JPH11230784A

JPH11230784A - 光学式エンコーダ

Info

Publication number: JPH11230784A
Application number: JP2979098A
Authority: JP
Inventors: Yoshimarou Fujii; 義磨郎藤井; Hiroto Suzuki; 広人鈴木; Tatsumi Yamanaka; 辰己山中
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1998-02-12
Filing date: 1998-02-12
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】性能を向上可能な光学式エンコーダを提供す
ることを目的とする。【解決手段】本光学式エンコーダ１は、半導体受光素
子１２の受光面とは反対側の面側にＰＮ接合１２ｊを有
し、ＰＮ接合１２ｊを構成するＰ型及びＮ型半導体層１
２ｐ，１２ｎに設けられた電極１１２ｐ，１１２ｎ’は
導電性バンプＭＢを介して外部に接続されている。本エ
ンコーダでは、従来受光面に設けられていた電極及び配
線を、反対側の面に設けることができ、可動部材７を受
光面に近接させて分解能を向上させることができる。電
極１１２ｐ，１１２ｎ’は導電性バンプＭＢを介して外
部に接続されているので、外部から導電性バンプＭＢを
介して電極１１２ｐ，１１２ｎ’にバイアス電圧を印加
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光素子を
用いた光学式エンコーダに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光学式エンコーダは、特開平６−
１７４４９４号公報に記載されている。この光学式エン
コーダは、光源から出射された光を複数の開口を有する
可動部材を介して受光する受光面上に開口膜が形成され
た半導体受光素子を備えている。可動部材を移動させる
と、開口膜を介して半導体受光素子の受光面に入射する
光が断続的に変化して受光素子からパルス信号が出力さ
れる。このパルス数をカウンタ等で計測すれば、可動部
材の移動量を測定することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光学式エンコーダにおいては、半導体受光素子の受
光面側に光電変換を行うＰＮ接合が設けられているた
め、このＰＮ接合にバイアス電圧を加えるためのバイア
ス電圧印加用電極を受光面側に形成し、且つ、このバイ
アス電極印加用電極に電圧を供給するためのワイヤ配線
を受光面側に設けなくてはならない。光学式エンコーダ
の分解能は、受光面と可動部材との間の間隔が狭いほど
向上させることができる。しかしながら、従来の光学式
エンコーダにおいてはワイヤ配線等を配置するため、例
えば高さ０．５ｍｍ、横方向１ｍｍ程度の空間が必要で
あり、この間隔を狭めて分解能を向上させることができ
ない。

【０００４】また、受光面上の開口膜以外の領域はバイ
アス印加用電極や配線等のため、遮光を施すことが困難
であり、ノイズを十分に抑制することができない。製造
工程を増加させれば十分に遮光を行うこともできるが、
このような場合には工程数の増加から歩留まりが減少す
る。

【０００５】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、その性能を向上可能な光学式エンコーダ
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る光学式エンコーダは、光源から出射さ
れた光を開口を有する可動部材を介して受光する受光面
上に遮光性の材料からなる開口膜が形成された半導体受
光素子を備える光学式エンコーダであって、半導体受光
素子は受光面とは反対側の面側にＰＮ接合を有し、ＰＮ
接合を構成するＰ型及びＮ型半導体層に設けられた電極
は導電性バンプを介して外部に接続されていることを特
徴とする。

【０００７】光源から出射された光は、開口を有する可
動部材及び開口膜を順次介して半導体受光素子の受光面
に入射する。光の入射に応じて半導体受光素子内で発生
した電子及び正孔は、受光面と反対側に形成されたＰＮ
接合における電界にしたがって、そのＰ型及びＮ型半導
体層内を流れ、これに設けられた電極及び導電性バンプ
を介して外部に取り出される。開口を有する可動部材が
移動すると、光源から出射された光は、開口膜を介して
受光面に断続的に入射するので、導電性バンプからは断
続的な電気信号がパルス的に出力され、そのパルス数を
カウントすれば、開口を有する可動部材の移動量を計測
することができる。開口を有する可動部材が直線的に移
動するものであれば、可動部材の直線移動量を計測する
ことができ、回転運動するものであれば、可動部材の回
転量を計測することができる。

【０００８】本光学式エンコーダにおいては、受光面と
は反対側の面側にＰＮ接合を形成するため、従来受光面
に設けられていた電極及び配線を、反対側の面に設ける
ことができ、可動部材を受光面に近接させて分解能を向
上させることができる。本光学式エンコーダにおいて
は、電極を反対側の面に設けると同時に、反対側の面の
ワイヤ配線となるべきものを導電性バンプとして電極を
外部に接続しているので、分解能を向上させると同時に
機器を小型化することができる。なお、導電性バンプ
は、電極に接続されているので、外部から導電性バンプ
を介して当該電極にバイアス電圧を印加することができ
る。

【０００９】また、この電極は受光面とは反対側の面に
形成すればよいため、受光面の開口膜の開口以外の領域
は全て遮光することができる。このように遮光を行った
場合には、迷光の入射によるノイズの発生を抑制するこ
とができる。

【００１０】また、受光面と開口膜との間には反射防止
膜が介在していることが好ましい。反射防止膜は、受光
面で反射した後、可動部材で反射して受光面に再度入射
する２次入射光、所謂戻り光の入射を抑制することがで
きる。

【００１１】さらに、半導体受光素子は、隣接する一方
の前記半導体層と同一の導電型の半導体からなるアキュ
ムレーション層を前記受光面側に備えることが好まし
い。このアキュムレーション層は半導体受光素子の受光
面側におけるキャリアの消滅を抑制することができる。

【００１２】また、可動部材又は開口膜の開口は、規則
的に配列された複数のスリットであることが好ましい。
すなわち、１つの開口の面積を減少させると半導体受光
素子の受光光量が減少し、また、増加させるとエンコー
ダの分解能が低下する。そこで、開口を規則的に配列さ
れたスリットとすると、複数のスリットを透過する全光
量を増加させつつ、可動部材の移動量の分解能を向上さ
せることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る光学式エ
ンコーダについて説明する。同一要素又は同一機能を有
する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明
は省略する。

【００１４】図１は、実施の形態に係る光学式エンコー
ダ１を一部破断して示す斜視図である。光学式エンコー
ダ１は、円形のベース基板２の外縁から立設した外周円
筒形の側壁３を有する筒状ハウジングを備えている。筒
状ハウジング内には、その中心軸位置に配置された回転
軸４を支持するベアリング５及び６が配置されている。
回転軸４には円形の回転板（可動部材）７が固定されて
おり、回転軸４をその軸回りに回転させると、回転板７
が回転軸４に垂直な平面内で回転する。

【００１５】回転板７の上方には、コリメータレンズ８
及び光源９が配置されている。光源９から出射された光
は、コリメータレンズ８によって平行光とされ、回転板
７の所定領域上に投影される。回転板７には複数の開口
が円周方向に沿って規則的に形成され、これらの開口は
回転板７の回転に伴って上記所定領域を順次通過する。
回転板７の上記所定領域の下方には複数の開口を有する
開口膜１３（図２参照）が受光面上に形成された受光素
子１０が配置されている。したがって、光源９から出射
された光は、回転板７の開口を介して受光素子１０上に
入射し、回転板７が回転した場合には、複数の開口内を
順次光が通過するので受光素子１０の受光面上には断続
的に光が入射する。なお、回転板７の開口及び受光面に
設けられた開口膜１３の開口は、規則的に配列された複
数のスリットであるが、これらは円形や楕円形の開口と
することもできる。

【００１６】この時、受光素子１０からは光の入射に応
じて断続的な電気信号がパルス的に出力され、受光素子
１０とともに回路基板ＳＢ上に載置されたカウンタ１１
でそのパルス数をカウントすれば、回転板７の回転量に
応じた信号がカウンタ１１から出力され、この回転量を
計測することができる。なお、受光素子１０を単独でパ
ッケージ内に収容し、パッケージごとエンコーダのハウ
ジング内に配置してもよい。

【００１７】図２は図１に示した受光素子１０のＩ−Ｉ
矢印断面図である。まず、受光素子１０の構造について
説明する。

【００１８】受光素子１０は、光源９から出射された光
を回転板７の開口を介して受光する受光面を有する半導
体受光素子１２と、受光面上に形成された遮光材料から
なる開口膜１３とを備える。開口膜１３は、開口群形成
領域Ａ及びこれ以外の領域である遮光領域Ｄを有し、厚
み約１μｍのＡｌ、反射率の小さい黒色樹脂や光感光性
黒色樹脂（ホトレジスト）等からなる。開口膜１３は、
開口としてのスリットＳの形成されていない領域に入射
した光を遮光し、スリットＳに入射した光を透過させ
る。また、開口膜１３としてＡｌやＣｒの低反射多層膜
を用いてもよい。

【００１９】開口膜１３の開口としてのスリット群Ｓ
は、回転板７のスリット群と同一の幅及びピッチで設け
られている。なお、回転板７及び開口膜１３の開口を、
ピッチを揃えて規則的に配列された複数のスリット形状
としたのは、単に１つの開口の面積を減少させると半導
体受光素子１２の受光光量が減少し、また、増加させる
とエンコーダの分解能が低下するためである。回転板７
及び開口膜１３の開口は、規則的に配列されたスリット
であるので、複数のスリットを透過する全光量を増加さ
せつつ、回転板７の位置分解能を向上させることができ
る。

【００２０】半導体受光素子１２は、受光面とは反対側
の面側に、ＰＮ接合１２ｊを有する。なお、以下の説明
においては、半導体表面の研磨状態に拘わらず、この受
光面とは反対側の面を裏面とする。ＰＮ接合１２ｊを構
成するＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層（基板）１
２ｎには、それぞれ電気的に導通した電極１１２ｐ、１
１２ｎ’が設けられており、金属バンプ（導電性バン
プ）ＭＢを介して外部に接続されている。

【００２１】詳説すれば、シリコン（Ｓｉ）ならなる高
抵抗（数百〜数ｋΩ・ｃｍ）のＮ型半導体基板１２ｎの
裏面側には、裏面からＰ型不純物が添加されてなる拡散
深さ１μｍの低抵抗Ｐ型半導体層１２ｐが形成されてお
り、これらの界面がＰＮ接合１２ｊを構成している。Ｐ
Ｎ接合１２ｊは、開口群形成領域Ａの直下に位置する領
域に形成されている。なお、Ｎ型半導体基板１２ｎは高
抵抗であるため、電極１１２ｐ、１１２ｎ’への低逆バ
イアスの印加によって容易に空乏層が広がり、寄生容量
を低減して素子間のクロストークを減少させることがで
きる。また、Ｎ型半導体基板１２ｎの厚さは３００〜４
００μｍであり、受光面から入射した赤外光等の光がＰ
Ｎ接合１２ｊに到達できる。

【００２２】Ｎ型半導体基板１２ｎの裏面側には、裏面
からＮ型不純物が添加されてなる拡散深さ１μｍの低抵
抗Ｎ型半導体層１２ｎ’がＰ型半導体層１２ｐと所定間
隔離隔してこれを囲むように形成されている。Ｎ型半導
体層１２ｎ’はカソードとなるとともに、複数のＰ型半
導体層１２ｐを同一基板内に形成する場合にはアイソレ
ーション層として機能する。

【００２３】Ｎ型半導体基板１２ｎの裏面上には、Ｓｉ
Ｏ₂からなる絶縁膜１２ｉが形成されている。Ｐ型半導
体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ’の露出表面は、絶
縁膜１２ｉのコンタクトホール内に位置し、電極１１２
ｐ、１１２ｎ’が接触し、電極１１２ｐ、１１２ｎ’は
金属バンプＭＢが溶着されている。電極１１２ｐ、１１
２ｎ’の材料としては、金属バンプＭＢとの接着力の強
いものが選択される。金属バンプＭＢの材料としては半
田、インジウム、Ａｕ、これらの混合物、導電性樹脂を
用いることができる。金属バンプＭＢに半田を使った場
合には、接着力を考慮してＣｒＡｕを用いることが好ま
しい。また、電気特性の観点からは半導体との接触材料
はＡｌが好ましいので、本例の電極１１２ｐ、１１２
ｎ’はＡｌ／ＣｕＣｒ構造を有するものとし、金属バン
プＭＢは半田からなるものとする。

【００２４】電極１１２ｐ、１１２ｎ’は、金属バンプ
ＭＢを介して半導体チップ搭載用ＰＷＢ基板１４の表面
に形成されたＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ構造等からなる配線パタ
ーン１４ｍに接続されている。半導体チップ載置用基板
１４は、ＰＷＢ以外にもセラミック、フレキシブル基板
等も使用できる。

【００２５】配線パターン１４ｍは、半導体チップ載置
用配線基板１４のビアホールを通して裏面に設けられた
半田バンプ１４ｂに接続されており、図１に示した回路
基板ＳＢ上の配線上にマウントして加熱するだけで、接
触して接続される。なお、この基板１４はパッケージの
一部分をなすこともできる。また、金属バンプＭＢを介
してチップ搭載基板のリード端子から出力信号を取り出
す構成としてもよい。

【００２６】半導体基板１２ｎの受光面側には基板１２
ｎと同一の導電型の低抵抗Ｎ型半導体からなるアキュム
レーション層１２ａが形成されている。アキュムレーシ
ョン層１２ａの不純物濃度は１０¹⁷ｃｍ^-3であり、基板
１２ｎとともに所謂ハイロー接合を構成し、半導体受光
素子１２の受光面側におけるキャリアの消滅を抑制す
る。なお、アキュムレーション層１２ａの厚みは、開口
膜１３を透過した光がこれを通過できるように約０．５
μｍ程度に薄く形成してある。アキュムレーション層１
２ａ上には厚さ０．１μｍのＳｉＮｘ（窒化シリコン）
からなる反射防止膜１２ｒ、遮光用開口膜１３が順次形
成されている。反射防止膜１２ｒの材料は、ＳｉＯ₂や
従来から知られる他の反射防止膜材料の組み合わせでも
よい。反射防止膜１２ｒは、受光面で反射した後に回転
板７で反射して受光面に再度入射する２次入射光の入射
を抑制する。さらに、遮光用開口膜１３上及び半導体受
光素子１２の側面は、光透過性の樹脂被覆材料１５によ
って覆われている。樹脂被覆材料１５の厚みは、受光面
上にワイヤ配線がないため、０．５ｍｍ以下であって、
好ましくは１０μｍ以下の厚みとすることができる。な
お、基板１４と半導体受光素子１２との間の隙間は樹脂
１６で充填されている。樹脂接着剤１６はエポキシ樹脂
等の絶縁性の材料からなり、基板１４上の配線１４ｍを
保護するとともに、半導体受光素子１２を基板１４によ
り強固に固定する。

【００２７】次に、本受光素子１０の動作について説明
する。図１に示した光源９から出射された光は、回転板
７及び開口膜１３の開口を順次介して半導体受光素子１
２の受光面上にスリット像として投影される。半導体受
光素子１２のＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２
ｎ，１２ｎ’には、半田バンプ１４ｂ、配線パターン１
４ｍ、金属バンプＭＢ、及び電極１１２ｐ，１１２ｎ’
を介して逆バイアス電圧が印加される。逆バイアス電圧
の印加によって、ＰＮ接合１２ｊから不純物濃度の低い
Ｎ型半導体基板１２ｎ内部に向かって空乏層が広がる。

【００２８】光の入射に応じて半導体受光素子１２内で
発生した電子及び正孔は、受光面と反対側に形成された
ＰＮ接合１２ｊにおける空乏層内の電界にしたがって、
そのＰ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ，１２
ｎ’内を流れ、これに設けられた電極１１２ｐ，１１２
ｎ’及び金属バンプＭＢを介して外部に取り出される。

【００２９】回転板７が回転すると、光源９から出射さ
れた光は、開口膜１３を介して受光面に断続的に入射す
るので、金属バンプＭＢからは、スリットの幅、ピッチ
及び回転板７の回転周期に応じた断続的な電気信号がパ
ルス的に出力され、そのパルス数がカウンタ１１でカウ
ントされることにより、回転板７の回転量（回転角）が
計測される。なお、この電気信号は必要に応じて増幅器
によって増幅する。

【００３０】本光学式エンコーダ１においては、受光面
とは反対側の面にＰＮ接合１２ｊを形成するため、従来
受光面に設けられていた電極及び配線を、反対側の面に
設けることができ、回転板７を受光面に近接させて分解
能を向上させることができる。また、電極１１２ｐ、１
１２ｎ’は、受光面とは反対側の面側に形成すればよい
ため、開口膜１３の開口以外の領域の受光面は、開口膜
１３によって全て遮光することができる。このように遮
光を行った場合には、迷光の入射によるノイズの発生を
抑制することができる。

【００３１】図３（ａ）〜図３（ｆ）は、半導体受光素
子１２の製造方法について説明するための説明図であ
る。半導体受光素子１２は、以下のようにして製造す
る。

【００３２】まず、図３（ａ）に示すように、両面研磨
された厚さ３００〜４００μｍ、基板抵抗１ｋΩ・ｃｍ
のＮ型シリコン半導体基板１２ｎを用意する。

【００３３】次に、図３（ｂ）に示すように、通常のフ
ォトリソグラフィ技術及び拡散源としてＢＮを用いたフ
ォトダイオード製造拡散プロセスにより、絶縁膜１２
ｉ’をマスクとして基板裏面側に拡散深さ１μｍ程度の
Ｐ型半導体層１２ｐを形成する。

【００３４】さらに、図３（ｃ）に示すように、通常の
フォトリソグラフィ技術及び拡散源としてＰＯＣｌ₃を
用いたフォトダイオード製造拡散プロセスにより、拡散
深さ約１μｍのＮ型半導体層１２ｎを形成する。しかる
後、この裏面上にＳｉＯ₂などの絶縁膜（保護膜）１２
ｉを形成する。

【００３５】さらに、図３（ｄ）に示すように、受光面
側にイオン注入法を用いて、基板１２ｎと同一導電型で
あって厚さ０．１μｍ程度の高濃度アキュムレーション
層１２ａを形成し、しかる後、ランプアニールを行って
不純物の活性化を行う。

【００３６】次に、図３（ｅ）に示すように、アキュム
レーション層１２ａ上にＬＰＣＶＤ（減圧化学的気相堆
積）法を用いて、厚さ１００〜１５０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄か
らなる反射防止膜１２ｒを形成する。この厚みはエンコ
ーダに使用される光源（ＬＥＤ、ＬＤ）により最適化す
る。

【００３７】次に、図３（ｆ）に示すように、絶縁膜１
２ｉの、Ｐ型半導体層１２ｐ及びＮ型半導体層１２ｎ’
に対応する部分をエッチングにより除去してコンタクト
ホールを形成し、コンタクトホール内にＣｒＡｕ或いは
Ａｌ／ＣｕＣｒからなる電極１１２ｐ，１１２ｎ’を形
成する。さらに、半導体基板１２ｎの受光面側の反射防
止膜１２ｒ上に１μｍの厚みのＡｌ膜を蒸着によって形
成し、これをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニ
ングすることにより開口膜１３を形成する。最後に、こ
れを金属バンプＭＢを介して半導体チップ載置用基板１
４に固定し、基板１４と半導体受光素子１２との間の隙
間を樹脂１６で充填し、樹脂被覆材料１５を素子にスプ
レーコーティングすることにより、図２に示した受光素
子１０が完成する。

【００３８】なお、上記実施の形態では、スリット群の
形成領域が一箇所であるものについて説明したが、これ
は複数であってもよい。

【００３９】図４は、２つのスリット群形成領域Ａ，Ｂ
を有する受光素子の平面図である。個々のスリット群形
成領域Ａ，Ｂ内のＰ型半導体層１２ｐは、アイソレーシ
ョン層１２ｎ’によって電気的に隔離されている。すな
わち、ＰＮ接合１２ｊはＮ型半導体基板１２ｎの表面の
複数の領域Ａ，Ｂ内に、Ｐ型の不純物を添加することに
よって形成される。領域Ａ，Ｂは、領域Ａ，Ｂと導電型
の異なるＮ型のアイソレーション層１２ａによって囲ま
れ、隣接する領域Ａ，Ｂから互いに電気的に隔離されて
いる。スリット群形成領域Ａ，Ｂの各スリットの長手方
向は、略同一点に向かっており、スリット群形成領域Ａ
の各スリットの延長線上にはスリット群形成領域Ｂの各
スリットが位置しないように配置されている。

【００４０】図５は、スリット群形成領域Ａ，Ｂの、回
転板７の円周方向に沿った移動量（角度）に対するスリ
ットの開口位置（受光光量で示す）との関係を示す図で
ある。スリット群形成領域Ａの各スリットの延長線上に
はスリット群形成領域Ｂの各スリットが位置しないよう
に配置され、且つ、スリット群形成領域Ｂの各スリット
は、領域Ａ内の特定の近接するスリットのいずれか一方
に近い方に配置されている。

【００４１】この場合、回転板７を正転させた場合と、
逆転させた場合とでは、領域Ａ、Ｂから出力される信号
のパターンが異なるため、領域Ａ、Ｂから出力される信
号を計測することによって、回転の向きを判別すること
ができる。なお、３つ以上のスリット群形成領域を同一
の基板内に形成してもよい。

【００４２】以上、説明したように、上記実施の形態に
係る光学式エンコーダは、光源９から出射された光を開
口を有する可動部材７を介して受光する受光面上に遮光
性材料からなる開口膜１３が形成された半導体受光素子
１２を備える光学式エンコーダであって、半導体受光素
子１２は受光面とは反対側の面側にＰＮ接合１２ｊを有
し、ＰＮ接合１２ｊを構成するＰ型及びＮ型半導体層１
２ｐ，１２ｎに設けられた電極１１２ｐ，１１２ｎ’は
導電性バンプＭＢを介して外部に接続されている。

【００４３】なお、上記可動部材７は回転運動をするも
のであって、可動部材７の回転角を計測することができ
たが、可動部材が直線的に移動するものであれば、可動
部材の直線移動量を計測することができる。

【００４４】また、上記半導体受光素子はＮ型半導体基
板を使用したが、Ｐ型半導体基板を用いても同様の効果
が得られることは言うまでもない。

【００４５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る光
学式エンコーダは、半導体受光素子が受光面とは反対側
の面側にＰＮ接合を有し、ＰＮ接合を構成するＰ型及び
Ｎ型半導体層に設けられた電極は導電性バンプを介して
外部に接続されているので、その性能を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光学式エンコーダ１を一部破断して示す斜視
図。

【図２】図１に示した半導体受光素子１２のＩ−Ｉ矢印
断面図。

【図３】受光素子１０の製造方法について説明するため
の説明図。

【図４】２つのスリット群形成領域Ａ，Ｂを有する受光
素子の平面図。

【図５】スリット群形成領域Ａ，Ｂの、回転板７の円周
方向に沿った移動量（角度）に対するスリットの開口位
置（受光光量で示す）との関係を示す図。

【符号の説明】

１・・・光学式エンコーダ、９・・・光源、７・・・可動部材、
１３・・・開口膜、１２・・・半導体受光素子、１２ｊ・・・Ｐ
Ｎ接合、１２ｐ・・・Ｐ型半導体領域、１２ｎ・・・Ｎ型半導
体層、１１２ｐ，１１２ｎ’・・・電極、ＭＢ・・・導電性バ
ンプ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源から出射された光を開口を有する可
動部材を介して受光する受光面上に遮光性材料からなる
開口膜が形成された半導体受光素子を備える光学式エン
コーダであって、前記半導体受光素子は前記受光面とは
反対側の面側にＰＮ接合を有し、前記ＰＮ接合を構成す
るＰ型及びＮ型半導体層に設けられた電極は導電性バン
プを介して外部に接続されていることを特徴とする光学
式エンコーダ。
【請求項２】前記受光面の前記開口膜の開口以外の領
域は、全て遮光されていることを特徴とする請求項１に
記載の光学式エンコーダ。
【請求項３】前記受光面と前記開口膜との間には反射
防止膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載
の光学式エンコーダ。
【請求項４】前記半導体受光素子は、隣接する一方の
前記半導体層と同一の導電型の半導体からなるアキュム
レーション層を前記受光面側に備えることを特徴とする
請求項１に記載の光学式エンコーダ。
【請求項５】前記可動部材又は前記開口膜の開口は、
規則的に配列された複数のスリットであることを特徴と
する請求項１に記載の光学式エンコーダ。