Ｍ2 がＣｕ、 ｎ2 が２、 Ｒ
3 が共にエチル基、 Ｒ4 が共にエチル基、 Ｙ2
がＣｌＯ4 - の任意の組み合わせが可能な化合物を用
い、また、ＩＩＩ．これらのそれぞれの化合物と上記一
般式〔１２〕において、 Ｍ3 がＮｉ、 ｎ3 が
２、 Ｒ5 が共にエチル基、 Ｒ6 がメチル基、
Ｙ3 が ＣｌＯ4 - の任意の組み合わせが可能な化合
物を併用する。また、ＩＶ．上記一般式〔３１〕におい
て、 Ｍ02がＣｏ又はＣｕ、 Ｒ03が共にエチル
基、Ｙ02がＣｌ- 、ＣｌＯ4 - 、ＰＦ6 - 、ＢＦ4 -
又はＮＯ3 - の任意の組み合わせが可能な化合物を用い
る。これらにおいて、例えばから、からに到る
まで順次限定を加えることが挙げられる。これらのシア
ニン色素はＩの中の具体的色素の単独又は複数、ＩＩの
中の具体的色素の単独又は複数を用い、上記有機金属化
合物についてもそれぞれの一般式に属する具体的化合物
の単独、複数又は各一般式に跨がってそれぞれの具体的
化合物の複数を用い、それぞれ併用するシアニン色素及
び有機金属色素化合物の溶液を用いてスピンコート法に
より形成し、スパッタリングによるＡｕ又はＡｌの反射
層を設け、その上に紫外線硬化樹脂からなる保護層をス
ピンコート法により形成し、ＣＤ−Ｒ型光ディスクとす
るか、さらにポリカーボネート基板をスピンコート法に
よる紫外線硬化樹脂からなる接着剤層により貼り合わ
せ、貼り合わせ型のＤＶＤ−Ｒ型等の光ディスクを得
る。このように、シアニン色素と有機金属色素化合物を
組み合わせると、それぞれの吸収スペクトル曲線が交叉
し、しかもシアニン色素の最大吸収波長よりも有機金属
色素化合物の最大吸収波長が長波長側に位置するように
両色素を選択することができ、シアニン色素が吸収する
光エネルギーの一部を長波長側に最大吸収をもつ有機金
属色素化合物に移転させ、その移転させた分シアニン色
素の光劣化である退色を抑制し、しかも有機金属色素化
合物は長波長側に最大吸収があるので、移転された光エ
ネルギーは長波長側で吸収され、それだけ光エネルギー
としては低いレベルのエネルギーを吸収し、有機金属色
素化合物の光劣化も所定の性能に従って行われ、特に促
進されるということはない。また、有機金属色素化合物
中の銅又はコバルトは光により励起された一重項酸素を
消光する。
るが、ポリカーボネート基板を用い、光干渉層の色素層
を、上記一般式〔化１〕に属する化合物であって、Ｉ．
Ｂが１の場合で、 上記一般式〔化２〕と〔化７〕の
組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2が共に水素原子、
Ｒ、Ｒ’が同種でも異種であってもよいプロピル基、ブ
チル基等の低級アルキル基である色素、 上記一般式
〔化２〕と〔化６〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、
Ｄ2 が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’が同種のエチル基等の低
級アルキル基である色素、 上記一般式〔化２〕と
〔化６〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2 が共に
メチル基等の低級アルキル基、Ｒ、Ｒ’が同種の炭素数
６〜１０のアルキル基である色素、 上記一般式〔化
３〕と〔化７〕の組み合わせで、好ましくはＤ1 、Ｄ2
が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’が同種の低級アルキル基を含
む炭素数１〜７のアルキル基である色素、ＩＩ．Ｂが２
の場合で、上記一般式〔化２〕と〔化６〕又は一般式
〔化３〕と〔化７〕の組み合わせからなる色素、その中
で、 特にＤ1 、Ｄ2 が共に水素原子、Ｒ、Ｒ’がプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基であって、同種
であっても異種であってもよい色素、さらにこれらＩ、
ＩＩの中でも、特にＸ- がＣｌＯ4 - （過塩素酸）又は
ハロゲンの陰イオンである色素のそれぞれのインドレニ
ン系のシアニン色素について、これらＩの〜、ＩＩ
の〜の各々に属するそれぞれの色素又はそれぞれの
グループにおいて複数を併用する。また、このインドレ
ニン系のシアニン色素と併用する有機金属色素化合物と
しては、Ｉ．上記一般式〔化１０〕において、 Ｍ1
がＣｕ、 ｎ1 が１又は２、 Ｒ1 が共にエチル
基、 Ｒ2 がメチル基、 Ｙ1 がＣｌＯ4 - の任意
の組み合わせが可能な化合物、ＩＩ．上記一般式〔化１
１〕において、 Ｍ2 がＣｕ、 ｎ2 が２、 Ｒ
3 が共にエチル基、 Ｒ4 が共にエチル基、 Ｙ2
がＣｌＯ4 - の任意の組み合わせが可能な化合物を用
い、また、ＩＩＩ．これらのそれぞれの化合物と上記一
般式〔１２〕において、 Ｍ3 がＮｉ、 ｎ3 が
２、 Ｒ5 が共にエチル基、 Ｒ6 がメチル基、
Ｙ3 が ＣｌＯ4 - の任意の組み合わせが可能な化合
物を併用する。また、ＩＶ．上記一般式〔３１〕におい
て、 Ｍ02がＣｏ又はＣｕ、 Ｒ03が共にエチル
基、Ｙ02がＣｌ- 、ＣｌＯ4 - 、ＰＦ6 - 、ＢＦ4 -
又はＮＯ3 - の任意の組み合わせが可能な化合物を用い
る。これらにおいて、例えばから、からに到る
まで順次限定を加えることが挙げられる。これらのシア
ニン色素はＩの中の具体的色素の単独又は複数、ＩＩの
中の具体的色素の単独又は複数を用い、上記有機金属化
合物についてもそれぞれの一般式に属する具体的化合物
の単独、複数又は各一般式に跨がってそれぞれの具体的
化合物の複数を用い、それぞれ併用するシアニン色素及
び有機金属色素化合物の溶液を用いてスピンコート法に
より形成し、スパッタリングによるＡｕ又はＡｌの反射
層を設け、その上に紫外線硬化樹脂からなる保護層をス
ピンコート法により形成し、ＣＤ−Ｒ型光ディスクとす
るか、さらにポリカーボネート基板をスピンコート法に
よる紫外線硬化樹脂からなる接着剤層により貼り合わ
せ、貼り合わせ型のＤＶＤ−Ｒ型等の光ディスクを得
る。このように、シアニン色素と有機金属色素化合物を
組み合わせると、それぞれの吸収スペクトル曲線が交叉
し、しかもシアニン色素の最大吸収波長よりも有機金属
色素化合物の最大吸収波長が長波長側に位置するように
両色素を選択することができ、シアニン色素が吸収する
光エネルギーの一部を長波長側に最大吸収をもつ有機金
属色素化合物に移転させ、その移転させた分シアニン色
素の光劣化である退色を抑制し、しかも有機金属色素化
合物は長波長側に最大吸収があるので、移転された光エ
ネルギーは長波長側で吸収され、それだけ光エネルギー
としては低いレベルのエネルギーを吸収し、有機金属色
素化合物の光劣化も所定の性能に従って行われ、特に促
進されるということはない。また、有機金属色素化合物
中の銅又はコバルトは光により励起された一重項酸素を
消光する。
【００３５】
【実施例】実施例１ アセトン溶液での吸収スペクトルが図１に示され、その
最大吸収波長λmax が５６８ｎｍである下記〔化２２〕
で示されるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４３２１
（日本感光色素研究所製）１５重量部と、９９％エタノ
ール溶液での吸収スペクトルが図２IIで示され、その最
大吸収波長λmaX が７２１ｎｍ（ε＝６０，０００）で
ある下記〔化２３〕で示される８−アザ−４−（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４
Ｈ）−ナフタレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物
１．５重量部をテトラフルオロプロパノール１リットル
に溶解し、その溶液をスピンコート法により厚さ０．６
ｍｍ、外径（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円
盤に塗布し、膜厚４０ｎｍの感光色素膜からなる光干渉
層を形成した。なお、８−アザ−４−（４−ジエチルア
ミノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナ
フタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素酸化物（Ｃ40Ｈ
42Ｎ6Ｏ10Ｃｌ2 Ｃｕ（分子量Ｍw ＝９００．５））の
９９％エタノール溶液での吸収スペクトルは図２Ｉ（最
大吸収波長７７６ｎｍ（ε＝１４４，０００））で示さ
れている。
最大吸収波長λmax が５６８ｎｍである下記〔化２２〕
で示されるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４３２１
（日本感光色素研究所製）１５重量部と、９９％エタノ
ール溶液での吸収スペクトルが図２IIで示され、その最
大吸収波長λmaX が７２１ｎｍ（ε＝６０，０００）で
ある下記〔化２３〕で示される８−アザ−４−（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４
Ｈ）−ナフタレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物
１．５重量部をテトラフルオロプロパノール１リットル
に溶解し、その溶液をスピンコート法により厚さ０．６
ｍｍ、外径（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円
盤に塗布し、膜厚４０ｎｍの感光色素膜からなる光干渉
層を形成した。なお、８−アザ−４−（４−ジエチルア
ミノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナ
フタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素酸化物（Ｃ40Ｈ
42Ｎ6Ｏ10Ｃｌ2 Ｃｕ（分子量Ｍw ＝９００．５））の
９９％エタノール溶液での吸収スペクトルは図２Ｉ（最
大吸収波長７７６ｎｍ（ε＝１４４，０００））で示さ
れている。
【００３６】
【化２２】
【００３７】
【化２３】
【００３８】この光干渉層を形成した円盤をアトラス・
エレクトリック社製ウェーザーメータで２０時間露光
し、その露光後の感光色素膜について上記トリメチン系
シアニン色素の最大吸収波長λmax ＝５６８ｎｍにおけ
る吸収率を測定し、その露光前の感光色素膜の同様な吸
収率に対する百分率を求め、これを色素吸収残存率とし
て表１に示す。
エレクトリック社製ウェーザーメータで２０時間露光
し、その露光後の感光色素膜について上記トリメチン系
シアニン色素の最大吸収波長λmax ＝５６８ｎｍにおけ
る吸収率を測定し、その露光前の感光色素膜の同様な吸
収率に対する百分率を求め、これを色素吸収残存率とし
て表１に示す。
【００３９】この試験後の光干渉層上に基板の４４ｍｍ
φから１１７ｍｍφの領域の全面にスパッタリング法に
より膜厚８０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成し
た。また、この反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−２１
１（大日本インキ化学工業社製）をスピンコートし、そ
の塗膜に紫外線を照射して硬化させ、膜厚５μｍの保護
膜を形成した。さらに、この基板の保護膜及びその保護
膜が形成されていない光干渉層の上に紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３１８（大日本インキ化学工業社製）を滴下した
後、上記と同様の他の基板をその上に置き、その間隙に
スピンコート法により樹脂を拡散させた後、再度紫外線
を重ねた基板側から照射して硬化させ、当初からの基板
の３２ｍｍφから１２０ｍｍφの領域に樹脂からなる厚
さ２５μｍの接着層を形成することにより重ねた基板を
貼り合わせ、貼り合わせ型の光ディスクを作製した。こ
のようにして作製された光ディスクに、レーザー波長＝
６３５ｎｍのＤＤＵ−１０００（パルステック社の記録
機）により、線速３．５ｍ／秒で記録し、横河電機社製
タイムインターバルアナライザー／ＴＡ−３２０でジッ
ター比（％）を測定した。ＤＶＤ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａ
ｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ ＤＩＳＣの規
格によれば、Ｄａｔａ ｔｏ Ｃｌｏｃｋ Ｊｉｔｔｅ
ｒ（ジッター）とは、チャンネルビットレート＝２６．
６Ｍｂｐｓ（３８．２３ｎｓｅｃ）を基準クロックとし
てバイナライズ・データ・エッジ信号の偏差値σを規格
化したものである。ジッターの評価基準については、最
小ピット長を０．４μｍとし、線速３．５ｍ／秒のＥＦ
Ｍ信号変調とする。さらにクロックで規格化すると信号
を誤って復調（デコード）しないためには、８％がその
限界であり、８％以下、すなわち大きくても８％である
ことが好ましい。上記の測定値の結果を表１に示す。こ
の実施例は、ＤＶＤ−Ｒ用の光ディスクの例であり、ト
リメチン鎖の両側の環構造が非対称のシアニン色素とナ
フタレノン誘導体を併用した例であるが、色素吸収残存
率は高く、波長６３５ｎｍのレーザー光により記録及び
再生が可能であり、ジッターは高くないことが分かる。
φから１１７ｍｍφの領域の全面にスパッタリング法に
より膜厚８０ｎｍのＡｕ膜を成膜し、反射層を形成し
た。また、この反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−２１
１（大日本インキ化学工業社製）をスピンコートし、そ
の塗膜に紫外線を照射して硬化させ、膜厚５μｍの保護
膜を形成した。さらに、この基板の保護膜及びその保護
膜が形成されていない光干渉層の上に紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３１８（大日本インキ化学工業社製）を滴下した
後、上記と同様の他の基板をその上に置き、その間隙に
スピンコート法により樹脂を拡散させた後、再度紫外線
を重ねた基板側から照射して硬化させ、当初からの基板
の３２ｍｍφから１２０ｍｍφの領域に樹脂からなる厚
さ２５μｍの接着層を形成することにより重ねた基板を
貼り合わせ、貼り合わせ型の光ディスクを作製した。こ
のようにして作製された光ディスクに、レーザー波長＝
６３５ｎｍのＤＤＵ−１０００（パルステック社の記録
機）により、線速３．５ｍ／秒で記録し、横河電機社製
タイムインターバルアナライザー／ＴＡ−３２０でジッ
ター比（％）を測定した。ＤＶＤ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａ
ｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ ＤＩＳＣの規
格によれば、Ｄａｔａ ｔｏ Ｃｌｏｃｋ Ｊｉｔｔｅ
ｒ（ジッター）とは、チャンネルビットレート＝２６．
６Ｍｂｐｓ（３８．２３ｎｓｅｃ）を基準クロックとし
てバイナライズ・データ・エッジ信号の偏差値σを規格
化したものである。ジッターの評価基準については、最
小ピット長を０．４μｍとし、線速３．５ｍ／秒のＥＦ
Ｍ信号変調とする。さらにクロックで規格化すると信号
を誤って復調（デコード）しないためには、８％がその
限界であり、８％以下、すなわち大きくても８％である
ことが好ましい。上記の測定値の結果を表１に示す。こ
の実施例は、ＤＶＤ−Ｒ用の光ディスクの例であり、ト
リメチン鎖の両側の環構造が非対称のシアニン色素とナ
フタレノン誘導体を併用した例であるが、色素吸収残存
率は高く、波長６３５ｎｍのレーザー光により記録及び
再生が可能であり、ジッターは高くないことが分かる。
【００４０】実施例２ エタノール溶液での吸収スペクトルが図３に示され、そ
の最大吸収波長λmaxが６５１ｎｍである下記〔化２
４〕で示されるペンタメチン系シアニン色素ＮＫ−３３
４５（日本感光色素研究所製）２０重量部と、エタノー
ル溶液での吸収スペクトルが図４に示され、その最大吸
収波長λmax が６８４ｎｍである下記〔化２５〕で示さ
れるペンタメチン系シアニン色素ＮＫ−３２５１（日本
感光色素研究所製）２０重量部を、メチルセロソルブ
０．８リットルとエチルセロソルブ０．２リットルの混
合溶媒に溶解し、さらに９９％エタノール溶液での吸収
スペトクトルが図５に示され、その最大吸収波長λmaX
が７６１ｎｍ（ε＝３０，８００）である下記〔化２
６〕で示される８−アザ−４−（４−ジエチルアミノ−
３−Ｎ，Ｎ−ジエチルスルホアミドフェニルイミノ１
（４Ｈ）ナフタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素化物
１．５重量部と、エタノ−ル溶液での吸収スペクトルが
図６Ｉに示され、最大吸収波長λmax が８３８ｎｍ（ε
＝５４，４００）である下記〔化２７〕で示される３−
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニルイミノ）−
ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン（２：１）ニッケ
ル錯体のジ過塩素酸化物（Ｃ52Ｈ48Ｎ8 Ｏ8 Ｃｌ2 Ｎｉ
Ｓ2 、分子量１，１０５．９）０．５重量部を溶解し、
その溶液をスピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径
（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布
し、膜厚６５ｎｍの感光色素膜からなる光干渉層を形成
した。なお、３−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
ェニルイミノ）−ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン
（１：１）ニッケル錯体のジ過塩素酸化物のエタノ−ル
溶液での吸収スペクトルが図６IIに示され、最大吸収波
長λmax が８１７ｎｍである。
の最大吸収波長λmaxが６５１ｎｍである下記〔化２
４〕で示されるペンタメチン系シアニン色素ＮＫ−３３
４５（日本感光色素研究所製）２０重量部と、エタノー
ル溶液での吸収スペクトルが図４に示され、その最大吸
収波長λmax が６８４ｎｍである下記〔化２５〕で示さ
れるペンタメチン系シアニン色素ＮＫ−３２５１（日本
感光色素研究所製）２０重量部を、メチルセロソルブ
０．８リットルとエチルセロソルブ０．２リットルの混
合溶媒に溶解し、さらに９９％エタノール溶液での吸収
スペトクトルが図５に示され、その最大吸収波長λmaX
が７６１ｎｍ（ε＝３０，８００）である下記〔化２
６〕で示される８−アザ−４−（４−ジエチルアミノ−
３−Ｎ，Ｎ−ジエチルスルホアミドフェニルイミノ１
（４Ｈ）ナフタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素化物
１．５重量部と、エタノ−ル溶液での吸収スペクトルが
図６Ｉに示され、最大吸収波長λmax が８３８ｎｍ（ε
＝５４，４００）である下記〔化２７〕で示される３−
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニルイミノ）−
ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン（２：１）ニッケ
ル錯体のジ過塩素酸化物（Ｃ52Ｈ48Ｎ8 Ｏ8 Ｃｌ2 Ｎｉ
Ｓ2 、分子量１，１０５．９）０．５重量部を溶解し、
その溶液をスピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径
（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布
し、膜厚６５ｎｍの感光色素膜からなる光干渉層を形成
した。なお、３−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフ
ェニルイミノ）−ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン
（１：１）ニッケル錯体のジ過塩素酸化物のエタノ−ル
溶液での吸収スペクトルが図６IIに示され、最大吸収波
長λmax が８１７ｎｍである。
【００４１】
【化２４】
【００４２】
【化２５】
【００４３】
【化２６】
【００４４】
【化２７】
【００４５】この光干渉層を形成した円盤をアトラス・
エレクトリック社製ウェーザーメータで２０時間露光
し、その露光後の感光色素膜について上記ペンタメチン
系シアニン色素の最大吸収波長λmax ＝６８４ｎｍにお
ける吸収率を測定し、その露光前の感光色素膜の同様な
吸収率に対する百分率を求め、これを色素残存吸収率と
して表１に示す。
エレクトリック社製ウェーザーメータで２０時間露光
し、その露光後の感光色素膜について上記ペンタメチン
系シアニン色素の最大吸収波長λmax ＝６８４ｎｍにお
ける吸収率を測定し、その露光前の感光色素膜の同様な
吸収率に対する百分率を求め、これを色素残存吸収率と
して表１に示す。
【００４６】この試験後の光干渉層上に上記実施例１と
同様にして反射膜、保護層を順次形成し、光ディスクを
作製した。この光ディスクについて、レーザー波長＝７
８４ｎｍのＤＤＵ−１０００（パルステック社の記録
機）により、線速１．２ｍ／秒で記録し、ＢＬＥＲ（ｃ
ｐｓ）を測定した結果を表１に示す。この実施例は、Ｃ
Ｄ−Ｒ用の光ディスクの例であり、ペンタメチン系のシ
アニン色素の２種類とナフタレノン誘導体及びピリドフ
ェノチアジン誘導体を併用した例であるが、波長７８４
ｎｍのレーザー光により記録及び再生が可能であり、エ
ラーは少ないことが分かる。なお、上記の銅錯体、ニッ
ケル錯体、これらに対応する化学式及び図２、図５、図
６は、「ＪＯＥＭ ＨＡＮＤＢＯＯＫ ２、ＡＢＳＯＲ
ＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＡ ＯＦ ＤＹＥＳ ＦＯＲ
ＤＩＯＤＥ ＬＡＳＥＲＳ ｂｙ Ｍａｓａｒｕ Ｍ
ＡＴＳＵＯＫＡ」（ＢＵＮＳＨＩＮ ＰＵＢＬＩＳＨＩ
ＮＧ Ｃｏ．（ぶんしん出版）ＴＯＴＹＯ，ＪＡＰＡ
Ｎ、１９９０年８月２５日発行）に記載されているもの
を引用したものである。
同様にして反射膜、保護層を順次形成し、光ディスクを
作製した。この光ディスクについて、レーザー波長＝７
８４ｎｍのＤＤＵ−１０００（パルステック社の記録
機）により、線速１．２ｍ／秒で記録し、ＢＬＥＲ（ｃ
ｐｓ）を測定した結果を表１に示す。この実施例は、Ｃ
Ｄ−Ｒ用の光ディスクの例であり、ペンタメチン系のシ
アニン色素の２種類とナフタレノン誘導体及びピリドフ
ェノチアジン誘導体を併用した例であるが、波長７８４
ｎｍのレーザー光により記録及び再生が可能であり、エ
ラーは少ないことが分かる。なお、上記の銅錯体、ニッ
ケル錯体、これらに対応する化学式及び図２、図５、図
６は、「ＪＯＥＭ ＨＡＮＤＢＯＯＫ ２、ＡＢＳＯＲ
ＰＴＩＯＮ ＳＰＥＣＴＲＡ ＯＦ ＤＹＥＳ ＦＯＲ
ＤＩＯＤＥ ＬＡＳＥＲＳ ｂｙ Ｍａｓａｒｕ Ｍ
ＡＴＳＵＯＫＡ」（ＢＵＮＳＨＩＮ ＰＵＢＬＩＳＨＩ
ＮＧ Ｃｏ．（ぶんしん出版）ＴＯＴＹＯ，ＪＡＰＡ
Ｎ、１９９０年８月２５日発行）に記載されているもの
を引用したものである。
【００４７】比較例１ 実施例１において、８−アザ−４−（４−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物を使用しなか
った以外は同様にして感光色素膜からなる光干渉層を有
する円盤を形成し、これについて実施例１と同様に測定
した結果を表１に示す。また、実施例１と同様にして貼
り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッターを測定した
結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ型光ディ
スクの例であるが、有機金属色素化合物を使用しなかっ
たため、色素吸収残存率も低く、シアニン色素の退色の
ためジッターも悪くなっている。
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物を使用しなか
った以外は同様にして感光色素膜からなる光干渉層を有
する円盤を形成し、これについて実施例１と同様に測定
した結果を表１に示す。また、実施例１と同様にして貼
り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッターを測定した
結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ型光ディ
スクの例であるが、有機金属色素化合物を使用しなかっ
たため、色素吸収残存率も低く、シアニン色素の退色の
ためジッターも悪くなっている。
【００４８】比較例２ 実施例２において、 ８−アザ−４−（４−ジエチルア
ミノ−３−Ｎ，Ｎ−ジエチルスルホアミドフェニルイミ
ノ１（４Ｈ）ナフタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素
化物と３−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル
イミノ）−ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン（２：
１）ニッケル錯体のジ過塩素酸化物を使用しなかった以
外は同様にして感光色素膜からなる光干渉層を有する円
盤を形成し、これについて実施例１と同様に測定した結
果を表１に示す。また、実施例２と同様にして光ディス
クを作製し、ＢＬＥＲを測定した結果を表１に示す。こ
の比較例は、ＣＤ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機
金属色素化合物を使用しなかったため、色素吸収残存率
も低く、シアニン色素の退色のためエラーも多くなって
いる。
ミノ−３−Ｎ，Ｎ−ジエチルスルホアミドフェニルイミ
ノ１（４Ｈ）ナフタレノン（２：１）銅錯体のジ過塩素
化物と３−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル
イミノ）−ピリド〔２，３−ａ〕フェノチアジン（２：
１）ニッケル錯体のジ過塩素酸化物を使用しなかった以
外は同様にして感光色素膜からなる光干渉層を有する円
盤を形成し、これについて実施例１と同様に測定した結
果を表１に示す。また、実施例２と同様にして光ディス
クを作製し、ＢＬＥＲを測定した結果を表１に示す。こ
の比較例は、ＣＤ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機
金属色素化合物を使用しなかったため、色素吸収残存率
も低く、シアニン色素の退色のためエラーも多くなって
いる。
【００４９】比較例３ 実施例１において、８−アザ−４−（４−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物の代わりに、
ジメチルホルムアミド溶液での吸収スペクトルが図７に
示され、その最大吸収波長λmax ＝９８６ｎｍである下
記〔化２８〕で示されるＮＩＲ−４０３（日本カーリッ
ト社製）を使用した以外は同様にして感光色素膜からな
る光干渉層を有する円盤を形成し、これについて実施例
１と同様に測定した結果を表１に示す。また、実施例１
と同様にして貼り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッ
ターを測定した結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶ
Ｄ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物
を使用せず、一重項酸素クエンチャーを使用しても、色
素吸収残存率は低く、シアニン色素の退色のためシッタ
ーも実施例１のものより悪い。
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物の代わりに、
ジメチルホルムアミド溶液での吸収スペクトルが図７に
示され、その最大吸収波長λmax ＝９８６ｎｍである下
記〔化２８〕で示されるＮＩＲ−４０３（日本カーリッ
ト社製）を使用した以外は同様にして感光色素膜からな
る光干渉層を有する円盤を形成し、これについて実施例
１と同様に測定した結果を表１に示す。また、実施例１
と同様にして貼り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッ
ターを測定した結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶ
Ｄ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物
を使用せず、一重項酸素クエンチャーを使用しても、色
素吸収残存率は低く、シアニン色素の退色のためシッタ
ーも実施例１のものより悪い。
【００５０】
【化２８】
【００５１】比較例４ 実施例１において、８−アザ−４−（４−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物の代わりに、
ジメチルホルムアミド溶液での吸収スペクトルが図８に
示され、その最大吸収波長λmax ＝８７２ｎｍである下
記〔化２９〕で示されるＰＡ１００６（三井東圧社製）
を使用した以外は同様にして感光色素膜からなる光干渉
層を有する円盤を形成し、これについて実施例１と同様
に測定した結果を表１に示す。また、実施例１と同様に
して貼り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッターを測
定した結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ型
光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物を使用せ
ず、一重項酸素クエンチャーを使用しても、色素吸収残
存率は低く、シアニン色素の退色のためシッターも実施
例１のものより悪い。
ノ−２−メチルフェニル−イミノ）−１（４Ｈ）−ナフ
タレノン（１：１）銅錯体のジ過塩素化物の代わりに、
ジメチルホルムアミド溶液での吸収スペクトルが図８に
示され、その最大吸収波長λmax ＝８７２ｎｍである下
記〔化２９〕で示されるＰＡ１００６（三井東圧社製）
を使用した以外は同様にして感光色素膜からなる光干渉
層を有する円盤を形成し、これについて実施例１と同様
に測定した結果を表１に示す。また、実施例１と同様に
して貼り合わせ型の光ディスクを作製し、ジッターを測
定した結果を表１に示す。この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ型
光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物を使用せ
ず、一重項酸素クエンチャーを使用しても、色素吸収残
存率は低く、シアニン色素の退色のためシッターも実施
例１のものより悪い。
【００５２】
【化２９】
【００５３】これらの結果その他上述したことから、本
願発明（上記一般式〔化１０〕、〔化１１〕に属する化
合物を用いる場合、これらの各々又は両方と一般式〔化
１２〕に属する化合物を用いた場合）に、上記測定条件
下において「色素吸収残存率が９０％より小さくなく、
ジッターが７未満（特に好ましくは５より大きくない）
であるか又はＢＬＥＲが５より大きくない」の限定を加
えてもよく、また、「色素吸収残存率が一重項酸素クエ
ンチャーを用いる場合に比べて９％以上（少なくとも９
％）、その一重項酸素クエンチャーを用いない場合に比
べて８５％以上（少なくとも８５％）向上し、かつジッ
ターが７未満（特に好ましくは５より大きくない）であ
るか又はＢＬＥＲが５より大きくない」の限定を加えて
もよい。
願発明（上記一般式〔化１０〕、〔化１１〕に属する化
合物を用いる場合、これらの各々又は両方と一般式〔化
１２〕に属する化合物を用いた場合）に、上記測定条件
下において「色素吸収残存率が９０％より小さくなく、
ジッターが７未満（特に好ましくは５より大きくない）
であるか又はＢＬＥＲが５より大きくない」の限定を加
えてもよく、また、「色素吸収残存率が一重項酸素クエ
ンチャーを用いる場合に比べて９％以上（少なくとも９
％）、その一重項酸素クエンチャーを用いない場合に比
べて８５％以上（少なくとも８５％）向上し、かつジッ
ターが７未満（特に好ましくは５より大きくない）であ
るか又はＢＬＥＲが５より大きくない」の限定を加えて
もよい。
【００５４】実施例３ アセトン溶液での吸収スペクトルが図９（縦軸の「Ａｂ
ｓ」は吸光強度を示し、横軸の「ｎｍ」は波長の単位を
示す、以下の図においても同様）に示され、その最大吸
収波長λmax が５８８ｎｍである下記〔化３２〕で示さ
れるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４２８５（日本感
光色素研究所製）７．５重量部と、アセトン溶液での吸
収スペクトルが図１０に示され、その最大吸収波長λ
max が５４６ｎｍである下記〔化３３〕で示されるトリ
メチン系シアニン色素ＮＫ−４２７０（日本感光色素研
究所製）７．５重量部（合計で１５重量部）とを、エタ
ノール溶液での吸収スペクトルが図１１に示され、その
最大吸収波長λmax が７５２ｎｍである下記〔化３４〕
で示されるナフタレノン誘導体１．５重量部をテトラフ
ルオロプロパノール１リットルに溶解し、その溶液をス
ピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２
０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎ
ｍの感光色素膜からなる光干渉層を形成した。この光干
渉層を形成した円盤をアトラス・エレクトリック社製ウ
ェーザーメータで８０時間露光し、その露光後の感光色
素膜について上記トリメチン系シアニン色素の最大吸収
波長λmax ＝５４６ｎｍにおける吸収率を測定し、その
露光前の感光色素膜の同様な吸収率に対する百分率を求
め、これを色素吸収残存率として表２に示す。この試験
後の光干渉層上に上記実施例１と同様にして反射膜、保
護層を順次形成し、光ディスクを作製した。この光ディ
スクについて、実施例１と同様にしてジッター比（露光
後ジッター比（％））を測定した結果を表２に示す。な
お、上記ウェーザーメータによる露光を行う前の光干渉
層を有する円盤について上記と同様にして反射膜、保護
層を形成した光ディスクを作製し、これについても同様
にジッター比（露光前ジッター比（％））を測定した結
果を表２に示す。この実施例は、ＤＶＤ−Ｒ用の光ディ
スクの例であり、トリメチン鎖の両側の環構造が対称の
シアニン色素の２種類と上記一般式〔化３１〕に属する
ナフタレノン誘導体を併用した例であるが、色素残存率
は高く、波長６３５ｎｍのレーザー光により記録及び再
生が可能であり、ジッター比は高くないことがわかる。
ｓ」は吸光強度を示し、横軸の「ｎｍ」は波長の単位を
示す、以下の図においても同様）に示され、その最大吸
収波長λmax が５８８ｎｍである下記〔化３２〕で示さ
れるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４２８５（日本感
光色素研究所製）７．５重量部と、アセトン溶液での吸
収スペクトルが図１０に示され、その最大吸収波長λ
max が５４６ｎｍである下記〔化３３〕で示されるトリ
メチン系シアニン色素ＮＫ−４２７０（日本感光色素研
究所製）７．５重量部（合計で１５重量部）とを、エタ
ノール溶液での吸収スペクトルが図１１に示され、その
最大吸収波長λmax が７５２ｎｍである下記〔化３４〕
で示されるナフタレノン誘導体１．５重量部をテトラフ
ルオロプロパノール１リットルに溶解し、その溶液をス
ピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２
０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎ
ｍの感光色素膜からなる光干渉層を形成した。この光干
渉層を形成した円盤をアトラス・エレクトリック社製ウ
ェーザーメータで８０時間露光し、その露光後の感光色
素膜について上記トリメチン系シアニン色素の最大吸収
波長λmax ＝５４６ｎｍにおける吸収率を測定し、その
露光前の感光色素膜の同様な吸収率に対する百分率を求
め、これを色素吸収残存率として表２に示す。この試験
後の光干渉層上に上記実施例１と同様にして反射膜、保
護層を順次形成し、光ディスクを作製した。この光ディ
スクについて、実施例１と同様にしてジッター比（露光
後ジッター比（％））を測定した結果を表２に示す。な
お、上記ウェーザーメータによる露光を行う前の光干渉
層を有する円盤について上記と同様にして反射膜、保護
層を形成した光ディスクを作製し、これについても同様
にジッター比（露光前ジッター比（％））を測定した結
果を表２に示す。この実施例は、ＤＶＤ−Ｒ用の光ディ
スクの例であり、トリメチン鎖の両側の環構造が対称の
シアニン色素の２種類と上記一般式〔化３１〕に属する
ナフタレノン誘導体を併用した例であるが、色素残存率
は高く、波長６３５ｎｍのレーザー光により記録及び再
生が可能であり、ジッター比は高くないことがわかる。
【００５５】実施例４ 実施例３において、図１１に示されるナフタレノン誘導
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１２に示され、その最大吸収波長λmax が７４６ｎｍで
ある下記〔化３５〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。また、実施例１と同様にして貼り合
わせ型の光ディスクを作製し、ジッター比を測定した結
果を表２に示す。
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１２に示され、その最大吸収波長λmax が７４６ｎｍで
ある下記〔化３５〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。また、実施例１と同様にして貼り合
わせ型の光ディスクを作製し、ジッター比を測定した結
果を表２に示す。
【００５６】実施例５ 実施例３で用いた上記〔化３２〕で示されるトリメチン
系シアニン色素ＮＫ−４２８５（日本感光色素研究所
製）と上記〔化３３〕で示されるトリメチン系シアニン
色素ＮＫ−４２７０（日本感光色素研究所製）とを重量
比で８０：２０の割合で併用した色素１７重量部と、エ
タノール溶液での吸収スペクトルが図１３に示され、そ
の最大吸収波長λmax が７８６ｎｍである下記〔化３
６〕で示されるナフタレノン誘導体１．０重量部をジア
セトンアルコール１リットルに溶解し、その溶液をスピ
ンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２０
ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎｍ
の感光色素膜からなる光干渉層を形成した。以下、実施
例３と同様にして、色素吸収残存率を求めるともに、光
ディスクを作製してジッター比を測定した結果を表２に
示す。
系シアニン色素ＮＫ−４２８５（日本感光色素研究所
製）と上記〔化３３〕で示されるトリメチン系シアニン
色素ＮＫ−４２７０（日本感光色素研究所製）とを重量
比で８０：２０の割合で併用した色素１７重量部と、エ
タノール溶液での吸収スペクトルが図１３に示され、そ
の最大吸収波長λmax が７８６ｎｍである下記〔化３
６〕で示されるナフタレノン誘導体１．０重量部をジア
セトンアルコール１リットルに溶解し、その溶液をスピ
ンコート法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２０
ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎｍ
の感光色素膜からなる光干渉層を形成した。以下、実施
例３と同様にして、色素吸収残存率を求めるともに、光
ディスクを作製してジッター比を測定した結果を表２に
示す。
【００５７】実施例６ 実施例５において、図１３に示されるナフタレノン誘導
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１４に示され、その最大吸収波長λmax が７５２ｎｍで
ある下記〔化３７〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１４に示され、その最大吸収波長λmax が７５２ｎｍで
ある下記〔化３７〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
【００５８】実施例７ 実施例１で用いた上記〔化２２〕で示されるトリメチン
系シアニン色素ＮＫ−４３２１（日本感光色素研究所
製）２０重量部と、エタノール溶液での吸収スペクトル
が図１５に示され、その最大吸収波長λmax が７４８ｎ
ｍである下記〔化３８〕で示されるナフタレノン誘導体
１．０重量部をジアセトンアルコール１リットルに溶解
し、その溶液をスピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、
外径（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗
布し、膜厚６５ｎｍの感光色素膜からなる光干渉層を形
成した。以下、色素吸収残存率を求める際の波長をλ
max ＝５６８ｎｍとしたこと以外は実施例３と同様にし
て、色素吸収残存率を求めるともに、光ディスクを作製
してジッター比を測定した結果を表２に示す。
系シアニン色素ＮＫ−４３２１（日本感光色素研究所
製）２０重量部と、エタノール溶液での吸収スペクトル
が図１５に示され、その最大吸収波長λmax が７４８ｎ
ｍである下記〔化３８〕で示されるナフタレノン誘導体
１．０重量部をジアセトンアルコール１リットルに溶解
し、その溶液をスピンコート法により厚さ１．２ｍｍ、
外径（直径）１２０ｍｍφのポリカーボネート円盤に塗
布し、膜厚６５ｎｍの感光色素膜からなる光干渉層を形
成した。以下、色素吸収残存率を求める際の波長をλ
max ＝５６８ｎｍとしたこと以外は実施例３と同様にし
て、色素吸収残存率を求めるともに、光ディスクを作製
してジッター比を測定した結果を表２に示す。
【００５９】実施例８ 実施例７において、図１５に示されるナフタレノン誘導
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１６に示され、その最大吸収波長λmax が７０６ｎｍで
ある下記〔化３９〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１６に示され、その最大吸収波長λmax が７０６ｎｍで
ある下記〔化３９〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
【００６０】実施例９ 実施例７において、図１５に示されるナフタレノン誘導
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１７に示され、その最大吸収波長λmax が７５８ｎｍで
ある下記〔化４０〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１７に示され、その最大吸収波長λmax が７５８ｎｍで
ある下記〔化４０〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
【００６１】実施例１０ 実施例７において、図１５に示されるナフタレノン誘導
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１８に示され、その最大吸収波長λmax が７１０ｎｍで
ある下記〔化４１〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが図
１８に示され、その最大吸収波長λmax が７１０ｎｍで
ある下記〔化４１〕で示されるナフタレノン誘導体を用
いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。
【００６２】実施例１１ アセトン溶液での吸収スペクトルが図１９に示され、そ
の最大吸収波長λmaxが５５８ｎｍである下記〔化４
２〕で示されるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４４３
５（日本感光色素研究所製）２０重量部、エタノール溶
液での吸収スペクトルが図２０に示され、その最大吸収
波長λmax が７６６ｎｍである下記〔化４３〕で示され
るナフタレノン誘導体２．０重量部をテトラフルオロプ
ロパノール１リットルに溶解し、その溶液をスピンコー
ト法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２０ｍｍφ
のポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎｍの感光
色素膜からなる光干渉層を形成した。以下、色素吸収残
存率を求める際の波長をλmax ＝５５８ｎｍとしたこと
以外は実施例３と同様にして、色素吸収残存率を求める
ともに、光ディスクを作製してジッター比を測定した結
果を表２に示す。
の最大吸収波長λmaxが５５８ｎｍである下記〔化４
２〕で示されるトリメチン系シアニン色素ＮＫ−４４３
５（日本感光色素研究所製）２０重量部、エタノール溶
液での吸収スペクトルが図２０に示され、その最大吸収
波長λmax が７６６ｎｍである下記〔化４３〕で示され
るナフタレノン誘導体２．０重量部をテトラフルオロプ
ロパノール１リットルに溶解し、その溶液をスピンコー
ト法により厚さ１．２ｍｍ、外径（直径）１２０ｍｍφ
のポリカーボネート円盤に塗布し、膜厚６５ｎｍの感光
色素膜からなる光干渉層を形成した。以下、色素吸収残
存率を求める際の波長をλmax ＝５５８ｎｍとしたこと
以外は実施例３と同様にして、色素吸収残存率を求める
ともに、光ディスクを作製してジッター比を測定した結
果を表２に示す。
【００６３】実施例１２ 実施例１１において、図２０に示されるナフタレノン誘
導体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが
図２１に示され、その最大吸収波長λmax が７４２ｎｍ
である下記〔化４４〕で示されるナフタレノン誘導体を
用いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形
成し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製
し、それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求
めた結果を表２に示す。
導体の代わりに、エタノール溶液での吸収スペクトルが
図２１に示され、その最大吸収波長λmax が７４２ｎｍ
である下記〔化４４〕で示されるナフタレノン誘導体を
用いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤を形
成し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製
し、それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求
めた結果を表２に示す。
【００６４】比較例５ 実施例３において、図１１で示される上記〔化３４〕の
ナフタレノン誘導体を使用しなかったこと以外は同様に
して感光色素膜からなる光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。色素吸収残存率は比較例１、２に比
べ半分強であるが、露光時間は４倍であるので、比較例
１に比べ約２倍は優れるといえる。この比較例は、ＤＶ
Ｄ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物
を使用しなかったため、色素吸収残存率も低く、シアニ
ン色素の退色のためジッター比も悪くなっている。
ナフタレノン誘導体を使用しなかったこと以外は同様に
して感光色素膜からなる光干渉層を有する円盤を形成
し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作製し、
それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を求めた
結果を表２に示す。色素吸収残存率は比較例１、２に比
べ半分強であるが、露光時間は４倍であるので、比較例
１に比べ約２倍は優れるといえる。この比較例は、ＤＶ
Ｄ−Ｒ型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物
を使用しなかったため、色素吸収残存率も低く、シアニ
ン色素の退色のためジッター比も悪くなっている。
【００６５】比較例６ 実施例３において、図１１で示される上記〔化３４〕の
ナフタレノン誘導体の代わりに、クロロホルム溶液での
吸収スペクトルが図２２に示され、その最大吸収波長λ
max が６５８ｎｍである下記〔化４５〕で示される化合
物を用いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤
を形成し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作
製し、それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を
求めた結果を表２に示す。 この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ
型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物を使用
せず、遷移金属を有しないナフトレノン誘導体を使用し
ても、色素吸収残存率は低く、シアニン色素の退色のた
めシッター比は実施例３のものよりはるかに悪い。な
お、上記一般式〔化３０〕、〔化３１〕に属するナフタ
レノン誘導体は文献（吉田；Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ｐ１５６３〜１５６６ １９８７）により
容易に製造でき、実施例３以降で使用したナフタレノン
誘導体の構造とスペクトルを図９以降の対応する図に示
すことができた。
ナフタレノン誘導体の代わりに、クロロホルム溶液での
吸収スペクトルが図２２に示され、その最大吸収波長λ
max が６５８ｎｍである下記〔化４５〕で示される化合
物を用いたこと以外は同様にして光干渉層を有する円盤
を形成し、さらには同様の構成を有する光ディスクを作
製し、それぞれについて色素吸収残存率、ジッター比を
求めた結果を表２に示す。 この比較例は、ＤＶＤ−Ｒ
型光ディスクの例であるが、有機金属色素化合物を使用
せず、遷移金属を有しないナフトレノン誘導体を使用し
ても、色素吸収残存率は低く、シアニン色素の退色のた
めシッター比は実施例３のものよりはるかに悪い。な
お、上記一般式〔化３０〕、〔化３１〕に属するナフタ
レノン誘導体は文献（吉田；Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ｐ１５６３〜１５６６ １９８７）により
容易に製造でき、実施例３以降で使用したナフタレノン
誘導体の構造とスペクトルを図９以降の対応する図に示
すことができた。
【００６６】これらの結果その他上述したことから、本
願発明（上記一般式〔化３１〕に属する化合物を用いる
場合）に、上記測定条件下において「色素吸収残存率が
８８％より小さくなく、ジッターが７．２未満（特に好
ましくは７より大きくない）」の限定を加えてもよく、
また、「色素吸収残存率が無金属のナフタレノン誘導体
を用いる場合に比べて２．７５倍以上（少なくとも２．
７５倍）、そのナフタレノン誘導体を用いない場合に比
べて３．５２倍以上（少なくとも３．２５倍）向上し、
かつジッターが７．２未満（特に好ましくは７より大き
くない）」の限定を加えてもよい。また、上記本願発明
において、「一般式〔化１〕〕を上記一般式の種々の組
み合わせの一部に限定し、あるいは実施例、好ましい例
として挙げたシアニン色素の一部又は全部に限定しても
よく、さらにこれら全てにおいてその他の上述したこと
の中から限定事項を加えてもよい。なお、上記実施例の
通り以外の上記シアニン色素、上記有機金属色素化合物
も上記実施例を準用することができる。
願発明（上記一般式〔化３１〕に属する化合物を用いる
場合）に、上記測定条件下において「色素吸収残存率が
８８％より小さくなく、ジッターが７．２未満（特に好
ましくは７より大きくない）」の限定を加えてもよく、
また、「色素吸収残存率が無金属のナフタレノン誘導体
を用いる場合に比べて２．７５倍以上（少なくとも２．
７５倍）、そのナフタレノン誘導体を用いない場合に比
べて３．５２倍以上（少なくとも３．２５倍）向上し、
かつジッターが７．２未満（特に好ましくは７より大き
くない）」の限定を加えてもよい。また、上記本願発明
において、「一般式〔化１〕〕を上記一般式の種々の組
み合わせの一部に限定し、あるいは実施例、好ましい例
として挙げたシアニン色素の一部又は全部に限定しても
よく、さらにこれら全てにおいてその他の上述したこと
の中から限定事項を加えてもよい。なお、上記実施例の
通り以外の上記シアニン色素、上記有機金属色素化合物
も上記実施例を準用することができる。
【００６７】
【発明の効果】本発明によれば、ヒートモードによる記
録用有機色素と、この色素の吸収スペクトル曲線と交叉
する吸収スペクトル曲線を有し、かつその色素の最大吸
収波長より長波長側に最大吸収波長を有する有機金属色
素化合物を併用したので、長期間に渡る保存時の光劣化
を防止でき、しかも記録及び再生の性能を損なわず、ヒ
ートモードによる記録用色素の太陽光の吸収エネルギー
そのものを減らしてその光劣化を防止でき、安定化ラジ
カルやクエンチャーを添加しないでもよく、６００〜６
６０ｎｍのレーザーを用いて記録・再生するＤＶＤ−Ｒ
においても優れた耐光性を示し、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ
の従来の製造方法をその大きな変更なしにほぼ適用でき
る光情報記録媒体を提供することができる。
録用有機色素と、この色素の吸収スペクトル曲線と交叉
する吸収スペクトル曲線を有し、かつその色素の最大吸
収波長より長波長側に最大吸収波長を有する有機金属色
素化合物を併用したので、長期間に渡る保存時の光劣化
を防止でき、しかも記録及び再生の性能を損なわず、ヒ
ートモードによる記録用色素の太陽光の吸収エネルギー
そのものを減らしてその光劣化を防止でき、安定化ラジ
カルやクエンチャーを添加しないでもよく、６００〜６
６０ｎｍのレーザーを用いて記録・再生するＤＶＤ−Ｒ
においても優れた耐光性を示し、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ
の従来の製造方法をその大きな変更なしにほぼ適用でき
る光情報記録媒体を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例で使用するシアニン色素
の吸収スペクトルを示すグラフである。
の吸収スペクトルを示すグラフである。
【図２】その第１の実施例で使用する有機金属色素化合
物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトルを
示すグラフである。
物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトルを
示すグラフである。
【図３】本発明の第２の実施例で使用するシアニン色素
の吸収スペクトルを示すグラフである。
の吸収スペクトルを示すグラフである。
【図４】その実施例で使用する他のシアニン色素の吸収
スペクトルを示すグラフである。
スペクトルを示すグラフである。
【図５】その第２の実施例で使用する有機金属色素化合
物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトルを
示すグラフである。
物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトルを
示すグラフである。
【図６】その実施例で使用する有機金属色素化合物とし
てのピリドフェノチアジン誘導体色素の吸収スペクトル
を示すグラフである。
てのピリドフェノチアジン誘導体色素の吸収スペクトル
を示すグラフである。
【図７】第３の比較例で使用する一重項酸素クエンチャ
ーの吸収スペクトルを示すグラフである。
ーの吸収スペクトルを示すグラフである。
【図８】第４の比較例で使用する一重項酸素クエンチャ
ーの吸収スペクトルを示すグラフである。
ーの吸収スペクトルを示すグラフである。
【図９】本発明の第３の実施例で使用するシアニン色素
の吸収スペクトルを示すグラフである。
の吸収スペクトルを示すグラフである。
【図１０】その実施例で使用する他のシアニン色素の吸
収スペクトルを示すグラフである。
収スペクトルを示すグラフである。
【図１１】その第３の実施例で使用する有機金属色素化
合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトル
を示すグラフである。
合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクトル
を示すグラフである。
【図１２】本発明の第４の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１３】本発明の第５の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１４】本発明の第６の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１５】本発明の第７の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１６】本発明の第８の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１７】本発明の第９の実施例で使用する有機金属色
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペク
トルを示すグラフである。
【図１８】本発明の第１０の実施例で使用する有機金属
色素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペ
クトルを示すグラフである。
色素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペ
クトルを示すグラフである。
【図１９】本発明の第１１の実施例で使用するシアニン
色素の吸収スペクトルを示すグラフである。
色素の吸収スペクトルを示すグラフである。
【図２０】その第１１の実施例で使用する有機金属色素
化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクト
ルを示すグラフである。
化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペクト
ルを示すグラフである。
【図２１】本発明の第１２の実施例で使用する有機金属
色素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペ
クトルを示すグラフである。
色素化合物としてのナフタレノン誘導体色素の吸収スペ
クトルを示すグラフである。
【図２２】第６の比較例で使用する無金属のナフタレノ
ン誘導体色素の吸収スペクトルを示すグラフである。
ン誘導体色素の吸収スペクトルを示すグラフである。
【化３２】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【化３６】
【化３７】
【化３８】
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【表１】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 215/16 Ｃ０７Ｄ 215/16 513/04 ３８３ 513/04 ３８３ (72)発明者 藤井 徹 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 高岸 吉和 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に色素層を含む光干渉層を有する
光情報記録媒体において、該色素層がヒートモードによ
る記録用有機色素を含有し、かつ該光干渉層が金属又は
金属イオンを含む有機金属色素化合物（但し、ピリドフ
エノチアジン誘導体、キノリンジオン誘導体、ナフトキ
ノリンジオン誘導体又はナフトキノン誘導体のみの場合
を除く）を含有する光情報記録媒体であって、該記録用
有機色素の吸収スペクトル曲線と該有機金属色素化合物
の吸収スペトクル曲線が交叉し、かつ該有機金属色素化
合物は該記録用有機色素の最大吸収波長より長波長側に
最大吸収波長を有する光情報記録媒体。 - 【請求項２】 記録用有機色素がシアニン色素である請
求項１記載の光情報記録媒体。 - 【請求項３】 シアニン色素が下記一般式〔化１〕で示
される化合物である請求項２に記載の光情報記録媒体。 【化１】 〔ただし、Ａは下記一般式〔化２〕ないし〔化５〕のい
ずれかを表わし、 【化２】 、 【化３】 、 【化４】 、 【化５】 、Ａ’は下記一般式〔化６〕ないし〔化９〕のいずれか
を表わし、 【化６】 、 【化７】 、 【化８】 、 【化９】 、ＡとＡ’は同種であっても異種であってもよく（ただ
し、Ｄ1 、Ｄ2 はそれぞれ水素原子、アルキル基、アル
コキシル基、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、
アルコキシカルボニル基、アルキルカルボキシル基、ア
ルキルヒドロキシル基、アラルキル基、アルケニル基、
アルキルアミド基、アルキルアミノ基、アルキルスルホ
ンアミド基、アルキルカルバモイル基、アルキルスルフ
ァモイル基、アルキルスルホニル基、フェニル基、シア
ノ基、エステル基、スルホン基、アシル基、アリル基、
アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリ
ールチオ基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、アルキ
ルカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、アミノ基、
アルキルスルホン基、チオシアノ基、メルカプト基、ク
ロロスルホン基、アルキルアゾメチン基、アルキルアミ
ノスルホン基、ビニル基及びニトロ基の群のなかから選
択される置換基を表わし、同種であっても異種であって
もよく、ｐ、ｑは置換基の数であってそれぞれ１又は複
数の整数を表わす。）、Ｒ、Ｒ' は置換又は非置換のア
ルキル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、
アルキルカルボキシル基、アルコキシル基、アルキルヒ
ドロキシル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキル
アミド基、アルキルアミノ基、アルキルスルホンアミド
基、アルキルカルバモイル基、アルキルスルファモイル
基、水酸基、ハロゲン原子、アルキルアルコキシル基、
ハロゲン化アルキル基、アルキルスルホニル基、金属イ
オン若しくはアルキル基と結合したアルキルカルボキシ
ル基若しくはアルキルスルホニル基、フェニル基、ベン
ジル基及びアルキルフェニル基の群から選択される置換
基を表わし、同種でも異種でもよく、Ｘ- はハロゲン原
子、ＰＦ6 - 、ＳｂＦ6 - 、Ｈ3 ＰＯ4 、過塩素酸、ホ
ウフッ化水素酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホ
ン酸、アルキルスルホン酸、ベンゼンカルボン酸、アル
キルカルボン酸、トリフルオロメチルカルボン酸、過ヨ
ウ素酸及びＳＣＮ- の陰イオンの群のなかから選択され
る陰イオンを表わし、Ｂは１、２又は３を表わす。〕 - 【請求項４】 金属又は金属イオンが遷移金属からなる
請求項１ないし３のいずれかに記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１
種の金属又は金属イオンであり、有機金属色素化合物が
ナフタレノン誘導体である請求項１ないし３のいずれか
に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】 金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１
種の金属又は金属イオンであり、有機金属色素化合物が
ナフタレノン誘導体とピリドフェノチアジン誘導体であ
る請求項１ないし３のいずれかに記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項７】 金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１
種の金属又は金属イオンであり、ナフタレノン誘導体が
下記一般式〔化３０〕で示される化合物である請求項５
又は６に記載の光情報記録媒体。 【化３０】 （式中、Ｍ01はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及び
Ｆｅから選ばれる金属又は金属イオンを表し、Ｅ及びＦ
はそれぞれ置換基を有していてもよく、Ｒ01 2 のＲ01は
同一でも異なってもよい水素原子、低級アルキル基、ア
リール基、アルケニル基又はシクロアルキル基であっ
て、置換基を有していてもよく、Ｒ02は水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、アルコキシ基、アルキルス
ルホニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基又は
アシルアミノ基であって、置換基を有していてもよく、
Ｙ01はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、ＰＦ6
- 、ＳｂＦ6 - 、ＮＯ3 - 、ＣＨ3 ＣＯＯ- 、Ｓ
Ｏ4 --、ＡｒＳＯ3 - （Ａｒは未置換又は置換基を有す
る芳香族環を表わす。）、ＲＳＯ3 - （Ｒは未置換又は
置換基を有する低級アルキル基を表わす。）等の陰イオ
ンの群のなかから選択される陰イオンを表わし、ｎ01は
１〜２を表わす。） - 【請求項８】 上記一般式〔化３０〕で示される化合物
が下記一般式〔化１０〕で示される化合物である請求項
７に記載の光情報記録媒体。 【化１０】 （式中、Ｍ1 、Ｒ1 2のＲ1 、Ｒ2 、Ｙ1 、ｎ1 は上記一
般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ01 2 の
Ｒ01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わす。） - 【請求項９】 上記一般式〔化１０〕で示される化合物
はＲ1 2のＲ1 が同一でも異なってもよいエチル基等の低
級アルキル基、Ｒ2 が水素原子、メチル基等の低級アル
キル基、Ｙ1 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ
4 - 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 - の陰イオンの群のなかか
ら選択される陰イオンを表わす化合物である請求項８に
記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 上記一般式〔化３０〕で示される化合
物が下記一般式〔化１１〕で示される化合物である請求
項７に記載の光情報記録媒体。 【化１１】 （式中、Ｍ2 、Ｒ3 2のＲ3 、Ｙ2 、ｎ2 は上記一般式
〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ01 2 のＲ01、Ｙ
01、ｎ01と同じものを表わし、Ｒ4 2のＲ4 は同一でも異
なってもよいエチル基等の低級アルキル基を表わす。） - 【請求項１１】 上記一般式〔化１１〕で示される化合
物はＲ3 2のＲ3 が同一でも異なってもよいエチル基等の
低級アキル基、Ｙ2 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、Ｂ
Ｆ4 - 、ＰＦ6 - 及びＳｂＦ6 - の陰イオンの群のなか
から選択される陰イオンを表わす化合物である請求項１
０に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１２】 ピリドフェノチアジン誘導体が下記一
般式〔化１２〕で示される化合物である請求項６ないし
１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。 【化１２】 （式中、Ｍ3 はＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及び
Ｆｅの群から選ばれる金属又は金属イオンを表し、Ｒ5 2
のＲ5 は同一でも異なってもよいエチル基等の低級アル
キル基、Ｒ6 は水素原子、メチル基等の低級アルキル
基、Ｙ3 はハロゲンイオン、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、Ｐ
Ｆ6 - 、ＳｂＦ6 - 等の陰イオン、ｎ3 は１〜２を表わ
す。） - 【請求項１３】 金属又は金属イオンがＮｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ及びＦｅからなる群の少なくとも１
種の金属又は金属イオンであり、ナフタレノン誘導体が
下記一般式〔化３１〕で示される化合物である請求項５
に記載の光情報記録媒体。 【化３１】 （式中、Ｍ02、Ｒ03 2 のＲ03、Ｒ04、Ｙ02、ｎ02は上記
一般式〔化３０〕のそれぞれ対応するＭ01、Ｒ01 2 のＲ
01、Ｒ02、Ｙ01、ｎ01と同じものを表わす。） - 【請求項１４】 波長６２０〜６９０ｎｍのレーザー光
により記録及び再生が可能である光ディスクである請求
項１ないし１３のいずれかに記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10256110A JPH11208118A (ja) | 1997-11-20 | 1998-08-27 | 光情報記録媒体 |
| TW087118555A TW430617B (en) | 1997-11-20 | 1998-11-06 | Optical information recording medium |
| EP98309408A EP0919998B1 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-17 | Optical information recording medium |
| DE69833170T DE69833170T2 (de) | 1997-11-20 | 1998-11-17 | Optisches Aufzeichnungselement |
| US09/195,541 US6218072B1 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-19 | Optical information recording medium |
| HK99104001.1A HK1019362B (en) | 1997-11-20 | 1999-09-15 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33482897 | 1997-11-20 | ||
| JP9-334828 | 1997-11-20 | ||
| JP10256110A JPH11208118A (ja) | 1997-11-20 | 1998-08-27 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11208118A true JPH11208118A (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=26542575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10256110A Pending JPH11208118A (ja) | 1997-11-20 | 1998-08-27 | 光情報記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6218072B1 (ja) |
| EP (1) | EP0919998B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11208118A (ja) |
| DE (1) | DE69833170T2 (ja) |
| TW (1) | TW430617B (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007105416A1 (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Adeka Corporation | 光学記録媒体 |
| WO2007114073A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Adeka Corporation | シアニン化合物及び光学記録材料 |
| WO2007114074A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Adeka Corporation | インドリウム化合物及び光学記録材料 |
| WO2007125892A1 (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Adeka Corporation | 光学記録材料、カルコン型化合物及び金属錯体 |
| WO2007129503A1 (ja) | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Adeka Corporation | 新規化合物、該化合物を用いた光学フィルター及び光学記録材料 |
| WO2007135924A1 (ja) | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Adeka Corporation | 光学記録材料及びシアニン化合物 |
| WO2008010433A1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Adeka Corporation | Composés de cyanine pontés et matières d'enregistrement optique contenant ceux-ci |
| WO2008044534A1 (en) | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Adeka Corporation | Optical recording material |
| WO2008123404A1 (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Adeka Corporation | シアニン化合物、該化合物を用いた光学フィルター及び光学記録材料 |
| WO2009050999A1 (ja) | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Adeka Corporation | インドリウム化合物及び該化合物を用いた光学記録材料 |
| WO2010073857A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 株式会社Adeka | シアニン化合物を用いた近赤外線吸収材料及びシアニン化合物 |
| US8059523B2 (en) | 2007-06-18 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium for writing data using multiple pulses |
| CN102341460A (zh) * | 2009-05-28 | 2012-02-01 | 株式会社艾迪科 | 有机盐化合物、使用了该有机盐化合物的光学记录材料及光学记录介质 |
| WO2012111400A1 (ja) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社Adeka | 着色感光性組成物 |
| WO2012124365A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 株式会社Adeka | 光拡散性樹脂組成物及びこれを用いた光拡散シート |
| WO2015111530A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、ならびに、カメラモジュールおよびその製造方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976658A (en) * | 1996-11-01 | 1999-11-02 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP3673963B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2005-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 光情報記録媒体 |
| US6306478B1 (en) * | 2000-01-06 | 2001-10-23 | Ritek Corporation | Asymmetrical trimethine cyanine dyes for high capacity optical recording medium |
| TW572969B (en) * | 2000-02-10 | 2004-01-21 | Hayashibara Biochem Lab | Trimethine cyanine dye, light absorbent, light-resistant improver and optical recording medium containing same, and process for producing same |
| EP1130585B1 (en) * | 2000-02-28 | 2011-12-21 | FUJIFILM Corporation | Recording medium and information recording and reproducing method using the same |
| TW513469B (en) * | 2000-04-20 | 2002-12-11 | Gigastorage Corp | Recordable high-density optical recording media |
| KR100425949B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2004-04-03 | 주식회사 비올디벨로퍼즈 | 광기록매체 |
| JP2003276342A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-30 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP2004082406A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP4660217B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 記憶媒体、再生方法、記録方法、再生装置及び記録装置 |
| US20090029092A1 (en) * | 2005-03-24 | 2009-01-29 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium |
| US7613869B2 (en) | 2006-11-27 | 2009-11-03 | Brigham Young University | Long-term digital data storage |
| JP2008179068A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 光記録媒体および可視情報記録方法 |
| JP2008179067A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 光記録媒体および可視情報記録方法 |
| US7630128B2 (en) * | 2007-02-02 | 2009-12-08 | Sperian Eye & Face Protection Inc. a Delaware Corporation | Optical filter panel having a narrow-width selective-wavelength attenuation and high visible light transmission |
| JP5913776B2 (ja) | 2008-05-27 | 2016-04-27 | 株式会社Adeka | 色補正材料、フィルム形成用組成物及び光学フィルター |
| US20100291706A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Millipore Corporation | Dye conjugates and methods of use |
| US7956169B1 (en) * | 2010-06-16 | 2011-06-07 | Chemgenes Corporation | Synthesis of novel azo-dyes and their use in oligonucleotide synthesis |
| CN114295580B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-11 | 四川启睿克科技有限公司 | 一种基于近红外光谱快速判别花椒品质的方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023996B2 (ja) | 1980-06-26 | 1985-06-10 | 三井東圧化学株式会社 | レ−ザ光記録／読取媒体用組成物 |
| JPS5856239A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS60205840A (ja) * | 1984-03-30 | 1985-10-17 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS6141597A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-02-27 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS6161893A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JP2619355B2 (ja) * | 1985-04-01 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JPS61277492A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0764992B2 (ja) * | 1987-03-14 | 1995-07-12 | 勝平 吉田 | 含金属インドアニリン系化合物 |
| JPS63276593A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学記録媒体 |
| JP2552671B2 (ja) * | 1987-06-04 | 1996-11-13 | 三菱化学株式会社 | 光学記録媒体の製造方法 |
| JPH0768460B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-07-26 | 三菱化学株式会社 | 含金属インドアニリン系化合物および該化合物を用いた光学記録媒体 |
| JP2600763B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1997-04-16 | 三菱化学株式会社 | 含金属化合物および該化合物を使用した光学記録媒体 |
| JP2530697B2 (ja) * | 1988-10-28 | 1996-09-04 | 日本製紙株式会社 | 光記録体 |
| EP0458257B1 (en) * | 1990-05-21 | 1998-09-02 | TDK Corporation | Optical recording medium |
| US5330542A (en) * | 1990-05-25 | 1994-07-19 | Mitsubishi Kasei Corporation | Dye-incorporated composition |
| JP3064373B2 (ja) | 1990-10-03 | 2000-07-12 | 三菱化学株式会社 | 金属キレート化合物および該化合物を用いた光学記録媒体 |
| JP2993117B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1999-12-20 | 三菱化学株式会社 | 金属キレート化合物および該化合物を用いた光学的記録媒体 |
| JPH05169837A (ja) * | 1991-12-19 | 1993-07-09 | Mitsubishi Kasei Corp | 赤外線加熱型感熱転写記録用シート |
| JPH07196588A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-01 | Canon Inc | アミニウム塩化合物の分離精製方法及びそれを用いた光学的記録媒体 |
| JPH07266705A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Tdk Corp | 光記録ディスク |
| US5633106A (en) * | 1994-04-08 | 1997-05-27 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optical recording media and a method of recording and reproducing information |
| EP0737722B1 (en) * | 1995-04-14 | 2001-07-04 | Nippon Paper Industries Co., Ltd. | New indoaniline metal complex, process for their production, and transparent recording medium and optical recording medium by use thereof |
| US5679430A (en) * | 1995-06-19 | 1997-10-21 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JPH09175015A (ja) | 1995-12-21 | 1997-07-08 | Mitsubishi Chem Corp | 光テープ媒体 |
| JP3663528B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2005-06-22 | 株式会社リコー | ピリドフェノオキサジン金属キレート化合物 |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP10256110A patent/JPH11208118A/ja active Pending
- 1998-11-06 TW TW087118555A patent/TW430617B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-17 EP EP98309408A patent/EP0919998B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-17 DE DE69833170T patent/DE69833170T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-19 US US09/195,541 patent/US6218072B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2360023A1 (en) | 2006-03-14 | 2011-08-24 | Adeka Corporation | Optical recording medium |
| WO2007105416A1 (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Adeka Corporation | 光学記録媒体 |
| EP2360694A1 (en) | 2006-03-14 | 2011-08-24 | Adeka Corporation | Optical recording medium |
| WO2007114073A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Adeka Corporation | シアニン化合物及び光学記録材料 |
| WO2007114074A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Adeka Corporation | インドリウム化合物及び光学記録材料 |
| EP2371905A1 (en) | 2006-03-31 | 2011-10-05 | Adeka Corporation | Cyanine compound and optical recording material |
| WO2007125892A1 (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Adeka Corporation | 光学記録材料、カルコン型化合物及び金属錯体 |
| WO2007129503A1 (ja) | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Adeka Corporation | 新規化合物、該化合物を用いた光学フィルター及び光学記録材料 |
| WO2007135924A1 (ja) | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Adeka Corporation | 光学記録材料及びシアニン化合物 |
| WO2008010433A1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Adeka Corporation | Composés de cyanine pontés et matières d'enregistrement optique contenant ceux-ci |
| WO2008044534A1 (en) | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Adeka Corporation | Optical recording material |
| WO2008123404A1 (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Adeka Corporation | シアニン化合物、該化合物を用いた光学フィルター及び光学記録材料 |
| US8437242B2 (en) | 2007-06-18 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium for writing data using multiple pulses |
| US8059523B2 (en) | 2007-06-18 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium for writing data using multiple pulses |
| US8422353B2 (en) | 2007-06-18 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium for writing data using multiple pulses |
| WO2009050999A1 (ja) | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Adeka Corporation | インドリウム化合物及び該化合物を用いた光学記録材料 |
| WO2010073857A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 株式会社Adeka | シアニン化合物を用いた近赤外線吸収材料及びシアニン化合物 |
| CN102341460A (zh) * | 2009-05-28 | 2012-02-01 | 株式会社艾迪科 | 有机盐化合物、使用了该有机盐化合物的光学记录材料及光学记录介质 |
| WO2012111400A1 (ja) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社Adeka | 着色感光性組成物 |
| WO2012124365A1 (ja) | 2011-03-16 | 2012-09-20 | 株式会社Adeka | 光拡散性樹脂組成物及びこれを用いた光拡散シート |
| WO2015111530A1 (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、ならびに、カメラモジュールおよびその製造方法 |
| JP2015158662A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、ならびに、カメラモジュールおよびその製造方法 |
| KR20160091996A (ko) * | 2014-01-21 | 2016-08-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 근적외선 흡수성 조성물, 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 그리고 카메라 모듈 및 그 제조 방법 |
| US10184052B2 (en) | 2014-01-21 | 2019-01-22 | Fujifilm Corporation | Near infrared radiation-absorbing composition, near infrared radiation cut-off filter and production method therefor, and camera module and production method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0919998A1 (en) | 1999-06-02 |
| DE69833170D1 (de) | 2006-04-06 |
| US6218072B1 (en) | 2001-04-17 |
| DE69833170T2 (de) | 2006-09-14 |
| TW430617B (en) | 2001-04-21 |
| HK1019362A1 (en) | 2000-02-03 |
| EP0919998B1 (en) | 2006-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11208118A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| KR100291744B1 (ko) | 광정보기록매체 | |
| US6291045B1 (en) | Optical information recording medium | |
| JP4151399B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| US7501171B2 (en) | Optical information recording medium | |
| US5817388A (en) | Multi-component dye compositions for optical recording media | |
| JP3713622B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3503679B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4160715B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH11151860A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH11151858A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH11151859A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4174747B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2001150816A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP3713619B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP4158085B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| HK1019362B (en) | Optical information recording medium | |
| JPH05104861A (ja) | 光記録媒体 | |
| HK1083922B (en) | Optical information recording medium | |
| JPWO2006035929A1 (ja) | 光情報記録媒体及びその記録方法 | |
| HK1066907B (en) | An optical information recording medium | |
| JP2003170663A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2007042243A (ja) | 光記録媒体および光記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030617 |