JPH02237025A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02237025A JPH02237025A JP5703489A JP5703489A JPH02237025A JP H02237025 A JPH02237025 A JP H02237025A JP 5703489 A JP5703489 A JP 5703489A JP 5703489 A JP5703489 A JP 5703489A JP H02237025 A JPH02237025 A JP H02237025A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多結晶シリコン上にオーミックな接触を示す
高融点金属を成長する半導体製造装置の製造方法に関す
るものである。
高融点金属を成長する半導体製造装置の製造方法に関す
るものである。
従来の技術
近年，ＭＯＳ型半導体装置等の高集積化・微細化が発達
するに従い、その多層配線構造の必要性からタングステ
ンボリサイド等の高融点金属を用いた配線が多用される
ようになっている。
するに従い、その多層配線構造の必要性からタングステ
ンボリサイド等の高融点金属を用いた配線が多用される
ようになっている。
以下に従来のタングステンボリサイド形成方法について
説明する。
説明する。
第２図は従来の方法によるタングステンボリサイドの形
成方法の工程図であり、１はシリコン基板、２は絶縁膜
、３は多結晶シリコン膜、４は酸化膜、６はタングステ
ンボリサイド膜、７はシミ、８は自然酸化膜である。
成方法の工程図であり、１はシリコン基板、２は絶縁膜
、３は多結晶シリコン膜、４は酸化膜、６はタングステ
ンボリサイド膜、７はシミ、８は自然酸化膜である。
以上のように構成された半導体装置の製造方法について
、以下その工程を説明する。
、以下その工程を説明する。
まず、多結晶シリコン膜３をシリコン基板１上の絶縁膜
２全面に成長する（第２図Ａ）。多結晶シリコン成長後
に発生した酸化膜４をフッ酸により除去する（第２図Ｂ
）。次に自然酸化膜８の発生を最小に抑えながらタング
ステンポリサイド成長装置に入れ、装置内を真空にした
後タングステンボリサイド膜６を成長する（第２図Ｃ）
。
２全面に成長する（第２図Ａ）。多結晶シリコン成長後
に発生した酸化膜４をフッ酸により除去する（第２図Ｂ
）。次に自然酸化膜８の発生を最小に抑えながらタング
ステンポリサイド成長装置に入れ、装置内を真空にした
後タングステンボリサイド膜６を成長する（第２図Ｃ）
。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の方法では、多結晶シリコン膜
３上の酸化膜４をフッ酸により除去し、スピン乾燥機な
どの酸素ガスを含む雰囲気中で乾燥を行うとシミ７が発
生する。このシミは段差部で顕著である。タングステン
ボリサイド成長装置に挿入する時の酸素の存在等により
多結晶シリコン上に自然、酸化膜８が成長して界面での
オーミックな接触が得られなかったりする。また、自然
酸化膜８やシミ７が原因となり次工程以降の熱処理によ
る異常酸化によりタングステンボリサイドの剥がれが発
生する。この現象も段差部付近で特に顕著となる。本発
明は上記従来の問題点を解決するもので、タングステン
ボリサイド等の高融点金属と多結晶シリコンの界面にシ
ミや自然酸化膜がな《、オーミックな接触を示し、かつ
、次工程以降での高融点金属の剥がれを防ぐ半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
３上の酸化膜４をフッ酸により除去し、スピン乾燥機な
どの酸素ガスを含む雰囲気中で乾燥を行うとシミ７が発
生する。このシミは段差部で顕著である。タングステン
ボリサイド成長装置に挿入する時の酸素の存在等により
多結晶シリコン上に自然、酸化膜８が成長して界面での
オーミックな接触が得られなかったりする。また、自然
酸化膜８やシミ７が原因となり次工程以降の熱処理によ
る異常酸化によりタングステンボリサイドの剥がれが発
生する。この現象も段差部付近で特に顕著となる。本発
明は上記従来の問題点を解決するもので、タングステン
ボリサイド等の高融点金属と多結晶シリコンの界面にシ
ミや自然酸化膜がな《、オーミックな接触を示し、かつ
、次工程以降での高融点金属の剥がれを防ぐ半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明の半導体装置の製造方
法は多結晶シリコンの表面をフッ酸で処理した後、連続
でＲＣＡ洗浄を行い、多結晶シリコン表面に酸化薄膜を
形成してシミの発生を防ぎ、その後減圧化学気相成長内
にて高温の水素ガスによりその酸化薄膜を還元除去して
高融点金属を成長させる工程から構成されている。
法は多結晶シリコンの表面をフッ酸で処理した後、連続
でＲＣＡ洗浄を行い、多結晶シリコン表面に酸化薄膜を
形成してシミの発生を防ぎ、その後減圧化学気相成長内
にて高温の水素ガスによりその酸化薄膜を還元除去して
高融点金属を成長させる工程から構成されている。
作用
この構成により、多結晶シリコン表面はフッ酸により一
度撥水状態にされ完全に酸化膜を除去された後、連続工
程としてＲＣＡ洗浄を行い、上記多結晶シリコン上に酸
化薄膜を形成する。そして、酸化薄膜で多結晶シリコン
膜表面を覆った状態で乾燥を行うため、撥水乾燥で生じ
るシミを防止できる。次に減圧化学気相成長装置に挿入
する場合も、自然酸化膜の成長が無視し得るため連続工
程の必要性がない。そして減圧化学気相成長装置内で高
温の水素ガスを流し、ＲＣＡ洗浄で形成した酸化薄膜を
揮発性生成物ＳｉＯと８ ２０に分解して酸化薄膜を除
去し、完全に多結晶シリコン表面を露出した後タングス
テンボリサイド等の高融点金属成長を行うためオーミッ
クな接触をもち、かつ、次工程以降で剥がれることのな
い高融点金属を得ることができる。
度撥水状態にされ完全に酸化膜を除去された後、連続工
程としてＲＣＡ洗浄を行い、上記多結晶シリコン上に酸
化薄膜を形成する。そして、酸化薄膜で多結晶シリコン
膜表面を覆った状態で乾燥を行うため、撥水乾燥で生じ
るシミを防止できる。次に減圧化学気相成長装置に挿入
する場合も、自然酸化膜の成長が無視し得るため連続工
程の必要性がない。そして減圧化学気相成長装置内で高
温の水素ガスを流し、ＲＣＡ洗浄で形成した酸化薄膜を
揮発性生成物ＳｉＯと８ ２０に分解して酸化薄膜を除
去し、完全に多結晶シリコン表面を露出した後タングス
テンボリサイド等の高融点金属成長を行うためオーミッ
クな接触をもち、かつ、次工程以降で剥がれることのな
い高融点金属を得ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程図を示すものである。第１図においては、１は
シリコン基板、２は絶縁膜、３は多結晶シリコン膜、４
は酸化膜、５は酸化薄膜、６はタングステンボリサイド
膜である。
法の工程図を示すものである。第１図においては、１は
シリコン基板、２は絶縁膜、３は多結晶シリコン膜、４
は酸化膜、５は酸化薄膜、６はタングステンボリサイド
膜である。
以上のように構成された本発明の半導体装置の製造方法
について、以下その動作を説明する。
について、以下その動作を説明する。
まず、シリコン基板上１の絶縁膜２に形成した多結晶シ
リコン３上の酸化膜４（第１図Ａ）に対し、バッファー
ドフッ酸２０：１により２０秒間エッチングし、多結晶
シリコン膜３の表面を露出させる（第１図Ｂ）。連続工
程としてＲＣＡ洗浄を行い、酸化薄膜を約２０Ａ成長さ
せる（第１図Ｃ）。次に温度６００℃の減圧化学気相成
長装置に挿入し、真空引きとＮ２ガス置換を繰り返しな
がら９５０℃まで昇温する。温度が安定した状態で５ｅ
／ｗｉｎの水素ガスを流し、約３ｍｉｎで酸化薄膜５を
還元除去する（第１図Ｄ）。再度真空引きを行い、降温
し、温度が成長温度である６００℃に安定した時点で六
フッ化タングステンガスとジクロ口シランガス及びキャ
リアガスであるアルゴンガスを流して、タングステンボ
リサイド６の成長を開始する（第１図Ｅ）。尚、高融点
金属として、モリブデンボリサイド等の金属も含む。
リコン３上の酸化膜４（第１図Ａ）に対し、バッファー
ドフッ酸２０：１により２０秒間エッチングし、多結晶
シリコン膜３の表面を露出させる（第１図Ｂ）。連続工
程としてＲＣＡ洗浄を行い、酸化薄膜を約２０Ａ成長さ
せる（第１図Ｃ）。次に温度６００℃の減圧化学気相成
長装置に挿入し、真空引きとＮ２ガス置換を繰り返しな
がら９５０℃まで昇温する。温度が安定した状態で５ｅ
／ｗｉｎの水素ガスを流し、約３ｍｉｎで酸化薄膜５を
還元除去する（第１図Ｄ）。再度真空引きを行い、降温
し、温度が成長温度である６００℃に安定した時点で六
フッ化タングステンガスとジクロ口シランガス及びキャ
リアガスであるアルゴンガスを流して、タングステンボ
リサイド６の成長を開始する（第１図Ｅ）。尚、高融点
金属として、モリブデンボリサイド等の金属も含む。
発明の効果
本発明は多結晶シリコン上の酸化膜を除去後、酸化薄膜
を形成し、減圧化学気相成長装置内での高温の水素ガス
処理を用いて、その酸化薄膜を完全に除去した後タング
ステンボリサイド成長を開始することにより、多結晶シ
リコンとタングステンボリサイドの界面におけるシミや
自然酸化膜の発生を抑え、オーミックな接触で、かつ、
次工程以降においてタングステンボリサイドの剥がれ等
を防ぐ半導体装置を実現するものである。
を形成し、減圧化学気相成長装置内での高温の水素ガス
処理を用いて、その酸化薄膜を完全に除去した後タング
ステンボリサイド成長を開始することにより、多結晶シ
リコンとタングステンボリサイドの界面におけるシミや
自然酸化膜の発生を抑え、オーミックな接触で、かつ、
次工程以降においてタングステンボリサイドの剥がれ等
を防ぐ半導体装置を実現するものである。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程図、第２図は従来の製造方法の工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・酸化
膜、５・・・・・・酸化薄膜、６・・・・・・タングス
テンボリサイド、７・・・・・・シミ、８・・・・・・
自然酸化膜。
法の工程図、第２図は従来の製造方法の工程図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・多結晶シリコン膜、４・・・・・・酸化
膜、５・・・・・・酸化薄膜、６・・・・・・タングス
テンボリサイド、７・・・・・・シミ、８・・・・・・
自然酸化膜。
Claims (1)
- 半導体基板上の多結晶シリコン表面の絶縁膜を除去す
る工程と、前記多結晶シリコンの表面に薄い酸化膜を成
長させる工程と、前記半導体基板を減圧化学気相成長装
置に挿入し、高温の水素ガスを流して前記薄い酸化膜を
還元除去して前記多結晶シリコン表面を露出させる工程
と、前記減圧化学気相成長装置内で前記多結晶シリコン
上に高融点金属成長を行う工程とを具備することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5703489A JPH02237025A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5703489A JPH02237025A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237025A true JPH02237025A (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=13044159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5703489A Pending JPH02237025A (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02237025A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09167743A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体チップ上に低応力ポリサイド導体を形成する方法 |
| JPH1070124A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子の導電配線形成方法 |
| US5780360A (en) * | 1994-09-27 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Purge in silicide deposition processes dichlorosilane |
| US6221771B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming tungsten silicide film, method of fabricating semiconductor devices and semiconductor manufactured thereby |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5703489A patent/JPH02237025A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780360A (en) * | 1994-09-27 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Purge in silicide deposition processes dichlorosilane |
| US5817576A (en) * | 1994-09-27 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | Utilization of SiH4 soak and purge in deposition processes |
| JPH09167743A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-06-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体チップ上に低応力ポリサイド導体を形成する方法 |
| JPH1070124A (ja) * | 1996-06-24 | 1998-03-10 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子の導電配線形成方法 |
| US6221771B1 (en) | 1998-01-14 | 2001-04-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming tungsten silicide film, method of fabricating semiconductor devices and semiconductor manufactured thereby |
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