JPH11228178A - ガラス組成物、それを用いた絶縁体、ｆｐｄ用隔壁及び絶縁層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＦＰＤのガラス基板に反りを発生させず、かつ
ＦＰＤの画像にクロストークを発生させずに、反射率を
向上できる。 【解決手段】 ガラス組成物のガラス成分として、Ｂ₂
Ｏ₃２０〜４５モル％と、ＺｎＯ１５〜４５モル％と、
ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群より選ば
れた１種又は２種以上の酸化物１５〜４０モル％と、Ｂ
ａＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃からな
る群より選ばれた１種又は２種以上のフッ化物１０〜３
０モル％とを含む。また上記ガラス組成物と、ジルコ
ン、アルミナ、シリカ、ムライト、βユークリプタイ
ト、コーディエライト、βスポデューメン及びフォルス
テライトからなる群より選ばれた１種又は２種以上のセ
ラミックフィラーとを含む混合体を焼成することにより
絶縁体（ＦＰＤ用隔壁、ＦＰＤ用絶縁層）が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（plasma d
isplay panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（plasma addressed liquid crystal display）等の
ＦＰＤ（flat panel display）用隔壁及び絶縁層に好適
なガラス組成物及びこれを用いた絶縁体に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のガラス組成物として、ガ
ラス粉末が７０〜９５重量％、耐火物フィラーが５〜３
０重量％、耐熱顔料が０〜１０重量％を含むものが開示
されている（特開平３−１７０３４６）。このガラス組
成物では、ガラス成分が５５〜６５重量％のＰｂＯ、０
〜５重量％のＺｎＯ、０〜１０重量％のＢ₂Ｏ₃、１５〜
２５重量％のＳｉＯ₂、０．５〜５重量％のＡｌ₂Ｏ₃、
０．５〜１５重量％の（ＳｎＯ₂＋ＴｉＯ₂）、０．５〜
１０重量％の（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、
０．１〜２重量％のＣｅＯ₂、０．１〜５重量％のＬａ₂
Ｏ₃からなる。しかし、上記従来のガラス組成物では、
Ｐｂ成分を含有するため、ガラス組成物の密度が大きく
なり、このガラス組成物をＰＤＰのガラス基板上の隔壁
として使用した場合、ガラス基板の重量が増大する問題
点や、環境汚染の原因となる問題点があった。ガラス基
板の重量が増大すると、ガラス基板の焼成時にガラス基
板に反りを発生し易くなる、即ちガラス基板の焼成工程
において加熱むらを防止するために、ガラス基板を下か
ら数カ所で点支持しているが、ガラス基板が重いと自重
で反りが発生し易くなる問題点があった。また上記従来
のガラス組成物では、隔壁の比誘電率が１０〜１２程度
で比較的大きいため、電気信号が近隣の配線に漏洩し、
画像にクロストークが生じ易い問題点があった。更に上
記従来のガラス組成物においては、ＰＤＰ隔壁若しくは
絶縁層としての使用中（プラズマ減圧雰囲気下にて）に
金属Ｐｂが析出し、放電特性が低下する問題点があっ
た。

【０００３】Ｐｂ成分を含まないガラスとして、耐イオ
ン放電衝撃性低軟化温度ガラス（特開昭４８−４３００
７）やプラズマディスプレイパネル（特開平８−３０１
６３１）が開示されている。上記特開昭４８−４３００
７号公報に示された耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラ
スでは、３０〜４３重量％の無水硼酸（Ｂ₂Ｏ₃）、１８
〜３３重量％の五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）、１７〜２
２重量％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）、８〜１２重量％の酸化
ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）を主成分とし、これに６重量％
以下の珪酸（ＳｉＯ₂）、５重量％以下のアルミナ（Ａ
ｌ₂Ｏ₃）、４重量％以下の酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ₂）のうち少なくとも１種を含有させたことを特徴と
する。この耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラスでは、
一般に使用される窓ガラス板と略同じ熱膨張係数と窓ガ
ラス板より低い軟化温度を有するため、ひび割れ等を生
じることなく窓ガラスに均一に融着する。またガスイオ
ン等の放電による衝撃により解離等の変化を生じ易い酸
化鉛（ＰｂＯ）や酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）等の重金属
酸化物を全く含有しないため、ＰＤＰのガラス基板の被
膜用ガラス等の長時間にわたりガスイオンの放電衝撃を
受ける部分に使用してもガスイオン放電特性に全く影響
を生じることがなく、被膜の黒化及び透明度の変化等の
劣化を生じることもない。

【０００４】一方、上記特開平８−３０１６３１号公報
に示されたプラズマディスプレイでは、相対向するガラ
ス基板間のディスプレイの各画素間に隔壁が形成され、
この隔壁がＰ₂Ｏ₅系ガラスからなるガラス粉末と、低膨
張セラミック粉末とからなるガラスセラミック組成物の
焼成物からなることを特徴とする。このプラズマディス
プレイパネルでは、ガラスセラミック組成物が２０〜７
０重量％のガラス粉末と、３０〜８０重量％の低膨張セ
ラミック粉末からなり、ガラス粉末が２５〜３５モル％
のＰ₂Ｏ₅、０〜５０モル％のＺｎＯ、０〜７０モル％の
ＳｎＯ、０〜１０モル％のＬｉ₂Ｏ、０〜１０モル％の
Ｎａ₂Ｏ、０〜１０モル％のＫ₂Ｏ、０〜２０モル％の
（Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、０〜１０モル％のＭｇ
Ｏ、０〜１０モル％のＣａＯ、０〜１０モル％のＳｒ
Ｏ、０〜１０モル％のＢａＯ、０〜２０モル％の（Ｍｇ
Ｏ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、０〜１０モル％のＢ₂
Ｏ₃、０〜１０モル％のＡｌ₂Ｏ₃からなる。このように
構成されたプラズマディスプレイパネルでは、隔壁の比
誘電率が７〜１０の間であり、Ｐｂを含有する隔壁と比
較して、表示のクロストークを低減できる。また隔壁に
Ｐｂ成分を含有しないため、密度が小さく、大型のＰＤ
Ｐに最適である。更に熱膨張係数が通常のＰＤＰ用ガラ
ス基板に整合しているため、ＰＤＰのガラス基板上に隔
壁を形成した際に反りがなく、下地のオーバコートにク
ラックが入ったりすることがなく、ガラス基板も割れ難
くなる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の特開昭４８
−４３００７号公報に示された耐イオン放電衝撃性低軟
化温度ガラスでは、Ｖ₂Ｏ₅を含むため、茶色に着色さ
れ、反射率が低下する不具合があった。また上記従来の
特開平８−３０１６３１号公報に示されたプラズマディ
スプレイでは、Ｐ₂Ｏ₅を含むため、耐水性が悪い問題点
があった。上記従来の特開平８−３０１６３１号公報に
示されたプラズマディスプレイでは、ガラスの熱膨張係
数がガラス基板に対して大きいので、熱膨張係数をガラ
ス基板と整合させるために、セラミックフィラーを多量
に添加しなければならず、焼成後の構造が多孔質にな
り、強度が低下し放電特性も低下する問題点があった。

【０００６】本発明の目的は、ＦＰＤのガラス基板に反
りを発生させず、かつＦＰＤの画像にクロストークを発
生させずに、反射率を向上できる、ガラス組成物、それ
を用いた絶縁体、ＦＰＤ用隔壁及び絶縁層を提供するこ
とにある。本発明の別の目的は、強度及び放電特性を低
下させずに、熱膨張係数を低くして熱膨張係数をＦＰＤ
のガラス基板と整合させることができ、かつガラス基板
より軟化点を低くくできる、ガラス組成物、それを用い
た絶縁体、ＦＰＤ用隔壁及び絶縁層を提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ガラス成分として、Ｂ₂Ｏ₃２０〜４５モル％と、ＺｎＯ
１５〜４５モル％と、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇ
Ｏからなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物１
５〜４０モル％と、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、Ｍｇ
Ｆ₂及びＡｌＦ₃からなる群より選ばれた１種又は２種以
上のフッ化物１０〜３０モル％とを含むガラス組成物で
ある。この請求項１に記載されたガラス組成物では、ガ
ラス成分を上記範囲内でそれぞれ混合すると、焼成温度
が低くなって、軟化点も低くなる。また上記ガラス成分
に密度の大きいＰｂ成分を含まないため、重量を軽減で
き、環境を汚染することもない。

【０００８】請求項２に係る発明は、Ｂ₂Ｏ₃２０〜４５
モル％と、ＺｎＯ１５〜４５モル％と、ＢａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上の酸化物１５〜４０モル％と、ＢａＦ₂、Ｃａ
Ｆ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃からなる群より選ば
れた１種又は２種以上のフッ化物１０〜３０モル％とを
含むガラス組成物と；ジルコン、アルミナ、シリカ、ム
ライト、βユークリプタイト、コーディエライト、βス
ポデューメン及びフォルステライトからなる群より選ば
れた１種又は２種以上のセラミックフィラーとを含む混
合体を焼成してなる絶縁体である。この請求項２に記載
された絶縁体では、ガラスの軟化点が低いので、絶縁体
の焼成温度を低くすることができる。またガラス成分に
Ｖ₂Ｏ₅を含まないため、白色の反射率の高い絶縁体を得
ることができる。

【０００９】請求項３に係る発明は、請求項２記載の絶
縁体により形成されたＦＰＤ用隔壁である。請求項４に
係る発明は、請求項２記載の絶縁体により形成されたＦ
ＰＤ用絶縁層である。この請求項３に記載されたＦＰＤ
用隔壁又は請求項４に記載されたＦＰＤ用絶縁層では、
上記ガラス組成物とセラミックフィラーとの混合体に有
機バインダを含むセラミックグリーンリブ又はセラミッ
クグリーンシートを焼成することにより、上記リブ又は
シートが隔壁又は絶縁層になる。或いはガラス組成物、
セラミックフィラー及び有機バインダに有機溶媒を加え
て、ペースト化しスクリーン印刷法などでセラミックキ
ャピラリリブ又はセラミックキャピラリ層を乾燥、焼成
することにより、上記セラミックキャピラリリブ又はセ
ラミックキャピラリ層が隔壁又は絶縁層になる。このと
きの焼成温度はガラス基板の軟化点より１００℃以上低
いため、ガラス基板に反り等は生じない。また上記隔壁
又は絶縁層の熱膨張係数はガラス基板の熱膨張係数と概
略同一になるため、ガラス基板の反りを更に抑制でき
る。上記記隔壁又は絶縁層の比誘電率が４〜７程度と比
較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線に漏洩する
ことはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガ
ラス成分へのセラミックフィラー成分の添加量は比較的
少量で済むので、焼成後の強度及び放電特性が低下する
こともない。なお、上記セラミックキャピラリとは、ガ
ラス組成物とセラミックフィラーと有機バインダと溶媒
とを含むペーストを塗布した後の大部分の有機バインダ
及び溶媒が残存している状態をいう。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図面
に基づいて詳しく説明する。本発明の絶縁体はガラス組
成物とセラミックフィラーとを含む混合体を焼成するこ
とにより形成される。上記ガラス組成物としては、Ｂ₂
Ｏ₃を２０〜４５モル％と、ＺｎＯを１５〜４５モル％
と、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群より
選ばれた１種又は２種以上の酸化物を１５〜４０モル％
と、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃
からなる群より選ばれた１種又は２種以上のフッ化物を
１０〜３０モル％とを含む。

【００１１】Ｂ₂Ｏ₃を２０〜４５モル％の範囲に限定し
たのは、２０モル％未満ではガラスにならず軟化点も高
い不具合があり、４５モル％を越えると耐水性が悪い不
具合があるからであり、Ｂ₂Ｏ₃は２５〜４０モル％であ
ることが更に好ましい。またＺｎＯを１５〜４５モル％
の範囲に限定したのは、１５モル％未満では軟化点が高
い不具合があり、４５モル％を越えても軟化点が高い不
具合があるからであり、ＺｎＯは２０〜４０モル％であ
ることが更に好ましい。

【００１２】またＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯか
らなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物を１５
〜４０モル％の範囲に限定したのは、１５モル％未満で
は軟化点が高い不具合があり、４０モル％を越えるとガ
ラスにならない不具合があるからであり、この酸化物は
２０〜３５モル％であることが更に好ましい。更にＢａ
Ｆ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃からなる
群より選ばれた１種又は２種以上のフッ化物を１０〜３
０モル％の範囲に限定したのは、１０モル％未満では軟
化点が高い不具合があり、３０モル％を越えるとガラス
にならない不具合があるからであり、このフッ化物は１
２〜２５モル％であることが更に好ましい。

【００１３】またセラミックフィラーとしては、ジルコ
ン、アルミナ、シリカ、ムライト、βユークリプタイ
ト、コーディエライト、βスポデューメン及びフォルス
テライトからなる群より選ばれた１種又は２種以上のセ
ラミックを含む。ガラス成分にセラミックフィラー成分
を混合するのは、例えば上記ガラス成分を用いたＰＤＰ
用隔壁をガラス基板上に形成する場合、この隔壁の熱膨
張係数とガラス基板の熱膨張係数とを整合させるためで
ある。

【００１４】この実施の形態では、上記混合体を焼成す
ることによりセラミックリブ（ＰＤＰ用隔壁）が形成さ
れる。このセラミックリブの形成方法を図１に基づいて
説明する。先ずガラス基板１０の表面にガラス組成物及
びセラミックフィラーを含むペーストを塗布して形成さ
れたペースト膜１１に対してくし歯１２ｂを有するブレ
ード１２のエッジ１２ａをガラス基板１０表面に接触さ
せた状態でブレード１２又はガラス基板１０を一定方向
に移動することによりガラス基板１０表面にセラミック
キャピラリリブ１３を形成する。上記ペーストは上記ガ
ラス組成物とセラミックフィラーと有機バインダと溶媒
とを含む。

【００１５】セラミックフィラーはガラス組成物の容積
に対して６０容積％以下であることが好ましい。セラミ
ックフィラーが６０容積％以上になるとリブ１３が多孔
質になり好ましくないからである。なお、ガラス組成物
及びセラミックフィラーはこれらの粒径がそれぞれ０．
１〜３０μｍの粉末であることが好ましい。ガラス組成
物及びセラミックフィラーの粒径を０．１〜３０μｍの
範囲に限定したのは、０．１μｍ未満では凝集し易くそ
の取扱いが煩わしくなり、３０μｍを越えると後述する
ブレード１２の移動時に所望のリブ１３が形成できなく
なるからである。

【００１６】ペーストの各成分の配合比は、ガラス組成
物及びセラミックフィラーを３０〜７０重量％、有機バ
インダを１５〜３重量％、溶媒を５５〜２７重量％であ
ることが好ましい。溶媒は常温での揮発性が比較的小さ
い有機溶媒であることが必要であり、ターピネオール、
プチルカルビトール、アセテート又はエーテル等が挙げ
られる。ペーストをこのように構成することにより所定
の粘度を有するペーストを得ることができ、ガラス基板
１０上に形成されたセラミックキャピラリリブ１３のだ
れを抑制して焼成することによりセラミックリブを精度
良く形成することができる。

【００１７】ペーストのガラス基板１０表面への塗布
は、スクリーン印刷法、ディップ法又はドクタブレード
法等の既存の手段により行われる。ペースト膜１１の形
成されたガラス基板１０表面に接触させるブレード１２
には複数のくし歯１２ｂが等間隔にかつ同一方向に形成
される。このブレード１２はペーストとの反応やペース
トに溶解されることのない金属、セラミック又はプラス
チック等により作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点
からセラミック若しくはＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ基の合金が好
ましい。それぞれのくし歯１２ｂの間の隙間はこのブレ
ード１２により形成されるセラミックキャピラリリブ１
３の断面形状に相応して形成される。

【００１８】このように構成されたブレード１２による
セラミックキャピラリリブ１３の形成は、ブレード１２
のエッジ１２ａをペースト膜１１を形成したガラス基板
１０表面に接触させた状態でガラス基板１０を固定して
図１の実線矢印で示すようにブレード１２を一定方向に
移動するか、又はブレード１２を固定して図１の破線矢
印で示すようにガラス基板１０を一定方向に移動させる
ことにより行われる。この移動によりガラス基板１０表
面に塗布されたペーストのブレード１２のくし歯１２ｂ
に対応する箇所はくし歯１２ｂの間の隙間に移動するか
若しくは掃き取られ、くし歯１２ｂの間の隙間に位置す
るペーストのみがガラス基板１０上に残存してガラス基
板１０表面にセラミックキャピラリリブ１３が形成され
る。くし歯の溝の深さがペースト膜１１の厚さより大き
い場合にはブレード１２又はガラス基板１０を移動する
ときに掃き取られたペーストが溝に入り込みペースト膜
１１の厚さ以上の高さを有するセラミックキャピラリリ
ブ１３を形成できる。

【００１９】このようして形成されたセラミックキャピ
ラリリブ１３はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図２に示すセラミック
リブ１４になる。このときの焼成温度は６００℃未満で
あり、ガラス基板としてソーダ石灰ガラスを用いた場合
のこのガラス基板１０の軟化点（７３５℃）より１００
℃以上低いため（ガラスの軟化点は焼成温度から約１０
０℃差し引いた温度である。）、ガラス基板１０は軟化
せず、ガラス基板１０に反り等は生じない。また上記セ
ラミックリブ１４の熱膨張係数は６５〜８７×１０^-7／
℃と上記ガラス基板１０の熱膨張係数（８５×１０^-7／
℃）と概略同一になり、上記ガラス組成物に密度の大き
いＰｂ成分を含まずガラス組成物の重量を軽減できるた
め、ガラス基板１０の反りを更に抑制できる。

【００２０】またガラス成分にＶ₂Ｏ₅を含まないため、
白色の反射率の高いセラミックリブ１４を得ることがで
き、上記セラミックリブ１４の比誘電率が４〜７程度と
比較的小さいので、電気信号が近隣の配線に漏洩するこ
とはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガラ
ス組成物へのセラミックフィラーの添加量は比較的少量
で済むので、焼成後のセラミックリブ１４の強度や放電
特性が低下することもない。

【００２１】図３及び図４は本発明の第２の実施の形態
を示す。図３及び図４において図１及び図２と同一符号
は同一部品を示す。この実施の形態では、ガラス基板１
０の表面に上記ペーストを塗布して形成されたペースト
膜１１に対して、くし歯１２ｂを有するブレード１２の
エッジ１２ａをガラス基板１０表面から所定の高さ浮上
した状態でブレード１２又はガラス基板１０を一定方向
に移動することにより、ガラス基板１０表面にセラミッ
クキャピラリ層２１が形成され、このセラミックキャピ
ラリ層２１上にセラミックキャピラリリブ２３が形成さ
れる（図３）。上記セラミックキャピラリ層２１及びセ
ラミックキャピラリリブ２３は乾燥されてセラミックグ
リーン層及びセラミックグリーンリブになり、更に脱バ
インダのため加熱され、引続いて焼成されることによ
り、図４に示すガラス基板１０上に形成された絶縁層２
２と、この絶縁層２２上に形成されたセラミックリブ２
４となる。

【００２２】なお、セラミックリブは図５に示すよう
に、厚膜印刷法によりガラス基板３０上にセラミックリ
ブ２４を形成してもよい。この方法では、ガラス基板３
０の表面に上記ペーストを厚膜印刷法により所定のパタ
ーンで位置合わせをして重ね塗りした後に乾燥し、ペー
スト膜３１を形成する。この工程を多数回繰返してペー
スト膜３１を所定の高さに形成した後に焼成することに
より、セラミックリブ３４がガラス基板３０上に所定の
間隔をあけて形成される。

【００２３】また、セラミックリブは図６に示すよう
に、サンドブラスト法によりガラス基板３０上にセラミ
ックリブ４４を形成してもよい。この方法では、ガラス
基板３０の表面全体に上記ペーストを厚膜法で塗布し、
乾燥することにより、或いは上記ペーストから作製され
たセラミックグリーンテープを積層することにより、所
定の高さのパターン形成層４１を形成した後、このパタ
ーン形成層４１を感光性フィルム４２で被覆し、更にこ
のフィルム４２上をマスク４３で覆って、露光、現像を
行うことにより所定のパターンのレジスト層４６を形成
する。次にこのレジスト層４６の上方からサンドブラス
ト処理を施してセル４７となる部分を取除くことによ
り、パターン形成層４１がセラミックグリーンリブ４８
となる。更に剥離剤等を用いて上記レジスト層４６を除
去した後に焼成することにより、セラミックリブ４４が
ガラス基板３０上に所定の間隔をあけて形成される。更
に、上記第１及び第２の実施の形態では、本発明の絶縁
体によりＰＤＰ用隔壁及びＰＤＰ用絶縁層を形成した
が、ＰＡＬＣ用隔壁及びＰＡＬＣ用絶縁層を形成しても
よい。

【００２４】

【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モル
％と、ＢａＯを３０モル％と、ＭｇＦ₂を２０モル％と
を含むガラス粉末（ガラス組成物）を７０重量％用意
し、セラミックフィラーとして平均粒径４．３μｍのジ
ルコン粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合し
た。上記ガラス粉末は具体的には、Ｂ₂Ｏ₃としてＨ₃Ｂ
Ｏ₃、ＺｎＯはそのまま、ＢａＯとしてＢａＣＯ₃、Ｍｇ
Ｆ₂はそのままをそれぞれ所定の成分になるように混合
し、大気中で１１００℃にて３０分間溶解して白金皿に
流し出し、固化した後に粉砕して（平均粒径３〜５μ
ｍ）得た。この混合粉末と有機バインダであるエチルセ
ルロースと溶媒であるαテレピネオールとを重量比で５
０／１０／４０の割合で配合し、十分に混練してペース
トを得た。このようにして得られたペーストを実施例１
とした。なお、以下の実施例２〜２９及び比較例１〜８
のガラス粉末も、上記と同様にＢ₂Ｏ₃としてＨ₃ＢＯ₃、
ＺｎＯはそのまま、酸化物であるＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃａ
Ｏ又はＭｇＯとしてＢａＣＯ₃，ＳｒＣＯ₃，ＣａＣＯ₃
又はＭｇＣＯ₃、フッ化物であるＭｇＦ₂，ＣａＦ₂，Ｓ
ｒＦ₂，ＭｇＦ₂又はＡｌＦ₃はそのままをそれぞれ所定
の成分になるように混合し、大気中で１１００℃にて３
０分間溶解して白金皿に流し出し、固化した後に粉砕し
て（平均粒径３〜５μｍ）得た。

【００２５】＜実施例２＞ガラス粉末が実施例１のＭｇ
Ｆ₂に替えてＳｒＦ₂を２０モル％含むことを除いて、実
施例１と同様にしてペーストを形成した。このペースト
を実施例２とした。 ＜実施例３＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＦ₂に替えて
ＣａＦ₂を２０モル％含むことを除いて、実施例１と同
様にしてペーストを形成した。このペーストを実施例３
とした。 ＜実施例４＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＦ₂に替えて
ＡｌＦ₃を２０モル％含むことを除いて、実施例１と同
様にしてペーストを形成した。このペーストを実施例４
とした。 ＜実施例５＞ガラス粉末がＢ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚｎ
Ｏを２０モル％と、ＢａＯを４０モル％と、ＣａＦ₂を
１０モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを形成した。このペーストを実施例５とし
た。

【００２６】＜実施例６＞ガラス粉末がＢ₂Ｏ₃を４５モ
ル％と、ＺｎＯを１５モル％と、ＢａＯを２０モル％
と、ＣａＦ₂を２０モル％とを含むことを除いて、実施
例１と同様にしてペーストを形成した。このペーストを
実施例６とした。 ＜実施例７＞ガラス粉末がＢ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚｎ
Ｏを４５モル％と、ＢａＯを１５モル％と、ＣａＦ₂を
１０モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを形成した。このペーストを実施例７とし
た。 ＜実施例８＞ガラス粉末がＢ₂Ｏ₃を２０モル％と、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＢａＯを１５モル％と、ＣａＦ₂を
３０モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを形成した。このペーストを実施例８とし
た。

【００２７】＜実施例９＞ガラス粉末がＢ₂Ｏ₃を３０モ
ル％と、ＺｎＯを２０モル％と、ＣａＯを３０モル％
と、ＣａＦ₂を２０モル％とを含むことを除いて、実施
例１と同様にしてペーストを形成した。このペーストを
実施例９とした。 ＜実施例１０＞ガラス粉末が実施例９のＣａＯに替えて
ＳｒＯを３０モル％含むことを除いて、実施例９と同様
にしてペーストを形成した。このペーストを実施例１０
とした。 ＜実施例１１＞ガラス粉末が実施例９のＣａＯに替えて
ＭｇＯを３０モル％含むことを除いて、実施例９と同様
にしてペーストを形成した。このペーストを実施例１１
とした。

【００２８】＜実施例１２＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２０モル％と、ＢａＯを１０モル％と、ＳｒＯを
１０モル％と、ＣａＯを１０モル％と、ＣａＦ₂を２０
モル％とを含むガラス粉末を６０重量％用意し、セラミ
ックフィラー粉末として平均粒径３．２μｍのアルミナ
粉末を４０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記
以外は実施例１と同様にしてペーストを形成した。この
ペーストを実施例１２とした。 ＜実施例１３＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モ
ル％と、ＢａＯを５モル％と、ＳｒＯを５モル％と、Ｍ
ｇＯを２０モル％と、ＢａＦ₂を２０モル％とを含むガ
ラス粉末を６０重量％用意したことを除いて、実施例１
２と同様にしてペーストを形成した。このペーストを実
施例１３とした。

【００２９】＜実施例１４＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２０モル％と、ＢａＯを１０モル％と、ＳｒＯを
５モル％と、ＣａＯを１０モル％と、ＭｇＯを１０モル
％と、ＳｒＦ₂を２０モル％とを含むガラス粉末を６０
重量％用意したことを除いて、実施例１２と同様にして
ペーストを形成した。このペーストを実施例１４とし
た。 ＜実施例１５＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モ
ル％と、ＢａＯを１０モル％と、ＣａＯを１０モル％
と、ＭｇＯを１０モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％と、
ＡｌＦ₃を１０モル％とを含むガラス粉末を６０重量％
用意したことを除いて、実施例１２と同様にしてペース
トを形成した。このペーストを実施例１５とした。

【００３０】＜実施例１６＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２０モル％と、ＣａＯを１５モル％と、ＭｇＯを
１５モル％と、ＢａＦ₂を５モル％と、ＣａＦ₂を１０モ
ル％と、ＡｌＦ₃を５モル％とを含むガラス粉末を６０
重量％用意したことを除いて、実施例１２と同様にして
ペーストを形成した。このペーストを実施例１６とし
た。 ＜実施例１７＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モ
ル％と、ＳｒＯを５モル％と、ＣａＯを２０モル％と、
ＭｇＯを５モル％と、ＳｒＦ₂を１０モル％と、ＭｇＦ₂
を１０モル％とを含むガラス粉末を６０重量％用意した
ことを除いて、実施例１２と同様にしてペーストを形成
した。このペーストを実施例１７とした。

【００３１】＜実施例１８＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２０モル％と、ＣａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂
を１０モル％と、ＭｇＦ₂を５モル％と、ＡｌＦ₃を５モ
ル％とを含むガラス粉末を６０重量％用意したことを除
いて、実施例１２と同様にしてペーストを形成した。こ
のペーストを実施例１８とした。 ＜実施例１９＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モ
ル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＢａＦ₂を１０モル％
と、ＭｇＦ₂を５モル％と、ＡｌＦ₃を５モル％とを含む
ガラス粉末を６０重量％用意したことを除いて、実施例
１２と同様にしてペーストを形成した。このペーストを
実施例１５とした。

【００３２】＜実施例２０＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２０モル％と、ＳｒＯを３０モル％と、ＣａＦ₂
を５モル％と、ＳｒＦ₂を５モル％と、ＭｇＦ₂を５モル
％と、ＡｌＦ₃を５モル％とを含むガラス粉末を６０重
量％用意したことを除いて、実施例１２と同様にしてペ
ーストを形成した。このペーストを実施例２０とした。 ＜実施例２１＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、ＺｎＯを２４モ
ル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％
とを含むガラス粉末を５０重量％用意し、セラミックフ
ィラー粉末として平均粒径３．２μｍのアルミナ粉末を
５０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は
実施例１と同様にしてペーストを形成した。このペース
トを実施例２１とした。

【００３３】＜実施例２２＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、Ｚ
ｎＯを２４モル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂
を１０モル％とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、
セラミックフィラー粉末として平均粒径４．３μｍのジ
ルコン粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合し
た。上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成し
た。このペーストを実施例２２とした。 ＜実施例２３＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、ＺｎＯを２４モ
ル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％
とを含むガラス粉末を８０重量％用意し、セラミックフ
ィラー粉末として平均粒径２．０μｍのシリカ粉末を２
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを形成した。このペースト
を実施例２３とした。

【００３４】＜実施例２４＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、Ｚ
ｎＯを２４モル％と、ＢａＯを２０モル％と、ＣａＦ₂
を２０モル％とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、
セラミックフィラー粉末として平均粒径４．３μｍのム
ライト粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合し
た。上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成し
た。このペーストを実施例２４とした。 ＜実施例２５＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、ＺｎＯを２４モ
ル％と、ＢａＯを２０モル％と、ＣａＦ₂を２０モル％
とを含むガラス粉末を８０重量％用意し、セラミックフ
ィラー粉末として平均粒径２．６μｍのβユークリプタ
イト粉末を２０重量％用意し、両者を十分に混合した。
上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成した。
このペーストを実施例２５とした。

【００３５】＜実施例２６＞Ｂ₂Ｏ₃を３６モル％と、Ｚ
ｎＯを２４モル％と、ＢａＯを２０モル％と、ＣａＦ₂
を２０モル％とを含むガラス粉末を８０重量％用意し、
セラミックフィラー粉末として平均粒径４．９μｍのコ
ージェライト粉末を２０重量％用意し、両者を十分に混
合した。上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形
成した。このペーストを実施例２６とした。 ＜実施例２７＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２５モ
ル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂を３０モル％
とを含むガラス粉末を７５重量％用意し、セラミックフ
ィラー粉末として平均粒径２．９μｍのフォルステライ
ト粉末を２５重量％用意し、両者を十分に混合した。上
記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成した。こ
のペーストを実施例２７とした。

【００３６】＜実施例２８＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、Ｚ
ｎＯを２５モル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂
を３０モル％とを含むガラス粉末を６０重量％用意し、
セラミックフィラー粉末として平均粒径４．３μｍのジ
ルコン粉末を４０重量％用意し、両者を十分に混合し
た。上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成し
た。このペーストを実施例２８とした。 ＜実施例２９＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２５モ
ル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂を３０モル％
とを含むガラス粉末を３０重量％用意し、セラミックフ
ィラー粉末として平均粒径３．２μｍのアルミナ粉末を
７０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は
実施例１と同様にしてペーストを形成した。このペース
トを実施例２９とした。

【００３７】＜比較例１＞Ｂ₂Ｏ₃を２０モル％と、Ｚｎ
Ｏを２０モル％と、ＢａＯを４５モル％と、ＣａＦ₂を
１５モル％とを含むガラス粉末を用意した。またセラミ
ックフィラー粉末は用いなかった。上記以外は実施例１
と同様にしてペーストを形成した。このペーストを比較
例１とした。 ＜比較例２＞Ｂ₂Ｏ₃を３５モル％と、ＺｎＯを４５モル
％と、ＢａＯを１０モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％と
を含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラミックフィ
ラー粉末として平均粒径４．３μｍのジルコン粉末を３
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを形成した。このペースト
を比較例２とした。

【００３８】＜比較例３＞Ｂ₂Ｏ₃を４０モル％と、Ｚｎ
Ｏを１０モル％と、ＢａＯを３０モル％と、ＣａＦ₂を
２０モル％とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、セ
ラミックフィラー粉末として平均粒径４．３μｍのジル
コン粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合した。
上記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成した。
このペーストを比較例３とした。 ＜比較例４＞Ｂ₂Ｏ₃を２５モル％と、ＺｎＯを５０モル
％と、ＢａＯを３５モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％と
を含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラミックフィ
ラー粉末として平均粒径４．３μｍのジルコン粉末を３
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを形成した。このペースト
を比較例４とした。

【００３９】＜比較例５＞Ｂ₂Ｏ₃を１５モル％と、Ｚｎ
Ｏを２５モル％と、ＢａＯを４０モル％と、ＣａＦ₂を
２０モル％とを含むガラス粉末を用意した。またセラミ
ックフィラー粉末は用いなかった。上記以外は実施例１
と同様にしてペーストを形成した。このペーストを比較
例５とした。 ＜比較例６＞Ｂ₂Ｏ₃を５０モル％と、ＺｎＯを２５モル
％と、ＢａＯを１５モル％と、ＣａＦ₂を１０モル％と
を含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラミックフィ
ラー粉末として平均粒径４．３μｍのジルコン粉末を３
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを形成した。このペースト
を比較例６とした。

【００４０】＜比較例７＞Ｂ₂Ｏ₃を４５モル％と、Ｚｎ
Ｏを２５モル％と、ＢａＯを２２モル％と、ＣａＦ₂を
８モル％とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラ
ミックフィラー粉末として平均粒径４．３μｍのジルコ
ン粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合した。上
記以外は実施例１と同様にしてペーストを形成した。こ
のペーストを比較例７とした。 ＜比較例８＞Ｂ₂Ｏ₃を２５モル％と、ＺｎＯを２５モル
％と、ＢａＯを１６モル％と、ＣａＦ₂を３４モル％と
を含むガラス粉末を用意した。またセラミックフィラー
粉末は用いなかった。上記以外は実施例１と同様にして
ペーストを形成した。このペーストを比較例８とした。

【００４１】＜比較試験及び評価＞実施例１〜２９及び
比較例１〜８のペーストを縦×横がそれぞれ２５ｍｍ×
２５ｍｍのパターンにガラス基板上に印刷し、１５０℃
で１０分間乾燥後、種々の焼成温度で焼成し、ガラス基
板との密着性が良好で最も低い焼成温度をそのガラス組
成物及びセラミックフィラー（ガラス／セラミック）の
ペーストの焼成温度とした。また反射率はガラス基板上
にて焼成されたガラス／セラミック膜の可視光（３８０
〜８００ｎｍ）の反射率を測定した。更に５ｍｍ×５ｍ
ｍ×２０ｍｍのキャビティに上記ペーストを流し込み、
上記焼成温度にて焼成し、焼成後に形成されたガラス板
の熱膨張係数を測定した。これらの結果を表１〜表３に
示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【表２】

【００４４】

【表３】

【００４５】表１〜表３から明らかなように、実施例１
〜２９では、焼成温度が６００℃未満と低かったのに対
し、比較例２〜４、比較例６及び７では、焼成温度が６
００℃以上と高く、比較例１、５及び８では、所定のガ
ラス成分にてガラス化ができなかった。また実施例１〜
２９では、熱膨張係数が（６５〜８８）×１０^-7／℃で
あったのに対し、比較例２〜４、比較例６及び７では、
熱膨張係数が（７７〜８３）×１０^-7／℃であった。実
施例１〜２９の熱膨張係数はＰＤＰのガラス基板（ソー
ダ石灰ガラス）の熱膨張係数（８５×１０^-7／℃）と概
略同一であった。更に比較例２〜４、比較例６及び７で
は、反射率が７２〜７８％であったのに対し、実施例１
〜２９では、反射率が７１〜９０％であり、比較例と変
わらないものもあったが、その殆どが７８％以上の反射
率を示した。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ラス組成物のガラス成分として、Ｂ₂Ｏ₃２０〜４５モル
％と、ＺｎＯ１５〜４５モル％と、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｃ
ａＯ及びＭｇＯからなる群より選ばれた１種又は２種以
上の酸化物１５〜４０モル％と、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、Ｓ
ｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃からなる群より選ばれた１
種又は２種以上のフッ化物１０〜３０モル％とを含むの
で、軟化点が低くなって、焼成温度も低くなる。また上
記ガラス成分に密度の大きいＰｂ成分を含まないため、
重量を軽減でき、環境を汚染せず、使用中における放電
特性の低下もない。

【００４７】また上記ガラス組成物と、ジルコン、アル
ミナ、シリカ、ムライト、βユークリプタイト、コーデ
ィエライト、βスポデューメン及びフォルステライトか
らなる群より選ばれた１種又は２種以上のセラミックフ
ィラーを含む混合体を焼成して絶縁体を形成すれば、ガ
ラスの軟化点が低いので、焼成温度が低い絶縁体を得る
ことができる。またガラス成分にＶ₂Ｏ₅を含まないた
め、白色の反射率の高い絶縁体を得ることができる。

【００４８】また上記絶縁体をＦＰＤ用隔壁又はＦＰＤ
用絶縁層に適用すれば、上記ガラス組成物の焼成温度が
ガラス基板の軟化点より１００℃以上低くなり、上記隔
壁又は絶縁層の熱膨張係数がガラス基板の熱膨張係数と
概略同一になるので、ガラス基板に反り等が生じること
はない。また上記隔壁又は絶縁層の比誘電率が４〜７程
度と比較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線に漏
洩することはなく、画像にクロストークが発生しない。
更にガラス成分へのセラミックフィラー成分の添加量は
比較的少量で済むので、焼成後の強度が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態のセラミックキャピラリ
リブの形成状態を示す斜視図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面におけるセラミックキャピ
ラリリブを乾燥、加熱及び焼成することにより得たセラ
ミックリブを示す断面図。

【図３】本発明の第２実施形態のセラミックキャピラリ
層付リブの形成状態を示す図１に対応する斜視図。

【図４】図３のＢ−Ｂ線断面におけるセラミックキャピ
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付セラミックリブを示す図２に対応する断面図。

【図５】本発明の第３実施形態のセラミックリブの形成
を工程順に示す断面図。

【図６】本発明の第４実施形態のセラミックリブの形成
を工程順に示す断面図。

【符号の説明】

１０，３０ ガラス基板 １４，２４，３４，４４ セラミックリブ（隔壁） ２２ 絶縁層

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年１２月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項４】 請求項２記載の絶縁体又は請求項３記載
のペーストにより形成されたＦＰＤ用隔壁。

【請求項５】 請求項２記載の絶縁体又は請求項３記載
のペーストにより形成されたＦＰＤ用絶縁層。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】請求項３に係る発明は、請求項２記載のガ
ラス組成物及びセラミックフィラーに有機バインダと溶
媒とを混合して調製された絶縁体用ペーストである。請
求項４に係る発明は、請求項２記載の絶縁体又は請求項
３記載のペーストにより形成されたＦＰＤ用隔壁であ
る。請求項５に係る発明は、請求項２記載の絶縁体又は
請求項３記載のペーストにより形成されたＦＰＤ用絶縁
層である。この請求項４に記載されたＦＰＤ用隔壁又は
請求項５に記載されたＦＰＤ用絶縁層では、上記ガラス
組成物とセラミックフィラーとの混合体に有機バインダ
を含むセラミックグリーンリブ又はセラミックグリーン
シートを焼成することにより、上記リブ又はシートが隔
壁又は絶縁層になる。或いはガラス組成物、セラミック
フィラー及び有機バインダに有機溶媒を加えて、ペース
ト化しスクリーン印刷法などでセラミックキャピラリリ
ブ又はセラミックキャピラリ層を乾燥、焼成することに
より、上記セラミックキャピラリリブ又はセラミックキ
ャピラリ層が隔壁又は絶縁層になる。このときの焼成温
度はガラス基板の軟化点より１００℃以上低いため、ガ
ラス基板に反り等は生じない。また上記隔壁又は絶縁層
の熱膨張係数はガラス基板の熱膨張係数と概略同一にな
るため、ガラス基板の反りを更に抑制できる。上記記隔
壁又は絶縁層の比誘電率が４〜７程度と比較的小さくな
るので、電気信号が近隣の配線に漏洩することはなく、
画像にクロストークが発生しない。更にガラス成分への
セラミックフィラー成分の添加量は比較的少量で済むの
で、焼成後の強度及び放電特性が低下することもない。
なお、上記セラミックキャピラリとは、ガラス組成物と
セラミックフィラーと有機バインダと溶媒とを含むペー
ストを塗布した後の大部分の有機バインダ及び溶媒が残
存している状態をいう。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４８】また上記絶縁体と有機バインダと溶媒とを
混合して調製されたペーストによりＦＰＤ用隔壁又はＦ
ＰＤ用絶縁層を形成したり、或いは上記絶縁体をＦＰＤ
用隔壁又はＦＰＤ用絶縁層に適用すれば、上記ガラス組
成物の焼成温度がガラス基板の軟化点より１００℃以上
低くなり、上記隔壁又は絶縁層の熱膨張係数がガラス基
板の熱膨張係数と概略同一になるので、ガラス基板に反
り等が生じることはない。また上記隔壁又は絶縁層の比
誘電率が４〜７程度と比較的小さくなるので、電気信号
が近隣の配線に漏洩することはなく、画像にクロストー
クが発生しない。更にガラス成分へのセラミックフィラ
ー成分の添加量は比較的少量で済むので、焼成後の強度
が高い。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス成分として、Ｂ₂Ｏ₃２０〜４５モ
   ル％と、ＺｎＯ１５〜４５モル％と、ＢａＯ、ＳｒＯ、
   ＣａＯ及びＭｇＯからなる群より選ばれた１種又は２種
   以上の酸化物１５〜４０モル％と、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、
   ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及びＡｌＦ₃からなる群より選ばれた
   １種又は２種以上のフッ化物１０〜３０モル％とを含む
   ガラス組成物。
2. 【請求項２】 Ｂ₂Ｏ₃２０〜４５モル％と、ＺｎＯ１５
   〜４５モル％と、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯか
   らなる群より選ばれた１種又は２種以上の酸化物１５〜
   ４０モル％と、ＢａＦ₂、ＣａＦ₂、ＳｒＦ₂、ＭｇＦ₂及
   びＡｌＦ₃からなる群より選ばれた１種又は２種以上の
   フッ化物１０〜３０モル％とを含むガラス組成物と；ジ
   ルコン、アルミナ、シリカ、ムライト、βユークリプタ
   イト、コーディエライト、βスポデューメン及びフォル
   ステライトからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
   セラミックフィラーとを含む混合体を焼成してなる絶縁
   体。
3. 【請求項３】 請求項２記載の絶縁体により形成された
   ＦＰＤ用隔壁。
4. 【請求項４】 請求項２記載の絶縁体により形成された
   ＦＰＤ用絶縁層。