JPH11220180A - Ｌｅｄアレイヘッド - Google Patents
ＬｅｄアレイヘッドInfo
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- JPH11220180A JPH11220180A JP1922698A JP1922698A JPH11220180A JP H11220180 A JPH11220180 A JP H11220180A JP 1922698 A JP1922698 A JP 1922698A JP 1922698 A JP1922698 A JP 1922698A JP H11220180 A JPH11220180 A JP H11220180A
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- led light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 突出構造のＬＥＤ発光部の側面からの側面光
による悪影響を製造が簡単な構造で抑制できるようにす
る。 【解決手段】 突出構造の各ＬＥＤ発光部２間に光吸収
材３を埋め込む。これにより、ＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから基板面内のアレイ方向に側面光Ｐ１が放射された
としても、ＬＥＤ発光部２間に埋め込まれている光吸収
材３中で吸収・減衰され、外部に出ても殆ど影響のない
光となる。ここに、光吸収材３を埋め込む工程にはフォ
トリソグラフィ法を用いる必要がなく、フォトマスクの
アライメントも要しないものとなり、結果として、側面
光Ｐ１による悪影響を製造が簡単な構造で抑制すること
ができる。
による悪影響を製造が簡単な構造で抑制できるようにす
る。 【解決手段】 突出構造の各ＬＥＤ発光部２間に光吸収
材３を埋め込む。これにより、ＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから基板面内のアレイ方向に側面光Ｐ１が放射された
としても、ＬＥＤ発光部２間に埋め込まれている光吸収
材３中で吸収・減衰され、外部に出ても殆ど影響のない
光となる。ここに、光吸収材３を埋め込む工程にはフォ
トリソグラフィ法を用いる必要がなく、フォトマスクの
アライメントも要しないものとなり、結果として、側面
光Ｐ１による悪影響を製造が簡単な構造で抑制すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤアレイプリ
ンタ用の光源に用いられるＬＥＤアレイヘッドに関す
る。
ンタ用の光源に用いられるＬＥＤアレイヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子写真プロセスを利用したプリンタと
して、光源にＬＥＤアレイヘッドを用いたＬＥＤアレイ
プリンタはレーザラスタ方式のレーザプリンタに比べて
振動や熱による光学系の変形に強いという利点を持つ。
して、光源にＬＥＤアレイヘッドを用いたＬＥＤアレイ
プリンタはレーザラスタ方式のレーザプリンタに比べて
振動や熱による光学系の変形に強いという利点を持つ。
【０００３】図４はこのようなＬＥＤアレイプリンタの
基本構成の概略を示すもので、ＬＥＤアレイヘッド１０
０から出射された光を等倍結像光学系１０１を介してド
ラム状の感光体１０２表面に集光させることにより感光
面を露光して静電潜像を形成する構成とされている。
基本構成の概略を示すもので、ＬＥＤアレイヘッド１０
０から出射された光を等倍結像光学系１０１を介してド
ラム状の感光体１０２表面に集光させることにより感光
面を露光して静電潜像を形成する構成とされている。
【０００４】このようなＬＥＤアレイプリンタに用いら
れるＬＥＤアレイヘッド１００としては、例えば、図５
に示すように、ヘッド基板として安価なシリコン基板１
１０に化合物半導体を成長させることで、シリコン基板
１１０表面に対して突出したＬＥＤ発光部１１１をアレ
イ状に形成するようにしたものが提案されている（例え
ば、特開平９−４５９５５号公報参照）。このようなＬ
ＥＤアレイヘッド１００において、シリコン基板１１０
上の個別電極１１２と共通電極１１３とに対して電気的
に接続された複数の半導体層からなる各ＬＥＤ発光部１
１１からの発光は、紙面表裏方向に取り出され、例え
ば、前述の等倍結像光学系１０１を介して感光体１０２
上に結像される。
れるＬＥＤアレイヘッド１００としては、例えば、図５
に示すように、ヘッド基板として安価なシリコン基板１
１０に化合物半導体を成長させることで、シリコン基板
１１０表面に対して突出したＬＥＤ発光部１１１をアレ
イ状に形成するようにしたものが提案されている（例え
ば、特開平９−４５９５５号公報参照）。このようなＬ
ＥＤアレイヘッド１００において、シリコン基板１１０
上の個別電極１１２と共通電極１１３とに対して電気的
に接続された複数の半導体層からなる各ＬＥＤ発光部１
１１からの発光は、紙面表裏方向に取り出され、例え
ば、前述の等倍結像光学系１０１を介して感光体１０２
上に結像される。
【０００５】この際、シリコン基板１１０から突出形成
されたＬＥＤ発光部１１１にあってその側面から基板面
内方向に対しても側面光として放射されるので、隣接す
るＬＥＤ発光部１１１や個別電極１１２や共通電極１１
３、或いは、個別電極１１２に対するボンディングワイ
ヤ（図示せず）等により反射されて、恰もそれらの各点
が発光点であるかの如く、感光体１０２に向けて望まし
くない雑音成分の発光パターンとして照射されてしま
う。このような雑音成分の発光パターンによる露光を受
けた部分にも潜像が形成され、現像後にはトナー像とし
て紙に転写されるので、出力画像上、線幅ムラなどの画
質劣化を引き起こす一因となる。
されたＬＥＤ発光部１１１にあってその側面から基板面
内方向に対しても側面光として放射されるので、隣接す
るＬＥＤ発光部１１１や個別電極１１２や共通電極１１
３、或いは、個別電極１１２に対するボンディングワイ
ヤ（図示せず）等により反射されて、恰もそれらの各点
が発光点であるかの如く、感光体１０２に向けて望まし
くない雑音成分の発光パターンとして照射されてしま
う。このような雑音成分の発光パターンによる露光を受
けた部分にも潜像が形成され、現像後にはトナー像とし
て紙に転写されるので、出力画像上、線幅ムラなどの画
質劣化を引き起こす一因となる。
【０００６】このようなことから、突出構造のＬＥＤ発
光部から放射される望ましくない側面光の影響を除去す
る構造として、ＬＥＤ発光部の側面部分に遮光膜を設け
るようにしたものが、例えば、特開平６−２５２４４０
号公報により提案されている。図６によりその構造例を
簡単に説明する。図６は１つのＬＥＤ発光部１１１のみ
を示すもので、シリコン基板１１０上に４層の半導体層
１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄを成長積層さ
せることにより突出した形状に形成されており、上面側
に形成した個別電極１１２とシリコン基板１１０下面側
に形成した共通電極１１３との間に電流を流すことによ
りＬＥＤ発光部１１１が発光する。ここで、本来望まれ
る発光光は、ＬＥＤ発光部１１１の上面１１１ａから取
り出される光であるが、ＬＥＤ発光部１１１の側面１１
１ｂも発光するので、保護膜１１５を介して反射膜（遮
光膜）１１６を形成することにより側面光を抑制する、
という構造である。
光部から放射される望ましくない側面光の影響を除去す
る構造として、ＬＥＤ発光部の側面部分に遮光膜を設け
るようにしたものが、例えば、特開平６−２５２４４０
号公報により提案されている。図６によりその構造例を
簡単に説明する。図６は１つのＬＥＤ発光部１１１のみ
を示すもので、シリコン基板１１０上に４層の半導体層
１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄを成長積層さ
せることにより突出した形状に形成されており、上面側
に形成した個別電極１１２とシリコン基板１１０下面側
に形成した共通電極１１３との間に電流を流すことによ
りＬＥＤ発光部１１１が発光する。ここで、本来望まれ
る発光光は、ＬＥＤ発光部１１１の上面１１１ａから取
り出される光であるが、ＬＥＤ発光部１１１の側面１１
１ｂも発光するので、保護膜１１５を介して反射膜（遮
光膜）１１６を形成することにより側面光を抑制する、
という構造である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような遮光構造に
関して、反射膜１１６が光の一部を透過させる構造の場
合には、透過した光が微弱であっても感光体１０２面上
の露光パターンに悪影響を及ぼすので、反射膜１１６と
しては酸化物のような透明な材料ではなく薄膜であって
も遮光が十分である材料、具体的には、金属材料を用い
る必要がある。
関して、反射膜１１６が光の一部を透過させる構造の場
合には、透過した光が微弱であっても感光体１０２面上
の露光パターンに悪影響を及ぼすので、反射膜１１６と
しては酸化物のような透明な材料ではなく薄膜であって
も遮光が十分である材料、具体的には、金属材料を用い
る必要がある。
【０００８】ここに、金属反射膜を形成する方法として
は、蒸着法やスパッタリング法のように、成膜方向に異
方性を有する手法が普通である。よって、成膜すべきＬ
ＥＤ発光部１１１の側面１１１ｂが垂直であったり逆メ
サ形状のオーバハングがあると（図６の場合も、ＬＥＤ
発光部１１１のアレイ方向の側面形状はくの字状くびれ
形状或いは逆メサ形状となっている）、基板を傾けて推
積させる等の成膜工程を採らざるを得ず、ＬＥＤアレイ
ヘッドの製造工程が複雑化してしまう問題がある。ま
た、導電体である金属による電極同士のショートを避け
るために、個別電極と遮光膜とを絶縁膜で絶縁すること
が必要となり、工程が増加してしまう場合もある。
は、蒸着法やスパッタリング法のように、成膜方向に異
方性を有する手法が普通である。よって、成膜すべきＬ
ＥＤ発光部１１１の側面１１１ｂが垂直であったり逆メ
サ形状のオーバハングがあると（図６の場合も、ＬＥＤ
発光部１１１のアレイ方向の側面形状はくの字状くびれ
形状或いは逆メサ形状となっている）、基板を傾けて推
積させる等の成膜工程を採らざるを得ず、ＬＥＤアレイ
ヘッドの製造工程が複雑化してしまう問題がある。ま
た、導電体である金属による電極同士のショートを避け
るために、個別電極と遮光膜とを絶縁膜で絶縁すること
が必要となり、工程が増加してしまう場合もある。
【０００９】そこで、本発明は、突出構造のＬＥＤ発光
部の側面からの側面光による悪影響を製造が簡単な構造
で抑制し得るＬＥＤアレイヘッドを提供することを目的
とする。
部の側面からの側面光による悪影響を製造が簡単な構造
で抑制し得るＬＥＤアレイヘッドを提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレ
イ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥ
Ｄ発光部間に光吸収材が埋め込まれている。従って、突
出構造のＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向
に側面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め
込まれている光吸収材中で吸収・減衰されるため、外部
に出ても殆ど影響のない光となり、側面光による悪影響
を製造が簡単な構造で抑制できる。ここに、光吸収材と
しては、遮光用接着剤として用いられている金属酸化物
をフィラ状にした樹脂材料や、カーボンブラックを分散
させた樹脂材料などのような、光吸収体を含んだ樹脂を
用い得る。
ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレ
イ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥ
Ｄ発光部間に光吸収材が埋め込まれている。従って、突
出構造のＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向
に側面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め
込まれている光吸収材中で吸収・減衰されるため、外部
に出ても殆ど影響のない光となり、側面光による悪影響
を製造が簡単な構造で抑制できる。ここに、光吸収材と
しては、遮光用接着剤として用いられている金属酸化物
をフィラ状にした樹脂材料や、カーボンブラックを分散
させた樹脂材料などのような、光吸収体を含んだ樹脂を
用い得る。
【００１１】請求項２記載の発明は、ヘッド基板から突
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成された
ＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間に高屈
折率材が埋め込まれている。従って、突出構造のＬＥＤ
発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側面光が放射
されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込まれている高
屈折率材中に放射されることになり、外部の空気と高屈
折率材との屈折率で決まる全反射角内で入射した光は表
面から外部に取り出されずに全反射されて基板側に戻さ
れ吸収される。また、仮に高屈折率材と外部空気層との
界面に対して全反射角以上の角度で入射した側面光はそ
の界面から外部に放射されるが、スネルの法則に従い、
この界面で大きく屈折するため、垂直方向へは殆ど放射
されない。つまり、側面光は主に基板面内方向に放射さ
れるので、高屈折率材と外部空気層との界面への入射角
は浅く、殆どの側面光を全反射させ得ることが期待でき
る。これにより、側面光による悪影響を製造が簡単な構
造で抑制できる。ここに、高屈折率材としては、樹脂で
あれば屈折率が１．７程度のものは容易に入手可能であ
り、また、無機材料の場合には屈折率が２以上のものが
多いので適宜選択し得る。また、光吸収性は必須ではな
いため、ＬＥＤ発光部間の埋込に利用できる材料の選択
枝が広い。もっとも、光吸収性を有する高屈折率材料を
用いれば、請求項１記載の発明による効果も得られるた
め、側面光に対する遮光効果が向上する。
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成された
ＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間に高屈
折率材が埋め込まれている。従って、突出構造のＬＥＤ
発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側面光が放射
されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込まれている高
屈折率材中に放射されることになり、外部の空気と高屈
折率材との屈折率で決まる全反射角内で入射した光は表
面から外部に取り出されずに全反射されて基板側に戻さ
れ吸収される。また、仮に高屈折率材と外部空気層との
界面に対して全反射角以上の角度で入射した側面光はそ
の界面から外部に放射されるが、スネルの法則に従い、
この界面で大きく屈折するため、垂直方向へは殆ど放射
されない。つまり、側面光は主に基板面内方向に放射さ
れるので、高屈折率材と外部空気層との界面への入射角
は浅く、殆どの側面光を全反射させ得ることが期待でき
る。これにより、側面光による悪影響を製造が簡単な構
造で抑制できる。ここに、高屈折率材としては、樹脂で
あれば屈折率が１．７程度のものは容易に入手可能であ
り、また、無機材料の場合には屈折率が２以上のものが
多いので適宜選択し得る。また、光吸収性は必須ではな
いため、ＬＥＤ発光部間の埋込に利用できる材料の選択
枝が広い。もっとも、光吸収性を有する高屈折率材料を
用いれば、請求項１記載の発明による効果も得られるた
め、側面光に対する遮光効果が向上する。
【００１２】請求項３記載の発明は、ヘッド基板から突
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成された
ＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間が埋込
材により平坦に埋め込まれ、各ＬＥＤ発光部間の埋込材
上に遮光膜が形成されている。従って、突出構造のＬＥ
Ｄ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側面光が放
射された場合、埋込材中に入射して外部の空気層中に向
けて出射しようとするが、埋込層上には遮光膜が形成さ
れているので、この遮光膜で遮光され、外部には出射し
ない。ここに、遮光膜は埋込材によりＬＥＤ発光部とと
もに平坦化された表面上に形成すればよいので、各ＬＥ
Ｄ発光部が突出状態のままで遮光膜を形成する場合に比
してその形成工程は容易となる。よって、側面光による
悪影響を製造が簡単な構造で抑制できる。また、遮光膜
が遮光機能を発揮するので、埋込材の材料としては透明
な材料等であってもよく、適宜選択し得る。
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成された
ＬＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ発光部間が埋込
材により平坦に埋め込まれ、各ＬＥＤ発光部間の埋込材
上に遮光膜が形成されている。従って、突出構造のＬＥ
Ｄ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側面光が放
射された場合、埋込材中に入射して外部の空気層中に向
けて出射しようとするが、埋込層上には遮光膜が形成さ
れているので、この遮光膜で遮光され、外部には出射し
ない。ここに、遮光膜は埋込材によりＬＥＤ発光部とと
もに平坦化された表面上に形成すればよいので、各ＬＥ
Ｄ発光部が突出状態のままで遮光膜を形成する場合に比
してその形成工程は容易となる。よって、側面光による
悪影響を製造が簡単な構造で抑制できる。また、遮光膜
が遮光機能を発揮するので、埋込材の材料としては透明
な材料等であってもよく、適宜選択し得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
に基づいて説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッ
ドにおいては、ヘッド基板としてＧａＡｓ基板１が用い
られている。このようなＧａＡｓ基板１の表面には半導
体層を成膜し、適宜パターンにエッチングすることによ
り複数個のＬＥＤ発光部２が突出構造としてアレイ状に
形成されている（紙面、左右方向がアレイ方向である）
（図１（ａ）参照）。このようなＬＥＤ発光部２を有す
るＧａＡｓ基板１の表面全面に酸化アルミニウムが分散
されて可視光に対して遮光性を示すエポキシ系樹脂を光
吸収材３として塗布し、平坦化させる（図１（ｂ）参
照）。このような光吸収材３に対して反応性イオンエッ
チングでエッチバックすることで、ＬＥＤ発光部２の上
面２ａと同一平面をなすように除去する（図１（ｃ）参
照）。これにより、各ＬＥＤ発光部２間が光吸収材３に
より埋め込まれた構造となる。この後、各ＬＥＤ発光部
２の上面２ａに対する個別電極の形成、ＧａＡｓ基板１
裏面に対する共通電極の形成等の工程を経て、ＬＥＤア
レイヘッドが完成する。
に基づいて説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッ
ドにおいては、ヘッド基板としてＧａＡｓ基板１が用い
られている。このようなＧａＡｓ基板１の表面には半導
体層を成膜し、適宜パターンにエッチングすることによ
り複数個のＬＥＤ発光部２が突出構造としてアレイ状に
形成されている（紙面、左右方向がアレイ方向である）
（図１（ａ）参照）。このようなＬＥＤ発光部２を有す
るＧａＡｓ基板１の表面全面に酸化アルミニウムが分散
されて可視光に対して遮光性を示すエポキシ系樹脂を光
吸収材３として塗布し、平坦化させる（図１（ｂ）参
照）。このような光吸収材３に対して反応性イオンエッ
チングでエッチバックすることで、ＬＥＤ発光部２の上
面２ａと同一平面をなすように除去する（図１（ｃ）参
照）。これにより、各ＬＥＤ発光部２間が光吸収材３に
より埋め込まれた構造となる。この後、各ＬＥＤ発光部
２の上面２ａに対する個別電極の形成、ＧａＡｓ基板１
裏面に対する共通電極の形成等の工程を経て、ＬＥＤア
レイヘッドが完成する。
【００１４】このような構成によれば、或るＬＥＤ発光
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けて放射される。この際、そのＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから放射される側面光Ｐ１も存在するが、このような
側面光Ｐ１はＬＥＤ発光部２間に埋め込まれた光吸収材
３中に入り込んで吸収・減衰される。よって、このよう
な側面光Ｐ１が基板面に垂直な方向に放射されて感光体
面側に向かうことが防止され、側面光Ｐ１による悪影響
が抑制される。このような機能を果たす光吸収材３でＬ
ＥＤ発光部２間を埋め込む工程にはフォトグラフィー法
を用いる必要がなく塗布工程で済むため、フォトマスク
のアライメントが不要となり、製造が簡単な構造で目的
を達成できる。
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けて放射される。この際、そのＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから放射される側面光Ｐ１も存在するが、このような
側面光Ｐ１はＬＥＤ発光部２間に埋め込まれた光吸収材
３中に入り込んで吸収・減衰される。よって、このよう
な側面光Ｐ１が基板面に垂直な方向に放射されて感光体
面側に向かうことが防止され、側面光Ｐ１による悪影響
が抑制される。このような機能を果たす光吸収材３でＬ
ＥＤ発光部２間を埋め込む工程にはフォトグラフィー法
を用いる必要がなく塗布工程で済むため、フォトマスク
のアライメントが不要となり、製造が簡単な構造で目的
を達成できる。
【００１５】本発明の第二の実施の形態を図２に基づい
て説明する。前記実施の形態で示した部分と同一部分は
同一符号を用いて示し、説明も省略する（以下の実施の
形態でも同様とする）。本実施の形態のＬＥＤアレイヘ
ッドでは、突出形状の各ＬＥＤ発光部２間に光吸収材３
に代えて高屈折率材としてポリイミド４が埋め込まれて
いる。この場合、基本的な製法は図１の場合に準ずる
が、ポリイミド４を塗布した後、ドライエッチングによ
るエッチバックにより図２に示すような平坦形状とされ
る。
て説明する。前記実施の形態で示した部分と同一部分は
同一符号を用いて示し、説明も省略する（以下の実施の
形態でも同様とする）。本実施の形態のＬＥＤアレイヘ
ッドでは、突出形状の各ＬＥＤ発光部２間に光吸収材３
に代えて高屈折率材としてポリイミド４が埋め込まれて
いる。この場合、基本的な製法は図１の場合に準ずる
が、ポリイミド４を塗布した後、ドライエッチングによ
るエッチバックにより図２に示すような平坦形状とされ
る。
【００１６】このような構成によれば、或るＬＥＤ発光
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けて放射される。この際、そのＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから放射される側面光も存在し、ＬＥＤ発光部２間に
埋め込まれたポリイミド４中に入り込むが、ポリイミド
４と外部空気層との界面に対して全反射角より浅く入射
した側面光はＰ２で示すようにその界面で全反射され、
最終的にはＧａＡｓ基板１側に反射されることになり、
外部に出射することはない。また、全反射角より深い角
度でポリイミド４と外部空気層との界面に入射する側面
光が存在したとしても、ポリイミド４の方が空気層より
も屈折率が高いので、界面から出射するもののＰ３で示
すように基板面内方向に大きく曲げられるため、感光体
面側に到達することは殆どなく、実質的に影響のない光
となる。特に、ＬＥＤ発光部２からの側面光は主に基板
面内方向に放射されるので、ポリイミド４と外部空気層
との界面への入射角は浅く、殆どの側面光を全反射させ
得ることが期待できる。このような機能を果たすポリイ
ミド４でＬＥＤ発光部２間を埋め込む工程にはフォトグ
ラフィー法を用いる必要がなく塗布工程で済むため、フ
ォトマスクのアライメントが不要となり、製造が簡単な
構造で目的を達成できる。
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けて放射される。この際、そのＬＥＤ発光部２の側面２
ｂから放射される側面光も存在し、ＬＥＤ発光部２間に
埋め込まれたポリイミド４中に入り込むが、ポリイミド
４と外部空気層との界面に対して全反射角より浅く入射
した側面光はＰ２で示すようにその界面で全反射され、
最終的にはＧａＡｓ基板１側に反射されることになり、
外部に出射することはない。また、全反射角より深い角
度でポリイミド４と外部空気層との界面に入射する側面
光が存在したとしても、ポリイミド４の方が空気層より
も屈折率が高いので、界面から出射するもののＰ３で示
すように基板面内方向に大きく曲げられるため、感光体
面側に到達することは殆どなく、実質的に影響のない光
となる。特に、ＬＥＤ発光部２からの側面光は主に基板
面内方向に放射されるので、ポリイミド４と外部空気層
との界面への入射角は浅く、殆どの側面光を全反射させ
得ることが期待できる。このような機能を果たすポリイ
ミド４でＬＥＤ発光部２間を埋め込む工程にはフォトグ
ラフィー法を用いる必要がなく塗布工程で済むため、フ
ォトマスクのアライメントが不要となり、製造が簡単な
構造で目的を達成できる。
【００１７】本発明の第三の実施の形態を図３に基づい
て説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッドでは、
ＬＥＤ発光部２が突出構造でアレイ状に形成されたＧａ
Ａｓ基板１上全面に透明材料による埋込材であるアクリ
ル系レジスト５が塗布されて平坦化されており（図３
（ａ）参照）、このアクリル系レジスト５の表面に遮光
膜としてクロム膜６が成膜され、エッチングにより各Ｌ
ＥＤ発光部２真上のクロム膜６が選択的に除去されてい
る（図３（ｂ））。即ち、クロム膜６は各ＬＥＤ発光部
２間のアクリル系レジスト５上のみに形成される。
て説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッドでは、
ＬＥＤ発光部２が突出構造でアレイ状に形成されたＧａ
Ａｓ基板１上全面に透明材料による埋込材であるアクリ
ル系レジスト５が塗布されて平坦化されており（図３
（ａ）参照）、このアクリル系レジスト５の表面に遮光
膜としてクロム膜６が成膜され、エッチングにより各Ｌ
ＥＤ発光部２真上のクロム膜６が選択的に除去されてい
る（図３（ｂ））。即ち、クロム膜６は各ＬＥＤ発光部
２間のアクリル系レジスト５上のみに形成される。
【００１８】このような構成によれば、或るＬＥＤ発光
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けてＰ５で示すように放射される。このとき、アクリル
系レジスト５は透明であるので、上面２ａ上にアクリル
系レジスト５が存在していても支障ない。これは、製造
工程においてドライエッチングでアクリル系レジスト５
をエッチバックしなくてもよいことを意味し、一般にド
ライエッチングに伴うＧａＡｓ基板１の加熱を避けるこ
とができる。また、埋込材として耐熱性の比較的低い材
料を選択できることになる。もっとも、透明でない埋込
材を用いる場合には、ＬＥＤ発光部２の上面２ａと同一
平面をなすような平坦形状とすればよい。また、或るＬ
ＥＤ発光部２の発光に伴い、その側面２ｂから放射され
る側面光は、そのままアクリル系レジスト５中に入り込
み外部に出射しようとするが、各ＬＥＤ発光部２間にお
いてはアクリル系レジスト５の表面がクロム膜６により
遮光されているので、Ｐ４で示すようにクロム膜６で反
射されて基板側に戻され、外部に出ることはない。よっ
て、製造が簡単な構造で、側面光による感光体面側への
悪影響を抑制できる。
部２が発光した場合、その上面２ａから感光体面側に向
けてＰ５で示すように放射される。このとき、アクリル
系レジスト５は透明であるので、上面２ａ上にアクリル
系レジスト５が存在していても支障ない。これは、製造
工程においてドライエッチングでアクリル系レジスト５
をエッチバックしなくてもよいことを意味し、一般にド
ライエッチングに伴うＧａＡｓ基板１の加熱を避けるこ
とができる。また、埋込材として耐熱性の比較的低い材
料を選択できることになる。もっとも、透明でない埋込
材を用いる場合には、ＬＥＤ発光部２の上面２ａと同一
平面をなすような平坦形状とすればよい。また、或るＬ
ＥＤ発光部２の発光に伴い、その側面２ｂから放射され
る側面光は、そのままアクリル系レジスト５中に入り込
み外部に出射しようとするが、各ＬＥＤ発光部２間にお
いてはアクリル系レジスト５の表面がクロム膜６により
遮光されているので、Ｐ４で示すようにクロム膜６で反
射されて基板側に戻され、外部に出ることはない。よっ
て、製造が簡単な構造で、側面光による感光体面側への
悪影響を抑制できる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、突出構造
の各ＬＥＤ発光部間に光吸収材が埋め込まれているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込ま
れている光吸収材中で吸収・減衰させることで、外部に
出ても殆ど影響のない光とすることができ、側面光によ
る悪影響を製造が簡単な構造で抑制することができる。
の各ＬＥＤ発光部間に光吸収材が埋め込まれているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込ま
れている光吸収材中で吸収・減衰させることで、外部に
出ても殆ど影響のない光とすることができ、側面光によ
る悪影響を製造が簡単な構造で抑制することができる。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、突出構造の
各ＬＥＤ発光部間に高屈折率材が埋め込まれているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込ま
れている高屈折率材中に放射されることになり、外部の
空気と高屈折率材との屈折率で決まる全反射角内で入射
した光は表面から外部に取り出されずに全反射させて基
板側に戻して吸収させ、全反射角以上の角度で入射した
側面光は高屈折率材表面から外部に放射されるが、スネ
ルの法則に従い、この表面で大きく屈折させることがで
き、実質的に側面光による悪影響が生じない状態とな
り、これにより、側面光による悪影響を製造が簡単な構
造で抑制することができる。
各ＬＥＤ発光部間に高屈折率材が埋め込まれているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射されたとしても、ＬＥＤ発光部間に埋め込ま
れている高屈折率材中に放射されることになり、外部の
空気と高屈折率材との屈折率で決まる全反射角内で入射
した光は表面から外部に取り出されずに全反射させて基
板側に戻して吸収させ、全反射角以上の角度で入射した
側面光は高屈折率材表面から外部に放射されるが、スネ
ルの法則に従い、この表面で大きく屈折させることがで
き、実質的に側面光による悪影響が生じない状態とな
り、これにより、側面光による悪影響を製造が簡単な構
造で抑制することができる。
【００２１】請求項３記載の発明によれば、突出構造の
各ＬＥＤ発光部間が埋込材により平坦に埋め込まれ、各
ＬＥＤ発光部間の埋込材上に遮光膜が形成されているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射された場合、埋込材中に入射して外部の空気
層中に向けて出射しようとするが、埋込層上の遮光膜で
遮光することで外部への出射を防止でき、特に、遮光膜
は埋込材によりＬＥＤ発光部とともに平坦化された表面
上に形成すればよいので、各ＬＥＤ発光部が突出状態の
ままで遮光膜を形成する場合に比してその形成工程を容
易にすることができ、よって、側面光による悪影響を製
造が簡単な構造で抑制することができる。
各ＬＥＤ発光部間が埋込材により平坦に埋め込まれ、各
ＬＥＤ発光部間の埋込材上に遮光膜が形成されているの
で、ＬＥＤ発光部の側面から基板面内のアレイ方向に側
面光が放射された場合、埋込材中に入射して外部の空気
層中に向けて出射しようとするが、埋込層上の遮光膜で
遮光することで外部への出射を防止でき、特に、遮光膜
は埋込材によりＬＥＤ発光部とともに平坦化された表面
上に形成すればよいので、各ＬＥＤ発光部が突出状態の
ままで遮光膜を形成する場合に比してその形成工程を容
易にすることができ、よって、側面光による悪影響を製
造が簡単な構造で抑制することができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を製造工程順に示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明の第二の実施の形態を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第三の実施の形態を製造工程順に示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図４】一般的なＬＥＤアレイプリンタの基本構成を示
す概略側面図である。
す概略側面図である。
【図５】従来のＬＥＤアレイヘッドの構成例を示す平面
図である。
図である。
【図６】従来の遮光膜構造を示す断面図である。
１ ヘッド基板 ２ ＬＥＤ発光部 ２ｂ 側面 ３ 光吸収材 ４ 高屈折率材 ５ 埋込剤 ６ 遮光膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｂ４１Ｊ 2/455
Claims (3)
- 【請求項１】 ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥ
Ｄ発光部がアレイ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドに
おいて、各ＬＥＤ発光部間に光吸収材が埋め込まれてい
ることを特徴とするＬＥＤアレイヘッド。 - 【請求項２】 ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥ
Ｄ発光部がアレイ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドに
おいて、各ＬＥＤ発光部間に高屈折率材が埋め込まれて
いることを特徴とするＬＥＤアレイヘッド。 - 【請求項３】 ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥ
Ｄ発光部がアレイ状に形成されたＬＥＤアレイヘッドに
おいて、各ＬＥＤ発光部間が埋込材により平坦に埋め込
まれ、各ＬＥＤ発光部間の埋込材上に遮光膜が形成され
ていることを特徴とするＬＥＤアレイヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1922698A JPH11220180A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1922698A JPH11220180A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220180A true JPH11220180A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11993473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1922698A Pending JPH11220180A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220180A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237618A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2012222126A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP2016021583A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| WO2019230050A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1922698A patent/JPH11220180A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237618A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2016021583A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| US9490396B2 (en) | 2009-08-07 | 2016-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US9728683B2 (en) | 2009-08-07 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US9985171B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-05-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US10665747B2 (en) | 2009-08-07 | 2020-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US11239386B2 (en) | 2009-08-07 | 2022-02-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US11749776B2 (en) | 2009-08-07 | 2023-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| US12002901B2 (en) | 2009-08-07 | 2024-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component |
| JP2012222126A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-12 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| WO2019230050A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |