JPH11250454A - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH11250454A JPH11250454A JP5214098A JP5214098A JPH11250454A JP H11250454 A JPH11250454 A JP H11250454A JP 5214098 A JP5214098 A JP 5214098A JP 5214098 A JP5214098 A JP 5214098A JP H11250454 A JPH11250454 A JP H11250454A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスク基板上に磁性層及び保護層を順次成
膜した後、ディスク表面をテープクリーニングして磁気
ディスクを製造する方法において、テープクリーニング
時における摩耗傷の発生を防止して、耐久性、信頼性に
優れる高品質磁気ディスクを歩留り良く製造する 【解決手段】 エアノズル2よりエアを吹き付けること
により、クリーニングテープ3をディスク1表面に接触
させてテープクリーニングを行うに当り、エアノズル2
先端とディスク1表面との距離Lを5mm以下とする。
膜した後、ディスク表面をテープクリーニングして磁気
ディスクを製造する方法において、テープクリーニング
時における摩耗傷の発生を防止して、耐久性、信頼性に
優れる高品質磁気ディスクを歩留り良く製造する 【解決手段】 エアノズル2よりエアを吹き付けること
により、クリーニングテープ3をディスク1表面に接触
させてテープクリーニングを行うに当り、エアノズル2
先端とディスク1表面との距離Lを5mm以下とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク基板上に
磁性層及び保護層を順次成膜した後、ディスク表面をテ
ープクリーニングして磁気ディスクを製造する方法に係
り、詳しくは、テープクリーニング時における摩耗傷の
発生を防止して、耐久性、信頼性に優れる高品質磁気デ
ィスクを歩留り良く製造する方法に関する。
磁性層及び保護層を順次成膜した後、ディスク表面をテ
ープクリーニングして磁気ディスクを製造する方法に係
り、詳しくは、テープクリーニング時における摩耗傷の
発生を防止して、耐久性、信頼性に優れる高品質磁気デ
ィスクを歩留り良く製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。
【0003】従来、磁気ディスクは、一般に、アルミニ
ウム合金基板にアルマイト処理やNi−Pメッキ等の非
磁性メッキ処理を施した後、Cr等の下地層を形成し、
次いでCo系合金等の磁性薄膜層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成し、この保護層成膜後にテープクリーニ
ングを行って、ディスク表面の微小な突起を除去するこ
とで製造されている。
ウム合金基板にアルマイト処理やNi−Pメッキ等の非
磁性メッキ処理を施した後、Cr等の下地層を形成し、
次いでCo系合金等の磁性薄膜層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成し、この保護層成膜後にテープクリーニ
ングを行って、ディスク表面の微小な突起を除去するこ
とで製造されている。
【0004】このテープクリーニングは、一般的には、
クリーニングテープ(研磨テープ)にエアを吹き付け、
その吹き付け圧力でクリーニングテープをディスク表面
に接触させる方式(以下「FTP方式」と称す。)で実
施される。
クリーニングテープ(研磨テープ)にエアを吹き付け、
その吹き付け圧力でクリーニングテープをディスク表面
に接触させる方式(以下「FTP方式」と称す。)で実
施される。
【0005】そして、磁気ディスクには高性能が要求さ
れるため、磁気ディスク製造の最終工程においては、上
記テープクリーニング後、表面に潤滑剤を塗布した後、
グライドテストと称される表面突起除去とサーティファ
イテストと称される電磁変換特性の試験が行われてい
る。
れるため、磁気ディスク製造の最終工程においては、上
記テープクリーニング後、表面に潤滑剤を塗布した後、
グライドテストと称される表面突起除去とサーティファ
イテストと称される電磁変換特性の試験が行われてい
る。
【0006】ところで、ハードディスクドライブは、一
般に、その使用に際し、磁気ヘッドがモーター回転時
(記録再生時)に浮上し、モーター停止時に磁気ディス
クに接触するCSS(コンタクトスタートストップ)方
式を採用している。この方式により、磁気ヘッド/磁気
ディスク間での高速摺動による摩耗を抑制することが可
能となる。
般に、その使用に際し、磁気ヘッドがモーター回転時
(記録再生時)に浮上し、モーター停止時に磁気ディス
クに接触するCSS(コンタクトスタートストップ)方
式を採用している。この方式により、磁気ヘッド/磁気
ディスク間での高速摺動による摩耗を抑制することが可
能となる。
【0007】近年、磁気ディスクの高記録密度化に伴
い、記録再生時の磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔、
即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さくなってきており、
最近では0.1μm程度以下になっている。
い、記録再生時の磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔、
即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さくなってきており、
最近では0.1μm程度以下になっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】磁気ディスクの製造工
程では、保護層成膜後のテープクリーニングにより、デ
ィスク表面の突起を除去しているが、従来のテープクリ
ーニングでは、この突起の除去時に、ディスク表面に微
小な摩耗傷が生じる。そして、このテープクリーニング
で生じた微小な摩耗傷が、近年の磁気ヘッドの浮上量の
著しい低下に伴い、磁気ディスクの欠陥とされ、グライ
ドテスト、サーティファイテストの際に問題となってき
ている。
程では、保護層成膜後のテープクリーニングにより、デ
ィスク表面の突起を除去しているが、従来のテープクリ
ーニングでは、この突起の除去時に、ディスク表面に微
小な摩耗傷が生じる。そして、このテープクリーニング
で生じた微小な摩耗傷が、近年の磁気ヘッドの浮上量の
著しい低下に伴い、磁気ディスクの欠陥とされ、グライ
ドテスト、サーティファイテストの際に問題となってき
ている。
【0009】本発明は、上記従来の問題点を解決し、保
護層成膜後のテープクリーニング時における摩耗傷の発
生を防止して、耐久性、信頼性に優れた高品質磁気ディ
スクを歩留り良く製造する方法を提供することを目的と
する。
護層成膜後のテープクリーニング時における摩耗傷の発
生を防止して、耐久性、信頼性に優れた高品質磁気ディ
スクを歩留り良く製造する方法を提供することを目的と
する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスクの
製造方法は、ディスク基板上に磁性層及び保護層を順次
成膜した後、ディスク表面をテープクリーニングして磁
気ディスクを製造する方法であって、エアノズルよりエ
アを吹き付けことにより、クリーニングテープをディス
ク表面に接触させてテープクリーニングを行うようにし
た磁気ディスクの製造方法において、該エアノズル先端
とディスク表面との距離を5mm以下とすることを特徴
とする。
製造方法は、ディスク基板上に磁性層及び保護層を順次
成膜した後、ディスク表面をテープクリーニングして磁
気ディスクを製造する方法であって、エアノズルよりエ
アを吹き付けことにより、クリーニングテープをディス
ク表面に接触させてテープクリーニングを行うようにし
た磁気ディスクの製造方法において、該エアノズル先端
とディスク表面との距離を5mm以下とすることを特徴
とする。
【0011】即ち、本発明者らは、テープクリーニング
時における摩耗傷の発生を防止すべく、テープクリーニ
ング条件のうち、エアノズル先端とディスク表面との距
離と、ディスク表面の摩耗傷の発生状況との相関関係を
検討した結果、この距離が小さい方が摩耗傷の発生が少
なく、5mm以下でその発生量は著しく低減され、グラ
イド歩留りも大幅に向上することが判明した。これは、
エアノズル先端とディスク表面との距離を小さくするこ
とにより、ディスクとクリーニングテープとの接触状況
が線接触から面接触となり、保護層表面はより平滑化さ
れることによるものと推定される。
時における摩耗傷の発生を防止すべく、テープクリーニ
ング条件のうち、エアノズル先端とディスク表面との距
離と、ディスク表面の摩耗傷の発生状況との相関関係を
検討した結果、この距離が小さい方が摩耗傷の発生が少
なく、5mm以下でその発生量は著しく低減され、グラ
イド歩留りも大幅に向上することが判明した。これは、
エアノズル先端とディスク表面との距離を小さくするこ
とにより、ディスクとクリーニングテープとの接触状況
が線接触から面接触となり、保護層表面はより平滑化さ
れることによるものと推定される。
【0012】以下に、本発明によるテープクリーニング
時の摩耗傷の発生防止の作用機構を、テープクリーニン
グ時のエアノズル先端とディスク表面との距離と、ディ
スクに対するクリーニングテープの接触状況との関係を
示す図1を参照して説明する。
時の摩耗傷の発生防止の作用機構を、テープクリーニン
グ時のエアノズル先端とディスク表面との距離と、ディ
スクに対するクリーニングテープの接触状況との関係を
示す図1を参照して説明する。
【0013】図1に示す如く、テープクリーニングは、
ローラ4A,4Bに案内されて走行するクリーニングテ
ープ3に、エアノズル2からエアを吹き付け、この吹き
付け圧力により、クリーニングテープ3を回転するディ
スク1の表面に接触させることで実施される。
ローラ4A,4Bに案内されて走行するクリーニングテ
ープ3に、エアノズル2からエアを吹き付け、この吹き
付け圧力により、クリーニングテープ3を回転するディ
スク1の表面に接触させることで実施される。
【0014】このテープクリーニング工程においては、
エアノズル2の先端と、ディスク1の表面との距離Lに
応じて、クリーニングテープ3のディスク1表面への接
触状況は大きく変わる。このとき、ローラ4A、4Bも
ノズルと一緒に移動する。即ち、この距離Lが5mm以
下、例えば、4mmと小さい場合には、図1(a)に示
す如く、エアノズル2のノズル孔2Aから吹き出たエア
により、クリーニングテープ3はディスク1表面に対し
て、比較的広い面積に亘って接触する(面接触)。この
ように、クリーニングテープ3とディスク1とがなめら
かに接触する面接触の状態であれば、ディスク1表面に
摩耗傷を発生させることなく、ディスク1表面の突起を
効率的に除去することができる。
エアノズル2の先端と、ディスク1の表面との距離Lに
応じて、クリーニングテープ3のディスク1表面への接
触状況は大きく変わる。このとき、ローラ4A、4Bも
ノズルと一緒に移動する。即ち、この距離Lが5mm以
下、例えば、4mmと小さい場合には、図1(a)に示
す如く、エアノズル2のノズル孔2Aから吹き出たエア
により、クリーニングテープ3はディスク1表面に対し
て、比較的広い面積に亘って接触する(面接触)。この
ように、クリーニングテープ3とディスク1とがなめら
かに接触する面接触の状態であれば、ディスク1表面に
摩耗傷を発生させることなく、ディスク1表面の突起を
効率的に除去することができる。
【0015】これに対して、距離Lが5mmを超え、例
えば、図1(b)〜(d)に示す如く、6mm,8m
m,10mmというように大きくなると、ディスク1表
面に対するクリーニングテープ3の接触状況は線状とな
り(線接触)、鋭角的な線接触のために、テープクリー
ニング時に摩耗傷が発生するようになる。
えば、図1(b)〜(d)に示す如く、6mm,8m
m,10mmというように大きくなると、ディスク1表
面に対するクリーニングテープ3の接触状況は線状とな
り(線接触)、鋭角的な線接触のために、テープクリー
ニング時に摩耗傷が発生するようになる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に本発明の磁気ディスクの製
造方法の実施の形態を詳細に説明する。
造方法の実施の形態を詳細に説明する。
【0017】本発明において、ディスク基板としては、
サブストレイトと呼ばれて市販されている基板、即ち、
Al−Mg合金基板の表面にNi−Pの無電解メッキの
下地膜を設け、更に当該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ
加工)を施した下地膜形成基板が好適に使用される。そ
の他、銅、チタン、ガラス、セラミック、カーボン、シ
リコン等の材料で構成された基板を使用することもでき
る。通常、基板はディスク形状に加工される。
サブストレイトと呼ばれて市販されている基板、即ち、
Al−Mg合金基板の表面にNi−Pの無電解メッキの
下地膜を設け、更に当該下地膜に鏡面加工(ポリッシュ
加工)を施した下地膜形成基板が好適に使用される。そ
の他、銅、チタン、ガラス、セラミック、カーボン、シ
リコン等の材料で構成された基板を使用することもでき
る。通常、基板はディスク形状に加工される。
【0018】このような基板は、常法に従い、テキスチ
ャー加工などを行った後、使用に供される。テキスチャ
ー加工は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン
(溝)や凹凸を付与するために行われる機械加工であ
る。また、必要に応じ、テキスチャー加工後にバリやカ
エリ等を除去するための仕上げ加工として、化学エッチ
ング又は電解エッチング(電解研磨)処理を行うことも
できる。これらの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッ
ドとの吸着が防止され、コンタクトスタートストップ
(CSS)特性が改善され、磁気異方性が向上する。
ャー加工などを行った後、使用に供される。テキスチャ
ー加工は、下地膜の鏡面に極めて微小な条痕パターン
(溝)や凹凸を付与するために行われる機械加工であ
る。また、必要に応じ、テキスチャー加工後にバリやカ
エリ等を除去するための仕上げ加工として、化学エッチ
ング又は電解エッチング(電解研磨)処理を行うことも
できる。これらの加工により、磁気ディスクと磁気ヘッ
ドとの吸着が防止され、コンタクトスタートストップ
(CSS)特性が改善され、磁気異方性が向上する。
【0019】基板上には、通常、まず、下地層を形成す
る。この下地層は、従来公知の非磁性下地層で良く、例
えば、Cr,Ti,Ni等で形成することができる。な
お、下地層のCr又はTiは、通常、これらの結晶性を
損なわない範囲において、例えば、数原子%の範囲でS
i,V,Cu等を含有する合金であっても良い。本発明
においては、特に、Cr系の下地層が好適である。下地
層の膜厚は、通常50〜2000Åの範囲である。
る。この下地層は、従来公知の非磁性下地層で良く、例
えば、Cr,Ti,Ni等で形成することができる。な
お、下地層のCr又はTiは、通常、これらの結晶性を
損なわない範囲において、例えば、数原子%の範囲でS
i,V,Cu等を含有する合金であっても良い。本発明
においては、特に、Cr系の下地層が好適である。下地
層の膜厚は、通常50〜2000Åの範囲である。
【0020】上記基板の下地層上に形成される磁性層
は、一般に、Co−Cr,Co−Ni,Co−Cr−
X,Co−Ni−X,Co−W−X等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでXとしては、Li,S
i,P,Ca,Ti,V,Cr,Ni,As,Y,Z
r,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Sb,Hf,T
a,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,La,Ce,
Pr,Nd,Pm,Sm,Euよりなる群より選ばれた
1種又は2種以上の元素が用いられる。
は、一般に、Co−Cr,Co−Ni,Co−Cr−
X,Co−Ni−X,Co−W−X等で表わされるコバ
ルト系合金薄膜層である。ここでXとしては、Li,S
i,P,Ca,Ti,V,Cr,Ni,As,Y,Z
r,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Sb,Hf,T
a,W,Re,Os,Ir,Pt,Au,La,Ce,
Pr,Nd,Pm,Sm,Euよりなる群より選ばれた
1種又は2種以上の元素が用いられる。
【0021】磁性層は、通常、スパッタリング等の手段
によって、基板の下地層上に被着形成される。この磁性
層の膜厚は、通常100〜1000Åの範囲が好まし
い。
によって、基板の下地層上に被着形成される。この磁性
層の膜厚は、通常100〜1000Åの範囲が好まし
い。
【0022】この磁性層上に形成される保護層は、炭素
膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、TiC、S
iC等の炭化膜、SiN、TiN等の窒化膜、SiO、
Al2O3、ZrO等の酸化物膜等によって構成され、通
常、スパッタ法等により形成される。保護層としては、
炭素膜、水素化カーボン膜及び窒素化カーボン膜が特に
好ましい。
膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、TiC、S
iC等の炭化膜、SiN、TiN等の窒化膜、SiO、
Al2O3、ZrO等の酸化物膜等によって構成され、通
常、スパッタ法等により形成される。保護層としては、
炭素膜、水素化カーボン膜及び窒素化カーボン膜が特に
好ましい。
【0023】このうち、水素化カーボン膜は、水素と炭
素を含有する膜であればよく、特に限定されるものでは
なく、例えばカーボンターゲットを用いて、スパッタガ
ス(通常は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。)と
水素ガスを含むプラズマ中でスパッタリングする方法に
より形成することができる。スパッタ雰囲気中の水素の
含有量は、通常、2〜20体積%である。
素を含有する膜であればよく、特に限定されるものでは
なく、例えばカーボンターゲットを用いて、スパッタガ
ス(通常は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。)と
水素ガスを含むプラズマ中でスパッタリングする方法に
より形成することができる。スパッタ雰囲気中の水素の
含有量は、通常、2〜20体積%である。
【0024】また、窒素化カーボン膜は、窒素と炭素を
含有する膜であればよく、特に限定されるものではな
く、例えばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス
と窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモ
ニアガスなどの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガ
ス含有ガスを含むプラズマ中でスパッタリングすること
により形成することができる。例えば、窒素含有ガスと
して空気を用いた場合、スパッタ雰囲気中の空気の含有
量は、通常、2〜20体積%である。
含有する膜であればよく、特に限定されるものではな
く、例えばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス
と窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモ
ニアガスなどの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガ
ス含有ガスを含むプラズマ中でスパッタリングすること
により形成することができる。例えば、窒素含有ガスと
して空気を用いた場合、スパッタ雰囲気中の空気の含有
量は、通常、2〜20体積%である。
【0025】また、例えば、スパッタガス中に水素ガス
及び窒素(含有)ガスを同時に混入させることにより、
水素化かつ窒素化したカーボン膜を形成することもでき
る。
及び窒素(含有)ガスを同時に混入させることにより、
水素化かつ窒素化したカーボン膜を形成することもでき
る。
【0026】このようにして形成される保護層の厚さ
は、通常、約50〜1000Å、好ましくは約100〜
600Åの範囲である。
は、通常、約50〜1000Å、好ましくは約100〜
600Åの範囲である。
【0027】保護層形成後に行うテープクリーニング工
程において、クリーニングテープとしては、通常、ポリ
エチレンテレフタレート製、ポリアミド製等のフィルム
上に粒径0.3〜3μmのアルミナ粒子、SiC粒子等
の研磨砥粒を担持した研磨テープが用いられる。例え
ば、日本ミクロコーティング株式会社製の“AWA80
00 FNY”、“AWA8000 NA1−C”等を
用いることができる。
程において、クリーニングテープとしては、通常、ポリ
エチレンテレフタレート製、ポリアミド製等のフィルム
上に粒径0.3〜3μmのアルミナ粒子、SiC粒子等
の研磨砥粒を担持した研磨テープが用いられる。例え
ば、日本ミクロコーティング株式会社製の“AWA80
00 FNY”、“AWA8000 NA1−C”等を
用いることができる。
【0028】本発明に係るテープクリーニングはエア
(空気)をクリーニングテープに吹き付け、このクリー
ニングテープをディスク表面に接触させて行われるが、
本発明においては、このテープクリーニングにおいて、
エア吹付用のエアノズル先端とディスク表面との間の距
離を5mm以下、好ましくは2〜4mmの範囲とする。
このように、エアノズル先端とディスク表面との距離を
小さくすることで、クリーニングテープをディスク表面
に対して線接触ではなく面接触の状態で接触させ、クリ
ーニングテープにより、ディスク表面の突起は除去する
が、そのなめらかな接触によって摩耗傷の発生を防止す
るようにする。
(空気)をクリーニングテープに吹き付け、このクリー
ニングテープをディスク表面に接触させて行われるが、
本発明においては、このテープクリーニングにおいて、
エア吹付用のエアノズル先端とディスク表面との間の距
離を5mm以下、好ましくは2〜4mmの範囲とする。
このように、エアノズル先端とディスク表面との距離を
小さくすることで、クリーニングテープをディスク表面
に対して線接触ではなく面接触の状態で接触させ、クリ
ーニングテープにより、ディスク表面の突起は除去する
が、そのなめらかな接触によって摩耗傷の発生を防止す
るようにする。
【0029】このエアノズル先端とディスク表面との間
の距離が5mmより大きいとディスク表面に対してクリ
ーニングテープが線接触の状態となり、ディスク表面で
の摩耗傷の発生を防止することができない。
の距離が5mmより大きいとディスク表面に対してクリ
ーニングテープが線接触の状態となり、ディスク表面で
の摩耗傷の発生を防止することができない。
【0030】このエアノズル先端とディスク表面との距
離を過度に小さくすることは、装置の設計上困難である
ため、この距離は2mm以上とするのが好ましい。
離を過度に小さくすることは、装置の設計上困難である
ため、この距離は2mm以上とするのが好ましい。
【0031】なお、テープクリーニングにおいて使用さ
れるクリーニングテープ自体の厚さは、通常20〜60
μm程度とごく薄いものであるため、上記の如く、エア
ノズル先端とディスク表面との間の距離を小さくするこ
とに対して、何ら影響を及ぼすものではない。
れるクリーニングテープ自体の厚さは、通常20〜60
μm程度とごく薄いものであるため、上記の如く、エア
ノズル先端とディスク表面との間の距離を小さくするこ
とに対して、何ら影響を及ぼすものではない。
【0032】本発明において、保護層成膜後のテープク
リーニング工程は上述の如く、エアノズル先端とディス
ク表面との間の距離を5mm以下、好ましくは2〜4m
mとすること以外は、従来法と同様に行うことができる
が、その好適なテープクリーニング条件は次の通りであ
る。
リーニング工程は上述の如く、エアノズル先端とディス
ク表面との間の距離を5mm以下、好ましくは2〜4m
mとすること以外は、従来法と同様に行うことができる
が、その好適なテープクリーニング条件は次の通りであ
る。
【0033】 テープ速度 :0.6〜4mm/秒 テープテンション:60〜100g テープ往復 :1回,12mm/秒 ディスク回転数 :1000〜4000rpm 上記テープクリーニング工程の終了後は、常法に従っ
て、保護層の表面に潤滑剤層が設けられる。この潤滑剤
としては、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、通
常、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコー
ト法等により、保護層の表面に形成される。潤滑剤層の
厚さは、通常、約5〜50Åの範囲である。
て、保護層の表面に潤滑剤層が設けられる。この潤滑剤
としては、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、通
常、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコー
ト法等により、保護層の表面に形成される。潤滑剤層の
厚さは、通常、約5〜50Åの範囲である。
【0034】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り以下の実施例により限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り以下の実施例により限定されるものではない。
【0035】実施例1,2、比較例1,2 無電解メッキ法によりNi−Pメッキを10μmの厚み
で施したアルミニウム合金ディスク基板の表面にポリッ
シュ加工を施し、該基板の表面層上に一般的なCr下地
層、Co−Cr−Ta合金からなる磁性層及び炭素質膜
からなる保護層を順次スパッタ法により成膜した。
で施したアルミニウム合金ディスク基板の表面にポリッ
シュ加工を施し、該基板の表面層上に一般的なCr下地
層、Co−Cr−Ta合金からなる磁性層及び炭素質膜
からなる保護層を順次スパッタ法により成膜した。
【0036】次いで、下記条件でテープクリーニングを
行い、その後、フッ素系液体潤滑剤を塗布して磁気ディ
スクを製造した。
行い、その後、フッ素系液体潤滑剤を塗布して磁気ディ
スクを製造した。
【0037】 [テープクリーニング条件] テープの種類 :AWA8000 NA1−C(厚さ30μm) テープ速度(mm/秒):4±0.4 テープテンション(g):80 テープ往復 :1回,720mm/分 ディスク回転数(rpm):2000 ディスク表面とエアノズル先端と距離:表1に示す通り 得られた磁気ディスクについて、摩耗傷の発生状況及び
グライドテストにおける合格率(グライド歩留り)を調
べ、結果を表1に示した。
グライドテストにおける合格率(グライド歩留り)を調
べ、結果を表1に示した。
【0038】
【表1】
【0039】表1より、本発明によれば、テープクリー
ニングにおける摩耗傷の発生を防止して、高品質の磁気
ディスクを歩留り良く製造することができることがわか
る。
ニングにおける摩耗傷の発生を防止して、高品質の磁気
ディスクを歩留り良く製造することができることがわか
る。
【0040】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気ディス
クの製造方法によれば、保護層成膜後のテープクリーニ
ングに当り、摩耗傷の発生を防止した上でディスク表面
の微小な突起を効率的に除去することで、耐久性,信頼
性に優れる高品質磁気ディスクを歩留り良く製造するこ
とができる。
クの製造方法によれば、保護層成膜後のテープクリーニ
ングに当り、摩耗傷の発生を防止した上でディスク表面
の微小な突起を効率的に除去することで、耐久性,信頼
性に優れる高品質磁気ディスクを歩留り良く製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】エアノズル先端とディスク表面との距離と、ク
リーニングテープの接触状況との関係を示す模式的な断
面図である。
リーニングテープの接触状況との関係を示す模式的な断
面図である。
【符号の説明】 1 ディスク 2 エアノズル 3 クリーニングテープ 4A,4B ローラ
Claims (1)
- 【請求項1】 ディスク基板上に磁性層及び保護層を順
次成膜した後、ディスク表面をテープクリーニングして
磁気ディスクを製造する方法であって、 エアノズルよりエアを吹き付けことにより、クリーニン
グテープをディスク表面に接触させてテープクリーニン
グを行うようにした磁気ディスクの製造方法において、 該エアノズル先端とディスク表面との距離を5mm以下
とすることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214098A JPH11250454A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5214098A JPH11250454A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 磁気ディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250454A true JPH11250454A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12906581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5214098A Pending JPH11250454A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250454A (ja) |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP5214098A patent/JPH11250454A/ja active Pending
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