JPH11231343A

JPH11231343A - アクティブマトリクス型液晶表示装置、及びその駆動方法

Info

Publication number: JPH11231343A
Application number: JP10035831A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Minamino; 裕南野; Mika Nakamura; 美香中村; Hideki Omae; 秀樹大前
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-02-18
Filing date: 1998-02-18
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】表示画面における輝度の傾斜を解消し、均一な
画像表示特性を有するアクティブマトリクス型液晶表示
装置、及びその駆動方法を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置に
は、データ線ＸにＴＦＴ４を介して接続された画素電極
２２と、上記データ線Ｘ４に隣接するデータ線Ｘ’との
間に、電荷を保持する補償容量部５が形成されている。
ゲート線Ｙに、走査信号を印加して上記ＴＦＴ４をＯＮ
状態にし、上記データ線Ｘ・Ｘ’に、１フィールド期間
毎に極性が反転する画像信号を、互いに逆極性となるよ
うに印加して、該液晶表示装置を駆動する。これによ
り、表示画面の上下における輝度の傾斜を低減させ、均
一で良好な画像表示特性を有するアクティブマトリクス
型液晶表示装置、及びその駆動方法を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体層に非晶質
材料、単結晶材料又は多結晶材料を用いたスイッチング
素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置、及
びその駆動方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、各画素毎に薄膜トランジスタ（Ｔ
ｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴ
と称する。）を備えたアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、単純マトリクス型液晶表示装置と比較して高い
画質が得られるため、盛んに研究・開発がなされてい
る。この種のアクティブマトリクス型液晶表示装置の典
型的な従来例は、図１２〜図１７に示されている。アク
ティブマトリクス型液晶表示装置は、図１２に示すよう
に、第１基板１２１と、第１基板１２１に対向する第２
基板１２２と、第１基板１２１と第２基板１２２間に挟
持された液晶層１０８とから構成されている。この第１
基板１２１の表面には、複数のゲート線Ｙ₁、Ｙ₂、…
Ｙ_n（ｎは行の数を示す。尚、ゲート線を総称するとき
は参照符号Ｙで示す。）と、各ゲート線Ｙに直交する複
数のデータ線Ｘ₁、Ｘ₂、…Ｘ_m（ｍは列の数を示す。
尚、ゲート線を総称するときは参照符号Ｘで示す。）
と、各画素毎に備えられる画素電極１０３…と、スイッ
チング素子としてのＴＦＴ１０６…とが形成されてい
る。また、第２基板１２２の表面には、対向電極１０７
が形成されている。

【０００３】前記ＴＦＴ１０６…は、図１４にも明らか
に示すように、ゲート電極１０６ａ、ソース電極１０６
ｂ及びドレイン電極１０６ｃの３つの電極を有してお
り、ゲート電極１０６ａはゲート線Ｙに接続され、ソー
ス電極１０６ｂはデータ線Ｘに接続され、ドレイン電極
１０６ｃは画素電極１０３及び保持容量部１０１（保持
容量部１０１の保持容量は参照符号Ｃｓｔで示す。）の
一方の電極に共通に接続されている。この保持容量部１
０１は、実質的に液晶容量Ｃｌｃを増大させ、液晶層１
０８の保持特性を改善させる働きをなす。ここで、液晶
層１０８の液晶容量をＣｌｃ、保持容量部１０１の保持
容量をＣｓｔで示すことにする。

【０００４】次に、上記従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法について、以下に説明する。ゲ
ート線Ｙ₁、Ｙ₂、…Ｙ_nには、図１３に示すように、
走査信号φ₁、φ₂、…φ_nが順次印加され、データ線
Ｘ₁、Ｘ₂、…Ｘ_mには、画像信号が印加される。先
ず、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ｖｓ（ｃ）を
中心レベルとして、１フィールド期間毎にＶｓ（ｈ）か
らＶｓ（ｌ）に極性が反転する画像信号が与えられる。
一方、ゲート線Ｙ₁には、図１５（ａ）に示すように、
１水平走査期間Ｔ₁において、電圧Ｖｇの走査信号φ₁
が印加される。これにより、ゲート線Ｙ₁に接続されて
いる第１行目の各ＴＦＴ１０６のソース電極１０６ｂ…
とドレイン電極１０６ｃ…とが導通し、画像信号電圧Ｖ
ｓ（ｈ）が、第１行目の各画素に属する液晶容量Ｃｌｃ
及び保持容量Ｃｓｔに印加される（尚、説明の容易化を
図るため、以下の明細書中においては、「容量部に電圧
が印加される」、又は、「容量部に電荷が蓄積される」
ことについて、便宜上、「容量に電圧が印加される」又
は、「容量に電荷が蓄積される」の用語を使用すること
にする。）。これにより、画像信号電圧Ｖｓ（ｈ）に応
じた電荷が液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓｔに蓄積さ
れる。上記１水平走査期間Ｔ₁が終了すると、上記液晶
容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓｔに蓄積された電荷は、次
のフィールド期間において新たな画像信号電圧が印加さ
れるまで保持される。

【０００５】同様にして、各１水平走査期間Ｔ₂、
Ｔ₃、…Ｔ_nにおいても、図１５（ｂ）及び（ｃ）に示
すように、電圧Ｖｇの走査信号φ₂、φ₃、…φ_nがゲ
ート線Ｙ ₂、Ｙ₃、…Ｙ_nに順次印加されて、各行毎の
液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓｔに画像信号電圧Ｖｓ
（ｈ）が順次印加されて、該画像信号電圧Ｖｓ（ｈ）に
応じた電荷が蓄積される。このようにして、画像信号電
圧に対応した電荷が液晶容量に蓄積されて保持されるこ
とにより、液晶パネルを透過する光の透過率が変化し
て、画像が表示される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置では、ＴＦＴ１０６を有
することから、図１４に示すように、ＴＦＴ１０６に関
連した各種の寄生容量が存在する。図中に示すＣｇｄ、
Ｃｓｄ、Ｃｇｓは、それぞれＴＦＴ１０６におけるゲー
ト・ドレイン間、ソース・ドレイン間、ゲート・ソース
間に存在する寄生容量を示す。このような各寄生容量の
うち、特にソース・ドレイン間の寄生容量Ｃｓｄに起因
して後述するように輝度の傾斜が発生し、画質が劣化す
るという問題が生じる。尚、各寄生容量の大きさは、Ｔ
ＦＴ１０６の構造や大きさに応じて異なるが、例えばス
タガ型のＴＦＴと比較して寄生容量の少ないコプラナ
（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造のＴＦＴ１０６であっても、
該寄生容量の発生を完全になくすことは不可能である。
よって、アクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、輝度傾斜の発生は、本質的な課題となっている。

【０００７】そこで、先ず、寄生容量の発生のメカニズ
ムを説明し、その後に、寄生容量に起因して輝度傾斜が
生じる理由について説明することにする。先ず、図１６
に模式的に示すように、半導体層１１１上に酸化シリコ
ン膜（ＳｉＯ_x）からなるゲート絶縁膜１１２を形成す
る。更に、該ゲート絶縁膜１１２上に、ゲート電極１０
６ａを形成する。上記ゲート電極１０６ａをマスクとし
てリン又はボロン等の不純物イオンを選択的に注入する
ことにより、半導体層１１１に、上記不純物イオンの注
入されないチャネル領域１１１ａと、不純物イオンの注
入されたオーミク領域１１１ｂ・１１１ｂとが見かけ上
自己整合的に形成される。しかしながら、半導体層１１
１への不純物イオンの注入は図１６中に示す矢印方向Ａ
にも行われるので、上記ゲート電極１０６ａの両端部
と、半導体層１１１におけるオーミック領域１１１ｂ・
１１１ｂの一部とに重なる領域が生じる。これにより、
ゲート・ソース間や、ゲート・ドレイン間等に寄生容量
が形成される。尚、上記ＴＦＴ１０６には、例えばソー
ス・ドレイン間等に種々の寄生抵抗も存在している。

【０００８】次に、寄生容量Ｃｓｄに起因して、表示画
面に輝度傾斜が生じる理由を以下に詳述する。図１５に
示すように、１フィールド期間の終了後の時刻ｔ₁にお
いて、画像信号の極性がＶｓ（ｈ）からＶｓ（ｌ）に反
転すると、画素電極電圧Ｖｐは画像信号の振幅Ｖｓｐｐ
（＝Ｖｓ（ｈ）−Ｖｓ（ｌ））に応じて上記寄生容量Ｃ
ｓｄの影響を受けて、画素電極電圧Ｖｐは、次式で近似
的に示すΔＶｃだけ電圧が変動する。 ΔＶｃ＝Ｃｓｄ／Ｃｔｏｔ×Ｖｓｐｐ（１）（ここで、上記Ｃｔｏｔは画素電極１０３に接続されて
いる全容量（＝Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓｄ＋Ｃｇｄ）であ
る。）ここで、表示画面上部の、例えば第１行目におい
ては、図１５（ａ）に示すように、画像信号電圧がＶｓ
（ｌ）に反転する時刻ｔ₁と、次のフィールドの走査が
なされるまでの期間βは極めて短い。一方、表示画面下
部の、例えば第ｎ行目においては、図１５（ｃ）に示す
ように、画素電極１０３への画像信号の印加が終了した
直後に画像信号電圧がＶｓ（ｌ）に反転するため、期間
βは長いものとなる。このことは、表示画面の上部から
下部にいくに連れて画素電極電圧ＶｐがΔＶｃだけ減少
する期間βが長くなることを意味する。しかも、ΔＶｃ
の大きさは表示画面の上部と下部とで同じである。よっ
て、フィールド期間内における画素電極電圧Ｖｐの積分
値Ｓは表示画面の下部ほど減少することになり、表示画
面の下部ほど輝度が低くなる、いわゆる輝度の傾斜が発
生する。尚、参考までに画素サイズが６０μｍのアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、どの程度の輝
度の傾斜が発生するのかを、算出してみた。ここで、Ｃ
ｓｔ、Ｃｌｃ、、Ｃｓｄ、Ｃｇｄ、Ｖｓｐｐは以下の値
とした。Ｃｓｔ：０．０１４ｐＦＣｌｃ：０．０１４ｐＦＣｓｄ：０．００３ｐＦＣｇｄ：０．００５ｐＦＶｓｐｐ：１５Ｖ前記式（１）によりΔＶｃを算出すると約１．２５Ｖと
なり、かかるΔＶｃが約１．２５Ｖの場合の表示画面の
上部と下部との電圧−輝度特性は、図１７に示すように
なる。この図１７から明らかなように、ある所定の画像
信号電圧Ｖｓを画素電極１０３に印加し、画素電極電圧
Ｖｐが１．２５Ｖ減少すると、例えば中間調領域Ｗにお
ける表示画面下部の透過率は、表示画面上部の透過率の
約５０％以下になることがわかる。このように、寄生容
量に起因して、表示画面上部から表示画面下部に向かう
に連れて輝度が低下する、いわゆる輝度傾斜が発生す
る。

【０００９】加えて、ＴＦＴ１０６のソース・ドレイン
間に存在する寄生抵抗に起因して、輝度の傾斜が益々顕
著になるという問題を有する。この理由を以下に説明す
ると、図１５に示すように、期間αでは上記寄生抵抗に
よる画素電極電圧Ｖｐの変動は発生しないが、画像信号
の極性が反転する期間βでは、上記寄生抵抗を通じて液
晶容量Ｃｌｃに蓄積された電荷がリークする。これによ
り、各行とも画素電極電圧Ｖｐが徐々に減少する。この
減少量は、表示画面の下部になるほど期間βが長くなる
ので多くなり、第ｎ行目では、図１５（ｃ）に示すよう
に、画素電極電圧ＶｐがΔＶｒだけ減少する。従って、
１フィールド期間における画素電極電圧Ｖｐの積分値Ｓ
は、やはり表示画面の下部になるほど減少する。即ち、
表示画面の上部における輝度と比較して、表示画面の下
部における輝度は益々減少し、輝度の傾斜は益々顕著に
なる。

【００１０】更に、画素サイズを小さくすることにより
液晶表示装置を高精細化した場合、輝度傾斜が一層大き
くなる。なぜなら、保持容量Ｃｓｔ及び液晶容量Ｃｌｃ
の容量は、画素面積の減少に応じて減少する。一方、Ｔ
ＦＴ１０６のサイズは製造装置の機械精度等に制約され
るため、小さくすることが困難であり、上記ＴＦＴ１０
６に生じるソース・ドレイン間の寄生容量Ｃｓｄの容量
は変わらない。この結果、前記（１）式により、ΔＶｃ
が増大し、表示画面の下部ほど輝度の傾斜が一層大きく
なるからである。

【００１１】このようにして、上記従来例では、輝度傾
斜の発生が問題となっていた。そこで、かかる問題を解
消するために、データ線に印加される画像信号の極性を
行毎に反転させて駆動する駆動方法が提案されている。
この方法によれば、画像信号の極性を１水平走査期間毎
に反転させているので、各行について画像信号と画素電
極電圧との極性の一致しない期間が、各行について等し
くなる。従って、各行の画素電極電圧の信号波形も同様
となる。これにより、寄生抵抗を原因とする画素電極電
圧の減少が平均化、換言すれば、表示画面の上部と下部
とで画素電極電圧の減少が同一となる。そのため、表示
画面全体における電圧−輝度特性は図１７中の点線で示
す曲線となり、輝度傾斜が解消される。しかしながら、
この従来例では、以下の問題が生じる。

【００１２】画像信号と画素電極電圧とが逆極性とな
る毎に寄生容量Ｃｓｄによって、画素電極電圧ＶｐがΔ
Ｖｃだけ変動するため、表示画面全体としての輝度は減
少する。一方、図１７に示す表示画面上部と同様の輝度
を得るためには、画素電極電圧を大きくする必要があ
る。この結果、液晶表示装置の駆動電圧は高くなって、
駆動回路の負荷が増大するため、そのような駆動回路を
構成することが困難になるという問題点を有する。更に、上記のように１水平走査期間毎に画像信号の極
性が反転すると、その度に、前記寄生容量Ｃｓｄによる
画素電極電圧Ｖｐの変動も発生するため、表示画面にお
いてはフリッカが発生しがちであるという問題点を有し
ている。本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたも
のであり、その目的は、表示画面における輝度の傾斜を
解消し、表示画面の上下において均一で高輝度な画像表
示特性を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置、
及びその駆動方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、基板上に、走査信号を
伝達する複数のゲート線と、画像信号を伝達する複数の
データ線とがそれぞれ直交するように設けられ、かつ、
上記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差点に対
応して、ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチン
グ素子と、該スイッチング素子を介して上記データ線に
接続された画素電極とが設けられた液晶表示装置であっ
て、上記各画素電極と、各画素電極にスイッチング素子
を介して接続されたデータ線に隣接するデータ線との間
に、補償容量部が設けられていることを特徴とする。

【００１４】上記の構成であれば、請求項２または請求
項５に記載する駆動回路を設けるようにすれば、後述す
る請求項２または請求項３記載の発明の作用により、寄
生容量あるいは寄生抵抗に起因した画素電極電圧の変動
を低減することができる。この結果、輝度の傾斜を低減
することができ、表示画面において良好な均一性を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置を得ることがで
きる。

【００１５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、更
に、上記複数のゲート線を１水平走査期間毎に順次択一
的に選択して、該各ゲート線に走査信号を印加するゲー
ト線駆動回路と、上記複数のデータ線に、１フィールド
期間毎に極性が反転し、かつ、隣接する各データ線毎に
互いに逆極性である画像信号を印加するデータ線駆動回
路とを備えたことを特徴とする。

【００１６】上記の構成によれば、先ず、走査信号によ
りスイッチング素子がＯＮ状態になると、データ線を介
して画像信号が液晶層及び補償容量部に印加される。更
に、スイッチング素子をＯＦＦ状態にし、かつ画像信号
の極性が反転すると、ソース・ドレイン間の寄生容量に
起因して画素電極電圧が降下しようとする。ところが、
このとき、補償容量部には、隣接するデータ線を介し
て、上記寄生容量に印加される画像信号とは逆極性の画
像信号が印加される。そのため、補償容量に起因して画
素電極電圧が上昇しようとする。この結果、寄生容量に
起因した画素電極電圧降下分が、補償容量に起因した画
素電極電圧の上昇分によって相殺され、画素電極電圧の
変動が低減される。これにより、表示画面の下部ほど輝
度が減少していく、いわゆる輝度の傾斜を低減すること
ができ、表示画面において良好な均一性を有するアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を得ることができる。
尚、本請求項１の発明においては、画素電極電圧の変動
を低減するように構成されているため、画面全体の輝度
の低下を招くこともない。

【００１７】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、上記
補償容量部の静電容量が、上記スイッチング素子におけ
る、データ線と画素電極との間の寄生容量と等しくなる
ように設定されていることを特徴とする。

【００１８】このように、補償容量部における静電容量
と、寄生容量の静電容量とを等しくすることにより、寄
生容量に起因した画素電極電圧降下分と、補償容量に起
因した画素電極電圧の上昇分とが等しくなる。そのた
め、寄生容量に起因した画素電極電圧の変動をなくすこ
とができ、寄生容量に起因した輝度の傾斜を解消でき
る。

【００１９】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、上記
補償容量部は、上記画素電極の一部と、上記データ線の
一部とが絶縁膜を介して重ねられることにより形成さて
いることを特徴とする。このように、画素電極の一部と
隣接するデータ線の一部とを絶縁膜を介して重ねること
により、煩雑な工程を経ることなく容易に補償容量部を
形成することができる。

【００２０】請求項５に記載の発明は、請求項２に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、上記
駆動回路は、画像信号の極性を、上記走査信号の１水平
走査期間毎に反転させることを特徴とする。

【００２１】上記の構成によれば、画像信号の極性が１
水平走査期間毎に反転するので、各行について画像信号
と画素電極電圧との極性の一致しない期間が、各行につ
いて等しくなる。従って、各行の画素電極電圧の信号波
形も同様となる。これにより、寄生抵抗を原因とする画
素電極電圧の減少が平均化、換言すれば、表示画面の上
部と下部とで画素電極電圧の減少が同一となる。よっ
て、寄生抵抗に起因した輝度の傾斜を解消できる。又、
上記のように１水平走査期間毎に画像信号の極性を反転
させても、寄生容量を原因とする画素電極電圧の変動を
抑制するため、表示画面におけるフリッカの発生を防止
することができる。これにより、液晶層における光の透
過率を変化させずに一定の輝度で画像を表示することが
でき、表示画面に発生するフリッカを抑制できたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を得ることができる。

【００２２】請求項６に記載の発明は、上記の課題を解
決するために、請求項１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置の駆動方法であって、複数のデータ線
に、１フィールド期間毎に逆極性であり、かつ、隣接す
るデータ線毎に互いに逆極性である画像信号を印加する
と共に、複数のゲート線を１水平走査期間毎に順次択一
的に選択して、該各ゲート線に走査信号を印加すること
により、スイッチング素子を介してデータ線と画素電極
とを導通させて、画素電極に該画像信号を印加すること
を特徴とする。

【００２３】上記の方法の具体的な作用・効果は、請求
項２記載の発明についての作用・効果と同様である。

【００２４】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法にお
いて、上記各データ線に印加される画像信号は、さらに
１水平走査期間毎に反転する信号であることを特徴とす
る。

【００２５】上記の方法の具体的な作用・効果は、請求
項５記載の発明についての作用・効果と同様である。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の実施の
形態１について、図１ないし図７に基づいて説明すれば
以下の通りである。本実施の形態に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、図２に示すように、第１基板
３１と、第１基板３１に対向する第２基板３２と、第１
基板３１と第２基板３２間に挟持された液晶層３３とか
ら構成されている。第１及び第２基板３１，３２は、透
明なガラス基板である。この第１基板３１の表面には、
複数のゲート線Ｙ₁、Ｙ₂、…Ｙ_n（ｎは行の数を示
す。尚、ゲート線を総称するときは参照符号Ｙで示
す。）と、各ゲート線Ｙに直交する複数のデータ線
Ｘ₁、Ｘ ₂、…Ｘ_m（ｍは列の数を示す。尚、ゲート線
を総称するときは参照符号Ｘで示す。）と、各画素毎に
備えられる画素電極２２…と、スイッチング素子として
のＴＦＴ４…と、補償容量部５とが形成されている。更
に、第１基板３１の表面には、データ線Ｘ及びゲート線
Ｙの形成領域の外縁に、データ線Ｘに接続されたデータ
線駆動回路５１と、ゲート線Ｙに接続されたゲート線駆
動回路５２とが設けられている。また、第２基板３２の
表面には、透明導電膜から成る対向電極３５７が形成さ
れている。

【００２７】上記ＴＦＴ４は、図３に示すような構造を
有している。即ち、ガラス基板１１上に、遮光性膜とし
てのクロム（Ｃｒ）よりなる金属薄膜１２が所定の形状
にパターニングされて形成されている。上記金属薄膜１
２上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）よりなる第１の層
間絶縁膜１３が形成されている。該第１の層間絶縁膜１
３上には、所定の形状に多結晶性シリコン膜１４が形成
されている。上記多結晶性シリコン膜１４は、非晶性シ
リコン膜を結晶化させて形成された半導体層である。
又、多結晶性シリコン膜１４には、リン又はボロン等の
不純物イオンのドーピングにより、チャネル領域１４ａ
と、オーミック領域１４ｂ・１４ｂとが形成されてい
る。該チャネル領域１４ａ上には、所定の形状にパター
ニングされた酸化シリコン膜（ＳｉＯ_x）からなるゲー
ト絶縁膜１５が形成されている。該ゲート絶縁膜１５上
には、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなり、図示しな
い断面でゲート線Ｙに接続されたゲート電極１６が形成
されている。上記多結晶性シリコン膜１４、第１の層間
絶縁膜１３及びゲート電極１６上には、第２の層間絶縁
膜１７が形成されている。ソース電極１９及びドレイン
電極２０は、それぞれコンタクトホール３１・３１を介
して多結晶性シリコン膜１４におけるオーミック領域１
４ｂ・１４ｂに接続されるように形成されている。又、
上記ソース電極１９はデータ線Ｘに接続され、ドレイン
電極２０は画素電極２２に接続されている。上記データ
線Ｘ及び第２の層間絶縁膜１７上には、第３の層間絶縁
膜２１が形成されている。上記第３の層間絶縁膜２１及
びドレイン電極２０上には、画素電極２２が形成されて
いる。尚、上記第２の層間絶縁膜１７及び第３の層間絶
縁膜２１の材料としては、例えば、ＳｉＯ_x、Ｓｉ
Ｎ_x、Ｔａ₂Ｏ₅、Ａｌ₂Ｏ₃等が用いられる。

【００２８】前記画素電極２２は、例えばインジウム錫
酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）
からなる透明導電膜であり、対向電極３５との間に液晶
容量Ｃｌｃ（図５参照）が形成されている。又、画素電
極２２は、図１に示すように、データ線Ｘに隣接するデ
ータ線Ｘ’の一部と第３の層間絶縁膜２１を介して重な
るように形成されている。上記のように、画素電極２２
の一部を延出してデータ線Ｘ’の一部と重ねることによ
り、容量Ｃｓ（図５参照）の補償容量部５が形成され
る。補償容量部５の静電容量は、ＴＦＴ４のソース電極
１９・ドレイン電極２０間の寄生容量Ｃｓｄとほぼ等し
くなるように設定されている。ここで、上記補償容量部
５の静電容量の値は、上記データ線Ｘ’の一部と画素電
極２２の一部との重なる部分の面積や、第３の層間絶縁
膜２１の膜厚を変えることにより設定できる。尚、上記
液晶容量Ｃｌｃと並列に接続されるように、保持容量Ｃ
ｓｔを設けてもよい。これにより、実質的に、液晶容量
Ｃｌｃを増大させ、液晶層３３の保持特性を改善させる
ことができる。

【００２９】前記データ線駆動回路５１は、図４に明ら
かに示すように、データ線Ｘ₁、Ｘ ₂、…Ｘ_mを介して
ＴＦＴ４…のソース電極１９に、画像信号に応じた画像
信号電圧を印加する回路である。このデータ線駆動回路
５１は、各データ線毎に，１フィールド期間（例えば３
３ｍｓｅｃ）毎に極性が反転し、かつ、隣接する各デー
タ線毎に互いに逆極性である画像信号を出力する。例え
ば、ｍ列目のデータ線と、ｍ＋１列目のデータ線につい
て説明すれば、ｍ列目のデータ線に関する画像信号θｍ
は、図６（ａ）に示すように、時刻ｔ₁から時刻ｔ₂ま
での１フィールド期間中においては、Ｖｓ（ｈ）であ
り、時刻ｔ₂から時刻ｔ₃までの次の１フィールド期間
中においては、Ｖｓ（ｌ）である。一方、ｍ＋１列目の
データ線に関する画像信号θｍ＋１は、図６（ｂ）に示
すように、時刻ｔ₁から時刻ｔ₂までの１フィールド期
間中においては、Ｖｓ（ｌ）であり、時刻ｔ₂から時刻
ｔ₃までの次の１フィールド期間中においてはＶｓ
（ｈ）である。ここで、Ｖｓ（ｈ）とＶｓ（ｌ）とは、
Ｖｓ（ｃ）を中心レベルとすると、逆極性のレベルにあ
る。

【００３０】前記ゲート線駆動回路５２は、図４に明ら
かに示すように、ゲート線Ｙ₁、Ｙ ₂、…Ｙ_nを介して
ＴＦＴ４…のゲート電極１６に、走査信号に応じた走査
信号電圧を印加する回路である。このゲート線駆動回路
５２は、図７に示すように、ゲート線Ｙ₁、Ｙ₂、…Ｙ
_nに、走査信号電圧がＶｇの走査信号φ₁、φ₂、…φ
_nを１水平走査期間Ｔ₁、Ｔ₂、…Ｔ_nにおいて出力す
る。次に、本実施の形態１に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置の駆動方法を説明する。図７（ａ）に示
すように、１水平走査期間Ｔ₁において、ゲート線Ｙ₁
に走査信号電圧Ｖｇを印加すると、ゲート線Ｙ₁に接続
されたそれぞれのＴＦＴ４…がＯＮ状態となり、ソース
電極１９…とドレイン電極２０…とが導通する。データ
線Ｘ₁・Ｘ₂には、画像信号θ₁・θ₂が印加されてい
るので、例えば画素Ａ１１における画素電極２２には、
該画像信号θ₁に応じた画像信号電圧Ｖｓ（ｈ）が印加
され、液晶容量Ｃｌｃに電荷が蓄積される。この際、上
記画素電極２２における電位はＶｓ（ｈ）となる。又、
補償容量Ｃｓには、ゲート線Ｘ ₁から画像信号電圧Ｖｓ
（ｈ）が印加され、かつゲート線Ｘ₂から画像信号電圧
Ｖｓ（ｌ）が印加される。これにより、補償容量Ｃｓに
は、上記液晶容量に蓄積される電荷と同じ極性の電荷が
蓄積される（尚、本明細書中においては、「同じ極性の
電荷」とは、ＴＦＴのソース側から見た場合に、容量を
構成する２つの電極のうちの手前側の電極が同一極性に
帯電していることを意味する。）。

【００３１】上記ゲート線駆動回路５２は、１水平走査
期間Ｔ₁が終了すると、走査信号電圧Ｖｇを印加しなく
なり、画素Ａ１１における各ＴＦＴ４はＯＦＦ状態にな
る。この際、上記液晶容量Ｃｌｃに蓄積された電荷は、
次のフィールドの水平走査がなされるまで保持され、画
素Ａ１１における画素電極２２には、図７（ａ）に示す
画素電極電圧Ｖｐが、次の１水平走査期間まで保持され
ている。更に、次のフィールド期間では、画像信号θ₁
の極性がＶｓ（ｈ）からＶｓ（ｌ）に反転し、上記画素
電極２２…に画像信号電圧Ｖｓ（ｌ）が印加される。同
様にして、図７（ｂ）及び（ｃ）に示すように、１水平
走査期間Ｔ₂、Ｔ₃、…Ｔ_nにおいて、ゲート線Ｙ₂、
Ｙ₃、…Ｙ_nに走査信号電圧Ｖｇを印加すると、該ゲー
ト線Ｙ₂、Ｙ₃、…Ｙ_n上に接続されたそれぞれのＴＦ
Ｔ４…が順次ＯＮ状態となる。これにより、上記ＴＦＴ
４…に接続された画素電極２２…に、画像信号電圧Ｖｓ
（ｈ）又はＶｓ（ｌ）が印加され、液晶容量Ｃｌｃに電
荷が蓄積される。又、補償容量Ｃｓにも上記液晶容量Ｃ
ｌｃに蓄積される電荷と同じ極性の電荷が蓄積される。

【００３２】上記１水平走査期間Ｔ₂、Ｔ₃、…Ｔ_nが
終了すると、各ＴＦＴ４…はＯＦＦ状態になる。この
際、上記液晶容量Ｃｌｃに蓄積された電荷は、次のフィ
ールドの１水平走査期間まで保持され、各画素電極２２
…には、図７に示す画素電極電圧Ｖｐが、次の１水平走
査期間まで保持されている。次のフィールド期間では、
画像信号θ₁の極性がＶｓ（ｈ）からＶｓ（ｌ）に反転
し、上記画素電極２２…に画像信号電圧Ｖｓ（ｌ）が印
加される。

【００３３】更に、各１水平走査期間において、画素電
極２２に印加する画像信号電圧Ｖｓのレベルを変えれ
ば、背面光源から照射される光の、液晶パネルを透過す
る透過率を変化させることができ、その光の透過率の変
化が画像として表示画面に表示される。尚、対向電極３
５には所定の電圧Ｖｃｏｍが一定となるように印加され
ている。

【００３４】ここで、一画素に注目して補償容量部５の
動作を更に詳しく説明する。図５に示すように、ＴＦＴ
４…がＯＮ状態になると、例えばデータ線Ｘ_m-1から画
像信号電圧Ｖｓ（ｈ）が印加される。これにより、該画
像信号電圧Ｖｓ（ｈ）に応じた電荷が液晶容量Ｃｌｃに
蓄積され、画素電極２２の画素電極電圧ＶｐはＶｓ
（ｈ）となる。一方、補償容量Ｃｓには、隣接するデー
タ線Ｘ_mから画像信号電圧Ｖｓ（ｌ）が印加されて、上
記液晶容量Ｃｌｃを補償する電荷が蓄積される。フィー
ルド期間の終了後、画像信号θ_m-1、θ_mの極性が反転
すると、寄生容量Ｃｓｄのソース電極１９側には画像信
号電圧Ｖｓ（ｌ）が印加される。このため、寄生容量Ｃ
ｓｄには、上記補償容量Ｃｓと逆極性の電荷（尚、本明
細書中においては、「逆極性の電荷」とは、ＴＦＴのソ
ース側から見た場合に、容量を構成する２つの電極のう
ちの手前側の電極が逆極性に帯電していることを意味す
る。）が蓄積され、液晶容量Ｃｌｃに蓄積された電荷の
一部がリークしようとする。この結果、画素電極２２…
における画素電極電圧Ｖｐは、上記寄生容量Ｃｓｄの影
響により、以下に示すΔＶｃ１の変調を受ける。

【００３５】 ΔＶｃ１＝Ｃｓｄ／Ｃｔｏｔ×Ｖｓｐｐ１（２）（ここで、上記Ｃｔｏｔは画素電極２２に接続されてい
る全容量（＝Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓｄ＋Ｃｇｄ＋Ｃｓ）
であり、Ｖｓｐｐ１は画像信号θ_m-1におけるＶｓ
（ｈ）−Ｖｓ（ｌ）である。）一方、上記補償容量Ｃｓ
にはＶｓ（ｈ）が印加されるので、画素電極電圧Ｖｐ
は、以下に示すΔＶｃ２の変調を受ける。 ΔＶｃ２＝Ｃｓ／Ｃｔｏｔ×Ｖｓｐｐ２（３）（ここで、上記Ｖｓｐｐ２は画像信号θｍにおけるＶｓ
（ｌ）−Ｖｓ（ｈ）である。）以上により、画素電極電
圧Ｖｐは、寄生容量Ｃｓｄ及び補償容量Ｃｓによって、
以下に示すΔＶｃだけ変動する。 ΔＶｃ＝ΔＶｃ１＋ΔＶｃ２（４）

【００３６】ここで、上記のように画像信号θ_m-1とθ
_mとは互いに逆極性であるので、Ｖｓｐｐ１とＶｓｐｐ
２とは逆極性となる。又、寄生容量Ｃｓｄと補償容量Ｃ
ｓとはほぼ同値である。従って、ΔＶｃ１とΔＶｃ２と
は互いに逆極性で、絶対値が等しいため、ΔＶｃはゼロ
となる。これにより、ＴＦＴ４がＯＦＦ状態になった直
後に画像信号θ_m-1、θ_mの極性が反転しても、画素電
極２２における画素電極電圧Ｖｐを維持できる。従っ
て、図７に示すように、寄生容量Ｃｓｄによる画素電極
電圧Ｖｐの変動を解消することができ、画素電極電圧Ｖ
ｐの積分値Ｓは表示画面の上部と下部とでほぼ同様とな
る。これにより、寄生容量Ｃｓｄによる画素電極電圧Ｖ
ｐの変動の影響を、表示画面の下部においても抑制する
ことができ、従って、期間βの長短にかかわらず、表示
画面の上部から下部へ徐々に輝度が減少する輝度の傾斜
を低減することができる。また、本実施の形態１は、画
素電極電圧Ｖｐの変動を減少させることにより、輝度傾
斜を低減させているため、表示画面全体の輝度の低下を
招くこともない。

【００３７】具体的には、画素サイズが６０μｍ程度の
上記アクティブマトリクス型液晶表示装置において、本
実施の形態に係る駆動方法により駆動させると、以下の
ようになる。尚、補償容量Ｃｓや液晶容量Ｃｌｃ等の値
は以下の通りである。但し、補償容量部５の容量Ｃｓ
は、寄生容量Ｃｓｄに相当する値であるが、寄生容量Ｃ
ｓｄを直接測定することが困難であるため、先ず前提と
して、補償容量５を備えていないアクティブマトリクス
型液晶表示装置における輝度傾斜ΔＶを求め、この輝度
傾斜ΔＶより逆算して容量Ｃｓを予め求めておいたもの
である。Ｃｓｔ：０．０２０ｐＦＣｌｃ：０．０２０ｐＦＣｓｄ：０．００３ｐＦＣｇｄ：０．００５ｐＦＣｓ：０．００３ｐＦＶｓｐｐ１：１０ＶＶｓｐｐ２： −１０Ｖ上記の場合、前記式（２）〜（４）に基づいてΔＶｃを
算出すると、ΔＶｃ１＝０．５８８Ｖ、ΔＶｃ２＝−
０．５８８Ｖとなり、したがってΔＶｃ＝０Ｖとなる。
この結果、表示画面の上部と下部とにおける輝度の傾斜
は大幅に低減できることが認められた。

【００３８】（実施の形態２）本発明の他の実施の形態
について、図４、図５、図８及び図９に基づいて説明す
れば以下の通りである。尚、前記実施の形態１のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置と同様の機能を有する構
成要素については、同一の符号を付して詳細な説明を省
略する。本実施の形態２に係るアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、前記実施の形態１に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置と比較して、各データ線Ｘに印
加される画像信号θの極性を、各データ線Ｘ毎に逆極性
とし、かつ１水平走査期間毎に極性を反転させるデータ
線駆動回路５１を有する点が異なる。

【００３９】図８に示すように、データ線駆動回路５１
は、各データ線Ｘ毎に互いに逆極性となるような画像信
号θ_m、θ_m+1を出力する。上記画像信号θ_m、θ_m+1
は、１水平走査期間毎に、Ｖｓ（ｃ）を中心としてＶｓ
（ｈ）からＶｓ（ｌ）に極性が反転する信号である。更
に、前記実施の形態１と同様に、ゲート線駆動回路５ ₂
は、ゲート線Ｙ₁、Ｙ₂、…Ｙ_nに、走査信号電圧がＶ
ｇの走査信号φ₁、φ ₂、…φ_nを、１水平走査期間Ｔ
₁、Ｔ₂、…Ｔ_n毎に順次選択的に出力する（図９参
照）。

【００４０】このような構成の実施の形態２の動作につ
いて説明すると、図９（ａ）に示すように、１水平走査
期間Ｔ₁において、ゲート線Ｙ₁に走査信号電圧Ｖｇを
印加すると、ゲート線Ｙ₁上に接続された全てのＴＦＴ
４…がＯＮ状態となり、ソース電極４ｂ…とドレイン電
極４ｃ…とが導通する。これにより、例えば画素Ａ１１
における画素電極２２には、画像信号θ₁が印加され、
液晶容量Ｃｌｃに電荷が蓄積される。この際、上記画素
電極２２の電位ＶｐはＶｓ（ｌ）となる。又、補償容量
Ｃｓには、液晶容量Ｃｌｃに蓄積される電荷と同じ極性
の電荷が蓄積される。

【００４１】上記ゲート線駆動回路５２は、１水平走査
期間Ｔ₁が終了すると、走査信号電圧を印加しなくな
り、画素Ａ１１におけるＴＦＴ４はＯＦＦ状態になる。
この際、上記液晶容量Ｃｌｃに蓄積された電荷は、次の
１水平走査期間まで保持され、画素Ａ１１における画素
電極２２には、図９（ａ）に示す画素電極電圧Ｖｐが、
次の１水平走査期間まで保持されている。更に、次のフ
ィールド期間では、画像信号θ₁の極性がＶｓ（ｌ）か
らＶｓ（ｈ）に反転し、上記画素電極２２…に画像信号
電圧Ｖｓ（ｈ）が印加される。

【００４２】同様にして、図９（ｂ）及び（ｃ）に示す
ように、１水平走査期間Ｔ₂、Ｔ₃、…Ｔ_nにおいて、
ゲート線Ｙ₂、Ｙ₃、…Ｙ_nに走査信号電圧Ｖｇを印加
すると、ゲート線Ｙ₂、Ｙ₃、…Ｙ_n上に接続されたそ
れぞれのＴＦＴ４…がＯＮ状態となる。この結果、上記
ＴＦＴ４…に接続された画素電極２２…には、画像信号
電圧Ｖｓ（ｈ）又はＶｓ（ｌ）が印加され、液晶容量Ｃ
ｌｃに電荷が蓄積される。又、補償容量Ｃｓには、液晶
容量Ｃｌｃに蓄積される電荷と同じ極性の電荷が蓄積さ
れる。

【００４３】ここで、画像信号θの極性は１水平走査期
間毎に反転しているが、補償容量部５が形成されている
ので、図９に示すように、画像信号θの極性が反転する
際の、寄生容量Ｃｓｄを原因として生じる画素電極電圧
Ｖｐの変動を抑制でき、この実施の形態２においても、
実施の形態１と同様に画素電極電圧Ｖｐの積分値Ｓは、
表示画面の上部と下部とでほぼ同様となり、輝度の傾斜
を低減することができる。また、このような輝度傾斜の
低減により、表示画面に発生するフリッカを抑制するこ
とができる。

【００４４】又、画像信号θの極性が反転して画素電極
電圧Ｖｐの極性と逆極性になると、ＴＦＴ４…に存在す
る寄生抵抗を通じて液晶容量Ｃｌｃにおける電荷がリー
クしようとする。しかし、画像信号θの極性は１水平走
査期間毎に反転するので、各行について画像信号と画素
電極電圧との極性の一致しない期間が、各行について等
しくなる。従って、各行の画素電極電圧の信号波形も同
様となる。これにより、寄生抵抗を原因とする画素電極
電圧の減少が平均化、換言すれば、表示画面の上部と下
部とで画素電極電圧の減少が同一となる。よって、寄生
抵抗に起因した輝度の傾斜を低減できる。

【００４５】更に、本実施の形態においては、データ線
Ｘに関する上下隣接する画素についてのクロストークを
軽減できる。なぜなら、或るデータ線Ｘに接続されてい
る画素のうち、スイッチング素子がＯＦＦ状態の画素に
関して、スイッチング素子のＯＦＦ抵抗が十分でないた
め、データ線Ｘに印加されている画像信号が影響する場
合が生じるが、本実施の形態では、画像信号θの極性が
１水平走査期間毎に反転するように構成されているの
で、その結果として当該画像信号の影響が平均化され
る。このことは、データ線Ｘに関する上下隣接する画素
についてのクロストークを軽減できたことを意味するか
らである。

【００４６】（その他の実施の形態）前記実施の形態１
又は実施の形態２に係るＴＦＴ４…は、図１０または図
１１に示すように、逆スタガ型の構造であってもよい。
図１０に示すＴＦＴ４は、画素電極２２の上部にドレイ
ン電極２０が形成されている。又、補償容量部５は、画
素電極２２の上部に第２の層間絶縁膜１７を介してソー
ス電極２４’が形成されている。一方、図１１に示すＴ
ＦＴ４は、ドレイン電極２０の上部に画素電極２２が形
成された構造である。又、補償容量部５は、ソース電極
２４’の上部に第２の層間絶縁膜１７を介して画素電極
２２が形成されている。

【００４７】又、本発明に係る補償容量部５は、データ
線Ｘ’の一部を延出させて画素電極２２の一部と重なる
ように形成してもよい。又、補償容量部５は、画素電極
２２及びデータ線Ｘ’の一部とにわたって絶縁膜等を介
して重なるように、新たな金属薄膜等を形成してもよ
い。

【００４８】更に、前記実施の形態１又は実施の形態２
においては、データ線駆動回路５１及びゲート線駆動回
路５２は第１基板３１上に載置するようにしたけれど
も、本発明はこれに限定するものではない。例えば、第
１基板３１が高温ポリシリコンあるいは低温ポリシリコ
ン技術を用いて作製されている場合、直接第１基板３１
上に形成してもよい。

【００４９】更に、前記実施の形態１又は実施の形態２
においては、透過型のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を示したが、反射型であってもよい。この場合、透
明導電膜３５又は画素電極２２の何れか一方を、光反射
性を有する金属材料を採用することにより、反射型の液
晶表示装置にも適用できる。更に、第２基板３２又は第
１基板３１の何れか一方を、光反射性の基板としても、
上記反射型の液晶表示装置とすることができる。また、
反射板を設けるように構成してもよい。

【００５０】その上、本発明に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示装置にカラー表示を行わせる場合は、対向
基板３４にカラーフィルター（図示しない）を形成する
ことによって表示させることができる。具体的には、上
記カラーフィルターはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の
３原色からなり、上記Ｒ、Ｇ、Ｂが各画素に対応するよ
うに色配列を行うようにすればよい。

【００５１】

【発明の効果】本発明は、以上のように説明した形態で
実施され、以下に述べるような効果を奏する。補償容量部に蓄積された電荷が、寄生容量に蓄積され
る電荷を相殺することにより、液晶容量に蓄積された電
荷のリークを防止できる。このため、画素電極における
電位の変動を可及的に低減することができる。よって、
輝度の傾斜が低減でき、表示画面において良好な均一性
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現で
きる。また、画面全体の輝度の低下を招くこともない。

【００５２】又、各データ線毎に互いに逆極性の画像
信号を印加し、かつ上記画像信号の極性を１水平走査期
間毎に反転させることにより、スイッチング素子に存在
する寄生抵抗による画素電極電圧の変動が抑制され、輝
度の傾斜を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の１画素の概略を示す平面図であ
る。

【図２】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置の概
略を示す斜視図である。

【図３】図１におけるＢ−Ｂ’線断面図である。

【図４】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
ける等価回路の回路構成を示す等価回路図である。

【図５】上記等価回路の要部を示す等価回路図である。

【図６】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置を駆
動する画像信号の信号波形を示すタイミングチャートで
ある。

【図７】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置を駆
動するタイミングチャートである。

【図８】本発明の他の実施の形態に係るアクティブマト
リクス型液晶表示装置を駆動する画像信号の信号波形を
示すタイミングチャートである。

【図９】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置を駆
動する信号の信号波形を示すタイミングチャートであ
る。

【図１０】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装
置における、逆スタガ構造のＴＦＴを有する画素の要部
を示す部分断面図である。

【図１１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装
置における、他の逆スタガ構造のＴＦＴを有する画素の
要部を示す部分断面図である。

【図１２】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の概略を示す斜視図である。

【図１３】上記従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置における等価回路の回路構成を示す平面図と、上記
アクティブマトリクス型液晶表示装置を駆動させる走査
信号のタイミングチャートである。

【図１４】上記等価回路の要部を示す等価回路図であ
る。

【図１５】上記アクティブマトリクスを駆動する信号の
信号波形を示すタイミングチャートである。

【図１６】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置に
おけるＴＦＴの要部を示す模式図である。

【図１７】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置に
おける電圧−輝度特性の関係を示すグラフである。

【符号の説明】

４ＴＦＴ５補償容量部１４多結晶性シリコン膜１６ゲート電極１７第２の層間絶縁膜１９ソース電極２０ドレイン電極２１第３の層間絶縁膜２２画素電極３１第１基板Ｙゲート線Ｘデータ線Ｘ’ データ線Ｘの隣接するデータ線５１データ線駆動回路５２ゲート線駆動回路Ｃｌｃ液晶容量Ｃｓ補償容量Ｃｓｄソース・ドレイン間の寄生容量Ｃｓｔ保持容量Ａ画素Ｔ１水平走査期間Ｖｇ走査信号電圧Ｖｓ画像信号電圧Ｖｓｐｐ走査信号電圧の変調分Ｖｐ画素電極電圧 ΔＶｃ画素電極電圧の変調分 θ 画像信号 φ 走査信号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、走査信号を伝達する複数のゲー
ト線と、画像信号を伝達する複数のデータ線とがそれぞ
れ直交するように設けられ、かつ、上記複数のゲート線と複数のデータ線との各交差
点に対応して、ゲート線及びデータ線に接続されたスイ
ッチング素子と、該スイッチング素子を介して上記デー
タ線に接続された画素電極とが設けられた液晶表示装置
であって、上記各画素電極と、各画素電極にスイッチング素子を介
して接続されたデータ線に隣接するデータ線との間に、
補償容量部が設けられていることを特徴とするアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】上記複数のゲート線を１水平走査期間毎に
順次択一的に選択して、該各ゲート線に走査信号を印加
するゲート線駆動回路と、上記複数のデータ線に、１フィールド期間毎に極性が反
転し、かつ、隣接する各データ線毎に互いに逆極性であ
る画像信号を印加するデータ線駆動回路とを備えたこと
を特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
【請求項３】上記補償容量部の静電容量が、上記スイッ
チング素子における、データ線と画素電極との間の寄生
容量と等しくなるように設定されていることを特徴とす
る請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
【請求項４】上記補償容量部は、上記画素電極の一部
と、上記データ線の一部とが絶縁膜を介して重ねられる
ことにより形成さていることを特徴とする請求項１乃至
請求項３の何れか１つに記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
【請求項５】上記駆動回路は、画像信号の極性を、上記
走査信号の１水平走査期間毎に反転させることを特徴と
する請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】請求項１に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法であって、複数のデータ線に、１フィールド期間毎に逆極性であ
り、かつ、隣接するデータ線毎に互いに逆極性である画
像信号を印加すると共に、複数のゲート線を１水平走査
期間毎に順次択一的に選択して、該各ゲート線に走査信
号を印加することにより、スイッチング素子を介してデ
ータ線と画素電極とを導通させて、画素電極に該画像信
号を印加することを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法。
【請求項７】上記各データ線に印加される画像信号は、
さらに上記走査信号の１水平走査期間毎に反転する信号
であることを特徴とする請求項６に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の駆動方法。