JPH0764992B2

JPH0764992B2 - 含金属インドアニリン系化合物

Info

Publication number: JPH0764992B2
Application number: JP62059777A
Authority: JP
Inventors: 勝平吉田; 由治久保
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1987-03-14
Filing date: 1987-03-14
Publication date: 1995-07-12
Anticipated expiration: 2010-07-12
Also published as: JPS63227569A; US4990433A; US4873332A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学記録媒体に有用な含金属インドアニリン
系化合物に関する。

〔従来の技術〕

レーザーを用いた光学記録は、高密度の情報記録保存及
び再生を可能とするため、近年、特にその開発がとりす
ゝめられている。

光学記録の一例としては、光ディスクをあげることがで
きる。

一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行なうものである。その記録は、照射
されたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所
の記録層に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を生成させ
ることにより行なわれる。また、記録された情報の再生
は、レーザー光により変形が起きている部分と起きてい
ない部分の反射率の差が読み取ることにより行なわれ
る。

したがって、光学記録媒体としては、レーザー光のエネ
ルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使用
する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行なうため、再生に使用する特
定波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要と
なる。

この種の光学的記録媒体としては、種々の構成のものが
知られている。

例えば、特開昭55-97033号公報には、基板上にフタロシ
アニン系色素の単層を設けたものが開示されている。し
かしながらフタロシアニン系色素は感度が低く、また分
解点が高く蒸着しにくい等の問題点を有し、さらに有機
溶媒に対する溶解性が著しく低く、塗布によるコーティ
ングに使用することができないという問題点も有してい
る。

また、特開昭58-83344号公報にはフェナレン系色素を、
特開昭58-224793号公報にはナフトキノン系色素を記録
層に設けたものが開示されている。しかし、このような
色素は蒸着しやすいという利点の反面、反射率が低いと
いう問題点を有している。反射率が低いとレーザー光に
より記録された部分と未記録部分との反射率に関係する
コントラストは低くなり、記録された情報の再生が困難
となる。更に、一般に有機系色素は保存安定性が劣ると
いう問題点を有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布による
トーティングが可能で、しかも、反射率が高く、コント
ラストが良好で保存性にすぐれている光記録用として有
用な含金属インドアニリン系化合物を提供することを目
的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、レーザー光線によって状態変化を生ぜしめる
ことによって記録再生を行なうための光学記録媒体の色
素として適した下記一般式〔Ｉ〕で表わされる新規な含
金属インドアニリン系化合物をその要旨とするものであ
る。

一般式〔Ｉ〕（式中、ＭはNi、CuまたはCo金属原子を表わし、R¹は水
素原子、ハロゲン原子またはメチル基を表わし、Ｘは水
素原子またはメチル基を表わし、R²及びR³は低級アルキ
ル基を表わし、Z^-は陰イオンを表わす。）一般式〔Ｉ〕中、Z^-で表わされる陰イオンとしては、例
えばI^-、Br^-、Cl^-、▲ClO^- ₄▼等が挙げられ、またR²及
びR³で表わされる低級アルキル基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基等のアルキル基が挙げられ、これらのアルキル基
は、直鎖状でも分岐状でもよい。

前記一般式〔Ｉ〕で示される含金属インドアニリン系化
合物は、600〜800nmの波長帯域で吸収を有し、しかも分
子吸収係数が10⁴〜10⁵cm^-1である。

本発明の一般式〔Ｉ〕で示される含金属インドアニリン
系化合物の一般的合成は、たとえば、久保由治、佐々木
匡子、吉田勝平；日本化学会第53秋期年会講演予稿集19
86,639の記載に準じて行なうことができる。すなわち、
一般式〔II〕（式中、R¹は前記定義に同じ。）で示される化合物に、下記一般式〔III〕（式中、Ｘ、R²、R³は前記定義に同じ。）で示される化合物の塩酸塩を酸化的縮合を行ない、下記
一般式〔IV〕（式中、R¹、R²、R³、Ｘは前記定義に同じ。）を得た。
次いで、上記化合物と下記一般式〔Ｖ〕 M⁺Z^- ……〔Ｖ〕（式中、Ｍ、Z^-は前記定義に同じ。）で示される金属塩とを反応させることによって製造する
ことができる。

本発明の含金属インドアニリン系化合物は光学記録媒体
の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基本的に
は基板と含金属インドアニリン系化合物を含む記録層と
から構成され、さらに必要に応じて基板上に下引き層を
また記録層上に保護層が設けられる。

用いる基板としては、使用するレーザー光に対して透明
または不透明のいずれでもよい。基板材料の材質として
は、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔状の金属
等の一般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチ
ックが種々の点から好適である。プラスチックとして
は、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン
樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙
げられる。

光学記録媒体において情報記録層として本発明の含金属
インドアニリン系化合物を使用する際、膜厚は100Å〜
５μｍ、好ましくは1000Å〜３μｍである。成膜法とし
ては真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一般に行なわ
れて薄膜形成法で成膜することができる。また、必要に
応じてバインダーを使用することもできる。バインダー
としてはPVA、PVP、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ポリビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知
のものが用いられ、樹脂に対する含金属インドアニリン
系化合物の量は重量比で0.01以上あることが望ましい。
スピナー法により成膜の場合、回転数は500〜5000rpmが
好ましく、スピンコートの後、場合によっては、加熱あ
るいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行なってもよい。ま
た、記録体の安定性や耐光性向上のために、一重項酸素
クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（たとえ
ば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチ
オール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α
−ジケトン等）を含有していてもよい。更に、必要に応
じて他の色素を併用することができる。他の色素として
は別の種類の同系統の化合物でもよいし、トリアリール
メタン系色素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリ
ウム系色素など他系統の色素でもよい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬
法、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成
する場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブ
ロモホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシ
レン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点120
〜160℃のものが好適に使用される。

光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。

上記の様にして得られた記録媒体への記録は、基体の両
面または、片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束した
レーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてる
事により行なう。レーザー光の照射された部分には、レ
ーザーエネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融等の
記録層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光により、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取る事により行なう。

光学記録媒体に使用されるレーザー光はN₂、He-Cd、A
r、He-Ne、ルビー、半導体、色素レーザーなどがあげら
れるが、特に、軽量性、取扱いの容易さ、コンパクト性
などの点から半導体レーザーが好適である。

実施例以下実施例によりこの発明を具体的に説明するが、かか
る実施例は本発明は限定するものではない。

実施例１（ａ）製造例下記構造式で表わされる２−アミノ−５−ジエチルアミノトルエン
の塩酸塩886mgを水150mlに溶解させ、炭酸水素ナトリウ
ム260mgと水酸化ナトリウム0.25gを加えて撹拌したの
ち、下記構造式で表わされる化合物300mgと水酸化ナトリウム0.166gを
加えた水溶液100mlを添加して、５℃にて５％次亜塩素
酸ナトリウム6.2mlを滴下した。生成した沈殿を別し
た後カラムクロマト分離（シリカゲル；展開溶媒、酢酸
エチル：ベンゼン＝1:1）し、下記構造式で表わされる５−（２′−メチル−４′−ジエチルアミ
ノフェニルイミノ）−5,8−キノリンキノンを得た。
（収率64.3％）本化合物の融点は125〜128℃で、可視部吸収スペクトル
（クロロホルム）は、λ_max626nm（ε_max18400）であ
り、元素分析結果は、下記の通り分析値と計算値はよく
合致していた。

次に、上記で得られた５−（２′−メチル−４′−ジエ
チルアミノフェニルイミノ）−5,8−キノリンキノン100
mgを99％エタノール50mgに溶解したものに、Ni(ClO₄)₂
・6H₂O285.3mgを水50mlに溶解したものを窒素雰囲気下
で加え、室温で約30分間攪拌した。得られた沈殿を吸引
過し、水洗、乾燥し、下記構造式で表わされる含金属
インドアニリン系化合物を得た。

本化合物の融点は、245〜246℃であり、可視部吸収スペ
クトル（クロロホルム中）は、λ_max795nm（図−１）
（ε_max122000）であった。

（ｂ）記録媒体例−１前記（ａ）で製造した含金属インドアニリン系化合物0.
1gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μのフィル
ターで過し、溶解液を得た。この溶液1mlをポリメチ
ルメタクリレート（PMMA）樹脂基板（52φ）の上に滴下
し、スピナー法により800rpmの回転数で塗布した。塗布
後、60℃で10分間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は80
8nmであり、反射率は38％（830nm）であった。スペクト
ルの形状は巾広かった。図−２に塗布膜の吸収および反
射のスペクトルを示す。

（ｃ）光記録法−１上記（ｂ）で得られた塗布膜に、中心波長830nmの半導
体レーザー光を出力4mWで照射した所、巾1.39μｍ、ピ
ット深さ790Å（エリオニクス測定値）の輪郭の極めて
明瞭なピットが形成された。

また、この塗布膜に、中心波長780nmの半導体レーザー
光を出力6mWで照射した所、巾1.41μｍ、ピット深さ115
5Å（エリオニクス測定値）の輪郭の極めて明瞭なピッ
トが形成された。

この塗布膜は高温高湿下（60℃、80％RH）での促進テス
トで20日以上安定であった。

（ｄ）記録媒体例−２前記（ａ）で製造した含金属インドアニリン系化合物0.
1gをテトラクロロエタン10gに溶解し、0.22μのフィル
ターで過し、溶解液を得た。この溶解5mlを深さ700
Å、幅0.7μの紫外線硬化樹脂による溝（グループ）つ
きPMMA樹脂基板（５インチ）上に滴下し、スピナー法に
より900rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で10分間
乾燥した。

（ｅ）光記録法−２上記記録媒体を成膜した５インチのPMMA樹脂基板を4m/s
で回転させながら、中心波長830nmの半導体レーザー光
でパルス幅50nsecで照射したところ、出力6mWでC/N比52
dBを得た。保存安定性（60℃、80％RH）も良好であっ
た。

（ｆ）記録媒体例−３前記（ａ）で製造した含金属インドアニリン系化合物0.
1gをエチルセルソルブ10gに溶解し、0.22μのフィルタ
ーで過し、溶解液を得た。この溶液5mlを板厚1.2mmの
1.6μｍピッチの溝（グループ）つきポリカーボネート
樹脂基板（射出成型品、５インチ）上に滴下し、スピナ
ー法により800rpmの回転数で塗布した。塗布後、60℃で
10分間乾燥した。

（ｇ）光記録法−３上記記録媒体を成膜した５インチのポリカーボネート樹
脂基板を4m/sで回転させながら、中心波長830nmの半導
体レーザー光でパルス幅500nsecで照射したところ、出
力6mWでC/N比50dBを得た。保存安定性（60℃、80％RH）
も良好であった。

実施例２（ａ）製造例実施例１において下記構造式で表わされる化合物100mgの代りに、下記構造式で表わされる化合物86.8mgを用いた以外は実施例１と同
様に行ない、下記構造式で表わされる含金属インドアニ
リン系化合物を得た。

本化合物の融点は300℃以上であり、可視部の吸収スペ
クトル（クロロホルム中）は、λ_max766nm（図−３）で
あった。

（ｂ）記録媒体例前記（ａ）で製造した含金属インドアニリン系化合物を
実施例１に記載の方法に従って、溝（グループ）つきPM
MA樹脂基板上にスピナー法による塗布を行なった。塗布
膜の最大吸収波長は778nmであり、スペクトルの形状は
巾広かった。

（ｃ）光記録法上記のPMMA樹脂基板を4m/sで回転させながら、中心波長
780nmの半導体レーザー光で、パルス幅500nsecで照射し
たところ、出力6mWでC/N比50dBを得た。保存安定性（60
℃、80％RH）も良好であった。

実施例３（ａ）製造例実施例１において、Ni(ClO₄)₂・6H₂O285.3mgの代りにCu
(ClO₄)₂・6H₂O289mgを用いた以外は実施例１と同様に行
ない、下記構造式で表わされる含金属インドアニリン系
化合物を得た。

本化合物の融点は300℃以上であり、可視部の吸収スペ
クトル（クロロホルム−N,N−ジメチルホルムアミド混
合溶媒中）は、λ_max794nmであり、元素分析結果は、下
記の通り、分析値と計算値はよく合致した。

（ｂ）記録媒体例前記（ａ）で得られた含金属インドアニリン系化合物を
実施例１に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板（52φ）
の上にスピナー法による塗布を行なった。

塗布膜の最大吸収波長は800nmであり、スペクトルの形
状は巾広かった。

（ｃ）光記録法上記の塗布膜に、中心波長830nmの半導体レーザー光を
出力6mWで照射したところ、輪郭の明瞭なピットが形成
された。

この塗布膜の保存安定性（60℃、80％RH）は良好であっ
た。

実施例４（ａ）製造例実施例１において、下記構造式で表わされる化合物100mgの代りに、下記構造式で表わされる化合物86.8mgを用い、Ni(ClO₄)₂・6H₂O28
5.3mgの代りにCu(ClO₄)₂・6H₂O289mgを用いた以外は、
実施例１と同様に行ない、下記構造式で表わされる含金
属インドアニリン系化合物を得た。

本化合物の融点は300℃以上であり、可視部の吸収スペ
クトル（クロロホルム−N,N−ジメチルホルムアミド混
合溶媒中）は、λ_max760nm（図−４）であり、元素分析
結果は、下記の通り、分析値と計算値はよく合致した。

（ｂ）記録媒体例前記（ａ）で製造した含金属インドアニリン系化合物を
実施例１に記載の方法に従って、PMMA樹脂基板（52φ）
の上にスピナー法による塗布を行なった。

塗布膜の最大吸収波長は780nmであり、スペクトルの形
状は巾広かった。

（ｃ）光記録法上記の塗布膜に、中心波長780nmの半導体レーザー光で
照射したところ、輪郭の明瞭なピットを形成した。

この塗布膜の保存安定性（60℃、80％RH）は良好であっ
た。

実施例５実施例１に準じた方法により、一般式〔Ｉ〕で表わされ
る含金属インドアニリン系化合物を合成した。

クロロホルム溶液中での最大吸収波長（λ_max、nm）を
第１表に示した。

〔発明の効果〕本発明の含金属インドアニリン系化合物は、有機溶媒に
対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能で
あり、しかも、反射率が高く、コントラストが良好であ
り且つ保存安定性にすぐれているので、光学記録媒体用
色素としては極めて有用なものである。

【図面の簡単な説明】図−１、図−３及び図−４は、本発明の含金属インドア
ニリン系化合物３例の可視部吸収スペクトルを表わすも
のであり、縦軸は吸光度、横軸は波長（nm）を表わす。図−２は、本発明の含金属インドアニリン系化合物１例
の塗布薄膜の吸収スペクトルと反射スペクトルを表わす
ものであり、縦軸は左が吸光度、右が反射率を表わし、
横軸は波長（nm）を表わす。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式〔Ｉ〕（式中、ＭはNi、CuまたはCo金属原子を表わし、R¹は水
素原子、ハロゲン原子またはメチル基を表わし、Ｘは水
素原子またはメチル基を表わし、R²及びR³は低級アルキ
ル基を表わし、Z^-は陰イオンを表わす。）で示される含金属インドアニリン系化合物。