JPH11232643A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH11232643A JPH11232643A JP3568198A JP3568198A JPH11232643A JP H11232643 A JPH11232643 A JP H11232643A JP 3568198 A JP3568198 A JP 3568198A JP 3568198 A JP3568198 A JP 3568198A JP H11232643 A JPH11232643 A JP H11232643A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】不良品の原因となる保護層表面の研磨傷の発生
を抑制可能な磁気ディスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と、基板に対し
て磁性層よりも上方に保護層を有する磁気ディスクの製
造方法において、保護層表面を粒径0.5μm以下の砥
粒とテープを用いて研磨する工程を有することを特徴と
する磁気ディスクの製造方法。
を抑制可能な磁気ディスクの製造方法を提供すること。 【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と、基板に対し
て磁性層よりも上方に保護層を有する磁気ディスクの製
造方法において、保護層表面を粒径0.5μm以下の砥
粒とテープを用いて研磨する工程を有することを特徴と
する磁気ディスクの製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はディスク基板上に少
なくとも磁性層及び保護層を形成する工程を有する磁気
ディスクの製造方法に係り、特にディスクの傷発生を防
止し、高品質の磁気ディスクを歩留りよく製造する磁気
ディスクの製造方法に関する。
なくとも磁性層及び保護層を形成する工程を有する磁気
ディスクの製造方法に係り、特にディスクの傷発生を防
止し、高品質の磁気ディスクを歩留りよく製造する磁気
ディスクの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスクには通常その磁性層を変質
や磨耗等から保護するために、保護層が設けられてい
る。保護層の種類は様々だが、炭素質保護膜が最も広く
用いられている。現在一般に用いられている磁気ディス
ク装置は、磁気ヘッドが記録再生時に浮上し、モーター
停止時に磁気ディスクに接触するCSS(コンタクトス
タートトップ)方式を採用しているため、保護層にはヘ
ッドとの摺動に繰り返し耐える耐久性が必要である。し
かし、一方で磁気ディスクの高記録密度化に伴い、磁性
層とヘッドとの距離を小さくする必要があり、保護層に
は薄さも要求されている。記録再生時の磁気ヘッドと磁
気ディスクとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は最近で
は0.10μm程度以下になっている。
や磨耗等から保護するために、保護層が設けられてい
る。保護層の種類は様々だが、炭素質保護膜が最も広く
用いられている。現在一般に用いられている磁気ディス
ク装置は、磁気ヘッドが記録再生時に浮上し、モーター
停止時に磁気ディスクに接触するCSS(コンタクトス
タートトップ)方式を採用しているため、保護層にはヘ
ッドとの摺動に繰り返し耐える耐久性が必要である。し
かし、一方で磁気ディスクの高記録密度化に伴い、磁性
層とヘッドとの距離を小さくする必要があり、保護層に
は薄さも要求されている。記録再生時の磁気ヘッドと磁
気ディスクとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は最近で
は0.10μm程度以下になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】通常、保護層形成後に
はテープによって表面の異常突起や異物を除去するクリ
ーニングがなされる。しかし、クリーニングはテープに
よるディスク表面の研磨であるから、突起の除去と同時
に磁気ディスク表面に微小な磨耗傷が生じる。磨耗傷が
出来ると、その傷から磁性層成分、例えばコバルトなど
が析出したり、その部分に対して正常な読み書きが出来
なくなるなどの問題があり、この問題は近年の著しい記
録密度の上昇に伴って無視できない状態になってきてい
る。本発明は、上記問題点を解決し、耐久性、信頼性に
すぐれる磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
はテープによって表面の異常突起や異物を除去するクリ
ーニングがなされる。しかし、クリーニングはテープに
よるディスク表面の研磨であるから、突起の除去と同時
に磁気ディスク表面に微小な磨耗傷が生じる。磨耗傷が
出来ると、その傷から磁性層成分、例えばコバルトなど
が析出したり、その部分に対して正常な読み書きが出来
なくなるなどの問題があり、この問題は近年の著しい記
録密度の上昇に伴って無視できない状態になってきてい
る。本発明は、上記問題点を解決し、耐久性、信頼性に
すぐれる磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討し
た結果、クリーニングテープと用いる研磨砥粒の大きさ
を規定することにより、上記課題を解決できることを見
い出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
の要旨は基板上に少なくとも磁性層と、基板に対して磁
性層よりも上方に保護層を有する磁気ディスクの製造方
法において、保護層表面を粒径0.5μm以下の砥粒と
テープを用いて研磨する工程を有することを特徴とする
磁気ディスクの製造方法に存する。
た結果、クリーニングテープと用いる研磨砥粒の大きさ
を規定することにより、上記課題を解決できることを見
い出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
の要旨は基板上に少なくとも磁性層と、基板に対して磁
性層よりも上方に保護層を有する磁気ディスクの製造方
法において、保護層表面を粒径0.5μm以下の砥粒と
テープを用いて研磨する工程を有することを特徴とする
磁気ディスクの製造方法に存する。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明において、基板としては、
サブストレイトと呼ばれて市販されている基板、即ち、
Al−Mg合金基板の表面にNi−Pの無電解メッキの
下地膜を設け、更に当該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ
加工)を施した下地膜形成基板が好適に使用される。そ
の他、銅、チタン、ガラス、セラミック、カーボン、シ
リコン等の材料で構成された基板を使用することもでき
る。通常、基板はディスク形状に加工され、また、基板
自体の厚さは約1〜3mm、上記下地膜の厚さは約20
〜30μmである。
サブストレイトと呼ばれて市販されている基板、即ち、
Al−Mg合金基板の表面にNi−Pの無電解メッキの
下地膜を設け、更に当該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ
加工)を施した下地膜形成基板が好適に使用される。そ
の他、銅、チタン、ガラス、セラミック、カーボン、シ
リコン等の材料で構成された基板を使用することもでき
る。通常、基板はディスク形状に加工され、また、基板
自体の厚さは約1〜3mm、上記下地膜の厚さは約20
〜30μmである。
【0006】このような基板は、常法に従い、テキスチ
ャー加工などを行った後、使用に供される。テキスチャ
ー加工は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン
(溝)や凹凸を付与するために行われる機械加工であ
る。また、必要に応じ、テキスチャ加工後にバリやカエ
リ等を除去するための仕上げ加工として、化学エッチン
グ又は電解エッチング(電解研磨)処理を行うこともで
きる。これらの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッド
との吸着が防止され、コンタクトスタートストップ(C
SS)特性が改良され、磁気異方性が改善される。
ャー加工などを行った後、使用に供される。テキスチャ
ー加工は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン
(溝)や凹凸を付与するために行われる機械加工であ
る。また、必要に応じ、テキスチャ加工後にバリやカエ
リ等を除去するための仕上げ加工として、化学エッチン
グ又は電解エッチング(電解研磨)処理を行うこともで
きる。これらの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッド
との吸着が防止され、コンタクトスタートストップ(C
SS)特性が改良され、磁気異方性が改善される。
【0007】基板上に必要に応じて形成する下地層は、
従来公知の非磁性下地層で良く、例えば、Cr、Ti、
Ni等で形成することができる。なお、下地層のCr又
はTiは、通常、これらの結晶性を損なわない範囲にお
いて、例えば、数原子%の範囲でSi、V、Cu等を含
有する合金であっても良い。本発明においては、特に、
Cr系の下地層が好適である。下地層の膜厚は、通常5
0〜2000Åの範囲である。
従来公知の非磁性下地層で良く、例えば、Cr、Ti、
Ni等で形成することができる。なお、下地層のCr又
はTiは、通常、これらの結晶性を損なわない範囲にお
いて、例えば、数原子%の範囲でSi、V、Cu等を含
有する合金であっても良い。本発明においては、特に、
Cr系の下地層が好適である。下地層の膜厚は、通常5
0〜2000Åの範囲である。
【0008】上記基板の下地層上に形成される磁性層
は、一般に、Co−Cr、Co−Ni、Co−Cr−
X、Co−Ni−X、Co−W−X等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでXとしては、Li、S
i、P、Ca、Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Z
r、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、T
a、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu及びBよりなる群より選
ばれた1種又は2種以上の元素が用いられる。磁性層
は、通常、スパッタリング等の手段によって、基板の下
地層上に被着形成される。この磁性層の膜厚は、通常1
00〜1000Åの範囲が好ましい。
は、一般に、Co−Cr、Co−Ni、Co−Cr−
X、Co−Ni−X、Co−W−X等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでXとしては、Li、S
i、P、Ca、Ti、V、Cr、Ni、As、Y、Z
r、Nb、Mo、Ru、Rh、Ag、Sb、Hf、T
a、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu及びBよりなる群より選
ばれた1種又は2種以上の元素が用いられる。磁性層
は、通常、スパッタリング等の手段によって、基板の下
地層上に被着形成される。この磁性層の膜厚は、通常1
00〜1000Åの範囲が好ましい。
【0009】保護層は、磁性層に直接または他の層を介
して設けられる。材質としては炭素膜、水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜、TiC、SiC等の炭化膜、S
iN、TiN等の窒化膜、SiO、Al2 O3 、ZrO
等の酸化物膜等によって構成され、通常、スパッタ法、
等により形成される。保護層としては、炭素膜、水素化
カーボン膜及び窒素化カーボン膜が特に好ましい。
して設けられる。材質としては炭素膜、水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜、TiC、SiC等の炭化膜、S
iN、TiN等の窒化膜、SiO、Al2 O3 、ZrO
等の酸化物膜等によって構成され、通常、スパッタ法、
等により形成される。保護層としては、炭素膜、水素化
カーボン膜及び窒素化カーボン膜が特に好ましい。
【0010】水素化カーボン膜は、水素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス(通常
は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。)と水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングする方法により形成
することができる。スパッタ雰囲気中の水素の含有量
は、通常、2〜20体積%である。
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス(通常
は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。)と水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングする方法により形成
することができる。スパッタ雰囲気中の水素の含有量
は、通常、2〜20体積%である。
【0011】窒素化カーボン膜は、窒素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有あるいは空気などの窒素ガス含有ガスを
含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形成す
ることができる。例えば、空気を用いた場合、スパッタ
雰囲気中の空気の含有量は、通常、2〜20体積%であ
る。また、例えば、スパッタガス中に水素ガス及び窒素
(含有)ガスを同時に混入させることにより、水素化か
つ窒素化したカーボン膜を形成することもできる。保護
層の厚さは、通常、約50〜1000Å、好ましくは約
100〜600Åの範囲である。
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有あるいは空気などの窒素ガス含有ガスを
含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形成す
ることができる。例えば、空気を用いた場合、スパッタ
雰囲気中の空気の含有量は、通常、2〜20体積%であ
る。また、例えば、スパッタガス中に水素ガス及び窒素
(含有)ガスを同時に混入させることにより、水素化か
つ窒素化したカーボン膜を形成することもできる。保護
層の厚さは、通常、約50〜1000Å、好ましくは約
100〜600Åの範囲である。
【0012】本発明においては、保護層形成後に行うテ
ープクリーニング工程において、粒径0.5μm以下、
好ましくは0.3〜0.5μmの研磨砥粒を用いる。研
磨砥粒径が0.5μmより大きいとディスク表面の磨耗
傷の発生防止効果が十分得られない。研磨テープとして
は、通常、ポリエチレンテレフタレート製、ポリアミド
製等のフィルム上に上述の粒径を有するアルミナ粒子、
SiC粒子等の研磨砥粒を担持した研磨テープが用いら
れる。このようなテープとしては、例えば日本ミクロコ
ーティング社製のAWA10000TNYを挙げることが出来る。
ープクリーニング工程において、粒径0.5μm以下、
好ましくは0.3〜0.5μmの研磨砥粒を用いる。研
磨砥粒径が0.5μmより大きいとディスク表面の磨耗
傷の発生防止効果が十分得られない。研磨テープとして
は、通常、ポリエチレンテレフタレート製、ポリアミド
製等のフィルム上に上述の粒径を有するアルミナ粒子、
SiC粒子等の研磨砥粒を担持した研磨テープが用いら
れる。このようなテープとしては、例えば日本ミクロコ
ーティング社製のAWA10000TNYを挙げることが出来る。
【0013】研磨は、ディスクを回転させながら研磨テ
ープを接触させて行う。テープをディスクに接触させる
方法としては、ロール等で押しつける、テープの背面に
エアーを吹き付ける等の方法があるが、エアーの圧力に
よってテープをディスク表面に接触させる方法が好まし
い。この場合、圧力はエアーの吹き付け量によって制御
する。
ープを接触させて行う。テープをディスクに接触させる
方法としては、ロール等で押しつける、テープの背面に
エアーを吹き付ける等の方法があるが、エアーの圧力に
よってテープをディスク表面に接触させる方法が好まし
い。この場合、圧力はエアーの吹き付け量によって制御
する。
【0014】本発明者の検討によれば、研磨傷の発生数
はテープクリーニング時の種々の条件、即ちテープをデ
ィスクに押しつける圧力やディスクの回転数、テープ張
力等に比べ、砥粒の大きさに大きく依存することがわか
った。
はテープクリーニング時の種々の条件、即ちテープをデ
ィスクに押しつける圧力やディスクの回転数、テープ張
力等に比べ、砥粒の大きさに大きく依存することがわか
った。
【0015】テープクリーニング工程の終了後、通常、
保護層の表面に潤滑剤層が設けられる。潤滑剤として
は、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、通常、デ
ィップコート法、スピンコート法、スプレーコート法等
により、保護層の表面に形成される。潤滑剤層の厚さ
は、通常、約5〜50Åの範囲である。
保護層の表面に潤滑剤層が設けられる。潤滑剤として
は、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、通常、デ
ィップコート法、スピンコート法、スプレーコート法等
により、保護層の表面に形成される。潤滑剤層の厚さ
は、通常、約5〜50Åの範囲である。
【0016】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。 実施例及び比較例 無電解メッキ法によりNi−Pメッキを10μmの厚み
で施したアルミニウム合金ディスク基板の表面にポリッ
シュ加工を施し、該基板の表面層上に一般的なCr下地
膜、Co−Cr−Ta合金からなる磁性層及び炭素質膜
からなる保護膜を順次スパッタ法により形成した。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り以下の実施
例により限定されるものではない。 実施例及び比較例 無電解メッキ法によりNi−Pメッキを10μmの厚み
で施したアルミニウム合金ディスク基板の表面にポリッ
シュ加工を施し、該基板の表面層上に一般的なCr下地
膜、Co−Cr−Ta合金からなる磁性層及び炭素質膜
からなる保護膜を順次スパッタ法により形成した。
【0017】次いで、表−1に示した条件でテープクリ
ーニング工程を行った。その後、フッ素系液体潤滑剤を
塗布してそれぞれ100枚ずつ磁気ディスクを製造し
た。得られた磁気ディスクについて、磨耗傷の発生状況
を調査した結果を表−1に示す。磨耗傷の検出は、高輝
度ランプ(50万〜100万ルクス)でディスク表面を
照らして観察することにより行った。長さ1mm以上、
幅0.5μm以上の傷を磨耗傷としてカウントした。
ーニング工程を行った。その後、フッ素系液体潤滑剤を
塗布してそれぞれ100枚ずつ磁気ディスクを製造し
た。得られた磁気ディスクについて、磨耗傷の発生状況
を調査した結果を表−1に示す。磨耗傷の検出は、高輝
度ランプ(50万〜100万ルクス)でディスク表面を
照らして観察することにより行った。長さ1mm以上、
幅0.5μm以上の傷を磨耗傷としてカウントした。
【0018】
【表1】
【0019】表−1からも明らかなように、本発明の製
造方法によれば、研磨傷の発生が著しく抑制され、高品
質の磁気ディスクを得ることが出来るという効果を有す
る。
造方法によれば、研磨傷の発生が著しく抑制され、高品
質の磁気ディスクを得ることが出来るという効果を有す
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも磁性層と、基板に対
して磁性層よりも上方に保護層を有する磁気ディスクの
製造方法において、 前記保護層表面を粒径0.5μm以下の砥粒とテープを
用いて研磨する工程を有することを特徴とする磁気ディ
スクの製造方法。 - 【請求項2】 砥粒を担持したテープを用いる請求項1
記載の磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項3】 前記基板を回転させながら空気圧を用い
てテープを接触させる請求項2記載の磁気ディスクの製
造方法。 - 【請求項4】 前記保護層が炭素質である請求項1から
3のいずれかに記載の磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3568198A JPH11232643A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3568198A JPH11232643A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232643A true JPH11232643A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12448640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3568198A Pending JPH11232643A (ja) | 1998-02-18 | 1998-02-18 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11232643A (ja) |
-
1998
- 1998-02-18 JP JP3568198A patent/JPH11232643A/ja active Pending
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