JPH11229178A - 金属被覆部材 - Google Patents
金属被覆部材Info
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- JPH11229178A JPH11229178A JP10028299A JP2829998A JPH11229178A JP H11229178 A JPH11229178 A JP H11229178A JP 10028299 A JP10028299 A JP 10028299A JP 2829998 A JP2829998 A JP 2829998A JP H11229178 A JPH11229178 A JP H11229178A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 長時間の加熱処理を受けたときでも酸化変色
が抑制され、かつはんだ付け性の低下が起こりづらい金
属被覆材を提供する。 【解決手段】 導電性基体１の一部表面または全表面に
少なくとも１層のＡｇまたはＡｇ合金から成る中間層２
が形成され、中間層２の表面に少なくとも１層のＳｎま
たはＳｎ合金から成る表面層３が形成されている金属被
覆部材Ａ１において、前記表面層３の少なくとも最表層
部３Ａは、Ｂｉまたは／およびＩｎを含有するＳｎ合金
で形成されている。
が抑制され、かつはんだ付け性の低下が起こりづらい金
属被覆材を提供する。 【解決手段】 導電性基体１の一部表面または全表面に
少なくとも１層のＡｇまたはＡｇ合金から成る中間層２
が形成され、中間層２の表面に少なくとも１層のＳｎま
たはＳｎ合金から成る表面層３が形成されている金属被
覆部材Ａ１において、前記表面層３の少なくとも最表層
部３Ａは、Ｂｉまたは／およびＩｎを含有するＳｎ合金
で形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属被覆材に関し、
更に詳しくは、長時間の加熱時においても酸化変色を起
こしづらく、またはんだ付け性も優れていて、各種の電
気・電子部品や機器用材料として有用な金属被覆材に関
する。
更に詳しくは、長時間の加熱時においても酸化変色を起
こしづらく、またはんだ付け性も優れていて、各種の電
気・電子部品や機器用材料として有用な金属被覆材に関
する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｕ，Ｆｅまたはそれらの合金を基体と
し、その表面にＳｎまたははんだに代表されるＳｎ合金
から成る被覆層を形成した材料は、基体が備えている優
れた導電性や機械的強度と被覆層が備えている優れたは
んだ付け性や耐食性を併有しているので、コネクタ，端
子などの接点材料、リードフレーム，リード線などの部
品リード部、基板回路や配線ケーブル導体などの電子・
電気部品の材料として多用されている。
し、その表面にＳｎまたははんだに代表されるＳｎ合金
から成る被覆層を形成した材料は、基体が備えている優
れた導電性や機械的強度と被覆層が備えている優れたは
んだ付け性や耐食性を併有しているので、コネクタ，端
子などの接点材料、リードフレーム，リード線などの部
品リード部、基板回路や配線ケーブル導体などの電子・
電気部品の材料として多用されている。
【０００３】これらの材料は、基体の表面に、直接、Ｓ
ｎまたはＳｎ合金の電気めっきや溶融めっきを行った
り、またＳｎまたはＳｎ合金の箔をクラッディングして
製造されているのが通例である。そのとき、表面の被覆
層と基体の表面の間にＣｕやＮｉを下地層として介装す
ることもある。ところで、これらの材料が電子・電機部
品に使用される場合、外部からの加熱や使用時における
自己発熱などにより、当該材料の温度は、一般に、１０
０℃程度にまで上昇する。そして、最近では、部品の高
集積化が進んでいるので自己発熱が増大し、また他の発
熱源との近接化、更には良好な熱放散の困難化などの要
因に基づいて、当該材料は１２０℃以上の温度に加熱さ
れる場合が多くなっている。
ｎまたはＳｎ合金の電気めっきや溶融めっきを行った
り、またＳｎまたはＳｎ合金の箔をクラッディングして
製造されているのが通例である。そのとき、表面の被覆
層と基体の表面の間にＣｕやＮｉを下地層として介装す
ることもある。ところで、これらの材料が電子・電機部
品に使用される場合、外部からの加熱や使用時における
自己発熱などにより、当該材料の温度は、一般に、１０
０℃程度にまで上昇する。そして、最近では、部品の高
集積化が進んでいるので自己発熱が増大し、また他の発
熱源との近接化、更には良好な熱放散の困難化などの要
因に基づいて、当該材料は１２０℃以上の温度に加熱さ
れる場合が多くなっている。
【０００４】しかしながら、使用温度が１２０℃以上に
なると、ＳｎまたはＳｎ合金の被覆層の下に存在するＣ
ｕなどが熱拡散し、これが前記被覆層の表面に到達して
酸化することによるはんだ付け性の低下や、また最上層
を構成するＳｎまたはＳｎ合金、更にはそこに盛られて
いるはんだなどが熱拡散して全体が合金化することによ
り外観不良を招くなどの外に、例えば接触抵抗の増大な
ど、材料特性の劣化が引き起こされる。
なると、ＳｎまたはＳｎ合金の被覆層の下に存在するＣ
ｕなどが熱拡散し、これが前記被覆層の表面に到達して
酸化することによるはんだ付け性の低下や、また最上層
を構成するＳｎまたはＳｎ合金、更にはそこに盛られて
いるはんだなどが熱拡散して全体が合金化することによ
り外観不良を招くなどの外に、例えば接触抵抗の増大な
ど、材料特性の劣化が引き起こされる。
【０００５】また、Ｎｉを下地層とした材料の場合に
は、使用温度が１２０℃以上になると、被覆層とＮｉ層
の間でＳｎ−Ｎｉの拡散層が生成して接触抵抗の増大を
招く。このような問題を解決するために、ＳｎまたはＳ
ｎ合金の被覆層の下にＡｇまたはＡｇ合金から成る中間
層を介在せしめた材料が開発されている（特開平２−３
０１５４６号公報，特開平２−３０１５７３号公報を参
照）。
は、使用温度が１２０℃以上になると、被覆層とＮｉ層
の間でＳｎ−Ｎｉの拡散層が生成して接触抵抗の増大を
招く。このような問題を解決するために、ＳｎまたはＳ
ｎ合金の被覆層の下にＡｇまたはＡｇ合金から成る中間
層を介在せしめた材料が開発されている（特開平２−３
０１５４６号公報，特開平２−３０１５７３号公報を参
照）。
【０００６】しかしながら、これらの材料の場合であっ
ても、表面層がＳｎや通常のはんだで構成されている場
合、上記した温度で長時間の加熱状態に曝されるとやは
り酸化変色を起こし、はんだ付け性の低下などの問題が
起こることもある。
ても、表面層がＳｎや通常のはんだで構成されている場
合、上記した温度で長時間の加熱状態に曝されるとやは
り酸化変色を起こし、はんだ付け性の低下などの問題が
起こることもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、表面層がＳ
ｎまたはＳｎ合金で構成されている従来の材料における
上記した問題を解決し、１２０℃以上の温度で長時間加
熱された場合であっても、酸化変色の発生が抑制され、
またはんだ付け性の低下も起こしにくい金属被覆材の提
供を目的とする。
ｎまたはＳｎ合金で構成されている従来の材料における
上記した問題を解決し、１２０℃以上の温度で長時間加
熱された場合であっても、酸化変色の発生が抑制され、
またはんだ付け性の低下も起こしにくい金属被覆材の提
供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、導電性基体の一部表面また
は全表面に少なくとも１層のＡｇまたはＡｇ合金から成
る中間層が形成され、前記中間層の表面に少なくとも１
層のＳｎまたはＳｎ合金から成る表面層が形成されてい
る金属被覆部材において、前記表面層の少なくとも最表
層部は、Ｂｉまたは／およびＩｎを含有するＳｎ合金で
形成されていることを特徴とする金属被覆材が提供され
る。
ために、本発明においては、導電性基体の一部表面また
は全表面に少なくとも１層のＡｇまたはＡｇ合金から成
る中間層が形成され、前記中間層の表面に少なくとも１
層のＳｎまたはＳｎ合金から成る表面層が形成されてい
る金属被覆部材において、前記表面層の少なくとも最表
層部は、Ｂｉまたは／およびＩｎを含有するＳｎ合金で
形成されていることを特徴とする金属被覆材が提供され
る。
【０００９】とくに、前記導電性基体と前記中間層の間
には、Ｎｉ，Ｃｏ，またはそれらの合金から成る下地層
が介装されている金属被覆材や、前記中間層および前記
表面層の一部または全部を溶融・再凝固させた金属被覆
材が提供される。
には、Ｎｉ，Ｃｏ，またはそれらの合金から成る下地層
が介装されている金属被覆材や、前記中間層および前記
表面層の一部または全部を溶融・再凝固させた金属被覆
材が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の金
属被覆材を詳細に説明する。まず、図１は本発明の金属
被覆材の基本構成を示す断面図である。この材料Ａ１
は、導電性基体１の表面を被覆して後述する中間層２が
形成され、更にこの中間層２を被覆して後述する表面層
３が形成された層構造になっている。
属被覆材を詳細に説明する。まず、図１は本発明の金属
被覆材の基本構成を示す断面図である。この材料Ａ１
は、導電性基体１の表面を被覆して後述する中間層２が
形成され、更にこの中間層２を被覆して後述する表面層
３が形成された層構造になっている。
【００１１】導電性基体１としては、はんだの溶融温度
よりも高い耐熱温度を有し、また少なくともその表面が
導電性を有する材料であれば何であってもよく、例え
ば、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ａｌ，およびこれらの合金，導
電性樹脂，プリント基板などの材料をあげることができ
る。また、鋼材などで芯部を形成し、その表面をＣｕ，
Ｎｉ，Ｃｒなどで被覆した材料であってもよい。また、
形状も線，条などどのような形状であってもよい。
よりも高い耐熱温度を有し、また少なくともその表面が
導電性を有する材料であれば何であってもよく、例え
ば、Ｃｕ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ａｌ，およびこれらの合金，導
電性樹脂，プリント基板などの材料をあげることができ
る。また、鋼材などで芯部を形成し、その表面をＣｕ，
Ｎｉ，Ｃｒなどで被覆した材料であってもよい。また、
形状も線，条などどのような形状であってもよい。
【００１２】中間層２はＡｇまたはＡｇ合金で構成され
ていて、基体１の表面を構成する金属や後述する下地層
の構成金属が表面層３へ熱拡散して酸化変色やはんだ付
け性の低下が引き起こされるという事態を防止するため
のバリアとして機能する。この中間層２は、１層であっ
てもよいが、Ａｇ単体から成る層やＡｇ合金から成る層
を適宜に組み合わせた複数の層を積層した層構造にする
と、上記したバリア効果が向上して有効である。
ていて、基体１の表面を構成する金属や後述する下地層
の構成金属が表面層３へ熱拡散して酸化変色やはんだ付
け性の低下が引き起こされるという事態を防止するため
のバリアとして機能する。この中間層２は、１層であっ
てもよいが、Ａｇ単体から成る層やＡｇ合金から成る層
を適宜に組み合わせた複数の層を積層した層構造にする
と、上記したバリア効果が向上して有効である。
【００１３】この中間層２の厚みが薄すぎると上記した
バリア効果は減退し、また逆に厚すぎると、高価なＡｇ
素材の浪量になるだけではなく、クラックが発生した
り、基体１との剥離なども起こり、また材料全体の加工
性の低下を招くようにもなるので、中間層２の厚みは0.
０５〜１０μｍ程度に設定することが好ましい。この中
間層２は、電気めっき，無電解めっき，真空蒸着，ＰＶ
Ｄ法，ＣＶＤ法など公知の成膜法で形成することがで
き、またクラッディング法によって形成してもよく、基
体１の表面全体にまたは一部表面に形成してもよい。
バリア効果は減退し、また逆に厚すぎると、高価なＡｇ
素材の浪量になるだけではなく、クラックが発生した
り、基体１との剥離なども起こり、また材料全体の加工
性の低下を招くようにもなるので、中間層２の厚みは0.
０５〜１０μｍ程度に設定することが好ましい。この中
間層２は、電気めっき，無電解めっき，真空蒸着，ＰＶ
Ｄ法，ＣＶＤ法など公知の成膜法で形成することがで
き、またクラッディング法によって形成してもよく、基
体１の表面全体にまたは一部表面に形成してもよい。
【００１４】この中間層２を構成するＡｇ合金として
は、例えば、Ａｇ，Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｓｅ，Ａｇ−Ｓｂ
などをあげることができるが、これらのうち、Ａｇ，Ａ
ｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎは、表面のＳｎへ拡散した場合で
も、元々含有されている成分であるため、特性の変化が
少なくなるという点で好適である。
は、例えば、Ａｇ，Ａｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｃ
ｕ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｓｅ，Ａｇ−Ｓｂ
などをあげることができるが、これらのうち、Ａｇ，Ａ
ｇ−Ｓｎ，Ａｇ−Ｉｎは、表面のＳｎへ拡散した場合で
も、元々含有されている成分であるため、特性の変化が
少なくなるという点で好適である。
【００１５】次にこの中間層２を被覆して形成される表
面層３は、ＳｎまたはＳｎ合金で構成されている。この
層は、他の部品を例えばはんだ付けするときの作用面と
して機能するため、はんだ付け性が優れていることは勿
論のこと、長時間の加熱時にも酸化変色をしないことが
望まれている。この表面層３は、１層であってもよく、
またＳｎ単体から成る層やＳｎ合金から成る層を適宜に
組み合わせた複数の層を積層した層構造であってもよ
い。その場合、表面層３の最表層部３Ａは、Ｓｎ−Ｂｉ
合金，Ｓｎ−Ｉｎ合金，またはＳｎ−Ｂｉ−Ｉｎ合金の
いずれかで構成されていることが必要である。
面層３は、ＳｎまたはＳｎ合金で構成されている。この
層は、他の部品を例えばはんだ付けするときの作用面と
して機能するため、はんだ付け性が優れていることは勿
論のこと、長時間の加熱時にも酸化変色をしないことが
望まれている。この表面層３は、１層であってもよく、
またＳｎ単体から成る層やＳｎ合金から成る層を適宜に
組み合わせた複数の層を積層した層構造であってもよ
い。その場合、表面層３の最表層部３Ａは、Ｓｎ−Ｂｉ
合金，Ｓｎ−Ｉｎ合金，またはＳｎ−Ｂｉ−Ｉｎ合金の
いずれかで構成されていることが必要である。
【００１６】これらの合金は、いずれも、Ｓｎ単体や通
常のはんだに比べて加熱時の酸化変色を起こしづらい材
料であり、また、中間層２を構成するＡｇまたはＡｇ合
金よりも溶融温度が低いことは勿論のこと、この最表層
部３Ａの直下に位置する層がＳｎ単体から成る場合であ
っても、そのＳｎ単体よりも低融点であるため、はんだ
付け性が良好であり、しかも長時間の加熱後においても
酸化変色を起こさず良好なはんだ付け性を発揮するから
である。
常のはんだに比べて加熱時の酸化変色を起こしづらい材
料であり、また、中間層２を構成するＡｇまたはＡｇ合
金よりも溶融温度が低いことは勿論のこと、この最表層
部３Ａの直下に位置する層がＳｎ単体から成る場合であ
っても、そのＳｎ単体よりも低融点であるため、はんだ
付け性が良好であり、しかも長時間の加熱後においても
酸化変色を起こさず良好なはんだ付け性を発揮するから
である。
【００１７】なお、最表層部３ＡをＳｎ−Ｂｉ合金で構
成する場合、Ｂｉ含有量が多すぎるとはんだによる接合
後に当該接合部の強度特性が経時的に劣化したり、また
例えばＡｌ線の溶接時にブローホールが発生しやすくな
るので、その含有量はリフロー後で１０重量％以下に規
制することが好ましい。Ｓｎ−Ｉｎ合金の場合には、Ｉ
ｎは高価であることを考え、また例えばＡｌ線との溶接
時におけるブローホールの発生を抑制するためには、そ
の含有量はリフロー後で８重量％以下に規制することが
好ましい。
成する場合、Ｂｉ含有量が多すぎるとはんだによる接合
後に当該接合部の強度特性が経時的に劣化したり、また
例えばＡｌ線の溶接時にブローホールが発生しやすくな
るので、その含有量はリフロー後で１０重量％以下に規
制することが好ましい。Ｓｎ−Ｉｎ合金の場合には、Ｉ
ｎは高価であることを考え、また例えばＡｌ線との溶接
時におけるブローホールの発生を抑制するためには、そ
の含有量はリフロー後で８重量％以下に規制することが
好ましい。
【００１８】この表面層３の厚みは、後述するリフロー
処理による表面層形成との関係で0.０５〜２０μｍに設
定することが好ましい。表面層３の厚みが0.０５μｍよ
りも薄い場合は、リフロー処理時に表面層３の構成金属
が下層の方に熱拡散して当該表面層３は消失し、その結
果、前記した表面層３の作用効果が発揮されなくなるか
らである。また２０μｍよりも厚くなると、リフロー処
理時に表面層３の溶融金属が流れ出し、リフロー処理後
の表面が平滑にならないことがあるからである。
処理による表面層形成との関係で0.０５〜２０μｍに設
定することが好ましい。表面層３の厚みが0.０５μｍよ
りも薄い場合は、リフロー処理時に表面層３の構成金属
が下層の方に熱拡散して当該表面層３は消失し、その結
果、前記した表面層３の作用効果が発揮されなくなるか
らである。また２０μｍよりも厚くなると、リフロー処
理時に表面層３の溶融金属が流れ出し、リフロー処理後
の表面が平滑にならないことがあるからである。
【００１９】この表面層３も、中間層２の場合と同じよ
うに、各種の成膜法で容易に形成することができる。図
２は、本発明の別の金属被覆材Ａ２を示す断面図であ
る。この材料Ａ２は、導電性基体１と中間層２の間に下
地層４が介装された層構造のものである。この下地層４
は、基体１から熱拡散してくるＣｕなどの金属が中間層
２へ達し、更に表面層３へ達することを抑制するための
バリアとして機能し、材料Ａ１よりも表面層３の酸化変
色を起こしづらく、またはんだ付け性も向上した材料で
ある。
うに、各種の成膜法で容易に形成することができる。図
２は、本発明の別の金属被覆材Ａ２を示す断面図であ
る。この材料Ａ２は、導電性基体１と中間層２の間に下
地層４が介装された層構造のものである。この下地層４
は、基体１から熱拡散してくるＣｕなどの金属が中間層
２へ達し、更に表面層３へ達することを抑制するための
バリアとして機能し、材料Ａ１よりも表面層３の酸化変
色を起こしづらく、またはんだ付け性も向上した材料で
ある。
【００２０】この下地層４は、Ｎｉ，Ｃｏ，またはそれ
らの合金で構成されていることが好ましく、また厚み
は、バリア効果の点や、製造コストや加工性の点から0.
１〜２μｍ程度であることが好ましい。本発明の金属被
覆材の場合、前記した各種の成膜法を適用して製造した
ままの材料であってもよいが、更にそれに対してリフロ
ー処理を施して表層部３を一旦溶融したのち再凝固させ
たものであることが好ましい。
らの合金で構成されていることが好ましく、また厚み
は、バリア効果の点や、製造コストや加工性の点から0.
１〜２μｍ程度であることが好ましい。本発明の金属被
覆材の場合、前記した各種の成膜法を適用して製造した
ままの材料であってもよいが、更にそれに対してリフロ
ー処理を施して表層部３を一旦溶融したのち再凝固させ
たものであることが好ましい。
【００２１】その理由は、再凝固後に形成された表面層
は平滑になってはんだ付け作業が行いやすく、また、Ｂ
ｉとＩｎの濃度が低いときに発生し得るウィスカーを防
ぎ、表面層が薄い場合にリフロー処理によって拡散して
くる中間層のＡｇが更にはんだ付け性を高めるように作
用するからである。このようなリフロー処理を行うに際
しては、前記したように、表面層３の厚みは0.０５〜２
０μｍに設定される。
は平滑になってはんだ付け作業が行いやすく、また、Ｂ
ｉとＩｎの濃度が低いときに発生し得るウィスカーを防
ぎ、表面層が薄い場合にリフロー処理によって拡散して
くる中間層のＡｇが更にはんだ付け性を高めるように作
用するからである。このようなリフロー処理を行うに際
しては、前記したように、表面層３の厚みは0.０５〜２
０μｍに設定される。
【００２２】
【実施例】実施例１，２ Ａｌキルド鋼から成る鋼条材の表面に前処理を施したの
ち下記の条件でＣｕめっきを行って導電性基体１を製造
した。 めっき浴の組成：硫酸銅五水和物２５０g/L，硫酸６０g
/L。
ち下記の条件でＣｕめっきを行って導電性基体１を製造
した。 めっき浴の組成：硫酸銅五水和物２５０g/L，硫酸６０g
/L。
【００２３】めっき条件：浴温５０℃，電流密度９A/dm
2，めっき時間３０秒。 鋼条材の表面が厚み１μｍのＣｕめっき層で被覆されて
いる導電性基体１が得られた。次いで、この導電性基体
１の表面に下記の条件でＡｇめっきを行って中間層２を
形成した。
2，めっき時間３０秒。 鋼条材の表面が厚み１μｍのＣｕめっき層で被覆されて
いる導電性基体１が得られた。次いで、この導電性基体
１の表面に下記の条件でＡｇめっきを行って中間層２を
形成した。
【００２４】めっき浴の組成：シアン化銀カリウム６g/
L，シアン化カリウム８０g/L。 めっき条件：浴温２５℃，電流密度２A/dm2，めっき時
間３０秒。 導電性基体の表面は厚み0.６μｍのＡｇめっき層（中間
層２）で被覆された。ついで、このＡｇめっき層の表面
に下記の条件でＳｎ−Ｂｉ合金めっきを行った。
L，シアン化カリウム８０g/L。 めっき条件：浴温２５℃，電流密度２A/dm2，めっき時
間３０秒。 導電性基体の表面は厚み0.６μｍのＡｇめっき層（中間
層２）で被覆された。ついで、このＡｇめっき層の表面
に下記の条件でＳｎ−Ｂｉ合金めっきを行った。
【００２５】めっき浴の組成：ＰＦ−ＴＩＮ４５０g/
L，ＰＦ−ＢＩ５０g/L，ＰＦ−ＡＣＩＤ１５０g/L，Ｐ
Ｆ−0.５Ｍ３０mL/L。（いずれも、石原薬品（株）製の
めっき浴） めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２５秒。 Ａｇめっき層の上には、厚み２μｍのＳｎ−Ｂｉ合金め
っき層が形成され、図１で示した層構造の材料Ａ１が得
られた。
L，ＰＦ−ＢＩ５０g/L，ＰＦ−ＡＣＩＤ１５０g/L，Ｐ
Ｆ−0.５Ｍ３０mL/L。（いずれも、石原薬品（株）製の
めっき浴） めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２５秒。 Ａｇめっき層の上には、厚み２μｍのＳｎ−Ｂｉ合金め
っき層が形成され、図１で示した層構造の材料Ａ１が得
られた。
【００２６】この材料を実施例１とする。また、この材
料Ａ１に対し、雰囲気温度６５０℃，処理時間３秒のリ
フロー処理を施した。得られた材料を実施例２とする。 実施例３，４ 実施例１の場合と同様にしてＡｇめっき層（中間層２）
までを形成した。ついで、このＡｇめっき層の上に、下
記の条件でＳｎめっきを行った。
料Ａ１に対し、雰囲気温度６５０℃，処理時間３秒のリ
フロー処理を施した。得られた材料を実施例２とする。 実施例３，４ 実施例１の場合と同様にしてＡｇめっき層（中間層２）
までを形成した。ついで、このＡｇめっき層の上に、下
記の条件でＳｎめっきを行った。
【００２７】めっき浴の組成：ＰＦ−ＴＩＮ４５０g/
L，ＰＦ−ＡＣＩＤ１５０g/L，ＰＦ−0.５Ｍ３０mL/L。 めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２０秒。 Ａｇめっき層を被覆して厚み1.６μｍのＳｎめっき層が
形成された。ついで、めっき時間が５秒であったことを
除いては、実施例１の場合と同様にして、上記Ｓｎめっ
き層の上に厚み0.４μｍのＳｎ−Ｂｉ合金めっき層を形
成した。
L，ＰＦ−ＡＣＩＤ１５０g/L，ＰＦ−0.５Ｍ３０mL/L。 めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２０秒。 Ａｇめっき層を被覆して厚み1.６μｍのＳｎめっき層が
形成された。ついで、めっき時間が５秒であったことを
除いては、実施例１の場合と同様にして、上記Ｓｎめっ
き層の上に厚み0.４μｍのＳｎ−Ｂｉ合金めっき層を形
成した。
【００２８】得られた材料は、図１の材料Ａ１における
表層部３は、その最表層部３Ａが厚み0.４μｍのＳｎ−
Ｂｉ合金めっき層から成り、その下に厚み1.６μｍのＳ
ｎめっき層が存在する２層構造を有する材料になってい
る。この材料を実施例３とする。また、この材料に対し
実施例２の場合と同じ条件のリフロー処理を行い、得ら
れた材料を実施例４とした。
表層部３は、その最表層部３Ａが厚み0.４μｍのＳｎ−
Ｂｉ合金めっき層から成り、その下に厚み1.６μｍのＳ
ｎめっき層が存在する２層構造を有する材料になってい
る。この材料を実施例３とする。また、この材料に対し
実施例２の場合と同じ条件のリフロー処理を行い、得ら
れた材料を実施例４とした。
【００２９】実施例５，６ 実施例３におけるＳｎ−Ｂｉ合金めっき層が、下記の条
件による無電解めっきで形成されたＳｎ−Ｉｎ合金めっ
き層であったことを除いては、実施例３と同じように、
表面層が２層構造になっている材料を製造した。 めっき浴の組成：メタンスルホン酸第１すず８０g/L，
塩化インジウム１０g/L，メタンスルホン酸４０g/L，チ
オ尿素１２０g/L，次亜リン酸ナトリウム６５g/L，ノニ
オン系界面活性剤１０g/L，両性界面活性剤２g/L。
件による無電解めっきで形成されたＳｎ−Ｉｎ合金めっ
き層であったことを除いては、実施例３と同じように、
表面層が２層構造になっている材料を製造した。 めっき浴の組成：メタンスルホン酸第１すず８０g/L，
塩化インジウム１０g/L，メタンスルホン酸４０g/L，チ
オ尿素１２０g/L，次亜リン酸ナトリウム６５g/L，ノニ
オン系界面活性剤１０g/L，両性界面活性剤２g/L。
【００３０】めっき条件：浴温５５℃，１８０秒間の浸
漬。 Ｓｎめっき層の上には厚み0.４μｍのＳｎ−Ｉｎ合金無
電解めっき層が形成された。この材料を実施例５とす
る。また、この材料に実施例１の場合と同じようなリフ
ロー処理を施し、得られた材料を実施例６とした。
漬。 Ｓｎめっき層の上には厚み0.４μｍのＳｎ−Ｉｎ合金無
電解めっき層が形成された。この材料を実施例５とす
る。また、この材料に実施例１の場合と同じようなリフ
ロー処理を施し、得られた材料を実施例６とした。
【００３１】実施例７，８ 実施例１において、鋼条材の表面に下記の条件でＮｉめ
っきを行ったことを除いては、実施例１と同じ層構造の
材料を製造した。この材料は図２で示した下地層４を有
する材料Ａ２に相当する。 めっき浴の組成：スルファミン酸ニッケル４００g/L，
ホウ酸４０g/L。
っきを行ったことを除いては、実施例１と同じ層構造の
材料を製造した。この材料は図２で示した下地層４を有
する材料Ａ２に相当する。 めっき浴の組成：スルファミン酸ニッケル４００g/L，
ホウ酸４０g/L。
【００３２】めっき条件：浴温５０℃，電流密度１０A/
dm2，めっき時間３０秒。 鋼条材の表面に形成されたＮｉめっき層の厚みは１μｍ
であった。この材料を実施例７とする。また、この材料
に対し実施例１の場合と同じようにしてリフロー処理を
施した。得られた材料を実施例８とする。 比較例１，２ 実施例１のＳｎ−Ｂｉ合金めっき層が、下記の条件で形
成されたはんだめっき層であったことを除いては、実施
例１と同じ層構造の材料を製造した。
dm2，めっき時間３０秒。 鋼条材の表面に形成されたＮｉめっき層の厚みは１μｍ
であった。この材料を実施例７とする。また、この材料
に対し実施例１の場合と同じようにしてリフロー処理を
施した。得られた材料を実施例８とする。 比較例１，２ 実施例１のＳｎ−Ｂｉ合金めっき層が、下記の条件で形
成されたはんだめっき層であったことを除いては、実施
例１と同じ層構造の材料を製造した。
【００３３】めっき浴の組成：ＩＳ−ＴＩＮ５７０g/
L，ＩＳ−ＬＥＡＤ１５g/L，ＩＳ−ＡＣＩＤ５４g/L，
５１９Ｍ５０mL/L（いずれも石原薬品（株）製のめっき
浴）。 めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２５秒。 Ａｇめっき層の上に厚み２μｍのはんだめっき層が形成
されている材料が得られた。
L，ＩＳ−ＬＥＡＤ１５g/L，ＩＳ−ＡＣＩＤ５４g/L，
５１９Ｍ５０mL/L（いずれも石原薬品（株）製のめっき
浴）。 めっき条件：浴温４０℃，電流密度１０A/dm2，めっき
時間２５秒。 Ａｇめっき層の上に厚み２μｍのはんだめっき層が形成
されている材料が得られた。
【００３４】これを比較例１とする。また、この材料に
対し実施例１の場合と同様の条件でリフロー処理を施し
た。得られた材料を比較例２とする。 比較例３，４ 実施例１のＳｎ−Ｂｉ合金めっき層がＳｎ単体のめっき
層（厚み１.６μｍ）であったことを除いては実施例１
と同じ層構造の材料を製造した。なお、Ｓｎめっき層の
形成は実施例３の場合と同じ条件で行った。
対し実施例１の場合と同様の条件でリフロー処理を施し
た。得られた材料を比較例２とする。 比較例３，４ 実施例１のＳｎ−Ｂｉ合金めっき層がＳｎ単体のめっき
層（厚み１.６μｍ）であったことを除いては実施例１
と同じ層構造の材料を製造した。なお、Ｓｎめっき層の
形成は実施例３の場合と同じ条件で行った。
【００３５】この材料を比較例３とする。また、この材
料に対し実施例１の場合と同じ条件でリフロー処理を施
した。得られた材料を比較例４とする。以上、１２種類
の材料につき、下記の仕様で加熱変色試験とはんだ付け
性の評価を行った。 加熱変色試験：各材料を、温度１２０℃の大気中で加熱
し、加熱時間と変色の関係を目視観察した。変色なしの
場合：○，やや黄変色の場合：△，強く黄変または黒変
の場合：×と評価した。
料に対し実施例１の場合と同じ条件でリフロー処理を施
した。得られた材料を比較例４とする。以上、１２種類
の材料につき、下記の仕様で加熱変色試験とはんだ付け
性の評価を行った。 加熱変色試験：各材料を、温度１２０℃の大気中で加熱
し、加熱時間と変色の関係を目視観察した。変色なしの
場合：○，やや黄変色の場合：△，強く黄変または黒変
の場合：×と評価した。
【００３６】はんだ付け性：温度２４０℃の溶融はんだ
（千住金属工業（株）製のＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系Ｐ
ｂフリーはんだ、商品名エコソルダー１２１を使用）の
中に、表１で示した時間の加熱処理を受けた各材料を５
秒間浸漬したのち取り出し、外観を目視観察。なお、こ
のときロジンフラックスを使用した。
（千住金属工業（株）製のＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系Ｐ
ｂフリーはんだ、商品名エコソルダー１２１を使用）の
中に、表１で示した時間の加熱処理を受けた各材料を５
秒間浸漬したのち取り出し、外観を目視観察。なお、こ
のときロジンフラックスを使用した。
【００３７】均一で良好な濡れの場合：○，やや不均一
な濡れの場合：△，はじきがある場合：×と評価した。
以上の結果を表１に示した。
な濡れの場合：△，はじきがある場合：×と評価した。
以上の結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１から次のことが明らかである。 （１）本発明の材料は、比較例の材料に比べると、長時
間加熱された場合であっても、変色は起こりづらく、ま
たはんだ付け性も優れている。これは、本発明の材料の
場合、最表層部がＳｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金で構
成されていることの有効性を立証するものである。
間加熱された場合であっても、変色は起こりづらく、ま
たはんだ付け性も優れている。これは、本発明の材料の
場合、最表層部がＳｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金で構
成されていることの有効性を立証するものである。
【００４０】（２）また、実施例１と実施例２、実施例
３と実施例４、実施例７と実施例８を対比して明らかな
ように、めっき層を形成したのちそれにリフロー処理を
施すと、はんだ付け性が向上することがわかる。このよ
うなことからリフロー処理は有効である。 （３）更に、実施例７，８と他の実施例を対比して明ら
かなように、導電性基体と中間層の間にＮｉめっき層を
介装すると変色の発生を有効に抑制することができる。
３と実施例４、実施例７と実施例８を対比して明らかな
ように、めっき層を形成したのちそれにリフロー処理を
施すと、はんだ付け性が向上することがわかる。このよ
うなことからリフロー処理は有効である。 （３）更に、実施例７，８と他の実施例を対比して明ら
かなように、導電性基体と中間層の間にＮｉめっき層を
介装すると変色の発生を有効に抑制することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
金属被覆材は、温度１２０℃近辺で長時間加熱されても
酸化変色の発生は少なく、またはんだ付け性の低下が起
こりづらい。これは、表面層をＳｎまたはＳｎ合金で構
成し、かつその最表層部を低融点のＳｎ−Ｂｉ合金、Ｓ
ｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ合金で形成したことに
よって得られる効果である。
金属被覆材は、温度１２０℃近辺で長時間加熱されても
酸化変色の発生は少なく、またはんだ付け性の低下が起
こりづらい。これは、表面層をＳｎまたはＳｎ合金で構
成し、かつその最表層部を低融点のＳｎ−Ｂｉ合金、Ｓ
ｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ合金で形成したことに
よって得られる効果である。
【００４２】また、この表面層はＰｂを含まないはんだ
との接合性も良好であるため、Ｐｂフリーのはんだ使用
を可能にし地球環境の保全にも資する。
との接合性も良好であるため、Ｐｂフリーのはんだ使用
を可能にし地球環境の保全にも資する。
【図１】本発明の材料Ａ１の断面構造を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の別の材料Ａ２の断面構造を示す断面図
である。
である。
１ 導電性基体 ２ 中間層（ＡｇまたはＡｇ合金層） ３ 表面層（ＳｎまたはＳｎ合金層） ３Ａ 表面層３の最表層部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２５Ｄ 5/50 Ｃ２５Ｄ 5/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｄ Ｖ
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性基体の一部表面または全表面に少
なくとも１層のＡｇまたはＡｇ合金から成る中間層が形
成され、前記中間層の表面に少なくとも１層のＳｎまた
はＳｎ合金から成る表面層が形成されている金属被覆部
材において、前記表面層の少なくとも最表層部は、Ｂｉ
または／およびＩｎを含有するＳｎ合金で形成されてい
ることを特徴とする金属被覆材。 - 【請求項２】 前記導電性基体と前記中間層の間には、
Ｎｉ，Ｃｏ，またはそれらの合金から成る下地層が介装
されている請求項１の金属被覆材。 - 【請求項３】 前記中間層および前記表面層の一部また
は全部を溶融・再凝固させた請求項１または２の金属被
覆材。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP02829998A JP4086949B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 金属被覆部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02829998A JP4086949B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 金属被覆部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11229178A true JPH11229178A (ja) | 1999-08-24 |
| JP4086949B2 JP4086949B2 (ja) | 2008-05-14 |
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| JP02829998A Expired - Fee Related JP4086949B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 金属被覆部材 |
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013279A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法 |
| US6603205B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-05 | Fcm Co., Ltd. | Material for electronic components, method of connecting material for electronic components, ball grid array type electronic components and method of connecting ball grid array type electronic components |
| KR100659963B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2006-12-22 | 아토테크 도이칠란드 게엠베하 | 마이크로구조 모듈의 제조에 적절한 모듈층 연결 방법 및마이크로구조 모듈 |
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| JP2010062169A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法並びに半導体封止用樹脂 |
| JP2010525169A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | エントン インコーポレイテッド | 金属表面の強化 |
| JP2011122234A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-06-23 | Kyowa Densen Kk | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
| JP2012041630A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法 |
| JP2012140705A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 基板構造物及びその製造方法 |
| JP2013079439A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-05-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2013091848A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2013189703A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| WO2014054189A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| WO2014054190A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2014084480A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2015045056A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| US9728878B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-08-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Press-fit terminal and electronic component using the same |
| US10530084B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-01-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| US10594066B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| CN113235086A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-08-10 | 重庆工港致慧增材制造技术研究院有限公司 | 一种船舶发动机用气阀表面修复方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7091405B2 (ja) * | 2019-09-11 | 2022-06-27 | 株式会社新菱 | Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP02829998A patent/JP4086949B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603205B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-08-05 | Fcm Co., Ltd. | Material for electronic components, method of connecting material for electronic components, ball grid array type electronic components and method of connecting ball grid array type electronic components |
| JP2003013279A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 耐マイグレーション性に優れたリフローＳｎまたはＳｎ合金メッキ薄板の製造方法 |
| KR100659963B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2006-12-22 | 아토테크 도이칠란드 게엠베하 | 마이크로구조 모듈의 제조에 적절한 모듈층 연결 방법 및마이크로구조 모듈 |
| US7391116B2 (en) | 2003-10-14 | 2008-06-24 | Gbc Metals, Llc | Fretting and whisker resistant coating system and method |
| JP2014042002A (ja) * | 2003-10-14 | 2014-03-06 | Olin Corp | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| US7808109B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-10-05 | Gbc Metals, L.L.C. | Fretting and whisker resistant coating system and method |
| JP2007520053A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-07-19 | オリン コーポレイション | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| JP2014040675A (ja) * | 2003-10-14 | 2014-03-06 | Olin Corp | 耐フレッチング性及び耐ウィスカー性の被覆装置及び方法 |
| KR101351284B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2014-01-14 | 지비씨 메탈즈, 엘엘씨 | 프레팅 및 휘스커 저항 피복 시스템 및 방법 |
| JP2010525169A (ja) * | 2007-04-18 | 2010-07-22 | エントン インコーポレイテッド | 金属表面の強化 |
| JP2010062169A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法並びに半導体封止用樹脂 |
| US8203221B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-06-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor sealing resin |
| JP2011122234A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-06-23 | Kyowa Densen Kk | メッキ構造及び電気材料の製造方法 |
| JP2012041630A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法 |
| JP2012140705A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 基板構造物及びその製造方法 |
| US8759986B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-06-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Substrate structure and method of manufacturing the same |
| US9576693B2 (en) | 2011-09-20 | 2017-02-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metal material for electronic component and method for manufacturing the same |
| CN103814158A (zh) * | 2011-09-20 | 2014-05-21 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子部件用金属材料及其制备方法 |
| TWI577542B (zh) * | 2011-09-20 | 2017-04-11 | Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Metal material for electronic parts and manufacturing method thereof |
| JP2013079439A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-05-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| CN103814158B (zh) * | 2011-09-20 | 2017-02-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子部件用金属材料及其制备方法 |
| JP2013091848A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2013189703A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-09-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| US9580783B2 (en) | 2011-10-04 | 2017-02-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Electronic component metal material and method for manufacturing the same |
| US9728878B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-08-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Press-fit terminal and electronic component using the same |
| US10594066B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| US10530084B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-01-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| WO2014054190A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| KR20160139054A (ko) * | 2012-10-04 | 2016-12-06 | 제이엑스금속주식회사 | 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법 |
| TWI488733B (zh) * | 2012-10-04 | 2015-06-21 | Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Metal material for electronic parts and manufacturing method thereof |
| CN104685101A (zh) * | 2012-10-04 | 2015-06-03 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子零件用金属材料及其制造方法 |
| WO2014054189A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| KR20170071614A (ko) * | 2012-10-04 | 2017-06-23 | 제이엑스금속주식회사 | 전자 부품용 금속 재료 및 그 제조 방법 |
| CN104685101B (zh) * | 2012-10-04 | 2017-06-30 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子零件用金属材料及其制造方法 |
| CN104685102A (zh) * | 2012-10-04 | 2015-06-03 | Jx日矿日石金属株式会社 | 电子零件用金属材料及其制造方法 |
| US9979110B2 (en) | 2012-10-04 | 2018-05-22 | JX Nippin Mining & Metals Corporation | Electronic component metal material and method for manufacturing the same |
| TWI485930B (zh) * | 2012-10-04 | 2015-05-21 | Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Metal material for electronic parts and manufacturing method thereof |
| JP2014084480A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP2015045056A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| CN113235086A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-08-10 | 重庆工港致慧增材制造技术研究院有限公司 | 一种船舶发动机用气阀表面修复方法 |
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