JPH11237441A - 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法 - Google Patents
半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法Info
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- JPH11237441A JPH11237441A JP10039275A JP3927598A JPH11237441A JP H11237441 A JPH11237441 A JP H11237441A JP 10039275 A JP10039275 A JP 10039275A JP 3927598 A JP3927598 A JP 3927598A JP H11237441 A JPH11237441 A JP H11237441A
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Landscapes
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ方式を主体とするLSI等の
半導体集積回路装置に於いて、電源端子或いは接地端子
GNDのオープンテストを電気的に且つ効率的に然かも
正確に検査する事が可能な半導体集積回路装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体集積回路装置1に設けられている
複数の配線端子部2と当該配線端子部2のそれぞれに対
向して設けられている他の端子接合部6との間に於ける
それぞれの接続状態を電気的に検出し、当該配線端子部
のそれぞれの接続状態が正常か異状かを判別する検査判
定手段7が当該半導体集積回路装置1内部にビルトイン
されている半導体集積回路装置1。
半導体集積回路装置に於いて、電源端子或いは接地端子
GNDのオープンテストを電気的に且つ効率的に然かも
正確に検査する事が可能な半導体集積回路装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体集積回路装置1に設けられている
複数の配線端子部2と当該配線端子部2のそれぞれに対
向して設けられている他の端子接合部6との間に於ける
それぞれの接続状態を電気的に検出し、当該配線端子部
のそれぞれの接続状態が正常か異状かを判別する検査判
定手段7が当該半導体集積回路装置1内部にビルトイン
されている半導体集積回路装置1。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置、半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積回路
装置に於ける配線端子部の接続不良を検査する検査方法
に関するものである。
置、半導体集積回路装置の製造方法及び半導体集積回路
装置に於ける配線端子部の接続不良を検査する検査方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、LSI等の半導体集積回路装
置に於いては、当該半導体集積回路装置が製造された後
に当該半導体集積回路装置内の配線状態が正確に接続さ
れているか否かを判断する必要があるが、当該LSI等
の半導体集積回路装置が完成した後では、内部の配線回
路に於ける配線端子部と、それに接続される他の配線端
子との接続状態を外部から観察する事が不可能であるの
で、当該接続不良を容易に検出する事が困難であった。
置に於いては、当該半導体集積回路装置が製造された後
に当該半導体集積回路装置内の配線状態が正確に接続さ
れているか否かを判断する必要があるが、当該LSI等
の半導体集積回路装置が完成した後では、内部の配線回
路に於ける配線端子部と、それに接続される他の配線端
子との接続状態を外部から観察する事が不可能であるの
で、当該接続不良を容易に検出する事が困難であった。
【0003】当該半導体集積回路装置に於いて、電源端
子或いは接地端子(GND)の一部の配線接続部に接続
不良部が存在しても、回路内部の電源配線経路を通じ
て、他の電源端子から電流が供給される為に回路は動作
を行うが、予め定められた所定の幅で設計されている配
線部に設計値以上の電流が流れると言う所謂エレクトロ
マイグレーションが発生して、当該半導体集積回路装置
を長期間の使用する事が不可能となったり、ノイズが発
生する原因ともなっていた。
子或いは接地端子(GND)の一部の配線接続部に接続
不良部が存在しても、回路内部の電源配線経路を通じ
て、他の電源端子から電流が供給される為に回路は動作
を行うが、予め定められた所定の幅で設計されている配
線部に設計値以上の電流が流れると言う所謂エレクトロ
マイグレーションが発生して、当該半導体集積回路装置
を長期間の使用する事が不可能となったり、ノイズが発
生する原因ともなっていた。
【0004】又、当該半導体集積回路装置に於ける信号
端子に関しては、所定の信号入力端子に所定の信号を入
力して出力端子に於ける出力信号を検出する事によっ
て、電気的に、信号端子部の接続不良を検出する事が出
来るが、電源端子或いは接地端子に関しては、電気的に
その接続不良を検出する方法が存在していなかった。そ
の為、従来では、完成された当該半導体集積回路装置の
封止樹脂を剥がすか、モールド樹脂を削り取って、内部
を光学的に観察する観察する方法が使用されているが、
効率的ではなく、又危険な作業でもあり、回路配線を破
壊してしまうと言う欠点も有った。
端子に関しては、所定の信号入力端子に所定の信号を入
力して出力端子に於ける出力信号を検出する事によっ
て、電気的に、信号端子部の接続不良を検出する事が出
来るが、電源端子或いは接地端子に関しては、電気的に
その接続不良を検出する方法が存在していなかった。そ
の為、従来では、完成された当該半導体集積回路装置の
封止樹脂を剥がすか、モールド樹脂を削り取って、内部
を光学的に観察する観察する方法が使用されているが、
効率的ではなく、又危険な作業でもあり、回路配線を破
壊してしまうと言う欠点も有った。
【0005】即ち、現在、一般的に使用されているフリ
ップチップ方式によって形成されたLSI等の半導体集
積回路装置に於いて、その電源端子或いはGND端子が
全て接続されているかどうかを電気的にテストする手法
がなく、またその電源端子或いはGND端子が全て接続
されいなくても、当該LSI等の半導体集積回路装置で
あるチップは、一応の動作をするので、信頼性上の問題
が発生してくる。
ップチップ方式によって形成されたLSI等の半導体集
積回路装置に於いて、その電源端子或いはGND端子が
全て接続されているかどうかを電気的にテストする手法
がなく、またその電源端子或いはGND端子が全て接続
されいなくても、当該LSI等の半導体集積回路装置で
あるチップは、一応の動作をするので、信頼性上の問題
が発生してくる。
【0006】図3は、従来一般的に使用されている半導
体集積回路装置の構造の一例を示すものであり、周辺部
にのみパッド31が存在するチップ32をパッケージ3
3に実装した際の断面図を示す。図3に於いては、当該
チップ32のパッド部31が、ワイヤボンディング34
を介してパッケージ33の端子部35と接続されている
例が示されている。
体集積回路装置の構造の一例を示すものであり、周辺部
にのみパッド31が存在するチップ32をパッケージ3
3に実装した際の断面図を示す。図3に於いては、当該
チップ32のパッド部31が、ワイヤボンディング34
を介してパッケージ33の端子部35と接続されている
例が示されている。
【0007】係る周辺部のみにパッドが配置されている
従来のチップでは、当該チップのウェハテストや当該チ
ップをパッケージに組立する際に、信号ピンの接続試験
はテスタ等による電気的試験によって、電源端子ピン或
いはGND端子ピンの接続試験は外観検査による光学的
な方法での試験が可能である。然しながら、図2に示す
様な、チップ1内部にパッドを介して半田バンプ部2が
多数配置されているフリップチップ3ではウェハテスト
時やパッケージ組立時には、チップ全面が上部からプロ
ーブカードやパッケージに覆われてしまう為に、電源端
子或いはGND端子が全て正しく接続されているかを光
学的にテストする事が不可能となる。
従来のチップでは、当該チップのウェハテストや当該チ
ップをパッケージに組立する際に、信号ピンの接続試験
はテスタ等による電気的試験によって、電源端子ピン或
いはGND端子ピンの接続試験は外観検査による光学的
な方法での試験が可能である。然しながら、図2に示す
様な、チップ1内部にパッドを介して半田バンプ部2が
多数配置されているフリップチップ3ではウェハテスト
時やパッケージ組立時には、チップ全面が上部からプロ
ーブカードやパッケージに覆われてしまう為に、電源端
子或いはGND端子が全て正しく接続されているかを光
学的にテストする事が不可能となる。
【0008】更に、図2に示す様なフリップチップ3で
は、必ずしも当該電源端子或いはGND端子が当該チッ
プの周辺部に位置しているとは限らず、当該チップの中
央部に存在する可能性も多いので、従来の方法では、当
該検査の方法がより複雑化されると言う問題が有った。
又、当該チップ内に於いて、全ての電源端子或いはGN
D端子が正しく接続されていない場合でも、他の電源端
子から電流が供給されることによって、当該チップは動
作をするが、上記した様に、設計で想定した電流経路と
は異なる経路から電流が供給されることになるので、ノ
イズの問題や、長期間の使用に於ける信頼性の低下等の
問題も発生する。
は、必ずしも当該電源端子或いはGND端子が当該チッ
プの周辺部に位置しているとは限らず、当該チップの中
央部に存在する可能性も多いので、従来の方法では、当
該検査の方法がより複雑化されると言う問題が有った。
又、当該チップ内に於いて、全ての電源端子或いはGN
D端子が正しく接続されていない場合でも、他の電源端
子から電流が供給されることによって、当該チップは動
作をするが、上記した様に、設計で想定した電流経路と
は異なる経路から電流が供給されることになるので、ノ
イズの問題や、長期間の使用に於ける信頼性の低下等の
問題も発生する。
【0009】その他、特開昭61−161742号公報
には、半導体集積回路装置に於ける配線接続の不良を検
出する方法について記載されており、その具体例として
は、所定の接続バンプ部に近接してダミーバンプ部を設
け、当該配線接続が不良の場合には、当該配線部が当該
ダミーバンプ部と接続する様に構成しておく事によっ
て、ダミーバンプ部の電位を常時測定しておくことによ
って、配線接続の良、不良を判断する様にしたものであ
るが、LSI等の半導体集積回路装置基板内に、配線端
子部の接続状態を検出判定する回路を埋め込んだ半導体
集積回路装置に関しては、記載が見られない。
には、半導体集積回路装置に於ける配線接続の不良を検
出する方法について記載されており、その具体例として
は、所定の接続バンプ部に近接してダミーバンプ部を設
け、当該配線接続が不良の場合には、当該配線部が当該
ダミーバンプ部と接続する様に構成しておく事によっ
て、ダミーバンプ部の電位を常時測定しておくことによ
って、配線接続の良、不良を判断する様にしたものであ
るが、LSI等の半導体集積回路装置基板内に、配線端
子部の接続状態を検出判定する回路を埋め込んだ半導体
集積回路装置に関しては、記載が見られない。
【0010】又、特開平9−264918号公報には、
従来使用されて来ているプローブを使用した配線接続不
良の検出方法を示すに過ぎず、プローブを使用すること
なく、且つ配線端子部の接続状態を検出判定する回路を
半導体装置内部に埋め込んだ半導体集積回路装置に関し
ては記載が見られない。
従来使用されて来ているプローブを使用した配線接続不
良の検出方法を示すに過ぎず、プローブを使用すること
なく、且つ配線端子部の接続状態を検出判定する回路を
半導体装置内部に埋め込んだ半導体集積回路装置に関し
ては記載が見られない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記した従来技術の欠点を改良し、フリップチップ
方式を主体とするLSI等の半導体集積回路装置に於い
て、電源端子或いは接地端子GNDのオープンテストを
電気的に且つ効率的に然かも正確に検査する事が可能な
半導体集積回路装置を提供するものであり、更に本発明
に於いては、半導体集積回路装置内部に電源端子或いは
接地端子に於ける接続状態を検出し且つ当該接続状態が
正常であるか異状であるかを判断する検査判定回路を半
導体集積回路装置内部特に基板内部に埋め込んで形成し
た半導体集積回路装置を提供するものである。
は、上記した従来技術の欠点を改良し、フリップチップ
方式を主体とするLSI等の半導体集積回路装置に於い
て、電源端子或いは接地端子GNDのオープンテストを
電気的に且つ効率的に然かも正確に検査する事が可能な
半導体集積回路装置を提供するものであり、更に本発明
に於いては、半導体集積回路装置内部に電源端子或いは
接地端子に於ける接続状態を検出し且つ当該接続状態が
正常であるか異状であるかを判断する検査判定回路を半
導体集積回路装置内部特に基板内部に埋め込んで形成し
た半導体集積回路装置を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第1の態様として
は、半導体集積回路装置に設けられている複数の配線端
子部と当該配線端子部のそれぞれに対向して設けられて
いる他の端子接合部との間に於けるそれぞれの接続状態
を電気的に検出し、当該配線端子部のそれぞれの接続状
態が正常か異状かを判別する検査判定手段が当該半導体
集積回路装置内部にビルトインされている半導体集積回
路装置であり、又本発明に於ける第2の態様としては、
半導体回路に於ける複数の配線端子部のそれぞれの下方
部に対応する部位にスイッチ手段を個別に配置し、当該
各スイッチ手段の一方端部を当該配線端子部に接続する
と共に当該スイッチ手段の他方の端部を所定の定電流源
に接続させ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧を
検出して、当該電圧を予め定められた基準電圧値と比較
する比較手段を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段のスイッチング動作を制御する制御手
段と当該任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間に配置された比較手段の比較結果から被検査配線
端子部の接続状態を判別する判断手段とを当該半導体回
路内部に配置する様に構成されている半導体集積回路装
置の製造方法である。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第1の態様として
は、半導体集積回路装置に設けられている複数の配線端
子部と当該配線端子部のそれぞれに対向して設けられて
いる他の端子接合部との間に於けるそれぞれの接続状態
を電気的に検出し、当該配線端子部のそれぞれの接続状
態が正常か異状かを判別する検査判定手段が当該半導体
集積回路装置内部にビルトインされている半導体集積回
路装置であり、又本発明に於ける第2の態様としては、
半導体回路に於ける複数の配線端子部のそれぞれの下方
部に対応する部位にスイッチ手段を個別に配置し、当該
各スイッチ手段の一方端部を当該配線端子部に接続する
と共に当該スイッチ手段の他方の端部を所定の定電流源
に接続させ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧を
検出して、当該電圧を予め定められた基準電圧値と比較
する比較手段を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段のスイッチング動作を制御する制御手
段と当該任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間に配置された比較手段の比較結果から被検査配線
端子部の接続状態を判別する判断手段とを当該半導体回
路内部に配置する様に構成されている半導体集積回路装
置の製造方法である。
【0013】更に、本発明に係る第3の態様としては、
半導体回路に於ける複数の配線端子部のそれぞれの下方
部に対応する部位にスイッチ手段を個別に配置し、当該
各スイッチ手段の一方端部を当該配線端子部に接続する
と共に当該スイッチ手段の他方の端部を所定の定電流源
に接続させ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧を
検出して、当該電圧を予め定められた基準電圧値と比較
する比較手段を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段のスイッチング動作を制御する制御手
段と当該任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間に配置された比較手段の比較結果から被検査配線
端子部の接続状態を判別する判断手段とを当該半導体回
路内部に配置する様に構成されている半導体集積回路装
置に於いて、選択された被検査配線端子部と対応する当
該スイッチ手段をONとすると共に、同時に選択され
た、当該被検査配線端子部の両側に配置された当該配線
端子部と対応するスイッチ手段をOFFとなし、次い
で、当該被検査配線端子部の両側に配置されたそれぞれ
の配線端子部と当該被検査配線端子部との間に形成され
る電圧を検出手段により検出し、当該検出された当該電
圧値を当該比較手段によって、予め定められた所定の基
準電圧値と比較し、当該被検査配線端子部の少なくとも
一方の側に於ける当該比較手段の出力レベルに応じて、
当該配線端子部の他の端子接合部との間に於けるそれぞ
れの接続状態を判断する様に構成されている半導体集積
回路装置の回路に於ける被検査配線端子部の接続状態を
判定する検査方法である。
半導体回路に於ける複数の配線端子部のそれぞれの下方
部に対応する部位にスイッチ手段を個別に配置し、当該
各スイッチ手段の一方端部を当該配線端子部に接続する
と共に当該スイッチ手段の他方の端部を所定の定電流源
に接続させ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧を
検出して、当該電圧を予め定められた基準電圧値と比較
する比較手段を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段のスイッチング動作を制御する制御手
段と当該任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間に配置された比較手段の比較結果から被検査配線
端子部の接続状態を判別する判断手段とを当該半導体回
路内部に配置する様に構成されている半導体集積回路装
置に於いて、選択された被検査配線端子部と対応する当
該スイッチ手段をONとすると共に、同時に選択され
た、当該被検査配線端子部の両側に配置された当該配線
端子部と対応するスイッチ手段をOFFとなし、次い
で、当該被検査配線端子部の両側に配置されたそれぞれ
の配線端子部と当該被検査配線端子部との間に形成され
る電圧を検出手段により検出し、当該検出された当該電
圧値を当該比較手段によって、予め定められた所定の基
準電圧値と比較し、当該被検査配線端子部の少なくとも
一方の側に於ける当該比較手段の出力レベルに応じて、
当該配線端子部の他の端子接合部との間に於けるそれぞ
れの接続状態を判断する様に構成されている半導体集積
回路装置の回路に於ける被検査配線端子部の接続状態を
判定する検査方法である。
【0014】
【発明の実施の形態】即ち、本発明に係る当該半導体集
積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、並びに、
半導体集積回路装置の検査方法は、上記した様な技術構
成を採用するものであって、当該LSI等の半導体集積
回路チップ内に於いて、全ての電源端子或いはGND端
子が正しく接続されているか否かを、所定の電源を印加
して、所定のプログラムを走らせる事によって、極めて
容易に且つ電気的に然かも効率的に検査する事が可能で
あり、又、その判定結果を簡易な装置を利用する事によ
って、任意の時点で容易に確認する事が出来る。
積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、並びに、
半導体集積回路装置の検査方法は、上記した様な技術構
成を採用するものであって、当該LSI等の半導体集積
回路チップ内に於いて、全ての電源端子或いはGND端
子が正しく接続されているか否かを、所定の電源を印加
して、所定のプログラムを走らせる事によって、極めて
容易に且つ電気的に然かも効率的に検査する事が可能で
あり、又、その判定結果を簡易な装置を利用する事によ
って、任意の時点で容易に確認する事が出来る。
【0015】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体集積回路装置、
半導体集積回路装置の製造方法並びに、当該半導体集積
回路装置の検査方法のそれぞれについて、具体例の構成
を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、図1及び
図2に示す様に、本発明に於ける当該半導体集積回路装
置1は、所定の回路部が内蔵されているチップ部1の一
主面に適宜のパッド5を介して半田を主体とするバンプ
2が配置されており、当該チップ1を所定の配線基板4
にフリップチップ方式により実装接合する事によって最
終的な半導体装置100が形成されるものである。
半導体集積回路装置の製造方法並びに、当該半導体集積
回路装置の検査方法のそれぞれについて、具体例の構成
を図面を参照しながら詳細に説明する。即ち、図1及び
図2に示す様に、本発明に於ける当該半導体集積回路装
置1は、所定の回路部が内蔵されているチップ部1の一
主面に適宜のパッド5を介して半田を主体とするバンプ
2が配置されており、当該チップ1を所定の配線基板4
にフリップチップ方式により実装接合する事によって最
終的な半導体装置100が形成されるものである。
【0016】その際、当該チップ部1のバンプ2と当該
実装基板に於けるそれぞれ対応する接続端子部6との接
続状態が問題となる。本発明に係る半導体集積回路装置
1、つまり図2に例示される構成からなるチップ1は、
半導体集積回路装置1に設けられている複数の配線端子
部2と当該配線端子部2のそれぞれに対向して設けられ
ている他の端子接合部6との間に於けるそれぞれの接続
状態を電気的に検出し、当該配線端子部のそれぞれの接
続状態が正常か異状かを判別する検査判定手段7が当該
半導体集積回路装置1内部にビルトインされている半導
体集積回路装置1である。
実装基板に於けるそれぞれ対応する接続端子部6との接
続状態が問題となる。本発明に係る半導体集積回路装置
1、つまり図2に例示される構成からなるチップ1は、
半導体集積回路装置1に設けられている複数の配線端子
部2と当該配線端子部2のそれぞれに対向して設けられ
ている他の端子接合部6との間に於けるそれぞれの接続
状態を電気的に検出し、当該配線端子部のそれぞれの接
続状態が正常か異状かを判別する検査判定手段7が当該
半導体集積回路装置1内部にビルトインされている半導
体集積回路装置1である。
【0017】本発明に於ける当該複数の配線端子部8
(8−1、8−2、8−3、・・・・)は、それぞれ当
該半導体集積回路装置であるチップ1に設けられたパッ
ド部5−1、5−2、5−3、・・・と半田を主体に形
成されているバンプ部2−1、2−2、2−3、・・・
・とで構成されている事が望ましい。本発明に於ける当
該配線端子部(8−1、8−2、8−3、・・・・)の
それぞれは、当該基板11の主面に設けられたチップ内
配線12に所定の間隔を介して接続されているものであ
る。
(8−1、8−2、8−3、・・・・)は、それぞれ当
該半導体集積回路装置であるチップ1に設けられたパッ
ド部5−1、5−2、5−3、・・・と半田を主体に形
成されているバンプ部2−1、2−2、2−3、・・・
・とで構成されている事が望ましい。本発明に於ける当
該配線端子部(8−1、8−2、8−3、・・・・)の
それぞれは、当該基板11の主面に設けられたチップ内
配線12に所定の間隔を介して接続されているものであ
る。
【0018】更に本発明に於いては、当該半導体集積回
路装置1の基板内部11であって、当該各配線端子部8
(8−1、8−2、8−3、・・・・)のそれぞれの下
方部に対応する部位に複数個のスイッチ手段(SW1、
SW2、SW3、・・・・)を個別に配置するものであ
って、当該個々のスイッチ手段(SW1、SW2、SW
3、・・・・)の一方の端部は、当該各配線端子部8
(8−1、8−2、8−3、・・・・)が接続されてい
る当該チップ内配線12の近傍に接続されている。
路装置1の基板内部11であって、当該各配線端子部8
(8−1、8−2、8−3、・・・・)のそれぞれの下
方部に対応する部位に複数個のスイッチ手段(SW1、
SW2、SW3、・・・・)を個別に配置するものであ
って、当該個々のスイッチ手段(SW1、SW2、SW
3、・・・・)の一方の端部は、当該各配線端子部8
(8−1、8−2、8−3、・・・・)が接続されてい
る当該チップ内配線12の近傍に接続されている。
【0019】更に、本発明に於いては、当該スイッチ手
段(SW1、SW2、SW3、・・・・)は、その他端
部が、所定の定電流源13に接続されている事が望まし
い。一方、本発明に於いては、当該スイッチ手段(SW
1、SW2、SW3、・・・・)には、当該スイッチ手
段(SW1、SW2、SW3、・・・・)のON/OF
Fを制御する制御手段14が設けられており、更に当該
制御手段14は、任意の連続する3個の当該スイッチ手
段(SW1、SW2、SW3)を選択し、その中、被検
査配線端子部8−2に対応する当該スイッチ手段SW2
をONとなし、当該被検査配線端子部8−2に対応する
当該スイッチ手段SW2を除く両側の検査配線端子部8
−1と8−3に対応する当該スイッチ手段SW1とSW
3をOFFとする様に選択制御する機能を有するもので
ある。
段(SW1、SW2、SW3、・・・・)は、その他端
部が、所定の定電流源13に接続されている事が望まし
い。一方、本発明に於いては、当該スイッチ手段(SW
1、SW2、SW3、・・・・)には、当該スイッチ手
段(SW1、SW2、SW3、・・・・)のON/OF
Fを制御する制御手段14が設けられており、更に当該
制御手段14は、任意の連続する3個の当該スイッチ手
段(SW1、SW2、SW3)を選択し、その中、被検
査配線端子部8−2に対応する当該スイッチ手段SW2
をONとなし、当該被検査配線端子部8−2に対応する
当該スイッチ手段SW2を除く両側の検査配線端子部8
−1と8−3に対応する当該スイッチ手段SW1とSW
3をOFFとする様に選択制御する機能を有するもので
ある。
【0020】つまり本発明に係る当該制御手段14は、
複数の当該配線端子部8から任意の隣接する3個の配線
端子部8−1、8−2、8−3を選択し、その真ん中の
配線端子8−2を検査すべき配線端子部と決定し、当該
配線端子部8−2に対応する当該スイッチ手段SW2を
ONとし、残りの検査配線端子部8−1と8−3に対応
する当該スイッチ手段SW1とSW3をOFFとする様
に操作を実行する。
複数の当該配線端子部8から任意の隣接する3個の配線
端子部8−1、8−2、8−3を選択し、その真ん中の
配線端子8−2を検査すべき配線端子部と決定し、当該
配線端子部8−2に対応する当該スイッチ手段SW2を
ONとし、残りの検査配線端子部8−1と8−3に対応
する当該スイッチ手段SW1とSW3をOFFとする様
に操作を実行する。
【0021】係る操作を半導体集積回路装置1が有する
全ての電源端子或いはGND端子が被検査配線端子部と
なる様に、隣接する3個の配線端子部を同時に選択し
て、上記した様なスイッチ操作を実行する操作を順次繰
り返す事になる。更に、本発明に於いては、当該基板1
1の内部に、当該各配線端子部8(8−1、8−2、8
−3、・・・・)が接続されている当該チップ内配線1
に於ける互いに隣接した3つの配線端子部にそれぞれ発
生する電圧(V1、V2、V3、・・・・)を測定し、
その結果から、任意に選択された2つの配線端子部間、
例えば配線端子部8−1と8−2、或いは配線端子部8
−2と8−3との間のそれぞれの電圧差(V2−V1)
或いは(V3−V2)を測定し、且つ予め定められた所
定の基準電圧値と当該測定された電圧差とを比較する複
数個の比較手段15−1、15−2を設けるものであ
る。
全ての電源端子或いはGND端子が被検査配線端子部と
なる様に、隣接する3個の配線端子部を同時に選択し
て、上記した様なスイッチ操作を実行する操作を順次繰
り返す事になる。更に、本発明に於いては、当該基板1
1の内部に、当該各配線端子部8(8−1、8−2、8
−3、・・・・)が接続されている当該チップ内配線1
に於ける互いに隣接した3つの配線端子部にそれぞれ発
生する電圧(V1、V2、V3、・・・・)を測定し、
その結果から、任意に選択された2つの配線端子部間、
例えば配線端子部8−1と8−2、或いは配線端子部8
−2と8−3との間のそれぞれの電圧差(V2−V1)
或いは(V3−V2)を測定し、且つ予め定められた所
定の基準電圧値と当該測定された電圧差とを比較する複
数個の比較手段15−1、15−2を設けるものであ
る。
【0022】一方、本発明に於いては、更に、当該基板
11の内部に、当該それぞれの比較手段15−1又は1
5─2からの出力若しくは、隣接する2個の比較手段1
5−1及び15─2からの出力から、被検査配線端子部
8−2の接続状態を判別する判断手段16が設けられて
いるものである。つまり本発明に係る当該半導体集積回
路装置1は、チップの内部領域にパッドを配置したフリ
ップチップ構成のLSIに於いて、全ての電源端子の直
下に片側を定電流源回路13に接続され、他方を当該パ
ッド直下の配線12に接続したスイッチ回路SWと隣接
する電源パッド間の電位差を測定する電圧比較回路15
を配置したものであって、その動作は、以下に示す通り
である。
11の内部に、当該それぞれの比較手段15−1又は1
5─2からの出力若しくは、隣接する2個の比較手段1
5−1及び15─2からの出力から、被検査配線端子部
8−2の接続状態を判別する判断手段16が設けられて
いるものである。つまり本発明に係る当該半導体集積回
路装置1は、チップの内部領域にパッドを配置したフリ
ップチップ構成のLSIに於いて、全ての電源端子の直
下に片側を定電流源回路13に接続され、他方を当該パ
ッド直下の配線12に接続したスイッチ回路SWと隣接
する電源パッド間の電位差を測定する電圧比較回路15
を配置したものであって、その動作は、以下に示す通り
である。
【0023】即ち、フリップチップ構成のLSIのウェ
ハテスト時、若しくは基板実装した後に、全ての電源端
子、或いは接地端子が正しく接続されているかどうかを
テストするに際して、先ず、図1に於ける電源端子8−
2をテストする場合に、当該電源端子8−2の直下に配
置してあるスイッチ手段SW2のみをON状態にして定
電流源回路に電流を印加する。
ハテスト時、若しくは基板実装した後に、全ての電源端
子、或いは接地端子が正しく接続されているかどうかを
テストするに際して、先ず、図1に於ける電源端子8−
2をテストする場合に、当該電源端子8−2の直下に配
置してあるスイッチ手段SW2のみをON状態にして定
電流源回路に電流を印加する。
【0024】当該電源端子8−2が正しく実装基板4の
所定の端子部6−2と接続されていれば、当該スイッチ
手段SWから当該定電流源13に流れ込む電流の主たる
経路は、図1に示される様に、電流経路1であり、隣接
する配線端子部8−1と8−3からの当該電流経路1に
流れ込む電流の量は微小であるので、当該被検査配線端
子部8−2直下の電位V2と、当該配線端子部8−1と
8−3の直下に於ける電位V1とV3との間の電位差
(V2−V1)と(V2−V3)には、差が生じない。
所定の端子部6−2と接続されていれば、当該スイッチ
手段SWから当該定電流源13に流れ込む電流の主たる
経路は、図1に示される様に、電流経路1であり、隣接
する配線端子部8−1と8−3からの当該電流経路1に
流れ込む電流の量は微小であるので、当該被検査配線端
子部8−2直下の電位V2と、当該配線端子部8−1と
8−3の直下に於ける電位V1とV3との間の電位差
(V2−V1)と(V2−V3)には、差が生じない。
【0025】然かしながら、当該被検査配線端子部8−
2がオープンとなっている場合には、当該スイッチSW
2から当該定電流源13に流れ込む電流は、当該被検査
配線端子部8−2に隣接する配線端子部8−1と8−3
からチップ内の電源配線12を通る電流経路は図1に示
す様に、電流経路2及び又は3となり、当該電流経路2
又は3を通じて電流が流れるので当該電源配線12の配
線抵抗によって、隣接する被検査配線端子部8−2と配
線端子部8−3若しくは、被検査配線端子部8−2と配
線端子部8−1のそれぞれの直下に於ける電位V1、V
2、V3に関して、電位差(V2−V1)と(V2−V
3)が発生し、当該電位差が予め定められた所定の基準
値を設け、当該比較手段15−1と15−2によって、
当該電位差が当該基準値を越えたか否かを判断し、更に
当該比較手段15の出力データに基づいて、当該被検査
配線端子部8−2に於ける接続状態が、正常であるか異
状であるかを判断する判断手段16を設ける事によっ
て、当該電位差が当該所定の基準値を越えた場合には、
当該被検査配線端子部8−2はオープン状態であると判
断する様にしたものである。
2がオープンとなっている場合には、当該スイッチSW
2から当該定電流源13に流れ込む電流は、当該被検査
配線端子部8−2に隣接する配線端子部8−1と8−3
からチップ内の電源配線12を通る電流経路は図1に示
す様に、電流経路2及び又は3となり、当該電流経路2
又は3を通じて電流が流れるので当該電源配線12の配
線抵抗によって、隣接する被検査配線端子部8−2と配
線端子部8−3若しくは、被検査配線端子部8−2と配
線端子部8−1のそれぞれの直下に於ける電位V1、V
2、V3に関して、電位差(V2−V1)と(V2−V
3)が発生し、当該電位差が予め定められた所定の基準
値を設け、当該比較手段15−1と15−2によって、
当該電位差が当該基準値を越えたか否かを判断し、更に
当該比較手段15の出力データに基づいて、当該被検査
配線端子部8−2に於ける接続状態が、正常であるか異
状であるかを判断する判断手段16を設ける事によっ
て、当該電位差が当該所定の基準値を越えた場合には、
当該被検査配線端子部8−2はオープン状態であると判
断する様にしたものである。
【0026】本発明に於いては、係る操作を全ての電源
端子或いはGND端子に対して実行する様にしたもので
ある。それによって、所定の半導体集積回路装置に於け
る全ての電源端子或いはGND端子が正しく接続されて
いるか否かを容易に電気的に判断する事が可能となる。
端子或いはGND端子に対して実行する様にしたもので
ある。それによって、所定の半導体集積回路装置に於け
る全ての電源端子或いはGND端子が正しく接続されて
いるか否かを容易に電気的に判断する事が可能となる。
【0027】本発明に於いては、上記した各スイッチ制
御手段14、比較手段15、判断手段16等を所定のプ
ログラムに従って総合的に制御するコンピュータ等から
形成される制御手段17を設けておく事が望ましい。本
発明に於ける特徴は、上記した全ての回路、手段、等が
当該半導体集積回路装置1の基板11内部に配置形成さ
れるものであり、当該配線端子部の接続状態判定回路が
当該半導体集積回路装置1の基板11内に予め埋め込ま
れている構成を取っているものである。
御手段14、比較手段15、判断手段16等を所定のプ
ログラムに従って総合的に制御するコンピュータ等から
形成される制御手段17を設けておく事が望ましい。本
発明に於ける特徴は、上記した全ての回路、手段、等が
当該半導体集積回路装置1の基板11内部に配置形成さ
れるものであり、当該配線端子部の接続状態判定回路が
当該半導体集積回路装置1の基板11内に予め埋め込ま
れている構成を取っているものである。
【0028】例えば、図4に示す様に、半導体集積回路
装置1の所定の回路を構成する基板部11内の、回路が
配置されていない角部を利用して当該スイッチ手段S
W、比較手段15、判断手段16及び制御手段17等を
埋め込む様に構成する事が望ましい。又、本発明に於け
る他の具体例としては、例えば、当該判断手段により判
断された、当該配線端子部毎の個別の判断結果を記憶さ
せておく記憶手段18が当該基板11内部に設けられて
いる事も好ましい。
装置1の所定の回路を構成する基板部11内の、回路が
配置されていない角部を利用して当該スイッチ手段S
W、比較手段15、判断手段16及び制御手段17等を
埋め込む様に構成する事が望ましい。又、本発明に於け
る他の具体例としては、例えば、当該判断手段により判
断された、当該配線端子部毎の個別の判断結果を記憶さ
せておく記憶手段18が当該基板11内部に設けられて
いる事も好ましい。
【0029】更には、本発明に於いて、当該判断手段1
6の結果を、適宜の通信手段19を介して、当該半導体
集積回路装置1とは別個に設けられた表示手段20に表
示する様に構成されている事も望ましい。本発明に係る
当該半導体集積回路装置11の製造方法としては、例え
ば、半導体回路に於ける複数の配線端子部8のそれぞれ
の下方部に対応する部位にスイッチ手段SWを個別に配
置し、当該各スイッチ手段SWの一方端部を当該配線端
子部8に接続すると共に当該スイッチ手段SWの他方の
端部を所定の定電流源13に接続させ、且つ隣接する2
つの配線端子部間8−2、8─3の電圧を検出して、当
該電圧を予め定められた基準電圧値と比較する比較手段
15を、任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間8─1と8−2又は8─2と8−3のそれぞれに
対応して配置させ、更に、当該スイッチ手段SWのスイ
ッチング動作を制御する制御手段14と当該任意に選択
された互いに隣接する2個の配線端子部間に配置された
比較手段15の比較結果から被検査配線端子部の接続状
態を判別する判断手段16とを当該半導体回路1の基板
11の内部に配置形成する様に構成されている半導体集
積回路装置の製造方法である。
6の結果を、適宜の通信手段19を介して、当該半導体
集積回路装置1とは別個に設けられた表示手段20に表
示する様に構成されている事も望ましい。本発明に係る
当該半導体集積回路装置11の製造方法としては、例え
ば、半導体回路に於ける複数の配線端子部8のそれぞれ
の下方部に対応する部位にスイッチ手段SWを個別に配
置し、当該各スイッチ手段SWの一方端部を当該配線端
子部8に接続すると共に当該スイッチ手段SWの他方の
端部を所定の定電流源13に接続させ、且つ隣接する2
つの配線端子部間8−2、8─3の電圧を検出して、当
該電圧を予め定められた基準電圧値と比較する比較手段
15を、任意に選択された互いに隣接する2個の配線端
子部間8─1と8−2又は8─2と8−3のそれぞれに
対応して配置させ、更に、当該スイッチ手段SWのスイ
ッチング動作を制御する制御手段14と当該任意に選択
された互いに隣接する2個の配線端子部間に配置された
比較手段15の比較結果から被検査配線端子部の接続状
態を判別する判断手段16とを当該半導体回路1の基板
11の内部に配置形成する様に構成されている半導体集
積回路装置の製造方法である。
【0030】又、本発明に於ける当該半導体集積回路装
置1の配線端子部8の接続状態を検査する方法として
は、例えば、半導体集積回路装置に於ける複数の配線端
子部8のそれぞれの下方部に対応する部位にスイッチ手
段SWを個別に配置し、当該各スイッチ手段SWの一方
端部を当該配線端子部8に接続すると共に当該スイッチ
手段SWの他方の端部を所定の定電流源13に接続さ
せ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧Vを検出し
て、当該電圧Vを予め定められた基準電圧値と比較する
比較手段15を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段SWのスイッチング動作を制御する制
御手段14と当該任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間に配置された比較手段15の比較結果か
ら被検査配線端子部8−2の接続状態を判別する判断手
段16とを当該半導体回路内部に配置する様に構成され
ている半導体集積回路装置に於いて、選択された被検査
配線端子部8−2と対応する当該スイッチ手段SW2を
ONとすると共に、同時に選択された、当該被検査配線
端子部の両側に配置された当該配線端子部8−1と8−
3と対応するスイッチ手段SW1、SW3をOFFとな
し、次いで、当該被検査配線端子部8−2の両側に配置
されたそれぞれの配線端子部8−1と8−3と当該被検
査配線端子部8−2との間に形成される電圧を適宜の検
出手段(図示せず)により検出し、当該検出された当該
電圧値を当該比較手段15によって、予め定められた所
定の基準電圧値と比較し、当該被検査配線端子部8−2
の少なくとも一方の側に於ける当該比較手段15−2の
出力レベルに応じて、当該配線端子部の他の端子接合部
との間に於けるそれぞれの接続状態を判断する様に構成
されている半導体集積回路装置の回路に於ける被検査配
線端子部の接続状態を判定する検査方法である。
置1の配線端子部8の接続状態を検査する方法として
は、例えば、半導体集積回路装置に於ける複数の配線端
子部8のそれぞれの下方部に対応する部位にスイッチ手
段SWを個別に配置し、当該各スイッチ手段SWの一方
端部を当該配線端子部8に接続すると共に当該スイッチ
手段SWの他方の端部を所定の定電流源13に接続さ
せ、且つ隣接する2つの配線端子部間の電圧Vを検出し
て、当該電圧Vを予め定められた基準電圧値と比較する
比較手段15を、任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間のそれぞれに対応して配置させ、更に、
当該スイッチ手段SWのスイッチング動作を制御する制
御手段14と当該任意に選択された互いに隣接する2個
の配線端子部間に配置された比較手段15の比較結果か
ら被検査配線端子部8−2の接続状態を判別する判断手
段16とを当該半導体回路内部に配置する様に構成され
ている半導体集積回路装置に於いて、選択された被検査
配線端子部8−2と対応する当該スイッチ手段SW2を
ONとすると共に、同時に選択された、当該被検査配線
端子部の両側に配置された当該配線端子部8−1と8−
3と対応するスイッチ手段SW1、SW3をOFFとな
し、次いで、当該被検査配線端子部8−2の両側に配置
されたそれぞれの配線端子部8−1と8−3と当該被検
査配線端子部8−2との間に形成される電圧を適宜の検
出手段(図示せず)により検出し、当該検出された当該
電圧値を当該比較手段15によって、予め定められた所
定の基準電圧値と比較し、当該被検査配線端子部8−2
の少なくとも一方の側に於ける当該比較手段15−2の
出力レベルに応じて、当該配線端子部の他の端子接合部
との間に於けるそれぞれの接続状態を判断する様に構成
されている半導体集積回路装置の回路に於ける被検査配
線端子部の接続状態を判定する検査方法である。
【0031】
【発明の効果】本発明に係る当該半導体集積回路装置
は、上記した様な技術構成を採用しているので、従来の
半導体集積回路装置の検査システムと比較して、フリッ
プチップ方式を主体とするLSI等の半導体集積回路装
置に於ける、電源端子或いは接地端子GNDのオープン
テストを電気的に且つ効率的に然かも正確に検査する事
が可能となり、更に本発明に於いては、半導体集積回路
装置内部に電源端子或いは接地端子に於ける接続状態を
検出し且つ当該接続状態が正常であるか異状であるかを
判断する検査判定回路を半導体集積回路装置内部特に基
板内部に埋め込んで形成した半導体集積回路装置である
ので、当該接続状態の判断或いは確認を任意の時点で容
易に且つ何処でも実行することが可能である。
は、上記した様な技術構成を採用しているので、従来の
半導体集積回路装置の検査システムと比較して、フリッ
プチップ方式を主体とするLSI等の半導体集積回路装
置に於ける、電源端子或いは接地端子GNDのオープン
テストを電気的に且つ効率的に然かも正確に検査する事
が可能となり、更に本発明に於いては、半導体集積回路
装置内部に電源端子或いは接地端子に於ける接続状態を
検出し且つ当該接続状態が正常であるか異状であるかを
判断する検査判定回路を半導体集積回路装置内部特に基
板内部に埋め込んで形成した半導体集積回路装置である
ので、当該接続状態の判断或いは確認を任意の時点で容
易に且つ何処でも実行することが可能である。
【図1】図1は、本発明に係る半導体集積回路装置の一
具体例の構成を示すブロック図である。
具体例の構成を示すブロック図である。
【図2】図2は、本発明に係る半導体集積回路装置の外
観の一具体例を示す図である。
観の一具体例を示す図である。
【図3】図3は、従来に於ける半導体集積回路装置の一
具体例の構成を示す図である。
具体例の構成を示す図である。
【図4】図4は、本発明に係る半導体集積回路装置の構
成の一具体例を示すブロックダイアグラムである。
成の一具体例を示すブロックダイアグラムである。
1…チップ 2…半田バンプ 4…実装基板 5、5−1、5−2、5−3…パッド部 6、6−1、6−2、6−3…端子接合部 7…接続検査判定手段 8、8−1、8−2、8−3…配線端子部 11…チップ基板 12…チップ内配線 13…定電流源 14…スイッチ制御手段 15…比較手段 16…判断手段 17…制御手段 18…記憶手段 19…通信手段 20…表示手段 31…パッド部 32…チップ 33…パッケージ 34…ワイヤボンディング 35…パッケージ端子部 100…半導体集積回路装置
Claims (11)
- 【請求項1】 半導体集積回路装置に設けられている複
数の配線端子部と当該配線端子部のそれぞれに対向して
設けられている他の端子接合部との間に於けるそれぞれ
の接続状態を電気的に検出し、当該配線端子部のそれぞ
れの接続状態が正常か異状かを判別する検査判定手段が
当該半導体集積回路装置内部にビルトインされている事
を特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 当該複数の配線端子部は、少なくとも電
源端子若しくは接地端子である事を特徴とする請求項1
記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】 基板内部の当該各配線端子部のそれぞれ
の下方部に対応する部位にスイッチ手段を個別に配置し
た事を特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回
路装置。 - 【請求項4】 当該基板内部に、当該各配線端子部に於
ける互いに隣接した2つの配線端子部間の電圧を測定
し、且つ予め定められた所定の基準電圧値と比較する複
数個の比較手段が設けられている事を特徴とする請求項
1乃至3の何れかに記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項5】 当該基板内部に、当該それぞれの比較手
段からの出力若しくは、隣接する2個の比較手段からの
出力から、被検査配線端子部の接続状態を判別する判断
手段が設けられている事を特徴とする請求項1乃至4の
何れかに記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項6】 当該スイッチ手段は、その他端部が、所
定の定電流源に接続されている事を特徴とする請求項3
記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項7】 当該スイッチ手段のON/OFFを制御
すると共に、任意の連続する3個の当該スイッチ手段を
選択し、その中、被検査配線端子部に対応する当該スイ
ッチ手段をONとなし、当該被検査配線端子部に対応す
る当該スイッチ手段を除く両側の当該スイッチをOFF
となる様に選択制御する制御手段が当該半導体集積回路
装置の内部に設けられている事を特徴とする請求項1乃
至6の何れかに記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項8】 当該判断手段により判断された、当該配
線端子部毎の個別の判断結果を記憶させておく記憶手段
が当該基板内部に設けられている事を特徴とする請求項
1乃至7の何れかに記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項9】 当該判断手段の結果を、適宜の通信手段
を介して、当該半導体集積回路装置とは別個に設けられ
た表示手段に表示する様に構成されている事を特徴とす
る請求項1乃至8に何れかに記載の半導体集積回路装
置。 - 【請求項10】 半導体回路に於ける複数の配線端子部
のそれぞれの下方部に対応する部位にスイッチ手段を個
別に配置し、当該各スイッチ手段の一方端部を当該配線
端子部に接続すると共に当該スイッチ手段の他方の端部
を所定の定電流源に接続させ、且つ隣接する2つの配線
端子部間の電圧を検出して、当該電圧を予め定められた
基準電圧値と比較する比較手段を、任意に選択された互
いに隣接する2個の配線端子部間のそれぞれに対応して
配置させ、更に、当該スイッチ手段のスイッチング動作
を制御する制御手段と当該任意に選択された互いに隣接
する2個の配線端子部間に配置された比較手段の比較結
果から被検査配線端子部の接続状態を判別する判断手段
とを当該半導体回路内部に配置する様に構成されている
事を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項11】 半導体回路に於ける複数の配線端子部
のそれぞれの下方部に対応する部位にスイッチ手段を個
別に配置し、当該各スイッチ手段の一方端部を当該配線
端子部に接続すると共に当該スイッチ手段の他方の端部
を所定の定電流源に接続させ、且つ隣接する2つの配線
端子部間の電圧を検出して、当該電圧を予め定められた
基準電圧値と比較する比較手段を、任意に選択された互
いに隣接する2個の配線端子部間のそれぞれに対応して
配置させ、更に、当該スイッチ手段のスイッチング動作
を制御する制御手段と当該任意に選択された互いに隣接
する2個の配線端子部間に配置された比較手段の比較結
果から被検査配線端子部の接続状態を判別する判断手段
とを当該半導体回路内部に配置する様に構成されている
半導体集積回路装置に於いて、選択された被検査配線端
子部と対応する当該スイッチ手段をONとすると共に、
同時に選択された、当該被検査配線端子部の両側に配置
された当該配線端子部と対応するスイッチ手段をOFF
となし、次いで、当該被検査配線端子部の両側に配置さ
れたそれぞれの配線端子部と当該被検査配線端子部との
間に形成される電圧を検出手段により検出し、当該検出
された当該電圧値を当該比較手段によって、予め定めら
れた所定の基準電圧値と比較し、当該被検査配線端子部
の少なくとも一方の側に於ける当該比較手段の出力レベ
ルに応じて、当該配線端子部の他の端子接合部との間に
於けるそれぞれの接続状態を判断する様に構成されてい
る事を特徴とする半導体集積回路装置の回路に於ける被
検査配線端子部の接続状態を判定する検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039275A JPH11237441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10039275A JPH11237441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11237441A true JPH11237441A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12548624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10039275A Pending JPH11237441A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 半導体集積回路装置、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11237441A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322768A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| KR100860214B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2008-09-24 | 엔엑스피 비 브이 | 집적 회로 및 집적 회로로의 전력 공급 접속부를 테스트하는 방법 |
| US7639036B2 (en) | 2007-09-11 | 2009-12-29 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| JP2012069728A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電源状態判定回路を有する集積回路 |
| US8575978B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-11-05 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, electronic device, and method of testing the semiconductor device |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10039275A patent/JPH11237441A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100860214B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2008-09-24 | 엔엑스피 비 브이 | 집적 회로 및 집적 회로로의 전력 공급 접속부를 테스트하는 방법 |
| JP2005322768A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路 |
| US7639036B2 (en) | 2007-09-11 | 2009-12-29 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| JP2012069728A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 電源状態判定回路を有する集積回路 |
| US8575978B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-11-05 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device, electronic device, and method of testing the semiconductor device |
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