JPH11220162A - Ｌｅｄアレイヘッド - Google Patents
ＬｅｄアレイヘッドInfo
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- JPH11220162A JPH11220162A JP1922498A JP1922498A JPH11220162A JP H11220162 A JPH11220162 A JP H11220162A JP 1922498 A JP1922498 A JP 1922498A JP 1922498 A JP1922498 A JP 1922498A JP H11220162 A JPH11220162 A JP H11220162A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 突出構造のＬＥＤ発光部の側面からの側面光
を抑制するための金属製の遮光膜を容易に形成できるよ
うにする。 【解決手段】 ＬＥＤ発光部２の側面２ｂ自体を全周に
渡って順メサ形状に形成することで、側面２ｂに対して
金属製の遮光膜４を蒸着法やスパッタリング法などによ
り形成する際に、ヘッド基板１を斜めに傾けたりするこ
となく基板面垂直方向から直接的に推積させて形成する
ことができる。これにより、側面光を抑制するための構
造を容易に製造できる。また、遮光膜４の材料とＬＥＤ
発光部２に対する個別電極５ａの電極材料とが同じであ
れば、両者を同時に形成することもできる。
を抑制するための金属製の遮光膜を容易に形成できるよ
うにする。 【解決手段】 ＬＥＤ発光部２の側面２ｂ自体を全周に
渡って順メサ形状に形成することで、側面２ｂに対して
金属製の遮光膜４を蒸着法やスパッタリング法などによ
り形成する際に、ヘッド基板１を斜めに傾けたりするこ
となく基板面垂直方向から直接的に推積させて形成する
ことができる。これにより、側面光を抑制するための構
造を容易に製造できる。また、遮光膜４の材料とＬＥＤ
発光部２に対する個別電極５ａの電極材料とが同じであ
れば、両者を同時に形成することもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤアレイプリ
ンタ用の光源に用いられるＬＥＤアレイヘッドに関す
る。
ンタ用の光源に用いられるＬＥＤアレイヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子写真プロセスを利用したプリンタと
して、光源にＬＥＤアレイヘッドを用いたＬＥＤアレイ
プリンタはレーザラスタ方式のレーザプリンタに比べて
振動や熱による光学系の変形に強いという利点を持つ。
して、光源にＬＥＤアレイヘッドを用いたＬＥＤアレイ
プリンタはレーザラスタ方式のレーザプリンタに比べて
振動や熱による光学系の変形に強いという利点を持つ。
【０００３】図４はこのようなＬＥＤアレイプリンタの
基本構成の概略を示すもので、ＬＥＤアレイヘッド１０
０から出射された光を等倍結像光学系１０１を介してド
ラム状の感光体１０２表面に集光させることにより感光
面を露光して静電潜像を形成する構成とされている。
基本構成の概略を示すもので、ＬＥＤアレイヘッド１０
０から出射された光を等倍結像光学系１０１を介してド
ラム状の感光体１０２表面に集光させることにより感光
面を露光して静電潜像を形成する構成とされている。
【０００４】このようなＬＥＤアレイプリンタに用いら
れるＬＥＤアレイヘッド１００としては、例えば、図５
に示すように、ヘッド基板として安価なシリコン基板１
１０に化合物半導体を成長させることで、シリコン基板
１１０表面に対して突出したＬＥＤ発光部１１１をアレ
イ状に形成するようにしたものが提案されている（例え
ば、特開平９−４５９５５号公報参照）。このようなＬ
ＥＤアレイヘッド１００において、シリコン基板１１０
上の個別電極１１２と共通電極１１３とに対して電気的
に接続された複数の半導体層からなる各ＬＥＤ発光部１
１１からの発光は、紙面表裏方向に取り出され、例え
ば、前述の等倍結像光学系１０１を介して感光体１０２
上に結像される。
れるＬＥＤアレイヘッド１００としては、例えば、図５
に示すように、ヘッド基板として安価なシリコン基板１
１０に化合物半導体を成長させることで、シリコン基板
１１０表面に対して突出したＬＥＤ発光部１１１をアレ
イ状に形成するようにしたものが提案されている（例え
ば、特開平９−４５９５５号公報参照）。このようなＬ
ＥＤアレイヘッド１００において、シリコン基板１１０
上の個別電極１１２と共通電極１１３とに対して電気的
に接続された複数の半導体層からなる各ＬＥＤ発光部１
１１からの発光は、紙面表裏方向に取り出され、例え
ば、前述の等倍結像光学系１０１を介して感光体１０２
上に結像される。
【０００５】この際、シリコン基板１１０から突出形成
されたＬＥＤ発光部１１１にあってその側面から基板面
内方向に対しても側面光として放射されるので、隣接す
るＬＥＤ発光部１１１や個別電極１１２や共通電極１１
３、或いは、個別電極１１２に対するボンディングワイ
ヤ（図示せず）等により反射されて、恰もそれらの各点
が発光点であるかの如く、感光体１０２に向けて望まし
くない雑音成分の発光パターンとして照射されてしま
う。このような雑音成分の発光パターンによる露光を受
けた部分にも潜像が形成され、現像後にはトナー像とし
て紙に転写されるので、出力画像上、線幅ムラなどの画
質劣化を引き起こす一因となる。
されたＬＥＤ発光部１１１にあってその側面から基板面
内方向に対しても側面光として放射されるので、隣接す
るＬＥＤ発光部１１１や個別電極１１２や共通電極１１
３、或いは、個別電極１１２に対するボンディングワイ
ヤ（図示せず）等により反射されて、恰もそれらの各点
が発光点であるかの如く、感光体１０２に向けて望まし
くない雑音成分の発光パターンとして照射されてしま
う。このような雑音成分の発光パターンによる露光を受
けた部分にも潜像が形成され、現像後にはトナー像とし
て紙に転写されるので、出力画像上、線幅ムラなどの画
質劣化を引き起こす一因となる。
【０００６】このようなことから、突出構造のＬＥＤ発
光部から放射される望ましくない側面光の影響を除去す
る構造として、ＬＥＤ発光部の側面部分に遮光膜を設け
るようにしたものが、例えば、特開平６−２５２４４０
号公報により提案されている。図６によりその構造例を
簡単に説明する。図６は１つのＬＥＤ発光部１１１のみ
を示すもので、シリコン基板１１０上に４層の半導体層
１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄを成長積層さ
せることにより突出した形状に形成されており、上面側
に形成した個別電極１１２とシリコン基板１１０下面側
に形成した共通電極１１３との間に電流を流すことによ
りＬＥＤ発光部１１１が発光する。ここで、本来望まれ
る発光光は、ＬＥＤ発光部１１１の上面１１１ａから取
り出される光であるが、ＬＥＤ発光部１１１の側面１１
１ｂも発光するので、保護膜１１５を介して反射膜（遮
光膜）１１６を形成することにより側面光を抑制する、
という構造である。
光部から放射される望ましくない側面光の影響を除去す
る構造として、ＬＥＤ発光部の側面部分に遮光膜を設け
るようにしたものが、例えば、特開平６−２５２４４０
号公報により提案されている。図６によりその構造例を
簡単に説明する。図６は１つのＬＥＤ発光部１１１のみ
を示すもので、シリコン基板１１０上に４層の半導体層
１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄを成長積層さ
せることにより突出した形状に形成されており、上面側
に形成した個別電極１１２とシリコン基板１１０下面側
に形成した共通電極１１３との間に電流を流すことによ
りＬＥＤ発光部１１１が発光する。ここで、本来望まれ
る発光光は、ＬＥＤ発光部１１１の上面１１１ａから取
り出される光であるが、ＬＥＤ発光部１１１の側面１１
１ｂも発光するので、保護膜１１５を介して反射膜（遮
光膜）１１６を形成することにより側面光を抑制する、
という構造である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような遮光構造に
関して、反射膜１１６が光の一部を透過させる構造の場
合には、透過した光が微弱であっても感光体１０２面上
の露光パターンに悪影響を及ぼすので、反射膜１１６と
しては酸化物のような透明な材料ではなく薄膜であって
も遮光が十分である材料、具体的には、金属材料を用い
る必要がある。
関して、反射膜１１６が光の一部を透過させる構造の場
合には、透過した光が微弱であっても感光体１０２面上
の露光パターンに悪影響を及ぼすので、反射膜１１６と
しては酸化物のような透明な材料ではなく薄膜であって
も遮光が十分である材料、具体的には、金属材料を用い
る必要がある。
【０００８】ここに、金属反射膜を形成する方法として
は、蒸着法やスパッタリング法のように、成膜方向に異
方性を有する手法が普通である。よって、成膜すべきＬ
ＥＤ発光部１１１の側面１１１ｂが垂直であったり逆メ
サ形状のオーバハングがあると（図６の場合も、ＬＥＤ
発光部１１１のアレイ方向の側面形状はくの字状くびれ
形状或いは逆メサ形状となっている）、基板を傾けて推
積させる等の成膜工程を採らざるを得ず、ＬＥＤアレイ
ヘッドの製造工程が複雑化してしまう問題がある。
は、蒸着法やスパッタリング法のように、成膜方向に異
方性を有する手法が普通である。よって、成膜すべきＬ
ＥＤ発光部１１１の側面１１１ｂが垂直であったり逆メ
サ形状のオーバハングがあると（図６の場合も、ＬＥＤ
発光部１１１のアレイ方向の側面形状はくの字状くびれ
形状或いは逆メサ形状となっている）、基板を傾けて推
積させる等の成膜工程を採らざるを得ず、ＬＥＤアレイ
ヘッドの製造工程が複雑化してしまう問題がある。
【０００９】そこで、本発明は、突出構造のＬＥＤ発光
部の側面からの側面光を抑制するための金属製の遮光膜
を容易に形成し得るＬＥＤアレイヘッドを提供すること
を目的とする。
部の側面からの側面光を抑制するための金属製の遮光膜
を容易に形成し得るＬＥＤアレイヘッドを提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレ
イ状に形成され、各ＬＥＤ発光部の側面に対してその側
面から基板面内方向に放射される側面光を遮断させる遮
光膜を設けたＬＥＤアレイヘッドにおいて、金属製の前
記遮光膜が形成される各ＬＥＤ発光部の側面全周が順メ
サ形状に形成されている。従って、ＬＥＤ発光部の側面
自体が全周に渡って順メサ形状に形成されているので、
側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタリング
法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けたりする
ことなく基板面垂直方向から直接的に推積させて形成す
ることができ、側面光を抑制するための構造物の製造が
容易となる。特に、遮光膜の材料とＬＥＤ発光部に対す
る電極材料とが同じ場合には、両者を同時に形成し得る
ことにもなる。
ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレ
イ状に形成され、各ＬＥＤ発光部の側面に対してその側
面から基板面内方向に放射される側面光を遮断させる遮
光膜を設けたＬＥＤアレイヘッドにおいて、金属製の前
記遮光膜が形成される各ＬＥＤ発光部の側面全周が順メ
サ形状に形成されている。従って、ＬＥＤ発光部の側面
自体が全周に渡って順メサ形状に形成されているので、
側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタリング
法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けたりする
ことなく基板面垂直方向から直接的に推積させて形成す
ることができ、側面光を抑制するための構造物の製造が
容易となる。特に、遮光膜の材料とＬＥＤ発光部に対す
る電極材料とが同じ場合には、両者を同時に形成し得る
ことにもなる。
【００１１】請求項２記載の発明は、ヘッド基板から突
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成され、
各ＬＥＤ発光部の側面に対してその側面から基板面内方
向に放射される側面光を遮断させる遮光膜を設けたＬＥ
Ｄアレイヘッドにおいて、金属製の前記遮光膜が形成さ
れる各ＬＥＤ発光部の側面全周が充填された埋込剤によ
り順メサ形状に形成されている。従って、ＬＥＤ発光部
の側面自体は垂直面や逆メサ形状であっても充填された
埋込剤により全周に渡って順メサ形状に形成されている
ので、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタ
リング法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けた
りすることなく基板面垂直方向から直接的に推積させて
形成することができ、側面光を抑制するための構造物の
製造が容易となる。特に、遮光膜の材料とＬＥＤ発光部
に対する電極材料とが同じ場合には、両者を同時に形成
し得ることにもなる。
出させて複数個のＬＥＤ発光部がアレイ状に形成され、
各ＬＥＤ発光部の側面に対してその側面から基板面内方
向に放射される側面光を遮断させる遮光膜を設けたＬＥ
Ｄアレイヘッドにおいて、金属製の前記遮光膜が形成さ
れる各ＬＥＤ発光部の側面全周が充填された埋込剤によ
り順メサ形状に形成されている。従って、ＬＥＤ発光部
の側面自体は垂直面や逆メサ形状であっても充填された
埋込剤により全周に渡って順メサ形状に形成されている
ので、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタ
リング法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けた
りすることなく基板面垂直方向から直接的に推積させて
形成することができ、側面光を抑制するための構造物の
製造が容易となる。特に、遮光膜の材料とＬＥＤ発光部
に対する電極材料とが同じ場合には、両者を同時に形成
し得ることにもなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
に基づいて説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッ
ドにおいては、ヘッド基板としてＧａＡｓ基板１が用い
られている。このようなＧａＡｓ基板１の表面には半導
体を成長させることにより複数個のＬＥＤ発光部２が突
出構造としてアレイ状に形成されている（紙面、左右方
向がアレイ方向である）。このようなＬＥＤ発光部２の
上面２ａの一部及び側面２ｂ上には絶縁膜として機能す
るＳｉＯ2 膜３が形成され、かつ、ＳｉＯ2 膜３が形成
された側面２ｂ部分には金製の遮光膜４が形成されてい
る。また、上面２ａにてＬＥＤ発光部２の一部に直接接
する部分には金製の個別電極５ａが形成され、ＧａＡｓ
基板１の裏面側には金製の共通電極５ｂが形成されてい
る。個別電極５ａに対してはボンディングパッド及びボ
ンディングワイヤが電気的に接続されている。
に基づいて説明する。本実施の形態のＬＥＤアレイヘッ
ドにおいては、ヘッド基板としてＧａＡｓ基板１が用い
られている。このようなＧａＡｓ基板１の表面には半導
体を成長させることにより複数個のＬＥＤ発光部２が突
出構造としてアレイ状に形成されている（紙面、左右方
向がアレイ方向である）。このようなＬＥＤ発光部２の
上面２ａの一部及び側面２ｂ上には絶縁膜として機能す
るＳｉＯ2 膜３が形成され、かつ、ＳｉＯ2 膜３が形成
された側面２ｂ部分には金製の遮光膜４が形成されてい
る。また、上面２ａにてＬＥＤ発光部２の一部に直接接
する部分には金製の個別電極５ａが形成され、ＧａＡｓ
基板１の裏面側には金製の共通電極５ｂが形成されてい
る。個別電極５ａに対してはボンディングパッド及びボ
ンディングワイヤが電気的に接続されている。
【００１３】このような構成の下、個別電極５ａ・共通
電極５ｂ間に電流を流すと、ＬＥＤ発光部２が発光し、
上面２ａからの発光光が感光体側に向けて放射される。
このとき、側面２ｂからの側面光の放射もあるが、側面
２ｂに対しては金製の遮光膜４が形成されているので反
射遮光され、側面光による悪影響が防止される。
電極５ｂ間に電流を流すと、ＬＥＤ発光部２が発光し、
上面２ａからの発光光が感光体側に向けて放射される。
このとき、側面２ｂからの側面光の放射もあるが、側面
２ｂに対しては金製の遮光膜４が形成されているので反
射遮光され、側面光による悪影響が防止される。
【００１４】ここに、本実施の形態においては、ＧａＡ
ｓ基板１上に成長形成された矩形状のＬＥＤ発光部２に
対して等方エッチングを施すことにより、その側面２ｂ
が全周に渡って順メサ形状に形成されている（図２
（ａ）参照）。よって、このようなＬＥＤ発光部２の側
面２ｂ上に金製の遮光膜４を成膜形成する際に、ＧａＡ
ｓ基板１面に垂直な方向から直接成膜することができる
ので、基板を斜めに傾けたりする必要はない。即ち、何
れも金製の個別電極５ａと遮光膜４とを図２（ｂ）に示
すように蒸着法とリフトオフ法とによりＬＥＤ発光部２
の上面２ａから側面２ｂ及び基板面上にかけて形成す
る。このとき、ＬＥＤ発光部２の側面２ｂが基板面内方
向全周に渡って順メサ形状に形成されているので、３面
分の遮光膜４に段切れを生じたり影（オーバハング）に
なる部分が生ずることなく良好かつ簡単に成膜すること
ができる。ここに、残りの１面分の側面２ｂの遮光は、
個別電極５ａによりなされる。特に、個別電極５ａと遮
光膜４とを同時に蒸着形成することができるので、製造
方法が一層簡便なものとなる。
ｓ基板１上に成長形成された矩形状のＬＥＤ発光部２に
対して等方エッチングを施すことにより、その側面２ｂ
が全周に渡って順メサ形状に形成されている（図２
（ａ）参照）。よって、このようなＬＥＤ発光部２の側
面２ｂ上に金製の遮光膜４を成膜形成する際に、ＧａＡ
ｓ基板１面に垂直な方向から直接成膜することができる
ので、基板を斜めに傾けたりする必要はない。即ち、何
れも金製の個別電極５ａと遮光膜４とを図２（ｂ）に示
すように蒸着法とリフトオフ法とによりＬＥＤ発光部２
の上面２ａから側面２ｂ及び基板面上にかけて形成す
る。このとき、ＬＥＤ発光部２の側面２ｂが基板面内方
向全周に渡って順メサ形状に形成されているので、３面
分の遮光膜４に段切れを生じたり影（オーバハング）に
なる部分が生ずることなく良好かつ簡単に成膜すること
ができる。ここに、残りの１面分の側面２ｂの遮光は、
個別電極５ａによりなされる。特に、個別電極５ａと遮
光膜４とを同時に蒸着形成することができるので、製造
方法が一層簡便なものとなる。
【００１５】このように、本実施の形態によれば、各Ｌ
ＥＤ発光部２の側面２ｂ自身を順メサ形状に形成したの
で、側面２ｂ部分に対して金製の遮光膜４を形成するに
当り、ＧａＡｓ基板１を傾けたりすることなくＧａＡｓ
基板１面に垂直な方向からの蒸着やスパッタリングによ
り直接成膜形成することができ、側面光を抑制するため
の構造を簡便な製造方法で形成できる。
ＥＤ発光部２の側面２ｂ自身を順メサ形状に形成したの
で、側面２ｂ部分に対して金製の遮光膜４を形成するに
当り、ＧａＡｓ基板１を傾けたりすることなくＧａＡｓ
基板１面に垂直な方向からの蒸着やスパッタリングによ
り直接成膜形成することができ、側面光を抑制するため
の構造を簡便な製造方法で形成できる。
【００１６】本発明の第二の実施の形態を図３に基づい
て説明する。前記実施の形態で示した部分と同一部分は
同一符号を用いて示し、説明も省略する。本実施の形態
のＬＥＤアレイヘッドでは、ＧａＡｓ基板１上に突出形
成された各ＬＥＤ発光部２に対して異方性エッチングを
施すことにより側面形状が形成されている。この場合、
紙面表裏方向には順メサ形状とし個別電極５ａに段切れ
が生じないようにＬＥＤアレイヘッドのアレイ方向を選
択すると（図６に示した従来構造がこれに相当する）、
アレイ方向におけるＬＥＤ発光部２の側面ｃは図３
（ａ）に示すような逆メサ形状（或いは、くの字状くび
れ形状）となる。このような基礎的な構造を前提とし
て、本実施の形態では、ＬＥＤ発光部２を含むＧａＡｓ
基板１の全面にＣＶＤ法により絶縁膜として機能するＳ
ｉＯ2 膜３が形成される（図３（ａ）参照）。このと
き、ＣＶＤ法のケミカルな効果により、逆メサ形状の側
面２ｃであっても全面的にＳｉＯ2 膜３が均等に形成さ
れる。続いて、ＳｉＯ2 膜３の表面にポリイミド６を塗
布することで、逆メサ形状部分に対してはこのポリイミ
ド６を順メサ形状となるように埋め込む（図３（ｂ）参
照）。これにより、ＬＥＤ発光部２の側面２ｃに対応す
る部分はポリイミド６を埋込剤として順メサ形状の側面
６ｃが形成されたと等価となる。この後、ＲＩＥ法でエ
ッチバックすることでＬＥＤ発光部２の上面２ａ上のポ
リイミド６を除去する（図３（ｃ）参照）。この後、何
れも金製の遮光膜４と個別電極５ａとを同時に表面側に
蒸着することにより成膜形成し、最後にＧａＡｓ基板１
の裏面側に共通電極５ｂを成膜形成することにより（図
３（ｄ）参照）、本実施の形態のＬＥＤアレイヘッドが
完成する。このような金製の遮光膜４を形成する際、Ｌ
ＥＤ発光部２の側面２ｃ自身は逆メサ形状であるがこの
部分にポリイミド６が埋め込まれて順メサ形状の側面６
ｃが形成されているので、実質的に前記実施の形態の場
合と同様に、遮光膜４に段切れを生じたり影（オーバハ
ング）になる部分が生ずることなく良好かつ簡単に成膜
することができる。また、本実施の形態の場合も、個別
電極５ａと遮光膜４とを同時に蒸着形成することができ
るので、製造方法が一層簡便なものとなる。
て説明する。前記実施の形態で示した部分と同一部分は
同一符号を用いて示し、説明も省略する。本実施の形態
のＬＥＤアレイヘッドでは、ＧａＡｓ基板１上に突出形
成された各ＬＥＤ発光部２に対して異方性エッチングを
施すことにより側面形状が形成されている。この場合、
紙面表裏方向には順メサ形状とし個別電極５ａに段切れ
が生じないようにＬＥＤアレイヘッドのアレイ方向を選
択すると（図６に示した従来構造がこれに相当する）、
アレイ方向におけるＬＥＤ発光部２の側面ｃは図３
（ａ）に示すような逆メサ形状（或いは、くの字状くび
れ形状）となる。このような基礎的な構造を前提とし
て、本実施の形態では、ＬＥＤ発光部２を含むＧａＡｓ
基板１の全面にＣＶＤ法により絶縁膜として機能するＳ
ｉＯ2 膜３が形成される（図３（ａ）参照）。このと
き、ＣＶＤ法のケミカルな効果により、逆メサ形状の側
面２ｃであっても全面的にＳｉＯ2 膜３が均等に形成さ
れる。続いて、ＳｉＯ2 膜３の表面にポリイミド６を塗
布することで、逆メサ形状部分に対してはこのポリイミ
ド６を順メサ形状となるように埋め込む（図３（ｂ）参
照）。これにより、ＬＥＤ発光部２の側面２ｃに対応す
る部分はポリイミド６を埋込剤として順メサ形状の側面
６ｃが形成されたと等価となる。この後、ＲＩＥ法でエ
ッチバックすることでＬＥＤ発光部２の上面２ａ上のポ
リイミド６を除去する（図３（ｃ）参照）。この後、何
れも金製の遮光膜４と個別電極５ａとを同時に表面側に
蒸着することにより成膜形成し、最後にＧａＡｓ基板１
の裏面側に共通電極５ｂを成膜形成することにより（図
３（ｄ）参照）、本実施の形態のＬＥＤアレイヘッドが
完成する。このような金製の遮光膜４を形成する際、Ｌ
ＥＤ発光部２の側面２ｃ自身は逆メサ形状であるがこの
部分にポリイミド６が埋め込まれて順メサ形状の側面６
ｃが形成されているので、実質的に前記実施の形態の場
合と同様に、遮光膜４に段切れを生じたり影（オーバハ
ング）になる部分が生ずることなく良好かつ簡単に成膜
することができる。また、本実施の形態の場合も、個別
電極５ａと遮光膜４とを同時に蒸着形成することができ
るので、製造方法が一層簡便なものとなる。
【００１７】このように、本実施の形態によれば、各Ｌ
ＥＤ発光部２の側面２ｃ自身は逆メサ形状であるがポリ
イミド６を埋め込むことで順メサ形状の側面６ｃを形成
しているので、側面６ｃ部分に対して金製の遮光膜４を
形成するに当り、ＧａＡｓ基板１を傾けたりすることな
くＧａＡｓ基板１面に垂直な方向からの蒸着やスパッタ
リングにより直接成膜形成することができ、側面光を抑
制するための構造を簡便な製造方法で形成できる。
ＥＤ発光部２の側面２ｃ自身は逆メサ形状であるがポリ
イミド６を埋め込むことで順メサ形状の側面６ｃを形成
しているので、側面６ｃ部分に対して金製の遮光膜４を
形成するに当り、ＧａＡｓ基板１を傾けたりすることな
くＧａＡｓ基板１面に垂直な方向からの蒸着やスパッタ
リングにより直接成膜形成することができ、側面光を抑
制するための構造を簡便な製造方法で形成できる。
【００１８】なお、本実施の形態は、ＬＥＤ発光部２の
側面２ｃが逆メサ形状に形成されている場合への適用例
として説明したが、垂直面形状の場合にも同様に適用す
ることができる。
側面２ｃが逆メサ形状に形成されている場合への適用例
として説明したが、垂直面形状の場合にも同様に適用す
ることができる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、ＬＥＤ発
光部の側面自体を全周に渡って順メサ形状に形成したの
で、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタリ
ング法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けたり
することなく基板面垂直方向から直接的に推積させて形
成することができ、側面光を抑制するための構造を容易
に製造することができ、さらには、遮光膜の材料とＬＥ
Ｄ発光部に対する電極材料とが同じ場合には、両者を同
時に形成することもできる。
光部の側面自体を全周に渡って順メサ形状に形成したの
で、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やスパッタリ
ング法などにより形成する際に、基板を斜めに傾けたり
することなく基板面垂直方向から直接的に推積させて形
成することができ、側面光を抑制するための構造を容易
に製造することができ、さらには、遮光膜の材料とＬＥ
Ｄ発光部に対する電極材料とが同じ場合には、両者を同
時に形成することもできる。
【００２０】請求項２記載の発明によれば、ＬＥＤ発光
部の側面自体は垂直面や逆メサ形状であっても充填され
た埋込剤により全周に渡って順メサ形状となるように形
成したので、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やス
パッタリング法などにより形成する際に、基板を斜めに
傾けたりすることなく基板面垂直方向から直接的に推積
させて形成することができ、側面光を抑制するための構
造を容易に製造することができ、さらには、遮光膜の材
料とＬＥＤ発光部に対する電極材料とが同じ場合には、
両者を同時に形成することもできる。
部の側面自体は垂直面や逆メサ形状であっても充填され
た埋込剤により全周に渡って順メサ形状となるように形
成したので、側面に対して金属製の遮光膜を蒸着法やス
パッタリング法などにより形成する際に、基板を斜めに
傾けたりすることなく基板面垂直方向から直接的に推積
させて形成することができ、側面光を抑制するための構
造を容易に製造することができ、さらには、遮光膜の材
料とＬＥＤ発光部に対する電極材料とが同じ場合には、
両者を同時に形成することもできる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図２】ＬＥＤ発光部、遮光膜及び個別電極の製造工程
を順に示す平面図である。
を順に示す平面図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態のＬＥＤアレイヘッ
ドをその製造工程順に示す概略断面図である。
ドをその製造工程順に示す概略断面図である。
【図４】一般的なＬＥＤアレイプリンタの基本構成を示
す概略側面図である。
す概略側面図である。
【図５】従来のＬＥＤアレイヘッドの構成例を示す平面
図である。
図である。
【図６】従来の遮光膜構造を示す断面図である。
１ ヘッド基板 ２ ＬＥＤ発光部 ２ｂ 順メサ形状の側面 ４ 遮光膜 ６ 埋込剤 ６ｃ 順メサ形状の側面
Claims (2)
- 【請求項１】 ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥ
Ｄ発光部がアレイ状に形成され、各ＬＥＤ発光部の側面
に対してその側面から基板面内方向に放射される側面光
を遮断させる遮光膜を設けたＬＥＤアレイヘッドにおい
て、金属製の前記遮光膜が形成される各ＬＥＤ発光部の
側面全周が順メサ形状に形成されていることを特徴とす
るＬＥＤアレイヘッド。 - 【請求項２】 ヘッド基板から突出させて複数個のＬＥ
Ｄ発光部がアレイ状に形成され、各ＬＥＤ発光部の側面
に対してその側面から基板面内方向に放射される側面光
を遮断させる遮光膜を設けたＬＥＤアレイヘッドにおい
て、金属製の前記遮光膜が形成される各ＬＥＤ発光部の
側面全周が充填された埋込剤により順メサ形状に形成さ
れていることを特徴とするＬＥＤアレイヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1922498A JPH11220162A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1922498A JPH11220162A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220162A true JPH11220162A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=11993412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1922498A Pending JPH11220162A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | Ｌｅｄアレイヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220162A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280601A (ja) * | 2000-06-08 | 2002-09-27 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子 |
| KR100565895B1 (ko) | 2005-08-25 | 2006-03-31 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 발광소자 |
| JP2006269716A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Oki Data Corp | 半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、ｌｅｄヘッド、及び画像形成装置 |
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| JPWO2005093859A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-02-14 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードアレイ、発光ダイオード及びプリンタヘッド |
| JP2008153681A (ja) * | 2008-01-23 | 2008-07-03 | Kyocera Corp | Ｌｅｄアレイ |
| JP2010194928A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | 光プリンタヘッド、画像形成装置および光プリンタヘッドの駆動方法 |
| JP2023099914A (ja) * | 2022-01-04 | 2023-07-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子及び反射型エンコーダ |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP1922498A patent/JPH11220162A/ja active Pending
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040527 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050309 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050705 |