JPH1124105A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. マトリクス状に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
   前記第１のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路と、
   イメージセンサとが同一基板上に設けられ、
   前記イメージセンサは、
   光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子とを有する受光部と、前記第２のアクティブ素子を駆動する駆動回路とを有し、
   前記光電変換素子は、第１の電極と、第１の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２の電極とを有し、
   前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記画素マトリクスに形成された導電膜と同じ出発膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
2. マトリクス状に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
   前記第１のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路と、
   イメージセンサとが同一基板上に設けられ、
   前記イメージセンサは、
   光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第２のアクティブ素子とを有する受光部と、前記第２のアクティブ素子を駆動する駆動回路とを有し、
   前記画素マトリクスは、
   前記基板上に形成された第１のアクティブ素子と、
   前記第１のアクティブ素子を覆う第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に形成された遮光膜と、
   前記遮光膜上に形成された第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第１のアクティブ素子に電気的に接続された画素電極とを有し、
   前記受光部は、
   前記基板上に形成された第２のアクティブ素子と、
   前記第２のアクティブ素子を覆う前記第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上に形成され、前記遮光膜と同じ出発膜でなる下側電極と、
   前記下側電極上に形成された光電変換層と、
   前記光電変換層上に形成され、前記画素電極と同じ出発膜でなる透明電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
3. 請求項１または請求項２において、前記第１の絶縁膜は、無機絶縁材料からなる膜と、樹脂膜との積層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
4. 請求項３において、前記無機絶縁材料からなる膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素の単層膜または多層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
5. 請求項３または請求項４において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはアクリルであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記周辺駆動回路及び前記駆動回路は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
8. 請求項６または請求項７において、前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜は、ＳｉＨ ₄ とＮ ₂ Ｏを原料ガスに用いて、プラズマＣＶＤ法で形成されたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
9. マトリクス状に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
   前記第１のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路と、
   光起電力装置とが同一基板上に設けられ、
   前記光起電力装置は、
   第１の電極と、第１の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２の電極とを有し、
   前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記画素マトリクスに形成された導電膜と同じ出発膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
10. マトリクス状に配置された画素電極と、
    前記画素電極に接続された第１のアクティブ素子を有する画素マトリクスと、
    前記第１のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路と、
    光起電力装置とが同一基板上に設けられ、
    前記画素マトリクスは、
    前記基板上に形成された第１のアクティブ素子と、
    前記第１のアクティブ素子を覆う第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に形成された遮光膜と、
    前記遮光膜上に形成された第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第１のアクティブ素子に電気的に接続された画素電極とを有し、
    前記光起電力装置は、
    前記遮光膜と同じ出発膜でなる第１の電極と、
    前記第１の電極上に形成された光電変換層と、
    前記光電変換層上に形成され、前記画素電極と同じ出発膜でなる第２の電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
11. 基板上に、第１のアクティブ素子、第２のアクティブ素子、前記第１のアクティブ素子を駆動する周辺駆動回路、および前記第２のアクティブ素子を駆動する駆動回路とを作製する第１の工程と、
    前記第１のアクティブ素子と前記第２のアクティブ素子とを少なくとも覆う第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、
    前記第１の絶縁膜上に導電膜を形成する第３の工程と、
    前記導電膜をパターニングして、前記第１のアクティブ素子を遮光するための遮光膜と、
    前記第２のアクティブ素子に接続された下部電極とを形成する第４の工程と、
    前記下部電極上に光電変換層を形成する第５の工程と、
    前記遮光膜上に第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
    前記光電変換層と、前記第２の絶縁膜とを少なくとも覆う透明導電膜を形成する第７の工程と、
    前記透明導電膜をパターニングして前記第１のアクティブ素子に接続された画素電極と、
    前記光電変換層に接する透明電極とを形成する第８の工程と、
    を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
12. 請求項１１において、前記第１の絶縁膜は、無機絶縁材料からなる膜と、樹脂膜との積層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
13. 請求項１２において、前記無機絶縁材料からなる膜は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素の単層膜または多層膜であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
14. 請求項１２または請求項１３において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはアクリルであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
15. 請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記第１のアクティブ素子及び前記第２のアクティブ素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
16. 請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記周辺駆動回路及び前記駆動回路は薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。
17. 請求項１５または請求項１６において、前記薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜は、ＳｉＨ ₄ とＮ ₂ Ｏを原料ガスに用いて、プラズマＣＶＤ法で形成されることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の製造方法。