JPH10110256A - カーボンターゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
カーボンターゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH10110256A JPH10110256A JP26449196A JP26449196A JPH10110256A JP H10110256 A JPH10110256 A JP H10110256A JP 26449196 A JP26449196 A JP 26449196A JP 26449196 A JP26449196 A JP 26449196A JP H10110256 A JPH10110256 A JP H10110256A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保護層の成膜工程での異常放電や製品欠陥を
防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り良
く製造する。 【解決手段】 スパッタターゲットとして、表面の電気
抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニング
したカーボンターゲットを用いて保護層を成膜する。 【効果】 カーボンターゲットの表面の電気抵抗値をカ
ーボンターゲットの表面の清浄度の指標とし、電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニングして
スパッタ成膜に用いる。表面の電気抵抗値が１０-1Ω・
ｃｍ以下のカーボンターゲットであれば、長期に亘り異
常放電を引き起こすことなく、製品欠陥のない高品質の
磁気記録媒体を歩留り良く製造することができる。
防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り良
く製造する。 【解決手段】 スパッタターゲットとして、表面の電気
抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニング
したカーボンターゲットを用いて保護層を成膜する。 【効果】 カーボンターゲットの表面の電気抵抗値をカ
ーボンターゲットの表面の清浄度の指標とし、電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニングして
スパッタ成膜に用いる。表面の電気抵抗値が１０-1Ω・
ｃｍ以下のカーボンターゲットであれば、長期に亘り異
常放電を引き起こすことなく、製品欠陥のない高品質の
磁気記録媒体を歩留り良く製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に用いるカーボンターゲットのクリーニング方法及びこ
のカーボンターゲットを用いる磁気記録媒体の製造方法
に係り、特に、炭素質保護層の成膜工程での異常放電や
製品欠陥を減少させるターゲットのクリーニング方法及
び、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り良く製造
する方法に関する。
に用いるカーボンターゲットのクリーニング方法及びこ
のカーボンターゲットを用いる磁気記録媒体の製造方法
に係り、特に、炭素質保護層の成膜工程での異常放電や
製品欠陥を減少させるターゲットのクリーニング方法及
び、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り良く製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
【０００３】従来、磁気記録媒体としては、一般に、ア
ルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキ
等の非磁性メッキ処理を施した後、Ｃｒ等の下地層を形
成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成された磁気ディスクが使用されている。
ルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキ
等の非磁性メッキ処理を施した後、Ｃｒ等の下地層を形
成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成された磁気ディスクが使用されている。
【０００４】このような磁気ディスクにおいては、その
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
【０００５】このように磁気ヘッドの浮上量が著しく小
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
【０００６】ところで、磁気ディスクの保護層は、一般
に、通過式の成膜装置を用い、ディスク状基板をトレイ
に装着して搬送装置によって順次搬送することで形成さ
れている。このような成膜装置では、成膜回数が増加す
るにつれて、成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の
搬送装置にスパッタ成膜時に生成した成膜成分が付着し
て堆積してくる。そして、堆積した成膜成分が絶縁破壊
を起こして異常放電を起こすようになり、スパークを発
し、放電が不安定になる。
に、通過式の成膜装置を用い、ディスク状基板をトレイ
に装着して搬送装置によって順次搬送することで形成さ
れている。このような成膜装置では、成膜回数が増加す
るにつれて、成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の
搬送装置にスパッタ成膜時に生成した成膜成分が付着し
て堆積してくる。そして、堆積した成膜成分が絶縁破壊
を起こして異常放電を起こすようになり、スパークを発
し、放電が不安定になる。
【０００７】また、この堆積物が絶縁破壊を起こす際
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部に付着して欠陥（異常突起）を増
加させる原因となる。更に、堆積物が剥離して飛散し、
これが基板側の成膜部に付着することによっても欠陥が
発生する。
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部に付着して欠陥（異常突起）を増
加させる原因となる。更に、堆積物が剥離して飛散し、
これが基板側の成膜部に付着することによっても欠陥が
発生する。
【０００８】従って、従来の方法においては、スパッタ
成膜時に異常放電が増加してきた場合や、製品欠陥の発
生率が高くなってきた場合には、成膜装置内の非スパッ
タ領域やトレイ等の搬送装置に付着した絶縁性の堆積物
を定期的に除去する必要がある。
成膜時に異常放電が増加してきた場合や、製品欠陥の発
生率が高くなってきた場合には、成膜装置内の非スパッ
タ領域やトレイ等の搬送装置に付着した絶縁性の堆積物
を定期的に除去する必要がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物を除去しても、異常放電や製
品欠陥が十分に改善されない場合がある。
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物を除去しても、異常放電や製
品欠陥が十分に改善されない場合がある。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、保護
層の成膜工程での異常放電や製品欠陥を防止するカーボ
ンターゲットのクリーニング方法及び、このカーボンタ
ーゲットを用いて欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩
留り良く製造する方法を提供することを目的とする。
層の成膜工程での異常放電や製品欠陥を防止するカーボ
ンターゲットのクリーニング方法及び、このカーボンタ
ーゲットを用いて欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩
留り良く製造する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のカーボンターゲ
ットのクリーニング方法は、スパッタリング装置に用い
るカーボンターゲットのクリーニング方法であって、該
ターゲットの表面における体積抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ
以下となるようクリーニングすることを特徴とする。
ットのクリーニング方法は、スパッタリング装置に用い
るカーボンターゲットのクリーニング方法であって、該
ターゲットの表面における体積抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ
以下となるようクリーニングすることを特徴とする。
【００１２】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板
上に磁性層を形成した後、カーボンターゲットを用いた
スパッタ法で保護層を形成して磁気記録媒体を製造する
方法において、該カーボンターゲットとして表面の電気
抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のものを用いることを特徴
とする。
上に磁性層を形成した後、カーボンターゲットを用いた
スパッタ法で保護層を形成して磁気記録媒体を製造する
方法において、該カーボンターゲットとして表面の電気
抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のものを用いることを特徴
とする。
【００１３】本発明者らは、保護層の成膜工程における
異常放電や製品欠陥の原因について検討を行った結果、
スパッタ法による保護層の形成に用いるカーボンターゲ
ットの非エロージョン部表面に付着堆積した成膜成分が
これらの原因となっていることを見出した。
異常放電や製品欠陥の原因について検討を行った結果、
スパッタ法による保護層の形成に用いるカーボンターゲ
ットの非エロージョン部表面に付着堆積した成膜成分が
これらの原因となっていることを見出した。
【００１４】即ち、カーボンターゲットの非エロージョ
ン部表面に付着、堆積した成膜成分が絶縁破壊を起こし
て異常放電を引き起こし、また、この成膜成分が剥離し
て基板上にパーティクルとして付着することで製品欠陥
が発生している。
ン部表面に付着、堆積した成膜成分が絶縁破壊を起こし
て異常放電を引き起こし、また、この成膜成分が剥離し
て基板上にパーティクルとして付着することで製品欠陥
が発生している。
【００１５】従って、カーボンターゲットの表面に付
着、堆積した成膜成分は適当な方法でクリーニング処理
することによって定期的に除去する必要がある。
着、堆積した成膜成分は適当な方法でクリーニング処理
することによって定期的に除去する必要がある。
【００１６】しかしながら、カーボンターゲットの表面
をクリーニングする場合、現状では、カーボンターゲッ
トの表面に付着、堆積した成膜成分が十分に除去され、
異常放電や製品欠陥を引き起こすことがない高清浄な表
面とされたか否かを確認する手段はない。目視によるも
のでは正確な判断を行えず、クリーニング後スパッタ成
膜に供した場合、早期に異常放電を起こしたり製品欠陥
が発生したりするために、再度表面処理を施す必要が生
じる場合がある。一方、カーボンターゲットのクリーニ
ングを必要以上に行うことは、カーボンターゲットの無
駄を生じコスト高騰を招く。
をクリーニングする場合、現状では、カーボンターゲッ
トの表面に付着、堆積した成膜成分が十分に除去され、
異常放電や製品欠陥を引き起こすことがない高清浄な表
面とされたか否かを確認する手段はない。目視によるも
のでは正確な判断を行えず、クリーニング後スパッタ成
膜に供した場合、早期に異常放電を起こしたり製品欠陥
が発生したりするために、再度表面処理を施す必要が生
じる場合がある。一方、カーボンターゲットのクリーニ
ングを必要以上に行うことは、カーボンターゲットの無
駄を生じコスト高騰を招く。
【００１７】本発明においては、カーボンターゲットの
表面の電気抵抗値をカーボンターゲットの表面の清浄度
の指標とし、電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるよ
うにクリーニングし、この状態でスパッタ成膜に用い
る。表面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のカーボン
ターゲットであれば、長期に亘り異常放電を引き起こす
ことなく、また、製品欠陥のない高品質の磁気記録媒体
を歩留り良く製造することができる。また、このように
カーボンターゲットの表面の清浄度を電気抵抗値により
定量的に評価することが可能となることで、カーボンタ
ーゲットのクリーニングを効率良く、かつ、確実に行う
ことができるようになる。
表面の電気抵抗値をカーボンターゲットの表面の清浄度
の指標とし、電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるよ
うにクリーニングし、この状態でスパッタ成膜に用い
る。表面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のカーボン
ターゲットであれば、長期に亘り異常放電を引き起こす
ことなく、また、製品欠陥のない高品質の磁気記録媒体
を歩留り良く製造することができる。また、このように
カーボンターゲットの表面の清浄度を電気抵抗値により
定量的に評価することが可能となることで、カーボンタ
ーゲットのクリーニングを効率良く、かつ、確実に行う
ことができるようになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１９】本発明における磁気記録媒体の基板として
は、一般に、アルミニウム合金からなるディスク状基板
が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を所定の厚
さに加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金
属、例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の
下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜
厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチ
ャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形
成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板と
の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁
気異方性が良好となる。
は、一般に、アルミニウム合金からなるディスク状基板
が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を所定の厚
さに加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金
属、例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の
下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜
厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチ
ャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形
成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板と
の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁
気異方性が良好となる。
【００２０】次いで、上記基板上に第２次下地層として
Ｃｒ層をスパッタリングにより形成した後、磁性層及び
保護層を順次形成する。該Ｃｒ下地層の膜厚は通常５０
〜２０００Åの範囲である。
Ｃｒ層をスパッタリングにより形成した後、磁性層及び
保護層を順次形成する。該Ｃｒ下地層の膜厚は通常５０
〜２０００Åの範囲である。
【００２１】このような基板のＣｒ下地層上に形成され
る磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされる
Ｃｏ系合金の磁性金属薄膜層が好適である。ここでＸと
してはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａ
ｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌ
ａ、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕよりなる群
から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられる。
る磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等で表わされる
Ｃｏ系合金の磁性金属薄膜層が好適である。ここでＸと
してはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａ
ｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌ
ａ、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕよりなる群
から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられる。
【００２２】このようなＣｏ系合金からなる磁性層は、
通常、スパッタ法等によって基板の下地層上に被着形成
される。該磁性層の膜厚は通常２００〜２５００Åの範
囲とされる。
通常、スパッタ法等によって基板の下地層上に被着形成
される。該磁性層の膜厚は通常２００〜２５００Åの範
囲とされる。
【００２３】本発明において、保護層は、カーボンター
ゲットを用いるスパッタ法で形成される。従って、保護
層は炭素質のもの、特に、炭素膜、水素化カーボン膜、
窒素化カーボン膜が好ましく、その厚さは通常約５０〜
１０００Å、好ましくは約１００〜６００Åの範囲であ
る。
ゲットを用いるスパッタ法で形成される。従って、保護
層は炭素質のもの、特に、炭素膜、水素化カーボン膜、
窒素化カーボン膜が好ましく、その厚さは通常約５０〜
１０００Å、好ましくは約１００〜６００Åの範囲であ
る。
【００２４】本発明においては、このような保護層をス
パッタ法で成膜するに先立ち、カーボンターゲットをそ
の表面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるように
クリーニングし、このようにクリーニングしたカーボン
ターゲットを使用する。カーボンターゲットの電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍを超えると、異常放電や製品欠陥を
引き起こし易い。
パッタ法で成膜するに先立ち、カーボンターゲットをそ
の表面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるように
クリーニングし、このようにクリーニングしたカーボン
ターゲットを使用する。カーボンターゲットの電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍを超えると、異常放電や製品欠陥を
引き起こし易い。
【００２５】従って、本発明においては、使用済（使用
中）の、非エロージョン部に成膜成分が付着、堆積した
カーボンターゲットのみならず、必要に応じて未使用の
新品のカーボンターゲットについても、表面の電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニングを行
う。このクリーニング法としては特に制限はないが、短
時間に表面のクリーニングが可能でしかも発塵のないこ
とが必要とされ、例えば、集塵装置付きのエアサンダー
等を用いて行うのが好ましい。
中）の、非エロージョン部に成膜成分が付着、堆積した
カーボンターゲットのみならず、必要に応じて未使用の
新品のカーボンターゲットについても、表面の電気抵抗
値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるようにクリーニングを行
う。このクリーニング法としては特に制限はないが、短
時間に表面のクリーニングが可能でしかも発塵のないこ
とが必要とされ、例えば、集塵装置付きのエアサンダー
等を用いて行うのが好ましい。
【００２６】クリーニング後、カーボンターゲットの表
面の電気抵抗値を測定し、１０-1Ω・ｃｍ以下であるこ
とを確認した後、保護層のスパッタ成膜に供する。
面の電気抵抗値を測定し、１０-1Ω・ｃｍ以下であるこ
とを確認した後、保護層のスパッタ成膜に供する。
【００２７】なお、カーボンターゲットの表面の電気抵
抗値は、テスターにより測定することができる。
抗値は、テスターにより測定することができる。
【００２８】本発明において、保護層形成後は、常法に
従ってテープクリーニングを行い、このテープクリーニ
ング工程の終了後は、通常の場合、保護層の表面に潤滑
剤層を設けて製品とされる。この場合、潤滑剤として
は、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層
は、通常、ディップコート法、スピンコート法、スプレ
ーコート法等により保護層上に約１５〜５０Åの厚さに
形成される。
従ってテープクリーニングを行い、このテープクリーニ
ング工程の終了後は、通常の場合、保護層の表面に潤滑
剤層を設けて製品とされる。この場合、潤滑剤として
は、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層
は、通常、ディップコート法、スピンコート法、スプレ
ーコート法等により保護層上に約１５〜５０Åの厚さに
形成される。
【００２９】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３０】実施例１ 通過式成膜装置を用いて、基板ホルダーにテクスチャ加
工を施したディスク状基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアル
ミニウム合金基板）を装着し、スパッタ室に搬送して順
次Ｃｒ下地層、Ｃｏ系磁性層及び水素化カーボン膜の保
護層を成膜して磁気記録媒体を製造した。水素化カーボ
ン膜の成膜条件は成膜圧力４ｍＴｏｒｒ、水素／アルゴ
ン混合比＝１／１０（体積比）の割合とした。
工を施したディスク状基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアル
ミニウム合金基板）を装着し、スパッタ室に搬送して順
次Ｃｒ下地層、Ｃｏ系磁性層及び水素化カーボン膜の保
護層を成膜して磁気記録媒体を製造した。水素化カーボ
ン膜の成膜条件は成膜圧力４ｍＴｏｒｒ、水素／アルゴ
ン混合比＝１／１０（体積比）の割合とした。
【００３１】運転の継続により異常放電が徐々に増加
し、エラー個数比（成膜ＳＴＡＲＴ時に対するエラー個
数）も増加したため、運転を停止し、カーボンターゲッ
トを取り出し、集塵装置付きのエアサンダー（日東工器
株式会社製「オービルタルマイトン（登録商標）ＯＭＶ
−１２５Ａ）で表面のクリーニングを行った。この際、
表面の電気抵抗値をテスターで測定し、電気抵抗値が１
０-1Ω・ｃｍ以下となるまでクリーニングを行った。
し、エラー個数比（成膜ＳＴＡＲＴ時に対するエラー個
数）も増加したため、運転を停止し、カーボンターゲッ
トを取り出し、集塵装置付きのエアサンダー（日東工器
株式会社製「オービルタルマイトン（登録商標）ＯＭＶ
−１２５Ａ）で表面のクリーニングを行った。この際、
表面の電気抵抗値をテスターで測定し、電気抵抗値が１
０-1Ω・ｃｍ以下となるまでクリーニングを行った。
【００３２】クリーニング後のカーボンターゲットを再
びセットして、運転を再開した。このときの異常放電の
発生状況は図１に示す通りであった。また、運転再開後
５０時間のエラー個数比の平均値は２．１個となった。
びセットして、運転を再開した。このときの異常放電の
発生状況は図１に示す通りであった。また、運転再開後
５０時間のエラー個数比の平均値は２．１個となった。
【００３３】比較例１ 実施例１において、カーボンターゲットのクリーニング
をカーボンターゲットの表面の電気抵抗値が１０-1Ω・
ｃｍを超える値で止めたこと以外は同様にして行ったと
ころ、運転再開後の異常放電の発生状況は図１に示す通
りであった。また、運転再開後３０時間のエラー個数比
の平均値は５．３個であった。
をカーボンターゲットの表面の電気抵抗値が１０-1Ω・
ｃｍを超える値で止めたこと以外は同様にして行ったと
ころ、運転再開後の異常放電の発生状況は図１に示す通
りであった。また、運転再開後３０時間のエラー個数比
の平均値は５．３個であった。
【００３４】上記実施例１の結果と比較例１の結果か
ら、保護層のスパッタ成膜に当り、本発明に従って、表
面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のカーボンターゲ
ットを用いることにより、長時間異常放電を引き起こす
ことなく、エラーの少ない高品質の磁気記録媒体を歩留
良く製造することができることがわかる。
ら、保護層のスパッタ成膜に当り、本発明に従って、表
面の電気抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下のカーボンターゲ
ットを用いることにより、長時間異常放電を引き起こす
ことなく、エラーの少ない高品質の磁気記録媒体を歩留
良く製造することができることがわかる。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のカーボンタ
ーゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方
法によれば、保護層の成膜工程での異常放電や製品欠陥
を防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り
良く製造することができる。
ーゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方
法によれば、保護層の成膜工程での異常放電や製品欠陥
を防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩留り
良く製造することができる。
【図１】実施例１及び比較例１における異常放電の発生
状況を示すグラフである。
状況を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタリング装置に用いるカーボンタ
ーゲットのクリーニング方法であって、該ターゲットの
表面における体積抵抗値が１０-1Ω・ｃｍ以下となるよ
うクリーニングすることを特徴とするカーボンターゲッ
トのクリーニング方法。 - 【請求項２】 基板上に磁性層を形成した後、カーボン
ターゲットを用いたスパッタ法で保護層を形成して磁気
記録媒体を製造する方法において、 該カーボンターゲットとして表面の電気抵抗値が１０-1
Ω・ｃｍ以下のものを用いることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26449196A JPH10110256A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | カーボンターゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26449196A JPH10110256A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | カーボンターゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10110256A true JPH10110256A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17403984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26449196A Pending JPH10110256A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | カーボンターゲットのクリーニング方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10110256A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009035933A3 (en) * | 2007-09-12 | 2009-07-02 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP26449196A patent/JPH10110256A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009035933A3 (en) * | 2007-09-12 | 2009-07-02 | Honeywell Int Inc | Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof |
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Legal Events
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