JPH11221685A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH11221685A JPH11221685A JP10035424A JP3542498A JPH11221685A JP H11221685 A JPH11221685 A JP H11221685A JP 10035424 A JP10035424 A JP 10035424A JP 3542498 A JP3542498 A JP 3542498A JP H11221685 A JPH11221685 A JP H11221685A
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- JP
- Japan
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- laser
- processing
- upper limit
- processing laser
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工レーザ光源の性能を十分に引き出し、レ
ーザ加工を短時間で、且つ、精度良く行うことができる
レーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 ステージ２２上に載置された「被加工
物」としての半導体デバイス２１に加工レーザを照射し
て「被加工部位」としてのヒューズの加工を行うレーザ
加工装置において、前記加工レーザのエネルギー値又は
発振パルス幅を検出して、当該値が加工可能な定格値を
満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工可能な繰
り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるように前
記加工レーザの発振を行うようにした。
ーザ加工を短時間で、且つ、精度良く行うことができる
レーザ加工装置を提供する。 【解決手段】 ステージ２２上に載置された「被加工
物」としての半導体デバイス２１に加工レーザを照射し
て「被加工部位」としてのヒューズの加工を行うレーザ
加工装置において、前記加工レーザのエネルギー値又は
発振パルス幅を検出して、当該値が加工可能な定格値を
満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工可能な繰
り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるように前
記加工レーザの発振を行うようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ステージ上に載
置された被加工物に加工レーザを照射して被加工部位の
加工を行うレーザ加工装置に関するものである。
置された被加工物に加工レーザを照射して被加工部位の
加工を行うレーザ加工装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、この種のレーザ加工装置は、
加工レーザ光源から加工レーザを出射し、この加工レー
ザを対物レンズを介してステージ上に載置された被加工
物に照射して、この被加工物を加工するようにしてい
る。
加工レーザ光源から加工レーザを出射し、この加工レー
ザを対物レンズを介してステージ上に載置された被加工
物に照射して、この被加工物を加工するようにしてい
る。
【０００３】この被加工物が半導体デバイスのヒューズ
のように多数隣接して設けられている場合には、加工レ
ーザ光源から所定の繰り返し周波数で加工レーザを発振
させることにより、短時間で、且つ、確実に加工できる
ようにしている。
のように多数隣接して設けられている場合には、加工レ
ーザ光源から所定の繰り返し周波数で加工レーザを発振
させることにより、短時間で、且つ、確実に加工できる
ようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のものにあっては、加工レーザ光源の繰り返し
周波数は初期設定されていたものを単に使用しているだ
けであるため、加工レーザ光源の特性が経年変化した場
合や、実際に使用できる繰り返し周波数の上限と初期設
定されているものとの間に差がある場合等、加工レーザ
光源の性能を充分引き出すことができなかった。
うな従来のものにあっては、加工レーザ光源の繰り返し
周波数は初期設定されていたものを単に使用しているだ
けであるため、加工レーザ光源の特性が経年変化した場
合や、実際に使用できる繰り返し周波数の上限と初期設
定されているものとの間に差がある場合等、加工レーザ
光源の性能を充分引き出すことができなかった。
【０００５】そこで、この発明は、加工レーザ光源の性
能を十分に引き出し、レーザ加工を短時間で、且つ、精
度良く行うことができるレーザ加工装置を提供すること
を課題としている。
能を十分に引き出し、レーザ加工を短時間で、且つ、精
度良く行うことができるレーザ加工装置を提供すること
を課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題に着目し、請
求項１に記載された発明は、ステージ上に載置された被
加工物に加工レーザを照射して被加工部位の加工を行う
レーザ加工装置において、前記加工レーザのエネルギー
値又は発振パルス幅を検出して、当該値が加工可能な定
格値を満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工可
能な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるよ
うに前記加工レーザの発振を行うレーザ加工装置とした
ことを特徴とする。
求項１に記載された発明は、ステージ上に載置された被
加工物に加工レーザを照射して被加工部位の加工を行う
レーザ加工装置において、前記加工レーザのエネルギー
値又は発振パルス幅を検出して、当該値が加工可能な定
格値を満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工可
能な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるよ
うに前記加工レーザの発振を行うレーザ加工装置とした
ことを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載された発明は、ステージ上
に載置された被加工物に加工レーザを照射して被加工部
位の加工を行うレーザ加工装置において、前記加工レー
ザのエネルギー値及び発振パルス幅を検出して、これら
各値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの各繰
返し周波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し周波
数の上限値とし、当該上限値となるように前記加工レー
ザの発振を行うレーザ加工装置としたことを特徴とす
る。
に載置された被加工物に加工レーザを照射して被加工部
位の加工を行うレーザ加工装置において、前記加工レー
ザのエネルギー値及び発振パルス幅を検出して、これら
各値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの各繰
返し周波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し周波
数の上限値とし、当該上限値となるように前記加工レー
ザの発振を行うレーザ加工装置としたことを特徴とす
る。
【０００８】請求項３に記載された発明は、請求項１又
は２に記載の構成に加え、前記繰り返し周波数の上限値
となるように前記加工レーザの発振を行う一方、当該上
限値に対応して、前記ステージと加工レーザとを相対移
動させるように構成したことを特徴とする。
は２に記載の構成に加え、前記繰り返し周波数の上限値
となるように前記加工レーザの発振を行う一方、当該上
限値に対応して、前記ステージと加工レーザとを相対移
動させるように構成したことを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載された発明は、請求項１乃
至３の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイス上に配置されているヒューズである
ことを特徴とする。
至３の何れか一つに記載の構成に加え、前記被加工部位
は、半導体デバイス上に配置されているヒューズである
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】［発明の実施の形態１］図１及び図２に
は、この発明の実施の形態１を示す。
は、この発明の実施の形態１を示す。
【００１２】まず、構成について説明すると、この実施
の形態に係るレーザ加工装置は、図１に示すように、Ｙ
ＡＧレーザ等の加工レーザ光源１１を有し、この加工レ
ーザ光源１１は、メインコントローラ１２からステージ
コントローラ１３を介して発せられたトリガにより、任
意のタイミングでレーザ発振されるようになっている。
の形態に係るレーザ加工装置は、図１に示すように、Ｙ
ＡＧレーザ等の加工レーザ光源１１を有し、この加工レ
ーザ光源１１は、メインコントローラ１２からステージ
コントローラ１３を介して発せられたトリガにより、任
意のタイミングでレーザ発振されるようになっている。
【００１３】加工レーザ光源１１から射出されたレーザ
光は、パルス幅測定器１５及び加工レーザ用光学系１６
を通過するようになっており、このパルス幅測定器１５
がメインコントローラ１２に接続されて、加工レーザの
発振パルス幅が測定され、又、加工レーザ用光学系１６
は、レーザパワーコントローラ１７に接続され、このコ
ントローラ１７により、加工レーザのエネルギー値や加
工レーザのビームサイズが制御されるようになってい
る。
光は、パルス幅測定器１５及び加工レーザ用光学系１６
を通過するようになっており、このパルス幅測定器１５
がメインコントローラ１２に接続されて、加工レーザの
発振パルス幅が測定され、又、加工レーザ用光学系１６
は、レーザパワーコントローラ１７に接続され、このコ
ントローラ１７により、加工レーザのエネルギー値や加
工レーザのビームサイズが制御されるようになってい
る。
【００１４】その加工レーザ用光学系１６を通過した加
工レーザは、反射ミラー１８によって下方に反射されて
対物レンズ１９に入射され、この対物レンズ１９を通過
して集光され、スポットビームとなり、「被加工物」と
しての半導体デバイス２１の例えばヒューズに照射され
るようになっている。
工レーザは、反射ミラー１８によって下方に反射されて
対物レンズ１９に入射され、この対物レンズ１９を通過
して集光され、スポットビームとなり、「被加工物」と
しての半導体デバイス２１の例えばヒューズに照射され
るようになっている。
【００１５】また、その半導体デバイス２１は、図示省
略のチャックを介してステージ２２上に載置されてお
り、このステージ２２は、ＸＹの２方向及び上下方向に
動き、更に上下方向を軸として回転するように構成され
ており、前記ステージコントローラ１３からの指令によ
り、ステージ用アクチュエータ２３にて所定方向に駆動
されるようになっている。この際に、ステージ２２の位
置は図示省略の位置モニタにより検出されるようになっ
ている。
略のチャックを介してステージ２２上に載置されてお
り、このステージ２２は、ＸＹの２方向及び上下方向に
動き、更に上下方向を軸として回転するように構成され
ており、前記ステージコントローラ１３からの指令によ
り、ステージ用アクチュエータ２３にて所定方向に駆動
されるようになっている。この際に、ステージ２２の位
置は図示省略の位置モニタにより検出されるようになっ
ている。
【００１６】さらに、そのステージ２２上には、エネル
ギー値測定器２５が設けられ、このエネルギー値測定器
２５により、対物レンズ１９を介して照射された加工レ
ーザのエネルギー値が検出されるようになっており、こ
の測定器２５がメインコントローラ１２に接続されてい
る。
ギー値測定器２５が設けられ、このエネルギー値測定器
２５により、対物レンズ１９を介して照射された加工レ
ーザのエネルギー値が検出されるようになっており、こ
の測定器２５がメインコントローラ１２に接続されてい
る。
【００１７】さらにまた、前記加工レーザ光源１１の他
に、半導体デバイス２１の位置合わせを行うヘリウムー
ネオンレーザであるアライメントレーザ光源２６を別に
備えている。このアライメントレーザ光源２６から射出
されたアライメントレーザは、アライメント用光学系２
７を通過して前記対物レンズ１９に入射して、半導体デ
バイス２１上に照射されるようになっている。そのアラ
イメント用光学系２７は、アライメントコントローラ２
９を介してメインコントローラ１２に接続されている。
これにより、半導体デバイス２１内のヒューズ相互間の
位置が計測され、アライメントレーザと加工レーザとの
オフセット量が測定され、アライメントレーザから得ら
れた位置情報と前記オフセット量とを補正して加工が行
われるようにしている。
に、半導体デバイス２１の位置合わせを行うヘリウムー
ネオンレーザであるアライメントレーザ光源２６を別に
備えている。このアライメントレーザ光源２６から射出
されたアライメントレーザは、アライメント用光学系２
７を通過して前記対物レンズ１９に入射して、半導体デ
バイス２１上に照射されるようになっている。そのアラ
イメント用光学系２７は、アライメントコントローラ２
９を介してメインコントローラ１２に接続されている。
これにより、半導体デバイス２１内のヒューズ相互間の
位置が計測され、アライメントレーザと加工レーザとの
オフセット量が測定され、アライメントレーザから得ら
れた位置情報と前記オフセット量とを補正して加工が行
われるようにしている。
【００１８】さらに、図示省略の保管ケースとステージ
２２との間で、半導体デバイス２１の搬送を行うローダ
コントローラ３０が設けられ、このローダコントローラ
３０もメインコントローラ１２に接続されて制御される
ようになっている。
２２との間で、半導体デバイス２１の搬送を行うローダ
コントローラ３０が設けられ、このローダコントローラ
３０もメインコントローラ１２に接続されて制御される
ようになっている。
【００１９】そして、このメインコントローラ１２で
は、前記パルス幅測定器１５及びエネルギー値測定器２
５からの信号により、加工レーザのエネルギー値及び発
振パルス幅が加工可能な定格値を満たさなくなったとき
の各繰返し周波数を検出すると同時に、当該各繰返し周
波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上
限値とし、当該上限値となるように前記加工レーザの発
振を行うように設定されている。
は、前記パルス幅測定器１５及びエネルギー値測定器２
５からの信号により、加工レーザのエネルギー値及び発
振パルス幅が加工可能な定格値を満たさなくなったとき
の各繰返し周波数を検出すると同時に、当該各繰返し周
波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上
限値とし、当該上限値となるように前記加工レーザの発
振を行うように設定されている。
【００２０】また、前記繰り返し周波数の上限値となる
ように前記加工レーザの発振を行う一方、当該上限値に
対応して、前記ステージ２２と加工レーザとを相対移動
させるように構成されている。この実施の形態では、ス
テージ２２を移動させるようにしているが、対物レンズ
１９等の加工レーザ側を移動させるようにしても良いこ
とは勿論である。
ように前記加工レーザの発振を行う一方、当該上限値に
対応して、前記ステージ２２と加工レーザとを相対移動
させるように構成されている。この実施の形態では、ス
テージ２２を移動させるようにしているが、対物レンズ
１９等の加工レーザ側を移動させるようにしても良いこ
とは勿論である。
【００２１】次に、作用について説明する。
【００２２】加工レーザ光源１１から出射された加工レ
ーザは、パルス幅測定器１５及び加工レーザ用光学系１
６を通して、反射ミラー１８にて反射されて対物レンズ
１９を介して半導体デバイス２１に照射される。この
際、パルス幅測定器１５により、加工レーザの発振パル
ス幅が検出されてメインコントローラ１２に入力され
る。また、加工レーザ用光学系１６にて所定のエネルギ
ー値及びビームサイズに制御される。
ーザは、パルス幅測定器１５及び加工レーザ用光学系１
６を通して、反射ミラー１８にて反射されて対物レンズ
１９を介して半導体デバイス２１に照射される。この
際、パルス幅測定器１５により、加工レーザの発振パル
ス幅が検出されてメインコントローラ１２に入力され
る。また、加工レーザ用光学系１６にて所定のエネルギ
ー値及びビームサイズに制御される。
【００２３】そして、対物レンズ１９にて集光された加
工レーザにより、半導体デバイス２１の任意のヒューズ
が切断されることとなる。
工レーザにより、半導体デバイス２１の任意のヒューズ
が切断されることとなる。
【００２４】また、ステージ２２上に配置されたエネル
ギー値測定器２５により、対物レンズ１９を介して照射
された加工レーザのエネルギー値が検出されてメインコ
ントローラ１２に入力される。
ギー値測定器２５により、対物レンズ１９を介して照射
された加工レーザのエネルギー値が検出されてメインコ
ントローラ１２に入力される。
【００２５】このメインコントローラ１２では、パルス
幅測定器１５及びエネルギー値測定器２５からの信号を
監視しながら、加工レーザの繰り返し周波数を高くし、
加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅が加工可能
な定格値を満たさなくなったときの各繰返し周波数の内
の小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上限値と
し、当該上限値となるように前記加工レーザの発振を行
う。この実施の形態では、図２に示すように、発振パル
ス幅が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰り
返し周波数はｆWであり、又、加工レーザのエネルギー
値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰返し
周波数はｆEであり、この値ｆEの方が小さいことから、
この実施の形態ではこの値ｆEが上限値となり、この上
限値ｆEとなるように加工レーザの発振が制御される。
幅測定器１５及びエネルギー値測定器２５からの信号を
監視しながら、加工レーザの繰り返し周波数を高くし、
加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅が加工可能
な定格値を満たさなくなったときの各繰返し周波数の内
の小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上限値と
し、当該上限値となるように前記加工レーザの発振を行
う。この実施の形態では、図２に示すように、発振パル
ス幅が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰り
返し周波数はｆWであり、又、加工レーザのエネルギー
値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰返し
周波数はｆEであり、この値ｆEの方が小さいことから、
この実施の形態ではこの値ｆEが上限値となり、この上
限値ｆEとなるように加工レーザの発振が制御される。
【００２６】そして、この加工レーザの繰返し周波数ｆ
Eとステージ２２のＸＹ方向の動きが一致するようにメ
インコントローラ１２でステージコントローラ１３を制
御して、ステージ２２と加工レーザとを相対移動させ
る。
Eとステージ２２のＸＹ方向の動きが一致するようにメ
インコントローラ１２でステージコントローラ１３を制
御して、ステージ２２と加工レーザとを相対移動させ
る。
【００２７】このように、この発明では、繰り返し周波
数が大きくなると、加工レーザのエネルギー値が小さく
なり、又、反対に発振パルス幅が大きくなり、そして、
エネルギー値が定格値より小さくなると、加工不能とな
り、又、発振パルス幅が定格値より大きくなると、加工
不能となることに着目し、それらエネルギー値及び発振
パルス幅を監視することでこの定格値を超えないような
上限値に繰り返し周波数を制御している。この作業をあ
る間隔（例えば１ロット毎）に行うことで、加工レーザ
光源１１の性能を十分に引き出し、常に最良の状態で、
レーザ加工を短時間で、且つ、精度良く加工処理するこ
とができる。
数が大きくなると、加工レーザのエネルギー値が小さく
なり、又、反対に発振パルス幅が大きくなり、そして、
エネルギー値が定格値より小さくなると、加工不能とな
り、又、発振パルス幅が定格値より大きくなると、加工
不能となることに着目し、それらエネルギー値及び発振
パルス幅を監視することでこの定格値を超えないような
上限値に繰り返し周波数を制御している。この作業をあ
る間隔（例えば１ロット毎）に行うことで、加工レーザ
光源１１の性能を十分に引き出し、常に最良の状態で、
レーザ加工を短時間で、且つ、精度良く加工処理するこ
とができる。
【００２８】［発明の実施の形態２］上記実施の形態１
では、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅を検
出して、これら各値が加工可能な定格値を満たさなくな
ったときの各繰返し周波数の内の小さい方を、加工可能
な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるよう
に加工レーザの発振を行うようにしている。
では、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅を検
出して、これら各値が加工可能な定格値を満たさなくな
ったときの各繰返し周波数の内の小さい方を、加工可能
な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるよう
に加工レーザの発振を行うようにしている。
【００２９】これに対して、この実施の形態２では、加
工レーザのエネルギー値又は発振パルス幅を検出して、
当該値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰
返し周波数を、加工可能な繰り返し周波数の上限値と
し、当該上限値となるように前記加工レーザの発振を行
うようにしている。
工レーザのエネルギー値又は発振パルス幅を検出して、
当該値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの繰
返し周波数を、加工可能な繰り返し周波数の上限値と
し、当該上限値となるように前記加工レーザの発振を行
うようにしている。
【００３０】つまり、上記実施の形態１のように加工レ
ーザのエネルギー値及び発振パルス幅の両者を監視し、
定格値を満たさなくなったときの各繰返し周波数の内の
小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上限値として
加工レーザの発振を行う方が、より確実に最良の状態で
加工処理を行うことができる。
ーザのエネルギー値及び発振パルス幅の両者を監視し、
定格値を満たさなくなったときの各繰返し周波数の内の
小さい方を、加工可能な繰り返し周波数の上限値として
加工レーザの発振を行う方が、より確実に最良の状態で
加工処理を行うことができる。
【００３１】しかし、この実施の形態２のように加工レ
ーザのエネルギー値又は発振パルス幅の一方を監視し、
定格値を満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工
可能な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となる
ように加工レーザの発振を行うようにした場合でも、従
来よりも良好な状態で加工処理を行うことができる。
ーザのエネルギー値又は発振パルス幅の一方を監視し、
定格値を満たさなくなったときの繰返し周波数を、加工
可能な繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となる
ように加工レーザの発振を行うようにした場合でも、従
来よりも良好な状態で加工処理を行うことができる。
【００３２】しかも、加工レーザのエネルギー値が加工
可能な定格値を満たさなくなったときの繰り返し周波数
の方が、発振パルス幅の値が加工可能な定格値を満たさ
なくなったときの繰り返し周波数より、常に小さくなる
ような性質を加工レーザ光源１１が有しているときに
は、加工レーザのエネルギー値のみを検出すれば十分で
あり、両繰り返し周波数を比較する必要がなく演算回路
を簡略化することができる。
可能な定格値を満たさなくなったときの繰り返し周波数
の方が、発振パルス幅の値が加工可能な定格値を満たさ
なくなったときの繰り返し周波数より、常に小さくなる
ような性質を加工レーザ光源１１が有しているときに
は、加工レーザのエネルギー値のみを検出すれば十分で
あり、両繰り返し周波数を比較する必要がなく演算回路
を簡略化することができる。
【００３３】なお、上記実施の形態では、「被加工部
位」として半導体デバイス上に配置されているヒューズ
に適用しているが、これに限定されるものでない。
位」として半導体デバイス上に配置されているヒューズ
に適用しているが、これに限定されるものでない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、各請求項に記
載された発明によれば、加工レーザのエネルギー値や発
振パルス幅を監視し、これらが加工可能な定格値となる
まで繰り返し周波数を上げて加工レーザの発振を行うよ
うにしているため、加工レーザ光源の性能を十分に引き
出し、常に最良の状態で、レーザ加工を短時間で、且
つ、精度良く加工処理することができる。
載された発明によれば、加工レーザのエネルギー値や発
振パルス幅を監視し、これらが加工可能な定格値となる
まで繰り返し周波数を上げて加工レーザの発振を行うよ
うにしているため、加工レーザ光源の性能を十分に引き
出し、常に最良の状態で、レーザ加工を短時間で、且
つ、精度良く加工処理することができる。
【００３５】請求項２に記載された発明によれば、上記
効果に加え、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス
幅の各値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの
各繰返し周波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し
周波数の上限値として加工レーザの発振を行うようにし
ているため、より確実に最良の状態で加工処理を行うこ
とができる。
効果に加え、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス
幅の各値が加工可能な定格値を満たさなくなったときの
各繰返し周波数の内の小さい方を、加工可能な繰り返し
周波数の上限値として加工レーザの発振を行うようにし
ているため、より確実に最良の状態で加工処理を行うこ
とができる。
【００３６】請求項３に記載された発明によれば、上記
効果に加え、繰り返し周波数の上限値となるように加工
レーザの発振を行う一方、当該上限値に対応して、ステ
ージと加工レーザとを相対移動させることにより、より
迅速に、且つ正確に被加工部位の加工を行うことができ
る。
効果に加え、繰り返し周波数の上限値となるように加工
レーザの発振を行う一方、当該上限値に対応して、ステ
ージと加工レーザとを相対移動させることにより、より
迅速に、且つ正確に被加工部位の加工を行うことができ
る。
【００３７】請求項４に記載された発明によれば、上記
効果に加え、半導体デバイスのヒューズは多数隣接して
配置されているため、より迅速に、且つ正確に加工でき
ることは極めて効果的である。
効果に加え、半導体デバイスのヒューズは多数隣接して
配置されているため、より迅速に、且つ正確に加工でき
ることは極めて効果的である。
【図１】この発明の実施の形態に係るレーザ加工装置の
全体構成を模式的に示すブロック図である。
全体構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】同実施の形態に係る加工レーザの繰り返し周波
数と、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅との
関係を示すグラフ図である。
数と、加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅との
関係を示すグラフ図である。
11 加工レーザ光源 12 メインコントローラ 15 パルス幅測定器 19 対物レンズ 21 半導体デバイス（被加工物） 22 ステージ 25 エネルギー値測定器
Claims (4)
- 【請求項１】 ステージ上に載置された被加工物に加工
レーザを照射して被加工部位の加工を行うレーザ加工装
置において、 前記加工レーザのエネルギー値又は発振パルス幅を検出
して、当該値が加工可能な定格値を満たさなくなったと
きの繰返し周波数を、加工可能な繰り返し周波数の上限
値とし、当該上限値となるように前記加工レーザの発振
を行うことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 ステージ上に載置された被加工物に加工
レーザを照射して被加工部位の加工を行うレーザ加工装
置において、 前記加工レーザのエネルギー値及び発振パルス幅を検出
して、これら各値が加工可能な定格値を満たさなくなっ
たときの各繰返し周波数の内の小さい方を、加工可能な
繰り返し周波数の上限値とし、当該上限値となるように
前記加工レーザの発振を行うことを特徴とするレーザ加
工装置。 - 【請求項３】 前記繰り返し周波数の上限値となるよう
に前記加工レーザの発振を行う一方、当該上限値に対応
して、前記ステージと加工レーザとを相対移動させるよ
うに構成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の
レーザ加工装置。 - 【請求項４】 前記被加工部位は、半導体デバイス上に
配置されているヒューズであることを特徴とする請求項
１乃至３の何れか一つに記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035424A JPH11221685A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10035424A JPH11221685A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11221685A true JPH11221685A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12441497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10035424A Pending JPH11221685A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11221685A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008212975A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| JP2010188396A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法 |
| JP2014237167A (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP2022062738A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP10035424A patent/JPH11221685A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008212975A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| JP2010188396A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Hitachi High-Technologies Corp | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法 |
| JP2014237167A (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP2022062738A (ja) * | 2020-10-09 | 2022-04-21 | ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
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