JPH11233747A - Ｍｏｓイメージセンサ - Google Patents
ＭｏｓイメージセンサInfo
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- JPH11233747A JPH11233747A JP10031402A JP3140298A JPH11233747A JP H11233747 A JPH11233747 A JP H11233747A JP 10031402 A JP10031402 A JP 10031402A JP 3140298 A JP3140298 A JP 3140298A JP H11233747 A JPH11233747 A JP H11233747A
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- impurity concentration
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度の増加と混色の抑制を同時に実現したＭ
ＯＳイメージセンサを提供すること。 【解決手段】 半導体基板上に光電変換部と信号走査回
路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる撮像領
域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号
線とからなり、前記半導体基板は、信号電荷と逆の導電
型を有し、かつ層状に形成された第１、第２および第３
の導電領域(41,42,43)を有し、前記第３の導電領域上に
前記光電変換部(44)が配置されており、隣接する前記光
電変換部の間には第４の導電領域(21)が設けられ、前記
第２の導電領域(42)の不純物濃度が前記第１導電領域(4
1)の不純物濃度より小であり、前記第３の導電領域の不
純物濃度(43)が前記第４導電領域(21)の不純物濃度より
小さい。
ＯＳイメージセンサを提供すること。 【解決手段】 半導体基板上に光電変換部と信号走査回
路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる撮像領
域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号
線とからなり、前記半導体基板は、信号電荷と逆の導電
型を有し、かつ層状に形成された第１、第２および第３
の導電領域(41,42,43)を有し、前記第３の導電領域上に
前記光電変換部(44)が配置されており、隣接する前記光
電変換部の間には第４の導電領域(21)が設けられ、前記
第２の導電領域(42)の不純物濃度が前記第１導電領域(4
1)の不純物濃度より小であり、前記第３の導電領域の不
純物濃度(43)が前記第４導電領域(21)の不純物濃度より
小さい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電変換効果を用い
て２次元画像を得るＭＯＳ型イメージセンサに関する。
て２次元画像を得るＭＯＳ型イメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を図面を参照して説明する。図
３は、増幅型ＭＯＳイメージセンサと呼ばれる固体撮像
素子の回路図の一例を示す図である。図３において、ホ
トダイオード１−１−１、１−１−２、…、１−３−３
の信号を読み出す増幅トランジスタ２−１−１、２−１
−２、…、２−３−３と、信号を読み出すラインを選択
する垂直選択トランジスタ３−１−１、３−１−２、
…、３−３−３と、信号電荷をリセットするリセットト
ランジスタ４−１−１、４−１−２、…、４−３−３と
からなる単位セル３×３が二次元状に配列されている。
実際のセンサではこれより多くの単位セルが配列されて
いる。
３は、増幅型ＭＯＳイメージセンサと呼ばれる固体撮像
素子の回路図の一例を示す図である。図３において、ホ
トダイオード１−１−１、１−１−２、…、１−３−３
の信号を読み出す増幅トランジスタ２−１−１、２−１
−２、…、２−３−３と、信号を読み出すラインを選択
する垂直選択トランジスタ３−１−１、３−１−２、
…、３−３−３と、信号電荷をリセットするリセットト
ランジスタ４−１−１、４−１−２、…、４−３−３と
からなる単位セル３×３が二次元状に配列されている。
実際のセンサではこれより多くの単位セルが配列されて
いる。
【０００３】垂直シフトレジスタ５から水平方向に配線
されている水平アドレス線６−１、…、６−３は垂直選
択トランジスタのゲートに接続され、信号を読み出すラ
インを決めている。リセット線７−１、…、７−３はリ
セットトランジスタ４−１−１、…、４−３−３のゲー
トに接続されている。増幅トランジスタ２−１−１、
…、２−３−３のソースは垂直信号線８−１、…、８−
３に接続されている。なお、垂直信号線８−１、…、８
−３の一端にはそれぞれ負荷トランジスタ９−１、…、
９−３が設けられている。垂直信号線８−１、…、８−
３の他端は、水平シフトレジスタ１０から供給される選
択パルスにより選択される水平選択トランジスタ１９−
１、…、１９−３を介して水平信号線１１に接続されて
いる。
されている水平アドレス線６−１、…、６−３は垂直選
択トランジスタのゲートに接続され、信号を読み出すラ
インを決めている。リセット線７−１、…、７−３はリ
セットトランジスタ４−１−１、…、４−３−３のゲー
トに接続されている。増幅トランジスタ２−１−１、
…、２−３−３のソースは垂直信号線８−１、…、８−
３に接続されている。なお、垂直信号線８−１、…、８
−３の一端にはそれぞれ負荷トランジスタ９−１、…、
９−３が設けられている。垂直信号線８−１、…、８−
３の他端は、水平シフトレジスタ１０から供給される選
択パルスにより選択される水平選択トランジスタ１９−
１、…、１９−３を介して水平信号線１１に接続されて
いる。
【０００４】図４は、従来のＭＯＳイメージセンサの断
面図である。図４において、従来のＭＯＳイメージセン
サは、第１の導電領域（ｐ++）４１と、第２の導電領域
（ｐ+）４２と、第３の導電領域（ｐ）４３と、からな
る半導体基板と、Ｐ−Ｎ接合型光電変換部（ホトダイオ
ード）４４−１、４４−２、４４−３とからなる。な
お、この例では信号電荷は電子である。
面図である。図４において、従来のＭＯＳイメージセン
サは、第１の導電領域（ｐ++）４１と、第２の導電領域
（ｐ+）４２と、第３の導電領域（ｐ）４３と、からな
る半導体基板と、Ｐ−Ｎ接合型光電変換部（ホトダイオ
ード）４４−１、４４−２、４４−３とからなる。な
お、この例では信号電荷は電子である。
【０００５】ホトダイオード４４−２領域のみに信号光
が入射した場合を考える。前記ホトダイオード４４−２
下の第３の導電領域で発生した信号電荷ｅ-は、領域４
２と領域４３境界の濃度勾配によって押し戻され（例え
ば、経路４５で示す）、一部、前記ホトダイオード４４
−２に収集される。しかし、例えば、経路４６−１、４
６−２に示すように、隣接ホトダイオードに向かって横
方向に拡散して逃げていく信号電荷や、経路４７−１、
４７−２に示すように、領域４２と領域４３境界の濃度
勾配によって押し戻された後に、前記ホトダイオード４
４−２の方向ではなく、その横の隣接ホトダイオード
（例えば、ホトダイオード４４−１、４４−３）方向に
拡散する信号電荷も存在する。その結果、信号電荷が当
該ホトダイオード４４−２に十分集められないために十
分な感度が得られないと同時に、隣接ホトダイオード４
４−１、４４−３に信号電荷が一部漏れ込みやすいので
混色が生じるという問題があった。
が入射した場合を考える。前記ホトダイオード４４−２
下の第３の導電領域で発生した信号電荷ｅ-は、領域４
２と領域４３境界の濃度勾配によって押し戻され（例え
ば、経路４５で示す）、一部、前記ホトダイオード４４
−２に収集される。しかし、例えば、経路４６−１、４
６−２に示すように、隣接ホトダイオードに向かって横
方向に拡散して逃げていく信号電荷や、経路４７−１、
４７−２に示すように、領域４２と領域４３境界の濃度
勾配によって押し戻された後に、前記ホトダイオード４
４−２の方向ではなく、その横の隣接ホトダイオード
（例えば、ホトダイオード４４−１、４４−３）方向に
拡散する信号電荷も存在する。その結果、信号電荷が当
該ホトダイオード４４−２に十分集められないために十
分な感度が得られないと同時に、隣接ホトダイオード４
４−１、４４−３に信号電荷が一部漏れ込みやすいので
混色が生じるという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
ＭＯＳイメージセンサでは十分な感度が得られないと同
時に混色が生じるという問題があった。本発明は、上記
事情を考慮してなされたものであり、その目的とすると
ころは隣接ホトダイオードヘの信号電荷の拡散を防止し
て最大限の信号電荷を信号光が入射したホトダイオード
に集めることにより、することにある。
ＭＯＳイメージセンサでは十分な感度が得られないと同
時に混色が生じるという問題があった。本発明は、上記
事情を考慮してなされたものであり、その目的とすると
ころは隣接ホトダイオードヘの信号電荷の拡散を防止し
て最大限の信号電荷を信号光が入射したホトダイオード
に集めることにより、することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために次のような手段を講じた。本発明のＭＯ
Ｓイメージセンサは、半導体基板上に光電変換部と信号
走査回路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる
撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出
す信号線とからなるＭＯＳイメージセンサであって、前
記半導体基板は、信号電荷と逆の導電型を有し、かつ層
状に形成された第１、第２および第３の導電領域を有
し、前記第３の導電領域上に前記光電変換部が配置され
ており、隣接する前記光電変換部の間には第４の導電領
域が設けられ、前記第２の導電領域の不純物濃度が前記
第１導電領域の不純物濃度より小であり、前記第３の導
電領域の不純物濃度が前記第４導電領域の不純物濃度よ
り小さいことを特徴とする。
解決するために次のような手段を講じた。本発明のＭＯ
Ｓイメージセンサは、半導体基板上に光電変換部と信号
走査回路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる
撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出
す信号線とからなるＭＯＳイメージセンサであって、前
記半導体基板は、信号電荷と逆の導電型を有し、かつ層
状に形成された第１、第２および第３の導電領域を有
し、前記第３の導電領域上に前記光電変換部が配置され
ており、隣接する前記光電変換部の間には第４の導電領
域が設けられ、前記第２の導電領域の不純物濃度が前記
第１導電領域の不純物濃度より小であり、前記第３の導
電領域の不純物濃度が前記第４導電領域の不純物濃度よ
り小さいことを特徴とする。
【０００８】上記の構成により、隣接ホトダイオードに
向かって拡散した信号電荷は、第３の導電領域と第４の
導電領域の不純物濃度勾配によって押し戻されて、当該
ホトダイオードに再収集される。
向かって拡散した信号電荷は、第３の導電領域と第４の
導電領域の不純物濃度勾配によって押し戻されて、当該
ホトダイオードに再収集される。
【０００９】本発明の他のＭＯＳイメージセンサは、上
記の構成に加え、前記第２の導電領域と前記第３の導電
領域の接触部に第５の導電領域が設けられており、前記
第５の導電領域の不純物濃度が前記第２の導電領域より
小さいことを特徴とする。
記の構成に加え、前記第２の導電領域と前記第３の導電
領域の接触部に第５の導電領域が設けられており、前記
第５の導電領域の不純物濃度が前記第２の導電領域より
小さいことを特徴とする。
【００１０】本構成により、上記の効果に加え、基板下
部方向に拡散する信号電荷を前記第５の導電領域内の不
純物濃度勾配により当該ホトダイオードに向かって押し
戻すことができる。
部方向に拡散する信号電荷を前記第５の導電領域内の不
純物濃度勾配により当該ホトダイオードに向かって押し
戻すことができる。
【００１１】本発明の好ましい実施態様は以下の通りで
ある。 （１） 前記第４の導電領域が前記第２の導電領域と接
していること。本構成によれば、横方向に拡散する信号
電荷を押し戻す効果はさらに増す。
ある。 （１） 前記第４の導電領域が前記第２の導電領域と接
していること。本構成によれば、横方向に拡散する信号
電荷を押し戻す効果はさらに増す。
【００１２】（２）前記第２の導電領域における不純物
濃度が、第３の導電領域に向かって次第に小さくなって
いること。本構成によれば、当該ホトダイオード下部方
向に拡散した信号電荷を一種の凹面鏡効果によって当該
ホトダイードにほぼすべて再収集することができる。
‘上記したように、本発明によれば、感度増加と混色抑
制を同時に実現できるＭＯＳイメージセンサを提供する
ことができる。
濃度が、第３の導電領域に向かって次第に小さくなって
いること。本構成によれば、当該ホトダイオード下部方
向に拡散した信号電荷を一種の凹面鏡効果によって当該
ホトダイードにほぼすべて再収集することができる。
‘上記したように、本発明によれば、感度増加と混色抑
制を同時に実現できるＭＯＳイメージセンサを提供する
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明の実施の形
態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る
ＭＯＳイメージセンサの断面図である。なお、図４と同
じ部分には同じ符号を付してある。
態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る
ＭＯＳイメージセンサの断面図である。なお、図４と同
じ部分には同じ符号を付してある。
【００１４】図１において、第１の導電領域（ｐ++）４
１と、第２の導電領域（ｐ+）４２と、第３の導電領域
（ｐ）４３と、からなる半導体基板と、Ｐ−Ｎ接合型光
電変換部（ホトダイオード）４４−１、４４−２、４４
−３とからなる。なお、この例では信号電荷は電子であ
る。
１と、第２の導電領域（ｐ+）４２と、第３の導電領域
（ｐ）４３と、からなる半導体基板と、Ｐ−Ｎ接合型光
電変換部（ホトダイオード）４４−１、４４−２、４４
−３とからなる。なお、この例では信号電荷は電子であ
る。
【００１５】本発明では、上記の構成に加えて、各ホト
ダイオード４４−１、４４−２、４４−３の間にそれぞ
れ例えばＬＯＣＯＳ法で形成された素子分離膜２２−
１、２２−２を有し、その下に、第４の導電領域
（ｐ+）２１−１、２１−２が形成されている。
ダイオード４４−１、４４−２、４４−３の間にそれぞ
れ例えばＬＯＣＯＳ法で形成された素子分離膜２２−
１、２２−２を有し、その下に、第４の導電領域
（ｐ+）２１−１、２１−２が形成されている。
【００１６】第３の導電領域（ｐ）４３の不純物濃度
は、前記第４の導電領域２１−１及び２１−２の不純物
濃度よりも小さくなっている。なお、第２の導電領域４
２と第３の導電領域４３の不純物濃度の大小関係は任意
である。また、第４の導電領域２１−１、２１−２は第
２の導電領域４２と接して形成されている。なお、第４
の導電領域２１−１、２１−２は通常のイオン注入法
（Ｐ型領域の場合は例えばＢ）により形成すればよい。
は、前記第４の導電領域２１−１及び２１−２の不純物
濃度よりも小さくなっている。なお、第２の導電領域４
２と第３の導電領域４３の不純物濃度の大小関係は任意
である。また、第４の導電領域２１−１、２１−２は第
２の導電領域４２と接して形成されている。なお、第４
の導電領域２１−１、２１−２は通常のイオン注入法
（Ｐ型領域の場合は例えばＢ）により形成すればよい。
【００１７】上記のように構成した場合に、ホトダイオ
ード４４−２に信号光が入射した場合を考慮する。ホト
ダイオード４４−２に入射した信号光により発生した信
号電荷ｅ-は、従来と同様に、ホトダイオード４４−２
に入射するのみではなく、隣接するホトダイオード４４
−１、４−４−３方向にも進行する。しかし、隣接する
ホトダイオード４４−１、４４−３の方向に進んだ信号
電荷ｅ-は、第４の導電領域２１−１、２１−２及び素
子分離膜２２−１、２２−２により押し戻されて、最終
的にホトダイオード４４−２に捕獲される。
ード４４−２に信号光が入射した場合を考慮する。ホト
ダイオード４４−２に入射した信号光により発生した信
号電荷ｅ-は、従来と同様に、ホトダイオード４４−２
に入射するのみではなく、隣接するホトダイオード４４
−１、４−４−３方向にも進行する。しかし、隣接する
ホトダイオード４４−１、４４−３の方向に進んだ信号
電荷ｅ-は、第４の導電領域２１−１、２１−２及び素
子分離膜２２−１、２２−２により押し戻されて、最終
的にホトダイオード４４−２に捕獲される。
【００１８】従って、本発明の第１の実施形態によれ
ば、信号電荷ｅ-の横方向拡散を防止できるので感度増
加と混色抑制を同時に実現できる。図２は、本発明の第
２の実施形態に係るＭＯＳイメージセンサの断面図であ
る。なお、図１と同じ部分には同じ符号を付し、詳細な
説明は省略する。
ば、信号電荷ｅ-の横方向拡散を防止できるので感度増
加と混色抑制を同時に実現できる。図２は、本発明の第
２の実施形態に係るＭＯＳイメージセンサの断面図であ
る。なお、図１と同じ部分には同じ符号を付し、詳細な
説明は省略する。
【００１９】本実施形態では、第１の実施形態のＭＯＳ
イメージセンサに第５の導電領域（ｐ）１１−１、１１
−２、１１−３を追加したことである。第５の導電領域
（ｐ）１１−１、１１−２、１１−３の不純物濃度は第
２の導電領域４２より小さくなっている。また、第２の
導電領域４２内の不純物濃度は第３の導電領域４３に向
かって次第に小さくなるように構成されている。すなわ
ち、第２の導電領域４２では、不純物濃度分布に傾斜を
持たせている。不純物濃度分布に傾斜を持たせるために
は、例えば、高温熱アニールにより高濃度不純物領域の
第１導電領域４１から不純物を熱拡散させればよい。
イメージセンサに第５の導電領域（ｐ）１１−１、１１
−２、１１−３を追加したことである。第５の導電領域
（ｐ）１１−１、１１−２、１１−３の不純物濃度は第
２の導電領域４２より小さくなっている。また、第２の
導電領域４２内の不純物濃度は第３の導電領域４３に向
かって次第に小さくなるように構成されている。すなわ
ち、第２の導電領域４２では、不純物濃度分布に傾斜を
持たせている。不純物濃度分布に傾斜を持たせるために
は、例えば、高温熱アニールにより高濃度不純物領域の
第１導電領域４１から不純物を熱拡散させればよい。
【００２０】そして、第２の導電領域４２が上記のよう
に傾斜濃度構成を有する場合には、ホトダイオード４４
−１、４４−２、４４−３下の第２の導電領域４２と第
３の導電領域４３の境界近傍に（望ましくは第２の導電
領域４２内に）第２及び第３の導電領域と反対の導電型
の不純物をイオン注入した後に適当な熱処理を加える
と、第２の導電領域４２と第３の導電領域４３の境界に
凹面鏡状の第５導電領域１１−１、１１−２、１１−３
を設けることができる。なお、該凹面鏡の焦点が当該ホ
トダイオードのＮ型領域内に位置するように第５導電領
域を設計することが望ましいが、そうでなくとも本発明
の効果は有効なのは言うまでもない。
に傾斜濃度構成を有する場合には、ホトダイオード４４
−１、４４−２、４４−３下の第２の導電領域４２と第
３の導電領域４３の境界近傍に（望ましくは第２の導電
領域４２内に）第２及び第３の導電領域と反対の導電型
の不純物をイオン注入した後に適当な熱処理を加える
と、第２の導電領域４２と第３の導電領域４３の境界に
凹面鏡状の第５導電領域１１−１、１１−２、１１−３
を設けることができる。なお、該凹面鏡の焦点が当該ホ
トダイオードのＮ型領域内に位置するように第５導電領
域を設計することが望ましいが、そうでなくとも本発明
の効果は有効なのは言うまでもない。
【００２１】この凹面鏡状の構成により、信号光が入射
した当該ホトダイオード下部から基板方向に拡散する信
号電荷をほぼすべて当該ホトダイオードに向かって収束
させて集めることができる。更に、隣接ホトダイオード
に対して、信号電荷の横方向拡散を抑制する第４の導電
領域２１−１、２１−２が設けられているので、当該ホ
トダイオード部から拡散して逃げていく信号電荷をほぼ
すべて再収集することができる。
した当該ホトダイオード下部から基板方向に拡散する信
号電荷をほぼすべて当該ホトダイオードに向かって収束
させて集めることができる。更に、隣接ホトダイオード
に対して、信号電荷の横方向拡散を抑制する第４の導電
領域２１−１、２１−２が設けられているので、当該ホ
トダイオード部から拡散して逃げていく信号電荷をほぼ
すべて再収集することができる。
【００２２】このように、本実施形態によれば、更に、
感度向上と混色抑制を実現できる。なお、本発明の構成
に用いた第２の導電領域の厚さは１から１５μｍの範
囲、第３の導電領域４３の厚さは１から１０μｍ（望ま
しくは１から３μｍ）の範囲であることが望ましい。特
に第３の導電領域の厚さが上記範囲以上である場合に
は、該凹面鏡部とホトダイオードの距離が離れすぎるた
め当該ホトダイオードに信号で電荷を収集する確率が小
さくなってしまうので注意を要する。本発明は、上記の
発明の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の
要旨を変更しない範囲で種々変形して実施できるのは勿
論である。
感度向上と混色抑制を実現できる。なお、本発明の構成
に用いた第２の導電領域の厚さは１から１５μｍの範
囲、第３の導電領域４３の厚さは１から１０μｍ（望ま
しくは１から３μｍ）の範囲であることが望ましい。特
に第３の導電領域の厚さが上記範囲以上である場合に
は、該凹面鏡部とホトダイオードの距離が離れすぎるた
め当該ホトダイオードに信号で電荷を収集する確率が小
さくなってしまうので注意を要する。本発明は、上記の
発明の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の
要旨を変更しない範囲で種々変形して実施できるのは勿
論である。
【００２３】
【発明の効果】上記詳述したように、本発明によれば、
感度増加と低混色を同時に実現したＭＯＳイメージセン
サを提供することができる。
感度増加と低混色を同時に実現したＭＯＳイメージセン
サを提供することができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係るＭＯＳイメー
ジセンサの断面図。
ジセンサの断面図。
【図２】 本発明の第２の実施形態に係るＭＯＳイメー
ジセンサの断面図
ジセンサの断面図
【図３】 増幅型ＭＯＳイメージセンサと呼ばれる固体
撮像素子の回路図の一例を示す図。
撮像素子の回路図の一例を示す図。
【図４】 従来のＭＯＳイメージセンサの断面図。
１１−１、１１−２、１１−３…第５の導電領域（ｐ） ２１−１、２１−２…第４の導電領域（ｐ+） ２２−１、２２−２…素子分離膜 ４１…第１の導電領域（ｐ++） ４２…第２の導電領域（ｐ+） ４３…第３の導電領域（ｐ） ４４−１、４４−２、４４−３…Ｐ−Ｎ接合型光電変換
部（ホトダイオード）
部（ホトダイオード）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 浩史 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 井上 郁子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 中村 信男 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に光電変換部と信号走査回
路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる撮像領
域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号
線とからなるＭＯＳイメージセンサにおいて、 前記半導体基板は、信号電荷と逆の導電型を有し、かつ
層状に形成された第１、第２および第３の導電領域を有
し、前記第３の導電領域上に前記光電変換部が配置され
ており、隣接する前記光電変換部の間には第４の導電領
域が設けられ、前記第２の導電領域の不純物濃度が前記
第１導電領域の不純物濃度より小であり、前記第３の導
電領域の不純物濃度が前記第４導電領域の不純物濃度よ
り小さいことを特徴とするＭＯＳイメージセンサ。 - 【請求項２】 半導体基板上に光電変換部と信号走査回
路を含む単位セルを行列２次元状に配置してなる撮像領
域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号
線とからなるＭＯＳイメージセンサにおいて、 前記半導体基板は、信号電荷と逆の導電型を有し、かつ
層状に形成された第１、第２および第３の導電領域を有
し、前記第３の導電領域上に前記光電変換部が配置され
ており、隣接する前記光電変換部の間には第４の導電領
域が設けられ、前記第２の導電領域の不純物濃度が前記
第１導電領域の不純物濃度より小であり、前記第３の導
電領域の不純物濃度が前記第４導電領域の不純物濃度よ
り小であり、前記第２の導電領域と前記第３の導電領域
の接触部に第５の導電領域が設けられており、前記第５
の導電領域の不純物濃度が前記第２の導電領域より小さ
いことを特徴とするＭＯＳイメージセンサ。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のＭＯＳイメ
ージセンサにおいて、前記第４の導電領域が前記第２の
導電領域と接していることを特徴とするＭＯＳイメージ
センサ。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
のＭＯＳイメージセンサにおいて、前記第２の導電領域
における不純物濃度が、第３の導電領域に向かって次第
に小さくなっていることを特徴とするＭＯＳイメージセ
ンサ。
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|---|---|---|---|
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| JP03140298A JP3617917B2 (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | Ｍｏｓイメージセンサ |
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ID=12330276
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|---|---|---|---|
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