JPH11231524A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 現像処理においてアンダーカットを防ぎ、
各構成要素のパターンを高い効率で確実に、高精細に製
造することができるプラズマディスプレイパネルの製造
方法を提供すること。 【解決手段】 特定の光開始剤を有するレジスト膜３１
を用い、二層レジスト法により無機パターンを有するパ
ネル材料を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの各表示セルを構成する隔壁、電極、誘電
体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターおよびブラック
マトリックスの形成において、高精細パターンの形成が
可能となり、また転写フィルムを使用することにより従
来の方法に比べて実質的に作業性を向上させることがで
きるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
は、大型パネルでありながら製造プロセスが容易である
こと、視野角が広いこと、自発光タイプで表示品位が高
いこと等の理由から、フラットパネル表示技術の中で注
目されており、特にカラープラズマディスプレイパネル
は、２０インチ以上の壁掛けＴＶ用の表示デバイスとし
て将来主流になるものと期待されている。カラーＰＤＰ
は、ガス放電により発生する紫外線を蛍光体に照射する
ことによってカラー表示が可能になる。そして、一般
に、カラーＰＤＰにおいては、赤色発光用の蛍光体部
位、緑色発光用の蛍光体部位及び青色発光用の蛍光体部
位が基板上に形成されることにより、各色の発光表示セ
ルが全体に均一に混在した状態に構成されている。具体
的には、ガラス等からなる基板の表面に、バリアリブと
称される絶縁性材料からなる隔壁が設けられており、こ
の隔壁によって多数の表示セルが区画され、当該表示セ
ルの内部がプラズマ作用空間になる。そして、このプラ
ズマ作用空間に螢光体部位が設けられるとともに、この
螢光体部位にプラズマを作用させる電極が設けられるこ
とにより、各々の表示セルを表示単位とするプラズマデ
ィスプレイパネルが構成される。

【０００３】ＡＣ型ＰＤＰの構造の一例を図１に示す。
前面基板ガラスには、一対の維持電極をストライプ状に
複数形成し、その上を誘電体層で覆い、さらにその上に
保護膜であるＭｇＯ膜を蒸着する。また、プラズマディ
スプレイパネルのコントラストを向上させるために、赤
色、緑色、青色のカラーフィルターやブラックマトリッ
クスを誘電体層の下に設ける場合がある。一方背面基板
ガラス上には、信号電極をストライプ状に複数形成し、
信号電極間に隔壁を設け、この隔壁の側面および底面に
蛍光体層を形成する。前記前面基板の維持電極と背面基
板の信号電極が垂直方向になるように張り合わせてシー
ルし、内部にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。

【０００４】ＤＣ型ＰＤＰの構造の一例を図２に示す。
前面基板ガラスには、陰極電極をストライプ状に複数形
成する。一方、背面基板ガラス上には、表示陽極と補助
陽極の電極端子およびリードを形成し、さらに陽極端子
と陽極リードの間、補助陽極端子と補助陽極リードの間
には抵抗体を設ける。また、背面基板上の表示陽極端子
と補助陽極端子の部分を除いて誘電体で絶縁する。次い
で放電空間を区画するために隔壁を格子状に設け、この
隔壁側面と陽極端子を除く底面には蛍光体層を形成す
る。前記前面基板の陰極と背面基板の表示陽極、補助陽
極が垂直方向になるように張り合わせてシールし、内部
にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。

【０００５】このようなプラズマディスプレイパネルの
各構成要素の製造方法としては、（１）非感光性の無機
粉体分散ペースト組成物を基板上にスクリーン印刷して
パターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、
（２）感光性の無機粉体分散ペースト組成物の膜を基板
上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照
射した上で現像することにより基板上にパターンを残存
させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知
られている。

【０００６】しかしながら、前記スクリーン印刷法で
は、パネルの大型化および高精細化に伴い、パターンの
位置精度の要求が非常に厳しくなり、通常の印刷では対
応できないという問題がある。また、前記フォトリソグ
ラフィー法では、一回の露光および現像の工程で１０〜
１００μｍの膜厚を有するパターンを形成する際、無機
粉体分散ペースト層の深さ方向に対する感度が不十分で
あり、必ずしもエッジがシャープな高精細パターンが得
られるものとはならなかった。

【０００７】上記のような問題を解決する手段として、
本発明者らは、感光性レジスト組成物層と無機顔料ペー
スト層の積層体を基板上に形成し、当該積層膜を構成す
る感光性レジスト組成物層を露光処理してレジストパタ
ーンの潜像を形成し、当該感光性レジスト組成物層を現
像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機顔料ペ
ースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応
する無機顔料ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
ーンを焼成処理して無機顔料パターンを形成する工程を
含む方法によりカラーフィルターのパターンを形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法を提案している。（特開平９−１５５９６１号、特願
平９―３４０５１４号明細書参照） 従来、感光性レジスト組成物としては、カルボキシル基
を含有するバインダーポリマーと、ペンタエリスリトー
ルアクリレートなどの多官能アクリレートよりなるラジ
カル重合性物質と、光ラジカル発生剤とを含有してなる
ものが用いられており、光ラジカル発生剤としては、例
えば１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど
が用いられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
感光性レジスト組成物においては、塗膜中における光硬
化用放射線の強度は、深さ方向に対して減衰するため
に、当該塗膜における感光性レジスト組成物の底部に接
近するに従って小さくなる現象が生じ、硬化反応が十分
に達成されない状態となり易い。そして、この場合に
は、ＰＤＰにおける各構成要素の製造工程における現像
処理により当該底部がえぐられてしまい、得られるレジ
ストパターンはいわゆるアンダーカットが生じたものと
なり、極端な場合には現像処理において、感光性レジス
ト層が流れ去ってしまうという問題がある。そしてその
結果、パターニングが不均一となり、パネルの歩留まり
が極端に悪くなる。以上の問題は、十分なエネルギー量
で放射線照射処理を行うことにより解決することはでき
るが、この場合には、製造における効率が低いものとな
る。

【０００９】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、現像処理においてア
ンダーカットを防ぎ、各構成要素のパターンを高い効率
で確実に、高精細に製造することができるプラズマディ
スプレイパネルの製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、支持フィルム上に形成され
た無機粉体分散ペースト層を基板上に転写し、当該無機
粉体分散ペースト層上に、下記式（１）で表される化合
物を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露
光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レ
ジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
せ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジ
ストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパタ
ーンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む
方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成す
ることを特徴とする。

【００１１】

【化１】

【００１２】本発明のプラズマディスプレイパネルの製
造方法においては、あらかじめ、レジスト膜と無機粉体
ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成すること
によって、さらに好適にその効果を発揮する。

【００１３】

【作用】本発明の製造方法において、無機粉体分散ペー
スト層は、無機粉体を分散させた無機粉体分散ペースト
組成物を、剛性を有する基板上に直接塗布して形成され
るのではなく、可撓性を有する支持フィルム上に塗布す
ることにより形成される。このため、当該ペースト状組
成物の塗布方法として、ロールコータなどによる塗布方
法を採用することができ、これにより、膜厚が大きく
て、かつ、膜厚の均一性に優れた無機粉体分散ペースト
層（例えば１０μｍ±１μｍ）を支持フィルム上に形成
することが可能となる。そして、このようにして形成さ
れた無機粉体分散ペースト層を基板の表面に対して一括
転写するという簡単な操作により、当該無機粉体分散ペ
ースト層を基板上に確実に形成することができる。な
お、当該無機粉体ペースト層上に、特定の感光性レジス
ト組成物を塗布してパターニングを行うことにより、現
像処理におけるアンダーカットを防ぎ、ＰＤＰにおける
各構成要素のパターンを高い効率で確実に製造すること
ができるとともに、形成されるパターンの品質の向上
（高精細化）を図ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔１〕
無機粉体分散ペースト層の転写工程、〔２〕レジスト膜
の形成工程、〔３〕レジスト膜の露光工程、〔４〕レジ
スト膜の現像工程、〔５〕無機粉体分散ペースト層のエ
ッチング工程、〔６〕無機粉体分散ペースト層パターン
の焼成工程により、無機パターンを有するパネル材料を
形成する。ここで、無機パターンを有するパネル材料と
は、プラズマディスプレイパネルの構成部品であれば特
に制限はなく、例えば、隔壁、電極、誘電体、抵抗体、
蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックスなど
が挙げられる。

【００１５】＜無機粉体分散ペースト層の転写工程＞図
３および図４は、本発明の製造方法における無機粉体分
散ペースト層の形成工程の一例を示す概略断面図であ
る。図３（イ）において、１１はガラス基板である。

【００１６】本発明の製造方法においては、転写フィル
ムを使用し、当該転写フィルムを構成する無機粉体分散
ペースト層を基板の表面に転写する点に特徴を有するも
のである。ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、
この支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト
層とを有してなり、当該無機粉体分散ペースト層の表面
には保護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィ
ルムの具体的構成については後述する。

【００１７】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図３（ロ）に示すように、ガラス基
板１１の表面に、無機粉体分散ペースト層２１の表面が
当接されるように転写フィルム２０を重ね合わせ、この
転写フィルム２０を加熱ローラなどにより熱圧着した
後、無機粉体分散ペースト層２１から支持フィルム２２
を剥離除去する。これにより、図３（ハ）に示すよう
に、ガラス基板１１の表面に無機粉体分散ペースト層２
１が転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件
としては、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４
０℃、加熱ローラによるロール圧が１〜５ｋｇ／ｃ
ｍ² 、加熱ローラの移動速度が０．１〜１０．０ｍ／分
を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されてい
てもよく、予熱温度としては例えば４０〜１００℃とす
ることができる。

【００１８】＜レジスト膜の形成工程＞この工程におい
ては、図３（ニ）に示すように、転写された無機粉体分
散ペースト層２１の表面にレジスト膜３１を形成する。
このレジスト膜３１を構成するレジストとしては、ポジ
型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよ
く、その具体的組成については後述する。レジスト膜３
１は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、
流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した
後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜を無機粉
体分散ペースト層２１の表面に転写することによって形
成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト
膜の形成工程における工程改善（高効率化）を図ること
ができるとともに、形成される無機粉体パターンの膜厚
均一性を図ることができる。レジスト膜３１の膜厚とし
ては、通常、０．１〜４０μｍ、好ましくは０．５〜２
０μｍである。

【００１９】〈レジスト膜の露光工程〉この工程におい
ては、図３（ホ）に示すように、無機粉体分散ペースト
層２１上に形成されたレジスト膜３１の表面に、露光用
マスクＭを介して、紫外線などの放射線を選択的照射
（露光）して、レジストパターンの潜像を形成する。同
図において、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露光用マス
クＭにおける光透過部および遮光部である。ここに、放
射線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で
使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示
装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限
定されるものではない。

【００２０】〈レジスト膜の現像工程〉この工程におい
ては、露光されたレジスト膜を現像処理することによ
り、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。ここ
に、現像処理条件としては、レジスト膜３１の種類など
に応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像
温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、
スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択する
ことができる。この現像工程により、図４（ヘ）に示す
ように、レジスト残留部３５Ａと、レジスト除去部３５
Ｂとから構成されるレジストパターン３５（露光用マス
クＭに対応するパターン）が形成される。このレジスト
パターン３５は、次工程（エッチング工程）におけるエ
ッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残
留部３５Ａの構成材料（光硬化されたレジスト）は、無
機粉体分散ペースト層２１の構成材料よりもエッチング
液に対する溶解速度が小さいことが必要である。

【００２１】〈無機粉体分散ペースト層のエッチング工
程〉この工程においては、無機粉体分散ペースト層をエ
ッチング処理し、レジストパターンに対応する無機粉体
分散ペースト層のパターンを形成する。すなわち、図４
（ト）に示すように、無機粉体分散ペースト層２１のう
ち、レジストパターン３５のレジスト除去部３５Ｂに対
応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去さ
れる。ここに、図４（ト）は、エッチング処理中の状態
を示している。そして、更にエッチング処理を継続する
と、図４（チ）に示すように、無機粉体分散ペースト層
２１におけるレジスト除去部に対応する部分でガラス基
板表面が露出する。これにより、材料層残留部２５Ａと
材料層除去部２５Ｂとから構成される無機粉体分散ペー
スト層パターン２５が形成される。ここに、エッチング
処理条件としては、無機粉体分散ペースト層２１の種類
などにに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処
理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺動法、
シャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置などを
適宜選択することができる。なお、エッチング液とし
て、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用する
ことができるよう、レジスト膜３１および無機粉体分散
ペースト層２１の種類を選択することにより、現像工程
と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能と
なり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることが
できる。ここに、レジストパターン３５を構成するレジ
スト残留部３５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解
され、無機粉体分散ペースト層パターン２５が形成され
た段階（エッチング処理の終了時）で完全に除去される
ものであることが好ましい。なお、エッチング処理後に
レジスト残留部３５Ａの一部または全部が残留していて
も、当該レジスト残留部３５Ａは、次の焼成工程で除去
される。

【００２２】＜無機粉体分散ペースト層パターンの焼成
工程＞この工程においては、無機粉体分散ペースト層パ
ターン２５を焼成処理して電極、抵抗体、蛍光体、カラ
ーフィルターまたはブラックマトリックスを形成する。
これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金
属層、蛍光体層などの無機物層が形成され、図４（リ）
に示すような、ガラス基板の表面に電極、抵抗体、蛍光
体、カラーフィルターまたはブラックマトリックスのパ
ターン４０が形成されてなるパネル材料５０を得ること
ができる。ここに、焼成処理の温度としては、材料層残
留部２５Ａ中の有機物質が焼失される温度であることが
必要であり、通常、４００〜６００℃とされる。また、
焼成時間は、通常１０〜９０分間とされる。

【００２３】＜好ましい実施形態＞本発明の製造方法に
おいては、エッチング液に対して溶解性が異なる複数の
無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に転写
形成することが好ましい。このような積層体をエッチン
グ処理することにより、エッチングに対する深さ方向の
異方性が生じるため、矩形状または矩形に近い好ましい
断面形状を有する材料層残留部を形成することができ
る。なお、無機粉体分散ペースト層の積層数は、通常１
０以下とされ、好ましくは２〜５とされる。ここに、ｎ
層の無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に
形成する方法としては、（１）支持フィルム上に形成さ
れた無機粉体分散ペースト層（一層）をｎ回にわたって
転写する方法、（２）ｎ層の無機粉体分散ペースト層か
らなる積層体を一括転写する方法のいずれの方法であっ
てもよいが、転写工程の簡略化の観点からは前記（２）
の方法が好ましい。

【００２４】＜無機粉体パターンを形成するための他の
方法＞本発明における無機粉体パターンの形成方法は、
図３および図４に示したような方法に限定されるもので
はない。ここに、無機粉体パターンを形成するための他
の方法として、下記（１）〜（３）の工程による形成方
法を挙げることができる。 （１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該
レジスト膜上に無機粉体分散ペースト層を積層形成す
る。ここに、レジスト膜および無機粉体分散ペースト層
を形成する際には、ロールコータなどを使用することが
でき、これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持
フィルム上に形成することができる。 （２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜と無機粉
体分散ペースト層との積層膜を基板上に転写する。ここ
に、転写条件としては前記『無機粉体分散ペースト層の
転写工程』における条件と同様でよい。 （３）前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の
現像工程』、『無機粉体分散ペースト層のエッチング工
程』および『無機粉体分散ペースト層パターンの焼成工
程』と同様の操作を行う。 以上のような方法によれば、無機粉体分散ペースト層と
レジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡
略化による製造効率を更に向上させることができる。

【００２５】以下に、前記の各工程に用いられる材料、
各種条件などについて説明する。 ＜基板＞基板材料としては、例えばガラス、シリコン、
ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリ
アミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板
状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に
応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理；プ
ラズマ処理；イオンプレーティング法、スパッタリング
法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理の
ような適宜の前処理を施されていてもよい。

【００２６】＜転写フィルム＞本発明の製造方法に用い
る転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム
上に形成された無機粉体分散ペースト層とを有してな
り、当該無機粉体分散ペースト層の表面に保護フィルム
層が設けられていてもよい。

【００２７】（１）支持フィルム：転写フィルムを構成
する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると
共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好まし
い。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロール
コータによってペースト状組成物を塗布することがで
き、無機粉体分散ペースト層をロール状に巻回した状態
で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成
する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ
塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、
ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持
フィルムの厚さとしては、例えば２０〜１００μｍとさ
れる。

【００２８】（２）無機粉体分散ペースト層：転写フィ
ルムを構成する無機粉体分散ペースト層は、無機粉体、
結着樹脂および溶剤を必須成分として含有するペースト
状の無機粉体分散ペースト組成物（例えば、隔壁形成用
組成物、電極形成用組成物、誘電体形成用組成物、抵抗
体形成用組成物、蛍光体形成用組成物、カラーフィルタ
ー形成用組成物、ブラックマトリックス形成用組成物な
ど）を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶
剤の一部又は全部を除去することにより形成することが
できる。

【００２９】（３）無機粉体分散ペースト組成物 転写フィルムを作製するために使用される無機粉体分散
ペースト組成物は、（ａ）無機粉体、（ｂ）バインダー
および（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物で
ある。

【００３０】（ａ）無機粉体 本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用される無機
粉体は、形成材料の種類によって異なる。例えば、隔壁
形成材料および誘電体形成用材料に使用される無機粉体
としては、ガラス粉体、好ましくは軟化点が４００〜６
００℃のガラス粉体が挙げられる。電極形成材料に使用
される無機粉体としては、Ag、Au、Al、Ni、Ag-Pd合
金、Cu、Crなどを挙げることができる。抵抗体形成材料
に使用される無機粉体としては、RuO₂などを挙げること
ができる。蛍光体形成材料に使用される無機粉体は、Y₂
O₃:Eu³⁺ 、Y₂SiO₅:Eu³⁺、Y₃Al₅O₁₂:Eu³⁺、YVO₄:Eu³⁺、
(Y,Gd)BO₃:Eu³⁺、Zn₃(PO₄)₂:Mnなどの赤色用蛍光体；Zn
₂SiO₄:Mn、BaAl₁₂O₁₉:Mn、BaMgAl₁₄O₂₃:Mn、LaPO₄:(Ce,
Tb)、Y₃(Al,Ga)₅O₁₂:Tbなどの緑色用蛍光体；Y₂SiO₅:C
e、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺、BaMgAl₁₄O₂₃:Eu²⁺、(Ca,Sr,Ba)
₁₀(PO₄)₆Cl₂:Eu²⁺、(Zn,Cd)S:Agなどの青色用蛍光体を
挙げることができる。カラーフィルター形成材料に使用
される無機粉体は、Fe₂O₃、Pb₃O₄、CdS、CdSe、 PbCr
O₄、PbSO₄、Fe(NO₃)₃などの赤色用顔料；Cr₂O₃、TiO₂-C
oO-NiO-ZnO、CoO-CrO-TiO₂-Al₂O₃、Co₃(PO4)₂、CoO-ZnO
などの緑色用顔料；2(Al₂Na₂Si₃O₁₀）・Na₂S₄）、CoO-Al
₂O₃などの青色用顔料の他、色補正用の無機顔料とし
て、PbCrO₄-PbSO₄、PbCrO₄、PbCrO₄-PbO、CdS、TiO₂-Ni
O-Sb₂O₃などの黄色顔料；Pb(Cr-Mo-S)O₄などの橙色顔
料；Co₃(PO₄)₂などの紫色顔料を挙げることができる。
ブラックマトリックス形成材料に使用される無機粉体と
しては、Mn、Fe、Crなどを挙げることができる。

【００３１】（ｂ）バインダー 本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用されるバイ
ンダーとしては、種々の樹脂を用いることができるが、
アルカリ可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で含有
するバインダーを用いることが特に好ましい。ここに、
「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチ
ング液によって溶解し、目的とするエッチング処理が遂
行される程度に溶解性を有する性質をいう。かかるアル
カリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アク
リル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹
脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。この
ようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものと
しては、下記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との共
重合体、又はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモノ
マー（ハ）との共重合体を挙げることができる。

【００３２】モノマー（イ）：アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシ
ル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピ
ル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの
水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−
ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアル
カリ可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー（ロ）：（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）
アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸ベンジル、グリシジル（メタ）アクリレ
ート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートなどの
モノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル類；
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モ
ノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類
などに代表されるモノマー（イ）と共重合可能なモノマ
ー類。 モノマー（ハ）：ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル
酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メ
タ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー
類：

【００３３】無機粉体分散ペースト組成物におけるバイ
ンダーの含有割合としては、無機粉体１００重量部に対
して、通常１〜５０重量部とされ、好ましくは１〜４０
重量部とされる。

【００３４】（ｃ）溶剤 無機粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤は、当該無
機粉体分散ペースト組成物に、適当な流動性または可塑
性、良好な膜形成性を付与するために含有される。無機
粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤としては、特に
制限されるものではなく、例えばエーテル類、エステル
類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル
類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクト
ン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類などを挙げることができる。かかる溶
剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソー
ル、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエー
テル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピ
レングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル
類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステ
ル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン
酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳
酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式
ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピ
ルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド
類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキル
ピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシ
ド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドンなどを挙げることができ、これら
は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることがで
きる。無機粉体分散ペースト組成物における溶剤の含有
割合としては、良好な膜形成性（流動性または可塑性）
が得られる範囲内において適宜選択することができる。

【００３５】無機粉体分散ペースト組成物には、任意成
分として、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーショ
ン防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有さ
れていてもよい。

【００３６】無機粉体分散ペースト組成物を支持フィル
ム上に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜
厚の大きい（例えば１０μｍ以上）塗膜を効率よく形成
することができるものであることが必要とされ、具体的
には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレード
による塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワ
イヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものとし
て挙げることができる。なお、無機粉体分散ペースト組
成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施
されていることが好ましい。これにより、後述する転写
工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うこ
とができる。

【００３７】塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜
１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合（無機粉体分散ペースト層中の含有
率）は、通常２重量％以内とされる。

【００３８】上記のようにして支持フィルム上に形成さ
れる無機粉体分散ペースト層の厚さとしては、無機粉末
の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異なる
が、例えば１０〜１００μｍとされる。なお、無機粉体
分散ペースト層の表面に設けられることのある保護フィ
ルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルア
ルコール系フィルムなどを挙げることができる。

【００３９】＜レジスト膜（レジスト組成物）＞本発明
の製造方法においては、基板上に転写された無機粉体分
散ペースト層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト
膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記無
機粉体分散ペースト層上にレジストパターンが形成され
る。本発明の製造方法において用いられるレジスト膜
は、光ラジカル発生剤として、上記式（１）で表される
化合物を含有する点に特徴を有する。当該レジスト膜を
形成するために用いられるレジスト組成物は、（Ａ）バ
インダーポリマー、（Ｂ）多官能性モノマー、および
（Ｃ）光ラジカル発生剤として上記式（１）で表される
化合物、を必須成分として含有する。

【００４０】（Ａ）バインダーポリマー レジスト組成物に用いられるバインダーポリマー（Ａ）
は、分子中に少なくとも１個以上のカルボキシル基を有
するエチレン不飽和性のカルボキシル基含有単量体（Ａ
−１）と、このカルボキシル基含有単量体（Ａ−１）と
共重合可能な共重合性単量体（Ａ−２）とよりなる単量
体組成物を重合することにより得られるカルボキシル基
含有共重合体であることが好ましい。

【００４１】カルボキシル基含有単量体（Ａ−１）の具
体例としては、（イ）アクリル酸、メタクリル酸、クロ
トン酸などの不飽和モノカルボン酸、（ロ）イタコン
酸、マレイン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、
および（ハ）その他の不飽和カルボン酸が挙げられる。
これらは単独で若しくは２種類以上を組み合わせて用い
ることができる。

【００４２】上記のカルボキシル基含有単量体（Ａ−
１）に由来する構成単位を含有する共重合体は、アルカ
リ溶解性を有し、特に上記の割合で単量体（Ａ−１）を
用いることにより得られる共重合体は、アルカリ現像液
に対して優れた溶解性を有するものとなり、従って、こ
れを（Ａ）成分として用いた感光性レジスト組成物は、
アルカリ現像液に対する未溶解物の生成が本質的に少な
いものとなり、現像処理において基板のレジストパター
ン形成部以外の個所における地汚れ、膜残りなどが発生
しにくいものである。また、この共重合体を（Ａ）成分
とする場合に得られるレジストパターンは、アルカリ現
像液に過剰に溶解することがなく、無機粉体ペースト層
に対して優れた密着性を有するため、無機粉体ペースト
層から脱落しにくいものである。

【００４３】共重合性単量体（Ａ−２）の具体例として
は、（イ）スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトル
エンなどの芳香族ビニル化合物類、（ロ）メチルアクリ
レート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、
エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメ
タクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２
−ヒドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸
アルキルエステル類、（ハ）アミノエチルアクリレート
などの不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル類、
（ニ）グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレ
ートなどの不飽和カルボン酸グリシジルエステル類、
（ホ）酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのカルボン
酸ビニルエステル類、（ヘ）アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、α−クロルアクリロニトリルなどのシア
ン化ビニル化合物類、（ト）１，３−ブタジエン、イソ
プレンなどの脂肪族共役ジエン類、（チ）それぞれ末端
にアクリロイル基またはメタクリロイル基を有するポリ
スチレン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタク
リレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタク
リレート、ポリシリコーンなどのマクロモノマー類など
が挙げられる。これらは、単独で若しくは２種類以上を
組み合わせて用いることができる。

【００４４】上記カルボキシル基含有単量体（Ａ−１）
と共重合性単量体（Ａ−２）とを共重合して得られるバ
インダーポリマー（Ａ）の好ましい具体例としては、メ
タクリル酸／ベンジルメタクリレート／スチレン共重合
体、メタクリル酸／メチルメタクリレート／スチレン共
重合体、メタクリル酸／ベンジルメタクリレート／ポリ
スチレンマクロモノマー共重合体、メタクリル酸／メチ
ルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー共重合
体などが挙げられる。

【００４５】バインダーポリマー（Ａ）におけるカルボ
キシル基含有単量体（Ａ−１）の共重合割合は、単量体
全量に対して５〜５０重量％、特に、１０〜４０重量％
であることが好ましい。カルボキシル基含有単量体（Ａ
−１）の共重合割合が５重量％未満の場合には、得られ
るレジスト組成物は、アルカリ現像液に対する溶解性が
低くなる傾向がある。一方、カルボキシル基含単量体
（Ａ−１）の共重合割合が５０重量％を超える場合に
は、現像時にレジストパターンが無機粉体ペースト層か
ら脱落する傾向がある。

【００４６】このようなバインダーポリマー（Ａ）は、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、キ
ャリアー：テトラヒドロフラン）で測定されるポリスチ
レン換算重量平均分子量（以下、単に「重量平均分子
量」という。）が、３０００〜３０００００、特に５０
００〜２０００００であることが好ましい。このような
分子量を有するバインダーポリマーを用いることによっ
て、現像性の高いレジスト組成物が得られ、これによ
り、シャープなパターンエッジを有するレジストパター
ンを形成することができると共に、均一なパターンを有
するカラーフィルターを形成できる。

【００４７】（Ｂ）多官能性モノマー 多官能性モノマー（Ｂ）の好ましい具体例としては、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールトリアクリレート、トリスアクリロイルオキシ
エチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの
３官能以上の多官能アクリレート類、およびこれらのオ
リゴマーが挙げられる。これらの中で、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペ
ンタアクリレートまたはペンタエリスリトールトリアク
リレートが、レジストパターンの強度が高く、パターン
形成部以外での地汚れまたは膜残りが発生しにくい点で
特に好ましい。

【００４８】多官能性モノマー（Ｂ）の使用割合は、バ
インダーポリマー（Ａ）１００重量部に対して、通常、
５〜５００重量部、好ましくは２０〜３００重量部であ
る。この割合が５重量部未満である場合には、レジスト
パターン強度が不十分なものとなりやすい傾向がある。
一方、この割合が５００重量部を超える場合には、アル
カリ解像性が低下したり、レジストパターン形成部以外
の地汚れ、膜残りなどが発生したりする傾向がある。

【００４９】（Ｃ）光ラジカル発生剤 本発明において、（Ｃ）成分の光ラジカル発生剤として
は、前記式（１）で表される化合物、すなわち、ビス
（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリ
メチルペンチルフォスフィンオキサイド（以下、「特定
化合物」ともいう）が用いられる。この特定化合物より
なる光ラジカル発生剤が含有されることにより、少ない
照射エネルギー量の放射線照射処理によって硬化反応が
十分に達成されると共に、放射線が照射されない個所に
おいては硬化反応が生ずることがなく、その結果、放射
線照射処理後における塗膜は、アルカリ現像液に対して
不溶性の硬化部分と、アルカリ現像液に対して高い溶解
性を有する未硬化部分とが形成された状態となる。

【００５０】特定化合物の使用割合は、多官能性モノマ
ー（Ｂ）１００重量部に対して、０．０１〜２００重量
部、特に、１〜１２０重量部であることが好ましい。こ
の割合が０．０１重量部未満の場合には、放射線照射処
理において十分に硬化反応が行われず、レジストパター
ンにアンダーカットが生じる場合がある。また、この割
合が２００重量部を超える場合には、現像時にレジスト
パターンが基板から脱落する傾向があり、また、レジス
トパターン形成部以外での地汚れ、膜残りなどが発生す
る場合がある。

【００５１】また、本発明においては、（Ｃ）成分の特
定の化合物と共に、他の光ラジカル発生剤を併用するこ
とができる。他の光ラジカル発生剤の具体例としては、
２，２’−ビス（２−クロルフェニル）−４，４’，
５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニ
ル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキ
シカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビ
ス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’
−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス
（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−
テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，
４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−
テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，
４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−
テトラフェニルビイミダゾール、２−ヒドロキシ−２−
メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）
フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２
−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチ
ル（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノ−１
−プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルア
ミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１
−オン、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルア
ミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミ
ノ）ベンゾフェノン、２，４−ジエチルチオキサント
ン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、
４−アジドベンズアルデヒド、４−アジドアセトフェノ
ン、４−アジドベンザルアセトフェノン、アジドピレ
ン、４−ジアゾジフェニルアミン、４−ジアゾ−４’−
メトキシ−ジフェニルアミン、４−ジアゾ−３−メトキ
シ−ジフェニルアミン、ジベンゾイル、ベンゾインチノ
イソブチルエーテル、Ｎ−フェニル−チオアクリドン、
トリフェニルピリリウムパークロレートなどが挙げられ
る。

【００５２】これらの中で、２−ヒドロキシ−２−メチ
ル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル（４
−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノ−１−プロ
パン−１−オンまたは２−ベンジル−２−ジメチルアミ
ノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−
オンが、現像時に基板からのレジストパターンの脱落が
発生しないこと、高いレジストパターン強度または感度
が得られることなどの点で好ましい。当該他の光ラジカ
ル発生剤の使用割合は、光ラジカル発生剤全体における
８０重量％以下であることが好ましい。

【００５３】（Ｄ）溶剤 本発明で用いられるレジスト組成物には、当該感光性レ
ジスト組成物に適当な流動性または可塑性、良好な膜形
成性を付与するために、通常、溶剤が含有される。レジ
スト組成物に含有される溶剤としては、特に制限される
ものではなく、例えば、エーテル類、エステル類、エー
テルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド
類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スル
ホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化
水素類などを挙げることができる。かかる溶剤の具体例
としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエ
チレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレング
リコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコー
ルジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ
酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオ
ン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、
アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非
環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エス
テル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−
ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン
類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジア
ルキルスルホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−
ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でま
たは２種以上を組み合わせて用いることができる。当該
レジスト組成物における溶剤の含有割合としては、良好
な膜形成性（流動性または可塑性）が得られる範囲内に
おいて適宜選択することができる。

【００５４】本発明で用いられるレジスト組成物には、
任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション
防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料などの各種添加剤が
含有されていてもよい。

【００５５】＜露光用マスク＞レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクＭの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ
幅のストライプである。

【００５６】＜現像液＞本発明において、レジスト膜の
現像工程にはアルカリ現像液が使用される。アルカリ現
像液の有効成分としては、例えば水酸化リチウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウ
ム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウ
ム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウ
ム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、
炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸
リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ性化合物；テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアン
モニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、エタノールアミンなどの有機ア
ルカリ性化合物などを挙げることができる。レジスト膜
の現像工程に使用されるアルカリ現像液は、前記アルカ
リ性化合物の１種または２種以上を水などに溶解させる
ことにより調整することができる。ここに、アルカリ性
現像液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常０．０
０１〜１０重量％とされ、好ましくは０．０１〜５重量
％とされる。なお、アルカリ現像液による現像処理がな
された後は、通常、水洗処理が施される。

【００５７】＜エッチング液＞無機粉体分散ペースト層
のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、
アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、無
機粉体分散ペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂
を容易に溶解除去することができる。なお、無機粉体分
散ペースト層に含有される無機粉体は、アルカリ可溶性
樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液
でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗
浄することにより、無機粉体も同時に除去される。ここ
に、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液とし
ては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。
そして、エッチング液が、現像工程で使用するアルカリ
現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、エッ
チング工程とを連続的に実施することが可能となり、工
程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた
後は、通常、水洗処理が施される。

【００５８】また、エッチング液として、無機粉体分散
ペースト層のバインダーを溶解することのできる有機溶
剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、
無機粉体分散ペースト組成物を構成するものとして例示
した溶剤を挙げることができる。なお、有機溶剤による
エッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒に
よるリンス処理が施される。

【００５９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「％」は、それぞれ
「重量部」および「重量％」を示す。また、重量平均分
子量（Ｍｗ）は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーシ
ョンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（商品名ＨＬＣ−８
０２Ａ）により測定したポリスチレン換算の平均分子量
である。

【００６０】＜実施例１＞ （１）無機粉体分散ペースト組成物（カラーフィルター
形成用組成物）の調製：赤色無機顔料粉末として、Ｆｅ
₂ Ｏ₃ ２０部、結着樹脂として、ブチルメタクリレート
（５０重量％）とメチルメタクリレート（３０重量％）
とメタクリル酸（２０重量％）を共重合させて得られた
アクリル樹脂（ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平
均分子量：１００，０００）２０部、低融点ガラスとし
てＰｂＯ−ＳｉＯ₂ −Ｂ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ系ガラス８０
部、および溶剤としてプロピレングリコールモノメチル
エーテル１５部を分散機を用いて混練することにより、
粘度が５，０００ｃｐである、カラーフィルター形成用
途の、赤色用無機粉体分散ペースト組成物を調製した
(以下、ペースト（Ｒ）とする)。次に緑色用無機顔料と
してＣｒ₂ Ｏ₃ を使用した以外は、赤色用無機粉体ペー
スト組成物と同様に緑色用無機粉体分散ペースト組成物
を調製した。粘度は６，０００ｃｐであった。(以下、
ペースト（Ｇ）とする)次に青色用無機顔料としてＣｏ
Ｏ−Ａｌ₂ Ｏ₃ を使用した以外は、赤色用無機粉体ペー
スト組成物と同様に青色用無機粉体分散ペースト組成物
を調製した。粘度は５，５００ｃｐであった。(以下、
ペースト（Ｂ）とする)

【００６１】（２）レジスト組成物の調製：（Ａ）成分
としてメタクリル酸／ベンジルメタクリレート／スチレ
ン共重合体（重量組成比：２５／６５／１０，重量平均
分子量：４００００）５０重量部、（Ｂ）成分としてト
リメチロールプロパントリアクリレート４０重量部、
（Ｃ）成分としてビス（２，６−ジメトキシベンゾイ
ル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオ
キサイド２４重量部、（Ｄ）成分としてエチルセロソル
ブアセテート７９０重量部を用いて、感光性レジスト組
成物を製造した。

【００６２】（３）転写フィルムの製造：下記（イ）〜
（ロ）の操作により、無機粉体分散ペースト層と、感光
性レジスト層との積層膜が支持フィルム上に形成されて
なる転写フィルムを作製した。 （イ）レジスト組成物を、予め離型処理したＰＥＴフ
ィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０
ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し、
塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、
厚さ５μｍのレジスト膜を支持フィルム上に形成した。 （ロ）ペースト（Ａ）をレジスト膜上にロールコータを
用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を
完全に除去し、厚さ２０μｍの無機粉体分散ペースト層
をレジスト膜上に形成し、転写フィルム（以下、「転写
フィルム（Ｒ）」ともいう）を得た。 ペースト（Ｇ）およびペースト（Ｂ）についても上記
（イ）〜（ロ）と同様の操作を行い、転写フィルム
（Ｇ）および転写フィルム（Ｂ）を作製した。

【００６３】（４）積層膜の転写工程：６インチパネル
用のガラス基板の表面に、無機粉体分散ペースト層の表
面が当接されるよう転写フィルム（Ｒ）を重ね合わせ、
加熱ローラで熱圧着した。ここで、圧着条件としては、
加熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／
ｃｍ² 、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。
熱圧着処理の終了後、積層膜〔レジスト膜の表面〕から
支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガラス基板
の表面に積層膜が転写されて密着した状態となった。こ
の積層膜〔無機粉体分散ペースト層とレジスト膜との積
層膜〕について膜厚を測定したところ、２５μｍ±１μ
ｍの範囲にあった。

【００６４】（５）レジスト膜の露光工程・現像工程：
無機粉体分散ペースト層上に形成されたレジスト膜に対
して、露光用マスク（３００μｍ幅のストライプパター
ン）を介して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５
ｎｍの紫外線）を照射した。ここに、照射量は１００ｍ
Ｊ／ｃｍ²とした。次いで、露光処理されたレジスト膜
に対して、０．２重量％の水酸化カリウム水溶液（２５
℃）を現像液とするシャワー法による現像処理を２０秒
かけて行った。次いで超純水による水洗処理を行い、こ
れにより、紫外線が照射されていない未硬化のレジスト
を除去し、レジストパターンを形成した。

【００６５】（６）無機粉体分散ペースト層のエッチン
グ工程：上記の工程に連続して、０．２重量％の水酸化
カリウム水溶液（２５℃）をエッチング液とするシャワ
ー法によるエッチング処理を１分かけて行った。次い
で、超純水による水洗処理および乾燥処理を行った。こ
れにより、材料層残留部と、材料層除去部とから構成さ
れる無機粉体分散ペースト層のパターンを形成した。そ
の後、オーブン中で２００℃で３０分間ポストベークを
行った。

【００６６】（７）緑色および青色の積層工程 （６）で形成された赤色用無機粉体分散ペースト層のパ
ターン上に、転写フィルム（Ｇ）および転写フィルム
（Ｂ）を用いて、前記（４）〜（６）の操作を同様に行
い、赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペー
スト層からなるストライプパターンを形成した。

【００６７】（８）無機粉体分散ペースト層の焼成工
程：赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペー
スト層のパターンが形成されたガラス基板を、焼成炉内
で５２０℃の温度雰囲気下で３０分間にわたり焼成処理
を行った。これにより、ガラス基板の表面にカラーフィ
ルターパターンが形成されてなるパネル材料が得られ
た。上記の処理操作後、光学顕微鏡によって基板および
パターン表面を観察したところ、基板上に未溶解物の残
存は認められなかった。また、形成されたカラーフィル
ターのパターンエッジはシャープであり、パターン幅
は、３００μｍ±３μｍと良好であった。

【００６８】〔比較例１〕 （１）レジスト組成物の調製：（Ａ）成分としてメタク
リル酸／ベンジルメタクリレート／スチレン共重合体
（重量組成比：２５／６５／１０，重量平均分子量：４
００００）５０重量部、（Ｂ）成分としてトリメチロー
ルプロパントリアクリレート４０重量部、光開始剤とし
て１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル２４重量
部、（Ｄ）成分としてエチルセロソルブアセテート７９
０重量部を用いて、感光性レジスト組成物を製造し
た。

【００６９】次いで、感光性レジスト組成物の代わり
に感光性レジスト組成物を用いたこと以外は、実施例
１と同様にしてカラーフィルターを形成した。上記の処
理操作後において、光学顕微鏡によって観察したとこ
ろ、パターンのエッジに剥がれが認められた。

【００７０】

【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
製造方法によれば、用いられるレジスト組成物に特定の
化合物よりなる光ラジカル発生剤（Ｃ）が含有されてい
ることにより、少ない照射エネルギー量の放射線照射処
理によって硬化反応が十分に達成されるので、パターン
のかけがなく現像処理を容易に行うことができると共
に、高精細のパターンを高い効率で確実に製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的なＡＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図であ
る。

【図２】一般的なＤＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図であ
る。

【図３】本発明の一実施例に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法を工程順に示す説明用断面図である。

【図４】本発明の一実施例に係る製造方法の、図３の工
程に続く工程を順に示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１ 前面基板 ２ 背面基
板 ３ 誘電体 ３Ａ ＭｇＯ
層 ３Ｂ カラーフィルター・ブラックマトリクス層 ４ 蛍光体 ５ 障壁 ６Ａ 維持電極 ６Ｂ 信号電
極 ６ａ 陰極 ６ｂ 表示陽
極 ６ｂ’ 表示陽極リード ６ｃ 補助陽
極 ６ｃ’ 補助陽極リード ７ 抵抗 ８ 表示セル ９ 補助セ
ル １０ バスライン １１ 基板 ２０ 転写フィルム ２１ 無機粉
体分散ペースト層 ２２ 支持フィルム ２５ 無機粉体分散ペースト層パターン ２５Ａ 材料層残留部 ２５Ｂ 材料層
除去部 ３１ レジスト膜 Ｍ 露光用
マスク ＭＡ 光透過部（露光用マスク） ＭＢ 遮光部
（露光用マスク） ３５ レジストパターン ３５Ａ レジス
ト残留部 ３５Ｂ レジスト除去部 ４０ 無機パ
ターン ５０ パネル材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持フィルム上に形成された無機粉体分
   散ペースト層を基板上に転写し、当該無機粉体分散ペー
   スト層上に、式（１）で表される化合物を含有するレジ
   スト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジ
   ストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処
   理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペ
   ースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応
   する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該
   パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パ
   ターンを有するパネル材料を形成することを特徴とす
   る、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 【請求項２】 式（１）で表される化合物を含有するレ
   ジスト膜と、無機粉体分散ペースト層との積層膜を支持
   フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当
   該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジスト
   パターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理し
   てレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペース
   ト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する
   無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
   ーンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パター
   ンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラ
   ズマディスプレイパネルの製造方法。