JPH118194A5 - - Google Patents

Description

さらに、表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光し、現像後に前記レジスト上に形成された前記マスクパターンを検出する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価するリソグラフィシステムにおいて、基板を載置し、投影光学系と基板との間隔方向の位置を調整するとともに、基板を２次元移動する基板ステージと；基板上の異なる複数の部分領域の各々に、露光基準面と基板との間隔を変えながら所定のパターンを露光するように基板ステージを制御するとともに、複数の部分領域の各々において、所定のパターンのレジスト像が現像により消失するエネルギーまで露光エネルギーを変化させる制御系と；複数の部分領域内のレジスト像を検出する検出系と；検出系の検出結果に基づいて、レジスト像が消失するエネルギーを部分領域毎に検出するとともに、該消失するエネルギーに基づいて投影光学系の結像特性を算出することとした。また、表面にレジストを塗布した基板を投影光学系の露光基準面に配置し、該基板に所定のエネルギー量でパターンを露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、その投影光学系と基板との間隔を変えるとともに、所定のパターンのレジスト像が現像により消失する露光エネルギー量を超えるまで露光エネルギー量を変えながら、所定のパターンを基板上に順次露光し、その間隔とその露光エネルギー量との組み合わせがそれぞれ異なる複数の部分領域を基板上に形成するステップと、現像後に、各部分領域における前記レジスト像の有無を検出するステップと、レジスト像が消失している部分領域に対応する露光エネルギー量を、その間隔毎に特定するステップと、その間隔と、該間隔毎に特定された露光エネルギー量とに基づいて、露光基準面に対応する間隔を求めるステップとを備えることとした。

Claims (15)

1. 表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えるとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させながら前記所定のパターンを露光することを特徴とする露光条件測定方法。
2. 変化させた前記露光エネルギーを逐次記憶することを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
3. 現像後の前記レジスト像の有無に基づいて、前記レジスト像が消失する露光エネルギーを求めることを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の方法。
4. 前記露光基準面と前記基板との間隔方向における各位置にて、前記消失する露光エネルギーを求めることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
5. 前記消失する露光エネルギーに基づいて、前記レジスト像のコントラストに対応する値を求めることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
6. 前記消失する露光エネルギーを所定の基準露光エネルギーで規格化し、前記コントラストに対応する値を求めることを特徴とする請求項第５項に記載の方法。
7. 前記コントラストに基づいて、前記露光装置の最良結像面を求めることを特徴とする請求項第５項または請求項第６項に記載の方法。
8. 前記露光装置内に設けられた検出装置により前記レジスト像を検出することを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
9. 前記検出装置の検出結果に基づいて、前記レジスト像の消失の有無を判定することを特徴とする請求項第８項に記載の方法。
10. 表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価する方法において、前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えるとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させながら前記所定のパターンを露光し、前記レジスト像が消失する露光エネルギーに基づいて前記投影光学系を評価することを特徴する投影光学系の評価方法。
11. 表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光し、現像後に前記レジスト上に形成された前記マスクパターンを検出する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価するリソグラフイシステムにおいて、前記基板を載置し、前記投影光学系と前記基板との間隔方向の位置を調整するとともに、前記基板を２次元移動する基板ステ-ジと；前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えながら所定のパターンを露光するように前記基板ステ-ジを制御するとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させる制御系と；前記複数の部分領域内の前記レジスト像を検出する検出系と； 前記検出系の検出結果に基づいて、前記レジスト像が消失するエネルギーを前記部分領域毎に検出するとともに、該消失するエネルギーに基づいて前記投影光学系の結像特性を算出することを特徴するリソグラフイシステム
12. 表面にレジストを塗布した基板を投影光学系の露光基準面に配置し、該基板に所定のエネルギー量でパターンを露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、
    前記投影光学系と前記基板との間隔を変えるとともに、所定のパターンのレジスト像が現像により消失する露光エネルギー量を超えるまで露光エネルギー量を変えながら、前記所定のパターンを前記基板上に順次露光し、前記間隔と前記露光エネルギー量との組み合わせがそれぞれ異なる複数の部分領域を前記基板上に形成するステップと、
    現像後に、前記各部分領域における前記レジスト像の有無を検出するステップと、
    前記レジスト像が消失している前記部分領域に対応する露光エネルギー量を、前記間隔毎に特定するステップと、
    前記間隔と、該間隔毎に特定された前記露光エネルギー量とに基づいて、前記露光基準面に対応する前記間隔を求めるステップとを備える露光条件測定方法。
13. 前記所定パターンが現像により消失する露光エネルギー量は、レジストが現像液に溶解する露光強度の略２倍の露光エネルギー量である請求項１２記載の露光条件測定方法。
14. 前記露光装置の備えるレジスト像検出装置を用いて前記レジスト像の有無を検出する請求項１２または１３に記載の露光条件測定方法。
15. 前記レジスト像検出装置は、撮像素子を用いて前記レジスト像を検出することを特徴とする請求項１４記載の露光条件測定方法。