JPH11233837A - 熱電変換モジュール - Google Patents
熱電変換モジュールInfo
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- JPH11233837A JPH11233837A JP10035635A JP3563598A JPH11233837A JP H11233837 A JPH11233837 A JP H11233837A JP 10035635 A JP10035635 A JP 10035635A JP 3563598 A JP3563598 A JP 3563598A JP H11233837 A JPH11233837 A JP H11233837A
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Abstract
ることができて薄型化や小型化を図ることができ、しか
も大きな吸放熱量や、大きな起電力を得ることができる
熱電変換モジュールを提供する。 【解決手段】 電気絶縁性の基板1の表面に、P型熱電
変換素子2とN型熱電変換素子3を中央部から外周部に
向かって放射状に交互に複数本ずつ配置する。隣合うP
型熱電変換素子2とN型熱電変換素子3の中央部側の端
部同士と外周部側の端部同士を交互に接合してP型熱電
変換素子2とN型熱電変換素子3を交互に電気的に直列
に接続する。基板1の中央部を吸熱部と放熱部のいずれ
か一方、基板1の外周部を吸熱部と放熱部のいずれか他
方とする。
Description
いはゼーベック効果を利用した熱電変換モジュールに関
するものである。
示すように、2枚の電気絶縁性の基板11の間に、電極
12を介して交互に電気的に直列に接続されたP型熱電
変換素子2とN型熱電変換素子3を挟持した構造に形成
されている。そしてこの熱電変換モジュールに直流電流
を印加すると、一方の基板11の側で発熱現象が、他方
の基板11の側で吸熱現象が生じる。また2枚の基板1
1の間に温度差を与えると、熱電変換モジュールに起電
力が発生する。このようなペルチェ効果あるいはゼーベ
ック効果を利用して、熱電変換モジュールは熱電冷却や
熱電発電などの種々の分野に用いられている。
熱は基板11の面とP型及びN型の熱電変換素子2,3
を設けた面と垂直な方向に移動するため、吸熱ブロック
13や放熱フィン14付の放熱ブロック15を一体に設
けて使用する場合、図15のように基板11の面と垂直
な方向に吸熱ブロック13や放熱フィン14付の放熱ブ
ロック15を設けるための大きなスペースが必要にな
り、製品の薄型化や小型化が困難になるものであった。
は、図16に示すように、電気絶縁性の基板16の表面
にほぼ2直角に開いた扇形状のP型熱電変換素子2とN
型熱電変換素子3を設け、熱の移動方向を基板16の中
央部と外周部の方向になるようにした熱電変換モジュー
ルが提供されている。このものでは熱の移動方向が基板
16の表面に沿った方向になるため、薄型化や小型化が
可能である。
面に一対のP型熱電変換素子2とN型熱電変換素子3が
設けられているだけであるので、大きな吸放熱量や、大
きな起電力を得ることは困難であるという問題があっ
た。
みてなされたものであり、基板の表面に沿った方向で熱
の移動行なわせることができて薄型化や小型化を図るこ
とができ、しかも大きな吸放熱量や、大きな起電力を得
ることができる熱電変換モジュールを提供することを目
的とするものである。
ジュールは、電気絶縁性の基板1の表面に、P型熱電変
換素子2とN型熱電変換素子3を中央部から外周部に向
かって放射状に交互に複数本ずつ配置し、隣合うP型熱
電変換素子2とN型熱電変換素子3の中央部側の端部同
士と外周部側の端部同士を交互に接合してP型熱電変換
素子2とN型熱電変換素子3を交互に電気的に直列に接
続し、基板1の中央部を吸熱部と放熱部のいずれか一
方、基板1の外周部を吸熱部と放熱部のいずれか他方と
して成ることを特徴とするものである。
2とN型熱電変換素子3の端部同士を電極4で接合して
成ることを特徴とするものである。また請求項3の発明
は、P型及びN型の熱電変換素子2,3の基板1の中央
部側の接合部5と外周部側の接合部6の間の位置におい
て、基板1に断熱材7を設けて成ることを特徴とするも
のである。
断熱材7を形成して成ることを特徴とするものである。
また請求項5の発明は、基板1の中央部と外周部の少な
くとも一方に熱良導体8を設けて成ることを特徴とする
ものである。また請求項6の発明は、基板1の中央部に
熱良導体8を設けると共に熱良導体8をP型及びN型の
熱電変換素子2,3を設けた側の基板1の表面より突出
させ、P型及びN型の熱電変換素子2,3の基板1の中
央部側の接合部5を電気絶縁層9を介して熱良導体8の
突出する側面に接触させて成ることを特徴とするもので
ある。
熱良導体8を設け、この熱良導体8に貫通孔10を設け
て成ることを特徴とするものである。また請求項8の発
明は、基板1の両面にそれぞれP型熱電変換素子2とN
型熱電変換素子3を配置して成ることを特徴とするもの
である。
する。図1及び図2は請求項1の発明の実施の形態の一
例を示すものであり、セラミックス等の電気絶縁性を有
する基板1の片側の表面に複数本のP型熱電変換素子2
と複数本のN型熱電変換素子3がそれぞれ設けてある。
図の実施の形態では基板1は円板状に形成してあるが、
基板1の形状や厚みは特に制限されるものではなく、放
熱や吸熱に適した形状であればよい。
換素子3は、基板1の中央部の近傍から外周部の近傍へ
と放射状に延びるように細長い形状に形成してあり、P
型熱電変換素子2とN型熱電変換素子3は基板1の周方
向に交互に配列してある。そして隣合うP型熱電変換素
子2とN型熱電変換素子3は、基板1の中央部側の端部
同士と、基板1の外周部側の端部同士を交互にPN接合
してあり、基板1に配列したP型熱電変換素子2とN型
熱電変換素子3を交互に電気的に直列に接続するように
してある。図1の実施の形態では、P型熱電変換素子2
とN型熱電変換素子3のL字形に屈曲させた中央部側の
端部同士を直接接合した接合部5でPN接合すると共
に、P型熱電変換素子2とN型熱電変換素子3のL字形
に屈曲させた外周部側の端部同士を直接接合した接合部
6でPN接合するようにしてある。基板1の表面へのP
型熱電変換素子2やN型熱電変換素子3の形成方法や、
PN接合方法は、例えば印刷法で行なうことができ、印
刷の後に熱処理して焼き付けることによって基板1とP
型やN型の熱電変換素子2,3との間及びP型やN型の
熱電変換素子2,3の端部間の接合を行なうことができ
る。勿論、この方法に限定されるものではなく、半田接
合によってこれらの接合を行なうこともできる。またこ
の電気的に直列に接続されるP型とN型の熱電変換素子
2,3の群の両端に位置するP型熱電変換素子2とN型
熱電変換素子3にはそれぞれリード線19を接続して基
板1から導出してある。
ルにあって、リード線19からP型とN型の熱電変換素
子2,3の群に直流電流を通電すると、電流は図1
(a)の矢印のように基板1の表面と平行方向に流れ、
例えば基板1の中央部側の各接合部5で吸熱が、外周部
側の各接合部6で発熱がそれぞれ起こり、基板1の中央
部が吸熱部、基板1の外周部が放熱部となって、熱は基
板1の中央部から外周部へと基板1の表面に沿って移動
する。P型とN型の熱電変換素子2,3の群に通電する
直流電流の向きを逆にすると、基板1の外周部側の各接
合部6で吸熱が、中央部側の各接合部5で発熱がそれぞ
れ起こり、基板1の外周部が吸熱部、基板1の中央部が
放熱部となって、熱は基板1の外周部から中央部へと基
板1の表面に沿って移動する。
の間で基板1の表面と平行に移動させることができるの
で、フィン等の熱交換器も基板1の面と平行に突出する
ように取り付けることになるものであり、従来の熱電変
換モジュールのように基板1の表面と垂直な方向に熱交
換器等を取り付ける大きなスペースを確保する必要がな
くなり、熱電変換モジュールを組み込む製品の薄型化や
小型化を図ることできるものである。また、P型熱電変
換素子2やN型熱電変換素子3はそれぞれ基板1に放射
状に多数本設けてあるために、P型熱電変換素子2とN
型熱電変換素子3の多数の接合部5,6で吸熱・放熱を
行なわせることができ、大きな吸放熱量を得ることがで
きるものである。
を示すものであり、隣合うP型熱電変換素子2とN型熱
電変換素子3の、基板1の中央部側の端部同士と、基板
1の外周部側の端部同士を交互に電極4でPN接合して
あり、P型熱電変換素子2とN型熱電変換素子3を電極
4を介して交互に電気的に直列に接続するようにしてあ
る。電極4は銅やアルミニウムなどの金属で形成するこ
とができる。このように電極4でP型熱電変換素子2と
N型熱電変換素子3の中央部側と外周部側の接合部5,
6が形成されるものであり、その他の構成は図1の実施
の形態と同じである。
にあって、リード線19からP型とN型の熱電変換素子
2,3の群に直流電流を通電すると、中央部側の接合部
5を構成する各電極4と外周部側の接合部6を構成する
各電極4の一方で吸熱が、他方で発熱が起こり、基板1
の中央部と外周部の一方が吸熱部、他方が放熱部となっ
て、熱は基板1の中央部と外周部の間で基板1の表面と
平行に移動する。ここで、吸熱や発熱はP型とN型の熱
電変換素子2,3の接合部5,6で起こるものであり、
図1の実施の形態のようにP型とN型の熱電変換素子
2,3を直接接合する場合には、P型とN型の熱電変換
素子2,3の接合面で吸熱や発熱が起こるが、図3の実
施の形態のように電極4でP型とN型の熱電変換素子
2,3を接合した場合には、電極4で吸熱や発熱が起こ
るために、電極4の面積によって吸熱面積や放熱面積を
大きくすることができ、基板1の吸熱部と放熱部の間で
の熱伝達の効率を高めて、成績係数(COP)を向上さ
せることができるものである。
示すものである。図3の実施の形態では、電極4の両端
部をP型とN型の熱電変換素子2,3の端部に埋入させ
るようにして、電極4でP型とN型の熱電変換素子2,
3の端部同士を接合するようにしたが、図3の実施の形
態では、P型とN型の熱電変換素子2,3の端部の端面
を電極4の端部の側面に接触させて、電極4間にP型と
N型の熱電変換素子2,3を挟み込むようにして(図4
(b))、P型とN型の熱電変換素子2,3の端部同士
を接合するようにしてある。
ものであり、P型及びN型の熱電変換素子2,3の基板
1の中央部側の接合部5と外周部側の接合部6の間の区
域において、基板1に断熱材7を設けるようにしてあ
る。断熱材7は基板1の全周に亘るように環状に設けて
あり、この断熱材7は基板1内に埋設するようにして形
成してもよいが、図5の実施の形態では、P型及びN型
の熱電変換素子2,3を形成した側と反対側の面におい
て基板1に設けるようにしてある。断熱材7としては基
板1の熱電導率よりも小さい熱伝導率のものを基板1に
付設するようにして形成することもできるが、熱伝導率
が低くコストメリットが大きいという面から、基板1に
空隙7aを設けてこの空隙7a内の空気層で断熱材7を
形成するのが最も好ましい(請求項4)。その他の構成
は図4の実施の形態と同じであるが、図1乃至図3のも
のに適用することもできる。
2,3の基板1の中央部側の接合部5と外周部側の接合
部6の間に断熱材7を設けることによって、基板1の中
央部と外周部の一方の吸熱部と他方の発熱部の間におい
て、発熱部から吸熱部へと基板1内を熱が逆流すること
を断熱材7で抑制することができ、成績係数(COP)
を向上させることができるものである。
態を示すものであり、基板1の中央部と外周部の少なく
とも一方に熱良導体8を設けるようにしてある。図6及
び図7の実施の形態では、P型及びN型の熱電変換素子
2,3の基板1の中央部側の接合部5と外周部側の接合
部6の間の区域において基板1に断熱材7を設け、この
断熱材7の外側と内側の区域においてそれぞれ、基板1
に熱良導体8を設けるようにしてある。熱良導体8とし
ては銅やアルミニウムなどの基板1より熱伝導率の高い
金属を用いることができるものであり、熱良導体8は基
板1内に埋設するようにしてもよいが、P型及びN型の
熱電変換素子2,3を設けた側と反対側の面において基
板1に凹部を設けてこの凹部に熱良導体8をはめ込むよ
うにしてもよい。このように熱良導体8を基板1の表面
に露出させることが、吸熱や発熱の際の熱の出入りの効
率が高いために好ましいが、熱良導体8とP型及びN型
の熱電変換素子2,3の間の電気絶縁性は、基板1によ
って確保するようにしてある。その他の構成は図1の実
施の形態と同じであるが、図3乃至図5のものにも適用
することができる。
導体8を設けることによって、基板1の中央部と外周部
の一方の吸熱部における吸熱や、他方の発熱部における
発熱を熱良導体8によって効率高く行なうことができ、
成績係数(COP)を向上させることができるものであ
る。図8及び図9は請求項6の発明の実施の形態を示す
ものであり、基板1の中央部と外周部に熱良導体8を設
け、基板1の中央部の熱良導体8をP型及びN型の熱電
変換素子2,3を設けた側の基板1の表面から突出させ
てある。この熱良導体8の突出部20は基板1の中央部
の開口から突出させてあり、突出部2の外周面にはセラ
ミックスや樹脂、ゴム等で形成される電気絶縁層9が全
周に亘って設けてある。そしてP型及びN型の熱電変換
素子2,3の基板1の中央部側の接合部5を電気絶縁層
9に当接させるようにしてあり、この接合部5を電気絶
縁層9を介して熱良導体8の突出部20に間接的に接触
させるようにしてある。その他の構成は図6、図7の実
施の形態と同じであり、基板1の中央部と外周部の熱良
導体8の間の箇所において、基板1に断熱材7が設けて
ある。
2,3の基板1の中央部側の接合部5を電気絶縁層9を
介して熱良導体8の突出部20に接触させることによっ
て、この接合部5と熱良導体8の間の熱伝導を効率良く
行なわせることができ、成績係数(COP)を一層向上
させることができるものである。図10及び図11は請
求項7の発明の実施の形態を示すものであり、基板1の
中央部の熱良導体8に設けた突出部20に基板1の両面
において開口する貫通孔10を設けるようにしてある。
その他の構成は図8、図9の実施の形態と同じである。
体8に貫通孔10を設けることによって、この貫通孔1
0に例えばチューブなど管状の伝熱体21を差し込んで
装着することができ、伝熱体21を通して熱良導体8へ
の熱の出入り外部に対して行なうことができるものであ
り、基板1の表面に沿った方向以外の、例えば、基板1
の表面に対して垂直な方向で熱を移動させるようにし
て、各種の機器に対応させることができるものである。
また、図12に示すように、複数の熱電変換モジュール
の各貫通孔10に伝熱体21を差し込むことによって、
複数の熱電変換モジュールを積み重ねて一体化し、熱電
変換モジュールブロックを形成することができるもので
あり、この複数の熱電変換モジュールによって大きな吸
放熱量を得ることができるものである。尚、図1〜図5
に示す熱電変換モジュールにあっても、基板1の中央部
に同様に貫通孔を設けることによって、複数の熱電変換
モジュールを積み重ねて一体化して熱電変換モジュール
ブロックを形成することができるものである。
の形態を示すものであり、基板1の両面にそれぞれP型
熱電変換素子2とN型熱電変換素子3を放射状の配列で
設けることによって、熱電変換モジュールを形成するよ
うにしてある。図13(a)に示す基板1の表面(上
面)側のP型及びN型の熱電変換素子2,3や、図13
(b)に示す基板1の裏面(下面)側のP型及びN型の
熱電変換素子2,3は、それぞれ図1の実施の形態と同
様にして、隣合うP型熱電変換素子2とN型熱電変換素
子3の中央部側の端部同士と外周部側の端部同士を交互
にPN接合して、交互に電気的に直列に接続するように
してある。そして基板1の表面側の直列に接続されたP
型とN型の熱電変換素子2,3の群の一端のP型熱電半
導体素子2と、基板1の裏面側の直列に接続されたP型
とN型の熱電変換素子2,3の群の一端のN型熱電半導
体素子3とが、基板1の外周端部にコ字形に基板1の表
面から裏面に渡るように設けられた電極22で電気的に
接続してあり、基板1の表面と裏面とに亘ってP型熱電
半導体素子2とN型熱電半導体素子3を交互に電気的に
直列に接続するようにしてある。もちろん、基板1の表
面と裏面との接続は上記の形式に限定されるものではな
く、電気的に直列に接続されていればよい。また基板1
の表面側の直列に接続されたP型とN型の熱電変換素子
2,3の群の他端のN型熱電半導体素子3と、基板1の
裏面側の直列に接続されたP型とN型の熱電変換素子
2,3の群の他端のP型熱電半導体素子2にそれぞれリ
ード線19を接続して基板1から導出してある。
では、P型及びN型の熱電変換素子2,3の基板1の中
央部側の接合部5と外周部側の接合部6の間の区域にお
いて、基板1内に断熱材7を設け、この断熱材7の外側
と内側の区域においてそれぞれ、基板1内に熱良導体8
を設けるようにしてある。そして基板1の中央部の熱良
導体8を基板1の表裏両面から突出させてあり、この熱
良導体8の突出部20の外周面に電気絶縁層9を介して
P型及びN型の熱電変換素子2,3の基板1の中央部側
の接合部5を間接的に接触させるようにしてある。
ルにあって、リード線19から基板1の表裏両面のP型
とN型の熱電変換素子2,3の群に直流電流を通電する
と、電流は図13(a)(b)の矢印のように基板1の
表面と平行方向に流れ、P型とN型の熱電変換素子2,
3の群の基板1の中央部側の接合部5と外周部側の接合
部6の一方で吸熱が、他方で発熱が起こり、基板1の中
央部と外周部の一方が吸熱部、他方が放熱部となって、
熱は基板1の中央部と外周部の間で基板1の表面と平行
に移動する。ここで、この吸熱と発熱は基板1の両面で
起こるので、吸放熱量を2倍にすることができ、より高
性能な熱電変換モジュールとすることができるものであ
る。
電変換素子2,3の群に直流電流を通電することによっ
て、基板1の中央部と外周部の一方の吸熱部と他方の発
熱部で吸熱と発熱を生じさせるペルチェ効果を利用した
熱電冷却・加熱について説明したが、基板1の中央部と
外周部の一方の吸熱部と他方の発熱部に温度差を与える
ことによって、ゼーベック効果を利用した熱電発電に利
用することができるのはいうまでもない。
板の表面に、P型熱電変換素子とN型熱電変換素子を中
央部から外周部に向かって放射状に交互に複数本ずつ配
置し、隣合うP型熱電変換素子とN型熱電変換素子の中
央部側の端部同士と外周部側の端部同士を交互に接合し
てP型熱電変換素子とN型熱電変換素子を交互に電気的
に直列に接続し、基板の中央部を吸熱部と放熱部のいず
れか一方、基板の外周部を吸熱部と放熱部のいずれか他
方とするようにしたので、基板の中央部と外周部の一方
が吸熱部、他方が放熱部となって、熱は基板の中央部と
外周部の間で基板の表面と平行に移動するものであり、
従来の熱電変換モジュールのように基板の表面と垂直な
方向に熱交換器等を取り付ける大きなスペースを確保す
る必要がなくなり、熱電変換モジュールを組み込む製品
の薄型化や小型化を図ることできるものである。また、
P型熱電変換素子やN型熱電変換素子はそれぞれ基板に
放射状に多数本設けてあって、通電によってP型熱電変
換素子とN型熱電変換素子の多数の接合部で吸熱・放熱
を行なわせることができ、またP型熱電変換素子とN型
熱電変換素子の多数の接合部で温度差を与えることによ
って発電することができ、大きな吸放熱量や、大きな起
電力を得ることができるものである。
とN型熱電変換素子の端部同士を電極で接合するように
したので、吸熱や発熱はP型とN型の熱電変換素子の接
合部を構成する電極に生じるものであり、電極の面積に
よって吸熱面積や放熱面積を大きくすることができ、基
板の吸熱部と放熱部の間での熱伝達の効率を高めて、成
績係数(COP)を向上させることができるものであ
る。
電変換素子の基板の中央部側の接合部と外周部側の接合
部の間の位置において、基板に断熱材を設けるようにし
たので、基板の中央部と外周部の一方の吸熱部と他方の
発熱部の間において、発熱部から吸熱部へと基板内を熱
が逆流することを断熱材で抑制することができ、成績係
数(COP)を向上させることができるものである。
材を形成するようにしたので、断熱材として特別な部材
が不要になり、コストメリットが大きいものである。ま
た請求項5の発明は、基板の中央部と外周部の少なくと
も一方に熱良導体を設けるようにしたので、基板の中央
部と外周部の一方の吸熱部における吸熱や、他方の発熱
部における発熱を熱良導体によって効率高く行なうこと
ができ、成績係数(COP)を向上させることができる
ものである。
良導体を設けると共に熱良導体をP型及びN型の熱電変
換素子を設けた側の基板の表面より突出させ、P型及び
N型の熱電変換素子の基板の中央部側の接合部を電気絶
縁層を介して熱良導体の突出する側面に接触させるよう
にしたので、基板の中央部側の接合部と熱良導体の間の
熱伝導を効率良く行なわせることができ、成績係数(C
OP)を一層向上させることができるものである。
良導体を設けると共に熱良導体をP型及びN型の熱電変
換素子を設けた基板の表面より突出させ、この熱良導体
に貫通孔を設けるようにしたので、貫通孔に例えば伝熱
体などを差し込んで装着することができ、伝熱体を通し
て熱良導体への熱の出入り外部に対して行なうことによ
って、基板の表面に沿った方向以外の方向で熱を移動さ
せるようにして、各種の機器に対応させることができる
ものである。また、複数の熱電変換モジュールの各貫通
孔に伝熱体などを差し込むことによって、複数の熱電変
換モジュールを積み重ねて一体化することができるもの
であり、この複数の熱電変換モジュールによって大きな
吸放熱量を得ることができるものである。
ぞれP型熱電変換素子とN型熱電変換素子を配置するよ
うにしたので、吸熱と発熱は基板の両面においてP型熱
電変換素子とN型熱電変換素子の接合部で起こるもので
あり、吸放熱量を2倍にすることができ、より高性能な
熱電変換モジュールとすることができるものである。
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線切
断端面図、(c)は(a)のB−B線切断端面図、
(d)は(a)のC−C線切断端面図である。
ある。
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線切
断端面図、(c)は(a)のB−B線切断端面図、
(d)は(a)のC−C線切断端面図である。
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線切
断端面図、(c)は(a)のB−B線切断端面図、
(d)は(a)のC−C線切断端面図である。
であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線切
断端面図、(c)は(a)のB−B線切断端面図、
(d)は(a)のC−C線切断端面図である。
であり、(a)は平面図、(b)は底面図である。
であり、(a)は図6(a)のA−A線切断端面図、
(b)は図6(a)のB−B線切断端面図、(c)は図
6(a)のC−C線切断端面図である。
であり、(a)は平面図、(b)は底面図である。
であり、(a)は図8(a)のA−A線切断端面図、
(b)は図8(a)のB−B線切断端面図、(c)は図
8(a)のC−C線切断端面図である。
のであり、(a)は平面図、(b)は底面図である。
のであり、(a)は図10(a)のA−A線切断端面
図、(b)は図10(a)のB−B線切断端面図、
(c)は図10(a)のC−C線切断端面図である。
ある。
のであり、(a)は平面図、(b)は底面図である。
のであり、(a)は図13(a)のA−A線切断端面
図、(b)は図13(a)のB−B線切断端面図、
(c)は図13(a)のC−C線切断端面図、(d)は
図13(a)のD−D線切断端面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 電気絶縁性の基板の表面に、P型熱電変
換素子とN型熱電変換素子を中央部から外周部に向かっ
て放射状に交互に複数本ずつ配置し、隣合うP型熱電変
換素子とN型熱電変換素子の中央部側の端部同士と外周
部側の端部同士を交互に接合してP型熱電変換素子とN
型熱電変換素子を交互に電気的に直列に接続し、基板の
中央部を吸熱部と放熱部のいずれか一方、基板の外周部
を吸熱部と放熱部のいずれか他方として成ることを特徴
とする熱電変換モジュール。 - 【請求項2】 P型熱電変換素子とN型熱電変換素子の
端部同士を電極で接合して成ることを特徴とする請求項
1に記載の熱電変換モジュール。 - 【請求項3】 P型及びN型の熱電変換素子の基板の中
央部側の接合部と外周部側の接合部の間の位置におい
て、基板に断熱材を設けて成ることを特徴とする請求項
1又は2に記載の熱電変換モジュール。 - 【請求項4】 空隙によって断熱材を形成して成ること
を特徴とする請求項3に記載の熱電変換モジュール。 - 【請求項5】 基板の中央部と外周部の少なくとも一方
に熱良導体を設けて成ることを特徴とする請求項1乃至
4のいずれかに記載の熱電変換モジュール。 - 【請求項6】 基板の中央部に熱良導体を設けると共に
熱良導体をP型及びN型の熱電変換素子を設けた側の基
板の表面より突出させ、P型及びN型の熱電変換素子の
基板の中央部側の接合部を電気絶縁層を介して熱良導体
の突出する側面に接触させて成ることを特徴とする請求
項1乃至5のいずれかに記載の熱電変換モジュール。 - 【請求項7】 基板の中央部に熱良導体を設けると共に
熱良導体をP型及びN型の熱電変換素子を設けた基板の
表面より突出させ、この熱良導体に貫通孔を設けて成る
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の熱
電変換モジュール。 - 【請求項8】 基板の両面にそれぞれP型熱電変換素子
とN型熱電変換素子を配置して成ることを特徴とする請
求項1乃至7のいずれかに記載の熱電変換モジュール。
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