JPH11219804A - 薄膜サーミスタ - Google Patents
薄膜サーミスタInfo
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- JPH11219804A JPH11219804A JP1889198A JP1889198A JPH11219804A JP H11219804 A JPH11219804 A JP H11219804A JP 1889198 A JP1889198 A JP 1889198A JP 1889198 A JP1889198 A JP 1889198A JP H11219804 A JPH11219804 A JP H11219804A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜サーミスタのサーミスタ薄膜と保護膜と
の反応を防止して、サーミスタ特性の安定性が高く、高
精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供する。 【解決手段】 セラミック基板１と、セラミック基板１
の一方の板面に設けられたサーミスタ薄膜３と、サーミ
スタ薄膜３上に、間隔をあけて設けられた一対の表面電
極４A，４Bと、サーミスタ薄膜３の露出面を覆う絶縁性
無機材料の保護膜６を備えてなる薄膜サーミスタ１にお
いて、サーミスタ薄膜３と保護膜６との間に反応抑止層
５を設ける。
の反応を防止して、サーミスタ特性の安定性が高く、高
精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供する。 【解決手段】 セラミック基板１と、セラミック基板１
の一方の板面に設けられたサーミスタ薄膜３と、サーミ
スタ薄膜３上に、間隔をあけて設けられた一対の表面電
極４A，４Bと、サーミスタ薄膜３の露出面を覆う絶縁性
無機材料の保護膜６を備えてなる薄膜サーミスタ１にお
いて、サーミスタ薄膜３と保護膜６との間に反応抑止層
５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は温度の上昇により抵
抗値が減少する負特性サーミスタ薄膜を形成した薄膜サ
ーミスタに係り、特に、サーミスタ特性の安定性が高い
高信頼性の薄膜サーミスタに関する。
抗値が減少する負特性サーミスタ薄膜を形成した薄膜サ
ーミスタに係り、特に、サーミスタ特性の安定性が高い
高信頼性の薄膜サーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基板の一方の板面にサーミス
タ薄膜を一様に形成し、このサーミスタ薄膜上に間隔を
あけて一対の表面電極を形成した従来の薄膜サーミスタ
では、サーミスタ薄膜の露出面を保護するために、この
露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保護膜が形成され
ている。
タ薄膜を一様に形成し、このサーミスタ薄膜上に間隔を
あけて一対の表面電極を形成した従来の薄膜サーミスタ
では、サーミスタ薄膜の露出面を保護するために、この
露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保護膜が形成され
ている。
【０００３】この絶縁性無機材料としては、非晶質系の
ガラス材料のような機密性の高い材料が使用されてい
る。
ガラス材料のような機密性の高い材料が使用されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜サーミスタの電気
特性は、サーミスタ薄膜の上に形成されたサーミスタ薄
膜、特に表面電極間のサーミスタ特性により決定され
る。
特性は、サーミスタ薄膜の上に形成されたサーミスタ薄
膜、特に表面電極間のサーミスタ特性により決定され
る。
【０００５】しかしながら、従来の薄膜サーミスタで
は、この薄膜サーミスタの電気特性を決定するサーミス
タ薄膜の表面電極間の部分において、サーミスタ薄膜の
サーミスタ材料と保護膜の絶縁性無機材料とが反応する
ことでサーミスタ特性が変化するという問題点がある。
は、この薄膜サーミスタの電気特性を決定するサーミス
タ薄膜の表面電極間の部分において、サーミスタ薄膜の
サーミスタ材料と保護膜の絶縁性無機材料とが反応する
ことでサーミスタ特性が変化するという問題点がある。
【０００６】これは、保護膜を形成する絶縁性無機材料
は、低融点の材料であるため、サーミスタ材料と反応し
易い上に、サーミスタ材料が一般に、Ｍｎ等の遷移金属
の複合酸化物よりなり、その遷移金属元素の多価性を利
用するものであるため、その材料自体も反応し易いもの
であること、及び、薄膜サーミスタのサーミスタ薄膜は
その膜厚がごく薄いため、わずかでも反応が起こると、
サーミスタ特性が大きく変化することによる。
は、低融点の材料であるため、サーミスタ材料と反応し
易い上に、サーミスタ材料が一般に、Ｍｎ等の遷移金属
の複合酸化物よりなり、その遷移金属元素の多価性を利
用するものであるため、その材料自体も反応し易いもの
であること、及び、薄膜サーミスタのサーミスタ薄膜は
その膜厚がごく薄いため、わずかでも反応が起こると、
サーミスタ特性が大きく変化することによる。
【０００７】このような問題を解決するために、基板上
に電極を形成し、その上にサーミスタ薄膜を形成する方
法やサーミスタ薄膜に内部電極を形成する方法なども考
えられているが、前者の電極上にサーミスタ薄膜を形成
する方法では、電極の影響を受けてその上に形成するサ
ーミスタ薄膜の厚さにバラツキが生じ易く、製品精度に
劣るものとなり、また、後者の内部電極を形成する方法
では、製造工程が複雑で高コストになるといった欠点が
ある。
に電極を形成し、その上にサーミスタ薄膜を形成する方
法やサーミスタ薄膜に内部電極を形成する方法なども考
えられているが、前者の電極上にサーミスタ薄膜を形成
する方法では、電極の影響を受けてその上に形成するサ
ーミスタ薄膜の厚さにバラツキが生じ易く、製品精度に
劣るものとなり、また、後者の内部電極を形成する方法
では、製造工程が複雑で高コストになるといった欠点が
ある。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、セラ
ミック基板と、該セラミック基板の一方の板面に設けら
れたサーミスタ薄膜と、該サーミスタ薄膜上に、間隔を
あけて設けられた一対の表面電極と、サーミスタ薄膜の
露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保護膜を備えてな
る薄膜サーミスタにおいて、サーミスタ薄膜と保護膜と
の反応を防止して、サーミスタ特性の安定性が高く、高
精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供することを目的
とする。
ミック基板と、該セラミック基板の一方の板面に設けら
れたサーミスタ薄膜と、該サーミスタ薄膜上に、間隔を
あけて設けられた一対の表面電極と、サーミスタ薄膜の
露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保護膜を備えてな
る薄膜サーミスタにおいて、サーミスタ薄膜と保護膜と
の反応を防止して、サーミスタ特性の安定性が高く、高
精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜サーミスタ
は、セラミック基板と、該セラミック基板の一方の板面
に設けられたサーミスタ薄膜と、該サーミスタ薄膜上
に、間隔をあけて設けられた一対の表面電極と、少なく
ともサーミスタ薄膜の露出面を覆う絶縁性無機材料より
なる保護膜とを備えてなる薄膜サーミスタにおいて、該
サーミスタ薄膜と保護膜との間に反応抑止層を設けたこ
とを特徴とする。
は、セラミック基板と、該セラミック基板の一方の板面
に設けられたサーミスタ薄膜と、該サーミスタ薄膜上
に、間隔をあけて設けられた一対の表面電極と、少なく
ともサーミスタ薄膜の露出面を覆う絶縁性無機材料より
なる保護膜とを備えてなる薄膜サーミスタにおいて、該
サーミスタ薄膜と保護膜との間に反応抑止層を設けたこ
とを特徴とする。
【００１０】サーミスタ薄膜と保護膜との間に反応抑止
層を設けることにより、サーミスタ材料と保護膜の絶縁
性無機材料との反応を防止してサーミスタ特性を安定に
維持することができる。
層を設けることにより、サーミスタ材料と保護膜の絶縁
性無機材料との反応を防止してサーミスタ特性を安定に
維持することができる。
【００１１】本発明において、絶縁性無機材料は低融点
高機密性の非晶質ガラス材料であることが好ましく、こ
れによりサーミスタ薄膜を外部環境から有効に保護して
信頼性を高めることができる。また、反応抑止層として
はＳｉＯ2よりなるものが好ましい。
高機密性の非晶質ガラス材料であることが好ましく、こ
れによりサーミスタ薄膜を外部環境から有効に保護して
信頼性を高めることができる。また、反応抑止層として
はＳｉＯ2よりなるものが好ましい。
【００１２】また、サーミスタ薄膜は有機金属材料を用
いて形成することが好ましい。
いて形成することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００１４】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の薄膜サーミ
スタの実施の形態を示す断面図、図２は、本発明の薄膜
サーミスタの製造方法の一例を示す斜視図である。
スタの実施の形態を示す断面図、図２は、本発明の薄膜
サーミスタの製造方法の一例を示す斜視図である。
【００１５】図１（ａ）の薄膜サーミスタ１は、セラミ
ック基板２の一方の板面にサーミスタ薄膜３を形成し、
このサーミスタ薄膜３の上に間隔をあけて一対の表面電
極４Ａ，４Ｂを設け、この表面電極４Ａ，４Ｂ間のサー
ミスタ薄膜３の露出面を覆うように反応抑止層としてＳ
ｉＯ2層５を設けた上に、低融点非晶質ガラス材料より
なる保護膜６を設け、更に、両端面部分に外部電極７
Ａ，７Ｂを形成したものである。
ック基板２の一方の板面にサーミスタ薄膜３を形成し、
このサーミスタ薄膜３の上に間隔をあけて一対の表面電
極４Ａ，４Ｂを設け、この表面電極４Ａ，４Ｂ間のサー
ミスタ薄膜３の露出面を覆うように反応抑止層としてＳ
ｉＯ2層５を設けた上に、低融点非晶質ガラス材料より
なる保護膜６を設け、更に、両端面部分に外部電極７
Ａ，７Ｂを形成したものである。
【００１６】本発明において、セラミック基板２として
は、アルミナ、ムライト、石英、ステアタイト等のセラ
ミック基板が挙げられる。
は、アルミナ、ムライト、石英、ステアタイト等のセラ
ミック基板が挙げられる。
【００１７】このセラミック基板２上に形成するサーミ
スタ薄膜３のサーミスタ材料としては、Mｎ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｆｅなどの複合酸化物を用いることができ、このサ
ーミスタ薄膜３は、通常の場合、０．５〜２．０μｍ程
度の膜厚に形成される。
スタ薄膜３のサーミスタ材料としては、Mｎ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｆｅなどの複合酸化物を用いることができ、このサ
ーミスタ薄膜３は、通常の場合、０．５〜２．０μｍ程
度の膜厚に形成される。
【００１８】このサーミスタ薄膜３上の表面電極４Ａ，
４ＢはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ、或いはこれらの
合金で形成され、その膜厚は、通常の場合、０．１〜
１．０μｍ程度である。また、表面電極４Ａ，４Ｂ間の
間隔は、１０〜２００μｍ程度の範囲で薄膜サーミスタ
の要求特性に応じて適宜決定される。
４ＢはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ、或いはこれらの
合金で形成され、その膜厚は、通常の場合、０．１〜
１．０μｍ程度である。また、表面電極４Ａ，４Ｂ間の
間隔は、１０〜２００μｍ程度の範囲で薄膜サーミスタ
の要求特性に応じて適宜決定される。
【００１９】ＳｉＯ2層５の厚さは、過度に薄いと反応
抑止層としての機能を十分に果たし得ず、過度に厚いと
高コストとなるため、通常の場合、０．２〜０．５μｍ
程度とされる。
抑止層としての機能を十分に果たし得ず、過度に厚いと
高コストとなるため、通常の場合、０．２〜０．５μｍ
程度とされる。
【００２０】また、このＳｉＯ2層上の保護膜６として
は、低融点で緻密な非晶質ガラスよりなる膜が好まし
く、この場合、ガラス組成としては、ＰｂＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯ等
を採用することができる。この保護膜６は、通常の場
合、２〜２０μｍ程度の厚さに形成される。
は、低融点で緻密な非晶質ガラスよりなる膜が好まし
く、この場合、ガラス組成としては、ＰｂＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯ等
を採用することができる。この保護膜６は、通常の場
合、２〜２０μｍ程度の厚さに形成される。
【００２１】なお、本発明において、反応抑止層として
は、サーミスタ材料と保護膜のガラス材料との反応を抑
制する高融点の絶縁性材料であれば良く、ＳｉＯ2の
他、Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2等の被膜であっても良い。
は、サーミスタ材料と保護膜のガラス材料との反応を抑
制する高融点の絶縁性材料であれば良く、ＳｉＯ2の
他、Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2等の被膜であっても良い。
【００２２】また、本発明の薄膜サーミスタは、基板上
に形成されたサーミスタ薄膜と保護膜との間にこのよう
な反応抑止層が形成されたものであれば良く、その層構
成や外部電極の有無などには特に制限はない。例えば、
図１（ａ）に示す薄膜サーミスタ１の他、図１（ｂ）に
示す如く、外部電極７Ａ，７ＢがＳｉＯ2層５及び保護
膜６の縁部まで達するように設けられている薄膜サーミ
スタ１Ａや、図１（ｃ）に示す如く、外部電極がなく表
面電極４Ａ，４Ｂが外部電極を兼ねる薄膜サーミスタ１
Ｂ、図１（ｄ）に示す如く、外部電極７Ａ，７Ｂが表面
電極４Ａ，４Ｂの上面に設けられている薄膜サーミスタ
１Ｃのような構成であっても良い。
に形成されたサーミスタ薄膜と保護膜との間にこのよう
な反応抑止層が形成されたものであれば良く、その層構
成や外部電極の有無などには特に制限はない。例えば、
図１（ａ）に示す薄膜サーミスタ１の他、図１（ｂ）に
示す如く、外部電極７Ａ，７ＢがＳｉＯ2層５及び保護
膜６の縁部まで達するように設けられている薄膜サーミ
スタ１Ａや、図１（ｃ）に示す如く、外部電極がなく表
面電極４Ａ，４Ｂが外部電極を兼ねる薄膜サーミスタ１
Ｂ、図１（ｄ）に示す如く、外部電極７Ａ，７Ｂが表面
電極４Ａ，４Ｂの上面に設けられている薄膜サーミスタ
１Ｃのような構成であっても良い。
【００２３】次に、本発明の薄膜サーミスタの製造方法
の一例を図２（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
の一例を図２（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【００２４】図２（ａ）〜（ｈ）は、図１（ｂ）の薄膜
サーミスタ１Ａを製造する方法を示す模式的な斜視図で
ある。
サーミスタ１Ａを製造する方法を示す模式的な斜視図で
ある。
【００２５】まず、基板１１を準備し、その一方の板面
にサーミスタ層１２を形成する。（図２（ａ），
（ｂ））。このサーミスタ層１２は、有機金属材料を有
機溶媒に溶解した有機金属塗布溶液をスピンコートする
ことにより形成することができる。
にサーミスタ層１２を形成する。（図２（ａ），
（ｂ））。このサーミスタ層１２は、有機金属材料を有
機溶媒に溶解した有機金属塗布溶液をスピンコートする
ことにより形成することができる。
【００２６】例えば、硝酸マンガン、酢酸マンガン、炭
酸マンガン等の有機マンガン化合物と硝酸コバルト、酢
酸コバルト、炭酸コバルト等の有機コバルト化合物を、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリ
ン等の多価アルコールに溶解してアルコール溶液を調製
し、このアルコール溶液に蟻酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸等のカルボン酸を添加混合して塗布溶液を調製す
る。
酸マンガン等の有機マンガン化合物と硝酸コバルト、酢
酸コバルト、炭酸コバルト等の有機コバルト化合物を、
エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリ
ン等の多価アルコールに溶解してアルコール溶液を調製
し、このアルコール溶液に蟻酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸等のカルボン酸を添加混合して塗布溶液を調製す
る。
【００２７】この塗布溶液をスピンコート法により基板
上に塗布し、室温〜２００℃で乾燥した後、３００〜６
００℃で仮焼する。この塗布、乾燥、仮焼を必要とする
膜厚が得られるまで繰り返し行った後、６００〜１００
℃で焼成する。
上に塗布し、室温〜２００℃で乾燥した後、３００〜６
００℃で仮焼する。この塗布、乾燥、仮焼を必要とする
膜厚が得られるまで繰り返し行った後、６００〜１００
℃で焼成する。
【００２８】次に、サーミスタ層１２上に、所定のパタ
ーンで表面電極層１３を形成する（図１（ｃ））。この
表面電極層１３は金属レジネートペーストを用いるスク
リーン印刷等により形成することができる。
ーンで表面電極層１３を形成する（図１（ｃ））。この
表面電極層１３は金属レジネートペーストを用いるスク
リーン印刷等により形成することができる。
【００２９】その後、全面にＳｉＯ2層１４を形成する
（図１（ｄ））。ＳｉＯ2層１４はゾルゲル法で形成す
るのが好ましく、ゾルゲル液の塗布後、室温〜２００℃
で乾燥した後３００〜４００℃で仮焼し、この塗布、乾
燥、仮焼を必要とする膜厚が得られるまで繰り返し行っ
た後、６００〜８００℃で焼成する。
（図１（ｄ））。ＳｉＯ2層１４はゾルゲル法で形成す
るのが好ましく、ゾルゲル液の塗布後、室温〜２００℃
で乾燥した後３００〜４００℃で仮焼し、この塗布、乾
燥、仮焼を必要とする膜厚が得られるまで繰り返し行っ
た後、６００〜８００℃で焼成する。
【００３０】ＳｉＯ2層１４を形成した後は、先に形成
した表面電極層１３の非形成面に対応する位置に所定の
パターンで非晶質ガラス層１５を形成する（図２
（ｅ））。その後、基板１１を切断し（図２（ｅ）の一
点鎖線の位置）、棒状体１６とし（図２（ｆ））、この
棒状体１６の長手方向の両側面に外部電極１７を形成す
る（図２（ｇ））。その後、チップ状に切断して薄膜サ
ーミスタ１Ａを得る（図２（ｈ））。
した表面電極層１３の非形成面に対応する位置に所定の
パターンで非晶質ガラス層１５を形成する（図２
（ｅ））。その後、基板１１を切断し（図２（ｅ）の一
点鎖線の位置）、棒状体１６とし（図２（ｆ））、この
棒状体１６の長手方向の両側面に外部電極１７を形成す
る（図２（ｇ））。その後、チップ状に切断して薄膜サ
ーミスタ１Ａを得る（図２（ｈ））。
【００３１】このような方法によれば、真空装置等を用
いることなく、大気中で、安価に、薄膜サーミスタを大
量生産することができる。
いることなく、大気中で、安価に、薄膜サーミスタを大
量生産することができる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３３】実施例１ 以下の方法で、図１（ｄ）に示す薄膜サーミスタ１Ｃを
製造した。
製造した。
【００３４】炭酸マンガンと炭酸コバルトをエチレング
リコールに３５モル：６５モルの割合で溶解し、これに
酢酸を添加混合して調製した有機金属塗布溶液を、アル
ミナ基板の表面にスピンコートし、１２０度℃で１０分
間乾燥後、６００℃で１０分間仮焼した。この工程を１
５回繰り返した後、９００℃で１時間焼成を行い厚さ
１．５μｍのサーミスタ薄膜を形成した。
リコールに３５モル：６５モルの割合で溶解し、これに
酢酸を添加混合して調製した有機金属塗布溶液を、アル
ミナ基板の表面にスピンコートし、１２０度℃で１０分
間乾燥後、６００℃で１０分間仮焼した。この工程を１
５回繰り返した後、９００℃で１時間焼成を行い厚さ
１．５μｍのサーミスタ薄膜を形成した。
【００３５】次に、このサーミスタ薄膜の上面に、Ａｕ
レジネートペーストをスクリーン印刷法により所定のパ
ターンで塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８５０℃
で１０分間焼成を行い、厚さ０．５μｍの薄膜状の表面
電極を、対向する表面電極間の距離が１００μｍとなる
ように形成した。
レジネートペーストをスクリーン印刷法により所定のパ
ターンで塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８５０℃
で１０分間焼成を行い、厚さ０．５μｍの薄膜状の表面
電極を、対向する表面電極間の距離が１００μｍとなる
ように形成した。
【００３６】次に、ＳｉＯ2のゾルゲル液をこの上面に
スピンコートし、１２０℃で１０分間乾燥後、４００℃
で１０分間仮焼した。この工程を３回繰り返した後、８
００℃で３０分間焼成を行い、厚さ０．３μｍのＳｉＯ
2よりなる反応抑止層を形成した。
スピンコートし、１２０℃で１０分間乾燥後、４００℃
で１０分間仮焼した。この工程を３回繰り返した後、８
００℃で３０分間焼成を行い、厚さ０．３μｍのＳｉＯ
2よりなる反応抑止層を形成した。
【００３７】次に、ＳｉＯ2層の上面にＡｕペーストを
スクリーン印刷法により、表面電極の付着面積よりも小
さい面積で塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８２０
℃で１０分間焼成を行い、厚さ１０μｍのパット状の外
部電極を形成した。
スクリーン印刷法により、表面電極の付着面積よりも小
さい面積で塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８２０
℃で１０分間焼成を行い、厚さ１０μｍのパット状の外
部電極を形成した。
【００３８】次に、低融点のガラス（組成ＰｂＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯ
等）をスクリーン印刷法により塗布し、８００℃で１０
分間焼成を行い、厚さ１０μｍの保護膜を形成した。そ
の後、この基板をパターンに沿ってチップ状に切断し、
複数個の薄膜サーミスタを得た。
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＣｕＯ
等）をスクリーン印刷法により塗布し、８００℃で１０
分間焼成を行い、厚さ１０μｍの保護膜を形成した。そ
の後、この基板をパターンに沿ってチップ状に切断し、
複数個の薄膜サーミスタを得た。
【００３９】この薄膜サーミスタについて、２５℃，５
０℃の抵抗値を測定し、そのＢ定数を計算した結果、同
組成の厚さ７００μｍからなるバルク体のチップ型サー
ミスタのＢ定数と同じであり、サーミスタ薄膜と保護膜
との反応がＳｉＯ2層により抑止され、抵抗値が安定に
維持されていることが確認された。
０℃の抵抗値を測定し、そのＢ定数を計算した結果、同
組成の厚さ７００μｍからなるバルク体のチップ型サー
ミスタのＢ定数と同じであり、サーミスタ薄膜と保護膜
との反応がＳｉＯ2層により抑止され、抵抗値が安定に
維持されていることが確認された。
【００４０】比較例１ 実施例１において、ＳｉＯ2層を形成しなかったこと以
外は同様にして薄膜サーミスタを製造し、同様に２５
℃，５０℃の抵抗値を測定し、そのＢ定数を計算した結
果、ＳｉＯ2層無しでＢ＝４０３０Ｋ、ＳｉＯ2層有りで
Ｂ＝４１００Ｋで、サーミスタ薄膜と保護膜との反応で
Ｂ定数が変化してしまうことが確認された。
外は同様にして薄膜サーミスタを製造し、同様に２５
℃，５０℃の抵抗値を測定し、そのＢ定数を計算した結
果、ＳｉＯ2層無しでＢ＝４０３０Ｋ、ＳｉＯ2層有りで
Ｂ＝４１００Ｋで、サーミスタ薄膜と保護膜との反応で
Ｂ定数が変化してしまうことが確認された。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の薄膜サーミ
スタによれば、セラミック基板と、セラミック基板の一
方の板面に設けられたサーミスタ薄膜と、サーミスタ薄
膜上に、間隔をあけて設けられた一対の表面電極と、サ
ーミスタ薄膜の露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保
護膜を備えてなる薄膜サーミスタであって、サーミスタ
薄膜と保護膜との反応を防止して、サーミスタ特性の安
定性が高く、高精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供
することができる。
スタによれば、セラミック基板と、セラミック基板の一
方の板面に設けられたサーミスタ薄膜と、サーミスタ薄
膜上に、間隔をあけて設けられた一対の表面電極と、サ
ーミスタ薄膜の露出面を覆う絶縁性無機材料よりなる保
護膜を備えてなる薄膜サーミスタであって、サーミスタ
薄膜と保護膜との反応を防止して、サーミスタ特性の安
定性が高く、高精度で高信頼性の薄膜サーミスタを提供
することができる。
【図１】本発明の薄膜サーミスタの実施の形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の薄膜サーミスタの製造方法の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 薄膜サーミスタ ２ セラミック基板 ３ サーミスタ薄膜 ４Ａ，４Ｂ 表面電極 ５ ＳｉＯ2層 ６ 保護膜 ７Ａ，７Ｂ 外部電極 １１ 基板 １２ サーミスタ層 １３ 表面電極層 １４ ＳｉＯ2層 １５ ガラス層 １６ 棒状体 １７ 外部電極層
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板と、該セラミック基板の
一方の板面に設けられたサーミスタ薄膜と、該サーミス
タ薄膜上に、間隔をあけて設けられた一対の表面電極
と、少なくともサーミスタ薄膜の露出面を覆う絶縁性無
機材料よりなる保護膜とを備えてなる薄膜サーミスタに
おいて、 該サーミスタ薄膜と保護膜との間に反応抑止層を設けた
ことを特徴とする薄膜サーミスタ。 - 【請求項２】 請求項１において、該反応抑止層がＳｉ
Ｏ2よりなることを特徴とする薄膜サーミスタ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該絶縁性無機
材料はガラス材料であることを特徴とする薄膜サーミス
タ。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、該サーミスタ薄膜は有機金属材料を用いて形成され
たことを特徴とする薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1889198A JPH11219804A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 薄膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1889198A JPH11219804A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 薄膜サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219804A true JPH11219804A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11984203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1889198A Pending JPH11219804A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 薄膜サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219804A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180523A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | サーミスタ |
| JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1889198A patent/JPH11219804A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180523A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-07-12 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | サーミスタ |
| JP2009177085A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Tdk Corp | セラミック素子 |
| US7813104B2 (en) | 2008-01-28 | 2010-10-12 | Tdk Corporation | Ceramic element |
| KR101055161B1 (ko) | 2008-01-28 | 2011-08-08 | 티디케이가부시기가이샤 | 세라믹 소자 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021001 |