JPH11237504A - カラー有機層の選択的転写方法 - Google Patents
カラー有機層の選択的転写方法Info
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- JPH11237504A JPH11237504A JP31121598A JP31121598A JPH11237504A JP H11237504 A JPH11237504 A JP H11237504A JP 31121598 A JP31121598 A JP 31121598A JP 31121598 A JP31121598 A JP 31121598A JP H11237504 A JPH11237504 A JP H11237504A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多数のカラー副画素から形成される各画素を
有する画素配列を有するデバイス上にドナー層からカラ
ー有機層の選択的転写をなす方法を提供する。 【解決手段】 対向する第一と第二の面を有する基板を
設け；第一の面に光透過熱絶縁層を形成し；その上に光
吸収層を形成し；開口の数及び位置は副画素の数と位置
に対応し、各開口は副画素に等しいか、それより小さい
第二の表面から熱絶縁層へ延在する開口の配列を基板に
設け；光吸収層上に形成される転写可能なカラー形成有
機ドナー層を設け；開口と対応する副画素との間に方向
付けられた関係でドナー層と接触、又は近接するようデ
バイスを位置決めし；対応するカラー副画素に対して転
写可能なカラー形成有機ドナー層の部分の選択的な転写
をなすために開口にわたり光吸収層に充分な熱を発生さ
せる放射源を用いる。
有する画素配列を有するデバイス上にドナー層からカラ
ー有機層の選択的転写をなす方法を提供する。 【解決手段】 対向する第一と第二の面を有する基板を
設け；第一の面に光透過熱絶縁層を形成し；その上に光
吸収層を形成し；開口の数及び位置は副画素の数と位置
に対応し、各開口は副画素に等しいか、それより小さい
第二の表面から熱絶縁層へ延在する開口の配列を基板に
設け；光吸収層上に形成される転写可能なカラー形成有
機ドナー層を設け；開口と対応する副画素との間に方向
付けられた関係でドナー層と接触、又は近接するようデ
バイスを位置決めし；対応するカラー副画素に対して転
写可能なカラー形成有機ドナー層の部分の選択的な転写
をなすために開口にわたり光吸収層に充分な熱を発生さ
せる放射源を用いる。
Description
【０００１】関連する出願の相互参照 本発明は本発明の譲受人に譲渡されたＴａｎｇ等による
特願平１０−１４９０５５号「薄膜トランジスタ配列基
板上のフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示配列
にパターン化された有機層」、Ｔａｎｇ等による１９９
７年１月２４日出願の米国特許出願０８／７８８５３
７、”Ｍｅｔｈｏｄｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ”、Ｒｏｂｅｒｔｓ等による特願平１０−１１４
６５号「色素転写及びリフトオフによりカラーフィルタ
配列を製造する方法」に関連する。これらの関連する出
願の開示をここに参考として引用する。
特願平１０−１４９０５５号「薄膜トランジスタ配列基
板上のフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示配列
にパターン化された有機層」、Ｔａｎｇ等による１９９
７年１月２４日出願の米国特許出願０８／７８８５３
７、”Ｍｅｔｈｏｄｏｆ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ Ｏｒ
ｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ”、Ｒｏｂｅｒｔｓ等による特願平１０−１１４
６５号「色素転写及びリフトオフによりカラーフィルタ
配列を製造する方法」に関連する。これらの関連する出
願の開示をここに参考として引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は転写可能なカラー形
成有機ドナー層から割り当てられた赤、緑、青色のカラ
ー副画素を有するデバイスにカラー有機層を選択的に転
写する方法に関する。
成有機ドナー層から割り当てられた赤、緑、青色のカラ
ー副画素を有するデバイスにカラー有機層を選択的に転
写する方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】画素の配列を有し、フルカラー表示器に
描画をなすことが可能であるデバイスでその画素上にカ
ラー形成パターンとして正確なレジスターでカラー形成
媒体（例えば赤、緑、青色形成媒体）を堆積することが
必要である。固体画像検知デバイスでカラー形成媒体は
画素にわたりカラーフィルタを提供するよう堆積され
る。固体画像検知デバイスは電荷結合デバイス（ＣＣ
Ｄ）又は相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイス
である。フルカラー光放出エレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）デバイスでは赤、緑、又は青色の光出射画素又は副
画素が赤、緑、又は青色光出射有機ＥＬ媒体の画素選択
的堆積により形成される。
描画をなすことが可能であるデバイスでその画素上にカ
ラー形成パターンとして正確なレジスターでカラー形成
媒体（例えば赤、緑、青色形成媒体）を堆積することが
必要である。固体画像検知デバイスでカラー形成媒体は
画素にわたりカラーフィルタを提供するよう堆積され
る。固体画像検知デバイスは電荷結合デバイス（ＣＣ
Ｄ）又は相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）デバイス
である。フルカラー光放出エレクトロルミネセンス（Ｅ
Ｌ）デバイスでは赤、緑、又は青色の光出射画素又は副
画素が赤、緑、又は青色光出射有機ＥＬ媒体の画素選択
的堆積により形成される。
【０００４】有機ＥＬデバイスでは各カラー形成ＥＬ媒
体がそれぞれ赤、緑、又は青色の光出射蛍光染料である
有機ＥＬホスト材料の薄膜からなる。そのような層は混
合物のない（ｎｅａｔ）層、即ち、その層は重合バイン
ダを含まず、２００から１０００オングストロームの範
囲の厚さを有する。最初に有機ＥＬデバイス上に均一な
ＥＬ媒体の混合物のない層を堆積し、続いてフォトリソ
グラフィー方法により均一な層をパターン化することが
試みられる一方で、標準のフォトリソグラフィー法がそ
のようなＥＬ層と両立しないことがわかってきた。従っ
てＥＬデバイスの比較的大きな画素寸法に対して有機Ｅ
Ｌ媒体の画素選択的堆積は有機ＥＬ媒体はデバイス表面
に接触又は近接して保持された開口マスク（シャドウマ
スクとも称される）の開口を通してＥＬデバイス上に蒸
着される実際的な選択として開発されてきた。そのよう
な選択的熱色素転写技術は良く知られているが、特によ
り小さな画素寸法で均一性及び解像度問題が存在する。
体がそれぞれ赤、緑、又は青色の光出射蛍光染料である
有機ＥＬホスト材料の薄膜からなる。そのような層は混
合物のない（ｎｅａｔ）層、即ち、その層は重合バイン
ダを含まず、２００から１０００オングストロームの範
囲の厚さを有する。最初に有機ＥＬデバイス上に均一な
ＥＬ媒体の混合物のない層を堆積し、続いてフォトリソ
グラフィー方法により均一な層をパターン化することが
試みられる一方で、標準のフォトリソグラフィー法がそ
のようなＥＬ層と両立しないことがわかってきた。従っ
てＥＬデバイスの比較的大きな画素寸法に対して有機Ｅ
Ｌ媒体の画素選択的堆積は有機ＥＬ媒体はデバイス表面
に接触又は近接して保持された開口マスク（シャドウマ
スクとも称される）の開口を通してＥＬデバイス上に蒸
着される実際的な選択として開発されてきた。そのよう
な選択的熱色素転写技術は良く知られているが、特によ
り小さな画素寸法で均一性及び解像度問題が存在する。
【０００５】従って比較的小さな画素寸法で同一な程度
の解像度を提供するＥＬデバイスに対するカラー有機Ｅ
Ｌ層の選択的転写の方法を提供することが望ましい。画
像検知デバイス上の有機カラーフィルタ配列は選択され
た色素を含むか、又は色素がパターン化で導入されうる
フォトリソグラフィー組成の予め堆積された均一な層の
フォトリソグラフィー的なパターン化により現在提供さ
れている。そのようなリソグラフィー的にパターン化可
能なカラーフィルタ層はフォトポリマー材料を含み、１
００００から２００００オングストロームの範囲の典型
的な厚さを有する。
の解像度を提供するＥＬデバイスに対するカラー有機Ｅ
Ｌ層の選択的転写の方法を提供することが望ましい。画
像検知デバイス上の有機カラーフィルタ配列は選択され
た色素を含むか、又は色素がパターン化で導入されうる
フォトリソグラフィー組成の予め堆積された均一な層の
フォトリソグラフィー的なパターン化により現在提供さ
れている。そのようなリソグラフィー的にパターン化可
能なカラーフィルタ層はフォトポリマー材料を含み、１
００００から２００００オングストロームの範囲の典型
的な厚さを有する。
【０００６】カラーフィルタが吸収的カラーフィルタ色
素の混合物のない層から形成される場合には好ましい特
徴は画像センサ上のカラーフィルタ配列で得られると長
い間認識されてきた。色素ドナーシートから画像センサ
上に有機色素の混合物のない層の画素選択的な堆積は上
記のＲｏｂｅｒｔｓ等の米国特許出願０８／７８９５９
０に開示されている。Ｒｏｂｅｒｔｓ等は従来技術の金
属箔開口マスクを用いた。しかしながら画素寸法が減少
するにつれて、開口マスクの使用はパターン化された金
属箔、又は開口マスクを形成するよう用いられるワイヤ
の組立体がますます脆弱となり、製造が困難になるとい
う問題を有する。更に、混合物のないカラーフィルタ色
素の画素選択的転写に適用されるような開口マスク化技
術は減少された画素寸法で均一性、画素解像度、画素エ
ッジ精度の問題を有する。
素の混合物のない層から形成される場合には好ましい特
徴は画像センサ上のカラーフィルタ配列で得られると長
い間認識されてきた。色素ドナーシートから画像センサ
上に有機色素の混合物のない層の画素選択的な堆積は上
記のＲｏｂｅｒｔｓ等の米国特許出願０８／７８９５９
０に開示されている。Ｒｏｂｅｒｔｓ等は従来技術の金
属箔開口マスクを用いた。しかしながら画素寸法が減少
するにつれて、開口マスクの使用はパターン化された金
属箔、又は開口マスクを形成するよう用いられるワイヤ
の組立体がますます脆弱となり、製造が困難になるとい
う問題を有する。更に、混合物のないカラーフィルタ色
素の画素選択的転写に適用されるような開口マスク化技
術は減少された画素寸法で均一性、画素解像度、画素エ
ッジ精度の問題を有する。
【０００７】従ってドナー層から減少された画素寸法と
同程度の画像検知デバイスへ有機色素層の選択的な転写
の方法を提供することが望ましい。
同程度の画像検知デバイスへ有機色素層の選択的な転写
の方法を提供することが望ましい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はドナー
層から異なるカラー副画素を有するデバイスへカラー有
機層を選択的転写するための方法を提供することにあ
る。
層から異なるカラー副画素を有するデバイスへカラー有
機層を選択的転写するための方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は配列内で選択
された位置を有する多数のカラー副画素から形成される
各画素を有する画素配列を有するデバイス上にドナー層
からカラー有機層の選択的転写をなす方法であって、 ａ） 対向する第一と第二の面を有する基板を設け； ｂ） 基板の第一の面にわたり光透過熱絶縁層を形成
し； ｃ） 熱絶縁層上に光吸収層を形成し； ｄ） 開口の数及び位置はデバイスのカラー副画素の数
と位置に対応し、各開 口はカラー副画素の大きさと等しいか、又はそれより小
さい大きさを有する第二の表面から熱絶縁層へ延在する
開口の配列を基板に設け； ｅ） 光吸収層上に形成される転写可能なカラー形成有
機ドナー層を設け； ｆ） 基板の開口とデバイス上の対応するカラー副画素
との間に方向付けられた関係でドナー層と接触する、又
はそれに近接するようデバイスを位置決めし； ｇ） デバイスの対応するカラー副画素に対して転写可
能なカラー形成有機ドナー層の部分の選択的な転写をな
すために開口にわたり光吸収層に充分な熱を発生させる
放射源を用いる各段階を含む方法により達成される。
された位置を有する多数のカラー副画素から形成される
各画素を有する画素配列を有するデバイス上にドナー層
からカラー有機層の選択的転写をなす方法であって、 ａ） 対向する第一と第二の面を有する基板を設け； ｂ） 基板の第一の面にわたり光透過熱絶縁層を形成
し； ｃ） 熱絶縁層上に光吸収層を形成し； ｄ） 開口の数及び位置はデバイスのカラー副画素の数
と位置に対応し、各開 口はカラー副画素の大きさと等しいか、又はそれより小
さい大きさを有する第二の表面から熱絶縁層へ延在する
開口の配列を基板に設け； ｅ） 光吸収層上に形成される転写可能なカラー形成有
機ドナー層を設け； ｆ） 基板の開口とデバイス上の対応するカラー副画素
との間に方向付けられた関係でドナー層と接触する、又
はそれに近接するようデバイスを位置決めし； ｇ） デバイスの対応するカラー副画素に対して転写可
能なカラー形成有機ドナー層の部分の選択的な転写をな
すために開口にわたり光吸収層に充分な熱を発生させる
放射源を用いる各段階を含む方法により達成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図は一定の比率で拡大されておら
ず、説明を明確にするように示されている。「表示器
（デバイス）」という用語はビデオ画像又はテキストを
電子的に表示可能なスクリーンを表すために用いられて
いる。「画素」という用語は他の領域と独立に光を出射
するために励起されうる表示パネルの領域を表すために
この技術分野で用いられている。「フルカラー」という
用語は可視スペクトルの赤、緑、青の領域を出射し、色
相のいかなる組合せの画像も表示することが可能な表示
器を示すために用いられる。赤、緑、青の色は三原色を
構成し、これから他の全ての色がこれらの三原色の適切
な混合により生成可能である。「色相」という用語は可
視的なスペクトルでの光放射の強度プロファイルを称
し、異なる色相は色の視覚的に識別可能な差を示す。画
素又は副画素は表示パネルのアドレス可能な最小ユニッ
トを示すために用いられる。「副画素」という用語は特
定の色を出射するために独立してアドレス可能な画素の
いかなる部分をも示すために用いられる。例えば青の副
画素は青い光を出射するようアドレス可能な画素の部分
である。フルカラー表示器では画素は一般に三原色の副
画素、即ち青、緑、赤からなる。「ピッチ」という用語
は表示パネルの２つの画素又は副画素の離れている距離
を示すために用いられる。斯くして副画素のピッチは２
つの副画素間の分離を意味する。
ず、説明を明確にするように示されている。「表示器
（デバイス）」という用語はビデオ画像又はテキストを
電子的に表示可能なスクリーンを表すために用いられて
いる。「画素」という用語は他の領域と独立に光を出射
するために励起されうる表示パネルの領域を表すために
この技術分野で用いられている。「フルカラー」という
用語は可視スペクトルの赤、緑、青の領域を出射し、色
相のいかなる組合せの画像も表示することが可能な表示
器を示すために用いられる。赤、緑、青の色は三原色を
構成し、これから他の全ての色がこれらの三原色の適切
な混合により生成可能である。「色相」という用語は可
視的なスペクトルでの光放射の強度プロファイルを称
し、異なる色相は色の視覚的に識別可能な差を示す。画
素又は副画素は表示パネルのアドレス可能な最小ユニッ
トを示すために用いられる。「副画素」という用語は特
定の色を出射するために独立してアドレス可能な画素の
いかなる部分をも示すために用いられる。例えば青の副
画素は青い光を出射するようアドレス可能な画素の部分
である。フルカラー表示器では画素は一般に三原色の副
画素、即ち青、緑、赤からなる。「ピッチ」という用語
は表示パネルの２つの画素又は副画素の離れている距離
を示すために用いられる。斯くして副画素のピッチは２
つの副画素間の分離を意味する。
【００１１】図１を参照するに、第二の面１２２から見
たシリコンウエーハ基板１０の平面図が示される。基板
１０は各々が幅Ｗを有する複数の開口１４の規則的な配
列を有する。開口の幅Ｗは約１から約５００マイクロメ
ートルの範囲にあり、好ましくは約２から約３００マイ
クロメートルの範囲にあり、ＥＬ表示装置の種々の設計
及び画像検知デバイスの種々のクラスの画素幅寸法の範
囲に基づく。ライン２Ｂ−２Ｂは図２の（Ｂ）の断面を
示し、図１の括弧に示される符号は本発明による方法の
第二の実施例による図４の（Ａ）から（Ｄ）を参照して
詳細に説明される。
たシリコンウエーハ基板１０の平面図が示される。基板
１０は各々が幅Ｗを有する複数の開口１４の規則的な配
列を有する。開口の幅Ｗは約１から約５００マイクロメ
ートルの範囲にあり、好ましくは約２から約３００マイ
クロメートルの範囲にあり、ＥＬ表示装置の種々の設計
及び画像検知デバイスの種々のクラスの画素幅寸法の範
囲に基づく。ライン２Ｂ−２Ｂは図２の（Ｂ）の断面を
示し、図１の括弧に示される符号は本発明による方法の
第二の実施例による図４の（Ａ）から（Ｄ）を参照して
詳細に説明される。
【００１２】シリコンウエーハは以下の主要な理由によ
り本発明の方法に対して好ましい基板の一つである：シ
リコンウエーハ及びシリコンウエーハプロセス用具は容
易に市販品を入手でき；シリコンウエーハプロセスの最
近の進歩は例えばＪ．Ｋ．Ｂｈａｒｄｗａｊ，Ｈ．Ａｓ
ｈｒａｆによる出版物ＳＰＩＥ：Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉ
ｎｉｎｇ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｈｙ， Ｖｏｌ．
２６３９，ｐ２２４−２３３、”Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ Ｈｉｇｈ
Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａｓ”に記載されるよう
な高密度プラズマエッチングの技術で標準のフォトリソ
グラフィーと結合することによりシリコンウエーハに深
い開口又は深い溝を形成する適切な方法が提供されてき
ており；シリコンウエーハは本発明の装置で用いられる
ときにシリコンウエーハが経験した取り扱い条件下で実
質的に構造的一体性と温度安定性を示し；シリコンウエ
ーハ基板の対向する２つの面は実質的に共面であり、研
磨され、斯くしてその上に高精度の薄膜を堆積しうる。
微細組立（ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）方法は
ガラスやセラミック板又はウエーハのような他の基板に
容易に拡張可能である。
り本発明の方法に対して好ましい基板の一つである：シ
リコンウエーハ及びシリコンウエーハプロセス用具は容
易に市販品を入手でき；シリコンウエーハプロセスの最
近の進歩は例えばＪ．Ｋ．Ｂｈａｒｄｗａｊ，Ｈ．Ａｓ
ｈｒａｆによる出版物ＳＰＩＥ：Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉ
ｎｉｎｇ ａｎｄ Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｈｙ， Ｖｏｌ．
２６３９，ｐ２２４−２３３、”Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｕｓｉｎｇ Ｈｉｇｈ
Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａｓ”に記載されるよう
な高密度プラズマエッチングの技術で標準のフォトリソ
グラフィーと結合することによりシリコンウエーハに深
い開口又は深い溝を形成する適切な方法が提供されてき
ており；シリコンウエーハは本発明の装置で用いられる
ときにシリコンウエーハが経験した取り扱い条件下で実
質的に構造的一体性と温度安定性を示し；シリコンウエ
ーハ基板の対向する２つの面は実質的に共面であり、研
磨され、斯くしてその上に高精度の薄膜を堆積しうる。
微細組立（ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）方法は
ガラスやセラミック板又はウエーハのような他の基板に
容易に拡張可能である。
【００１３】図２の（Ａ）を参照するに基板の第一の面
１１上に堆積された光透過、熱絶縁層１３を有する第一
の面１１と対向する第二の面１２とを有する基板１０の
断面図が示される。層１３は低い熱導伝性を有さなけれ
ばならず、又はその全熱質量がウエーハ基板の熱質量と
比べて小さいように充分薄くなければならない。特に好
ましい形成層１３の材料は二酸化シリコン、チッ化シリ
コン、シリコンオキシニトリド、酸化アルミニウムであ
る。この層の厚さは好ましくは０．１から５０マイクロ
メートルの範囲である。
１１上に堆積された光透過、熱絶縁層１３を有する第一
の面１１と対向する第二の面１２とを有する基板１０の
断面図が示される。層１３は低い熱導伝性を有さなけれ
ばならず、又はその全熱質量がウエーハ基板の熱質量と
比べて小さいように充分薄くなければならない。特に好
ましい形成層１３の材料は二酸化シリコン、チッ化シリ
コン、シリコンオキシニトリド、酸化アルミニウムであ
る。この層の厚さは好ましくは０．１から５０マイクロ
メートルの範囲である。
【００１４】図２の（Ｂ）を参照するに、基板の第二の
面１２から第一の面１１に延在する周期的に離間された
開口１４の図１のライン２Ｂ−２Ｂに沿った断面図を示
す。開口１４は幅の寸法Ｗを有し、絶縁層１３が第二の
面１２から開始されたエッチングプロセスに対するエッ
チストップとして供される上記の高密度プラズマエッチ
ングプロセスにより形成される。開口１４はカラー形成
有機層が選択的に転写されるデバイスの副画素のパター
ンと共通のパターンに配置される。開口１４の幅の寸法
Ｗは好ましくは２から３００マイクロメートルの範囲で
ある。
面１２から第一の面１１に延在する周期的に離間された
開口１４の図１のライン２Ｂ−２Ｂに沿った断面図を示
す。開口１４は幅の寸法Ｗを有し、絶縁層１３が第二の
面１２から開始されたエッチングプロセスに対するエッ
チストップとして供される上記の高密度プラズマエッチ
ングプロセスにより形成される。開口１４はカラー形成
有機層が選択的に転写されるデバイスの副画素のパター
ンと共通のパターンに配置される。開口１４の幅の寸法
Ｗは好ましくは２から３００マイクロメートルの範囲で
ある。
【００１５】図２の（Ｃ）を参照するに光吸収層１５が
絶縁層１３上に堆積されるのが示される。一般的に光吸
収層の平均吸収は放射源のスペクトル波長範囲にわたり
少なくとも１．０の値を有さなければならない。光吸収
層で用いられる材料の吸収強度（吸収係数）に依存して
光吸収層１５の物理的な厚さは約０．１マイクロメート
ルから数マイクロメートルの範囲にある。シリコンウエ
ーハ基板の処理に適合するいかなる吸収材料でも良い。
光吸収層に対して好ましい材料は例えばクロム、ニッケ
ル、コバルト、シリコン、ゲルマニウム、コバルト、又
はこれらの材料の合金の単層を含む。例えばクロムとゲ
ルマニウムの交互の層のような材料の交互の層の多層堆
積が放射源のスペクトル特性に対する光吸収層の吸収範
囲を所望のように適合し、光吸収層の一般的な好ましく
ない反射特性を減少するために用いられる。
絶縁層１３上に堆積されるのが示される。一般的に光吸
収層の平均吸収は放射源のスペクトル波長範囲にわたり
少なくとも１．０の値を有さなければならない。光吸収
層で用いられる材料の吸収強度（吸収係数）に依存して
光吸収層１５の物理的な厚さは約０．１マイクロメート
ルから数マイクロメートルの範囲にある。シリコンウエ
ーハ基板の処理に適合するいかなる吸収材料でも良い。
光吸収層に対して好ましい材料は例えばクロム、ニッケ
ル、コバルト、シリコン、ゲルマニウム、コバルト、又
はこれらの材料の合金の単層を含む。例えばクロムとゲ
ルマニウムの交互の層のような材料の交互の層の多層堆
積が放射源のスペクトル特性に対する光吸収層の吸収範
囲を所望のように適合し、光吸収層の一般的な好ましく
ない反射特性を減少するために用いられる。
【００１６】基板、熱絶縁層、光吸収層は耐久性を有さ
なければならず、好ましくは複数の処理サイクルで役に
立つ。故に光吸収層１５は光熱安定、絶縁層１３への良
好な接着、熱転写サイクル及び各転写プロセスに続く洗
浄プロセスに耐える耐摩耗性を有することが重要であ
る。洗浄プロセスは溶媒洗浄、超音波溶媒洗浄、ガスプ
ラズマ処理、スクラッビング、高温での熱堆積を含む。
なければならず、好ましくは複数の処理サイクルで役に
立つ。故に光吸収層１５は光熱安定、絶縁層１３への良
好な接着、熱転写サイクル及び各転写プロセスに続く洗
浄プロセスに耐える耐摩耗性を有することが重要であ
る。洗浄プロセスは溶媒洗浄、超音波溶媒洗浄、ガスプ
ラズマ処理、スクラッビング、高温での熱堆積を含む。
【００１７】図２の（Ｄ）を参照するに、光吸収層１５
の上にカラー形成有機材料の層１６が堆積される。この
カラー形成有機材料は昇華されうる、混合物のない層で
ある必要があり、本発明の方法を用いて転写で連続で均
一なフィルム上に形成される。望ましい特徴は熱的、光
化学的安定性、高いガラス転位温度であり、有機ＥＬ媒
体は一以上の光放射有機材料からなる。
の上にカラー形成有機材料の層１６が堆積される。この
カラー形成有機材料は昇華されうる、混合物のない層で
ある必要があり、本発明の方法を用いて転写で連続で均
一なフィルム上に形成される。望ましい特徴は熱的、光
化学的安定性、高いガラス転位温度であり、有機ＥＬ媒
体は一以上の光放射有機材料からなる。
【００１８】カラー形成有機ドナー層１６は光吸収層１
５上に厚さ０．１から１０マイクロメートルの範囲で好
ましくは蒸着法により堆積される。その上にカラーフィ
ルタを形成するために画像センサデバイス上に選択的に
転写するためのドナー層としてカラー形成色素の例は以
下のものを含む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタ
ロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロ
アルミニウムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウ
ムフタロシアニン、バナジルフタロシアニン、チタニル
フタロシアニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニ
ンのようなフタロシアニン；ピグメントイエロー１１
０、ピグメントイエロー１８５のようなイソインドリノ
ン（ｉｓｏｉｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロ
ー１５１、ピグメントイエロー１５４、ピグメントイエ
ロー１７５、ピグメントイエロー１９４、ピグメントオ
レンジ３６、ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッ
ド１７５、ピグメントレッド２０８のようなベンズイミ
ダゾロン（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメ
ントイエロー１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏ
ｐｈｔｈａｌｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグ
メントレッド２０２、ピグメントバイオレット１９のよ
うなキナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグ
メントレッド１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメ
ント１７９、ピグメントレッド２２４、ピグメントバイ
オレット２９のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；
ピグメントバイオレット２３のようなジオクサジン（ｄ
ｉｏｘａｚｉｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメント
バイオレット３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉ
ｎｄｉｇｏ）；２，８−ジフルオロエピンドリジオンの
ようなエピンドリジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎ
ｅ）；ピグメントレッド１６８のようなアンサンスロン
（ａｎｔｈａｎｔｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロン
のようなイソバイオランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；ピグメントイブルー６０のようなインダ
ンスロン（ｉｎｄａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエ
ロー１９２のようなイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍ
ｉｄａｚｏｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメ
ントオレンジ６７のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒ
ａｚｏｌｏｑｕｉｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッ
ド２５４、Ｉｒｇａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ Ｔ
Ｒ，Ｃｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ Ｔ
Ｒのようなジケトピロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐ
ｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａ
ｌＤＰＰ Ｆｌａｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギ
ー社）；ピグメントレッド１７７のようなビスアミノア
ントロン（ｂｉｓａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
５上に厚さ０．１から１０マイクロメートルの範囲で好
ましくは蒸着法により堆積される。その上にカラーフィ
ルタを形成するために画像センサデバイス上に選択的に
転写するためのドナー層としてカラー形成色素の例は以
下のものを含む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタ
ロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロ
アルミニウムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウ
ムフタロシアニン、バナジルフタロシアニン、チタニル
フタロシアニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニ
ンのようなフタロシアニン；ピグメントイエロー１１
０、ピグメントイエロー１８５のようなイソインドリノ
ン（ｉｓｏｉｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロ
ー１５１、ピグメントイエロー１５４、ピグメントイエ
ロー１７５、ピグメントイエロー１９４、ピグメントオ
レンジ３６、ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッ
ド１７５、ピグメントレッド２０８のようなベンズイミ
ダゾロン（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメ
ントイエロー１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏ
ｐｈｔｈａｌｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグ
メントレッド２０２、ピグメントバイオレット１９のよ
うなキナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグ
メントレッド１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメ
ント１７９、ピグメントレッド２２４、ピグメントバイ
オレット２９のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；
ピグメントバイオレット２３のようなジオクサジン（ｄ
ｉｏｘａｚｉｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメント
バイオレット３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉ
ｎｄｉｇｏ）；２，８−ジフルオロエピンドリジオンの
ようなエピンドリジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎ
ｅ）；ピグメントレッド１６８のようなアンサンスロン
（ａｎｔｈａｎｔｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロン
のようなイソバイオランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；ピグメントイブルー６０のようなインダ
ンスロン（ｉｎｄａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエ
ロー１９２のようなイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍ
ｉｄａｚｏｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメ
ントオレンジ６７のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒ
ａｚｏｌｏｑｕｉｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッ
ド２５４、Ｉｒｇａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ Ｔ
Ｒ，Ｃｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ Ｔ
Ｒのようなジケトピロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐ
ｙｒｒｏｌｏｐｙｒｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａ
ｌＤＰＰ Ｆｌａｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギ
ー社）；ピグメントレッド１７７のようなビスアミノア
ントロン（ｂｉｓａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
【００１９】光励起有機ＥＬホスト材料の例及び赤、
緑、青色光放射副画素を形成するために有機ＥＬ表示デ
バイス上に選択的に転写するためのドナー層として有用
な蛍光染料の例は以下のものを含む：２−メチル−８−
ハイドロキノリンアルミニウム；８−ハイドロキノリン
アルミニウム；クーマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）−６；
４−（ジシアノエチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−４−Ｈ−ピラン；キナクリド
ン蛍光染料；ピリレン蛍光染料。ドーパントとして、又
は光出射有機ホストのゲストとして用いられる光出射有
機ホスト材料及び蛍光染料を含む他の有用な有機ＥＬ材
料は米国特許第４７６９２９；５４０５７０９；５６８
３８２３号に開示され、それらをここに参考として引用
する。
緑、青色光放射副画素を形成するために有機ＥＬ表示デ
バイス上に選択的に転写するためのドナー層として有用
な蛍光染料の例は以下のものを含む：２−メチル−８−
ハイドロキノリンアルミニウム；８−ハイドロキノリン
アルミニウム；クーマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）−６；
４−（ジシアノエチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−４−Ｈ−ピラン；キナクリド
ン蛍光染料；ピリレン蛍光染料。ドーパントとして、又
は光出射有機ホストのゲストとして用いられる光出射有
機ホスト材料及び蛍光染料を含む他の有用な有機ＥＬ材
料は米国特許第４７６９２９；５４０５７０９；５６８
３８２３号に開示され、それらをここに参考として引用
する。
【００２０】理想的には各ドナー層の赤、緑、青色光出
射有機ＥＬ材料のそれぞれは単一の有機材料である。し
かしながら上記の米国特許から明らかなようにＥＬ表示
デバイスの各副画素上の赤、緑、青色光出射層は光励起
の所望の輝度及びＥＬ表示デバイスから出射された光の
所望の色又は色相を達成するために一以上の蛍光染料を
有する光出射有機ＥＬホスト材料からしばしば形成され
る。斯くして本発明の方法は少なくとも一つの光励起有
機材料からなる熱昇華可能な有機ＥＬ媒体の層であるカ
ラーのそれぞれに対してドナー層１６（１１６）を含
む。
射有機ＥＬ材料のそれぞれは単一の有機材料である。し
かしながら上記の米国特許から明らかなようにＥＬ表示
デバイスの各副画素上の赤、緑、青色光出射層は光励起
の所望の輝度及びＥＬ表示デバイスから出射された光の
所望の色又は色相を達成するために一以上の蛍光染料を
有する光出射有機ＥＬホスト材料からしばしば形成され
る。斯くして本発明の方法は少なくとも一つの光励起有
機材料からなる熱昇華可能な有機ＥＬ媒体の層であるカ
ラーのそれぞれに対してドナー層１６（１１６）を含
む。
【００２１】図２の（Ｅ）を参照するに、図２の（Ｄ）
で示される一連の層１３、１５、１６である第一の面１
１を有する基板１０の第二の表面１２と接触するよう配
置される光透過性支持体２０が断面図により示される。
光透過性支持体２０は基板１０の第二の面１２と接触す
るよう配置され、又は光透過性支持体２０は基板の面１
２に結合される。光透過性支持体２０の好ましい材料は
水晶、パイレックス型のガラス、ソーダライムガラス、
硬質プラスチックである。
で示される一連の層１３、１５、１６である第一の面１
１を有する基板１０の第二の表面１２と接触するよう配
置される光透過性支持体２０が断面図により示される。
光透過性支持体２０は基板１０の第二の面１２と接触す
るよう配置され、又は光透過性支持体２０は基板の面１
２に結合される。光透過性支持体２０の好ましい材料は
水晶、パイレックス型のガラス、ソーダライムガラス、
硬質プラスチックである。
【００２２】図２の（Ｅ）から、基板１０の開口１４は
光透過性支持体２０の上面と光透過性熱絶縁層１３の底
面により実質的に密封され、それによりこれらの開口は
開口に囲まれた基板と比べて実質的に熱絶縁体となるこ
とがわかる。換言すれば開口１４は低い熱質量、低い熱
導伝性を有し、一方で開口１４に囲まれた基板はより高
い熱導伝性と、顕著に高い熱質量を有する。基板１０と
支持体２０とからなる図２の（Ｅ）の構成は開口と開口
の周囲の基板材料との間の高い熱コントラストを提供す
る。
光透過性支持体２０の上面と光透過性熱絶縁層１３の底
面により実質的に密封され、それによりこれらの開口は
開口に囲まれた基板と比べて実質的に熱絶縁体となるこ
とがわかる。換言すれば開口１４は低い熱質量、低い熱
導伝性を有し、一方で開口１４に囲まれた基板はより高
い熱導伝性と、顕著に高い熱質量を有する。基板１０と
支持体２０とからなる図２の（Ｅ）の構成は開口と開口
の周囲の基板材料との間の高い熱コントラストを提供す
る。
【００２３】放射露出４０（光又は熱露出）は光透過支
持体２０の底面にぶつかる矢印により示される。この例
では開口１４と同様に基板の両方に入来する露出４０は
比較的高い熱質量を有する基板の温度を顕著には増加し
ないが、開口１４と一致する領域の光吸収層１５の温度
を顕著に増加し、それにより開口と一致する領域のカラ
ー形成有機ドナー層１６を迅速に蒸発させる。
持体２０の底面にぶつかる矢印により示される。この例
では開口１４と同様に基板の両方に入来する露出４０は
比較的高い熱質量を有する基板の温度を顕著には増加し
ないが、開口１４と一致する領域の光吸収層１５の温度
を顕著に増加し、それにより開口と一致する領域のカラ
ー形成有機ドナー層１６を迅速に蒸発させる。
【００２４】複数の画素又は副画素３２を有するデバイ
ス３０は分かりやすく示す目的でドナー層１６の上面か
ら離間されるように示される。各画素（副画素）は幅の
寸法Ｗｐを有するよう表示する目的のために示されてい
る。光露出４０の開始の前に、デバイス３０は画素３２
が基板の対応する開口１４に関して方向付けられるよう
に基板１０に関して方向付けられ、又は傾けられる。一
のカラーのカラー形成有機ドナー層１６のデバイス３０
の目標の画素３２への選択的転写は開口１４に入射する
領域で矢印により概略示され、そのような選択的転写は
デバイス３０の目標の画素又は副画素の各一つにカラー
有機層３６を形成する。
ス３０は分かりやすく示す目的でドナー層１６の上面か
ら離間されるように示される。各画素（副画素）は幅の
寸法Ｗｐを有するよう表示する目的のために示されてい
る。光露出４０の開始の前に、デバイス３０は画素３２
が基板の対応する開口１４に関して方向付けられるよう
に基板１０に関して方向付けられ、又は傾けられる。一
のカラーのカラー形成有機ドナー層１６のデバイス３０
の目標の画素３２への選択的転写は開口１４に入射する
領域で矢印により概略示され、そのような選択的転写は
デバイス３０の目標の画素又は副画素の各一つにカラー
有機層３６を形成する。
【００２５】上記のようにデバイス３０は割り当てられ
た赤、緑、青色カラー画素又はカラー副画素のカラーフ
ィルタを有するＣＣＤ又はＣＭＯＳデバイス構造の画像
検知デバイスであり、あるいはデバイス３０は割り当て
られた赤、緑、青色光出射副画素を有するＥＬ表示装置
である。本発明の実施でデバイス３０は開口１４と対応
する副画素３２との間の方向付けられた関係でドナー層
１６に接触又は近接して配置される。このデバイスが画
像検知デバイスであるときには割り当てられたカラー画
素又は副画素３２のそれぞれはそれぞれのカラーフィル
ター層３６を形成するために対応する赤、緑、又は青色
の選択的転写色素層により実質的に覆われる。この場合
は各画素の幅の寸法Ｗｐはカラーフィルタ層３６で完全
に覆われ、Ｗ≦Ｗｐである。予想されるように転写され
た層３６の最大の解像度は画像検知デバイスがドナー層
１６と接触して配置されているときに得られる。しかし
ながら転写層３６の解像度は画像検知デバイスが画素幅
寸法Ｗｐより小さいか又はそれと等しく近接して離間さ
れるドナー層１６に近接して配置されるときに画像検知
デバイスに適切に得られる。
た赤、緑、青色カラー画素又はカラー副画素のカラーフ
ィルタを有するＣＣＤ又はＣＭＯＳデバイス構造の画像
検知デバイスであり、あるいはデバイス３０は割り当て
られた赤、緑、青色光出射副画素を有するＥＬ表示装置
である。本発明の実施でデバイス３０は開口１４と対応
する副画素３２との間の方向付けられた関係でドナー層
１６に接触又は近接して配置される。このデバイスが画
像検知デバイスであるときには割り当てられたカラー画
素又は副画素３２のそれぞれはそれぞれのカラーフィル
ター層３６を形成するために対応する赤、緑、又は青色
の選択的転写色素層により実質的に覆われる。この場合
は各画素の幅の寸法Ｗｐはカラーフィルタ層３６で完全
に覆われ、Ｗ≦Ｗｐである。予想されるように転写され
た層３６の最大の解像度は画像検知デバイスがドナー層
１６と接触して配置されているときに得られる。しかし
ながら転写層３６の解像度は画像検知デバイスが画素幅
寸法Ｗｐより小さいか又はそれと等しく近接して離間さ
れるドナー層１６に近接して配置されるときに画像検知
デバイスに適切に得られる。
【００２６】デバイスが赤、緑、又は青色の光を出射す
る光出射器として完全に作動しうる各副画素であるＥＬ
表示デバイスであるときには上記の説明はＥＬ表示デバ
イスとカラー形成有機ドナー層１６との間の接触又は近
接した配置に関して係わる。しかしながらＥＬ表示デバ
イスの当業者には良く知られているがＥＬ表示デバイス
の能動又は光出射領域は幾何的な副画素領域より顕著に
小さくなるようしばしば設計される。そのような場合に
は本発明の装置の基板１０の開口１４の寸法（即ち示さ
れた幅の寸法Ｗ）はカラー有機ＥＬ媒体の転写された層
がＥＬ副画素幅の大きさＷｐの部分にわたってのみ形成
されるように設計される。後者の場合には，Ｗ＜＜Ｗｐ
であり、ＥＬデバイスとＥＬ有機ドナー層１６との間の
近接した位置は該装置の基板１０の開口の幅Ｗより小さ
い又はそれに等しい近接した間隔である。
る光出射器として完全に作動しうる各副画素であるＥＬ
表示デバイスであるときには上記の説明はＥＬ表示デバ
イスとカラー形成有機ドナー層１６との間の接触又は近
接した配置に関して係わる。しかしながらＥＬ表示デバ
イスの当業者には良く知られているがＥＬ表示デバイス
の能動又は光出射領域は幾何的な副画素領域より顕著に
小さくなるようしばしば設計される。そのような場合に
は本発明の装置の基板１０の開口１４の寸法（即ち示さ
れた幅の寸法Ｗ）はカラー有機ＥＬ媒体の転写された層
がＥＬ副画素幅の大きさＷｐの部分にわたってのみ形成
されるように設計される。後者の場合には，Ｗ＜＜Ｗｐ
であり、ＥＬデバイスとＥＬ有機ドナー層１６との間の
近接した位置は該装置の基板１０の開口の幅Ｗより小さ
い又はそれに等しい近接した間隔である。
【００２７】露出４０はブランケット放射露出基板を設
けるように示されている。そのようなブランケット露出
は基板の一部分又は基板全体の均一な露出を提供するた
めに向けられる。ブランケット露出は例えばパルスガス
放電ランプのようなパルス化された放射源から得られ
る。放射露出４０はまた例えばスキャニングレーザビー
ム光源のようなスキャニング光源から得られる。露出４
０の強度及び露出の時間は充分なエネルギーが開口１４
にわたり光吸収層で充分な熱を発生するよう開口１４を
通して光吸収層１５に転送され、それにより転写可能な
カラー形成有機ドナー層１６は基板１０の開口１４と一
致する領域でデバイス３０の画素３２に選択的に転写さ
れる。
けるように示されている。そのようなブランケット露出
は基板の一部分又は基板全体の均一な露出を提供するた
めに向けられる。ブランケット露出は例えばパルスガス
放電ランプのようなパルス化された放射源から得られ
る。放射露出４０はまた例えばスキャニングレーザビー
ム光源のようなスキャニング光源から得られる。露出４
０の強度及び露出の時間は充分なエネルギーが開口１４
にわたり光吸収層で充分な熱を発生するよう開口１４を
通して光吸収層１５に転送され、それにより転写可能な
カラー形成有機ドナー層１６は基板１０の開口１４と一
致する領域でデバイス３０の画素３２に選択的に転写さ
れる。
【００２８】図３の（Ａ）を参照するに、同様な部分及
び機能が同様の符号表示で示されたカラー形成有機ドナ
ー層の選択的転写の方法の断面図が示される。基板１０
は開口１４の側壁及び開口の間の第二の面１２に沿って
延在する光反射層１７を有し、それにより基板の放射吸
収を実質的に除去する。光反射層１７は基板が電気的に
半導体シリコン基板のときに基板上に電気メッキにより
堆積された反射クロム層又は銀層である。熱絶縁層１３
は電気的に絶縁層である故に光反射層１７でコーディン
グされない。あるいは光反射層１７は蒸着源と基板１０
との間に傾けられて配置されて堆積されるクロム、銀、
又はアルミニウム反射層である。光反射層１７の形成は
基板１０の第二の面上に光透過支持体２０を設け、光吸
収層１５上にカラー形成有機ドナー層１６の堆積の前に
なされる。
び機能が同様の符号表示で示されたカラー形成有機ドナ
ー層の選択的転写の方法の断面図が示される。基板１０
は開口１４の側壁及び開口の間の第二の面１２に沿って
延在する光反射層１７を有し、それにより基板の放射吸
収を実質的に除去する。光反射層１７は基板が電気的に
半導体シリコン基板のときに基板上に電気メッキにより
堆積された反射クロム層又は銀層である。熱絶縁層１３
は電気的に絶縁層である故に光反射層１７でコーディン
グされない。あるいは光反射層１７は蒸着源と基板１０
との間に傾けられて配置されて堆積されるクロム、銀、
又はアルミニウム反射層である。光反射層１７の形成は
基板１０の第二の面上に光透過支持体２０を設け、光吸
収層１５上にカラー形成有機ドナー層１６の堆積の前に
なされる。
【００２９】図３の（Ｂ）を参照するに、カラー形成有
機ドナー層１６からカラー有機層の選択的転写の方法の
断面図が示され、ここで光吸収体１５Ｐが基板１０の開
口１４と一致するようパターン化され、それによりそれ
ぞれの光吸収層１５Ｐを相互に熱的に隔離する。基板１
０の開口１４と、開口間の基板部分との間の最も高い熱
的なコントラストを提供するために、図３の（Ａ）の光
反射層１７は図３の（Ｂ）のパターン化された光吸収層
１５Ｐと組み合わせられる。
機ドナー層１６からカラー有機層の選択的転写の方法の
断面図が示され、ここで光吸収体１５Ｐが基板１０の開
口１４と一致するようパターン化され、それによりそれ
ぞれの光吸収層１５Ｐを相互に熱的に隔離する。基板１
０の開口１４と、開口間の基板部分との間の最も高い熱
的なコントラストを提供するために、図３の（Ａ）の光
反射層１７は図３の（Ｂ）のパターン化された光吸収層
１５Ｐと組み合わせられる。
【００３０】図４の（Ａ）を参照するに、第一の面１１
１と反対の第二の面１１２を有する基板１００の断面図
を示し、ここで幅の寸法Ｗの開口は第二の面から第一の
面へ延在する。この本発明の方法の第二の実施例では上
記熱絶縁層１３は用いられない。図４の（Ｂ）を参照す
るに、基板１００と、上面に堆積された光吸収層２１５
を有する光透過支持体２００とが示される。
１と反対の第二の面１１２を有する基板１００の断面図
を示し、ここで幅の寸法Ｗの開口は第二の面から第一の
面へ延在する。この本発明の方法の第二の実施例では上
記熱絶縁層１３は用いられない。図４の（Ｂ）を参照す
るに、基板１００と、上面に堆積された光吸収層２１５
を有する光透過支持体２００とが示される。
【００３１】図４の（Ｃ）を参照するに、光透過支持体
２００上の光吸収層２１５が基板１００の第二の面１１
２と接触しているのが示される。カラー形成有機ドナー
層１１６が光吸収層２１５上の開口１１４と、開口１１
４間の第一の面１１１に形成される。ドナー層１１６は
コリメートされた蒸気源から蒸着により形成される。
２００上の光吸収層２１５が基板１００の第二の面１１
２と接触しているのが示される。カラー形成有機ドナー
層１１６が光吸収層２１５上の開口１１４と、開口１１
４間の第一の面１１１に形成される。ドナー層１１６は
コリメートされた蒸気源から蒸着により形成される。
【００３２】図４の（Ｄ）を参照するに、図４の（Ｃ）
に示されるカラー有機層の選択的転写の方法がしめさ
れ、ここで放射露出４００は光透過支持体１００へ入射
し、光吸収層２１５により吸収され、それにより基板１
００の開口内の光吸収層上に予め堆積されたカラー形成
有機ドナー層の蒸発が引き起こされる。開口１１４を通
してカラー形成有機ドナー層の転写は破線の矢印で示さ
れ、デバイス３００の示された画素３３２上の選択的に
転写されたカラー有機層３３６を提供し、これは開口１
１４間のドナー層１１６の上面から離間されるのを説明
する目的のみで示す。上記の図２の（Ｅ）を参照して示
されるようにデバイス３００は全画素範囲に対してＷｐ
より小さいか、それと等しく離間されるよう近接して画
素３３２と基板内の対応する開口１１４との間の方向付
けられた関係でドナー層１１６の上面に近接して露出さ
れるよう予め配置され、ここでＷ≦Ｗｐ、又はＥＬ表示
デバイスの部分的な画素範囲に対してＷと等しいかより
小さく、ここで図２の（Ｅ）で詳細に説明したＷ＜＜Ｗ
ｐである。
に示されるカラー有機層の選択的転写の方法がしめさ
れ、ここで放射露出４００は光透過支持体１００へ入射
し、光吸収層２１５により吸収され、それにより基板１
００の開口内の光吸収層上に予め堆積されたカラー形成
有機ドナー層の蒸発が引き起こされる。開口１１４を通
してカラー形成有機ドナー層の転写は破線の矢印で示さ
れ、デバイス３００の示された画素３３２上の選択的に
転写されたカラー有機層３３６を提供し、これは開口１
１４間のドナー層１１６の上面から離間されるのを説明
する目的のみで示す。上記の図２の（Ｅ）を参照して示
されるようにデバイス３００は全画素範囲に対してＷｐ
より小さいか、それと等しく離間されるよう近接して画
素３３２と基板内の対応する開口１１４との間の方向付
けられた関係でドナー層１１６の上面に近接して露出さ
れるよう予め配置され、ここでＷ≦Ｗｐ、又はＥＬ表示
デバイスの部分的な画素範囲に対してＷと等しいかより
小さく、ここで図２の（Ｅ）で詳細に説明したＷ＜＜Ｗ
ｐである。
【００３３】図２の（Ｅ）を参照して説明したように、
露出４００はパルスガス放電ランプにより供給されるブ
ランケット露出であり、あるいはスキャニングレーザー
光ビームからの放射である。光吸収層２１５を有する光
透過支持体２００は基板１００の第二の面１１２に結合
される。本発明の方法の実施例のいずれか一つを用いた
カラー形成ドナー層からカラー有機層の一のカラー（例
えば赤色）のデバイスの示された副画素への選択的転写
の後に残ったドナー層は適切な清掃処理により基板から
除去される。次に他のカラー（例えば緑色）を形成しう
るドナー層は基板上に堆積される。デバイスは開口１４
（１１４）と他の色に対応する指定された副画素３２
（３３２）との間の方向付けられた関係でそのような他
のカラーのドナー層に関して方向付けマークを介して再
位置決めされる。このドナー層のデバイスの指定された
副画素への選択的転写は上記のような放射源をもちいる
ことにより開始される。清掃、ドナー層堆積、デバイス
の再位置決め、選択的ドナー層転写のシーケンスはデバ
イス３０（３００）の対応する指定された副画素上に第
三のカラー（例えば青色）有機層を形成するよう繰り返
される。
露出４００はパルスガス放電ランプにより供給されるブ
ランケット露出であり、あるいはスキャニングレーザー
光ビームからの放射である。光吸収層２１５を有する光
透過支持体２００は基板１００の第二の面１１２に結合
される。本発明の方法の実施例のいずれか一つを用いた
カラー形成ドナー層からカラー有機層の一のカラー（例
えば赤色）のデバイスの示された副画素への選択的転写
の後に残ったドナー層は適切な清掃処理により基板から
除去される。次に他のカラー（例えば緑色）を形成しう
るドナー層は基板上に堆積される。デバイスは開口１４
（１１４）と他の色に対応する指定された副画素３２
（３３２）との間の方向付けられた関係でそのような他
のカラーのドナー層に関して方向付けマークを介して再
位置決めされる。このドナー層のデバイスの指定された
副画素への選択的転写は上記のような放射源をもちいる
ことにより開始される。清掃、ドナー層堆積、デバイス
の再位置決め、選択的ドナー層転写のシーケンスはデバ
イス３０（３００）の対応する指定された副画素上に第
三のカラー（例えば青色）有機層を形成するよう繰り返
される。
【００３４】本発明は特定の好ましい実施例を特に参照
して詳細に説明されてきたが、変更及び改良は本発明の
精神及び範囲内でなされうる。例えば図１に示される複
数の開口１４又は１１４は例示の目的のみのために示さ
れる。本発明による方法で開口の数、開口の形状、ピッ
チと称される開口間の間隔はまた選択的に転写されたか
ラー有機層を受けるためにデバイスの画素の数、形状、
ピッチに適合するよう選択される。画像検知及び有機Ｅ
Ｌ表示デバイスの両方が多くの異なる構成で利用可能で
ある。従ってそのような多くのデバイスの特定の一つの
指定された画素又は副画素にカラー有機層を選択的に転
写する方法はそのような特定のデバイスに関して操作に
より適合されうる。
して詳細に説明されてきたが、変更及び改良は本発明の
精神及び範囲内でなされうる。例えば図１に示される複
数の開口１４又は１１４は例示の目的のみのために示さ
れる。本発明による方法で開口の数、開口の形状、ピッ
チと称される開口間の間隔はまた選択的に転写されたか
ラー有機層を受けるためにデバイスの画素の数、形状、
ピッチに適合するよう選択される。画像検知及び有機Ｅ
Ｌ表示デバイスの両方が多くの異なる構成で利用可能で
ある。従ってそのような多くのデバイスの特定の一つの
指定された画素又は副画素にカラー有機層を選択的に転
写する方法はそのような特定のデバイスに関して操作に
より適合されうる。
【００３５】
【発明の効果】本発明はカラー形成有機ドナー層担持構
造からデバイスへ放射に露出することにより選択的な転
写を提供する。本発明は高放射吸収、低熱質量、低熱導
伝性の領域を用い、ここでカラー形成有機ドナー層のデ
バイスへの効率的な転写が望まれ、高熱質量及びカラー
形成有機層の転写が妨げられる高熱導伝性の領域を有す
る。主要な利点は転写された層の高画素解像度及びエッ
ジ精度；カラー形成有機ドナー層の優秀な実用性；各選
択的に転写されたカラー形成有機層の厚さの正確な制
御；大きな面積のデバイスに対するスケーラビリティ；
堆積加工の小型化を含む。
造からデバイスへ放射に露出することにより選択的な転
写を提供する。本発明は高放射吸収、低熱質量、低熱導
伝性の領域を用い、ここでカラー形成有機ドナー層のデ
バイスへの効率的な転写が望まれ、高熱質量及びカラー
形成有機層の転写が妨げられる高熱導伝性の領域を有す
る。主要な利点は転写された層の高画素解像度及びエッ
ジ精度；カラー形成有機ドナー層の優秀な実用性；各選
択的に転写されたカラー形成有機層の厚さの正確な制
御；大きな面積のデバイスに対するスケーラビリティ；
堆積加工の小型化を含む。
【図１】第二の面から見た本発明による複数の開口を示
すシリコンウエーハ基板の平面図である。
すシリコンウエーハ基板の平面図である。
【図２】（Ａ）は本発明による第一の面上に熱絶縁層を
有するシリコンウエーハ基板の断面図を示し、（Ｂ）は
本発明による基板の第二の表面から熱絶縁層に延在する
複数の開口を示す図１のライン２Ｂ−２Ｂでの断面図を
示し、（Ｃ）は熱絶縁層上に堆積された光吸収層を有す
る（Ｂ）のシリコンウエーハ基板の断面図を示し、
（Ｄ）は（Ｃ）の光吸収層にわたり堆積されたカラー形
成有機ドナー層を有する本発明の方法による断面図を示
し、（Ｅ）は光透過支持体により支持されるシリコンウ
エーハ基板の第二の面が基板から画素又は副画素を有す
るデバイスにカラー形成有機ドナー層の選択的な転写を
提供するために光露出により露出される本発明の方法に
よる断面図を示す。
有するシリコンウエーハ基板の断面図を示し、（Ｂ）は
本発明による基板の第二の表面から熱絶縁層に延在する
複数の開口を示す図１のライン２Ｂ−２Ｂでの断面図を
示し、（Ｃ）は熱絶縁層上に堆積された光吸収層を有す
る（Ｂ）のシリコンウエーハ基板の断面図を示し、
（Ｄ）は（Ｃ）の光吸収層にわたり堆積されたカラー形
成有機ドナー層を有する本発明の方法による断面図を示
し、（Ｅ）は光透過支持体により支持されるシリコンウ
エーハ基板の第二の面が基板から画素又は副画素を有す
るデバイスにカラー形成有機ドナー層の選択的な転写を
提供するために光露出により露出される本発明の方法に
よる断面図を示す。
【図３】（Ａ）は光反射層が開口の側壁上に堆積され、
開口間のシリコンウエーハ基板の第二の面に沿っている
ことを示す本発明の方法による断面図を示し、（Ｂ）は
光吸収層がパターン化された光吸収層として示される本
発明による方法の断面図を示す。
開口間のシリコンウエーハ基板の第二の面に沿っている
ことを示す本発明の方法による断面図を示し、（Ｂ）は
光吸収層がパターン化された光吸収層として示される本
発明による方法の断面図を示す。
【図４】（Ａ）は本発明の第二の実施例による基板の第
一と第二の面の間に延在する開口を示す図１のライン４
Ａ−４Ａ（括弧内の）に沿ったシリコンウエーハ基板の
断面図を示し、（Ｂ）は（Ａ）のシリコンウエーハ基板
と説明の目的でそれから離間した光吸収層を上に有する
光透過支持体の断面図を示し、（Ｃ）は光吸収層を有す
る光透過支持体はシリコンウエーハ基板の第二の面と接
触するよう配置され、カラー形成有機ドナー層は開口内
の光吸収層及び開口間の基板の第一の面上に配置される
のが示される、本発明の第二の実施例による方法を示
し、（Ｄ）は光透過支持体による光露出が支持されるシ
リコンウエーハ基板の第二の面が基板から複数の画素を
有するデバイス上の開口を通して光吸収層からカラー形
成有機ドナー層の選択的な転写を提供するために示され
る本発明の第二の実施例の方法による断面図を示す。
一と第二の面の間に延在する開口を示す図１のライン４
Ａ−４Ａ（括弧内の）に沿ったシリコンウエーハ基板の
断面図を示し、（Ｂ）は（Ａ）のシリコンウエーハ基板
と説明の目的でそれから離間した光吸収層を上に有する
光透過支持体の断面図を示し、（Ｃ）は光吸収層を有す
る光透過支持体はシリコンウエーハ基板の第二の面と接
触するよう配置され、カラー形成有機ドナー層は開口内
の光吸収層及び開口間の基板の第一の面上に配置される
のが示される、本発明の第二の実施例による方法を示
し、（Ｄ）は光透過支持体による光露出が支持されるシ
リコンウエーハ基板の第二の面が基板から複数の画素を
有するデバイス上の開口を通して光吸収層からカラー形
成有機ドナー層の選択的な転写を提供するために示され
る本発明の第二の実施例の方法による断面図を示す。
１０、１００ 基板 １１、１１１ 第一の基板表面 １２、１１２ 第二の基板表面 １３、１１３ 熱絶縁層 １４、１１４ 開口 １５ 光吸収層 １５Ｐ パターン化された光吸収層 １６、１１６ カラー形成有機ドナー層 ２０、２００ 光透過支持体 ３０、３００ デバイス ３２。３３２ カラー副画素、又は画素 ３６、３３６ 選択的に転写されたカラー有機層 ４０、４００ 放射露出
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チン ダブリュ タン アメリカ合衆国，ニューヨーク 14625, ロチェスター，パーク・レーン 176
Claims (3)
- 【請求項１】 配列内で選択された位置を有する多数の
カラー副画素から形成される各画素での画素配列を有す
るデバイス上にドナー層からカラー有機層の選択的転写
をなす方法であって、 ａ） 対向する第一と第二の面を有する基板を設け； ｂ） 基板の第一の面にわたり光透過熱絶縁層を形成
し； ｃ） 熱絶縁層上に光吸収層を形成し； ｄ） 開口の数及び位置はデバイスのカラー副画素の数
と位置に対応し、各開口はカラー副画素の大きさと等し
いか、又はそれより小さい大きさを有する第二の表面か
ら熱絶縁層へ延在する開口の配列を基板に設け； ｅ） 光吸収層上に形成される転写可能なカラー形成有
機ドナー層を設け； ｆ） 基板の開口とデバイス上の対応するカラー副画素
との間に方向付けられた関係でドナー層と接触する、又
はそれに近接するようデバイスを位置決めし； ｇ） デバイスの対応するカラー副画素に対して転写可
能なカラー形成有機ドナー層の部分の選択的な転写をな
すために開口にわたり光吸収層に充分な熱を発生させる
放射源を用いる各段階を含む方法。 - 【請求項２】 各画素が赤、緑、青色のカラー副画像で
形成され、開口と他の色に対応する副画素との間の方向
付けられた関係で他の色の転写可能なカラー形成有機ド
ナー層に関してデバイスを再位置決めする段階を更に含
む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 デバイスは画像検知デバイスであり、転
写可能なカラー形成有機ドナー層はカラーフィルタを形
成可能な熱昇華有機色素の層である請求項１記載の方
法。
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