JPH1195262A5 - 表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器 - Google Patents
表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器Info
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- JPH1195262A5 JPH1195262A5 JP1997273452A JP27345297A JPH1195262A5 JP H1195262 A5 JPH1195262 A5 JP H1195262A5 JP 1997273452 A JP1997273452 A JP 1997273452A JP 27345297 A JP27345297 A JP 27345297A JP H1195262 A5 JPH1195262 A5 JP H1195262A5
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- マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2の電極とを有し、
前記センサ部には、前記第2の電極上に保護膜が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 絶縁膜上に設けられたマトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一基板上に設けられ、
前記光電変換素子は、第1の電極と、前記第1の電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第2の電極とを有し、
前記センサ部には、前記第2の電極上に保護膜が設けられており、
前記保護膜は、前記表示部の前記絶縁膜と同一の膜であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、前記保護膜は、樹脂膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1または2において、前記保護膜は、無機絶縁材料からなる膜と、前記無機絶縁材料からなる膜上に形成された樹脂膜とからなることを特徴とする表示装置。
- 請求項3または4において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルのいずれか一であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子は、それぞれTFTであることを特徴とする表示装置。
- 請求項6において、前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子は、それぞれトップゲイト型であることを特徴とする表示装置。
- 請求項6において、前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子は、それぞれボトムゲイト型であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記画素電極の配列と、前記光電変換素子の配列とが同じであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一に記載の表示装置を用いることを特徴とする電子機器。
- 請求項10において、前記電子機器は、ノート型パソコン、テレビ電話、携帯情報端末機のいずれか一であることを特徴とする電子機器。
- マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一の基板上に設けられた表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子を形成し、
前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子を覆う第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして、前記第2のアクティブ素子に接続する第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に透明導電膜からなる第2の電極を形成し、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の電極上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に前記画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - マトリクス状の画素電極と、前記画素電極に接続された第1のアクティブ素子を有する画素マトリクスを有する表示部と、光電変換素子と、前記光電変換素子に接続された第2のアクティブ素子を有するセンサ部とが同一の基板上に設けられた表示装置の作製方法であって、
前記基板上に、前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子を形成し、
前記第1のアクティブ素子及び前記第2のアクティブ素子とを少なくとも覆う第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をパターニングして、前記第1のアクティブ素子を遮光する遮光膜と前記第2のアクティブ素子に接続する第1の電極とを形成し、
前記第1の電極上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に透明導電膜からなる第2の電極を形成し、
前記第1の絶縁膜、前記遮光膜、及び前記第2の電極上に第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に前記画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項12または13において、前記第2の絶縁膜によって前記第2のアクティブ素子を保護することを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至14のいずれか一において、前記第2の絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項12乃至14のいずれか一において、前記第2の絶縁膜は、無機絶縁材料からなる膜と、前記無機絶縁材料からなる膜上に形成された樹脂膜とからなることを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項15または16において、前記樹脂膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルのいずれか一であることを特徴とする表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27345297A JP4043002B2 (ja) | 1997-09-20 | 1997-09-20 | 表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27345297A JP4043002B2 (ja) | 1997-09-20 | 1997-09-20 | 表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器 |
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| JPH1195262A JPH1195262A (ja) | 1999-04-09 |
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| JP4043002B2 JP4043002B2 (ja) | 2008-02-06 |
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| JP27345297A Expired - Fee Related JP4043002B2 (ja) | 1997-09-20 | 1997-09-20 | 表示装置及びその作製方法並びに表示装置を用いた電子機器 |
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