JPH11224872A - シリコンの表面処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 確実かつ効率的にシリコンの清浄表面を形成
できる。 【解決手段】 １ｎｍ以上２ｍｎ以下の膜厚を有する酸
化膜が表面に存在するシリコン基板を真空加熱によりシ
リコン清浄表面を形成する。１ｎｍ以上の膜厚を有する
酸化膜が表面に存在するシリコン基板を真空加熱により
シリコン清浄表面を形成するので、活性なシリコン表面
と気体中のカーボンとが物理的または化学的に結合する
ことが抑制され、カーボンがほとんど除去される。ま
た、酸化膜を昇華するための反応に必要となる時間が酸
化膜厚の増加とともに増加するため、酸化膜が厚くなる
と真空中での酸化膜除去反応に必要以上の時間がかかり
非効率となるが、酸化膜の膜厚を１ｎｍ以上２ｎｍ以下
に設定するので、カーボンを十分に除去できるとともに
処理時間を短くすることができる。このため、Ｓｉ−Ｃ
結合が生じない清浄シリコン表面を確実かつ効率的に形
成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、あらゆる電子デ
バイスの形成に用いられるシリコンウエハなどのシリコ
ンの表面処理方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコンの表面処理はＲＣＡ洗浄
と呼ばれる薬液洗浄とＭＢＥ（分子線エピタキシャル
法）等でシリコンのホモエピタキシャルを行う場合は、
１０^-8torr以上の高真空中で９００〜１１００℃程度の
熱処理による表面処理が行われていた。

【０００３】従来、シリコン表面処理は特開平５−２４
３２６６号公報、特開平６−４０７９８号公報に記載さ
れたものが知られている。図７に示す従来例１のシリコ
ン表面処理（特開平５−２４３２６６号公報）について
説明する。図７（ａ）に示すように、ＲＣＡ洗浄により
ＲＣＡ洗浄後基板６が形成される。シリコン基板１０の
表面には酸化膜９が形成されており、大気中よりカーボ
ン１１が微少量付着している。図７（ｂ）に示すよう
に、ＲＣＡ洗浄ウエット酸化に続いて希釈ＨＦによる酸
化膜除去後に希ふっ酸洗浄後基板７が形成される。シリ
コン表面が表出すると、大気中よりカーボン１１が付着
しやすくなる。図７（ｃ）に示すように、シリコン基板
１０を超高真空チャンバー内にセットし瞬時加熱法で清
浄化表面を得ると超高真空清浄化後基板８が形成され
る。その表面にはシリコンカーバイド１２が形成されや
すい。清浄表面はシリコン基板１０を徐冷することによ
りシリコンの表面原子が再配列し表面にステップが現れ
た状態になる。

【０００４】また、図８に示す別の従来例２（特開平６
−４０７９８号公報）について説明する。真空容器１３
内にホルダ１５で固定したシリコン基板１４を導入す
る。真空ポンプ２１に接続されたバルブ真空容器１３内
のシリコン基板１４にバルブ１６から酸素を５×１０^-7
torrの真空度で導入し、基板温度６００℃でシリコン表
面に酸化膜を形成する。バルブ１６から水素を導入し真
空度１×１０^-6torrでシリコン基板１４を６００℃に保
ってエキシマレーザ１７から３０８ｎｍの波長の紫外線
１８をレンズ１９で集光し、紫外線透過窓２０を通って
シリコン基板１４の表面に基板の表面での照射密度が５
Ｊ／ｃｍ² となるように照射する。

【０００５】図９を用いてこのときのシリコン基板表面
状態を示す。図９（ａ）に示すように、初めにシリコン
基板２２表面が酸化膜２３によって被覆されているＲＣ
Ａ洗浄後基板２４を用いる。酸化膜２３の表面には大気
中からのカーボン２５が付着している。図９（ｂ）に示
すように、酸素曝露２７により酸化膜を厚くした酸素曝
露後基板２８を形成する。図９（ｃ）に示すように、水
素曝露２９と紫外光３０を照射することにより、表面の
不純物の蒸発が顕著となり、より清浄な表面が得られや
すく、清浄化後基板３１が形成される。特に、シリコン
表面にカーボン等が存在するときにはＳｉ−Ｃ結合が生
じることがあり、この結合は強固であるので清浄表面に
するのがかなり難しいが、あらかじめシリコン表面が酸
化膜２３によって被覆されているシリコンを用いること
により、表面にカーボン等が存在する場合でも、カーボ
ンが酸化されて容易に清浄表面にすることができ、好ま
しい。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の構成では、従来例１のようにＨＦ処理で酸
化膜除去しシリコン表面を露出した後、短時間の瞬時加
熱により、ＳｉＯ₂ の昇華及びシリコン表面再配列を行
うと、反応が短時間に起こるため局所的に表面に残留し
たカーボンが酸化せずＳｉ−Ｃ結合が生じるするという
問題点や露出したシリコン表面とカーボンが反応しＳｉ
−Ｃ結合が生じるするという問題点を有していた。

【０００７】また、従来例２のようにあらかじめシリコ
ン表面が酸化膜によって被覆されているシリコンを用い
る場合、酸化膜厚が厚すぎると反応が起こり難く処理に
時間がかかり、薄すぎると表面に残留したカーボンが酸
化せずＳｉ−Ｃ結合が生じるするという問題点を有して
いた。また、反応チャンバーに紫外光入射装置及びその
光学レンズ装置及び酸素や水素の曝露装置等が必要であ
り、装置全体が複雑化し装置体積が大きくなるという問
題点を有していた。

【０００８】したがって、この発明の目的は、上記問題
点に鑑み、確実かつ効率的にシリコンの清浄表面を形成
できるシリコンの表面処理方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めにこの発明の請求項１記載のシリコンの表面処理方法
は、１ｎｍ以上の膜厚を有する酸化膜が表面に存在する
シリコン基板を真空加熱によりシリコン清浄表面を形成
することを特徴とする。このように、１ｎｍ以上の膜厚
を有する酸化膜が表面に存在するシリコン基板を真空加
熱によりシリコン清浄表面を形成するので、活性なシリ
コン表面と気体中のカーボンとが物理的または化学的に
結合することが抑制され、カーボンがほとんど除去され
る。このため、Ｓｉ−Ｃ結合が生じない清浄シリコン表
面を確実に形成することができる。

【００１０】請求項２記載のシリコンの表面処理方法
は、請求項１において、酸化膜の膜厚を２ｎｍ以下に設
定する。酸化膜を昇華するための反応に必要となる時間
が酸化膜厚の増加とともに増加するため、酸化膜が厚く
なると真空中での酸化膜除去反応に必要以上の時間がか
かり非効率となるが、酸化膜の膜厚を１ｎｍ以上２ｎｍ
以下に設定するので、カーボンを十分に除去できるとと
もに処理時間を短くすることができる。このため、Ｓｉ
−Ｃ結合が生じない清浄シリコン表面を確実かつ効率的
に形成することができる。

【００１１】請求項３記載のシリコンの表面処理方法
は、シリコン基板を真空加熱によりその表面の酸化膜を
昇華させシリコン清浄表面を形成するときに、昇華温度
を増加し再度一定温度まで下げる工程を複数回行い、そ
の時の最大表面温度を段階的に増加させていく温度プロ
ファイルで処理することを特徴とする。このように、昇
華温度を増加し再度一定温度まで下げる工程を複数回行
い、その時の最大表面温度を段階的に増加させていく温
度プロファイルをしたことにより、シリコン表面の酸化
膜の昇華が表面上で均一に少しずつ起こっていくため、
局所的に活性なシリコン表面が露出することによってＳ
ｉ−Ｃ結合が生じることはなく、結果的にカーボンの少
ない清浄表面を形成し易くする。

【００１２】請求項４記載のシリコンの表面処理方法
は、基板試料を保持するホルダを洗浄し表面の不純物除
去を行い、ホルダを真空中加熱清浄化した後、シリコン
基板をホルダに設置して真空加熱によりシリコン清浄表
面を形成することを特徴とする。シリコン基板と密接す
るホルダ上の不純物汚染量が高いと高温時の拡散により
洗浄化したシリコン表面にカーボンが付着しＳｉ−Ｃ結
合が形成するが、基板試料を保持するホルダを洗浄し表
面の不純物除去を行った後、ホルダを真空中加熱清浄化
し、その後、シリコン基板をホルダに設置して真空加熱
によりシリコン清浄表面を形成するので、ホルダからの
不純物拡散を完全に防止することができ、シリコン基板
表面にカーボンが付着することはなく確実にＳｉ−Ｃ結
合が生じない清浄表面を形成できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１およ
び図２に基づいて説明する。図１はこの発明の第１の実
施の形態のシリコンの表面処理方法の処理手順を示す概
略断面図である。図１（ａ），（ｂ）において、１はＲ
ＣＡ洗浄後基板で、シリコン基板５の表面に膜厚１ｎｍ
以上の酸化膜４が形成してある。３は表面に付着したカ
ーボンである。２は真空加熱した超高真空清浄化後基板
で、シリコン清浄表面が形成されている。清浄表面はシ
リコン基板５を徐冷することによりシリコンの表面原子
が再配列し表面にステップが現れた状態になる。

【００１４】つぎに、シリコンの表面処理方法について
説明する。図１（ａ）に示すように、まず初めにＲＣＡ
洗浄（アンモニア水・過酸化水素水・水の混合液による
洗浄）によりシリコン基板上のパティクル、金属、有機
不純物を除去したＲＣＡ洗浄後基板１を形成する。この
ＲＣＡ洗浄後基板１は、シリコン基板５の表面に１ｎｍ
以上の酸化膜４が存在する。酸化膜４を形成するとき
は、シリコン表面上に酸化膜が１ｎｍ以上に形成できる
薬液混合比及び温度を使用し試料基板を作製する。また
は、酸化膜を熱酸化炉により形成し、その後希ふっ酸に
よりエッチングを行いシリコン表面上に酸化膜が１ｎｍ
以上に残留する試料基板を作成する方法もある。また、
酸化膜４の表面には大気中により微少量のカーボン３が
付着している。

【００１５】その後、基板１を真空中に導入し基板温度
を９００℃以上、真空度を１×１０ ^-8以上の高真空に維
持する処理を行い、図１（ｂ）に示すようにシリコン基
板５の表面の酸化膜４を十分に除去し、超高真空清浄化
後基板２を形成する。この時、初期の酸化膜厚を１ｎｍ
以下にしたり、酸化膜４をＨＦ薬液などにより除去して
しまうと活性なシリコン表面と気体中のカーボンとが物
理的または化学的に結合し、その後の真空中清浄化処理
で不純物が除去し難くなるため、シリコン表面上酸化膜
４が１ｎｍ以上の膜厚を有するようにする。

【００１６】その後、基板温度を下げ徐冷していく。図
２にその比較実験結果を示す。シリコン表面上酸化膜が
１ｎｍ以上および１ｎｍ以下の酸化膜を各々形成後超高
真空清浄化処理をした場合の清浄化後のカーボン付着量
をＸＰＳ（光電子分光法）によりＣ１ｓスペクトルとし
て測定した。３２は１ｎｍ以上の酸化膜を形成後超高真
空清浄化処理をした場合のＣ１ｓスペクトル、３３は１
ｎｍ以下の酸化膜を形成後超高真空清浄化処理をした場
合のＣ１ｓスペクトルである。横軸は結合エネルギ（Ｂ
ｉｎｄｉｎｇ Ｅｎｅｒｇｙ）（ｅＶ）、縦軸はＸＰＳ
スペクトル強度（ｃｐｓ（ｃｏｕｎｔ ｐｅｒ ｓｅｃ
ｏｎｄ））である。１ｎｍ以上の酸化膜を形成後超高真
空清浄化処理をした場合では、カーボンがほとんど除去
されているが、１ｎｍ以下の酸化膜を形成後超高真空清
浄化処理をした場合では、カーボンが残留したままであ
る。

【００１７】以上のようにこの実施の形態では、膜厚１
ｎｍ以上の酸化膜４が表面に存在するシリコン基板５を
真空加熱により除去するという簡便な方法で、Ｓｉ−Ｃ
結合が生じない清浄シリコン表面を確実に形成すること
ができる。この発明の第２の実施の形態を図３に基づい
て説明する。図３はこの発明の第２の実施の形態におけ
るシリコン処理方法でのカーボン残留率（％）と処理時
間（分）との関係を示すグラフである。この実施の形態
は、第１の実施の形態と同様であるが、初期の酸化膜厚
を１ｎｍ以上２ｎｍ以下に設定する。シリコンの酸化膜
厚が厚くなると、酸化膜を昇華するための反応に必要と
なる時間が酸化膜厚の増加とともに増加する。Ｓｉ/ Ｓ
ｉＯ₂ 界面で起こるＳｉＯ₂ ＋Ｓｉ→２ＳｉＯの反応に
より生成したＳｉＯが酸化膜中を拡散し真空中に出て行
くまでの行路である酸化膜厚が厚いと反応に要する時間
が増え、非常に厚い場合は酸化膜が非常に昇華し難い。
このようにシリコン表面上酸化膜が厚くなる場合、真空
中での酸化膜除去反応に必要以上の時間がかかるため非
効率となる。

【００１８】具体的には図３に示すように、表面酸化膜
厚が１ｎｍ以上でカーボン残留率は０％、処理時間は１
ｎｍで約１分、２ｎｍで約３分である。したがって、１
ｎｍ〜2.0 ｎｍの酸化膜が表面に存在するシリコン基板
を真空加熱することにより、カーボンは十分に除去でき
るとともに、処理時間を短くすることができる。なお、
2.0 ｎｍ以上の酸化膜が表面に存在す場合の処理は３分
以上かかるので非効率となる。

【００１９】以上のようにこの実施の形態では、１ｎｍ
〜2.0 ｎｍの酸化膜が表面に存在するシリコン基板を真
空加熱によりシリコン清浄表面形成するので、Ｓｉ−Ｃ
結合が生じない清浄シリコン表面を確実かつ効率的に形
成することができる。この発明の第３の実施の形態を図
４および図５に基づいて説明する。図４はこの発明の第
３の実施の形態におけるシリコン処理方法で温度プロフ
ァイルを示すグラフである。その処理方法を従来例と比
較する。従来、真空中清浄化をする場合、真空度１×１
０^-8torr以下にならない高真空度を維持しながら温度８
００℃まで徐々に温度を上げていき、その後、９００〜
１１００℃の瞬時加熱により表面の酸化膜を昇華させ清
浄表面を得る。このとき、瞬時加熱を１度の高温処理だ
けにした場合、基板表面に局所的昇華が起こり他の部分
からの飛来物よりＳｉ−Ｃ結合が残留することが起こ
る。

【００２０】これを防止するためにこの実施の形態で
は、ＲＣＡ洗浄後の超高真空清浄化処理において、シリ
コン基板を真空加熱によりその表面の酸化膜を昇華させ
シリコン清浄表面を形成するときに、昇華温度を増加し
再度一定温度まで下げる工程を複数回行い、その時の最
大表面温度を段階的に増加させていく温度プロファイル
で処理する。具体的には図４に示すように、真空度１×
１０^-8torr以下にならない高真空度を維持しながら温度
８００℃まで徐々に温度を上げていき、その後、まずは
最高温度８５０℃で１０秒間温度を上げ再度温度を８０
０℃まで下げる。次に最高温度９００℃で１０秒間温度
を上げ再度温度を８００℃まで下げる。次に最高温度９
５０℃で１０秒間温度を上げ再度温度を８００℃まで下
げる。次に最高温度１０００℃で数１０秒間温度を上げ
再度温度を８００℃まで下げる。

【００２１】このように昇華温度を増加し再度一定温度
まで下げる工程を複数回行い、その時の最大表面温度を
階段的に増加させていく温度プロファイルをしたことに
より、シリコン表面の酸化膜の昇華が表面上で均一に少
しずつ起こっていくため、局所的に活性なシリコン表面
が露出することによってＳｉ−Ｃ結合が生じることはな
く、結果的にカーボンの少ない清浄表面を形成し易くす
る。また、酸化膜表面に残留したカーボンは、昇華温度
を増加し再度一定温度まで下げる複数回の工程でシリコ
ン基板と接触することなく酸化膜上で徐々に酸化され昇
華していき、最終のシリコン清浄表面にＳｉ−Ｃ結合と
して残ることはない。

【００２２】図５に従来例との比較実験結果を示す。超
高真空清浄化処理をした場合の清浄化後のカーボン付着
量をＸＰＳによりＣ１ｓスペクトルとして測定した。３
４は温度プロファイルをしたＣ１ｓスペクトル、３５は
従来の場合のＣ１ｓスペクトルである。真空度１×１０
^-8torr以下にならない高真空度を維持しながら温度８０
０℃まで徐々に温度を上げていきその後室温まで徐冷し
た場合と、この実施の形態で示した昇華温度を増加し再
度一定温度まで下げる工程を複数回行い、その時の最大
表面温度を階段的に増加させて行く温度プロファイルで
処理した後室温まで徐冷した場合との比較実験を行っ
た。これによると、実施の形態の場合（Ｃ１ｓスペクト
ル３４）では、カーボンがほとんど除去されているが、
従来の場合（Ｃ１ｓスペクトル３５）では、カーボンが
残留したままである。

【００２３】以上のようにこの実施の形態では、酸化膜
が表面に存在するシリコン基板を真空加熱によりシリコ
ン清浄表面を形成するときに、昇華温度を増加し再度一
定温度まで下げる工程を複数回行い、その時の最大表面
温度を階段的に増加させていく温度プロファイルをした
ので、確実にＳｉ−Ｃ結合が生じない清浄表面を形成で
きる。なお、この第３の実施の形態を第１および第２の
実施の形態に適用可能である。

【００２４】この発明の第４の実施の形態を図６に基づ
いて説明する。シリコン基板を真空加熱することにより
シリコン清浄表面を形成する装置において、基板試料を
保持するサンプルホルダを洗浄し表面の不純物除去を行
なう。洗浄方法としては硫酸・過酸化水素水の混合溶液
（混合比１：５）を使用し、ＭＯ基板ホルダを１分間洗
浄した。水洗浄後、乾燥窒素ブローによる乾燥を行い、
その後、ホルダを真空中加熱清浄化し、シリコン基板を
ホルダに設置し、真空加熱によりシリコン清浄表面を形
成する。シリコン清浄表面形成は、第１の実施の形態と
同様にシリコン基板のＲＣＡ洗浄後、超高真空清浄化処
理にて行う。

【００２５】図６はホルダ洗浄前と後のＣ１ｓスペクト
ルの違いを示す比較実験結果である。３６は洗浄前のホ
ルダを使用した場合のＣ１ｓスペクトル、３７は洗浄後
のホルダを使用した場合のＣ１ｓスペクトルである。洗
浄前のサンプルホルダを使用した場合、シリコン基板を
真空加熱によりシリコン清浄表面を形成した後の表面を
ＸＰＳにより測定するとカーボンが付着しており、洗浄
前のＣ１ｓスペクトル３６ではカーボンがかなり残留し
ている。これに対し、洗浄後のサンプルホルダを使用す
るとカーボンは付着しておらず、洗浄後のＣ１ｓスペク
トル３７ではＭＯ基板表面のカーボンが完全に除去され
ていることがわかる。ホルダ洗浄前のようにシリコン基
板と密接するホルダ上の不純物汚染量が高いと高温時の
拡散により洗浄化したシリコン表面にカーボンが付着し
Ｓｉ−Ｃ結合を形成する。しかし、サンプルホルダを洗
浄することによりサンプルホルダからの不純物拡散を完
全に防止することができる。

【００２６】以上のようにこの実施の形態では、シリコ
ン基板を真空加熱によりシリコン清浄表面形成する装置
において、基板試料を保持するホルダを洗浄し表面の不
純物除去を行なった後、ホルダを真空中加熱清浄化し、
その後、シリコン基板をホルダに設置し真空加熱により
シリコン清浄表面を形成することにより、確実にＳｉ−
Ｃ結合が生じない清浄表面が形成できる。

【００２７】なお、シリコン清浄表面を形成するために
超高真空中加熱について説明したが、水素雰囲気中での
還元によるシリコン清浄表面形成方法や、シリコンへの
通電加熱による清浄化方法等のすべての清浄表面形成プ
ロセスを含む。

【００２８】

【発明の効果】この発明の請求項１記載のシリコンの表
面処理方法によれば、１ｎｍ以上の膜厚を有する酸化膜
が表面に存在するシリコン基板を真空加熱によりシリコ
ン清浄表面を形成するので、活性なシリコン表面と気体
中のカーボンとが物理的または化学的に結合することが
抑制され、カーボンがほとんど除去される。このため、
Ｓｉ−Ｃ結合が生じない清浄シリコン表面を確実に形成
することができる。

【００２９】請求項２では、酸化膜を昇華するための反
応に必要となる時間が酸化膜厚の増加とともに増加する
ため、酸化膜が厚くなると真空中での酸化膜除去反応に
必要以上の時間がかかり非効率となるが、酸化膜の膜厚
を１ｎｍ以上２ｎｍ以下に設定するので、カーボンを十
分に除去できるとともに処理時間を短くすることができ
る。このため、Ｓｉ−Ｃ結合が生じない清浄シリコン表
面を確実かつ効率的に形成することができる。

【００３０】この発明の請求項３記載のシリコンの表面
処理方法によれば、昇華温度を増加し再度一定温度まで
下げる工程を複数回行い、その時の最大表面温度を段階
的に増加させていく温度プロファイルをしたことによ
り、シリコン表面の酸化膜の昇華が表面上で均一に少し
ずつ起こっていくため、局所的に活性なシリコン表面が
露出することによってＳｉ−Ｃ結合が生じることはな
く、結果的にカーボンの少ない清浄表面を形成し易くす
る。

【００３１】この発明の請求項４記載のシリコンの表面
処理方法によれば、シリコン基板と密接するホルダ上の
不純物汚染量が高いと高温時の拡散により洗浄化したシ
リコン表面にカーボンが付着しＳｉ−Ｃ結合が形成する
が、基板試料を保持するホルダを洗浄し表面の不純物除
去を行った後、ホルダを真空中加熱清浄化し、その後、
シリコン基板をホルダに設置して真空加熱によりシリコ
ン清浄表面を形成するので、ホルダからの不純物拡散を
完全に防止することができ、シリコン基板表面にカーボ
ンが付着することはなく確実にＳｉ−Ｃ結合が生じない
清浄表面を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態のシリコンの表面
処理方法の処理手順を示す概略断面図である。

【図２】この発明の第１の実施の形態のシリコンの表面
処理方法でのＣ１ｓスペクトル図である。

【図３】この発明の第２の実施の形態のシリコンの表面
処理方法でのカーボン残留率と処理時間の関係を示すグ
ラフである。

【図４】この発明の第３の実施の形態のシリコンの表面
処理方法での温度プロファイルを示すグラフである。

【図５】この発明の第３の実施の形態のシリコンの表面
処理方法でのＣ１ｓスペクトル図である。

【図６】この発明の第４の実施の形態のシリコンの表面
処理方法でのＣ１ｓスペクトル図である。

【図７】従来例１のシリコンの表面処理方法の処理手順
を示す概略断面図である。

【図８】従来例２のシリコンの表面処理方法での装置の
概略図である。

【図９】従来例２のシリコンの表面処理方法の処理手順
を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１，６，２４ ＲＣＡ洗浄後シリコン基板 ２，８ 超真空中清浄化後シリコン基板 ３，１１，２５ カーボン ４，９，２３ 酸化膜 ５，１０，１４，２２ シリコン基板 ７ 希ふっ酸洗浄後シリコン基板 １２ シリコンカーバイド １３ 真空容器 １５ ホルダ １６ バルブ １７ エキシマレーザ １８，３０ 紫外光 １９ レンズ ２０ 透過窓 ２１ ポンプ ２７ 酸素曝露 ２８ 酸素曝露後基板 ２９ 水素曝露 ３１ 清浄化後基板 ３２ 初期酸化膜１ｎｍ以上の場合のＣ１ｓスペクト
ル ３３ 初期酸化膜１ｎｍ以下の場合のＣ１ｓスペクト
ル ３４ 図７の温度プロファイル実験時のＣ１ｓスペク
トル ３５ ８００℃保持時のＣ１ｓスペクトル ３６ ホルダ洗浄前のＣ１ｓスペクトル ３７ ホルダ洗浄後のＣ１ｓスペクトル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １ｎｍ以上の膜厚を有する酸化膜が表面
   に存在するシリコン基板を真空加熱によりシリコン清浄
   表面を形成することを特徴とするシリコンの表面処理方
   法。
2. 【請求項２】 酸化膜の膜厚を２ｎｍ以下に設定する請
   求項１記載のシリコンの表面処理方法。
3. 【請求項３】 シリコン基板を真空加熱によりその表面
   の酸化膜を昇華させシリコン清浄表面を形成するとき
   に、昇華温度を増加し再度一定温度まで下げる工程を複
   数回行い、その時の最大表面温度を段階的に増加させて
   いく温度プロファイルで処理することを特徴とするシリ
   コンの表面処理方法。
4. 【請求項４】 基板試料を保持するホルダを洗浄し表面
   の不純物除去を行い、ホルダを真空中加熱清浄化した
   後、シリコン基板を前記ホルダに設置して真空加熱によ
   りシリコン清浄表面を形成することを特徴とするシリコ
   ンの表面処理方法。